JPH07231890A - 二次元音響アレイ及びその製造方法 - Google Patents
二次元音響アレイ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07231890A JPH07231890A JP7001787A JP178795A JPH07231890A JP H07231890 A JPH07231890 A JP H07231890A JP 7001787 A JP7001787 A JP 7001787A JP 178795 A JP178795 A JP 178795A JP H07231890 A JPH07231890 A JP H07231890A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- traces
- electrode
- piezoelectric
- layer
- dimensional array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 5
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 8
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100459301 Mus musculus Myl4 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
- B06B1/0622—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
- B06B1/0629—Square array
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B2201/00—Indexing scheme associated with B06B1/0207 for details covered by B06B1/0207 but not provided for in any of its subgroups
- B06B2201/70—Specific application
- B06B2201/76—Medical, dental
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49169—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 音響像形成システムにおいて使用される二次
元アレイと、その製造方法を提供する。 【構成】 複数の変換器セグメントを備え、各変換器セ
グメントは各変換器セグメント上の電極を励振するため
のトレースを有しており、電極はトレースと同一の材料
で形成されている。 【効果】 本二次元アレイは、高めの周波数で人体のよ
り深い部分の像を形成することが可能であり、アレイを
形成しているそれぞれのセグメントへのより信頼できる
リード取り付けを提供する。
元アレイと、その製造方法を提供する。 【構成】 複数の変換器セグメントを備え、各変換器セ
グメントは各変換器セグメント上の電極を励振するため
のトレースを有しており、電極はトレースと同一の材料
で形成されている。 【効果】 本二次元アレイは、高めの周波数で人体のよ
り深い部分の像を形成することが可能であり、アレイを
形成しているそれぞれのセグメントへのより信頼できる
リード取り付けを提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は音響変換器に関し、特定
的には医療診断分野に使用される二次元変換器アレイに
関する。
的には医療診断分野に使用される二次元変換器アレイに
関する。
【０００２】
【従来の技術】人体の器官を観測するために超音波シス
テムを使用することが多い。典型的には、これらのシス
テム変換器を備え、これらの変換器は電気信号を圧力波
に変換するための複数の個々に励振可能な変換器セグメ
ントからなる。変換器アレイは、超音波ビームを関心領
域へ導くように位置を調整することができる手持ちプロ
ーブ内に収納されている。各セグメントを個々に励振す
るように、電極が変換器セグメントの反対側の、即ち対
向する部分上に配置されている。変換器セグメントによ
って生成された圧力波は、検査中の患者の心臓のような
観測すべき対象に向けて導かれる。異なる音響特性を有
する対象間の界面に圧力波が当たる度に、圧力波の一部
が反射される。変換器のアレイは反射圧力波を受信し、
それを対応する電気信号に変換する。高さ軸に沿う励振
の制御を向上させるためには、二次元変換器アレイを使
用することが望ましい（この高さ軸は、二次元ではない
普通の一次元アレイには存在しない）。二次元変換器ア
レイは、アレイの高さ及び方位の各軸に沿って配列され
ている少なくとも２つの変換器セグメントを有してい
る。典型的に二次元変換器アレイにおいては、アレイの
方位軸に沿う 128 個の変換器セグメントと、アレイの
高さ軸に沿う２もしくはそれ以上のセグメントとが存在
している。二次元ジオメトリの結果として走査面スライ
ス厚みを制御することが可能になり、クラッタ（もしく
は干渉）のない像形成、及びより良いコントラスト解像
力が得られる。
テムを使用することが多い。典型的には、これらのシス
テム変換器を備え、これらの変換器は電気信号を圧力波
に変換するための複数の個々に励振可能な変換器セグメ
ントからなる。変換器アレイは、超音波ビームを関心領
域へ導くように位置を調整することができる手持ちプロ
ーブ内に収納されている。各セグメントを個々に励振す
るように、電極が変換器セグメントの反対側の、即ち対
向する部分上に配置されている。変換器セグメントによ
って生成された圧力波は、検査中の患者の心臓のような
観測すべき対象に向けて導かれる。異なる音響特性を有
する対象間の界面に圧力波が当たる度に、圧力波の一部
が反射される。変換器のアレイは反射圧力波を受信し、
それを対応する電気信号に変換する。高さ軸に沿う励振
の制御を向上させるためには、二次元変換器アレイを使
用することが望ましい（この高さ軸は、二次元ではない
普通の一次元アレイには存在しない）。二次元変換器ア
レイは、アレイの高さ及び方位の各軸に沿って配列され
ている少なくとも２つの変換器セグメントを有してい
る。典型的に二次元変換器アレイにおいては、アレイの
方位軸に沿う 128 個の変換器セグメントと、アレイの
高さ軸に沿う２もしくはそれ以上のセグメントとが存在
している。二次元ジオメトリの結果として走査面スライ
ス厚みを制御することが可能になり、クラッタ（もしく
は干渉）のない像形成、及びより良いコントラスト解像
力が得られる。
【０００３】高密度二次元変換器アレイを形成すること
が望ましい。何故ならば、それらはコンパクトであり、
より明瞭な画像を提供するからである。しかしながら、
従来技術の高密度二次元アレイは、変換器アレイの幅が
概ね 50 乃至 100μｍであるために製造することが典型
的に困難であった。高密度二次元変換器アレイを形成す
るためには、励振のための適切な電気信号を供給する多
くのリード即ちトレースを、アレイ内の小さい個々の変
換器セグメントに半田付けする必要がある。典型的な二
次元変換器アレイでは、励振を行うためには関連セグメ
ントに数百のトレースを半田付けしなければならない。
アレイを高密度形状にした結果として、典型的に、従来
技術変換器アレイの関連変換器セグメントへのリード取
り付け方法では信頼できなくなってしまう。セグメント
の寸法は小さく、トレースと変換器セグメントとの間の
接続に失敗する恐れがある。更に、トレース及び半田接
続部分は加熱及び冷却に曝され、温度変化に耐えること
ができない。その結果、これらの部分が接続不良になる
可能性がある。高密度二次元アレイを生産するのに 10
％程度の低い歩留りも稀ではなかった。従って、高密度
二次元変換器アレイを製造する従来技術の方法は、一般
に複雑であり、信頼できず、そして歩留りから考えて極
めて高価になる。
が望ましい。何故ならば、それらはコンパクトであり、
より明瞭な画像を提供するからである。しかしながら、
従来技術の高密度二次元アレイは、変換器アレイの幅が
概ね 50 乃至 100μｍであるために製造することが典型
的に困難であった。高密度二次元変換器アレイを形成す
るためには、励振のための適切な電気信号を供給する多
くのリード即ちトレースを、アレイ内の小さい個々の変
換器セグメントに半田付けする必要がある。典型的な二
次元変換器アレイでは、励振を行うためには関連セグメ
ントに数百のトレースを半田付けしなければならない。
アレイを高密度形状にした結果として、典型的に、従来
技術変換器アレイの関連変換器セグメントへのリード取
り付け方法では信頼できなくなってしまう。セグメント
の寸法は小さく、トレースと変換器セグメントとの間の
接続に失敗する恐れがある。更に、トレース及び半田接
続部分は加熱及び冷却に曝され、温度変化に耐えること
ができない。その結果、これらの部分が接続不良になる
可能性がある。高密度二次元アレイを生産するのに 10
％程度の低い歩留りも稀ではなかった。従って、高密度
二次元変換器アレイを製造する従来技術の方法は、一般
に複雑であり、信頼できず、そして歩留りから考えて極
めて高価になる。
【０００４】信頼できないリード取り付けの問題の他
に、高めの周波数で動作する、そして二次元アレイの大
きめの高さ開口を有する典型的な従来技術変換器は、人
体の浅めの部分の像形成を混乱させる。明瞭な近距離
（フィールド）画像の生成を維持しながら、高めの周波
数で人体内の深い領域の像を形成させることが望まし
い。一般的に、人体内の浅い領域の断面像の解像力を改
善するためには、小さめの高さ開口を有する高周波数変
換器アレイが使用されている。しかしながら、高めの超
音波周波数は人体内でより迅速に減衰する。従って普通
の超音波システムでは、一般に低めの周波数の超音波を
使用して人体内の深めの領域の断面像の解像力を改善し
ている。しかし、もし変換器アレイが、拡張された、も
しくは大きめの高さ開口から高めの超音波周波数を供給
することができれば、人体内の深めの領域のより明瞭な
画像を生成することができ、しかもクラッタのない近距
離画像を維持することも可能である。もし同一の変換器
アレイが小さめの高さ開口から高めの超音波周波数を供
給する（即ち、小さめの高さ開口へスイッチする）こと
ができれば、クラッタのない近距離画像を生成すること
ができる。
に、高めの周波数で動作する、そして二次元アレイの大
きめの高さ開口を有する典型的な従来技術変換器は、人
体の浅めの部分の像形成を混乱させる。明瞭な近距離
（フィールド）画像の生成を維持しながら、高めの周波
数で人体内の深い領域の像を形成させることが望まし
い。一般的に、人体内の浅い領域の断面像の解像力を改
善するためには、小さめの高さ開口を有する高周波数変
換器アレイが使用されている。しかしながら、高めの超
音波周波数は人体内でより迅速に減衰する。従って普通
の超音波システムでは、一般に低めの周波数の超音波を
使用して人体内の深めの領域の断面像の解像力を改善し
ている。しかし、もし変換器アレイが、拡張された、も
しくは大きめの高さ開口から高めの超音波周波数を供給
することができれば、人体内の深めの領域のより明瞭な
画像を生成することができ、しかもクラッタのない近距
離画像を維持することも可能である。もし同一の変換器
アレイが小さめの高さ開口から高めの超音波周波数を供
給する（即ち、小さめの高さ開口へスイッチする）こと
ができれば、クラッタのない近距離画像を生成すること
ができる。
【０００５】
【発明の概要】本発明の第１の面においては音響像形成
