JPH0722807A - 高周波回路装置 - Google Patents
高周波回路装置Info
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- JPH0722807A JPH0722807A JP15958393A JP15958393A JPH0722807A JP H0722807 A JPH0722807 A JP H0722807A JP 15958393 A JP15958393 A JP 15958393A JP 15958393 A JP15958393 A JP 15958393A JP H0722807 A JPH0722807 A JP H0722807A
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Landscapes
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 寄生インダクタンスがほとんど発生しない高
周波接地の良好な高周波回路装置を提供することを目的
とする。 【構成】 磁性体シート２と、該磁性体シート２上に設
けられた先端開放スタブ３と、該先端開放スタブ３上に
設けられた第２の磁性体部９と、該第２の磁性体部９上
に設けられた高周波回路素子Ｓとを備え、高周波回路素
子Ｓが第２の磁性体部９を貫通するスルーホール部２
４、２５に充填された導電性材料を介して先端開放スタ
ブ３に電気的に接続されると共に、先端開放スタブ３が
この先端開放スタブ３と磁性体シート２を貫通する導電
性材料が充填されたスルーホール部２３を介して接地電
極１９に電気的に接続されて構成されている。
周波接地の良好な高周波回路装置を提供することを目的
とする。 【構成】 磁性体シート２と、該磁性体シート２上に設
けられた先端開放スタブ３と、該先端開放スタブ３上に
設けられた第２の磁性体部９と、該第２の磁性体部９上
に設けられた高周波回路素子Ｓとを備え、高周波回路素
子Ｓが第２の磁性体部９を貫通するスルーホール部２
４、２５に充填された導電性材料を介して先端開放スタ
ブ３に電気的に接続されると共に、先端開放スタブ３が
この先端開放スタブ３と磁性体シート２を貫通する導電
性材料が充填されたスルーホール部２３を介して接地電
極１９に電気的に接続されて構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波回路装置に関し、
特に高周波接地部となる先端開放スタブを有する高周波
回路装置に関する。
特に高周波接地部となる先端開放スタブを有する高周波
回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、衛星放送、自動車電話、携帯電
話、又はデータ伝送システム等の準マイクロ波、マイク
ロ波帯域を使用した高周波関連機器の需要が高まってお
り、これらの機器に用いられるキャパシタやインダクタ
等を組み込んだマイクロ波集積回路（以下ＭＩＣと略
す）の開発が進められている。特に、携帯電話機等に用
いられるＭＩＣは小型化が強く求められ、このため高周
波回路素子、磁性体シート、誘電体シート等を積層化し
て組み込んだ高周波回路装置の開発が活発に行われてい
る。この高周波回路装置は、例えば特開平4-267615(H03
H 7/075)公報に示されている。
話、又はデータ伝送システム等の準マイクロ波、マイク
ロ波帯域を使用した高周波関連機器の需要が高まってお
り、これらの機器に用いられるキャパシタやインダクタ
等を組み込んだマイクロ波集積回路（以下ＭＩＣと略
す）の開発が進められている。特に、携帯電話機等に用
いられるＭＩＣは小型化が強く求められ、このため高周
波回路素子、磁性体シート、誘電体シート等を積層化し
て組み込んだ高周波回路装置の開発が活発に行われてい
る。この高周波回路装置は、例えば特開平4-267615(H03
H 7/075)公報に示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に記載されているような高周波回路装置では、ワイヤ
ボンディング線や塗布形成された導電性材料等による配
線を用いて高周波回路装置の外部で高周波回路素子が高
周波接地されているので、この配線による寄生インダク
タンスや、高周波回路素子と接地部とのインピーダンス
