JPH0722704A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH0722704A JPH0722704A JP5220396A JP22039693A JPH0722704A JP H0722704 A JPH0722704 A JP H0722704A JP 5220396 A JP5220396 A JP 5220396A JP 22039693 A JP22039693 A JP 22039693A JP H0722704 A JPH0722704 A JP H0722704A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- electrode
- laser
- laser oscillation
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
［目的］ 半導体基板上にレーザ発振部が隆起するリッ
ジ型の半導体レーザにあって、そのレーザ発振部上の電
極から段差がなくリード接続用のパッドを引き出すこと
ができるようにする。 ［構成］ 半導体基板上に、レーザ発振部およびリード
接続用パッド成形部を互いにつながりをもって隆起状に
形成し、そのパッド成形部の上に絶縁膜を設けたうえ
で、その絶縁膜上にパッドをレーザ発振部上に設けられ
る電極とともに一体的に形成する。
ジ型の半導体レーザにあって、そのレーザ発振部上の電
極から段差がなくリード接続用のパッドを引き出すこと
ができるようにする。 ［構成］ 半導体基板上に、レーザ発振部およびリード
接続用パッド成形部を互いにつながりをもって隆起状に
形成し、そのパッド成形部の上に絶縁膜を設けたうえ
で、その絶縁膜上にパッドをレーザ発振部上に設けられ
る電極とともに一体的に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に設けら
れたレーザ発振要素からなる積層部分をエッチングする
ことによってレーザ発振部が隆起状に形成されたリッジ
型の半導体レーザに関する。
れたレーザ発振要素からなる積層部分をエッチングする
ことによってレーザ発振部が隆起状に形成されたリッジ
型の半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の半導体レーザにあって
は、図１に示すように、裏面電極１が設けられた半導体
基板２上に、クラッド層３，活性層４，クラッド層５お
よびコンタクト層６からなるレーザ発振部７が隆起（リ
ッジ）状に形成され、さらにそのレーザ発振部７上に電
極８が設けられることによって構成されている。
は、図１に示すように、裏面電極１が設けられた半導体
基板２上に、クラッド層３，活性層４，クラッド層５お
よびコンタクト層６からなるレーザ発振部７が隆起（リ
ッジ）状に形成され、さらにそのレーザ発振部７上に電
極８が設けられることによって構成されている。
【０００３】このように構成された半導体レーザでは、
電極８と裏面電極１との間に電圧を印加して電流注入を
行い、キャリアの反転層をつくり、誘導放出を行わせる
ことにより、レーザ発振部７のエッチングにより形成さ
れたミラー面９における活性層４の部分から図中矢印で
示す方向にレーザ光ＬＢが発射される。
電極８と裏面電極１との間に電圧を印加して電流注入を
行い、キャリアの反転層をつくり、誘導放出を行わせる
ことにより、レーザ発振部７のエッチングにより形成さ
れたミラー面９における活性層４の部分から図中矢印で
示す方向にレーザ光ＬＢが発射される。
【０００４】しかして、このようなリッジ型の半導体レ
ーザにあっては、それがＩＣ製造技術によるマイクロマ
シニング加工により形成されるものであるので、レーザ
発振部７の上に設けられた電極８と給電用のリードとの
電気的な接続をとる際、その電極８の幅が数１０μｍ程
度以上でそれにリードを直接ボンディングできればよい
が、電極幅がそれより狭くて、それにリードを直接ボン
ディングさせることができない場合には、その電極８か
らリード接続用のパッドを引き出して設けるようにする
必要がある。
ーザにあっては、それがＩＣ製造技術によるマイクロマ
シニング加工により形成されるものであるので、レーザ
発振部７の上に設けられた電極８と給電用のリードとの
電気的な接続をとる際、その電極８の幅が数１０μｍ程
度以上でそれにリードを直接ボンディングできればよい
が、電極幅がそれより狭くて、それにリードを直接ボン
ディングさせることができない場合には、その電極８か
らリード接続用のパッドを引き出して設けるようにする
必要がある。
【０００５】その場合、例えば図２に示すように、レー
ザ発振部７および電極８の部分，半導体基板２の表面の
露出部分を絶縁膜１０によって覆うとともに、絶縁膜１
０の電極８に対応した一部分に窓１１を開け、その窓１
１の部分からリード接続用のパッド１２を引き出して設
けるようにすることが考えられる。
ザ発振部７および電極８の部分，半導体基板２の表面の
露出部分を絶縁膜１０によって覆うとともに、絶縁膜１
０の電極８に対応した一部分に窓１１を開け、その窓１
１の部分からリード接続用のパッド１２を引き出して設
けるようにすることが考えられる。
【０００６】しかし、それでは、半導体基板２の表面に
数μｍの高さに隆起する垂直面に沿ってパッド１２を引