システムに使用される二次元アレイが提供され、この二
次元アレイは複数の変換器セグメントからなり、各セグ
メントは各変換器セグメント上の電極を励振するための
トレースを有し、トレース及び電極は同一の材料で形成
されている。本発明の第２の面によれば音響像形成シス
テムに使用される二次元アレイが提供され、この二次元
アレイは複数の変換器セグメントからなり、各セグメン
トは第１の圧電部分と、第２の圧電部分と、第１の電極
と、第２の電極と、第３の電極とを有している。第１の
圧電部分は第１の電極上に配置され、第２の電極は第１
の圧電部分と第２の圧電部分との間に配置されている。
第２の電極はセグメントを電気的に励振するためのトレ
ースを有し、第２の電極とトレースとは単片（もしくは
一体）部材を形成している。更に、第３の電極は第２の
圧電部分の反対側の表面に電気的に接続されている。本
発明の第３の面によれば音響像形成システムに使用され
る二次元アレイが提供され、この二次元アレイは、第１
の側に沿って伸びる第１の複数のトレースと、第１の側
とは反対の側に沿って伸びる第２の複数のトレースとを
有する相互接続回路を備えている。圧電層が相互接続回
路上に配置され、相互接続回路と圧電層とが縦横に（即
ち賽の目に）切断されて個々の変換器セグメントが形成
されている。更に電極層は圧電層に電気的に接続されて
いる。
システムに使用される二次元アレイが提供され、この二
次元アレイは複数の変換器セグメントからなり、各セグ
メントは各変換器セグメント上の電極を励振するための
トレースを有し、トレース及び電極は同一の材料で形成
されている。本発明の第２の面によれば音響像形成シス
テムに使用される二次元アレイが提供され、この二次元
アレイは複数の変換器セグメントからなり、各セグメン
トは第１の圧電部分と、第２の圧電部分と、第１の電極
と、第２の電極と、第３の電極とを有している。第１の
圧電部分は第１の電極上に配置され、第２の電極は第１
の圧電部分と第２の圧電部分との間に配置されている。
第２の電極はセグメントを電気的に励振するためのトレ
ースを有し、第２の電極とトレースとは単片（もしくは
一体）部材を形成している。更に、第３の電極は第２の
圧電部分の反対側の表面に電気的に接続されている。本
発明の第３の面によれば音響像形成システムに使用され
る二次元アレイが提供され、この二次元アレイは、第１
の側に沿って伸びる第１の複数のトレースと、第１の側
とは反対の側に沿って伸びる第２の複数のトレースとを
有する相互接続回路を備えている。圧電層が相互接続回
路上に配置され、相互接続回路と圧電層とが縦横に（即
ち賽の目に）切断されて個々の変換器セグメントが形成
されている。更に電極層は圧電層に電気的に接続されて
いる。
【０００６】本発明の第４の面によれば二次元アレイが
提供され、この二次元アレイは、高さ方向に沿って配列
されている少なくとも２つの変換器セグメントを備え、
各変換器セグメントは各変換器セグメントを電気的に励
振するためのトレースを有し、トレースと電極とは単片
部材である。二次元変換器アレイを製造する第１の好ま
しい方法は、支持構造の一方の側に沿って伸びる第１の
複数のトレース及びそれとは反対側の支持構造の第２の
側に沿って伸びる第２の複数のトレースとを有する支持
構造上に相互接続回路を配置する段階と、この相互接続
回路上に圧電層を配置する段階と、この圧電層と相互接
続層とを縦横に切断して複数の変換器セグメントを形成
する段階と、切断された変換器セグメント上に電極層を
配置する段階とを備えている。各セグメントはトレース
の１つに電気的に接続される。二次元変換器アレイを製
造する第２の好ましい方法は、第１の側、及びそれとは
反対側の第２の側を有する支持構造上に電極層を配置す
る段階と、電極層上に圧電層を配置する段階と、支持構
造の一方の側に沿って伸びる第１の複数のトレースと支
持構造の第２の側に沿って伸びる第２の複数のトレース
とを有する圧電層上に相互接続回路を配置する段階と、
圧電層及び相互接続回路を縦横に切断して複数の変換器
セグメントを形成する段階とを備えている。各セグメン
トはトレースの１つに電気的に接続される。
提供され、この二次元アレイは、高さ方向に沿って配列
されている少なくとも２つの変換器セグメントを備え、
各変換器セグメントは各変換器セグメントを電気的に励
振するためのトレースを有し、トレースと電極とは単片
部材である。二次元変換器アレイを製造する第１の好ま
しい方法は、支持構造の一方の側に沿って伸びる第１の
複数のトレース及びそれとは反対側の支持構造の第２の
側に沿って伸びる第２の複数のトレースとを有する支持
構造上に相互接続回路を配置する段階と、この相互接続
回路上に圧電層を配置する段階と、この圧電層と相互接
続層とを縦横に切断して複数の変換器セグメントを形成
する段階と、切断された変換器セグメント上に電極層を
配置する段階とを備えている。各セグメントはトレース
の１つに電気的に接続される。二次元変換器アレイを製
造する第２の好ましい方法は、第１の側、及びそれとは
反対側の第２の側を有する支持構造上に電極層を配置す
る段階と、電極層上に圧電層を配置する段階と、支持構
造の一方の側に沿って伸びる第１の複数のトレースと支
持構造の第２の側に沿って伸びる第２の複数のトレース
とを有する圧電層上に相互接続回路を配置する段階と、
圧電層及び相互接続回路を縦横に切断して複数の変換器
セグメントを形成する段階とを備えている。各セグメン
トはトレースの１つに電気的に接続される。
【０００７】
【実施例】図３及び４に、本発明の第１の好ましい実施
例による高密度二次元音響アレイを示す。図１も参照す
る。第１の組立体１０は、相互接続回路もしくは柔軟な
回路１２、及び支持構造もしくは裏当てブロック１４を
備えている。裏当てブロック１４は変換器構造を支持す
るのに役立っている。変換器構造を支持する裏当てブロ
ック１４の上面を平面として示してあるが、この表面は
曲面のような他の形状からなっていても差し支えない。
柔軟な回路１２は、後述するように柔軟な回路１２を切
断した時に、最終的に関連信号電極及び対応するトレー
スもしくはリードになる。第１の組立体１０は、本発明
の他の実施例を製造するのにも使用される。柔軟な回路
１２は、裏当てブロック１４上に配置されている中央パ
ッド１６を有している。図１乃至４に示すように柔軟な
回路１２は、中央パッド１６の両側から伸びる複数の接
近したトレースもしくはリード１８及び２０を有してい
る。柔軟な回路１２は、典型的にはカプトン（ KAPTON
）であるポリイミド材料の片に接着されている典型的
には銅の層で作られている。柔軟な回路１２のような柔
軟な回路は、ミネソタ州ノースフィールドの Sheldahl
が製造している。柔軟な回路の厚みは Sheldahl 製の柔
軟な回路の場合約 25 μｍであることが好ましい。
例による高密度二次元音響アレイを示す。図１も参照す
る。第１の組立体１０は、相互接続回路もしくは柔軟な
回路１２、及び支持構造もしくは裏当てブロック１４を
備えている。裏当てブロック１４は変換器構造を支持す
るのに役立っている。変換器構造を支持する裏当てブロ
ック１４の上面を平面として示してあるが、この表面は
曲面のような他の形状からなっていても差し支えない。
柔軟な回路１２は、後述するように柔軟な回路１２を切
断した時に、最終的に関連信号電極及び対応するトレー
スもしくはリードになる。第１の組立体１０は、本発明
の他の実施例を製造するのにも使用される。柔軟な回路
１２は、裏当てブロック１４上に配置されている中央パ
ッド１６を有している。図１乃至４に示すように柔軟な
回路１２は、中央パッド１６の両側から伸びる複数の接
近したトレースもしくはリード１８及び２０を有してい
る。柔軟な回路１２は、典型的にはカプトン（ KAPTON
）であるポリイミド材料の片に接着されている典型的
には銅の層で作られている。柔軟な回路１２のような柔
軟な回路は、ミネソタ州ノースフィールドの Sheldahl
が製造している。柔軟な回路の厚みは Sheldahl 製の柔
軟な回路の場合約 25 μｍであることが好ましい。
【０００８】勿論、銅層及びポリイミド材料以外の材料
を使用して柔軟な回路１２を形成することも可能であ
る。柔軟な回路は、音響もしくは集積回路の分野におい
て使用されているどのような相互接続用設計のもの（中
実の芯、ストランド、もしくは絶縁材料に接着されてい
る同軸電線を含む）、及び公知の薄膜もしくは厚膜プロ
セスによって形成された導電性パターンからなっていて
も差し支えない。更に、裏当てブロック１４を形成して
いる材料は、より良い性能をもたらすように柔軟な回路
１２に音響的に整合していることが好ましい。また更
に、後述するように柔軟な回路１２を裏当てブロック１
４に接着するので、柔軟な回路の音響インピーダンスは
エポキシ材料の音響インピーダンスにほぼ等しくする。
図２、３及び４に示すように、圧電層２２が第１の組立
体１０の柔軟な回路１２の中央パッド１６上に配置され
る。更に、圧電層２２の上に音響整合層２４を配置して
性能を更に向上させることができる。圧電層２２は、ジ
ルコン酸チタン酸鉛(lead zirconate titanate（ＰＺ
Ｔ))、、もしくはメアニオブ酸鉛(lead meaniobate) の
ようなどのような圧電性セラミック材料で形成してもよ
い。更に、圧電層２２はMaterials Research Bulletin,
Vol. 13 ( 1978 ) の 525- 36 頁に所載の R. E. Newn
ham らの論文“ Connectivity and Piezoelectric-Pyr
oelectric Composites ”、及び Materials Research B
ulletin, Vol. 13 ( 1978 )の 599- 607 頁に所載の R.
E. Newnham らの論文“ Flexible Composite Transdu
cers ”に記述されている。代替として、圧電層２２は
フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）のようなポリマ材料
で形成することもできる。
を使用して柔軟な回路１２を形成することも可能であ
る。柔軟な回路は、音響もしくは集積回路の分野におい
て使用されているどのような相互接続用設計のもの（中
実の芯、ストランド、もしくは絶縁材料に接着されてい
る同軸電線を含む）、及び公知の薄膜もしくは厚膜プロ
セスによって形成された導電性パターンからなっていて
も差し支えない。更に、裏当てブロック１４を形成して
いる材料は、より良い性能をもたらすように柔軟な回路
１２に音響的に整合していることが好ましい。また更
に、後述するように柔軟な回路１２を裏当てブロック１
４に接着するので、柔軟な回路の音響インピーダンスは
エポキシ材料の音響インピーダンスにほぼ等しくする。
図２、３及び４に示すように、圧電層２２が第１の組立
体１０の柔軟な回路１２の中央パッド１６上に配置され
る。更に、圧電層２２の上に音響整合層２４を配置して
性能を更に向上させることができる。圧電層２２は、ジ
ルコン酸チタン酸鉛(lead zirconate titanate（ＰＺ
Ｔ))、、もしくはメアニオブ酸鉛(lead meaniobate) の
ようなどのような圧電性セラミック材料で形成してもよ
い。更に、圧電層２２はMaterials Research Bulletin,
Vol. 13 ( 1978 ) の 525- 36 頁に所載の R. E. Newn
ham らの論文“ Connectivity and Piezoelectric-Pyr
oelectric Composites ”、及び Materials Research B
ulletin, Vol. 13 ( 1978 )の 599- 607 頁に所載の R.
