JPH0722735A - プリント配線板 - Google Patents
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- JPH0722735A JPH0722735A JP16577293A JP16577293A JPH0722735A JP H0722735 A JPH0722735 A JP H0722735A JP 16577293 A JP16577293 A JP 16577293A JP 16577293 A JP16577293 A JP 16577293A JP H0722735 A JPH0722735 A JP H0722735A
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- resist layer
- plating
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/3452—Solder masks
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】接着剤層とメッキ層との密着強度の向上、導体
パターンをファインパターン化したときの絶縁抵抗値の
低下防止、あるいは、チップ部品の実装時におけるツー
ムストーン現象の発生防止を図る。 【構成】第一及び第二のメッキレジスト層４，５の互い
に対応するパッド形成用開口部４ａ，４ｂを接着剤層２
に近い第一のメッキレジスト層４ほど幅広に形成して、
接着剤層２とパッド６との密着強度を図る。第一及び第
二のメッキレジスト層の互いに対応する配線開成用開口
部を接着剤層に遠いメッキレジスト層ほど幅狭に形成し
て、配線をファインパターン化したときの絶縁抵抗値の
低下防止を図る。第一のメッキレジスト層はランド形成
用開口部を有し、第二のメッキレジスト層は両ランド形
成用開口部間をまたがるような開口部を有し、且つラン
ドを第一のメッキレジスト層と同じ高さに形成して、チ
ップ部品の実装時におけるツームストーン現象の発生防
止を図る。
パターンをファインパターン化したときの絶縁抵抗値の
低下防止、あるいは、チップ部品の実装時におけるツー
ムストーン現象の発生防止を図る。 【構成】第一及び第二のメッキレジスト層４，５の互い
に対応するパッド形成用開口部４ａ，４ｂを接着剤層２
に近い第一のメッキレジスト層４ほど幅広に形成して、
接着剤層２とパッド６との密着強度を図る。第一及び第
二のメッキレジスト層の互いに対応する配線開成用開口
部を接着剤層に遠いメッキレジスト層ほど幅狭に形成し
て、配線をファインパターン化したときの絶縁抵抗値の
低下防止を図る。第一のメッキレジスト層はランド形成
用開口部を有し、第二のメッキレジスト層は両ランド形
成用開口部間をまたがるような開口部を有し、且つラン
ドを第一のメッキレジスト層と同じ高さに形成して、チ
ップ部品の実装時におけるツームストーン現象の発生防
止を図る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アディティブ法によっ
て導体パターンが形成されたプリント配線板に関するも
のである。
て導体パターンが形成されたプリント配線板に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高性能化及び
多機能化が進められており、これに使用されるプリント
配線板においてもファインパターンによる高密度化及び
高信頼性が要求されている。
多機能化が進められており、これに使用されるプリント
配線板においてもファインパターンによる高密度化及び
高信頼性が要求されている。
【０００３】従来、プリント配線板に導体回路を形成す
る方法としては、絶縁基板に銅箔を積層した後、フォト
エッチングすることにより導体パターンを形成するサブ
トラクティブ法が広く行われている。この方法によれば
絶縁基板との密着性に優れた導体パターンを形成するこ
とができるが、エッチングでパターンを形成する際に必
要なエッチング深さが大きいため所謂アンダーカットが
生じてしまう。このため、高精度のファインパターンが
得難く、高密度化に対応することが難しいという問題が
ある。そこで、サブトラクティブ法に代わる方法とし
て、無電解銅メッキのみで導体パターンを形成するフル
アディティブ法が注目されている。
る方法としては、絶縁基板に銅箔を積層した後、フォト
エッチングすることにより導体パターンを形成するサブ
トラクティブ法が広く行われている。この方法によれば
絶縁基板との密着性に優れた導体パターンを形成するこ
とができるが、エッチングでパターンを形成する際に必
