JPH07226431A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JPH07226431A JPH07226431A JP1520094A JP1520094A JPH07226431A JP H07226431 A JPH07226431 A JP H07226431A JP 1520094 A JP1520094 A JP 1520094A JP 1520094 A JP1520094 A JP 1520094A JP H07226431 A JPH07226431 A JP H07226431A
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- Japan
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- electrostatic chuck
- room temperature
- insulating layer
- adsorption force
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Abstract
(57)【要約】
【構成】シリコンウエハと静電的に保持する静電チャッ
クにおいて、静電チャックの表面に少なくとも室温〜６
００℃における体積固有抵抗が１×１０8 〜１×１０13
Ω−ｃｍの窒化アルミニウムからなる絶縁層を化学気相
合成法等により形成する。 【効果】室温（２５℃）から６００℃の広い温度領域に
おいて安定したウエハ吸着特性を有し、残留吸着力がな
く吸着力も大きい静電チャックを提供でき、優れた信頼
性と長期安定性が得られ、静電チャックの製造コストの
低減を図ることができる。
クにおいて、静電チャックの表面に少なくとも室温〜６
００℃における体積固有抵抗が１×１０8 〜１×１０13
Ω−ｃｍの窒化アルミニウムからなる絶縁層を化学気相
合成法等により形成する。 【効果】室温（２５℃）から６００℃の広い温度領域に
おいて安定したウエハ吸着特性を有し、残留吸着力がな
く吸着力も大きい静電チャックを提供でき、優れた信頼
性と長期安定性が得られ、静電チャックの製造コストの
低減を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置等にお
いてウエハーを静電的に吸着保持して処理したり、搬送
するための静電チャックで、特に常温から高温まで残留
吸着がなく、吸着特性と耐久性に優れた静電チャックに
関する。
いてウエハーを静電的に吸着保持して処理したり、搬送
するための静電チャックで、特に常温から高温まで残留
吸着がなく、吸着特性と耐久性に優れた静電チャックに
関する。
【０００２】
【従来技術】従来より、半導体製造用装置において、シ
リコンウエハ等の半導体を成膜やエッチングするために
はシリコンウエハの平坦度を保ちながら保持する必要が
あり、このような手段としては機械式、真空吸着式、静
電吸着式が提案されている。
リコンウエハ等の半導体を成膜やエッチングするために
はシリコンウエハの平坦度を保ちながら保持する必要が
あり、このような手段としては機械式、真空吸着式、静
電吸着式が提案されている。
【０００３】これらの保持手段の中で静電的にシリコン
ウエハを保持することのできる静電チャックはシリコン
ウエハの加工を行うに際して要求される加工面の平坦度
や平向度を容易に実現することができ、さらにシリコン
ウエハを真空中で加工処理することができるため、半導
体の製造に際して最も多用されている。
ウエハを保持することのできる静電チャックはシリコン
ウエハの加工を行うに際して要求される加工面の平坦度
や平向度を容易に実現することができ、さらにシリコン
ウエハを真空中で加工処理することができるため、半導
体の製造に際して最も多用されている。
【０００４】従来の静電チャックは、電極板の上にアル
ミナ、サファイヤ等からなる絶縁層を形成したもの（特
開昭６０ー２６１３７７号）、絶縁性基体の上に導電層
を形成しその上に絶縁層を形成したもの（特開平４ー３
４９５３号）、絶縁性基体内部に導電層を組み込んだも
の（特開昭６２ー９４９５３号）などが提案されてい
る。
ミナ、サファイヤ等からなる絶縁層を形成したもの（特
開昭６０ー２６１３７７号）、絶縁性基体の上に導電層
を形成しその上に絶縁層を形成したもの（特開平４ー３
