JPH07226631A - 光信号検出回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、初段アンプの入力端子のインピー
ダンスを低く抑えて高速性を劣化させずに高トランスイ
ンピーダンスを得ることを目的とする。 【構成】 この発明は、光入力信号を電流信号に変換す
る光検出器１１と、この光検出器１１の一方の接続点に
入力端子１３及び帰還端子１４が接続された初段アンプ
１２とを有する光信号検出回路において、初段アンプ１
２の出力電圧を一定の割合で分割して出力する、帰還用
アンプを含む帰還回路部１６，１７，１９と、この帰還
回路部１６，１７，１９の出力端子と初段アンプ１２の
帰還端子との間に接続される帰還用抵抗２０とを備えた
ものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク装置の光ピ
ックアップ，光通信用光受信機，光センサ等に用いら
れ、光信号を電圧信号として検出する光信号検出回路に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光信号検出回路は、図１２に示す
ように光入力信号を光検出器１により電流信号に変換
し、この電流信号を初段アンプ２で電圧信号に変換して
例えば反転増幅する。初段アンプ２は出力端子と反転入
力端子との間に帰還用抵抗３が接続されている。この光
信号検出回路は光ディスク装置において光ディスクの情
報信号読み取りに使われる光ピックアップや光通信用光
受信機，光センサ等で光信号検出に用いられる。

【０００３】特開平１ー２３８２０８号公報には、エミ
ッタ接地回路にエミッタフォロワ回路を接続し、該エミ
ッタフォロワ回路の出力を抵抗を介してエミッタ接地回
路のベース端子に帰還してなるトランスインピーダンス
型増幅回路と、受光素子とによって構成される光受信回
路において、受光素子のカソードを上記エミッタ接地回
路のベース入力端子に接続し、且つ、該エミッタ接地回
路の負荷抵抗Ｒ_Lとエミッタフォロワ回路の接地抵抗Ｒ_E
及びエミッタフォロワ回路を構成するトランジスタの電
流増幅率ｈ_FEとの間に、Ｒ_L≪ｈ_FEＲ_Eなる関係が成立す
るように構成したことを特徴とする光受信回路が記載さ
れている。

【０００４】特開平１ー２６４３１３号公報には、エミ
ッタ接地回路のコレクタにエミッタフォロワ回路を接続
し、該エミッタフォロワ回路の出力を抵抗を介してエミ
ッタ接地回路のベース入力端子に帰還してなるトランス
インピーダンス型増幅回路と、カソードを上記エミッタ
接地回路のベース入力端子に接続した受光素子と、上記
エミッタフォロワ回路が一定のエミッタ電流により動作
するように接続した定電流回路とを有し、該定電流回路
の一定電流値Ｉ_Oと、エミッタ接地回路に用いるトラン
ジスタの電流増幅率ｈ_FE、エミッタ接地回路の負荷抵抗
Ｒ_L、エミッタフォロワ回路に用いるトランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧Ｖ_BE4、定電流源を用いずにエミ
ッタフォロワ回路を構成した場合のエミッタフォロワ回
路のエミッタ抵抗Ｒ_E、及び電源電圧Ｖ_CCとの間に Ｉ_O≦ｈ_FE／（Ｒ_L＋ｈ_FE・Ｒ_E）×（Ｖ_CC−Ｖ_BE4） なる関係が成立するように構成したことを特徴とする光
受信回路が記載されている。

【０００５】特開平２ー２７８９０６号公報には、光信
号を受けて電気信号に変換する受光素子と、電源端子と
接地端子間に直列に挿入される第１の抵抗と第１のトラ
ンジスタと第２のＣＭＯＳトランジスタとから成り前記
第１のトランジスタのベースを前記受光素子のアノード
に接続する第１段目の増幅回路と前記電源端子と前記接
地端子間に直列に挿入されベースが前記第１のトランジ
スタのコレクタに接続される第３のトランジスタとレベ
ルシフト回路と第２の抵抗から成り前記レベルシフト回
路と前記第２の抵抗の接続節点を帰還抵抗を介して前記
第１のトランジスタのベースに接続する第２段目の増幅
回路とを備える前置増幅器と、入力端が前記レベルシフ
ト回路と第２の抵抗の接続節点に接続され出力端が出力
端子に接続されるＡＧＣ回路と、入力端が前記ＡＧＣ回
路の出力端に接続され出力端が前記ＡＧＣ回路の制御電
圧入力端と前記第２のＭＯＳトランジスタのゲートに接
続されるＡＧＣ制御増幅器とを含むことを特徴とする光
受信回路が記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】光ピックアップは、フ
ァイルデータの高速転送・高速読み取りに伴い、光信号
検出に用いられる光信号検出回路の光検出器や、その周
辺に使われる初段アンプの高速化・高ゲイン化が重要に
なってきた。しかし、この高速化と高ゲイン化とは、相
反する関係にあり、同時に実現することが難しい。

【０００７】一方、光信号検出回路において光検出器か
らの電流信号を電圧信号に変換する初段アンプは、自身
の高域のゲインが低いことに加えて入力端子側が高イン
ピーダンスであるので、高抵抗を介して帰還をかけるこ
とによって一挙に高い電圧ゲインを得たいものの、入力
端子の容量によって帯域制限を受け、高速で且つ高抵抗
を介して帰還をかけることによって高インピーダンスを
得ることが難しい。これは、初段アンプの帰還回路に受
動素子のみを挿入していることによるものであり、初段
アンプのゲインを高くするためには初段アンプの出力側
と入力側との間の抵抗を大きくせざるを得ないので、電
流源としての機能を持つ光検出器の出力端子と初段アン
プとの接続点のインピーダンスを十分に下げることがで
きなかったからである。

【０００８】例えば、図１２に示すように初段アンプ２
の反転入力端子側の入力容量及び光検出器１の端子間容
量と帰還用抵抗３とのなす時定数によって、初段アンプ
２自身が高速であっても動作速度が遅くなってしまう。
これは、帰還用抵抗３の値を小さくし且つ初段アンプ２
の帰還量を少なくすることで解決するが、光信号検出回
路の帯域を初段アンプ２の高域まで十分に伸ばすことは
初段アンプ２の帰還回路を構成する受動素子のみでは困
難であった。