要なエッチング深さが大きいため所謂アンダーカットが
生じてしまう。このため、高精度のファインパターンが
得難く、高密度化に対応することが難しいという問題が
ある。そこで、サブトラクティブ法に代わる方法とし
て、無電解銅メッキのみで導体パターンを形成するフル
アディティブ法が注目されている。
【０００４】従来のフルアディティブ法では基板（基
材）の表面に形成された接着剤層を粗化し、同粗化接着
剤層に無電解メッキ（銅）の最初の析出に必要な核触媒
（パラジウム）を付与する。次いで、接着剤層上の全面
に光硬化型のメッキレジストを施した後、露光・現像処
理を行って導体パターンを形成すべき部分以外の箇所に
メッキレジスト層を形成する。そして、基板をメッキ液
に浸漬して所定の箇所に無電解銅メッキ層を形成する。
材）の表面に形成された接着剤層を粗化し、同粗化接着
剤層に無電解メッキ（銅）の最初の析出に必要な核触媒
（パラジウム）を付与する。次いで、接着剤層上の全面
に光硬化型のメッキレジストを施した後、露光・現像処
理を行って導体パターンを形成すべき部分以外の箇所に
メッキレジスト層を形成する。そして、基板をメッキ液
に浸漬して所定の箇所に無電解銅メッキ層を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記したフ
ルアディティブ法によって形成される導体パターンにお
いては次のような問題がある。
ルアディティブ法によって形成される導体パターンにお
いては次のような問題がある。
【０００６】ＱＦＰ等の表面実装部品を実装するため
の接続端子（パッド）を形成した場合、その部品実装の
際に半田付け等により熱あるいは外力が加わると剥離し
易くなるという問題がある。なぜならば、フルアディテ
ィブ法では接着剤層の粗化面に対してメッキを充填する
ことにより、接着剤層とメッキ層との密着力を得るよう
にしているが、現在使用されている接着剤や接着剤層の
粗化方法では、高温時における十分な密着強度が得られ
にくい。
の接続端子（パッド）を形成した場合、その部品実装の
際に半田付け等により熱あるいは外力が加わると剥離し
易くなるという問題がある。なぜならば、フルアディテ
ィブ法では接着剤層の粗化面に対してメッキを充填する
ことにより、接着剤層とメッキ層との密着力を得るよう
にしているが、現在使用されている接着剤や接着剤層の
粗化方法では、高温時における十分な密着強度が得られ
にくい。
【０００７】ファインパターン化により導体パターン
のピッチを狭くした（例えば、１００μ）場合、絶縁抵
抗値が低下するという問題がある。すなわち、メッキレ
ジスト層は互いに独立した導体パターン間の絶縁性を確
保する役割を果たす必要がある。しかし、メッキレジス
ト層と接着剤層との間には、導電性を有する触媒核（図
示しない）が存在している。このため、導体パターンの
ピッチを狭くすると、メッキレジスト層の幅すなわち絶
縁距離が短くなって絶縁抵抗値が低下してしまう。
のピッチを狭くした（例えば、１００μ）場合、絶縁抵
抗値が低下するという問題がある。すなわち、メッキレ
ジスト層は互いに独立した導体パターン間の絶縁性を確
保する役割を果たす必要がある。しかし、メッキレジス
ト層と接着剤層との間には、導電性を有する触媒核（図
示しない）が存在している。このため、導体パターンの
ピッチを狭くすると、メッキレジスト層の幅すなわち絶
縁距離が短くなって絶縁抵抗値が低下してしまう。
【０００８】小型のチップ部品を実装するための電極
（ランド）を形成した場合、クリーム半田を使用した部
品の実装の際に部品が立ち上がるツームストーン現象と
いわれる半田付け不良が発生し易いという問題がある。
すなわち、フルアディティブ法では基材上の接着剤層に
形成されるメッキ層（導体パターン）は、メッキレジス
ト層よりも低くなっている。このため、ランドに実装さ
れるチップ部品は、両ランド間に存在するメッキレジス
ト層上に載置されることになる。従って、この状態でク
リーム半田を溶融させてチップ部品を実装するときに、
各ランドにおけるクリーム半田の硬化にばらつきが生じ
ると、チップ部品はバランスを崩して、高さの低いラン
ド側に傾き、ついには立ち上がってしまう。
（ランド）を形成した場合、クリーム半田を使用した部
品の実装の際に部品が立ち上がるツームストーン現象と
いわれる半田付け不良が発生し易いという問題がある。
すなわち、フルアディティブ法では基材上の接着剤層に
形成されるメッキ層（導体パターン）は、メッキレジス
ト層よりも低くなっている。このため、ランドに実装さ
れるチップ部品は、両ランド間に存在するメッキレジス
ト層上に載置されることになる。従って、この状態でク
リーム半田を溶融させてチップ部品を実装するときに、
