JPH0722851Y2 - イオン処理装置 - Google Patents

イオン処理装置

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JPH0722851Y2
JPH0722851Y2 JP1986047042U JP4704286U JPH0722851Y2 JP H0722851 Y2 JPH0722851 Y2 JP H0722851Y2 JP 1986047042 U JP1986047042 U JP 1986047042U JP 4704286 U JP4704286 U JP 4704286U JP H0722851 Y2 JPH0722851 Y2 JP H0722851Y2
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disk
ball
ion
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JPS62158756U (ja
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司 野上
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Nissin Electric Co Ltd
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【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、真空容器内で少なくとも回転させられるデ
ィスクに装着されたウエハにイオンビームを照射して当
該ウエハを処理するイオン処理装置に関し、特にディス
ク用回転軸からのイオンビーム電流の導出手段の改良に
関する。
〔従来の技術〕
イオン処理装置には、例えば、イオン注入装置、イオン
注入と真空蒸着とを併用するイオン蒸着薄膜形成装置、
イオンビームエッチング装置等がある。以下においては
イオン注入装置を例に説明する。
第2図は従来のイオン注入装置のディスク回りの一例を
部分的に示す概略断面図であり、第3図は第2図のディ
スクを示す概略平面図である。このイオン注入装置は、
例えば特開昭58−198843号公報に開示されているよう
に、イオンビーム2を走査する代わりにディスク6を回
転および並進させるいわゆるメカニカルスキャン方式の
ものである。
即ち、真空容器(図示省略)内に、表面の同一半径上に
複数枚のウエハ4が装着されるディスク6が収納されて
おり、当該ディスク6は、ディスク回転・並進機構10に
よって、例えば矢印Bのように例えば高速回転させられ
ると共に、矢印C(第2図では紙面の表裏方向)のよう
にイオンビーム2に対して垂直に並進させられ、これに
よって各ウエハ4に均一にイオン注入が行われるように
している。
ディスク回転・並進機構10は、ガイドレール14a、14bに
直線移動可能に支えられた移動体12を備えており、ディ
スク6に結合された回転軸8は、ボールベアリング24、
25を介して当該移動体12に回転自在に支持されている。
移動体12内には、駆動軸18と回転軸8にそれぞれ取り付
けられかつ互いに噛合している歯車20、22が設けられて
おり、図示しないモータによって駆動軸18を回転させる
ことによってディスク6の前述したような回転が行われ
る。また、移動体12にはボールねじ16が噛合されてお
り、図示しないモータによってボールねじ16を回転させ
ることによって移動体12の直線移動、即ちディスク6の
前述したような並進が行われる。
ディスク6はこの例では、例えばフレオン、冷却水等の
冷媒Wによって冷却されるように構成されており、当該
冷媒Wの供給・回収のためのロータリジョイント28が移
動体12に取り付けられている。即ち、ロータリジョイン
ト28は円筒状のステータ30を有しており、上記回転軸8
がステータ30内にまで延長されてボールベアリング26で
回転自在に支持されている。そして回転軸8内からディ
スク6内にかけて、冷媒Wの往路42および復路44が設け
られており、ステータ30に接続された冷媒Wの往管36お
よび復管38がそれらにそれぞれ連通している。尚、34は
可動部等のシール用のパッキンであり、32は蓋である。
上記のような装置においては、各種制御のために、ディ
スク6およびその上のウエハ4に照射されるイオンビー
ム2のビーム電流Iの計測が行われる。例えば、ディス
ク6の並進速度vは、各ウエハ4に均一にイオン注入す
るために、ビーム電流Iに基づて v∝I/R となるように制御される。Rは、ディスク6の中心とイ
オンビーム2の中心間の距離である(第3図参照)。ま
た、ウエハ4に注入するイオンのドーズ量もイオンビー
ムIに基づいて制御される。
上記イオンビームIは、具体的には、回転軸8およびボ
ールベアリング24〜26を介して、非回転部、例えば移動
体12あるいはロータリジョイント28のステータ30に導出
され、そこから更に、例えば蓋32に接続されたリード線
46を経由する等して電流計測器48に導かれ、そこで計測
される。
〔考案が解決しようとする問題点〕
所が、ボールベアリング24〜26には、僅かではあるが潤
滑油が塗布されており、それが絶縁被膜となってディス
ク6が電気的に浮いた状態となる場合がある。そのよう
になると、イオンビーム2の照射に伴ってディスク6が
高電圧に充電(帯電)され、それがある限度を越えると
上記絶縁被膜が破壊されて瞬時に放電され、このような
充放電が繰り返されるようになる。その結果、電流計測
器48によって計測されるビーム電流Iの波形は大きく乱
れ、そのためビーム電流Iに基づく各種制御が不能に陥
る場合もある。
そこでこの考案は、上記のような問題点を解決すること
ができるイオン処理装置を提供することを主たる目的と
する。
〔問題点を解決するための手段〕
この考案のイオン処理装置は、真空容器内で少なくとも
回転させられるディスクに装着されたウエハにイオンビ
ームを照射して当該ウエハを処理する装置において、デ
ィスクに結合された回転軸のディスクとは反対側の端部
の中心部内に導電性のボールケースを収納固定し、この
ボールケース内に導電性のコイルばねを収納し、かつ同
ボールケース内に導電性のボールを収納してそれをコイ
ルばねによって、回転軸の端部に対向する非回転部に弾
性的に押し付け、それによって回転軸と非回転部との導
電を図っていることを特徴とする。
〔作用〕
ディスクの回転軸に流れるビーム電流は、いずれも導電
性のボールケース、コイルばねおよびボールを経由して
非回転部に導出される。従って、従来のようにベアリン
グ部における潤滑油による絶縁被膜の影響は受けない。
しかもボールは、回転軸端部に対向する非回転部に点接
触し、しかもボールに大きな力を加える必要はないの
で、接触点における摩擦、摩耗は非常に小さく、従って
機械的な面での支障もない。
〔実施例〕
第1図は、この考案の一実施例に係るイオン注入装置の
ディスク用回転軸の端部を部分的に示す拡大断面図であ
る。第2図および第3図と同一または同等部分には同一
符号を付してその説明を省略する。
この実施例においては、回転軸8のディスク6とは反対
側の端部8aの中心部の穴8bに、ボールケース50を挿入固
定し、その中にコイルばね(より具体的には圧縮コイル
ばね)52およびボール54を装着しており、これによって
ボール54を、対向する非回転部、例えば蓋32に弾性的に
押しつけるようにしている。
この場合、ボールケース50、コイルばね52およびボール
54は、回転軸8と蓋32との導電を図るためのものである
から、いずれも導電性のもの、例えば金属製のものを用
いる。また、穴8bは、例えば回転軸8に前述した冷媒W
の往路42を設ける場合に通常形成される穴をそのまま利
用すれば簡単で良い。そのような穴がなければ端部8bに
新たに穴を設けても良い。
上記構成によれば、回転軸8、ボールケース50、コイル
ばね52、ボール54および蓋32の各部分はそれぞれ導電接
触するので、回転軸8に流れるビーム電流Iは、ボール
ケース50、コイルばね52およびボール54を経由して非回
転部である蓋32に安定して導出される。つまり、回転軸
8に流れるビーム電流Iの非回転部への導出には従来の
ようにボールベアリング24〜26を経由しないので、ボー
ルベアリング24〜26における潤滑油による絶縁被膜の影
響を受けることはなくなる。その結果、ビーム電流Iの
計測、更にはそれに基づく各種制御も安定して支障なく
行えるようになる。
ちなみに、蓋32に導出されたビーム電流Iを例えば前述
したような電流計測器48等へ導く手段としては種々のも
の、例えば、図示例のように蓋32と電流計測器48をリ
ード線46で接続する。ステータ30、往管36、復管38等
を経由して電流計測器48に導く、あるいはステータ3
0、第2図に示した移動体12、ガイドレール14a、14b等
を経由して電流計測器48に導く、あるいは上記〜の
幾つかを併用する等の手段が採り得る。
上記の場合、ボール54は、回転軸8と共に回転するけれ
ども、回転軸8の回転中心の一点で蓋32に接触し、しか
も導電だけのためであるからボール54に大きな力を加え
る必要はないので、ボール54と蓋32との接触点における
摩擦、摩耗は非常に小さく、従って機械的な面での支障
もない。
なお、以上においてはディスクを回転および並進させる
イオン注入装置を例に説明したけれども、この考案はそ
れに限定されるものではなく、例えばイオンビームを直
線走査してディスクは回転させるだけのイオン注入装置
や、更にはイオン注入装置以外の一番初めに例示したよ
うなイオン処理装置にも適用することができる。
〔考案の効果〕
以上のようにこの考案によれば、ディスクの回転軸に流
れるビーム電流を、いずれも導電性のボールケース、コ
イルばねおよびボールを経由して非回転部へ安定して導
出することができ、その結果、当該ビーム電流の計測、
更にはそれに基づく各種制御を安定して支障なく行える
ようになる。
しかも、上記ボールケース、コイルばねおよびボールの
殆ど全てが、回転軸の端部内に納まった構造であるの
で、これらの部品を設けても回転軸の端部周りに特別な
スペースが必要で無く、従って回転軸の後部周りが大型
化するのを防止することができるという効果も得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の一実施例に係るイオン注入装置の
ディスク用回転軸の端部を部分的に示す拡大断面図であ
る。第2図は、従来のイオン注入装置のディスク回りの
一例を部分的に示す概略断面図である。第3図は、第2
図のディスクを示す概略平面図である。 2……イオンビーム、4……ウエハ、6……ディスク、
8……回転軸、24〜26……ボールベアリング、28……ロ
ータリジョイント、32……蓋、50……ボールケース、52
……コイルばね、54……ボール、I……ビーム電流。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】真空容器内で少なくとも回転させられるデ
    ィスクに装着されたウエハにイオンビームを照射して当
    該ウエハを処理する装置において、ディスクに結合され
    た回転軸のディスクとは反対側の端部の中心部内に導電
    性のボールケースを収納固定し、このボールケース内に
    導電性のコイルばねを収納し、かつ同ボールケース内に
    導電性のボールを収納してそれをコイルばねによって、
    回転軸の端部に対向する非回転部に弾性的に押し付け、
    それによって回転軸と非回転部との導電を図っているこ
    とを特徴とするイオン処理装置。
JP1986047042U 1986-03-29 1986-03-29 イオン処理装置 Expired - Lifetime JPH0722851Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1986047042U JPH0722851Y2 (ja) 1986-03-29 1986-03-29 イオン処理装置

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1986047042U JPH0722851Y2 (ja) 1986-03-29 1986-03-29 イオン処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62158756U JPS62158756U (ja) 1987-10-08
JPH0722851Y2 true JPH0722851Y2 (ja) 1995-05-24

Family

ID=30867268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1986047042U Expired - Lifetime JPH0722851Y2 (ja) 1986-03-29 1986-03-29 イオン処理装置

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JP (1) JPH0722851Y2 (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5932198U (ja) * 1982-08-23 1984-02-28 石川島播磨重工業株式会社 ポンプの回転数制御装置
JPS5986143A (ja) * 1982-11-09 1984-05-18 Ulvac Corp ウエハ自動交換装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62158756U (ja) 1987-10-08

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