き出さねばならず、実際にはそのような引出し部分をも
ってパッド１２を形成することが技術的に困難となって
いる。
数μｍの高さに隆起する垂直面に沿ってパッド１２を引
き出さねばならず、実際にはそのような引出し部分をも
ってパッド１２を形成することが技術的に困難となって
いる。
【０００７】そのため、従来では、図３に示すように、
レーザ発振部７および電極８からなるリッジ部分の側面
を斜めに形成したうえで、絶縁膜１０を介してパッド１
２を引き出すようにしている（特開昭６０−５５６８６
号公報参照）。
レーザ発振部７および電極８からなるリッジ部分の側面
を斜めに形成したうえで、絶縁膜１０を介してパッド１
２を引き出すようにしている（特開昭６０−５５６８６
号公報参照）。
【０００８】しかし、このようなものでは、エッチング
によってリッジ部分を形成する際に、発振用ミラー面を
垂直に形成し、リッジの側面を斜めにすることは製造上
不可能であるとともに、その斜めになった側面のエッジ
部分でパッド１２が断線しやすいものになっている。
によってリッジ部分を形成する際に、発振用ミラー面を
垂直に形成し、リッジの側面を斜めにすることは製造上
不可能であるとともに、その斜めになった側面のエッジ
部分でパッド１２が断線しやすいものになっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、半導体基板上にレーザ発振部７および電極８が隆
起するリッジ型の半導体レーザにあっては、その電極８
からリード接続用のパッドを引き出して設けるようにす
る場合、段差があるためにそのパッドの引き出しが技術
的に困難であるとともに、パッドの引出し部分が断線し
やすいなど製品の信頼性に欠けるものとなっていること
である。
点は、半導体基板上にレーザ発振部７および電極８が隆
起するリッジ型の半導体レーザにあっては、その電極８
からリード接続用のパッドを引き出して設けるようにす
る場合、段差があるためにそのパッドの引き出しが技術
的に困難であるとともに、パッドの引出し部分が断線し
やすいなど製品の信頼性に欠けるものとなっていること
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザは、リッジ型のものにあって、段差がなくリッジ部分
の電極からリード接続用のパッドを引き出すことができ
るように、半導体基板上に、レーザ発振部およびリード
接続用パッド成形部が互いにつながりをもって隆起状に
形成され、そのパッド成形部の上に絶縁膜が設けられ
て、その絶縁膜上にパッドがレーザ発振部上に設けられ
る電極とともに一体的に形成された構造をとるようにし
ている。
ザは、リッジ型のものにあって、段差がなくリッジ部分
の電極からリード接続用のパッドを引き出すことができ
るように、半導体基板上に、レーザ発振部およびリード
接続用パッド成形部が互いにつながりをもって隆起状に
形成され、そのパッド成形部の上に絶縁膜が設けられ
て、その絶縁膜上にパッドがレーザ発振部上に設けられ
る電極とともに一体的に形成された構造をとるようにし
ている。
【００１１】
【実施例】図４は本発明による半導体レーザの一構成例
を示すもので、裏面電極１が設けられた半導体基板２上
に設けられたレーザ発振要素からなる積層部分をエッチ
ングすることによって、互いにつながりをもって隆起状
にパターン形成されたレーザ発振部７およびリード接続
用パッド成形部１３と、そのパッド成形部１３の上に設
けられた絶縁膜１４と、その絶縁膜１４上およびレーザ
発振部７上に一体的に形成されたパッド１５および電極
８とによって構成されている。
を示すもので、裏面電極１が設けられた半導体基板２上
に設けられたレーザ発振要素からなる積層部分をエッチ
ングすることによって、互いにつながりをもって隆起状
にパターン形成されたレーザ発振部７およびリード接続
用パッド成形部１３と、そのパッド成形部１３の上に設
けられた絶縁膜１４と、その絶縁膜１４上およびレーザ
発振部７上に一体的に形成されたパッド１５および電極
８とによって構成されている。
【００１２】図５は半導体基板２上にレーザ発振要素が
積層されたウエハ１６の一構成例を示すもので、ｎ
（＋）ＧａＡｓからなる半導体基板２上に、レーザ発振
要素の積層部１７として、ｎ−Ａｌ（０．３）Ｇａ
（０．７）Ａｓからなるクラッド層７１，ＧａＡｓから
なる活性層７２，ｐ−Ａｌ（０．３）Ｇａ（０．７）Ａ
ｓからなるクラッド層７３およびｐ（＋）ＧａＡｓから
なるコンタクト層７４が順次エピタキシャル成長によっ
て形成されている。
積層されたウエハ１６の一構成例を示すもので、ｎ
（＋）ＧａＡｓからなる半導体基板２上に、レーザ発振
要素の積層部１７として、ｎ−Ａｌ（０．３）Ｇａ
（０．７）Ａｓからなるクラッド層７１，ＧａＡｓから
なる活性層７２，ｐ−Ａｌ（０．３）Ｇａ（０．７）Ａ
ｓからなるクラッド層７３およびｐ（＋）ＧａＡｓから
なるコンタクト層７４が順次エピタキシャル成長によっ
て形成されている。
【００１３】このウエハ１６を用いて、本発明による半
導体レーザは、以下のようにして形成される。
導体レーザは、以下のようにして形成される。
【００１４】まず、図６の（ａ）に示すように、ウエハ
１６の下面に、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｎを蒸着して熱処理
を行い、ＡｕＧｅ／ｎ（＋）ＧａＡｓを合金化させて下