E. Newnham らの論文“ Flexible Composite Transdu
cers ”に記述されている。代替として、圧電層２２は
フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）のようなポリマ材料
で形成することもできる。
【０００９】裏当てブロック１４は、 Dow Corning の
硬化材 DEH 24 で処理した Dow Corning の部品番号 D
ER 332 からなる充填エポキシで形成することができ、
アルミニウム酸化物充填材を有している。更に、整合層
は充填ポリマで形成することが好ましい。整合層は、ニ
ッケル及び金のような導電性材料で被覆することができ
る。裏当てブロック１４、柔軟な回路１２、圧電層２
２、及び整合層２４は、エポキシ接着材を使用して１段
階で互いに接着することが好ましい。エポキシ接着材を
裏当てブロック１４と柔軟な回路１２との間に、柔軟な
回路１２と圧電層２２との間に、そして圧電層２２と整
合層２４との間に塗布する。これらの全ての層を一緒に
締付けて互いに固定し、層に圧力を加える。層を一緒に
固定するためには 60 ｐｓｉの圧力を加えることが好ま
しい。代替として、層は異なる段階で互いに接着しても
よい（即ち、先ず柔軟な回路を裏当てブロックに接着
し、後刻別の段階で圧電層を柔軟な回路に固定してもよ
い）。しかしながら、これは層を互いに固定するための
時間が増大する。種々の材料を互いに接着するために、
カリフォルニア州の Dexter Corp., Hysol Division of
Industry 製の HYSOL（登録商標）硬化材 No. HD3561
を有するHYSOL（登録商標）ベース材料 No. 2039 のエ
ポキシを使用することができる。エポキシ材料の厚みは
約２μｍもしくはそれ以下とすることが好ましい。
硬化材 DEH 24 で処理した Dow Corning の部品番号 D
ER 332 からなる充填エポキシで形成することができ、
アルミニウム酸化物充填材を有している。更に、整合層
は充填ポリマで形成することが好ましい。整合層は、ニ
ッケル及び金のような導電性材料で被覆することができ
る。裏当てブロック１４、柔軟な回路１２、圧電層２
２、及び整合層２４は、エポキシ接着材を使用して１段
階で互いに接着することが好ましい。エポキシ接着材を
裏当てブロック１４と柔軟な回路１２との間に、柔軟な
回路１２と圧電層２２との間に、そして圧電層２２と整
合層２４との間に塗布する。これらの全ての層を一緒に
締付けて互いに固定し、層に圧力を加える。層を一緒に
固定するためには 60 ｐｓｉの圧力を加えることが好ま
しい。代替として、層は異なる段階で互いに接着しても
よい（即ち、先ず柔軟な回路を裏当てブロックに接着
し、後刻別の段階で圧電層を柔軟な回路に固定してもよ
い）。しかしながら、これは層を互いに固定するための
時間が増大する。種々の材料を互いに接着するために、
カリフォルニア州の Dexter Corp., Hysol Division of
Industry 製の HYSOL（登録商標）硬化材 No. HD3561
を有するHYSOL（登録商標）ベース材料 No. 2039 のエ
ポキシを使用することができる。エポキシ材料の厚みは
約２μｍもしくはそれ以下とすることが好ましい。
【００１０】図３に示すように、柔軟な回路１２の中央
パッド１６、圧電層２２、及び音響整合層２４は、標準
切断装置を用いてその中に切り溝２６及び２８を形成す
ることによって、縦横に（即ち賽の目に）切断する。ア
レイ１の高さ軸に平行な切り溝２６は隣接するトレース
１８と隣接するトレース２０との間に位置している。切
り溝２６は、隣接するトレース１８と２０との間を、ア
レイ１の一方の端から開始してアレイの他方の端に到達
するまで平行な切り溝が得られるように切断して行くこ
とによって形成することが好ましい。切り溝２８はアレ
イの方位軸に平行に、好ましくは図３及び４に示すよう
にトレース１８とトレース２０とから等距離に位置させ
る。切り溝２６及び２８は、裏打ちブロック１４に僅か
に切り込んでよい。裏打ちブロック１４は実質的に切断
されないから（切り込みの深さは千分の５乃至 10 イン
チである）、圧電層２２及び音響整合層２４は裏打ちブ
ロック１４によって支持され続ける。切断操作の結果と
して変換器セグメント３０が形成され、各セグメント３
０は電極３２、圧電部分３４、及び音響整合層部分３６
を有している。電極３２、圧電部分３４及び音響整合層
部分３６の方位軸方向及び高さ軸方向の寸法は同じ広が
りを有するようにすることが好ましい。更にトレース１
８及び２０の幅は、電極３２の幅と実質的に同一の広が
りを有している。
パッド１６、圧電層２２、及び音響整合層２４は、標準
切断装置を用いてその中に切り溝２６及び２８を形成す
ることによって、縦横に（即ち賽の目に）切断する。ア
レイ１の高さ軸に平行な切り溝２６は隣接するトレース
１８と隣接するトレース２０との間に位置している。切
り溝２６は、隣接するトレース１８と２０との間を、ア
レイ１の一方の端から開始してアレイの他方の端に到達
するまで平行な切り溝が得られるように切断して行くこ
とによって形成することが好ましい。切り溝２８はアレ
イの方位軸に平行に、好ましくは図３及び４に示すよう
にトレース１８とトレース２０とから等距離に位置させ
る。切り溝２６及び２８は、裏打ちブロック１４に僅か
に切り込んでよい。裏打ちブロック１４は実質的に切断
されないから（切り込みの深さは千分の５乃至 10 イン
チである）、圧電層２２及び音響整合層２４は裏打ちブ
ロック１４によって支持され続ける。切断操作の結果と
して変換器セグメント３０が形成され、各セグメント３
０は電極３２、圧電部分３４、及び音響整合層部分３６
を有している。電極３２、圧電部分３４及び音響整合層
部分３６の方位軸方向及び高さ軸方向の寸法は同じ広が
りを有するようにすることが好ましい。更にトレース１
８及び２０の幅は、電極３２の幅と実質的に同一の広が
りを有している。
【００１１】トレース１８は、アレイ１の高さ軸と平行
な方向においてトレース２０と整列させることが好まし
い。このようにすると、１つの切り溝２６を形成するこ
とによって、方位方向の所与の位置においてアレイ１の
高さ軸に平行に配列された全ての変換器セグメント３０
を同時に切断することができる。しかしながら、本発明
を実現するためには、必ずしもトレース１８をトレース
２０に整列させる必要はない。もしトレース１８がトレ
ース２０に整列していなければ、付加的な切断が必要に
なるかも知れない。即ち、それぞれの変換器セグメント
を形成させるためには、隣接するトレース１８と隣接す
るトレース２０との間の領域において切断を遂行すべき
である。図４に示すように、電極即ち層３８を音響整合
層部分３６の上に配置することができる。電極３８は共
通接地であっても、もしくは代替として何等かの適切な
参照電位であってもよい。電極３８は、3,000 オングス
トローム厚の金で被覆した 12.5 μｍ厚のマイラ( MYLA
R ) 電極であることが好ましい。金被覆はスパッタリン
グ技術を使用することによってマイラ層上に付着させ
る。この金被覆は整合層部分３６に接触させることが好
ましく、マイラ層を音響整合層部分３６上に取り付ける
前にスパッタリングによって付着させることができる。
更に金被覆をマイラ層により強く付着させるために、金
被覆のスパッタリングの前に 500オングストローム厚の
クロームをマイラ層上にスパッタリングすることができ
る。
な方向においてトレース２０と整列させることが好まし
い。このようにすると、１つの切り溝２６を形成するこ
とによって、方位方向の所与の位置においてアレイ１の
高さ軸に平行に配列された全ての変換器セグメント３０
を同時に切断することができる。しかしながら、本発明
を実現するためには、必ずしもトレース１８をトレース
２０に整列させる必要はない。もしトレース１８がトレ
ース２０に整列していなければ、付加的な切断が必要に
なるかも知れない。即ち、それぞれの変換器セグメント
を形成させるためには、隣接するトレース１８と隣接す
るトレース２０との間の領域において切断を遂行すべき
である。図４に示すように、電極即ち層３８を音響整合
層部分３６の上に配置することができる。電極３８は共
通接地であっても、もしくは代替として何等かの適切な
参照電位であってもよい。電極３８は、3,000 オングス
トローム厚の金で被覆した 12.5 μｍ厚のマイラ( MYLA
R ) 電極であることが好ましい。金被覆はスパッタリン
グ技術を使用することによってマイラ層上に付着させ
る。この金被覆は整合層部分３６に接触させることが好
ましく、マイラ層を音響整合層部分３６上に取り付ける
前にスパッタリングによって付着させることができる。
更に金被覆をマイラ層により強く付着させるために、金
被覆のスパッタリングの前に 500オングストローム厚の
クロームをマイラ層上にスパッタリングすることができ
る。
【００１２】整合層部分３６は、整合層部分３６の４つ
の縁にまたがる金属化層を通して電極３８に電気的に結
合することが好ましい。即ち、整合層部分の上面及び４
つの側縁を導電性材料で被覆し、電極３８をそれぞれの
圧電部分３４に短絡させる。電極３８と圧電部分３４と
を短絡させるには、マグネシウムもしくは導電性エポキ
シのような導電性整合層材料を使用することができる。
これにより、電極付き音響整合層が得られる。前述した
ように、柔軟な回路１２は縦横に切断されているので、
各変換器セグメント３０毎に個々の電極３２内に柔軟な
回路１２の中央パッド１６が形成される。個々の電極３
２は、切断プロセスによって自動的に、且つ一体に形成
されているトレース１８及びトレース２０からそれぞれ
の変換器セグメント３０を励振するための信号を電気的
に結合する。任意の変換器セグメント３０に関して言え
ば、トレース１８もしくは２０及び電極３２は単片部材
であり、同一の材料で形成されている。しかしながら、
電極３２及びトレース１８もしくは２０は他の方法によ
って形成することもできる。例えば、もし電極３２及び
トレース１８もしくは２０が複合セラミック材料上に薄
膜プロセスによって形成されているのであれば、隣接す
る電極３２の間を縦横に切断する必要はない。更に、任
意の変換器セグメント３０には、そのセグメントを励振
するための２つの電極３２及び３８が存在している。
の縁にまたがる金属化層を通して電極３８に電気的に結
合することが好ましい。即ち、整合層部分の上面及び４
つの側縁を導電性材料で被覆し、電極３８をそれぞれの
圧電部分３４に短絡させる。電極３８と圧電部分３４と
を短絡させるには、マグネシウムもしくは導電性エポキ
シのような導電性整合層材料を使用することができる。
これにより、電極付き音響整合層が得られる。前述した
ように、柔軟な回路１２は縦横に切断されているので、
各変換器セグメント３０毎に個々の電極３２内に柔軟な
回路１２の中央パッド１６が形成される。個々の電極３
２は、切断プロセスによって自動的に、且つ一体に形成
されているトレース１８及びトレース２０からそれぞれ
の変換器セグメント３０を励振するための信号を電気的
に結合する。任意の変換器セグメント３０に関して言え
ば、トレース１８もしくは２０及び電極３２は単片部材
であり、同一の材料で形成されている。しかしながら、
電極３２及びトレース１８もしくは２０は他の方法によ
って形成することもできる。例えば、もし電極３２及び
トレース１８もしくは２０が複合セラミック材料上に薄
膜プロセスによって形成されているのであれば、隣接す
る電極３２の間を縦横に切断する必要はない。更に、任
意の変換器セグメント３０には、そのセグメントを励振
するための２つの電極３２及び３８が存在している。
【００１３】図５及び６に示す本発明の第２の実施例で
は、第１の実施例と同一の成分に対しては同一の番号を
付してある。第２の実施例では、高さ方向に沿って２個
の変換器セグメント３０が配列されているのではなく、
高さ方向に沿って３個の変換器セグメント３０ａ、３０
ｂ及び３０ｃが配列されている。本発明を実現するのに
必須ではないが、高さ方向に沿って奇数の変換器セグメ
ント３０を配列して構造を対称にすることが望ましい。
構造を対称にすることは、変換器の位置を移動させるこ
となく近距離内のある点から同一走査線に沿う遠距離内
のある点まで合焦させることができるので望ましいので
ある。近距離内に合焦させる場合は、中心セグメントだ
けを付勢する。遠距離に合焦させる場合は、中心セグメ
ントから等距離にあるセグメントを付勢する。変換器が
偶数のセグメントを有している場合には、所与の走査線
の異なる点に合焦させるためには変換器を再位置決めす
る必要がある。連結された組立体５０は、図１の第１の
組立体１０を切断して切断された組立体４０を形成し、
そして切断された組立体４０を接着領域４８に沿って第
２の組立体４６に接着することによって形成される。第
１の組立体は図１に５−５で示されているように長手方
向に沿って切断され、図５及び６に示すような切断され
た組立体４０が形成される。第１の組立体１０は、トレ
ース１８及びトレース２０から等距離の中央パッド１６
を通る線に概ね沿って切断することが好ましい。切断さ
れた組立体４０は残された裏当てブロック４２、残され
たトレース４５を有する残された柔軟な回路４４を含ん
でいる。第１の組立体１０の第２の半分は破棄してもよ
いし、もしくは第２の変換器アレイ組立体を製造するた
めに使用してもよい。
は、第１の実施例と同一の成分に対しては同一の番号を
付してある。第２の実施例では、高さ方向に沿って２個