【０００９】本発明は、上記問題点を改善し、初段アン
プの入力端子のインピーダンスを低く抑えることができ
て高速性を劣化させずに高トランスインピーダンスを得
ることができる光信号検出回路を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、光入力信号を電流信号に変
換する光検出器と、この光検出器の一方の接続点に入力
端子及び帰還端子が接続された初段アンプとを有する光
信号検出回路において、前記初段アンプの出力電圧を一
定の割合で分割して出力する、帰還用アンプを含む帰還
回路部と、この帰還回路部の出力端子と前記初段アンプ
の前記帰還端子との間に接続される帰還用抵抗とを備え
たものである。

【００１１】請求項２記載の発明は、請求項１記載の光
信号検出回路において、前記初段アンプが前記光検出器
の一方の接続点に反転入力端子及び帰還端子が接続され
た差動アンプからなる反転アンプにより構成され、前記
帰還回路部が、前記初段アンプの出力電圧を分圧する電
圧分割回路と、この電圧分割回路の出力側と前記帰還用
抵抗との間に設けられた非反転アンプとを有するもので
ある。

【００１２】請求項３記載の発明は、請求項１記載の光
信号検出回路において、前記初段アンプが前記光検出器
の一方の接続点に非反転入力端子及び帰還端子が接続さ
れた差動アンプからなる非反転アンプで構成され、前記
帰還回路部が、前記初段アンプの出力電圧を分圧する電
圧分割回路と、この電圧分割回路の出力側と前記帰還用
抵抗との間に設けられた反転アンプとを有するものであ
る。

【００１３】請求項４記載の発明は、請求項１記載の光
信号検出回路において、前記帰還用抵抗の抵抗値を前記
光検出器の端子間容量及び前記初段アンプの前記入力端
子の容量との和と前記初段アンプの前記帰還抵抗値とが
なす時定数に基づく帯域幅が少なくとも前記初段アンプ
の帯域を超えるような抵抗値に設定したものである。

【００１４】請求項５記載の発明は、請求項１記載の光
信号検出回路において、前記帰還回路部が、前記初段ア
ンプの出力電圧を一定の割合で分割する２つの抵抗で構
成された電圧分割回路と、この電圧分割回路の出力が入
力される帰還用アンプとを有し、この帰還用アンプの入
力容量と前記２つの抵抗の並列抵抗値とのなす時定数に
基づく帯域幅が少なくとも前記帰還用アンプの帯域を超
えるように設定したものである。

【００１５】請求項６記載の発明は、請求項２記載の光
信号検出回路において、前記非反転アンプがエミッタフ
ォロワからなるものである。

【００１６】請求項７記載の発明は、請求項６記載の光
信号検出回路において、前記エミッタフォロワを構成す
るトランジスタと同じ特性を有していてエミッタが前記
差動アンプの非反転端子に接続されると共に抵抗を介し
て負電源側に接続され、かつ、ベースにアース電位が与
えられてコレクタが正電源側に接続されたトランジスタ
を備えたものである。

【００１７】請求項８記載の発明は、請求項１記載の光
信号検出回路において、前記帰還用アンプをエミッタ接
地型減衰アンプを構成するトランジスタを用いて構成
し、このトランジスタのエミツタと電源側との間に接続
される第１の抵抗の値を少なくとも前記トランジスタの
コレクタと電源側との間に接続される第２の抵抗の値よ
り大きく設定したものである。

【００１８】請求項９記載の発明は、請求項８記載の光
信号検出回路において、前記トランジスタと同じ特性を
有していてエミッタが前記第１の抵抗と同じ抵抗値を有
する抵抗を介して電源側に接続され、かつ、ベースにア
ース電位が与えられてコレクタが前記帰還用アンプの反
転端子に接続されると共に前記第２の抵抗と同じ抵抗値
を有する抵抗を介して電源側に接続されたトランジスタ
を備えたものである。

【００１９】

【作用】請求項１記載の発明では、光入力信号が光検出
器により電流信号に変換され、この電流信号が初段アン
プにより電圧信号に変換される。初段アンプの出力電圧
は、帰還用アンプを含む帰還回路部により一定の割合で
分割されて出力され、この帰還回路部の出力が帰還用抵
抗を介して初段アンプの帰還端子に帰還される。

【００２０】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
光信号検出回路において、差動アンプからなる反転アン
プにより構成された初段アンプが光検出器からの電流信
号を電圧信号に変換し、帰還回路部は初段アンプの出力
電圧を電圧分割回路により分圧して非反転アンプで非反
転増幅した後に帰還用抵抗を介して初段アンプの帰還端
子に帰還する。

【００２１】請求項３記載の発明では、請求項１記載の
光信号検出回路において、差動アンプからなる非反転ア
ンプで構成された初段アンプは光検出器からの電流信号
を電圧信号に変換し、帰還回路部は初段アンプの出力電
圧を電圧分割回路により分圧して反転アンプで反転増幅
した後に帰還用抵抗を介して初段アンプの帰還端子に帰
還する。

【００２２】請求項４記載の発明では、請求項１記載の
光信号検出回路において、光検出器の端子間容量及び初
段アンプの入力端子の容量との和と初段アンプの帰還抵
抗値とがなす時定数に基づく帯域幅は少なくとも初段ア
ンプの帯域を超える。

【００２３】請求項５記載の発明では、請求項１記載の
光信号検出回路において、帰還回路部は初段アンプの出
力電圧を２つの抵抗で構成された電圧分割回路により一
定の割合で分割して帰還用アンプ及び帰還用抵抗を介し
て初段アンプの帰還端子に帰還し、この帰還用アンプの
入力容量と前記２つの抵抗の並列抵抗値とのなす時定数
に基づく帯域幅は少なくとも帰還用アンプの帯域を超え
る。

【００２４】請求項６記載の発明では、請求項２記載の
光信号検出回路において、初段アンプの出力電圧は電圧
分割回路により一定の割合で分割されてエミッタフォロ
ワからなる非反転アンプ及び帰還用抵抗を介して初段ア
ンプの帰還端子に帰還される。

【００２５】請求項７記載の発明では、請求項６記載の
光信号検出回路において、エミッタフォロワを構成する
トランジスタと同じ特性を有するトランジスタは、エミ
ッタから差動アンプの非反転端子へバイアス電圧を与
え、エミッタフォロワを構成するトランジスタによるオ
フセットをキャンセルする。