４９５３号）、絶縁性基体内部に導電層を組み込んだも
の（特開昭６２ー９４９５３号）などが提案されてい
る。
【０００５】近年、半導体素子の集積回路の集積度が向
上するに従い、静電チャックの精度が高度化し、さらに
耐食性、耐摩耗性、耐熱衝撃性に優れたセラミックス製
静電チャックが要求されるようになってきた。
上するに従い、静電チャックの精度が高度化し、さらに
耐食性、耐摩耗性、耐熱衝撃性に優れたセラミックス製
静電チャックが要求されるようになってきた。
【０００６】一般に絶縁体の体積固有抵抗値は温度とと
もに低下し、例えば窒化アルミニウムの場合には室温か
ら６００℃で１０16Ω−ｃｍ から１０7 Ω−ｃｍ以下
まで激減し、安定した動作が不可能であり、使用温度に
制限があった。そこで、特開平２ー１６０４４４号には
絶縁層を２層以上積層するとともにそれぞれの層に対応
する電極及び電気回路、スイッチングを設けて、室温か
ら４００℃までの使用に耐えられるような構造が開示さ
れている。また、特開平４ー３００１３７号には静電チ
ャック内にヒータ、熱電対などの温度検出器を取付け、
外部に制御部を設けて温度変化にともなって電源部を制
御して吸着力を安定させ、使用温度範囲を広げることも
提案させている。
もに低下し、例えば窒化アルミニウムの場合には室温か
ら６００℃で１０16Ω−ｃｍ から１０7 Ω−ｃｍ以下
まで激減し、安定した動作が不可能であり、使用温度に
制限があった。そこで、特開平２ー１６０４４４号には
絶縁層を２層以上積層するとともにそれぞれの層に対応
する電極及び電気回路、スイッチングを設けて、室温か
ら４００℃までの使用に耐えられるような構造が開示さ
れている。また、特開平４ー３００１３７号には静電チ
ャック内にヒータ、熱電対などの温度検出器を取付け、
外部に制御部を設けて温度変化にともなって電源部を制
御して吸着力を安定させ、使用温度範囲を広げることも
提案させている。
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】静電チャックの表面
に形成する材料として、室温から高温まで安定した吸着
力を有する材料がなく、上述のように静電チャックの構
造を変えたり、電気的な制御により使用できる温度範囲
を広げようとしてきた。しかし、絶縁層を２層以上積層
して電極を増やしたものでは、電気回路も複雑となり、
静電チャック自体の構造が複雑になるために製造工程が
煩雑であり、そのために製品の信頼性が低下したり、コ
ストが高くなるといった欠点があった。また、ヒーター
を内蔵してその温度を検知し、印加電圧を制御する方法
においても静電チャック内に熱電対などの温度検知器を
内蔵するために検知器が故障すると使用不可能になると
いう問題があり、またこの方法においても材料の持つ特
性は本質的に変化しないことから、その使用範囲には自
ずと限界がある。
に形成する材料として、室温から高温まで安定した吸着
力を有する材料がなく、上述のように静電チャックの構
造を変えたり、電気的な制御により使用できる温度範囲
を広げようとしてきた。しかし、絶縁層を２層以上積層
して電極を増やしたものでは、電気回路も複雑となり、
静電チャック自体の構造が複雑になるために製造工程が
煩雑であり、そのために製品の信頼性が低下したり、コ
ストが高くなるといった欠点があった。また、ヒーター
を内蔵してその温度を検知し、印加電圧を制御する方法
においても静電チャック内に熱電対などの温度検知器を
内蔵するために検知器が故障すると使用不可能になると
いう問題があり、またこの方法においても材料の持つ特
性は本質的に変化しないことから、その使用範囲には自
ずと限界がある。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問
題点に対して特に静電チャックを構成する材料の観点か
ら検討を重ねた結果、例えば化学気相合成法により形成
された窒化アルミニウムのうち、室温〜６００℃におけ
る体積固有抵抗が１×１０8 〜１×１０13Ω−ｃｍであ
る窒化アルミニウム膜を絶縁層として表面に形成する
と、室温〜６００℃という広範囲な温度域において安定
した吸着特性を実現するに至った。
題点に対して特に静電チャックを構成する材料の観点か
ら検討を重ねた結果、例えば化学気相合成法により形成
された窒化アルミニウムのうち、室温〜６００℃におけ
る体積固有抵抗が１×１０8 〜１×１０13Ω−ｃｍであ
る窒化アルミニウム膜を絶縁層として表面に形成する