の変換器セグメント３０が配列されているのではなく、
高さ方向に沿って３個の変換器セグメント３０ａ、３０
ｂ及び３０ｃが配列されている。本発明を実現するのに
必須ではないが、高さ方向に沿って奇数の変換器セグメ
ント３０を配列して構造を対称にすることが望ましい。
構造を対称にすることは、変換器の位置を移動させるこ
となく近距離内のある点から同一走査線に沿う遠距離内
のある点まで合焦させることができるので望ましいので
ある。近距離内に合焦させる場合は、中心セグメントだ
けを付勢する。遠距離に合焦させる場合は、中心セグメ
ントから等距離にあるセグメントを付勢する。変換器が
偶数のセグメントを有している場合には、所与の走査線
の異なる点に合焦させるためには変換器を再位置決めす
る必要がある。連結された組立体５０は、図１の第１の
組立体１０を切断して切断された組立体４０を形成し、
そして切断された組立体４０を接着領域４８に沿って第
２の組立体４６に接着することによって形成される。第
１の組立体は図１に５−５で示されているように長手方
向に沿って切断され、図５及び６に示すような切断され
た組立体４０が形成される。第１の組立体１０は、トレ
ース１８及びトレース２０から等距離の中央パッド１６
を通る線に概ね沿って切断することが好ましい。切断さ
れた組立体４０は残された裏当てブロック４２、残され
たトレース４５を有する残された柔軟な回路４４を含ん
でいる。第１の組立体１０の第２の半分は破棄してもよ
いし、もしくは第２の変換器アレイ組立体を製造するた
めに使用してもよい。
【００１４】第２の組立体４６の構造は、図１の第１の
組立体１０と同一である。第１の組立体１０の寸法と、
第２の組立体４６の寸法とは同一にすることが好まし
い。切断された組立体４０は、前記 HYSOLエポキシ接着
剤のようなエポキシ接着剤を使用して第２の組立体４６
に接着される。連結された組立体５０上に圧電層２２が
配置される。図３の二次元アレイに関して説明したよう
に、層間の全ての接着、並びに切断された組立体４０と
第２の組立体４６との接着は１段階で遂行することが好
ましい。更に、隣接するトレース２０を、隣接するトレ
ース１８及び隣接するトレース４５と整列させることが
好ましい。このようにすると、一連の切断ではなく、方
位方向に沿う所与の点に関して１回の切断で済ませるこ
とが可能になる。トレース１８、２０、及び４５を、ア
レイの高さ軸に平行に整列させることが好ましい。トレ
ースの整列を援助するための工具孔（図示してない）
を、裏当てブロック１４の両長手方向端から方位方向に
伸びる中央パッド１６の延長部（図示してない）に沿っ
て配置することができる。図１に示す第１の組立体の中
央パッド１６の各端に２つの工具孔を設けることが好ま
しい。切断された組立体４０を形成する時に、残された
柔軟な回路４４上には中央パッド１６の延長部の各端に
１つの工具孔が残る。更に、第２の組立体４６は各端に
２つの工具孔を有している。その結果、作業者は切断さ
れた組立体４０のトレース４５を、第２の組立体４６の
トレース１８及びトレース２０と整列させることができ
る。
組立体１０と同一である。第１の組立体１０の寸法と、
第２の組立体４６の寸法とは同一にすることが好まし
い。切断された組立体４０は、前記 HYSOLエポキシ接着
剤のようなエポキシ接着剤を使用して第２の組立体４６
に接着される。連結された組立体５０上に圧電層２２が
配置される。図３の二次元アレイに関して説明したよう
に、層間の全ての接着、並びに切断された組立体４０と
第２の組立体４６との接着は１段階で遂行することが好
ましい。更に、隣接するトレース２０を、隣接するトレ
ース１８及び隣接するトレース４５と整列させることが
好ましい。このようにすると、一連の切断ではなく、方
位方向に沿う所与の点に関して１回の切断で済ませるこ
とが可能になる。トレース１８、２０、及び４５を、ア
レイの高さ軸に平行に整列させることが好ましい。トレ
ースの整列を援助するための工具孔（図示してない）
を、裏当てブロック１４の両長手方向端から方位方向に
伸びる中央パッド１６の延長部（図示してない）に沿っ
て配置することができる。図１に示す第１の組立体の中
央パッド１６の各端に２つの工具孔を設けることが好ま
しい。切断された組立体４０を形成する時に、残された
柔軟な回路４４上には中央パッド１６の延長部の各端に
１つの工具孔が残る。更に、第２の組立体４６は各端に
２つの工具孔を有している。その結果、作業者は切断さ
れた組立体４０のトレース４５を、第２の組立体４６の
トレース１８及びトレース２０と整列させることができ
る。
【００１５】第１の実施例と同様に切断装置を使用して
柔軟な回路１２の中央パッド１６、残された柔軟な回路
４４、圧電層２２、及び音響整合層２４を切断する。前
述したように、切り溝は裏当てブロックを浅く切り込
む。切断は隣接するトレース２０、１８、及び４５の間
で発生する。切り溝５２は、切断された組立体４０と第
２の組立体４６との間の接着領域４８の概ね上に配置さ
れている残された柔軟な回路４４、圧電層２２、及び音
響整合層２４の領域に形成することができる。図６に明
示されているように、切り溝５２は、柔軟な回路１２を
切ることがないように、もしくは柔軟な回路１２を妨害
しないように、トレース１８から高さ方向に十分に離れ
た所から初めて、切断された組立体４０の切断された縁
に沿って形成することが好ましい。切り溝５２は、残さ
れた柔軟な回路４４が柔軟な回路１２から絶縁されてい
るように残された柔軟な回路４４を通して切るべきであ
る。代替として第１の組立体１０は、切断された組立体
４０と第２の組立体４６とを接着する時に残された柔軟
な回路４４が柔軟な回路１２から絶縁されているよう
に、即ち切り溝５２が残された柔軟な回路４４をも切断
する必要がないように、そのようにしない場合には切り
溝５２が残された柔軟な回路４４内に切り込むであろう
位置で残された柔軟な回路４４を切っておくことができ
る。
柔軟な回路１２の中央パッド１６、残された柔軟な回路
４４、圧電層２２、及び音響整合層２４を切断する。前
述したように、切り溝は裏当てブロックを浅く切り込
む。切断は隣接するトレース２０、１８、及び４５の間
で発生する。切り溝５２は、切断された組立体４０と第
２の組立体４６との間の接着領域４８の概ね上に配置さ
れている残された柔軟な回路４４、圧電層２２、及び音
響整合層２４の領域に形成することができる。図６に明
示されているように、切り溝５２は、柔軟な回路１２を
切ることがないように、もしくは柔軟な回路１２を妨害
しないように、トレース１８から高さ方向に十分に離れ
た所から初めて、切断された組立体４０の切断された縁
に沿って形成することが好ましい。切り溝５２は、残さ
れた柔軟な回路４４が柔軟な回路１２から絶縁されてい
るように残された柔軟な回路４４を通して切るべきであ
る。代替として第１の組立体１０は、切断された組立体
４０と第２の組立体４６とを接着する時に残された柔軟
な回路４４が柔軟な回路１２から絶縁されているよう
に、即ち切り溝５２が残された柔軟な回路４４をも切断
する必要がないように、そのようにしない場合には切り
溝５２が残された柔軟な回路４４内に切り込むであろう
位置で残された柔軟な回路４４を切っておくことができ
る。
【００１６】別の切り溝５４を、好ましくは第２の組立
体４６の長手方向中心線付近の第２の組立体４６上の柔
軟な回路１２、圧電層２２、及び音響整合層２４の領域
内に配置する。以上により個々の変換器セグメント３０
ａ、３０ｂ及び３０ｃが形成される。即ち、ある方位方
向位置に関して、高さ方向に沿って３個のセグメント３
０ａ、３０ｂ及び３０ｃが形成され、各セグメントがそ
れと一体のトレース１８、２０、もしくは４５と、圧電
部分３４と、音響整合層部分３６とを有している。共通
接地電極３８は、音響整合層部分３６上に配置すること
ができる。これでトレース１８、２０、及び４５を外部
回路に接続して個々の変換器セグメント３０ａ、３０
ｂ、及び３０ｃを励振することができる。ある方位方向
位置のトレース２０及び４５を、電線５６によって電気
的に接続可能にすることが好ましい。ノーズピースもし
くは外囲を、変換器構造の周囲に配置する。このノーズ
ピースはケーブルを通すことができる孔を有し、音響像
形成システムからの電線をこの孔に通してそれぞれの変
換器セグメント３０ａ、３０ｂ、及び３０ｃを励振する
ようになっている。第１の実施例と同様に、柔軟な回路
１２及び１４は縦横に、即ち賽の目に切断されるから、
それぞれの変換器セグメント３０ａ、３０ｂ、及び３０
ｃに結合されているトレース１８、２０、及び４５が自
動的に形成され、各トレースは形成された電極３２に一
体に接続されている。それぞれの電極３２、及びトレー
ス１８、２０、及び４５は同一材料の単片部材を形成し
ている。更に、電極３２の方位軸及び高さ軸に沿う寸法
の広がりは圧電部分３４と同一である。このように、信
号を供給する各トレース１８、２０、もしくは４５から
適切な電極へ、並びに電極３２とそれぞれの変換器セグ
メント３０ａ、３０ｂ、及び３０ｃの圧電部分３４との
間に信頼できる接続が得られる。柔軟な回路１２及び４
４と、それぞれの変換器圧電部分３４との間の電気的な
結合を更に向上させるために、柔軟な回路を金めっきし
てもよい。
体４６の長手方向中心線付近の第２の組立体４６上の柔
軟な回路１２、圧電層２２、及び音響整合層２４の領域
内に配置する。以上により個々の変換器セグメント３０
ａ、３０ｂ及び３０ｃが形成される。即ち、ある方位方
向位置に関して、高さ方向に沿って３個のセグメント３
０ａ、３０ｂ及び３０ｃが形成され、各セグメントがそ
れと一体のトレース１８、２０、もしくは４５と、圧電
部分３４と、音響整合層部分３６とを有している。共通
接地電極３８は、音響整合層部分３６上に配置すること
ができる。これでトレース１８、２０、及び４５を外部
回路に接続して個々の変換器セグメント３０ａ、３０
ｂ、及び３０ｃを励振することができる。ある方位方向
位置のトレース２０及び４５を、電線５６によって電気
的に接続可能にすることが好ましい。ノーズピースもし
くは外囲を、変換器構造の周囲に配置する。このノーズ
ピースはケーブルを通すことができる孔を有し、音響像
形成システムからの電線をこの孔に通してそれぞれの変
換器セグメント３０ａ、３０ｂ、及び３０ｃを励振する
ようになっている。第１の実施例と同様に、柔軟な回路
１２及び１４は縦横に、即ち賽の目に切断されるから、
それぞれの変換器セグメント３０ａ、３０ｂ、及び３０
ｃに結合されているトレース１８、２０、及び４５が自
動的に形成され、各トレースは形成された電極３２に一
体に接続されている。それぞれの電極３２、及びトレー
ス１８、２０、及び４５は同一材料の単片部材を形成し
ている。更に、電極３２の方位軸及び高さ軸に沿う寸法
の広がりは圧電部分３４と同一である。このように、信
号を供給する各トレース１８、２０、もしくは４５から
適切な電極へ、並びに電極３２とそれぞれの変換器セグ
メント３０ａ、３０ｂ、及び３０ｃの圧電部分３４との
間に信頼できる接続が得られる。柔軟な回路１２及び４
４と、それぞれの変換器圧電部分３４との間の電気的な
結合を更に向上させるために、柔軟な回路を金めっきし
てもよい。
【００１７】図５に示すような高さ方向に３個のセグメ
ントを有する変換器アレイ１を形成する場合の裏当てブ
ロック１４の寸法は、高さ方向に 1.5ｃｍ、方位方向に
2.5ｃｍ、そして距離方向に２ｃｍであることが好まし
い。更に、中央パッド１６の方位軸及び高さ軸に沿う寸
法の広がりは、裏当てブロック１４と同一であることが
好ましい。トレース１８、２０、及び４５の幅（図１に
１９で示してある）は50 乃至 100μｍであることが好
ましい。更に、トレース間の間隔は、典型的には、被試
験身体内の動作周波数の波長の 0.5 乃至２倍である。
更に図５に示す構造の場合の圧電層２２の寸法は、高さ
方向に 1.5ｃｍ、方位方向に 2.5ｃｍ、そして距離方向
に 0.25 ｍｍであることが好ましい。整合層２４の寸法
は、高さ方向に 1.5ｃｍ、方位方向に 2.5ｃｍ、そして
距離方向に 0.125ｍｍであることが好ましい。切り溝２
６の幅は約 50.8 μｍであることが好ましい。切り溝５
２及び５４の幅は 101.6μｍであることが好ましい。図
７及び８に、本発明の原理によるビームのプロファイル
を示す。図７に示すビーム６８は、図５に示す構造の二
次元アレイ１の中央の変換器セグメント３０ａだけを付
勢した時に近距離に合焦しているビームプロファイルで
ある。利用範囲６７は０乃至約５−６ｃｍである。また
励振ビームの開口幅６９は約５ｍｍである。図８に示す
ビーム７０は、遠距離に合焦しているビームプロファイ
ルである。利用範囲７２は約５ｃｍ乃至 20 ｃｍであ
る。また励振ビームの開口幅７１は約 15 ｍｍである。
遠距離の場合、全開口が付勢されてより多くのエネルギ
が発生し、より深く突入する。遠距離に合焦させる場合
に開口を拡大することができるので、近距離の画像の質
を犠牲にすることなくより高い周波数の像形成を達成す
ることができる。従ってより明瞭な画像を発生させるこ
とが可能である。
ントを有する変換器アレイ１を形成する場合の裏当てブ
ロック１４の寸法は、高さ方向に 1.5ｃｍ、方位方向に
2.5ｃｍ、そして距離方向に２ｃｍであることが好まし
い。更に、中央パッド１６の方位軸及び高さ軸に沿う寸
法の広がりは、裏当てブロック１４と同一であることが
好ましい。トレース１８、２０、及び４５の幅（図１に
１９で示してある）は50 乃至 100μｍであることが好
ましい。更に、トレース間の間隔は、典型的には、被試