各ランドにおけるクリーム半田の硬化にばらつきが生じ
ると、チップ部品はバランスを崩して、高さの低いラン
ド側に傾き、ついには立ち上がってしまう。
【０００９】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
のでありその目的は、メッキレジスト層を複数層形成す
ることにより、接着剤層とメッキ層との密着強度の向
上、導体パターンをファインパターン化したときの絶縁
抵抗値の低下防止、あるいは、チップ部品の実装時にお
けるツームストーン現象の発生防止を図ることができる
プリント配線板を提供することにある。
のでありその目的は、メッキレジスト層を複数層形成す
ることにより、接着剤層とメッキ層との密着強度の向
上、導体パターンをファインパターン化したときの絶縁
抵抗値の低下防止、あるいは、チップ部品の実装時にお
けるツームストーン現象の発生防止を図ることができる
プリント配線板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明はアディティブ法によって導体パターンが
形成されたプリント配線板であって、メッキレジストを
複数層形成し、各メッキレジスト層の開口部の形状を異
なる形状とした。
めに、本発明はアディティブ法によって導体パターンが
形成されたプリント配線板であって、メッキレジストを
複数層形成し、各メッキレジスト層の開口部の形状を異
なる形状とした。
【００１１】なお、前記各メッキレジスト層の互いに対
応する開口部は接着剤層に近いメッキレジスト層ほど幅
広に形成されていてもよく、逆に、前記各メッキレジス
ト層の互いに対応する開口部は接着剤層に遠いメッキレ
ジスト層ほど幅狭に形成されていてもよい。又、前記メ
ッキレジスト層は２層構造をなし、接着剤層上に積層さ
れた第一のメッキレジスト層はチップ部品実装用のラン
ド形成用開口部を有し、第一のメッキレジスト層上に積
層された第二のメッキレジスト層は両ランド形成用開口
部間をまたがるような開口部を有し、且つメッキ層が第
一のメッキレジスト層と同じ高さに形成されていてもよ
い。
応する開口部は接着剤層に近いメッキレジスト層ほど幅
広に形成されていてもよく、逆に、前記各メッキレジス
ト層の互いに対応する開口部は接着剤層に遠いメッキレ
ジスト層ほど幅狭に形成されていてもよい。又、前記メ
ッキレジスト層は２層構造をなし、接着剤層上に積層さ
れた第一のメッキレジスト層はチップ部品実装用のラン
ド形成用開口部を有し、第一のメッキレジスト層上に積
層された第二のメッキレジスト層は両ランド形成用開口
部間をまたがるような開口部を有し、且つメッキ層が第
一のメッキレジスト層と同じ高さに形成されていてもよ
い。
【００１２】
【作用】メッキレジストを複数層形成し、各メッキレジ
スト層の互いに対応する開口部を接着剤層に近いメッキ
レジスト層ほど幅広に形成すれば、接着剤層上に形成さ
れるメッキ層の下部が上部よりも幅広になる。従って、
接着剤層とメッキ層との密着力が向上される。
スト層の互いに対応する開口部を接着剤層に近いメッキ
レジスト層ほど幅広に形成すれば、接着剤層上に形成さ
れるメッキ層の下部が上部よりも幅広になる。従って、
接着剤層とメッキ層との密着力が向上される。
【００１３】又、各メッキレジスト層の互いに対応する
開口部を接着剤層に遠いメッキレジスト層ほど幅狭に形
成すれば、接着剤層上に形成されるメッキレジスト層は
メッキ層間の絶縁性を確保できる幅広形状となる。従っ
て、導体パターンをファインパターン化したときの絶縁
抵抗値の低下が防止される。
開口部を接着剤層に遠いメッキレジスト層ほど幅狭に形
成すれば、接着剤層上に形成されるメッキレジスト層は
メッキ層間の絶縁性を確保できる幅広形状となる。従っ
て、導体パターンをファインパターン化したときの絶縁
抵抗値の低下が防止される。
【００１４】更に、第一のメッキレジスト層をチップ部
品実装用のランド形成用開口部を有し、第二のメッキレ
ジスト層を両ランド形成用開口部間にまたがるような開
口部を有するようにすれば、メッキ層を第一のメッキレ
ジスト層と同じ高さに形成することができる。従って、
チップ部品は第一のメッキレジスト層及び両メッキ層
（ランド）上に載置されることになり、半田付けによる
実装の際に、各ランドにおいてクリーム半田の硬化にば
らつきが生じても、傾くことはなくツームストーン現象
の発生が防止される。
品実装用のランド形成用開口部を有し、第二のメッキレ
ジスト層を両ランド形成用開口部間にまたがるような開
口部を有するようにすれば、メッキ層を第一のメッキレ
ジスト層と同じ高さに形成することができる。従って、
チップ部品は第一のメッキレジスト層及び両メッキ層