不整合による寄生インダクタンスが生じるので、雑音特
性等の高周波回路装置の特性が低下するという問題があ
った。
報に記載されているような高周波回路装置では、ワイヤ
ボンディング線や塗布形成された導電性材料等による配
線を用いて高周波回路装置の外部で高周波回路素子が高
周波接地されているので、この配線による寄生インダク
タンスや、高周波回路素子と接地部とのインピーダンス
不整合による寄生インダクタンスが生じるので、雑音特
性等の高周波回路装置の特性が低下するという問題があ
った。
【０００４】本発明は斯る問題点に鑑みて成されたもの
であり、寄生インダクタンスがほとんど発生しない高周
波回路装置を提供することを課題とする。
であり、寄生インダクタンスがほとんど発生しない高周
波回路装置を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波回路
装置は、第１の磁性体部と、該第１の磁性体部上に設け
られた先端開放スタブと、該先端開放スタブ上に設けら
れた第２の磁性体部と、該第２の磁性体部上に設けられ
た高周波回路素子とを備え、前記高周波回路素子が前記
第２の磁性体部を貫通するスルーホール部を介して先端
開放スタブに電気的に接続されると共に、該先端開放ス
タブが前記第１の磁性体部を貫通するスルーホール部を
介して電気的に接地されたことを特徴とする。
装置は、第１の磁性体部と、該第１の磁性体部上に設け
られた先端開放スタブと、該先端開放スタブ上に設けら
れた第２の磁性体部と、該第２の磁性体部上に設けられ
た高周波回路素子とを備え、前記高周波回路素子が前記
第２の磁性体部を貫通するスルーホール部を介して先端
開放スタブに電気的に接続されると共に、該先端開放ス
タブが前記第１の磁性体部を貫通するスルーホール部を
介して電気的に接地されたことを特徴とする。
【０００６】特に、前記第１の磁性体部を貫通するスル
ーホール部は前記第２の磁性体部を貫通するスルーホー
ル部の垂下に設けられたことを特徴とする。
ーホール部は前記第２の磁性体部を貫通するスルーホー
ル部の垂下に設けられたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明の高周波回路装置の構成によれば、高周
波回路素子は高周波回路装置内に設けられた先端開放ス
タブにて高周波接地されるので、高周波回路素子と接地
とのインピーダンス不整合が低減されると共に、高周波
回路素子と先端開放スタブとの電気的な接続距離を短く
できる。この結果、高周波回路装置の寄生インダクタン
スの発生を抑えることができる。また、高周波回路素子
と先端開放スタブの間には、特性分離部として電磁波吸
収体である磁性体シートを積層してなる十分な厚みを持
つ第２の磁性体部を設けているので、これらの共振等の
電磁波的な結合を防ぐことができる。
波回路素子は高周波回路装置内に設けられた先端開放ス
タブにて高周波接地されるので、高周波回路素子と接地
とのインピーダンス不整合が低減されると共に、高周波
回路素子と先端開放スタブとの電気的な接続距離を短く
できる。この結果、高周波回路装置の寄生インダクタン
スの発生を抑えることができる。また、高周波回路素子
と先端開放スタブの間には、特性分離部として電磁波吸
収体である磁性体シートを積層してなる十分な厚みを持
つ第２の磁性体部を設けているので、これらの共振等の
電磁波的な結合を防ぐことができる。
【０００８】特に、第１の磁性体部を貫通するスルーホ
ール部が前記第２の磁性体部を貫通するスルーホール部
の垂下に設けられている場合には、前記高周波回路素子
と前記先端開放スタブとの電気的に接続する距離がより
短くなり、寄生インダクタンスの発生をより少なくでき
る。
ール部が前記第２の磁性体部を貫通するスルーホール部
の垂下に設けられている場合には、前記高周波回路素子
と前記先端開放スタブとの電気的に接続する距離がより
短くなり、寄生インダクタンスの発生をより少なくでき
る。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例を図面を参照しつつ詳細に
説明する。図１は本実施例に係る高周波回路装置の模式
的分解斜視図であり、図２は図１に示す高周波回路装置
を構成するＴ型ローパスフィルタの等価回路であり、図