験身体内の動作周波数の波長の 0.5 乃至２倍である。
更に図５に示す構造の場合の圧電層２２の寸法は、高さ
方向に 1.5ｃｍ、方位方向に 2.5ｃｍ、そして距離方向
に 0.25 ｍｍであることが好ましい。整合層２４の寸法
は、高さ方向に 1.5ｃｍ、方位方向に 2.5ｃｍ、そして
距離方向に 0.125ｍｍであることが好ましい。切り溝２
６の幅は約 50.8 μｍであることが好ましい。切り溝５
２及び５４の幅は 101.6μｍであることが好ましい。図
７及び８に、本発明の原理によるビームのプロファイル
を示す。図７に示すビーム６８は、図５に示す構造の二
次元アレイ１の中央の変換器セグメント３０ａだけを付
勢した時に近距離に合焦しているビームプロファイルで
ある。利用範囲６７は０乃至約５−６ｃｍである。また
励振ビームの開口幅６９は約５ｍｍである。図８に示す
ビーム７０は、遠距離に合焦しているビームプロファイ
ルである。利用範囲７２は約５ｃｍ乃至 20 ｃｍであ
る。また励振ビームの開口幅７１は約 15 ｍｍである。
遠距離の場合、全開口が付勢されてより多くのエネルギ
が発生し、より深く突入する。遠距離に合焦させる場合
に開口を拡大することができるので、近距離の画像の質
を犠牲にすることなくより高い周波数の像形成を達成す
ることができる。従ってより明瞭な画像を発生させるこ
とが可能である。
【００１８】図５及び６には単一の第２の組立体４６と
単一の切断された組立体４０との組合せを示したが、こ
の連結された組立体５０に付加的な切断された組立体４
０を適切に接着することもできる。即ち、高さ軸に沿っ
て４個もしくはそれ以上の変換器セグメント３０を設け
ることができる。構造を対称にするためには、高さ方向
に奇数の変換器セグメント３０を設けることが好まし
い。奇数の変換器セグメント３０を選択したものとすれ
ば、図６に電線５６で示すように、中心セグメントから
等距離にあるセグメントを電気的に接続することができ
る。更に、結合領域におけるトレースを互いに電気的に
適切に絶縁すれば、１もしくはそれ以上の連結された組
立体５０を組合せることもできる。例えば、もし高さ方
向に５個の変換器セグメント３０を有する高密度二次元
アレイ１を使用すれば、外側の２個のセグメントを互い
に電気的に接続し、第２及び第４セグメントを互いに電
気的に接続することができる。このような構造を形成す
るためには、図５に示す構造の各端に２個の切断された
組立体４０を、所与の切断された組立体４０の各トレー
ス４５が接着領域４８とは反対の側に位置するように接
着すればよい。図１乃至６に示す構成においては柔軟な
回路１２が電極層３８の下に位置しているが、電極層３
８を図９に示すように裏当てブロックの直上に配置する
こともできる。この代替実施例では、圧電層２２が電極
層３８の上に配置され、柔軟な回路１２の中央パッド１
６が圧電層２２の上に配置され、そしてもし音響整合層
２４を使用するのであればこの音響整合層２４を柔軟な
回路１２の中央パッド１６の上に配置することができ
る。電極３８、圧電層２２、及び整合層２４の幅は裏当
てブロック１４の各端よりも 0.5ｍｍ短くすることが好
ましい。このようにすることにより、後刻電極間に電気
的絶縁を形成させることができる。前述したように、接
地層は共通接地であっても、もしくはどのような適切な
参照電位であってもよく、音響整合層は電極付きの音響
整合層であって差し支えない。
単一の切断された組立体４０との組合せを示したが、こ
の連結された組立体５０に付加的な切断された組立体４
０を適切に接着することもできる。即ち、高さ軸に沿っ
て４個もしくはそれ以上の変換器セグメント３０を設け
ることができる。構造を対称にするためには、高さ方向
に奇数の変換器セグメント３０を設けることが好まし
い。奇数の変換器セグメント３０を選択したものとすれ
ば、図６に電線５６で示すように、中心セグメントから
等距離にあるセグメントを電気的に接続することができ
る。更に、結合領域におけるトレースを互いに電気的に
適切に絶縁すれば、１もしくはそれ以上の連結された組
立体５０を組合せることもできる。例えば、もし高さ方
向に５個の変換器セグメント３０を有する高密度二次元
アレイ１を使用すれば、外側の２個のセグメントを互い
に電気的に接続し、第２及び第４セグメントを互いに電
気的に接続することができる。このような構造を形成す
るためには、図５に示す構造の各端に２個の切断された
組立体４０を、所与の切断された組立体４０の各トレー
ス４５が接着領域４８とは反対の側に位置するように接
着すればよい。図１乃至６に示す構成においては柔軟な
回路１２が電極層３８の下に位置しているが、電極層３
８を図９に示すように裏当てブロックの直上に配置する
こともできる。この代替実施例では、圧電層２２が電極
層３８の上に配置され、柔軟な回路１２の中央パッド１
６が圧電層２２の上に配置され、そしてもし音響整合層
２４を使用するのであればこの音響整合層２４を柔軟な
回路１２の中央パッド１６の上に配置することができ
る。電極３８、圧電層２２、及び整合層２４の幅は裏当
てブロック１４の各端よりも 0.5ｍｍ短くすることが好
ましい。このようにすることにより、後刻電極間に電気
的絶縁を形成させることができる。前述したように、接
地層は共通接地であっても、もしくはどのような適切な
参照電位であってもよく、音響整合層は電極付きの音響
整合層であって差し支えない。
【００１９】個々の変換器セグメント３０を形成させる
ために組立体を縦横に切断する時、柔軟な回路１２、音
響整合層２４、及び圧電層２２だけを切断する。切り溝
は共通接地電極もしくは裏当てブロック内に切り込む必
要はない。その結果、上側電極が、それぞれの上側電極
と同一材料で形成され、単片部材をなしているトレース
から対応する変換器セグメントへ励振信号を結合するよ
うになる。更に、高さ方向に３個のセグメント３０を有
するアレイは、図５及び６を参照して前述したように第
１の組立体と、各変換器セグメントの断面が図９に示す
ような第２の組立体とを結合して構成することができ
る。図１０及び１１に２結晶設計の代替実施例６０を示
す。この２結晶設計６０が図３乃至６に示す単一結晶設
計と異なる点は、第１の接地層６２が裏当てブロック１
４の上に配置され、第１の圧電層６４が第１の接地層６
２の上に配置されていることである。図１をも参照され
たい。接地層６２及び圧電層６４は共に裏当てブロック
１４の上に、且つ柔軟な回路１２の中央パッド１６の下
に配置されていて第１の組立体１０を形成している。第
１の接地層６２及び第１の圧電層６４の幅は、裏当てブ
ロック１４の各端において 0.5ｍｍ短くすることが好ま
しい。これにより、後刻電極間の電気的絶縁を形成させ
ることができる。この第１の組立体１０は、単一結晶設
計において行われたように切断され、切断された組立体
４０が形成される。切断された組立体４０は、第１の組
立体１０と同一の寸法を有することが好ましい第２の組
立体４６と接着領域４８に沿って接着される。
ために組立体を縦横に切断する時、柔軟な回路１２、音
響整合層２４、及び圧電層２２だけを切断する。切り溝
は共通接地電極もしくは裏当てブロック内に切り込む必
要はない。その結果、上側電極が、それぞれの上側電極
と同一材料で形成され、単片部材をなしているトレース
から対応する変換器セグメントへ励振信号を結合するよ
うになる。更に、高さ方向に３個のセグメント３０を有
するアレイは、図５及び６を参照して前述したように第
１の組立体と、各変換器セグメントの断面が図９に示す
ような第２の組立体とを結合して構成することができ
る。図１０及び１１に２結晶設計の代替実施例６０を示
す。この２結晶設計６０が図３乃至６に示す単一結晶設
計と異なる点は、第１の接地層６２が裏当てブロック１
４の上に配置され、第１の圧電層６４が第１の接地層６
２の上に配置されていることである。図１をも参照され
たい。接地層６２及び圧電層６４は共に裏当てブロック
１４の上に、且つ柔軟な回路１２の中央パッド１６の下
に配置されていて第１の組立体１０を形成している。第
１の接地層６２及び第１の圧電層６４の幅は、裏当てブ
ロック１４の各端において 0.5ｍｍ短くすることが好ま
しい。これにより、後刻電極間の電気的絶縁を形成させ
ることができる。この第１の組立体１０は、単一結晶設
計において行われたように切断され、切断された組立体
４０が形成される。切断された組立体４０は、第１の組
立体１０と同一の寸法を有することが好ましい第２の組
立体４６と接着領域４８に沿って接着される。
【００２０】図５及び６の実施例で説明したように、第
２の圧電層２２は連結された組立体５０の上に配置され
る。性能を更に向上させるために、音響整合層２４を第
２の圧電層２２の上に配置してもよい。次いで、前述し
たように、連結された組立体の隣接するトレース１８、
２０及び４５の間に切り溝を入れて方位方向に切断す
る。前述したように、これらの層及び組立体は互いに接
着する。切断が完了すると、切り溝５２は音響整合層２
４、第２の圧電層２２、残された柔軟な回路４４、第１
の圧電層６４及び接地層６２を切断している。これによ
り、形成されるセグメント（即ち、残された裏当てブロ
ック４２の上のセグメント）を、高さ方向に隣接するセ
グメントから電気的に絶縁するようになる。切り溝５２
は方位軸に平行であり、図６に関して説明したように、
切断された組立体４０と第２の組立体４６との間の接着
領域４８の上に位置している。別の切り溝５４も第２の
組立体４６の上の領域に、好ましくは第２の組立体の中
心線付近に配置することができる。切り溝５４は音響整
合層２４を切断して整合層３６を形成し、第２の圧電層
２２を切断して圧電層３４を形成し、柔軟な回路１２を
切断して一体のトレース１８、２０を有する電極３２を
形成し、第１の圧電層を切断して第１の圧電部分６６を
形成し、電極層（第１の接地層）６２を切断して電極６
３を形成すべきである。この切断が完了した後に、前述
したマイラ製のシールド接地戻り３８を音響整合層部分
３６の上に配置することができる。この接地の戻り３８
は接地層６２に電気的に接続されている。この２結晶設
計によって高感度の変換器プローブが得られる。
２の圧電層２２は連結された組立体５０の上に配置され
る。性能を更に向上させるために、音響整合層２４を第
２の圧電層２２の上に配置してもよい。次いで、前述し
たように、連結された組立体の隣接するトレース１８、
２０及び４５の間に切り溝を入れて方位方向に切断す
る。前述したように、これらの層及び組立体は互いに接
着する。切断が完了すると、切り溝５２は音響整合層２
４、第２の圧電層２２、残された柔軟な回路４４、第１
の圧電層６４及び接地層６２を切断している。これによ
り、形成されるセグメント（即ち、残された裏当てブロ
ック４２の上のセグメント）を、高さ方向に隣接するセ
グメントから電気的に絶縁するようになる。切り溝５２
は方位軸に平行であり、図６に関して説明したように、
切断された組立体４０と第２の組立体４６との間の接着
領域４８の上に位置している。別の切り溝５４も第２の
組立体４６の上の領域に、好ましくは第２の組立体の中
心線付近に配置することができる。切り溝５４は音響整
合層２４を切断して整合層３６を形成し、第２の圧電層
２２を切断して圧電層３４を形成し、柔軟な回路１２を
切断して一体のトレース１８、２０を有する電極３２を
形成し、第１の圧電層を切断して第１の圧電部分６６を
形成し、電極層（第１の接地層）６２を切断して電極６
３を形成すべきである。この切断が完了した後に、前述
したマイラ製のシールド接地戻り３８を音響整合層部分
３６の上に配置することができる。この接地の戻り３８
は接地層６２に電気的に接続されている。この２結晶設
計によって高感度の変換器プローブが得られる。
【００２１】図５及び１０に示す二次元アレイの好まし
い動作を説明する。近距離にある点に超音波ビームを合
焦させるために、変換器アレイ１は最初に所与の走査線
に沿ってより高めの周波数（例えば、５ＭＨｚ）で動作
させることができる。典型的には関心対象の１乃至６ｃ
ｍの深さのような近距離の像を形成させる場合には、ア
レイ１の中心セグメント３０ａだけを付勢する。即ち、
励振信号をトレース１８に供給する。変換器アレイ１が
走査線に沿って連続する複数の点に徐々に合焦するにつ
れて、外側セグメント３０ｂ及び３０ｃも付勢すること
ができる。励振信号はトレース１８、２０及び４５に供
給される。これにより高さ開口が拡張されてより多くの
エネルギが身体内に突入し、より明瞭な遠距離像が発生
する。図５及び１０の実施例を使用する場合、構造を簡
略化するために所与の方位位置の外側アレイを電線５６
によって互いに接続しておく。このようにすると、遠距
離に合焦させる時に外側セグメント３０ｂ及び対応する
外側セグメント３０ｃを１つの電気信号だけで付勢でき
る。図１０及び１１に示す２結晶設計は高さ方向に３個
のセグメントを有しているが、図１２に示すように２結
晶設計に２個のセグメントを設けることもできる。図１
２の構造は、切断された組立体４０が第２の組立体４６
に接着されてはいない。この場合には圧電層３４及び音
響整合層３６は柔軟な回路１２の上に直に配置されて、
隣接するトレース１８と２０との間で切断され、そして
切り溝５４は裏当てブロック１４上の領域内に配置され
ている。高さ軸に沿って３個より多いセグメントが必要
であれば、適切な数の切断された組立体４０を第２の組
立体４６の各側に接着し、使用される各切断された組立
体毎に接着領域４８の上に切り溝５２を配置することが
できる。更に、上述した各実施例は音響応答技術（ＡＲ