【００２６】請求項８記載の発明では、請求項１記載の
光信号検出回路において、エミッタ接地型減衰アンプを
構成するトランジスタを用いて構成された帰還用アンプ
は、トランジスタのエミツタと電源側との間に接続され
る第１の抵抗の値が少なくともトランジスタのコレクタ
と電源側との間に接続される第２の抵抗の値より大きく
設定され、初段アンプの出力電圧を分圧して増幅した後
に帰還用抵抗を介して初段アンプの帰還端子に帰還す
る。

【００２７】請求項９記載の発明では、請求項８記載の
光信号検出回路において、帰還用アンプを構成するトラ
ンジスタと同じ特性を有するトランジスタは、コレクタ
から差動アンプの反転端子へバイアス電圧を与え、帰還
用アンプを構成するトランジスタによるオフセットをキ
ャンセルする。

【００２８】

【実施例】図１は本発明の第１実施例を示す。この第１
実施例は、請求項１記載の発明の実施例であり、反転出
力型初段アンプ付き光信号検出回路の例である。光検出
器１１は、カソードが電源に接続され、アノードが初段
アンプ１２の反転入力端子１３及び帰還端子１４に接続
される。初段アンプ１２の出力端子１５とアースとの間
には電圧分割回路を構成する２つの抵抗１６，１７が直
列に接続され、この抵抗１６，１７の接続点１８と帰還
端子１４との間に能動素子を有する帰還部１９及び帰還
用抵抗２０が直列に接続される。抵抗１６，１７からな
る電圧分割回路及び帰還部１９は帰還回路部を構成し、
帰還部１９は抵抗１６，１７の並列抵抗値より十分に高
い入力インピーダンスを有する帰還用アンプを用いて構
成される。

【００２９】光信号は、光検出器１１により電流信号に
変換され、初段アンプ１２により電圧信号に変換されて
反転増幅される。初段アンプ１２の出力信号電圧は、出
力端子１５から取り出される一方、抵抗１６，１７によ
り一定の割合で分割されて帰還部１９及び帰還用抵抗２
０を介して初段アンプ１２の反転入力端子１３へ帰還さ
れる。

【００３０】このように第１実施例では、初段アンプ１
２の帰還回路における帰還部１９が能動素子を有するの
で、初段アンプ１２の入力端子のインピーダンスを低く
抑えて初段アンプ１２における帰還回路の抵抗値と初段
アンプ１２の入力端子１３の持つ容量のなす時定数によ
る応答性の劣化を防ぐことにより、高速性を劣化させず
に高トランスインピーダンスを得ることができ、高速化
と高ゲイン化（高トランスインピーダンス化）を同時に
実現することができる。

【００３１】即ち、初段アンプ１２の出力端子１５に現
れる電圧を２つの抵抗１６，１７で分圧し、その出力を
抵抗１６，１７の並列抵抗値より十分に高い入力インピ
ーダンスを有する帰還用アンプを用いて構成された帰還
部１９でインピーダンス変換して帰還用抵抗２０を介し
て初段アンプ１２の反転入力端子１３へ帰還するので、
帰還用抵抗２０を出力インピーダンスの低い帰還部１９
で駆動することができる。このため、帰還用抵抗２０を
初段アンプ１２の出力端子１５に直接に接続した場合に
高トランスインピーダンスと高速化を同時に実現するこ
とが難しかったのに対し、第１実施例では、抵抗１６，
１７の分圧比だけ帰還量を減少させることができて帯域
を落とさずにゲインを上げることができ、帰還用抵抗２
０の抵抗値に対する抵抗１６，１７の分圧比率倍の高ト
ランスインピーダンスが得られる広帯域の初段アンプを
実現できる。

【００３２】図２は本発明の第２実施例を示す。この第
２実施例は、請求項１，２，４，５記載の発明の実施例
であり、上記第１実施例において、初段アンプ１２を差
動アンプからなる反転アンプ２１により構成して帰還部
１９を帰還用アンプ２２及び抵抗２３，２４により構成
するようにしたものである。この帰還用アンプ２２は差
動アンプからなる非反転アンプにより構成される。非反
転アンプ２２は、非反転入力端子が抵抗１６，１７の接
続点１８に接続されて出力端子が帰還用抵抗２０を介し
て帰還端子１４に接続され、反転入力端子と出力端子と
の間に抵抗２３が接続されて反転入力端子が抵抗２４を
介して接地される。反転アンプ２１は、反転入力端子が
接地され、非反転入力端子が帰還端子１４及び光検出器
１１のアノードに接続される。

【００３３】光信号は、光検出器１１により電流信号に
変換され、差動アンプ２１により電圧信号に変換されて
反転増幅される。差動アンプ２１の出力信号電圧は、出
力端子１５から取り出される一方、抵抗１６，１７によ
り一定の割合で分割されて非反転アンプ２２により非反
転増幅された後に帰還用抵抗２０を介して初段アンプ１
２の反転入力端子１３へ帰還される。

【００３４】この第２実施例は、光信号検出回路におい
て初段アンプの帰還抵抗と初段アンプの入力容量及び光
検出器の容量の和とがなす時定数が原因でアンプ系の応
答性を悪くしている場合に有効であって次の条件を満た
している。初段アンプ２１の帰還抵抗（帰還用抵抗２０
の抵抗値）Ｒと初段アンプ２１の入力容量Ｃ_i及び光検
出器１１の容量Ｃ_PDの和（Ｃ＝Ｃ_i＋Ｃ_PD）のなす時定
数τ（＝Ｒ×Ｃ）から決まる周波数ｆ_c（＝１／２π
τ）は初段アンプ２１の帯域より大きくなるように設定
される。即ち、初段アンプ２１の入力抵抗や光検出器１
１の容量は決まっているので、帰還用抵抗２０の抵抗値
は時定数τ（＝Ｒ×Ｃ）から決まる周波数ｆ_cが初段ア
ンプ２１の帯域より大きくなるように設定される。これ
により、初段アンプ２１の入力端子の持つ容量と光検出
器１１の端子間容量との和から高トランスインピーダン
スで広帯域の初段アンプを実現するための帰還用抵抗２
０の抵抗値選択及び、それに伴う初段アンプの必要な特
性の決定が可能となる。

【００３５】同様に抵抗１６，１７の抵抗値Ｒ₁，Ｒ
₂は、抵抗１６，１７を並列とみなしたときの抵抗値
（並列抵抗値＝Ｒ₁／／Ｒ₂）と、帰還用アンプ２２の入
力容量のなす時定数で決まる帯域が帰還用アンプ２２の
帯域より高くなるように設定される。これにより、抵抗
１６，１７の抵抗値決定のための足がかりが得られ、広
帯域化のために必要な初段アンプの特性の決定が可能と
なる。

【００３６】この第２実施例では、第１実施例と同様に
初段アンプ２１の入力端子のインピーダンスを低く抑え
ることができて高速性を劣化させずに高トランスインピ
ーダンスを得ることができ、光信号に対する反転出力が
得られる高トランスインピーダンスで広帯域の初段アン
プを実現できる。

【００３７】図３は本発明の第３実施例を示す。この第
３実施例は、請求項１，３，４，５記載の発明の実施例
であり、上記第１実施例において、初段アンプ１２を差
動アンプからなる非反転アンプ２５により構成して帰還
部１９を反転アンプからなる帰還用アンプ２６及び抵抗
２７，２８により構成するようにしたものである。反転
アンプ２６は、反転入力端子が抵抗２８を介して抵抗１
６，１７の接続点１８に接続されて出力端子が帰還用抵
抗２０を介して帰還端子１４に接続され、反転入力端子
と出力端子との間に抵抗２７が接続されて反転入力端子
が接地される。差動アンプ２５は、反転入力端子が接地
され、非反転入力端子１３が帰還端子１４及び光検出器
１１のアノードに接続される。

【００３８】光信号は、光検出器１１により電流信号に
変換され、差動アンプ２５により電圧信号に変換されて
非反転増幅される。差動アンプ２５の出力信号電圧は、
出力端子１５から取り出される一方、抵抗１６，１７に
より一定の割合で分割されて反転アンプ２６により反転
増幅された後に帰還用抵抗２０を介して初段アンプ１２
の反転入力端子１３へ帰還される。

【００３９】この第３実施例は、第２実施例と同様に次
の条件を満たしている。つまり、初段アンプ２５の帰還
抵抗（帰還用抵抗２０の抵抗値）Ｒと初段アンプ２５の
入力容量Ｃ_i及び光検出器１１の容量Ｃ_PDの和（Ｃ＝Ｃ_i
＋Ｃ_PD）のなす時定数τ（＝Ｒ×Ｃ）から決まる周波数
ｆ_c（＝１／２πτ）は初段アンプ２５の帯域より大き
くなるように設定される。即ち、初段アンプ２５の入力
抵抗や光検出器１１の容量は決まっているので、帰還用
抵抗２０の抵抗値は時定数τ（＝Ｒ×Ｃ）から決まる周
波数ｆ_cが初段アンプ２５の帯域より大きくなるように
設定される。同様に抵抗１６，１７の抵抗値Ｒ₁，Ｒ
₂は、抵抗１６，１７を並列とみなしたときの抵抗値
（並列抵抗値＝Ｒ₁／／Ｒ₂）と、帰還用アンプ２６の入
力容量のなす時定数で決まる帯域が帰還用アンプ２６の
帯域より高くなるように設定される。

【００４０】この第３実施例では、第１実施例と同様に
初段アンプ２５の入力端子のインピーダンスを低く抑え
ることができて高速性を劣化させずに高トランスインピ
ーダンスを得ることができ、光信号に対する非反転出力
が得られる高トランスインピーダンスで広帯域の初段ア
ンプを実現できる。なお、上記各実施例は光検出器１１
のアノード側から初段アンプに電流信号を入力したが、
光検出器１１のカソード側から初段アンプに電流信号を
入力して光検出器１１のアノード側を負電源に接続する
ようにしてもよい。また、帰還用アンプ２２，２６は、
差動アンプを用いたが、差動アンプを用いずにトランジ
スタで構成してもよい。

【００４１】図４〜１１は帰還用アンプを差動アンプを
用いずにトランジスタで構成した本発明の各実施例を示
す。図４はＮＰＮ型トランジスタを用いたエミッタフォ
ロワにより帰還用アンプを構成した本発明の第４実施例
を示す。この第４実施例は、請求項１，２，４，５，６
記載の発明の実施例であり、上記第２実施例において、
帰還用アンプがＮＰＮ型トランジスタ２９を用いたエミ
ッタフォロワにより構成される。このトランジスタ２９
は、ベースが抵抗１６，１７の接続点１８に接続されて
コレクタが正電源＋Ｖsに接続され、エミッタがエミッ
タ抵抗３０を介して負電源−Ｖsに接続されると共に帰
還用抵抗２０を介して帰還端子１４に接続される。反転
アンプ２１は正側電源端子が正電源＋Ｖsに接続されて
負側電源端子が負電源−Ｖsに接続され、光検出器１１
のカソードは正電源＋Ｖsに接続される。

【００４２】光信号は、光検出器１１により電流信号に
変換され、差動アンプ２１により電圧信号に変換されて
反転増幅される。差動アンプ２１の出力信号電圧は、出
力端子１５から取り出される一方、抵抗１６，１７によ
り一定の割合で分割されてトランジスタ２９を用いたエ
ミッタフォロワにより非反転増幅された後に帰還用抵抗
２０を介して初段アンプ１２の反転入力端子１３へ帰還
される。

【００４３】よく知られているようにエミッタフォロワ
では、入力インピーダンスはエミッタ抵抗の約β倍であ
り、電流増幅率ｈ_FEが１となる周波数ｆ_tの高いトラン
ジスタを使えばβ≒１００となり、十分に高い入力イン
ピーダンスを期待でき、且つ出力インピータンスはエミ
ツタ抵抗程度という低い値が得られて上述の条件をよく
満たす。

【００４４】この第４実施例では、差動アンプの代りに
１つのトランジスタ２９を用いて帰還用アンプを実現で
きてエミッタフォロワの高速応答性を持つ高入力インピ
ーダンス及び低出力インピーダンスの帰還用アンプから
なる能動回路を容易に構成でき、帰還用抵抗２０の抵抗
値にトランジスタ２９のエミッタ抵抗とコレクタ抵抗と
の比をかけた値の高ゲインが帯域を落とさずに得られる
高性能の反転型初段アンプを実現できる。

【００４５】図５はＰＮＰ型トランジスタを用いたエミ
ッタフォロワにより帰還用アンプを構成した本発明の第
５実施例を示す。この第５実施例は、請求項１，２，
４，５，６記載の発明の実施例であり、上記第２実施例
において、帰還用アンプがＰＮＰ型トランジスタ３１を
用いたエミッタフォロワにより構成される。このトラン
ジスタ３１は、ベースが抵抗１６，１７の接続点１８に
接続されてコレクタが負電源−Ｖsに接続され、エミッ
タがエミッタ抵抗３２を介して正電源＋Ｖsに接続され
ると共に帰還用抵抗２０を介して帰還端子１４に接続さ
れる。反転アンプ２１は正側電源端子が正電源＋Ｖsに
接続されて負側電源端子が負電源−Ｖsに接続され、光
検出器１１のカソードは正電源＋Ｖsに接続される。

【００４６】光信号は、光検出器１１により電流信号に
変換され、差動アンプ２１により電圧信号に変換されて
反転増幅される。差動アンプ２１の出力信号電圧は、出
力端子１５から取り出される一方、抵抗１６，１７によ
り一定の割合で分割されてトランジスタ３１を用いたエ
ミッタフォロワにより非反転増幅された後に帰還用抵抗
２０を介して初段アンプ１２の反転入力端子１３へ帰還
される。

【００４７】この第５実施例では、第４実施例と同様に
上述の条件をよく満たし、第４実施例と同様に高ゲイン
が帯域を落とさずに得られる高性能の反転型初段アンプ
を実現できる。なお、第４実施例及び第５実施例は光検
出器１１のアノード側から初段アンプに電流信号を入力
したが、光検出器１１のカソード側から初段アンプに電
流信号を入力して光検出器１１のアノード側を電源に接
続するようにしてもよい。

【００４８】第４実施例及び第５実施例では、トランジ
スタ２９，３１のベース・エミッタ間にバイアス電圧を
必要とするので、トランジスタ２９，３１から帰還用抵
抗２０を介して反転アンプ２１の反転入力端子に帰還さ
れる出力電圧の基準電位が反転アンプ２１の非反転入力
端子の電位と異なってオフセツトが生ずる。図６はその
オフセットを無くすようにした本発明の第６実施例を示
す。この第６実施例は、請求項１，２，４，５，６，７
記載の発明の実施例であり、上記第４実施例において、
オフセツト補償回路を設けたものである。このオフセツ
ト補償回路はオフセットをキャンセルするためのオフセ
ツト補償用トランジスタ３３及び抵抗３４からなるバイ
アス回路により構成される。

【００４９】トランジスタ３３は、ベースが接地されて
コレクタが正電源＋Ｖsに接続され、エミツタが抵抗３
４を介して負電源−Ｖsに接続されると共に反転アンプ
２１の非反転入力端子に接続される。トランジスタ３３
はトランジスタ２９と特性が同じになるように設計さ
れ、抵抗３４は抵抗３０と同じ抵抗値を有するものが用
いられる。

【００５０】従って、光検出器１１に光信号が入力され
なくて光検出器１１の出力電流がゼロとなったときに
は、反転アンプ２１自身のオフセットがないものとする
と、反転アンプ２１の出力電圧はトランジスタ３３のエ
ミッタから反転アンプ２１の非反転入力端子に印加され
るバイアス電位とほぼ同じになり、帰還回路のトランジ
スタ２９が発生するオフセットがトランジスタ３３のエ
ミッタから反転アンプ２１の非反転入力端子に印加され
るバイアス電位によりキャンセルされてオフセットが補
償される。

【００５１】図７は第６実施例と同様にオフセットを無
くすようにした本発明の第７実施例を示す。この第７実
施例は、請求項１，２，４，５，６，７記載の発明の実
施例であり、上記第５実施例において、オフセツト補償
回路を設けたものである。このオフセツト補償回路はオ
フセットをキャンセルするためのオフセツト補償用トラ
ンジスタ３５及び抵抗３６からなるバイアス回路により
構成される。

【００５２】トランジスタ３５は、ベースが接地されて
コレクタが負電源−Ｖsに接続され、エミツタが抵抗３
６を介して正電源＋Ｖsに接続されると共に反転アンプ
２１の非反転入力端子に接続される。トランジスタ３５
はトランジスタ３１と特性が同じになるように設計さ
れ、抵抗３６は抵抗３２と同じ抵抗値を有するものが用
いられる。なお、光検出器１１は、カソードが反転アン
プ２１の反転入力端子に接続されてアノードが負電源−
Ｖsに接続され、光信号を電流信号に変換して反転アン
プ２１の反転入力端子に入力する。

【００５３】光検出器１１に光信号が入力されなくて光
検出器１１の出力電流がゼロとなったときには、反転ア
ンプ２１自身のオフセットがないものとすると、反転ア
ンプ２１の出力電圧はトランジスタ３５のエミッタから
反転アンプ２１の非反転入力端子に印加されるバイアス
電位とほぼ同じになり、帰還回路のトランジスタ３１が
発生するオフセットがトランジスタ３５のエミッタから
反転アンプ２１の非反転入力端子に印加されるバイアス
電位によりキャンセルされてオフセットが補償される。

【００５４】第６実施例及び第７実施例では、光信号が
入力されないときにアース電位を与えるべきトランジス
タ２９，３１のベースは抵抗１７を介して接地されてい
るので、厳密には光信号が入力されないときにトランジ
スタ２９，３１のベース電位とトランジスタ３３，３５
のベース電位とが僅かに異なるが、接地側の抵抗１７は
抵抗１６に比べて十分に抵抗値が小さいからほとんど問
題がない。

【００５５】図８は本発明の第８実施例を示す。この第
８実施例は、請求項１，８記載の発明の実施例であり、
上記第１実施例において、初段アンプ１２を差動アンプ
からなる非反転アンプ３８により構成して帰還部１９を
エミッタ接地型減衰アンプからなる反転アンプにより構
成するようにしたものであり、このエミッタ接地型減衰
アンプはＰＮＰ型トランジスタ３９及び抵抗４０，４１
により構成される。

【００５６】トランジスタ３９は、ベースが初段アンプ
３８の出力端子に接続されてエミッタがエミッタ抵抗４
０を介して正電源＋Ｖsに接続され、コレクタがコレク
タ抵抗４１を介して負電源−Ｖsに接続されると共に帰
還用抵抗２０を介して帰還端子１４に接続される。非反
転アンプ３８は、正側電源端子が正電源＋Ｖsに接続さ
れて負側電源端子が負電源−Ｖsに接続され、反転入力
端子が接地されて非反転入力端子が帰還端子１４及び光
検出器１１のアノードに接続される。

【００５７】光信号は、光検出器１１により電流信号に
変換され、差動アンプ３８により電圧信号に変換されて
非反転増幅される。差動アンプ３８の出力信号電圧は、
出力端子１５から取り出される一方、エミッタ接地型減
衰アンプを構成するトランジスタ３９により反転増幅さ
れた後に帰還用抵抗２０を介して非反転アンプ３８の非
反転入力端子１３へ帰還される。

【００５８】エミッタ接地型減衰アンプでは、エミッタ
フォロワと同様に入力インピーダンスはエミッタ抵抗の
約β倍であり、十分に高い入力インピーダンスを期待で
き、且つ出力インピータンスはエミッタ抵抗４０に比べ
て抵抗値が十分に小さく設定されているコレクタ抵抗４
１の抵抗値程度という低い値が得られて上述の条件をよ
く満たす。コレクタ抵抗４１の抵抗値はトランジスタ３
９のベース・エミッタ間容量とのなす時定数が目標とな
る帯域に影響しないように設定される。

【００５９】この第８実施例では、差動アンプの代りに
１つのトランジスタ３９を用いて帰還用アンプを実現で
き、抵抗１６，１７による電圧分割回路を必要としな
い。しかも、トランジスタ３９のコレクタ抵抗４１の値
を小さく設定できるので、エミッタ接地のトランジスタ
３９でも高速応答性が得られ、高入力インピーダンス及
び低出力インピーダンスの帰還用アンプからなる能動回
路を容易に構成でき、帰還用抵抗２０の抵抗値にトラン
ジスタ３９のエミッタ抵抗４０とコレクタ抵抗４１との
比をかけた値の高ゲインが帯域を落とさずに得られる高
性能の非反転型初段アンプを実現できる。

【００６０】図９は本発明の第９実施例を示す。この第
９実施例は、請求項１，８記載の発明の実施例であり、
上記第８実施例において、ＰＮＰ型トランジスタ３９及
び抵抗４０，４１の代りにエミッタ接地型減衰アンプを
構成するＮＰＮ型トランジスタ４２及び抵抗４３，４４
が用いられる。トランジスタ４２は、ベースが初段アン
プ３８の出力端子に接続されてコレクタがコレクタ抵抗
４３を介して正電源＋Ｖsに接続され、エミッタがエミ
ッタ抵抗４４を介して負電源−Ｖsに接続されると共に
帰還用抵抗２０を介して帰還端子１４に接続される。差
動アンプ３８の出力信号電圧は、エミッタ接地型減衰ア
ンプを構成するトランジスタ４２により反転増幅された
後に帰還用抵抗２０を介して非反転アンプ３８の非反転
入力端子１３へ帰還される。なお、光検出器１１は、カ
ソードが非反転アンプ３８の非反転入力端子に接続され
てアノードが負電源−Ｖsに接続され、光信号を電流信
号に変換して非反転アンプ３８の非反転入力端子に入力
する。

【００６１】トランジスタ４２を用いたエミッタ接地型
減衰アンプでは、エミッタフォロワと同様に入力インピ
ーダンスはエミッタ抵抗の約β倍であり、十分に高い入
力インピーダンスを期待でき、且つ出力インピータンス
はコレクタ抵抗４３に比べて抵抗値が十分に小さく設定
されているエミッタ抵抗４４の抵抗値程度という低い値
が得られて上述の条件をよく満たす。エミッタ抵抗４４
の抵抗値はトランジスタ４２のベース・エミッタ間容量
とのなす時定数が目標となる帯域に影響しないように設
定される。

【００６２】この第９実施例では、差動アンプの代りに
１つのトランジスタ４２を用いて帰還用アンプを実現で
き、抵抗１６，１７による電圧分割回路を必要としな
い。しかも、トランジスタ４２のエミッタ抵抗４４の値
を小さく設定できるので、エミッタ接地のトランジスタ
４２でも高速応答性が得られ、高入力インピーダンス及
び低出力インピーダンスの帰還用アンプからなる能動回
路を容易に構成でき、帰還用抵抗２０の抵抗値にトラン
ジスタ４２のエミッタ抵抗４４とコレクタ抵抗４３との
比をかけた値の高ゲインが帯域を落とさずに得られる高
性能の非反転型初段アンプを実現できる。

【００６３】なお、第６実施例，第８実施例及び第９実
施例は光検出器１１のアノード側から初段アンプに電流
信号を入力したが、光検出器１１のカソード側から初段
アンプに電流信号を入力して光検出器１１のアノード側
を電源に接続するようにしてもよい。

【００６４】第８実施例及び第９実施例では、トランジ
スタ３９，４２のベース・エミッタ間にバイアス電圧を
必要とするので、トランジスタ３９，４２から帰還用抵
抗２０を介して初段アンプ３８の非反転入力端子に帰還
される出力電圧の基準電位が初段アンプ３８の非反転入
力端子の電位と異なってオフセツトが生ずる。図１０は
そのオフセットを無くすようにした本発明の第１０実施
例を示す。この第１０実施例は、請求項１，８，９記載
の発明の実施例であり、上記第８実施例において、オフ
セツト補償回路を設けたものである。このオフセツト補
償回路はオフセットをキャンセルするためのオフセツト
補償用ＰＮＰ型トランジスタ４５及び抵抗４６，４７か
らなるバイアス回路により構成される。

【００６５】トランジスタ４５は、ベースが接地されて
エミッタがエミッタ抵抗４６を介して正電源＋Ｖsに接
続され、コレクタがコレクタ抵抗４７を介して負電源−
Ｖsに接続されると共に非反転アンプ３８の非反転入力
端子に接続される。トランジスタ４５はトランジスタ３
９と特性が同じになるように設計され、抵抗４６は抵抗
４０と同じ抵抗値を有するものが用いられて抵抗４７は
抵抗４１と同じ抵抗値を有するものが用いられる。

【００６６】従って、光検出器１１に光信号が入力され
なくて光検出器１１の出力電流がゼロとなったときに
は、非反転アンプ３８自身のオフセットがないものとす
ると、非反転アンプ３８の出力電圧はトランジスタ４５
のコレクタから非反転アンプ３８の反転入力端子に印加
されるバイアス電位とほぼ同じになり、帰還回路のトラ
ンジスタ３９が発生するオフセットがトランジスタ４５
のコレクタから非反転アンプ３８の反転入力端子に印加
されるバイアス電位によりキャンセルされてオフセット
が補償される。