３は図１に示す高周波回路装置の模式的断面図である。
説明する。図１は本実施例に係る高周波回路装置の模式
的分解斜視図であり、図２は図１に示す高周波回路装置
を構成するＴ型ローパスフィルタの等価回路であり、図
３は図１に示す高周波回路装置の模式的断面図である。
【００１０】図１に於て、１はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等
からなるアルミナセラミックス製誘電体基板（厚み２５
０μｍ）である。
からなるアルミナセラミックス製誘電体基板（厚み２５
０μｍ）である。
【００１１】この誘電体基板１の上には、Ｎｉ−Ｚｎ、
Ｍｎ−Ｚｎ、又はＣｒ−Ｚｎ系等のフェライト粉末成形
体からなる矩形状の磁性体シート（幅４０００μｍ、長
さ３０００μｍ、厚み１００μｍ）により構成される第
１の磁性体部２が設けられている。この第１の磁性体部
２上の中央部には、同一寸法形状のＡｕ等からなる扇形
電極（扇形の長さ１８７５μｍ、扇形角度１２０度、厚
み５μｍ）が二つ対向して構成されるボウタイ（bow ti
e：蝶ネクタイ）形の先端開放スタブ３が形成されてい
る。これら磁性体シート２及び先端開放スタブ３によっ
て高周波接地部４が構成される。
Ｍｎ−Ｚｎ、又はＣｒ−Ｚｎ系等のフェライト粉末成形
体からなる矩形状の磁性体シート（幅４０００μｍ、長
さ３０００μｍ、厚み１００μｍ）により構成される第
１の磁性体部２が設けられている。この第１の磁性体部
２上の中央部には、同一寸法形状のＡｕ等からなる扇形
電極（扇形の長さ１８７５μｍ、扇形角度１２０度、厚
み５μｍ）が二つ対向して構成されるボウタイ（bow ti
e：蝶ネクタイ）形の先端開放スタブ３が形成されてい
る。これら磁性体シート２及び先端開放スタブ３によっ
て高周波接地部４が構成される。
【００１２】この高周波接地部４上には、Ｎｉ−Ｚｎ、
Ｍｎ−Ｚｎ、又はＣｒ−Ｚｎ系等のフェライト粉末成形
体から夫々なる矩形状の磁性体シート５、６、７、８
（夫々幅４０００μｍ、長さ３０００μｍ、厚み２００
μｍ）が積層されてなる特性分離部としての第２の磁性
体部９が設けられている。
Ｍｎ−Ｚｎ、又はＣｒ−Ｚｎ系等のフェライト粉末成形
体から夫々なる矩形状の磁性体シート５、６、７、８
（夫々幅４０００μｍ、長さ３０００μｍ、厚み２００
μｍ）が積層されてなる特性分離部としての第２の磁性
体部９が設けられている。
【００１３】この第２の磁性体部９上には、図２に示す
コンデンサＣ、インダクタＬ1、Ｌ2からなる５ＧＨZ用
の所謂Ｔ型ローパスフィルタの高周波回路素子Ｓが設け
られている。
コンデンサＣ、インダクタＬ1、Ｌ2からなる５ＧＨZ用
の所謂Ｔ型ローパスフィルタの高周波回路素子Ｓが設け
られている。
【００１４】即ち、第２の磁性体部９上の中央部には矩
形状のＡｕ等からなる下部電極１０（幅２０００μｍ、
長さ１８００μｍ、厚み５μｍ）が形成されている。こ
の第２の磁性体部９上及び下部電極１０上にはアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）等のアルミナセラミック製誘電体シート１
１（幅４０００μｍ、長さ３０００μｍ、厚み１５０μ
ｍ）が形成されている。この誘電体シート１１上の中央
部には、下部電極１０と対向してこの下部電極１０と同
一寸法のＡｕ等からなる上部電極１２が形成されてい
る。これら下部電極１０、上部電極１２及びこれらに挟
まれた誘電体シート１１とによってコンデンサＣ（６０
０ｆＦ）が構成される。
形状のＡｕ等からなる下部電極１０（幅２０００μｍ、
長さ１８００μｍ、厚み５μｍ）が形成されている。こ
の第２の磁性体部９上及び下部電極１０上にはアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）等のアルミナセラミック製誘電体シート１
１（幅４０００μｍ、長さ３０００μｍ、厚み１５０μ
ｍ）が形成されている。この誘電体シート１１上の中央
部には、下部電極１０と対向してこの下部電極１０と同
一寸法のＡｕ等からなる上部電極１２が形成されてい
る。これら下部電極１０、上部電極１２及びこれらに挟
まれた誘電体シート１１とによってコンデンサＣ（６０
０ｆＦ）が構成される。
【００１５】このコンデンサＣ上には、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｍ
ｎ−Ｚｎ、又はＣｒ−Ｚｎ系等のフェライト粉末成形体
からなる矩形状の磁性体シート１３（幅４０００μｍ、
長さ３０００μｍ、厚み２００μｍ）が設けられ、この
磁性体シート１３の両端部には、夫々入力電極１４、出
力電極１５が形成されている。これら入力電極１４、出
力電極１５は、磁性体シート１３上に形成されたＡｕ等
からなる渦巻き状の導体線路（厚み５μｍ、幅２０μ
ｍ、ターン数２、総線路長３７００μｍ）により夫々構
成されるインダクタＬ1 （２．９ｎＨ）、Ｌ2（２．９
ｎＨ）と夫々電気的に接続されている。このインダクタ
Ｌ1、Ｌ2の夫々の中心側一端は、夫々磁性体シート１３
を貫通するスルーホール部１６、１７に充填されたＰｂ
−Ｓｎ合金、Ａｕ、Ａｇ等からなる導電性材料１６ａ、
１７ａを介して上部電極１２と電気的に接続されてい
る。
ｎ−Ｚｎ、又はＣｒ−Ｚｎ系等のフェライト粉末成形体
からなる矩形状の磁性体シート１３（幅４０００μｍ、
長さ３０００μｍ、厚み２００μｍ）が設けられ、この
磁性体シート１３の両端部には、夫々入力電極１４、出
力電極１５が形成されている。これら入力電極１４、出
力電極１５は、磁性体シート１３上に形成されたＡｕ等
からなる渦巻き状の導体線路（厚み５μｍ、幅２０μ
ｍ、ターン数２、総線路長３７００μｍ）により夫々構
成されるインダクタＬ1 （２．９ｎＨ）、Ｌ2（２．９
ｎＨ）と夫々電気的に接続されている。このインダクタ
Ｌ1、Ｌ2の夫々の中心側一端は、夫々磁性体シート１３
を貫通するスルーホール部１６、１７に充填されたＰｂ
−Ｓｎ合金、Ａｕ、Ａｇ等からなる導電性材料１６ａ、
１７ａを介して上部電極１２と電気的に接続されてい
る。
【００１６】この磁性体シート１３上及びインダクタＬ
1、Ｌ2上にはキャップ部としてのＮｉ−Ｚｎ、Ｍｎ−Ｚ
ｎ、又はＣｒ−Ｚｎ系等のフェライト粉末成形体からな
る矩形状の磁性体シート１８（幅４０００μｍ、長さ３
０００μｍ、厚み２００μｍ）が形成されている。
1、Ｌ2上にはキャップ部としてのＮｉ−Ｚｎ、Ｍｎ−Ｚ
ｎ、又はＣｒ−Ｚｎ系等のフェライト粉末成形体からな
る矩形状の磁性体シート１８（幅４０００μｍ、長さ３
０００μｍ、厚み２００μｍ）が形成されている。
【００１７】尚、上記誘電体基板１の下面にはＡｕ等か
らなる接地電極１９（厚み１５μｍ）が形成され、又、
この基板１の上面にはＡｕ等からなる入力端子２０、出
力端子２１が形成されている。
らなる接地電極１９（厚み１５μｍ）が形成され、又、
この基板１の上面にはＡｕ等からなる入力端子２０、出
力端子２１が形成されている。
【００１８】図３は斯る高周波回路装置の模式的断面図
である。図３に示すように、接地電極１９、先端開放ス
タブ３、及び前記高周波回路素子Ｓの下部電極１０は、
誘電体基板１、第１の磁性体部２、先端開放スタブ３の
二つの扇形電極の結合部分、及び第２の磁性体部９を夫
々貫通するスルーホール部２２、２３、２４、２５が継
合されてなる貫通孔に充填されたＰｂ−Ｓｎ合金、Ａ
ｕ、Ａｇ等からなる導電性材料２２ａ、２３ａ、２４
ａ、２５ａを介して電気的に接続されている。
である。図３に示すように、接地電極１９、先端開放ス
タブ３、及び前記高周波回路素子Ｓの下部電極１０は、
誘電体基板１、第１の磁性体部２、先端開放スタブ３の
二つの扇形電極の結合部分、及び第２の磁性体部９を夫
々貫通するスルーホール部２２、２３、２４、２５が継
合されてなる貫通孔に充填されたＰｂ−Ｓｎ合金、Ａ
ｕ、Ａｇ等からなる導電性材料２２ａ、２３ａ、２４
ａ、２５ａを介して電気的に接続されている。
【００１９】また、入力電極１４と入力端子２０との
間、及び出力電極１５と出力端子２１との間は、高周波
回路装置の両側面に形成されたＡｕ等からなる導体線路
２６、２７により夫々電気的に接続されている。
間、及び出力電極１５と出力端子２１との間は、高周波
回路装置の両側面に形成されたＡｕ等からなる導体線路
２６、２７により夫々電気的に接続されている。
【００２０】斯る高周波回路装置は、予め前記スルーホ
ール部に前記導電性材料を充填した後、誘電体基板１、
高周波接地部４、第２の磁性体部９、及び前記高周波素
子をスルーホール部２２、２３、２４、２５が一軸とな
るようにこの順序に積層し、圧着することにより作成さ
れる。
ール部に前記導電性材料を充填した後、誘電体基板１、