Ｔ）能力を有する Acuson Corporation の 128 XP Syst
emのような市販のシステムと共に使用することができ
る。
い動作を説明する。近距離にある点に超音波ビームを合
焦させるために、変換器アレイ１は最初に所与の走査線
に沿ってより高めの周波数（例えば、５ＭＨｚ）で動作
させることができる。典型的には関心対象の１乃至６ｃ
ｍの深さのような近距離の像を形成させる場合には、ア
レイ１の中心セグメント３０ａだけを付勢する。即ち、
励振信号をトレース１８に供給する。変換器アレイ１が
走査線に沿って連続する複数の点に徐々に合焦するにつ
れて、外側セグメント３０ｂ及び３０ｃも付勢すること
ができる。励振信号はトレース１８、２０及び４５に供
給される。これにより高さ開口が拡張されてより多くの
エネルギが身体内に突入し、より明瞭な遠距離像が発生
する。図５及び１０の実施例を使用する場合、構造を簡
略化するために所与の方位位置の外側アレイを電線５６
によって互いに接続しておく。このようにすると、遠距
離に合焦させる時に外側セグメント３０ｂ及び対応する
外側セグメント３０ｃを１つの電気信号だけで付勢でき
る。図１０及び１１に示す２結晶設計は高さ方向に３個
のセグメントを有しているが、図１２に示すように２結
晶設計に２個のセグメントを設けることもできる。図１
２の構造は、切断された組立体４０が第２の組立体４６
に接着されてはいない。この場合には圧電層３４及び音
響整合層３６は柔軟な回路１２の上に直に配置されて、
隣接するトレース１８と２０との間で切断され、そして
切り溝５４は裏当てブロック１４上の領域内に配置され
ている。高さ軸に沿って３個より多いセグメントが必要
であれば、適切な数の切断された組立体４０を第２の組
立体４６の各側に接着し、使用される各切断された組立
体毎に接着領域４８の上に切り溝５２を配置することが
できる。更に、上述した各実施例は音響応答技術（ＡＲ
Ｔ）能力を有する Acuson Corporation の 128 XP Syst
emのような市販のシステムと共に使用することができ
る。
【００２２】以上に説明した本発明の形状は好ましい例
として挙げたものであり、本発明の思想もしくは特許請
求の範囲から逸脱することなく形、寸法及び部品の配列
を変更できることを理解されたい。
として挙げたものであり、本発明の思想もしくは特許請
求の範囲から逸脱することなく形、寸法及び部品の配列
を変更できることを理解されたい。
【図１】組立体の裏当てブロック上に配置された柔軟な
回路を示す斜視図である。
回路を示す斜視図である。
【図２】図１の組立体上に更に圧電層及び整合層を配置
した斜視図である。
した斜視図である。
【図３】整合層を有する単一の結晶設計を使用し、高さ
方向に２個の変換器セグメントを有する本発明の二次元
音響アレイの第１の実施例の斜視図である。
方向に２個の変換器セグメントを有する本発明の二次元
音響アレイの第１の実施例の斜視図である。
【図４】図３の音響アレイの４−４矢視断面を、マイラ
遮蔽接地戻りと共に示す図である。
遮蔽接地戻りと共に示す図である。
【図５】単一の結晶設計を使用し、整合層を有し、そし
て高さ方向に３個の変換器セグメントを有する本発明の
二次元音響アレイの第２の実施例の斜視図である。
て高さ方向に３個の変換器セグメントを有する本発明の
二次元音響アレイの第２の実施例の斜視図である。
【図６】図５の音響アレイの６−６矢視断面を、マイラ
遮蔽接地戻りと共に示す図である。
遮蔽接地戻りと共に示す図である。
【図７】図５の変換器設計の中心セグメントだけを付勢
した時の近距離における性能を示すビームプロファイル
を示す図である。
した時の近距離における性能を示すビームプロファイル
を示す図である。
【図８】図５の変換器設計の全開口を付勢した時の遠距
離における性能を示すビームプロファイルを示す図であ
る。
離における性能を示すビームプロファイルを示す図であ
る。
【図９】単一の結晶設計を使用し、高さ方向に２個のセ
グメントを有し、そして整合層の下に配置された柔軟な
回路を有する本発明の第３の実施例の斜視図である。
グメントを有し、そして整合層の下に配置された柔軟な
回路を有する本発明の第３の実施例の斜視図である。
【図１０】２結晶設計を使用し、整合層を有し、そして
高さ方向に３個のセグメントを有する本発明の第４の実
施例の斜視図である。
高さ方向に３個のセグメントを有する本発明の第４の実
施例の斜視図である。
【図１１】図１０の２つの裏当てブロックの間の接続の
拡大図であって、マイラ遮蔽接地戻りをも示す図であ
る。
拡大図であって、マイラ遮蔽接地戻りをも示す図であ
る。
【図１２】２結晶設計を使用し、整合層を有し、そして
高さ方向に２個のセグメントを有する本発明の第５の実
施例の斜視図である。
高さ方向に２個のセグメントを有する本発明の第５の実
施例の斜視図である。
１ 二次元音響変換器アレイ １０ 組立体 １２ 柔軟な回路 １４ 裏当てブロック １６ 中央パッド １８、２０ トレース（リード） ２２ 圧電層 ２４ 音響整合層 ２６、２８ 切り溝 ３０ 変換器セグメント ３２ 電極 ３４ 圧電部分 ３６ 音響整合層部分 ３８ 電極 ４０ 切断された（第１の）組立体 ４２ （第１の）裏当てブロック ４４ 柔軟な回路 ４５ トレース ４６ 第２の組立体 ４８ 接着領域 ５０ 連結された組立体 ５２、５４ 切り溝 ５６ 電線 ６０ ２結晶設計組立体 ６２、６３ 第１の接地層 ６４、６６ 第１の圧電層 ６７、７２ 利用範囲 ６８、７０ ビーム ６９、７１ 開口幅
Claims (38)
- 【請求項１】 音響像形成システムにおいて使用する二
次元アレイであって、複数の変換器セグメントを備え、
各変換器セグメントは各変換器セグメント上の電極を励
振するためのトレースを有し、上記トレース及び上記電
極は同一の材料で形成されていることを特徴とする二次
元アレイ。 - 【請求項２】 上記各変換器セグメントは、上記電極上
に配置されている第１の表面を有する圧電部分と、上記
圧電部分の反対側の面に電気的に接続されている第２の
電極を備えている請求項１に記載の二次元アレイ。 - 【請求項３】 上記圧電部分と上記第２の電極との間に
配置されている音響整合層部分をも備えている請求項２
に記載の二次元アレイ。 - 【請求項４】 上記各変換器セグメントは、１つより多
い裏当てブロック上に配置されている請求項３に記載の
二次元アレイ。 - 【請求項５】 上記圧電部分は、チタン酸ジルコン酸鉛
からなる請求項２に記載の二次元アレイ。 - 【請求項６】 上記圧電部分は、複合材料からなる請求
項２に記載の二次元アレイ。 - 【請求項７】 上記圧電部分は、フッ化ポリビニリデン
からなる請求項２に記載の二次元アレイ。 - 【請求項８】 上記電極及び圧電部分は、寸法的に同一
の広がりを有している請求項２に記載の二次元アレイ。 - 【請求項９】 上記電極、圧電部分、及び音響整合層部
分は、寸法的に同一の広がりを有している請求項３に記
載の二次元アレイ。 - 【請求項１０】 高さ方向に沿って少なくとも３つの上
記セグメントを有している請求項１に記載の二次元アレ
イ。 - 【請求項１１】 音響像形成システムにおいて使用する
二次元アレイであって、 複数の変換器セグメントを備え、上記セグメントは第１
の圧電部分、第２の圧電部分、第１の電極、第２の電
極、及び第３の電極を有し、 上記第１の圧電部分は上記第１の電極上に配置され、上
記第２の電極は上記第１の圧電部分と上記第２の圧電部
分との間に配置され、上記第２の電極は上記セグメント
を電気的に励振するためのトレースを有し、上記第２の
電極及び上記トレースは単片部材を形成しており、そし
て上記第３の電極は上記第２の圧電部分の反対の側の表
面に電気的に接続されていることを特徴とする二次元ア
レイ。 - 【請求項１２】 上記第２の圧電部分と上記第３の電極
との間に配置されている音響整合層部分をも備えている
請求項１１に記載の二次元アレイ。 - 【請求項１３】 高さ方向に沿って少なくとも３つの上
記セグメントを有している請求項１１に記載の二次元ア
レイ。 - 【請求項１４】 音響像形成システムにおいて使用する
二次元アレイであって、 相互接続回路と、圧電層と、電極層とを備え、 上記相互接続回路は、第１の側に沿って伸びる第１の複
数のトレースと、その反対側の第２の側に沿って伸びる
第２の複数のトレースとを有し、 上記圧電層は、第１の表面とその反対の側の第２の表面
とを有し、上記圧電層の第１の表面は上記相互接続回路
上に配列され、上記相互接続回路及び圧電層を切断して
個々の変換器セグメントを形成し、 上記電極層は、上記圧電層の上記第２の表面に電気的に
接続されていることを特徴とする二次元アレイ。 - 【請求項１５】 上記圧電層と上記電極層との間に配置
されている音響整合層をも備え、上記音響整合層、上記
圧電層及び上記相互接続回路を切断して個々の変換器セ
グメントを形成する請求項１４に記載の二次元アレイ。 - 【請求項１６】 上記アレイは、高さ方向に沿って少な
くとも３つの上記セグメントを備えている請求項１４に
記載の二次元アレイ。 - 【請求項１７】 音響像形成システムにおいて使用する
二次元アレイであって、 第１の電極と、上記第１の電極上に配置されている第１
の圧電層と、上記第１の圧電層上に配置されている相互
接続回路と、上記相互接続回路上に配置されている第２
の圧電層と、上記第２の圧電層上に配置されている第２
の電極とを備え、 上記相互接続回路は、第１の側に沿って伸びる第１の複
数のトレースと、その反対側の第２の側に沿って伸びる
第２の複数のトレースとを有し、 上記相互接続回路及び上記第１及び第２の圧電層を切断
して個々の変換器セグメントを形成することを特徴とす
る二次元アレイ。 - 【請求項１８】 上記第２の圧電層と上記第２の電極と
の間に配置されている音響整合層をも備え、上記音響整
合層、上記第１及び第２の圧電層、及び上記相互接続回
路を切断して個々の変換器セグメントを形成する請求項
１７に記載の二次元アレイ。 - 【請求項１９】 音響像形成システムにおいて使用する
二次元アレイであって、 第１の裏当てブロックと、上記第１の裏当てブロック上
に配置されている第１の柔軟な回路と、第２の裏当てブ
ロックと、上記第２の裏当てブロック上に配置されてい
る第２の柔軟な回路と、上記第１及び第２の柔軟な回路
上に配置されている圧電層と、第１の切り溝と、第２の
切り溝と、複数の切り溝とを備え、 上記第１の柔軟な回路は、上記第１の裏当てブロックの
第１の側に沿って伸びる第１の複数の隣接するトレース
を有し、 上記第２の裏当てブロックは上記第１の裏当てブロック
の第２の側に接して配置され、上記第１の裏当てブロッ
クの第２の側は上記第１の裏当てブロックの第１の側と
は反対の側であり、 上記第２の柔軟な回路は、上記第２の裏当てブロックの
第１の側に沿って伸びる第２の複数の隣接するトレース
を有し、上記第２の裏当てブロックの第１の側は上記第
１の裏当てブロックの第２の側に接しており、上記第２
の裏当てブロックの第１の側とは反対側の上記第２の裏
当てブロックの第２の側に沿って第３の複数の隣接する
トレースが配置され、 上記第１の切り溝は、上記第２の複数の隣接トレース上
の領域において上記音響整合層、上記圧電層、及び上記
第１の柔軟な回路を切断し、 上記第２の切り溝は、上記第２の裏当てブロック上の領
域において上記音響整合層、上記圧電層、及び上記第２
の柔軟な回路を切断し、 上記複数の切り溝は、上記第１の複数の隣接トレース、
上記第２の複数の隣接トレース、及び上記第３の複数の
隣接トレース間にあって上記第１及び第２の柔軟な回
路、上記圧電層、及び上記音響整合層を切断しているこ
とを特徴とする二次元アレイ。 - 【請求項２０】 上記第２の切り溝は、上記第２の複数
の隣接トレース及び上記第３の複数の隣接トレースから
等距離の線に沿って配置されている請求項１９に記載の
二次元アレイ。 - 【請求項２１】 上記第１の複数の隣接トレースの少な
くとも１つ、上記第２の複数の隣接トレースの少なくと
も１つ、及び上記第３の複数の隣接トレースの少なくと
も１つは、方位軸上の所与の点に関して整列している請
求項２０に記載の二次元アレイ。 - 【請求項２２】 高さ方向に沿って配列されている少な
くとも２つの変換器セグメントを備え、各変換器セグメ
ントは各変換器セグメント上の電極を励振するためのト
レースを有し、上記トレース及び上記電極は単片部材で
あることを特徴とする二次元アレイ。 - 【請求項２３】 上記トレースの幅は、上記電極の幅と
寸法的に同一の広がりを有している請求項２２に記載の
二次元アレイ。 - 【請求項２４】 上記各電極上に配置されている圧電部
分をも備えている請求項２３に記載の二次元アレイ。 - 【請求項２５】 上記圧電部分上に配置されている整合
層部分をも備えている請求項２４に記載の二次元アレ
イ。 - 【請求項２６】 二次元変換器アレイを製造する方法で
あって、 支持構造の一方の側に沿って伸びる第１の複数のトレー
スと、上記支持構造の上記一方の側とは反対側の第２の
側に沿って伸びる第２の複数のトレースとを有する上記
支持構造上に相互接続回路を配置する段階と、 上記相互接続回路上に圧電層を配置する段階と、 上記圧電層及び上記相互接続回路を切断し、各々が上記
トレースの１つに電気的に結合されている複数の変換器
セグメントを形成する段階と、 上記切断された変換器セグメント上に電極を配置する段
階とを備えていることを特徴とする二次元変換器アレイ
を製造する方法。 - 【請求項２７】 上記切断段階に先立って上記圧電層上
に音響整合層を配置する段階をも備えている請求項２６
に記載の方法。 - 【請求項２８】 二次元変換器アレイを製造する方法で