面電極１を形成したうえで、そのウエハ１６の表面にＳ
ｉＯ２膜を形成し、その上にフォトレジストパターン１
８を設けたうえでエッチングして、ＳｉＯ２による絶縁
膜１４を形成する（図７参照）。そして、そのフォトレ
ジストパターン１８を除去する。
１６の下面に、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｎを蒸着して熱処理
を行い、ＡｕＧｅ／ｎ（＋）ＧａＡｓを合金化させて下
面電極１を形成したうえで、そのウエハ１６の表面にＳ
ｉＯ２膜を形成し、その上にフォトレジストパターン１
８を設けたうえでエッチングして、ＳｉＯ２による絶縁
膜１４を形成する（図７参照）。そして、そのフォトレ
ジストパターン１８を除去する。
【００１５】次いで、図６の（ｂ）に示すように、パッ
ド１５および電極８に対応する所定のパターン部分以外
をフォトレジスト１９によって覆ったうえで、その上か
らＴｉを５０ｎｍ，さらにＡｕを１００ｎｍ積層し、そ
のフォトレジスト１９を除去（リフトオフ）することに
よって、図６の（ｃ）に示すように、絶縁膜１４上にパ
ッド１５を、またレーザ発振部の電極８を所定のパター
ンをもって一体的に形成する（図８参照）。
ド１５および電極８に対応する所定のパターン部分以外
をフォトレジスト１９によって覆ったうえで、その上か
らＴｉを５０ｎｍ，さらにＡｕを１００ｎｍ積層し、そ
のフォトレジスト１９を除去（リフトオフ）することに
よって、図６の（ｃ）に示すように、絶縁膜１４上にパ
ッド１５を、またレーザ発振部の電極８を所定のパター
ンをもって一体的に形成する（図８参照）。
【００１６】次いで、図６の（ｄ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ２によるエッチングマスク２１をＣＶＤ等により付着
し、図６の（ｅ）に示すように、フォトレジストパター
ン２２を形成したうえで、エッチングにより余分なエッ
チングマスク２１を除去し、そしてフォトレジストパタ
ーン２２を除去することにより、図６の（ｆ）に示すよ
うに、レーザ発振部７およびリード接続用パッド成形部
１３に応じた所定のパターンによるエッチングマスク２
１を得る（図９参照）。
Ｏ２によるエッチングマスク２１をＣＶＤ等により付着
し、図６の（ｅ）に示すように、フォトレジストパター
ン２２を形成したうえで、エッチングにより余分なエッ
チングマスク２１を除去し、そしてフォトレジストパタ
ーン２２を除去することにより、図６の（ｆ）に示すよ
うに、レーザ発振部７およびリード接続用パッド成形部
１３に応じた所定のパターンによるエッチングマスク２
１を得る（図９参照）。
【００１７】次いで、図６の（ｇ）に示すように、異方
性の高いエッチング方法であるＲＩＥ法によって、エッ
チングガスとしてＳｉＣｌ４を用いた１Ｐａ以下の低い
ガス圧力下で、レーザ発振要素の積層部１７の部分をエ
ッチングして、半導体基板２上にレーザ発振部７および
リード接続用パッド成形部１３を一体的に隆起状に形成
する。
性の高いエッチング方法であるＲＩＥ法によって、エッ
チングガスとしてＳｉＣｌ４を用いた１Ｐａ以下の低い
ガス圧力下で、レーザ発振要素の積層部１７の部分をエ
ッチングして、半導体基板２上にレーザ発振部７および
リード接続用パッド成形部１３を一体的に隆起状に形成
する。
【００１８】その際、比較的低いガス圧力下でＲＩＥ法
によるフォトエッチングを行わせているために、エッチ
ングマスク２１にしたがってエッチングされる面が荒れ
ることなく、またオーバエッチングが生ずることなく垂
直なエッチング面が得られ、それにより良好なミラー面
９（図１参照）が得られる。
によるフォトエッチングを行わせているために、エッチ
ングマスク２１にしたがってエッチングされる面が荒れ
ることなく、またオーバエッチングが生ずることなく垂
直なエッチング面が得られ、それにより良好なミラー面
９（図１参照）が得られる。
【００１９】そして、最終的に、図６の（ｈ）に示すよ
うに、パッド１５上のエッチングマスク２１を除去して
窓２３をあけ、パッド１５部分にリードをボンディング
できるようにするべく（図１０参照）、所定のフォトレ
ジストパターンをかけたうえで、そのマスク２１のエッ
チングを行い、そのフォトレジストを除去する。
うに、パッド１５上のエッチングマスク２１を除去して
窓２３をあけ、パッド１５部分にリードをボンディング
できるようにするべく（図１０参照）、所定のフォトレ
ジストパターンをかけたうえで、そのマスク２１のエッ
チングを行い、そのフォトレジストを除去する。
【００２０】このように、本発明による半導体レーザ
は、簡単なプロセスによって容易に製造することがで
き、量産に適している。
は、簡単なプロセスによって容易に製造することがで
き、量産に適している。
【００２１】なお、以上のように製造された本発明によ
る半導体レーザでは、リード接続用パッド成形部１３が
レーザ発振部７と同じレーザ発振要素の積層構造となっ
てしまうが、パッド１５を通して電極８と裏面電極１と
の間に電圧を印加したときに、主たる電流通路はレーザ
発振部７となって、パッド成形部１３に流れる電流は微
々たるもので、レーザ発振効率およびしきい値電流など
にほとんど影響を与えることがなく、レーザ発振部７に
おいて良好なレーザ発振を行わせることができるように
なる。