高周波接地部４、第２の磁性体部９、及び前記高周波素
子をスルーホール部２２、２３、２４、２５が一軸とな
るようにこの順序に積層し、圧着することにより作成さ
れる。
【００２１】斯る高周波回路装置は、高周波回路素子Ｓ
が高周波回路装置内に設けられた先端開放スタブ３にて
高周波接地され、高周波回路素子Ｓと先端開放スタブ３
と接地電極１９とが前記貫通孔に充填された導電性材料
を介して電気的に接続されるので、この高周波回路素子
Ｓと接地電極１９とのインピーダンス不整合が低減され
ると共に、高周波回路素子Ｓと先端開放スタブ３とを電
気的に接続する距離が短くなる。この結果、高周波回路
装置の寄生インダクタンスの発生を抑えることができ
る。
が高周波回路装置内に設けられた先端開放スタブ３にて
高周波接地され、高周波回路素子Ｓと先端開放スタブ３
と接地電極１９とが前記貫通孔に充填された導電性材料
を介して電気的に接続されるので、この高周波回路素子
Ｓと接地電極１９とのインピーダンス不整合が低減され
ると共に、高周波回路素子Ｓと先端開放スタブ３とを電
気的に接続する距離が短くなる。この結果、高周波回路
装置の寄生インダクタンスの発生を抑えることができ
る。
【００２２】また、高周波回路素子Ｓと先端開放スタブ
３の間には、電磁波吸収体であるＮｉ−Ｚｎ、Ｍｎ−Ｚ
ｎ、又はＣｒ−Ｚｎ系等のフェライト粉末成形体５、
６、７、８を積層して十分な厚みを有する特性分離部と
しての第２の磁性体部９を設けているので、これらの共
振等の電磁波的な結合を防ぐことができる。
３の間には、電磁波吸収体であるＮｉ−Ｚｎ、Ｍｎ−Ｚ
ｎ、又はＣｒ−Ｚｎ系等のフェライト粉末成形体５、
６、７、８を積層して十分な厚みを有する特性分離部と
しての第２の磁性体部９を設けているので、これらの共
振等の電磁波的な結合を防ぐことができる。
【００２３】尚、上述した実施例では高周波接地用のス
タブ３としてボウタイ形の先端開放スタブを用いたが、
先端が開放されたスタブであれば良く、十字形等の種々
の形状のスタブを適宜用いることができる。
タブ３としてボウタイ形の先端開放スタブを用いたが、
先端が開放されたスタブであれば良く、十字形等の種々
の形状のスタブを適宜用いることができる。
【００２４】本発明は、上述では高周波回路素子Ｓとし
てローパスフィルタについて述べたが、ハイパスフィル
タ、ＤＣカット付きローパスフィルタ、ＤＣカット付き
ハイパスフィルタ等の高周波回路素子でも良い。
てローパスフィルタについて述べたが、ハイパスフィル
タ、ＤＣカット付きローパスフィルタ、ＤＣカット付き
ハイパスフィルタ等の高周波回路素子でも良い。
【００２５】
【発明の効果】本発明の高周波回路装置の構成によれ
ば、高周波回路素子は該装置内に設けられた先端開放ス
タブにて高周波接地されるので、高周波回路素子と接地
とのインピーダンス不整合が低減されると共に、高周波
回路素子と先端開放スタブとの電気的な接続距離が短く
なり、高周波回路装置の寄生インダクタンスの発生を抑
えることができる。
ば、高周波回路素子は該装置内に設けられた先端開放ス
タブにて高周波接地されるので、高周波回路素子と接地
とのインピーダンス不整合が低減されると共に、高周波
回路素子と先端開放スタブとの電気的な接続距離が短く
なり、高周波回路装置の寄生インダクタンスの発生を抑
えることができる。
【００２６】また、高周波回路素子と先端開放スタブの
間には、電磁波吸収体であるフェライト粉末成形体を積
層して十分な厚みを有する特性分離部としての第２の磁
性体部を設けているので、これらの共振等の電磁波的な
結合を防ぐことができる。
間には、電磁波吸収体であるフェライト粉末成形体を積
層して十分な厚みを有する特性分離部としての第２の磁
性体部を設けているので、これらの共振等の電磁波的な
結合を防ぐことができる。
【００２７】この結果、斯る高周波回路装置は寄生イン
ダクタンスがほとんど発生することがなくなり、雑音特
性等の高周波特性が極めて良好となる。
ダクタンスがほとんど発生することがなくなり、雑音特
性等の高周波特性が極めて良好となる。
【００２８】特に、第１の磁性体部を貫通するスルーホ
ール部が前記第２の磁性体部を貫通するスルーホール部
の垂下に設けられている場合には、前記高周波回路素子
と前記先端開放スタブとの電気的に接続する距離がより
短くなるので、寄生インダクタンスの発生をより少なく
でき、雑音特性等の高周波特性がより良好となる。
ール部が前記第２の磁性体部を貫通するスルーホール部
の垂下に設けられている場合には、前記高周波回路素子
と前記先端開放スタブとの電気的に接続する距離がより
短くなるので、寄生インダクタンスの発生をより少なく
でき、雑音特性等の高周波特性がより良好となる。
【図１】本発明の一実施例に係る高周波回路装置を示す
模式的分解斜視図である。
模式的分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施例に係る高周波回路装置を構成
するＴ型ローパスフィルタの等価回路を示す図である。
するＴ型ローパスフィルタの等価回路を示す図である。
【図３】本発明の一実施例に係る高周波回路装置の模式
的断面図である。
的断面図である。
２ 第１の磁性体部 ３ 先端開放スタブ ９ 第２の磁性体部 １９ 接地電極 ２２、２３、２４、２５ スルーホール部 Ｃ コンデンサ Ｌ1 、Ｌ2 インダクタ Ｓ 高周波回路素子
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の磁性体部と、該第１の磁性体部上
に設けられた先端開放スタブと、該先端開放スタブ上に
設けられた第２の磁性体部と、該第２の磁性体部上に設
けられた高周波回路素子と、を備え、 前記高周波回路素子が前記第２の磁性体部を貫通するス
ルーホール部を介して先端開放スタブに電気的に接続さ
れると共に、該先端開放スタブが前記第１の磁性体部を
貫通するスルーホール部を介して電気的に接地されたこ
とを特徴とする高周波回路装置。 - 【請求項２】 前記第１の磁性体部を貫通するスルーホ
ール部は前記第２の磁性体部を貫通するスルーホール部
の垂下に設けられたことを特徴とする請求項１記載の高
周波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15958393A JPH0722807A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15958393A JPH0722807A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 高周波回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722807A true JPH0722807A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15696889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15958393A Pending JPH0722807A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722807A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11112183A (ja) * | 1992-04-22 | 1999-04-23 | Ten Kk | 各種物品の電波吸収構造及びプリント基板 |
| JP2014099553A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Honda Motor Co Ltd | 筐体を介して接地される制御装置 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP15958393A patent/JPH0722807A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11112183A (ja) * | 1992-04-22 | 1999-04-23 | Ten Kk | 各種物品の電波吸収構造及びプリント基板 |
| JP2014099553A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Honda Motor Co Ltd | 筐体を介して接地される制御装置 |
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