あって、 第１の側と、それとは反対側の第２の側とを有する支持
構造上に電極層を配置する段階と、 上記電極層上に圧電層を配置する段階と、 上記支持構造の上記第１の側に沿って伸びる第１の複数
のトレースと、上記支持構造の上記第２の側に沿って伸
びる第２の複数のトレースとを有する相互接続回路を上
記圧電層上に配置する段階と、 上記圧電層及び上記相互接続回路を切断し、各々が上記
トレースの１つに電気的に結合されている複数の変換器
セグメントを形成する段階とを備えていることを特徴と
する二次元変換器アレイを製造する方法。 - 【請求項２９】 上記切断段階に先立って上記相互接続
回路上に音響整合層を配置する段階をも備えている請求
項２８に記載の方法。 - 【請求項３０】 二次元変換器アレイを製造する方法で
あって、 中央パッドと、上記中央パッドの両側から伸びる複数の
トレースとを有する第１の柔軟な回路を第１の裏当てブ
ロック上に配置することによって第１の組立体を形成す
る段階と、 上記第１の裏当てブロック及び上記第１の柔軟な回路を
上記第１の組立体の上記中央パッドを通して切断し、ト
レースを上記両側に分離させることによって第１の複数
のトレースを有する切断された組立体を形成する段階
と、 中央パッドと、上記中央パッドの両側から伸びる第２の
複数のトレースと、上記中央パッドの上記両側に第３の
複数のトレースとを有する第２の柔軟な回路を第２の裏
当てブロック上に配置することによって第２の組立体を
形成する段階と、 上記第２の複数のトレースが上記第１の複数のトレース
の反対側に位置するように上記切断された組立体を上記
第２の組立体に接着することによって連結された組立体
を形成する段階と、 上記連結された組立体上に圧電層を配置する段階と、 上記連結された組立体上の上記圧電層及び上記第１及び
第２の柔軟な回路を切断し、各々がそれらに結合されて
いるトレースを有する変換器セグメントを形成する段階
と、 上記圧電層上に電極層を配置する段階とを備えているこ
とを特徴とする二次元変換器アレイを製造する方法。 - 【請求項３１】 上記第１及び第２の組立体は寸法が同
一であり、上記第１の組立体は上記第１の組立体の中心
にほぼ沿って切断されている請求項３０に記載の方法。 - 【請求項３２】 切り溝は、上記第２の組立体の中心に
ほぼ沿って形成される請求項３１に記載の方法。 - 【請求項３３】 上記切断段階に先立って上記圧電層上
に音響整合層を配置する段階をも備えている請求項３０
に記載の方法。 - 【請求項３４】 方位軸上の所与の点に関して、上記第
２の組立体上の上記第２及び第３の複数のトレースが整
列している請求項３０に記載の方法。 - 【請求項３５】 方位軸上の所与の点に関して、上記第
１、第２、及び第３の複数のトレースが整列している請
求項３０に記載の方法。 - 【請求項３６】 上記切断段階に先立って上記圧電層上
に電極層を配置する段階をも備えている請求項３０に記
載の方法。 - 【請求項３７】 方位軸上に沿う所与の点に関して、上
記第１及び上記第３のトレースを接続する段階をも備え
ている請求項３６に記載の方法。 - 【請求項３８】 近距離に合焦させる時には上記第２の
複数のトレースに励振信号を供給し、遠距離に合焦させ
る時には上記第１、第２、及び第３の複数のトレースに
励振信号を供給する請求項３０に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US18229894A | 1994-01-14 | 1994-01-14 | |
| US08/182298 | 1994-01-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07231890A true JPH07231890A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=22667868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7001787A Pending JPH07231890A (ja) | 1994-01-14 | 1995-01-10 | 二次元音響アレイ及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US5894646A (ja) |
| EP (1) | EP0663244A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07231890A (ja) |
| AU (1) | AU692492B2 (ja) |
| CA (1) | CA2139151A1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001298795A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-10-26 | Toshiba Corp | 超音波プローブ及び超音波プローブ製造方法 |
| JP2002232995A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超音波探触子及びその製造方法 |
| JP2007513563A (ja) * | 2003-12-04 | 2007-05-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 高減衰バッキングを備えたｉｃ取り付けセンサを実装する装置及び方法 |
| JP2009504057A (ja) * | 2005-08-05 | 2009-01-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 曲がった二次元アレイ・トランスデューサ |
| JP2009200838A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Toshiba Corp | 超音波探触子、超音波探触子の製造方法、超音波探触子の製造装置、および超音波検査装置 |
| JP2009268070A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-11-12 | Hella Kgaa Hueck & Co | 圧電素子を有する超音波トランスデューサ |
| JP2010214118A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | General Electric Co <Ge> | 超音波探触子内で単結晶圧電材料を使用するための方法および装置 |
| JP2011130477A (ja) * | 2000-02-07 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | 超音波プローブ及び超音波プローブ製造方法 |
| KR101491802B1 (ko) * | 2013-05-13 | 2015-02-12 | 알피니언메디칼시스템 주식회사 | 트랜스듀서 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 트랜스듀서 |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6012779A (en) | 1997-02-04 | 2000-01-11 | Lunar Corporation | Thin film acoustic array |
| FR2756447B1 (fr) * | 1996-11-26 | 1999-02-05 | Thomson Csf | Sonde acoustique multielements comprenant une electrode de masse commune |
| US5882309A (en) * | 1997-05-07 | 1999-03-16 | General Electric Company | Multi-row ultrasonic transducer array with uniform elevator beamwidth |
| US6043589A (en) * | 1997-07-02 | 2000-03-28 | Acuson Corporation | Two-dimensional transducer array and the method of manufacture thereof |
| DE19743341C1 (de) * | 1997-09-30 | 1999-03-11 | Siemens Ag | Anordnung mit vielen piezoelektrischen Wandlern sowie Satz mit mehreren solcher Anordnungen |
| US6359375B1 (en) | 1998-05-06 | 2002-03-19 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method to build a high bandwidth, low crosstalk, low EM noise transducer |
| US6135960A (en) * | 1998-08-31 | 2000-10-24 | Holmberg; Linda Jean | High-resolution, three-dimensional whole body ultrasound imaging system |
| DE19840375C2 (de) * | 1998-09-04 | 2003-08-28 | Harman Audio Electronic Sys | Schallwand |
| US6160340A (en) * | 1998-11-18 | 2000-12-12 | Siemens Medical Systems, Inc. | Multifrequency ultrasonic transducer for 1.5D imaging |
| US6467138B1 (en) | 2000-05-24 | 2002-10-22 | Vermon | Integrated connector backings for matrix array transducers, matrix array transducers employing such backings and methods of making the same |
| US6483225B1 (en) | 2000-07-05 | 2002-11-19 | Acuson Corporation | Ultrasound transducer and method of manufacture thereof |
| US6468216B1 (en) | 2000-08-24 | 2002-10-22 | Kininklijke Philips Electronics N.V. | Ultrasonic diagnostic imaging of the coronary arteries |
| US6582367B1 (en) | 2000-09-15 | 2003-06-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | 2D ultrasonic transducer array for two dimensional and three dimensional imaging |
| US6419633B1 (en) | 2000-09-15 | 2002-07-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | 2D ultrasonic transducer array for two dimensional and three dimensional imaging |
| FR2818170B1 (fr) * | 2000-12-19 | 2003-03-07 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'une sonde acoustique multielements utilisant un film polymere metallise et ablate comme plan de masse |
| US6761688B1 (en) | 2001-02-28 | 2004-07-13 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Multi-layered transducer array and method having identical layers |
| US6437487B1 (en) | 2001-02-28 | 2002-08-20 | Acuson Corporation | Transducer array using multi-layered elements and a method of manufacture thereof |
| US6429574B1 (en) | 2001-02-28 | 2002-08-06 | Acuson Corporation | Transducer array using multi-layered elements having an even number of elements and a method of manufacture thereof |