る半導体レーザでは、リード接続用パッド成形部１３が
レーザ発振部７と同じレーザ発振要素の積層構造となっ
てしまうが、パッド１５を通して電極８と裏面電極１と
の間に電圧を印加したときに、主たる電流通路はレーザ
発振部７となって、パッド成形部１３に流れる電流は微
々たるもので、レーザ発振効率およびしきい値電流など
にほとんど影響を与えることがなく、レーザ発振部７に
おいて良好なレーザ発振を行わせることができるように
なる。
【００２２】その際、リード接続用パッド成形部１３が
レーザ発振に与える影響を調べるべく、同一条件下で、
パッド成形部１３を設けない場合と比較しながら、パッ
ド１５と電極８との接続部分の幅を変化させながら実験
した結果、レーザ発振部７に流れる電流は、パッド成形
部１３を設けない場合とほとんど変わらず、また、パッ
ド１５の接続部分の幅の如何にかかわらずほとんど変わ
らないことが確認されている。
レーザ発振に与える影響を調べるべく、同一条件下で、
パッド成形部１３を設けない場合と比較しながら、パッ
ド１５と電極８との接続部分の幅を変化させながら実験
した結果、レーザ発振部７に流れる電流は、パッド成形
部１３を設けない場合とほとんど変わらず、また、パッ
ド１５の接続部分の幅の如何にかかわらずほとんど変わ
らないことが確認されている。
【００２３】例えば、レーザ発振部７に流れる電流が５
５ｍＡ程度のオーダの場合、パッド成形部１３を設ける
ことにより、そしてパッド１５の接続部分の幅を変える
ことによって、レーザ発振部７に流れる電流に１〜２ｍ
Ａ程度の変化がみられたが、その程度の変化ではレーザ
発振特性に与える影響はほとんどない。
５ｍＡ程度のオーダの場合、パッド成形部１３を設ける
ことにより、そしてパッド１５の接続部分の幅を変える
ことによって、レーザ発振部７に流れる電流に１〜２ｍ
Ａ程度の変化がみられたが、その程度の変化ではレーザ
発振特性に与える影響はほとんどない。
【００２４】
【発明の効果】本発明による半導体レーザによれば、リ
ッジ型のものにあって、段差がなくリッジ部分の電極か
らリード接続用のパッドを引き出すことができるため
に、パッドの形成を容易に行わせことができる。また、
段差がなくパッドの引出しを行わせることができるため
に、従来のように段差部分でパッドの引出し部分が断線
しやすいなどの欠陥がなくなり、製品の信頼性が向上す
るという利点がある。
ッジ型のものにあって、段差がなくリッジ部分の電極か
らリード接続用のパッドを引き出すことができるため
に、パッドの形成を容易に行わせことができる。また、
段差がなくパッドの引出しを行わせることができるため
に、従来のように段差部分でパッドの引出し部分が断線
しやすいなどの欠陥がなくなり、製品の信頼性が向上す
るという利点がある。
【図１】リッジ型の半導体レーザの一般的な構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】リッジ型の半導体レーザにリード接続用のパッ
ドを段差をもって設けた状態を示す斜視図である。
ドを段差をもって設けた状態を示す斜視図である。
【図３】従来のリッジ型の半導体レーザにおけるリッジ
部分の側面を斜めに形成してリード接続用のパッド設け
た状態を示す正断面図である。
部分の側面を斜めに形成してリード接続用のパッド設け
た状態を示す正断面図である。
【図４】本発明の一実施例によるリッジ型の半導体レー
ザを示す斜視図である。
ザを示す斜視図である。
【図５】半導体基板上にレーザ発振要素が積層されたウ
エハの構成例を示す正面図である。
エハの構成例を示す正面図である。
【図６】本発明による半導体レーザの製造プロセスを示
す図である。
す図である。
【図７】ウエハ上に形成された絶縁膜を示す部分的な平
面図である。
面図である。
【図８】一体的にパターン成形された絶縁膜上のパッド
およびレーザ発振部の電極を示す部分的な平面図であ
る。
およびレーザ発振部の電極を示す部分的な平面図であ
る。
【図９】パッドおよびレーザ発振部の電極の部分にエッ
チングマスクがかけられた状態を示す部分的な平面図で
ある。
チングマスクがかけられた状態を示す部分的な平面図で
ある。
【図１０】パッドおよびレーザ発振部の電極の部分にか
けられたエッチングマスクに窓があけられた状態を示す
部分的な平面図である。
けられたエッチングマスクに窓があけられた状態を示す
部分的な平面図である。
１ 裏面電極 ２ 半導体基板 ７ レーザ発振部 ８ 電極 １３ リード接続用パッド成形部 １４ 絶縁膜 １５ パッド １６ ウエハ １７ レーザ発振要素の積層部
Claims (1)
- 【請求項１】 裏面電極が設けられた半導体基板の表面
にレーザ発振部が隆起して設けられたリッジ型の半導体
レーザにおいて、その半導体基板上に、リード接続用パ
ッド成形部がレーザ発振部とつながりをもって隆起状に
形成され、そのパッド成形部の上に絶縁膜が設けられ
て、その絶縁膜上にパッドがレーザ発振部上に設けられ