【００６７】図１１は第１０実施例と同様にオフセット
を無くすようにした本発明の第１１実施例を示す。この
第１１実施例は、請求項１，８，９記載の発明の実施例
であり、上記第９実施例において、オフセツト補償回路
を設けたものである。このオフセツト補償回路はオフセ
ットをキャンセルするためのオフセツト補償用ＮＰＮ型
トランジスタ４８及び抵抗４９，５０からなるバイアス
回路により構成される。

【００６８】トランジスタ４８は、ベースが接地されて
コレクタがコレクタ抵抗４９を介して正電源＋Ｖsに接
続され、エミッタがエミッタ抵抗５０を介して負電源−
Ｖsに接続されると共に非反転アンプ３８の反転入力端
子に接続される。トランジスタ４８はトランジスタ４２
と特性が同じになるように設計され、抵抗４９は抵抗４
３と同じ抵抗値を有するものが用いられて抵抗５０は抵
抗４４と同じ抵抗値を有するものが用いられる。

【００６９】光検出器１１に光信号が入力されなくて光
検出器１１の出力電流がゼロとなったときには、非反転
アンプ３８自身のオフセットがないものとすると、非反
転アンプ３８の出力電圧はトランジスタ４８のコレクタ
から非反転アンプ３８の反転入力端子に印加されるバイ
アス電位とほぼ同じになり、帰還回路のトランジスタ４
２が発生するオフセットがトランジスタ４８のコレクタ
から非反転アンプ３８の反転入力端子に印加されるバイ
アス電位によりキャンセルされてオフセットが補償され
る。なお、上記第１０実施例及び第１１実施例では、抵
抗１６，１７からなる電圧分割回路を用いていないが、
抵抗１６，１７からなる電圧分割回路を用いるようにし
てもよい。

【００７０】

【発明の効果】以上のように請求項１記載の発明によれ
ば、光入力信号を電流信号に変換する光検出器と、この
光検出器の一方の接続点に入力端子及び帰還端子が接続
された初段アンプとを有する光信号検出回路において、
前記初段アンプの出力電圧を一定の割合で分割して出力
する、帰還用アンプを含む帰還回路部と、この帰還回路
部の出力端子と前記初段アンプの前記帰還端子との間に
接続される帰還用抵抗とを備えたので、初段アンプの入
力端子のインピーダンスを低く抑えることができて高速
性を劣化させずに高トランスインピーダンスを得ること
ができる。

【００７１】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の光信号検出回路において、前記初段アンプが前記光
検出器の一方の接続点に反転入力端子及び帰還端子が接
続された差動アンプからなる反転アンプにより構成さ
れ、前記帰還回路部が、前記初段アンプの出力電圧を分
圧する電圧分割回路と、この電圧分割回路の出力側と前
記帰還用抵抗との間に設けられた非反転アンプとを有す
るので、光信号に対する反転出力が得られる高トランス
インピーダンスで広帯域の初段アンプを実現できる。

【００７２】請求項３記載の発明によれば、請求項１記
載の光信号検出回路において、前記初段アンプが前記光
検出器の一方の接続点に非反転入力端子及び帰還端子が
接続された差動アンプからなる非反転アンプで構成さ
れ、前記帰還回路部が、前記初段アンプの出力電圧を分
圧する電圧分割回路と、この電圧分割回路の出力側と前
記帰還用抵抗との間に設けられた反転アンプとを有する
ので、光信号に対する非反転出力が得られる高トランス
インピーダンスで広帯域の初段アンプを実現できる。

【００７３】請求項４記載の発明によれば、請求項１記
載の光信号検出回路において、前記帰還用抵抗の抵抗値
を前記光検出器の端子間容量及び前記初段アンプの前記
入力端子の容量との和と前記初段アンプの前記帰還抵抗
値とがなす時定数に基づく帯域幅が少なくとも前記初段
アンプの帯域を超えるような抵抗値に設定したので、初
段アンプの入力端子の持つ容量と光検出器の端子間容量
との和から高トランスインピーダンスで広帯域の初段ア
ンプを実現するための帰還用抵抗の抵抗値選択及び、そ
れに伴う初段アンプの必要な特性の決定が可能となる。

【００７４】請求項５記載の発明によれば、請求項１記
載の光信号検出回路において、前記帰還回路部が、前記
初段アンプの出力電圧を一定の割合で分割する２つの抵
抗で構成された電圧分割回路と、この電圧分割回路の出
力が入力される帰還用アンプとを有し、この帰還用アン
プの入力容量と前記２つの抵抗の並列抵抗値とのなす時
定数に基づく帯域幅が少なくとも前記帰還用アンプの帯
域を超えるように設定したので、前記２つの抵抗の抵抗
値決定のための足がかりが得られ、広帯域化のために必
要な初段アンプの特性の決定が可能となる。

【００７５】請求項６記載の発明によれば、請求項２記
載の光信号検出回路において、前記非反転アンプがエミ
ッタフォロワからなるので、差動アンプの代りに１つの
トランジスタを用いて帰還用アンプを実現できてエミッ
タフォロワの高速応答性を持つ高入力インピーダンス及
び低出力インピーダンスの帰還用アンプからなる能動回
路を容易に構成でき、帰還用抵抗の抵抗値に前記トラン
ジスタのエミッタ抵抗とコレクタ抵抗との比をかけた値
の高ゲインが帯域を落とさずに得られる高性能の反転型
初段アンプを実現できる。

【００７６】請求項７記載の発明によれば、請求項６記
載の光信号検出回路において、前記エミッタフォロワを
構成するトランジスタと同じ特性を有していてエミッタ
が前記差動アンプの非反転端子に接続されると共に抵抗
を介して負電源側に接続され、かつ、ベースにアース電
位が与えられてコレクタが正電源側に接続されたトラン
ジスタを備えたので、エミッタフォロワを構成するトラ
ンジスタで発生するオフセットをキャンセルすることが
できる。

【００７７】請求項８記載の発明によれば、請求項１記
載の光信号検出回路において、前記帰還用アンプをエミ
ッタ接地型減衰アンプを構成するトランジスタを用いて
構成し、このトランジスタのエミツタと電源側との間に
接続される第１の抵抗の値を少なくとも前記トランジス
タのコレクタと電源側との間に接続される第２の抵抗の
値より大きく設定したので、差動アンプの代りに１つの
トランジスタを用いて帰還用アンプを実現でき、抵抗に
よる電圧分割回路を必要としない。しかも、エミッタ接
地のトランジスタでも高速応答性が得られ、高入力イン
ピーダンス及び低出力インピーダンスの帰還用アンプか
らなる能動回路を容易に構成でき、帰還用抵抗の抵抗値
に前記トランジスタのエミッタ抵抗とコレクタ抵抗との
比をかけた値の高ゲインが帯域を落とさずに得られる高
性能の非反転型初段アンプを実現できる。

【００７８】請求項９記載の発明によれば、請求項８記
載の光信号検出回路において、前記トランジスタと同じ
特性を有していてエミッタが前記第１の抵抗と同じ抵抗
値を有する抵抗を介して電源側に接続され、かつ、ベー
スにアース電位が与えられてコレクタが前記帰還用アン
プの反転端子に接続されると共に前記第２の抵抗と同じ
抵抗値を有する抵抗を介して電源側に接続されたトラン
ジスタを備えたので、エミッタ接地型減衰アンプを構成
するトランジスタで発生するオフセットをキャンセルす
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す回路図である。

【図２】本発明の第２実施例を示す回路図である。

【図３】本発明の第３実施例を示す回路図である。

【図４】本発明の第４実施例を示す回路図である。

【図５】本発明の第５実施例を示す回路図である。

【図６】本発明の第６実施例を示す回路図である。

【図７】本発明の第７実施例を示す回路図である。

【図８】本発明の第８実施例を示す回路図である。

【図９】本発明の第９実施例を示す回路図である。

【図１０】本発明の第１０実施例を示す回路図である。

【図１１】本発明の第１１実施例を示す回路図である。

【図１２】従来の光信号検出回路を示す回路図である。

【符号の説明】

１１ 光検出器 １２ 初段アンプ １３ 入力端子 １４ 帰還端子 １５ 出力端子 １６，１７，２３，２４，２７，２８，３０，３２，３
４，３６，４０，４１，４３，４４，４６，４７，４
９，５０ 抵抗 １９ 帰還部 ２０ 帰還用抵抗 ２１，２２，２５，２６，３８ 差動アンプ ２９，３１，３３，３５，３９，４２，４５，４８
トランジスタ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光入力信号を電流信号に変換する光検出器
   と、この光検出器の一方の接続点に入力端子及び帰還端
   子が接続された初段アンプとを有する光信号検出回路に
   おいて、前記初段アンプの出力電圧を一定の割合で分割
   して出力する、帰還用アンプを含む帰還回路部と、この
   帰還回路部の出力端子と前記初段アンプの前記帰還端子
   との間に接続される帰還用抵抗とを備えたことを特徴と
   する光信号検出回路。
2. 【請求項２】請求項１記載の光信号検出回路において、
   前記初段アンプが前記光検出器の一方の接続点に反転入
   力端子及び帰還端子が接続された差動アンプからなる反
   転アンプにより構成され、前記帰還回路部が、前記初段
   アンプの出力電圧を分圧する電圧分割回路と、この電圧
   分割回路の出力側と前記帰還用抵抗との間に設けられた
   非反転アンプとを有することを特徴とする光信号検出回
   路。
3. 【請求項３】請求項１記載の光信号検出回路において、
   前記初段アンプが前記光検出器の一方の接続点に非反転
   入力端子及び帰還端子が接続された差動アンプからなる
   非反転アンプで構成され、前記帰還回路部が、前記初段
   アンプの出力電圧を分圧する電圧分割回路と、この電圧
   分割回路の出力側と前記帰還用抵抗との間に設けられた
   反転アンプとを有することを特徴とする光信号検出回
   路。
4. 【請求項４】請求項１記載の光信号検出回路において、
   前記帰還用抵抗の抵抗値を前記光検出器の端子間容量及
   び前記初段アンプの前記入力端子の容量との和と前記初
   段アンプの前記帰還抵抗値とがなす時定数に基づく帯域
   幅が少なくとも前記初段アンプの帯域を超えるような抵
   抗値に設定したことを特徴とする光信号検出回路。
5. 【請求項５】請求項１記載の光信号検出回路において、
   前記帰還回路部が、前記初段アンプの出力電圧を一定の
   割合で分割する２つの抵抗で構成された電圧分割回路
   と、この電圧分割回路の出力が入力される帰還用アンプ
   とを有し、この帰還用アンプの入力容量と前記２つの抵
   抗の並列抵抗値とのなす時定数に基づく帯域幅が少なく
   とも前記帰還用アンプの帯域を超えるように設定したこ
   とを特徴とする光信号検出回路。
6. 【請求項６】請求項２記載の光信号検出回路において、
   前記非反転アンプがエミッタフォロワからなることを特
   徴とする光信号検出回路。
7. 【請求項７】請求項６記載の光信号検出回路において、
   前記エミッタフォロワを構成するトランジスタと同じ特
   性を有していてエミッタが前記差動アンプの非反転端子
   に接続されると共に抵抗を介して負電源側に接続され、
   かつ、ベースにアース電位が与えられてコレクタが正電
   源側に接続されたトランジスタを備えたことを特徴とす
   る光信号検出回路。
8. 【請求項８】請求項１記載の光信号検出回路において、
   前記帰還用アンプをエミッタ接地型減衰アンプを構成す
   るトランジスタを用いて構成し、このトランジスタのエ
   ミツタと電源側との間に接続される第１の抵抗の値を少
   なくとも前記トランジスタのコレクタと電源側との間に
   接続される第２の抵抗の値より大きく設定したことを特
   徴とする光信号検出回路。
9. 【請求項９】請求項８記載の光信号検出回路において、
   前記トランジスタと同じ特性を有していてエミッタが前
   記第１の抵抗と同じ抵抗値を有する抵抗を介して電源側
   に接続され、かつ、ベースにアース電位が与えられてコ
   レクタが前記帰還用アンプの反転端子に接続されると共
   に前記第２の抵抗と同じ抵抗値を有する抵抗を介して電
   源側に接続されたトランジスタを備えたことを特徴とす
   る光信号検出回路。