と、室温〜６００℃という広範囲な温度域において安定
した吸着特性を実現するに至った。
【０００９】即ち、本発明の静電チャックは、少なくと
も室温〜６００℃における体積固有抵抗が１×１０8 〜
１×１０13Ω−ｃｍの窒化アルミニウムを主体とする絶
縁層により表面を形成することにより、安定した吸着力
を有し、かつ印加電圧を切ったときには残留吸着力がな
く、静電チャックとして良好な特性を示した。
も室温〜６００℃における体積固有抵抗が１×１０8 〜
１×１０13Ω−ｃｍの窒化アルミニウムを主体とする絶
縁層により表面を形成することにより、安定した吸着力
を有し、かつ印加電圧を切ったときには残留吸着力がな
く、静電チャックとして良好な特性を示した。
【００１０】本発明の静電チャックの代表的な構造を図
１に示した。図１によれば、静電チャックは、絶縁体か
らなる基体１と、その基体１表面に形成された電極２お
よび絶縁層３により構成される。絶縁層３は、少なくと
もシリコンウエハ４の載置面、あるいは半導体製造装置
内に露出している基体面全体に形成される。なお、基体
１内にヒータを内蔵させても何ら差し支えない。
１に示した。図１によれば、静電チャックは、絶縁体か
らなる基体１と、その基体１表面に形成された電極２お
よび絶縁層３により構成される。絶縁層３は、少なくと
もシリコンウエハ４の載置面、あるいは半導体製造装置
内に露出している基体面全体に形成される。なお、基体
１内にヒータを内蔵させても何ら差し支えない。
【００１１】本発明において、絶縁層３は、窒化アルミ
ニウムからなり、しかも室温〜６００℃における体積固
有抵抗が１×１０8 〜１×１０13Ω−ｃｍ、好ましくは
１×１０9 〜１×１０12Ω−ｃｍの範囲にあるような特
性を有するものであることが重要である。これは、絶縁
層の体積固有抵抗が１×１０8 Ω−ｃｍより小さいとリ
ーク電流が大きくなり、１×１０13Ω−ｃｍより大きい
と残留吸着力が発生するという問題が生じるためであ
る。このうち、漏れ電流や耐電圧、応答性を考慮すれば
１×１０10〜５×１０11Ω−ｃｍが最も好ましい。更に
安定した動作を行なうためには体積固有抵抗の変化が室
温〜６００℃の温度範囲において３桁以内、好ましくは
２桁以内が良い。
ニウムからなり、しかも室温〜６００℃における体積固
有抵抗が１×１０8 〜１×１０13Ω−ｃｍ、好ましくは
１×１０9 〜１×１０12Ω−ｃｍの範囲にあるような特
性を有するものであることが重要である。これは、絶縁
層の体積固有抵抗が１×１０8 Ω−ｃｍより小さいとリ
ーク電流が大きくなり、１×１０13Ω−ｃｍより大きい
と残留吸着力が発生するという問題が生じるためであ
る。このうち、漏れ電流や耐電圧、応答性を考慮すれば
１×１０10〜５×１０11Ω−ｃｍが最も好ましい。更に
安定した動作を行なうためには体積固有抵抗の変化が室
温〜６００℃の温度範囲において３桁以内、好ましくは
２桁以内が良い。
【００１２】絶縁層を構成する窒化アルミニウムを主体
とする膜は、周知の気相法、例えば、スパッタリング、
イオンプレーティングなどの物理気相合成法（ＰＶＤ
法）や、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍｅｔａｌ
−ｏｒｇａｎｉｃ）ＣＶＤなどの化学気相合成法（ＣＶ
Ｄ法）により形成されるが、これらの中でもＣＶＤ法が
よい。本発明により採用される体積固有抵抗が１×１０
8 〜１×１０13Ω−ｃｍの膜は、ＣＶＤ法において、例
えば原料ガスとしてＮ2 ガス、ＮＨ3 ガスとＡｌＣｌ3
ガスを用いた場合、これらのガスの流量比をＮ2 ／Ａｌ
Ｃｌ3 ＝５〜７０、ＮＨ3 ／ＡｌＣｌ3 ＝０．１〜１０
とし、成膜温度を８５０℃以上の比較的高めに設定する
ことにより作製することができる。
とする膜は、周知の気相法、例えば、スパッタリング、
イオンプレーティングなどの物理気相合成法（ＰＶＤ
法）や、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍｅｔａｌ
−ｏｒｇａｎｉｃ）ＣＶＤなどの化学気相合成法（ＣＶ
Ｄ法）により形成されるが、これらの中でもＣＶＤ法が
よい。本発明により採用される体積固有抵抗が１×１０
8 〜１×１０13Ω−ｃｍの膜は、ＣＶＤ法において、例
えば原料ガスとしてＮ2 ガス、ＮＨ3 ガスとＡｌＣｌ3
ガスを用いた場合、これらのガスの流量比をＮ2 ／Ａｌ