る電極とともに一体的に形成されたことを特徴とする半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220396A JPH0722704A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220396A JPH0722704A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722704A true JPH0722704A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=16750465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5220396A Pending JPH0722704A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722704A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005072562A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2008300802A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP5220396A patent/JPH0722704A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005072562A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
| US7257140B2 (en) | 2003-08-04 | 2007-08-14 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| JP2008300802A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0722704A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2004104073A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法、並びに半導体レーザ装置 | |
| JPH088486A (ja) | 選択的成長を用いてパターンド・ミラーｖｃｓｅｌを製造する方法 | |
| JP2006024622A (ja) | 光素子及びその製造方法 | |
| JP4056717B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS609185A (ja) | 半導体レ−ザ集積回路装置 | |
| JPS6077486A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JPH03250684A (ja) | メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法 | |
| JPS6265346A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3133555B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2000294877A (ja) | 高出力半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS59186385A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2000068591A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP3903515B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS60231379A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPH0548209A (ja) | 半導体光デバイスとその製造方法 | |
| JP2003163414A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH04305991A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2006147906A5 (ja) | ||
| JPS63271991A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JP2006147906A (ja) | リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH06318760A (ja) | 面発光レーザ及びその製造方法 | |
| JPH06350188A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH02151092A (ja) | 集積型半導体レーザ装置 | |
| JP2000068606A (ja) | 半導体レ−ザ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080519 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 13 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |