JPH07230913A - 小型変成器 - Google Patents
小型変成器Info
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- JPH07230913A JPH07230913A JP4177494A JP4177494A JPH07230913A JP H07230913 A JPH07230913 A JP H07230913A JP 4177494 A JP4177494 A JP 4177494A JP 4177494 A JP4177494 A JP 4177494A JP H07230913 A JPH07230913 A JP H07230913A
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Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路の一部として組み込むことが可能な
小型変成器を得ること。 【構成】 絶縁基板１の表面に１層目の並行した２条の
スパイラル状電極32、35を形成し、その上にスルーホー
ル41、42を有する絶縁薄膜４を形成し、この絶縁薄膜４
上に２層目の並行した２条のスパイラル状電極52、55を
形成し、１層目および２層目のスパイラル状電極32、35
52、55をスルーホール41、42を介して接続して連続さ
せ、２条のスパイラル状電極をそれぞれ変成器の１次コ
イルおよび２次コイルとする。
小型変成器を得ること。 【構成】 絶縁基板１の表面に１層目の並行した２条の
スパイラル状電極32、35を形成し、その上にスルーホー
ル41、42を有する絶縁薄膜４を形成し、この絶縁薄膜４
上に２層目の並行した２条のスパイラル状電極52、55を
形成し、１層目および２層目のスパイラル状電極32、35
52、55をスルーホール41、42を介して接続して連続さ
せ、２条のスパイラル状電極をそれぞれ変成器の１次コ
イルおよび２次コイルとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、変成器に関し、特
に、薄膜製法技術によって超小型に形成し得るもので、
集積回路の一部として組み込むことが可能であって、高
周波信号の伝達に適した小型変成器に関する。
に、薄膜製法技術によって超小型に形成し得るもので、
集積回路の一部として組み込むことが可能であって、高
周波信号の伝達に適した小型変成器に関する。
【０００２】
【従来の技術】変成器は、直流的に絶縁して電力の伝達
や、信号の伝達などの各種の分野において利用されてい
る。
や、信号の伝達などの各種の分野において利用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、各種の電子回路
が集積化されて小型化されているが、変成器は小型に作
ることが困難であったので、変成器を集積回路に含ませ
ることなく、外付け部品として取り付けていた。そこ
で、この発明は、集積回路の一部として組み込むことが
可能な小型変成器を得ることを目的として考えられたも
のである。
が集積化されて小型化されているが、変成器は小型に作
ることが困難であったので、変成器を集積回路に含ませ
ることなく、外付け部品として取り付けていた。そこ
で、この発明は、集積回路の一部として組み込むことが
可能な小型変成器を得ることを目的として考えられたも
のである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】絶縁基板の表面に１層目
の並行した２条のスパイラル状電極を形成し、その上に
スルーホールを有する絶縁薄膜を形成し、この絶縁薄膜
上に２層目の並行した２条のスパイラル状電極を形成
し、１層目および２層目のスパイラル状電極を上記スル
ーホールを介して接続して連続させ、２条のスパイラル
状電極をそれぞれ１次コイルおよび２次コイルとする。
の並行した２条のスパイラル状電極を形成し、その上に
スルーホールを有する絶縁薄膜を形成し、この絶縁薄膜
上に２層目の並行した２条のスパイラル状電極を形成
し、１層目および２層目のスパイラル状電極を上記スル
ーホールを介して接続して連続させ、２条のスパイラル
状電極をそれぞれ１次コイルおよび２次コイルとする。
【０００５】スパイラル状電極の中央部に磁芯を配置し
たり、絶縁基板としてフェライトなどの磁性材料を用い
て、１次コイルと２次コイルの磁気的な結合を密にす
る。
たり、絶縁基板としてフェライトなどの磁性材料を用い
て、１次コイルと２次コイルの磁気的な結合を密にす
る。
【０００６】
【実施例】この発明の変成器の実施例を製造工程順に説
明すると、図１の組立図に示すように、(1) まず、シリ
コン・ウエハ、ガラス、セラミックなどの絶縁基板を用
意する。特に、絶縁基板には、バルク抵抗が大きい高純
度のシリコン・ウエハ１が適している。
明すると、図１の組立図に示すように、(1) まず、シリ
コン・ウエハ、ガラス、セラミックなどの絶縁基板を用
意する。特に、絶縁基板には、バルク抵抗が大きい高純
度のシリコン・ウエハ１が適している。
【０００７】(2) このシリコン・ウエハ１の表面に化学
気相法（ＣＶＤ）によって第１のシリコン酸化膜（Ｓi
Ｏ2膜）２を形成したのち、(3) この第１のシリコン酸
化膜２の上に、次の化学気相法の工程に耐え得る金属、
例えば、金、タングステン、モリブデン、タンタル、ニ
オブなどの第１の金属膜を蒸着し、(4) 金属膜上に、フ
ォトレジストの並行した２条のスパイラル状のパターン
を形成し、(5) このフォトレジストをマスクにして、１
層目の２条のスパイラル状電極32、35を形成したのち、
フォトレジストを洗い落とす。この２条のスパイラル状
電極32、35は、外側に端子部31、34を有し、内側は終端
33、36している。
気相法（ＣＶＤ）によって第１のシリコン酸化膜（Ｓi
Ｏ2膜）２を形成したのち、(3) この第１のシリコン酸
化膜２の上に、次の化学気相法の工程に耐え得る金属、
例えば、金、タングステン、モリブデン、タンタル、ニ
オブなどの第１の金属膜を蒸着し、(4) 金属膜上に、フ
ォトレジストの並行した２条のスパイラル状のパターン
を形成し、(5) このフォトレジストをマスクにして、１
層目の２条のスパイラル状電極32、35を形成したのち、
フォトレジストを洗い落とす。この２条のスパイラル状
電極32、35は、外側に端子部31、34を有し、内側は終端
33、36している。
【０００８】(6) １層目のスパイラル状電極32、35およ
び露出している第１のシリコン酸化膜２の上に表面に化
学気相法によって第２のシリコン酸化膜（ＳiＯ2膜）４
を形成したのち、(7) １層目の２条のスパイラル状電極
32、35の外側の端子部31、34と内側の終端部33、36に当
たる部分の第２のシリコン酸化膜４をフォトエッチング
法により除去して露出させてスルーホール41、42および
開口部43を形成し、(8) その上に第２の金属膜を蒸着
し、(9) 金属膜上に、フォトレジストの並行した２条の
スパイラル状のパターンを形成し、(10) このフォトレ
ジストをマスクにして、２層目の２条のスパイラル状電
極52、55を形成したのち、フォトレジストを洗い落と
す。この２条のスパイラル状電極52、55は、外側に端子
部51、54を有し、内側は終端53、56は、第２のシリコン
酸化膜４に設けたスルーホル41、42を介して１層目の２
条のスパイラル状電極32、35と接続されて連続させ、２
条のスパイラル状電極をそれぞれ１次コイルおよび２次
コイルとする。
び露出している第１のシリコン酸化膜２の上に表面に化
学気相法によって第２のシリコン酸化膜（ＳiＯ2膜）４
を形成したのち、(7) １層目の２条のスパイラル状電極
32、35の外側の端子部31、34と内側の終端部33、36に当
たる部分の第２のシリコン酸化膜４をフォトエッチング
法により除去して露出させてスルーホール41、42および
開口部43を形成し、(8) その上に第２の金属膜を蒸着
し、(9) 金属膜上に、フォトレジストの並行した２条の
スパイラル状のパターンを形成し、(10) このフォトレ
ジストをマスクにして、２層目の２条のスパイラル状電
極52、55を形成したのち、フォトレジストを洗い落と
す。この２条のスパイラル状電極52、55は、外側に端子
部51、54を有し、内側は終端53、56は、第２のシリコン
酸化膜４に設けたスルーホル41、42を介して１層目の２
条のスパイラル状電極32、35と接続されて連続させ、２
条のスパイラル状電極をそれぞれ１次コイルおよび２次
コイルとする。
【０００９】このような一連の工程を経て、絶縁基板と
なるシリコン・ウエハ１上に２条のコイル32、35および
52、55よりなる変成器を形成することができる。この変
成器は、図２の断面図より明らかなように、第１のスパ
イラル状電極32、52に隣接するスパイラル状電極は、必
ず第２のスパイラル状電極35、55となり、両スパイラル
状電極の磁気的な結合を密にすることができる。
なるシリコン・ウエハ１上に２条のコイル32、35および
52、55よりなる変成器を形成することができる。この変
成器は、図２の断面図より明らかなように、第１のスパ
イラル状電極32、52に隣接するスパイラル状電極は、必
ず第２のスパイラル状電極35、55となり、両スパイラル
状電極の磁気的な結合を密にすることができる。
【００１０】このように構成した小型変成器は、空芯で
あっても高周波信号を高効率で歪なく伝達することがで
きる。
あっても高周波信号を高効率で歪なく伝達することがで
きる。
【００１１】（他の実施例）以上の実施例においては、
２条のスパイラル状電極を１次コイルおよび２次コイル
としているが、３条以上のスパイラル状電極を設けて、
複数の多次コイルを有する変成器を構成することができ
る。
２条のスパイラル状電極を１次コイルおよび２次コイル
としているが、３条以上のスパイラル状電極を設けて、
複数の多次コイルを有する変成器を構成することができ
る。
【００１２】また、複数条のスパイラル状電極およびシ
リコン酸化膜を交互に多層化して形成し、シリコン酸化
膜のスルーホールを介して接続することにより、ターン
数の多い変成器を作ることができる。
リコン酸化膜を交互に多層化して形成し、シリコン酸化
膜のスルーホールを介して接続することにより、ターン
数の多い変成器を作ることができる。
【００１３】巻回した複数条のスパイラル状電極の中央
部にフェライトなどの磁性材料を配置したり、変成器を
形成する絶縁基板として、シリコン・ウエハの代わりに
フェライトなどの磁性材料を使用すること、形成した変
成器の表面に磁性材料の薄膜を形成することなどによ
り、２つのスパイラル状電極の磁気的な結合を一層密に
することができる。
部にフェライトなどの磁性材料を配置したり、変成器を
形成する絶縁基板として、シリコン・ウエハの代わりに
フェライトなどの磁性材料を使用すること、形成した変
成器の表面に磁性材料の薄膜を形成することなどによ
り、２つのスパイラル状電極の磁気的な結合を一層密に
することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上の実施例に基づく説明から明らかな
ように、この発明の小型変成器によると、高周波信号の
伝達に適し、薄膜製法の技術によって集積回路と類似の
技術によって製造することができ、また、集積回路の一
部として組み込むことが可能な小型変成器を得ることが
できる。
ように、この発明の小型変成器によると、高周波信号の
伝達に適し、薄膜製法の技術によって集積回路と類似の
技術によって製造することができ、また、集積回路の一
部として組み込むことが可能な小型変成器を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の小型変成器の一実施例を示す組立
図、
図、
【図２】この発明の小型変成器の一実施例の断面図であ
る。
る。
１ 絶縁基板 ２、４ シリコン酸化膜 31、34、51、54 端子部 32、35 52、55 ２条のスパイラル状電極 41、42 スルーホール
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板の表面に１層目の並行した複数
条のスパイラル状電極を形成し、その上にスルーホール
を有する絶縁薄膜を形成し、該絶縁薄膜上に２層目の並
行した複数条のスパイラル状電極を形成し、１層目およ
び２層目のスパイラル状電極を上記スルーホールを介し
て接続して連続させたことを特徴とする小型変成器。 - 【請求項２】 スパイラル状電極の中央部に磁芯を配置
したことを特徴とする請求項１に記載の小型変成器。 - 【請求項３】 絶縁基板として磁性材料を用いたことを
特徴とする請求項１に記載の小型変成器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177494A JPH07230913A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 小型変成器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177494A JPH07230913A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 小型変成器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230913A true JPH07230913A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=12617732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4177494A Pending JPH07230913A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 小型変成器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07230913A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6114932A (en) * | 1997-12-12 | 2000-09-05 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Inductive component and inductive component assembly |
| JP2002541658A (ja) * | 1999-04-01 | 2002-12-03 | ミッドコム インコーポレーテッド | 多層型変圧装置とその製造方法 |
| JP2008053613A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Fujitsu Ltd | インダクタ素子および集積型電子部品 |
| JP2021529043A (ja) * | 2018-06-29 | 2021-10-28 | モナーク・バイオサイエンシズ・インコーポレイテッド | スパイラルベースの薄膜メッシュシステム及び関連の方法 |
| WO2023142744A1 (zh) * | 2022-01-27 | 2023-08-03 | 无锡华润上华科技有限公司 | 隔离变压器及其制造方法、半导体器件 |
-
1994
- 1994-02-17 JP JP4177494A patent/JPH07230913A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6114932A (en) * | 1997-12-12 | 2000-09-05 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Inductive component and inductive component assembly |
| JP2002541658A (ja) * | 1999-04-01 | 2002-12-03 | ミッドコム インコーポレーテッド | 多層型変圧装置とその製造方法 |
| JP2008053613A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Fujitsu Ltd | インダクタ素子および集積型電子部品 |
| JP2021529043A (ja) * | 2018-06-29 | 2021-10-28 | モナーク・バイオサイエンシズ・インコーポレイテッド | スパイラルベースの薄膜メッシュシステム及び関連の方法 |
| US12478489B2 (en) | 2018-06-29 | 2025-11-25 | Monarch Biosciences, Inc. | Spiral-based thin-film mesh systems and related methods |
| WO2023142744A1 (zh) * | 2022-01-27 | 2023-08-03 | 无锡华润上华科技有限公司 | 隔离变压器及其制造方法、半导体器件 |
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