（ランド）上に載置されることになり、半田付けによる
実装の際に、各ランドにおいてクリーム半田の硬化にば
らつきが生じても、傾くことはなくツームストーン現象
の発生が防止される。
【００１５】
【実施例】〔実施例１〕以下、本発明をフルアディティ
ブ法により導体パターンが形成されたプリント配線板に
具体化した実施例１について図面に基づき詳細に説明す
る。この実施例ではＱＦＰ等の表面実装部品を実装する
ためのパッドのように基材との大きな密着強度が要求さ
れる部分の密着強度を高めるようにした。
ブ法により導体パターンが形成されたプリント配線板に
具体化した実施例１について図面に基づき詳細に説明す
る。この実施例ではＱＦＰ等の表面実装部品を実装する
ためのパッドのように基材との大きな密着強度が要求さ
れる部分の密着強度を高めるようにした。
【００１６】図１に示すように、プリント配線板Ｐを構
成する絶縁基板１上には表面が粗化された接着剤層２が
形成され、接着剤層２上にはメッキレジスト３が等間隔
にて積層形成されている。メッキレジスト３は接着剤層
２上に積層され、パッド形成用開口部４ａを有する第一
のメッキレジスト層４と、第一のメッキレジスト層４上
に積層され、パッド形成用開口部５ａを有する第二のメ
ッキレジスト層５とから構成されている。第一及び第二
のメッキレジスト層４，５の互いに対応するパッド形成
用開口部４ａ，５ａは、接着剤層２に近いほど幅広に形
成されている。パッド形成用開口部４ａ，５ａ内におけ
る接着剤層２上には、導体パターンを構成するパッド６
が形成されている。パッド６はその上部よりも下部が幅
広に形成されるとともに、図示しないＱＦＰのリードと
の接着に必要な長さと幅（１５０μ）を有している。な
お、本実施例では、パッド６のピッチは３００μで下部
の幅が２５０μとなっている。又、第一のメッキレジス
ト層４の幅は１５μとなっており、隣接するパッド４間
の絶縁性が確保されている。
成する絶縁基板１上には表面が粗化された接着剤層２が
形成され、接着剤層２上にはメッキレジスト３が等間隔
にて積層形成されている。メッキレジスト３は接着剤層
２上に積層され、パッド形成用開口部４ａを有する第一
のメッキレジスト層４と、第一のメッキレジスト層４上
に積層され、パッド形成用開口部５ａを有する第二のメ
ッキレジスト層５とから構成されている。第一及び第二
のメッキレジスト層４，５の互いに対応するパッド形成
用開口部４ａ，５ａは、接着剤層２に近いほど幅広に形
成されている。パッド形成用開口部４ａ，５ａ内におけ
る接着剤層２上には、導体パターンを構成するパッド６
が形成されている。パッド６はその上部よりも下部が幅
広に形成されるとともに、図示しないＱＦＰのリードと
の接着に必要な長さと幅（１５０μ）を有している。な
お、本実施例では、パッド６のピッチは３００μで下部
の幅が２５０μとなっている。又、第一のメッキレジス
ト層４の幅は１５μとなっており、隣接するパッド４間
の絶縁性が確保されている。
【００１７】上記のように構成されたプリント配線板Ｐ
においては、互いに対応するパッド形成用開口部４ａ，
５ａのうち接着剤層２に近いパッド形成用開口部４ａを
幅広に形成したことにより、接着剤層２上に形成される
パッド６の下部が幅広になる。従って、接着剤層２上に
形成されるパッド６の面積が大きくなって、接着剤層２
とパッド６との密着強度の向上を図ることができる。こ
の結果、パッド６はＱＦＰ等の表面実装部品を実装する
際の高温時における十分な密着強度を得ることができ
る。
においては、互いに対応するパッド形成用開口部４ａ，
５ａのうち接着剤層２に近いパッド形成用開口部４ａを
幅広に形成したことにより、接着剤層２上に形成される
パッド６の下部が幅広になる。従って、接着剤層２上に
形成されるパッド６の面積が大きくなって、接着剤層２
とパッド６との密着強度の向上を図ることができる。こ
の結果、パッド６はＱＦＰ等の表面実装部品を実装する
際の高温時における十分な密着強度を得ることができ
る。
【００１８】又、パッド６の下部の両側部が第二のメッ
キレジスト層５の下方に位置しているため、その第二の
メッキレジスト層５にてパッド６の引き剥がしに抗する
力が作用して、パッド６の剥離強度を高めることができ
る。
キレジスト層５の下方に位置しているため、その第二の
メッキレジスト層５にてパッド６の引き剥がしに抗する
力が作用して、パッド６の剥離強度を高めることができ
る。
【００１９】更に、第一のメッキレジスト層４はその上
面が第二のメッキレジスト層５に覆われるように形成さ
れているため、パッド６を形成する際に無電解銅メッキ
液に晒される部分が少ない。従って、第一のメッキレジ
スト層４を耐無電解銅メッキ液性（耐アルカリ性）に優
れたものでなくてもよく、接着剤追従性（密着性）にの
みに優れたものを使用することができる。
面が第二のメッキレジスト層５に覆われるように形成さ
れているため、パッド６を形成する際に無電解銅メッキ
液に晒される部分が少ない。従って、第一のメッキレジ
スト層４を耐無電解銅メッキ液性（耐アルカリ性）に優
れたものでなくてもよく、接着剤追従性（密着性）にの
みに優れたものを使用することができる。
【００２０】次に、プリント配線板Ｐの製造方法の一例
を簡単に説明する。絶縁基板１上にエポキシ樹脂を主成
分とする接着剤を塗布、硬化し、その表面を常法により
粗化した後、パラジウム等の触媒核を付与する。次い
で、接着剤層２上の全面に感光性樹脂からなるメッキレ
ジストを施した後、露光・現像処理を行ってパッド形成
用開口部４ａを有する第一のメッキレジスト層４を形成
する（図２）。
を簡単に説明する。絶縁基板１上にエポキシ樹脂を主成
分とする接着剤を塗布、硬化し、その表面を常法により
粗化した後、パラジウム等の触媒核を付与する。次い
で、接着剤層２上の全面に感光性樹脂からなるメッキレ
ジストを施した後、露光・現像処理を行ってパッド形成
用開口部４ａを有する第一のメッキレジスト層４を形成
する（図２）。
【００２１】次に、第一のメッキレジスト層４上に感光
性樹脂からなるメッキレジストを施した後、露光・現像
処理を行ってパッド形成用開口部４ａよりも幅狭のパッ
ド形成用開口部５ａを有する第二のメッキレジスト層５
を形成する。（図３）。続いて、無電解銅メッキを施し
てパッド（導体パターン）６を形成する（図１）。その
後、第二のメッキレジスト層５の表面及び導体パターン
の配線（図示せず）にソルダーレジストを施した後、外
形仕上げ等を行ってプリント配線板Ｐを得る。
性樹脂からなるメッキレジストを施した後、露光・現像
処理を行ってパッド形成用開口部４ａよりも幅狭のパッ
ド形成用開口部５ａを有する第二のメッキレジスト層５
を形成する。（図３）。続いて、無電解銅メッキを施し
てパッド（導体パターン）６を形成する（図１）。その
後、第二のメッキレジスト層５の表面及び導体パターン
の配線（図示せず）にソルダーレジストを施した後、外
形仕上げ等を行ってプリント配線板Ｐを得る。
【００２２】〔実施例２〕次に、実施例２について説明
する。この実施例では導体パターンの配線部のピッチを
狭くしたときに絶縁抵抗値の低下を防止できるようにし
た。
する。この実施例では導体パターンの配線部のピッチを
狭くしたときに絶縁抵抗値の低下を防止できるようにし
た。
【００２３】図４に示すように、第一及び第二のメッキ
レジスト層４，５の互いに対応する配線形成用開口部４
ｂ，５ｂは、接着剤層２に遠いほど幅狭に形成されてい
る。配線形成用開口部４ｂ，５ｂ内における接着剤層２
上には、導体パターンを構成する配線７が形成されてい
る。配線７はその上部よりも下部が幅狭に形成されてい
る。なお、本実施例では配線７のピッチは１００μで上
部の幅が７０μとなっている。又、第一のメッキレジス
ト層４の幅は１０μとなっており、隣接する配線７間の
絶縁性が確保されている。
レジスト層４，５の互いに対応する配線形成用開口部４
ｂ，５ｂは、接着剤層２に遠いほど幅狭に形成されてい
る。配線形成用開口部４ｂ，５ｂ内における接着剤層２
上には、導体パターンを構成する配線７が形成されてい
る。配線７はその上部よりも下部が幅狭に形成されてい
る。なお、本実施例では配線７のピッチは１００μで上
部の幅が７０μとなっている。又、第一のメッキレジス
ト層４の幅は１０μとなっており、隣接する配線７間の
絶縁性が確保されている。
【００２４】上記のように構成されたプリント配線板Ｐ
においては、配線形成用開口部４ｂ，５ｂが、接着剤層
２に遠いほど幅狭に形成されているため、第一のメッキ
レジスト層４は配線７間の絶縁性を確保できる幅広形状
となる。従って、配線７間の絶縁距離が長くなって、配
線７をファインパターン化したときの絶縁抵抗値の低下
防止を図ることができる。
においては、配線形成用開口部４ｂ，５ｂが、接着剤層
２に遠いほど幅狭に形成されているため、第一のメッキ
レジスト層４は配線７間の絶縁性を確保できる幅広形状
となる。従って、配線７間の絶縁距離が長くなって、配
線７をファインパターン化したときの絶縁抵抗値の低下
防止を図ることができる。
【００２５】なお、実施例１のプリント配線板Ｐは前記
実施例１と同じ製造方法により得られる。 〔実施例３〕次に、実施例３について説明する。この実
施例ではチップ部品を実装する際にツームストーン現象
が発生するのを防止できるようにした。
実施例１と同じ製造方法により得られる。 〔実施例３〕次に、実施例３について説明する。この実
施例ではチップ部品を実装する際にツームストーン現象
が発生するのを防止できるようにした。
【００２６】図５に示すように、第一のメッキレジスト
層４は第二のメッキレジスト層５よりも肉厚に形成され
ている。第一のメッキレジスト層４は一対のチップ部品
実装用のランド形成用開口部４ｃを有しており、第二の
メッキレジスト層５は両ランド形成用開口部４ｃ間をま
たがるような開口部５ｃを有している。又、ランド形成
用開口部４ｃ内における接着剤層２上には、導体パター
ンを構成するチップ部品実装用のランド８が第一のメッ
キレジスト層４と同じ高さに形成されている。なお、本
実施例では、第一のメッキレジスト層４及びランド８の
高さは２５μとなっている。
層４は第二のメッキレジスト層５よりも肉厚に形成され
ている。第一のメッキレジスト層４は一対のチップ部品
実装用のランド形成用開口部４ｃを有しており、第二の
メッキレジスト層５は両ランド形成用開口部４ｃ間をま
たがるような開口部５ｃを有している。又、ランド形成
用開口部４ｃ内における接着剤層２上には、導体パター
ンを構成するチップ部品実装用のランド８が第一のメッ
キレジスト層４と同じ高さに形成されている。なお、本
実施例では、第一のメッキレジスト層４及びランド８の
高さは２５μとなっている。
【００２７】上記したプリント配線板Ｐにおいては、第
一及び第二のメッキレジスト層４，５の２層構造とした
ことにより、ランド８を第一のメッキレジスト層４と同
じ高さに形成することができる。従って、両ランド８上
に実装されるチップ部品（二点鎖線にて図示）９は、第
一のメッキレジスト層４及び両ランド８上に載置され
る。従って、チップ部品９を半田付けにより実装すると
きに、各ランド８においてクリーム半田（二点鎖線にて
図示）１０の硬化にばらつきが生じても、チップ部品が
傾くことはないため、ツームストーン現象の発生を防止
することができる。
一及び第二のメッキレジスト層４，５の２層構造とした
ことにより、ランド８を第一のメッキレジスト層４と同
じ高さに形成することができる。従って、両ランド８上
に実装されるチップ部品（二点鎖線にて図示）９は、第
一のメッキレジスト層４及び両ランド８上に載置され
る。従って、チップ部品９を半田付けにより実装すると
きに、各ランド８においてクリーム半田（二点鎖線にて
図示）１０の硬化にばらつきが生じても、チップ部品が
傾くことはないため、ツームストーン現象の発生を防止
することができる。
【００２８】又、チップ部品９は実装の際に第二のメッ
キレジスト５に囲まれた状態となるため、ランド８から
はみ出たりすることが少なくなる。又、クリーム半田１
０の余分なはみ出しも防止できる。
キレジスト５に囲まれた状態となるため、ランド８から
はみ出たりすることが少なくなる。又、クリーム半田１
０の余分なはみ出しも防止できる。
【００２９】実施例３のプリント配線板Ｐは、第一のメ
ッキレジスト層４を肉厚に形成し、第二のメッキレジス
ト層５の開口部５ｃを両ランド形成用開口部４ｃ間をま
たがるように形成する点が前記実施例１の製造方法と異
なる。
ッキレジスト層４を肉厚に形成し、第二のメッキレジス
ト層５の開口部５ｃを両ランド形成用開口部４ｃ間をま
たがるように形成する点が前記実施例１の製造方法と異
なる。
【００３０】なお、本発明は上記実施例のみに限定され
ることはなく、以下のように変更すしてもよい。 （１）メッキレジスト３を３層以上の構成としてもよ
い。
ることはなく、以下のように変更すしてもよい。 （１）メッキレジスト３を３層以上の構成としてもよ
い。
【００３１】（２）２層構造のメッキレジストを構成す
る第一のメッキレジスト層４の各開口部４ａ〜４ｃと、
第二のメッキレジスト層５の各開口部５ａ〜５ｃの幅の
大きさを適宜変更してもよい。又、第一又は第二のメッ
キレジスト層４，５の厚さを適宜変更してもよい。
る第一のメッキレジスト層４の各開口部４ａ〜４ｃと、
第二のメッキレジスト層５の各開口部５ａ〜５ｃの幅の
大きさを適宜変更してもよい。又、第一又は第二のメッ
キレジスト層４，５の厚さを適宜変更してもよい。
【００３２】（３）第一又は第二のメッキレジスト層
４，５を感光性樹脂組成物以外の例えば熱硬化性樹脂組
成物等を使用してもよい。 （４）サブトラクティブ法による多層プリント配線板の
製造の一部にアディティブを適用する場合に具体化して
もよい。
４，５を感光性樹脂組成物以外の例えば熱硬化性樹脂組
成物等を使用してもよい。 （４）サブトラクティブ法による多層プリント配線板の
製造の一部にアディティブを適用する場合に具体化して
もよい。
【００３３】（５）銅以外の金属の無電解メッキにより
導体パターンを形成する場合に適用してもよい。 （６）実施例３において、第二のメッキレジストの開口
部５ｃの幅をチップ部品と同じ幅に形成してもよい。こ
のようにすれば、チップ部品を確実にランド８上に位置
固定することができる。
導体パターンを形成する場合に適用してもよい。 （６）実施例３において、第二のメッキレジストの開口
部５ｃの幅をチップ部品と同じ幅に形成してもよい。こ
のようにすれば、チップ部品を確実にランド８上に位置
固定することができる。
【００３４】（７）プリント配線板Ｐを製造する場合に
おいて、第一のメッキレジスト層を形成した後、メッキ
層を形成し、続いて、第二のメッキレジスト層を形成し
た後、再びメッキ層を形成するようにしてもよい。
おいて、第一のメッキレジスト層を形成した後、メッキ
層を形成し、続いて、第二のメッキレジスト層を形成し
た後、再びメッキ層を形成するようにしてもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のプリント
配線板によれば、各メッキレジスト層の互いに対応する
開口部を接着剤層に近いメッキレジスト層ほど幅広に形
成することによりメッキ層の下部が上部よりも幅広にな
るので、接着剤層とメッキ層との密着強度の向上を図る
ことができる。
配線板によれば、各メッキレジスト層の互いに対応する
開口部を接着剤層に近いメッキレジスト層ほど幅広に形
成することによりメッキ層の下部が上部よりも幅広にな
るので、接着剤層とメッキ層との密着強度の向上を図る
ことができる。
【００３６】又、各メッキレジスト層の互いに対応する
開口部を接着剤層に遠いメッキレジスト層ほど幅狭に形
成することにより、接着剤層上に形成されるメッキレジ
スト層はメッキ層間の絶縁性を確保できる幅広形状とな
るので、導体パターンをファインパターン化したときの
絶縁抵抗値の低下防止を図ることができる。
開口部を接着剤層に遠いメッキレジスト層ほど幅狭に形
成することにより、接着剤層上に形成されるメッキレジ
スト層はメッキ層間の絶縁性を確保できる幅広形状とな
るので、導体パターンをファインパターン化したときの
絶縁抵抗値の低下防止を図ることができる。
【００３７】更に、メッキレジスト層を２層構造とし、
接着剤層上に積層された第一のメッキレジスト層をチッ
プ部品実装用のランド形成用開口部を有し、第二のメッ
キレジスト層を両ランド形成用開口部間にまたがるよう
な開口部を有するようにすれば、メッキ層を第一のメッ
キレジスト層と同じ高さに形成することができ、チップ
部品は実装の際に第一のメッキレジスト層及び両メッキ
層（ランド）上に載置されるので、ツームストーン現象
の発生防止を図ることができるという優れた効果を奏す
る。
接着剤層上に積層された第一のメッキレジスト層をチッ
プ部品実装用のランド形成用開口部を有し、第二のメッ
キレジスト層を両ランド形成用開口部間にまたがるよう
な開口部を有するようにすれば、メッキ層を第一のメッ
キレジスト層と同じ高さに形成することができ、チップ
部品は実装の際に第一のメッキレジスト層及び両メッキ
層（ランド）上に載置されるので、ツームストーン現象
の発生防止を図ることができるという優れた効果を奏す
る。
【図１】本発明の実施例１のプリント配線板を示す部分
模式図である。
模式図である。
【図２】同じく、プリント配線板の製造工程において基
板に第一のメッキレジストを形成した状態を示す部分模
式図である。
板に第一のメッキレジストを形成した状態を示す部分模
式図である。
【図３】同じく、プリント配線板の製造工程において基
板に第二のメッキレジストを形成した状態を示す部分模
式図である。
板に第二のメッキレジストを形成した状態を示す部分模
式図である。
【図４】実施例２のプリント配線板を示す部分模式図で
ある。
ある。
【図５】実施例３のプリント配線板を示す部分模式図で
ある。
ある。
１…絶縁基板、２…接着剤層、３…メッキレジスト、４
…第一のメッキレジスト層、５…第二のメッキレジスト
層、４ａ，５ａ…パッド形成用開口部、４ｂ，５ｂ…配
線形成用開口部、４ｃ…ランド形成用開口部、５ｃ…開
口部、６…導体パターンを構成するパッド、７…導体パ
ターンを構成する配線、８…導体パターンを構成するチ
ップ部品実装用のランド、Ｐ…プリント配線板。
…第一のメッキレジスト層、５…第二のメッキレジスト
層、４ａ，５ａ…パッド形成用開口部、４ｂ，５ｂ…配
線形成用開口部、４ｃ…ランド形成用開口部、５ｃ…開
口部、６…導体パターンを構成するパッド、７…導体パ
ターンを構成する配線、８…導体パターンを構成するチ
ップ部品実装用のランド、Ｐ…プリント配線板。
Claims (4)
- 【請求項１】 アディティブ法によって導体パターンが
形成されたプリント配線板であって、メッキレジストを
複数層形成し、各メッキレジスト層の開口部の形状を異
なる形状としたことを特徴とするプリント配線板。 - 【請求項２】 前記各メッキレジスト層の互いに対応す
る開口部は接着剤層に近いメッキレジスト層ほど幅広に
形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリ
ント配線板。 - 【請求項３】 前記各メッキレジスト層の互いに対応す
る開口部は接着剤層に遠いメッキレジスト層ほど幅狭に
形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリ
ント配線板。 - 【請求項４】 前記メッキレジスト層は２層構造をな
し、接着剤層上に積層された第一のメッキレジスト層は
チップ部品実装用のランド形成用開口部を有し、第一の
メッキレジスト層上に積層された第二のメッキレジスト
層は両ランド形成用開口部間をまたがるような開口部を
有し、且つメッキ層が第一のメッキレジスト層と同じ高
さに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
プリント配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16577293A JPH0722735A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | プリント配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16577293A JPH0722735A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | プリント配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722735A true JPH0722735A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15818749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16577293A Pending JPH0722735A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | プリント配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722735A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005209848A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2008300691A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2012079905A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
| JP2013507777A (ja) * | 2009-10-19 | 2013-03-04 | 巨擘科技股▲ふん▼有限公司 | フレキシブル多層基板の金属層構造及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP16577293A patent/JPH0722735A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005209848A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2008300691A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| US8304663B2 (en) | 2007-05-31 | 2012-11-06 | Kyocera Slc Technologies Corporation | Wiring board and manufacturing method thereof |
| JP2013507777A (ja) * | 2009-10-19 | 2013-03-04 | 巨擘科技股▲ふん▼有限公司 | フレキシブル多層基板の金属層構造及びその製造方法 |
| JP2012079905A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
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