Ｃｌ3 ＝５〜７０、ＮＨ3 ／ＡｌＣｌ3 ＝０．１〜１０
とし、成膜温度を８５０℃以上の比較的高めに設定する
ことにより作製することができる。
【００１３】一方、絶縁層３を形成する基体１として
は、最表面が上記窒化アルミニウムからなる絶縁層であ
ることを除き、あらゆるものが使用できるが、具体的に
はＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＯＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ダイヤモンド、
ムライト、ＺｒＯ2 などが挙げられるが、これらの中で
も半導体製造時の耐プラズマ性に優れる点で窒化アルミ
ニウムを主体とする焼結体が最も望ましい。さらに、電
圧を印加する電極２は、周知の金属材料が適用でき、例
えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ａｇのいずれでも使用可
能である。また、導電性のセラミック材料、例えばＴｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＷＣ、カーボンやＳｉ半導体材料（ｎ型あ
るいはｐ型）も電極材料として使用が可能である。その
他、基体としては、電極層２が存在せず、それ自体が導
電性を有するＳｉＣ、ＴｉＮ、ＷＣなどの導電性セラミ
ックス、Ｗ、Ｍｏなどの金属単体およびこれらの合金な
どにより形成することも可能であり、その場合には導電
性基体そのものに直接電圧を印加する。
は、最表面が上記窒化アルミニウムからなる絶縁層であ
ることを除き、あらゆるものが使用できるが、具体的に
はＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＯＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ダイヤモンド、
ムライト、ＺｒＯ2 などが挙げられるが、これらの中で
も半導体製造時の耐プラズマ性に優れる点で窒化アルミ
ニウムを主体とする焼結体が最も望ましい。さらに、電
圧を印加する電極２は、周知の金属材料が適用でき、例
えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ａｇのいずれでも使用可
能である。また、導電性のセラミック材料、例えばＴｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＷＣ、カーボンやＳｉ半導体材料（ｎ型あ
るいはｐ型）も電極材料として使用が可能である。その
他、基体としては、電極層２が存在せず、それ自体が導
電性を有するＳｉＣ、ＴｉＮ、ＷＣなどの導電性セラミ
ックス、Ｗ、Ｍｏなどの金属単体およびこれらの合金な
どにより形成することも可能であり、その場合には導電
性基体そのものに直接電圧を印加する。
【００１４】上記のような構成からなる静電チャックに
よりシリコンウエハを静電吸着するには、電極層あるい
は導電性基体におよそ０．２〜２．０ｋＶの電圧を印加
することにより静電吸着を行うことができる。
よりシリコンウエハを静電吸着するには、電極層あるい
は導電性基体におよそ０．２〜２．０ｋＶの電圧を印加
することにより静電吸着を行うことができる。
【００１５】
【作用】本発明において、絶縁層の電気特性を室温〜６
００℃の温度領域において安定させ、この温度範囲にお
ける体積固有抵抗が１×１０8 〜１×１０13Ω−ｃｍの
材料を表面に形成することにより、この温度領域におけ
るウエハの吸着特性を安定化し、また残留吸着力の発生
しない静電チャックが得られる。
００℃の温度領域において安定させ、この温度範囲にお
ける体積固有抵抗が１×１０8 〜１×１０13Ω−ｃｍの
材料を表面に形成することにより、この温度領域におけ
るウエハの吸着特性を安定化し、また残留吸着力の発生
しない静電チャックが得られる。
【００１６】また、本発明によれば、格別に複雑な構造
をとる必要がなく、本発明の材料を用いることによって
静電チャック自体の構造が簡単になり、低コストで広範
囲な温度領域における使用を可能とし、電気回路を含め
て組み込まれる装置自体の簡略化も実現でき、また静電
チャックとして信頼性、長期安定性が保証される。
をとる必要がなく、本発明の材料を用いることによって
静電チャック自体の構造が簡単になり、低コストで広範
囲な温度領域における使用を可能とし、電気回路を含め
て組み込まれる装置自体の簡略化も実現でき、また静電
チャックとして信頼性、長期安定性が保証される。
【００１７】
実施例１ 窒化アルミニウム質焼結体からなる基体表面に電極層と
してＭｏとＭｎからなる合金をメタライズした後、その
電極層の表面に化学気相合成法によってＡｌＮ膜を形成
した。ＡｌＮ膜の成膜は、基体を外熱式によって９００
℃に加熱した炉に入れ、窒素を８ＳＬＭ、アンモニアを
０．５ＳＬＭのガスを流して圧力を４０ｔｏｒｒとし
た。塩化アルミニウムを３００ｓｃｃｍ流して反応を開
始し、６時間の反応によって約４００μｍの膜厚のＡｌ
Ｎ膜を形成した。ＡｌＮ膜の表面を表面粗さＲａが０．
０２ｍｍとなるように研磨し、膜の２５℃〜６００℃に
おける体積固有抵抗値と、電極に５００Ｖの電圧を印加
した時の静電チャックとしての吸着力および３０分間電
圧印加し、電圧印加を停止した直後の吸着力を真空中で
測定した。
してＭｏとＭｎからなる合金をメタライズした後、その
電極層の表面に化学気相合成法によってＡｌＮ膜を形成
した。ＡｌＮ膜の成膜は、基体を外熱式によって９００
℃に加熱した炉に入れ、窒素を８ＳＬＭ、アンモニアを
０．５ＳＬＭのガスを流して圧力を４０ｔｏｒｒとし
た。塩化アルミニウムを３００ｓｃｃｍ流して反応を開
始し、６時間の反応によって約４００μｍの膜厚のＡｌ
Ｎ膜を形成した。ＡｌＮ膜の表面を表面粗さＲａが０．
０２ｍｍとなるように研磨し、膜の２５℃〜６００℃に
おける体積固有抵抗値と、電極に５００Ｖの電圧を印加
した時の静電チャックとしての吸着力および３０分間電
圧印加し、電圧印加を停止した直後の吸着力を真空中で
測定した。
【００１８】測定の結果、上記気相合成法により得られ
たＡｌＮ膜の体積固有抵抗値は図２の黒丸に示すように
２５℃（室温）〜６００℃の温度域で５×１０8 〜５×
１０11Ω−ｃｍ内にあり、吸着力は図３の黒丸で示すよ
うに比較例に比べて大きく、また２５〜６００℃の温度
域で同じ吸着力を持ち、かつ応答性が良好で、残留吸着
力は全く見られなかった。
たＡｌＮ膜の体積固有抵抗値は図２の黒丸に示すように
２５℃（室温）〜６００℃の温度域で５×１０8 〜５×
１０11Ω−ｃｍ内にあり、吸着力は図３の黒丸で示すよ
うに比較例に比べて大きく、また２５〜６００℃の温度
域で同じ吸着力を持ち、かつ応答性が良好で、残留吸着
力は全く見られなかった。
【００１９】実施例２ 実施例１で用いた基体表面に電極層としてＭｏとＭｎか
らなる合金をメタライズした後、化学気相合成法によっ
てＡｌＮ膜を形成した。ＡｌＮ膜は、基体を外熱式によ
って８７５℃に加熱した炉に入れ、窒素を８ＳＬＭ、ア
ンモニアを０．５ＳＬＭのガスを流して圧力を４０ｔｏ
ｒｒとした。そこに塩化アルミニウムを３００ｓｃｃｍ
流して反応を開始し、６時間の反応によって約４００μ
ｍの膜厚を得た。表面をＲａで０．０２ｍｍに研磨し、
実施例１と同様にして体積固有抵抗と吸着力および残留
吸着力を測定した。体積抵抗値は図２に有るように２５
〜６００℃の温度域で８×１０9 〜１×１０11Ω−ｃｍ
内にあり、吸着力は図３のように比較例に比べて大き
く、また２５〜６００℃の温度域で同じ吸着力を持ち、
かつ応答性が良好で、残留吸着力は全く見られなかっ
た。特性は実施例１と同様であったが、室温での応答性
は実施例１に比べて３０％早かった。
らなる合金をメタライズした後、化学気相合成法によっ
てＡｌＮ膜を形成した。ＡｌＮ膜は、基体を外熱式によ
って８７５℃に加熱した炉に入れ、窒素を８ＳＬＭ、ア
ンモニアを０．５ＳＬＭのガスを流して圧力を４０ｔｏ
ｒｒとした。そこに塩化アルミニウムを３００ｓｃｃｍ
流して反応を開始し、６時間の反応によって約４００μ
ｍの膜厚を得た。表面をＲａで０．０２ｍｍに研磨し、
実施例１と同様にして体積固有抵抗と吸着力および残留
吸着力を測定した。体積抵抗値は図２に有るように２５
〜６００℃の温度域で８×１０9 〜１×１０11Ω−ｃｍ
内にあり、吸着力は図３のように比較例に比べて大き
く、また２５〜６００℃の温度域で同じ吸着力を持ち、
かつ応答性が良好で、残留吸着力は全く見られなかっ
た。特性は実施例１と同様であったが、室温での応答性
は実施例１に比べて３０％早かった。
【００２０】比較例 実施例１と同様に電極層としてＭｏとＭｎからなる合金
をメタライズした窒化アルミニウム基体に化学気相合成
法によってＡｌＮ膜を形成した。この時のＡｌＮ膜は、
基体を外熱式によって８２５℃に加熱した炉に入れ、窒
素を８ＳＬＭ、アンモニアを１ＳＬＭのガスを流して圧
力を４０ｔｏｒｒとした。塩化アルミニウムを３００ｓ
ｃｃｍ流して反応を開始し、７時間の反応によって約４
００μｍの膜厚のＡｌＮ膜を形成した。表面をＲａで
０．２ｍｍに研磨した後、実施例１と同様な方法で、体
積抵抗と吸着力および残留吸着力を測定した。測定の結
果、体積抵抗は２００℃から４００℃への変化により１
０8 Ω−ｃｍから１０14Ω−ｃｍまで急激に変化した。
そのため、吸着力は４００℃以上では漏れ電流が大きく
なり使用不能の状態であり、また１５０、２００℃では
吸着力が安定化するまでの時間が長く、また残留吸着力
が観察された。
をメタライズした窒化アルミニウム基体に化学気相合成
法によってＡｌＮ膜を形成した。この時のＡｌＮ膜は、
基体を外熱式によって８２５℃に加熱した炉に入れ、窒
素を８ＳＬＭ、アンモニアを１ＳＬＭのガスを流して圧
力を４０ｔｏｒｒとした。塩化アルミニウムを３００ｓ
ｃｃｍ流して反応を開始し、７時間の反応によって約４
００μｍの膜厚のＡｌＮ膜を形成した。表面をＲａで
０．２ｍｍに研磨した後、実施例１と同様な方法で、体
積抵抗と吸着力および残留吸着力を測定した。測定の結
果、体積抵抗は２００℃から４００℃への変化により１
０8 Ω−ｃｍから１０14Ω−ｃｍまで急激に変化した。
そのため、吸着力は４００℃以上では漏れ電流が大きく
なり使用不能の状態であり、また１５０、２００℃では
吸着力が安定化するまでの時間が長く、また残留吸着力
が観察された。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の静電チャッ
クは、半導体製造過程において室温（２５℃）から６０
０℃の広い温度領域において安定した吸着特性を有し、
残留吸着力がなく吸着力も大きい静電チャックを提供で
きる。したがって、静電チャックとして優れた信頼性と
長期安定性が得られ、静電チャックの製造コストの低減
を図ることができる。
クは、半導体製造過程において室温（２５℃）から６０
０℃の広い温度領域において安定した吸着特性を有し、
残留吸着力がなく吸着力も大きい静電チャックを提供で
きる。したがって、静電チャックとして優れた信頼性と
長期安定性が得られ、静電チャックの製造コストの低減
を図ることができる。
【図１】本発明の静電チャックの構造を示す断面図であ
る。
る。
【図２】実施例において作製した絶縁層の体積抵抗値の
温度依存性を示す図である。
温度依存性を示す図である。
【図３】実施例において作製した絶縁層の吸着力の温度
依存性を示す図である。
依存性を示す図である。
１ 基体 ２ 電極 ３ 絶縁層 ４ シリコンウエハ
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも室温〜６００℃における体積固
有抵抗が１×１０8 〜１×１０13Ω−ｃｍの窒化アルミ
ニウムからなる絶縁層を表面に有することを特徴とする
静電チャック。 - 【請求項２】前記絶縁層が化学気相合成法により被覆さ
れたものであることを特徴とする請求項１記載の静電チ
ャック。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1520094A JP3180998B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 静電チャック |
| US08/385,774 US5668524A (en) | 1994-02-09 | 1995-02-09 | Ceramic resistor and electrostatic chuck having an aluminum nitride crystal phase |
| US08/841,605 US5777543A (en) | 1994-01-09 | 1997-04-30 | Ceramic resistor and electrostatic chuck having an aluminum nitride crystal phase |
Applications Claiming Priority (1)
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1994
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