| US7344501B1 (en) | 2001-02-28 | 2008-03-18 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Multi-layered transducer array and method for bonding and isolating |
| US6664717B1 (en) | 2001-02-28 | 2003-12-16 | Acuson Corporation | Multi-dimensional transducer array and method with air separation |
| JP3485904B2 (ja) * | 2001-04-24 | 2004-01-13 | 松下電器産業株式会社 | 音響変換器 |
| DE10129456A1 (de) * | 2001-06-19 | 2003-01-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung und Analyse von Schallsignalen |
| JP3883823B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2007-02-21 | 日本電波工業株式会社 | マトリクス型の超音波探触子及びその製造方法 |
| JP3857170B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2006-12-13 | 日本電波工業株式会社 | 超音波探触子 |
| US6730033B2 (en) | 2002-05-16 | 2004-05-04 | Siemens Medical Systems, Inc. | Two dimensional array and methods for imaging in three dimensions |
| US6806623B2 (en) * | 2002-06-27 | 2004-10-19 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Transmit and receive isolation for ultrasound scanning and methods of use |
| US6891311B2 (en) * | 2002-06-27 | 2005-05-10 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc | Ultrasound transmit pulser with receive interconnection and method of use |
| US6994674B2 (en) * | 2002-06-27 | 2006-02-07 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Multi-dimensional transducer arrays and method of manufacture |
| US6875178B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-04-05 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Receive circuit for ultrasound imaging |
| US6859984B2 (en) * | 2002-09-05 | 2005-03-01 | Vermon | Method for providing a matrix array ultrasonic transducer with an integrated interconnection means |
| WO2004091255A1 (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-21 | Olympus Corporation | 超音波振動子及びその製造方法 |
| JP2006524531A (ja) * | 2003-04-15 | 2006-11-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 超音波撮像のための高調波発生可能な二次元（２ｄ）アレイ |
| US20050039323A1 (en) * | 2003-08-22 | 2005-02-24 | Simens Medical Solutions Usa, Inc. | Transducers with electically conductive matching layers and methods of manufacture |
| JP4503347B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-07-14 | 日本電波工業株式会社 | 超音波探触子の製造方法 |
| US7004906B1 (en) * | 2004-07-26 | 2006-02-28 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Contrast agent imaging with agent specific ultrasound detection |
| JP4746302B2 (ja) * | 2004-10-05 | 2011-08-10 | オリンパス株式会社 | 超音波探触子 |
| US7176602B2 (en) * | 2004-10-18 | 2007-02-13 | Ssi Technologies, Inc. | Method and device for ensuring trandsducer bond line thickness |
| EP1736799B8 (en) * | 2005-06-16 | 2013-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultrasonic transmission/reception condition optimization method, corresponding program, and ultrasonic diagnostic apparatus |
| US8006356B2 (en) * | 2006-12-07 | 2011-08-30 | Xerox Corporation | Method of forming an array of drop generators |
| US7518290B2 (en) * | 2007-06-19 | 2009-04-14 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Transducer array with non-uniform kerfs |
| US8390174B2 (en) * | 2007-12-27 | 2013-03-05 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Connections for ultrasound transducers |
| KR101068918B1 (ko) * | 2009-06-23 | 2011-09-30 | 삼성메디슨 주식회사 | 초음파 진단기의 트랜스듀서 및 그 트랜스듀서의 제조 방법 |
| KR101296244B1 (ko) * | 2012-01-31 | 2013-08-13 | 삼성메디슨 주식회사 | 초음파 프로브의 흡음 소자, 초음파 프로브의 흡음층 및 그 제작 방법 |
| JP6210679B2 (ja) | 2012-12-12 | 2017-10-11 | オリンパス株式会社 | 半導体装置接続構造、超音波モジュールおよび超音波モジュールを搭載した超音波内視鏡システム |
| US9958420B2 (en) * | 2013-02-06 | 2018-05-01 | Bwxt Technical Services Group, Inc. | Synthetic data collection method for full matrix capture using an ultrasound array |
| US9823104B2 (en) * | 2013-02-21 | 2017-11-21 | Rowe Technologies, Inc. | Acquatic velocity scanning apparatus and methods |
| US9766328B2 (en) * | 2014-07-15 | 2017-09-19 | Garmin Switzerland Gmbh | Sonar transducer array assembly and methods of manufacture thereof |
| US10514451B2 (en) | 2014-07-15 | 2019-12-24 | Garmin Switzerland Gmbh | Marine sonar display device with three-dimensional views |
| US9812118B2 (en) | 2014-07-15 | 2017-11-07 | Garmin Switzerland Gmbh | Marine multibeam sonar device |
| US9664783B2 (en) | 2014-07-15 | 2017-05-30 | Garmin Switzerland Gmbh | Marine sonar display device with operating mode determination |
| US9784825B2 (en) | 2014-07-15 | 2017-10-10 | Garmin Switzerland Gmbh | Marine sonar display device with cursor plane |
| US9784826B2 (en) | 2014-07-15 | 2017-10-10 | Garmin Switzerland Gmbh | Marine multibeam sonar device |
| US10605913B2 (en) | 2015-10-29 | 2020-03-31 | Garmin Switzerland Gmbh | Sonar noise interference rejection |
| US10576499B2 (en) * | 2016-02-29 | 2020-03-03 | Olympus Scientific Solutions Americas Inc. | Ultrasonic phased array probe using PCB as matching layer |
| US11756520B2 (en) * | 2016-11-22 | 2023-09-12 | Transducer Works LLC | 2D ultrasound transducer array and methods of making the same |
| US11806191B2 (en) * | 2018-05-21 | 2023-11-07 | General Electric Company | Phased array transducers and wafer scale manufacturing for making the same |
| KR20210105017A (ko) * | 2020-02-18 | 2021-08-26 | 삼성메디슨 주식회사 | 초음파 프로브 및 그 제조 방법 |
| JP2022025321A (ja) * | 2020-07-29 | 2022-02-10 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | 超音波探触子及びその製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3833825A (en) * | 1973-04-11 | 1974-09-03 | Honeywell Inc | Wide-band electroacoustic transducer |
| JPS5512254B2 (ja) * | 1973-07-03 | 1980-03-31 | ||
| US3979711A (en) * | 1974-06-17 | 1976-09-07 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford Junior University | Ultrasonic transducer array and imaging system |
| US4277712A (en) * | 1979-10-11 | 1981-07-07 | Hewlett-Packard Company | Acoustic electric transducer with slotted base |
| DE3021449A1 (de) * | 1980-06-06 | 1981-12-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Ultraschallwandleranordnung und verfahren zu seiner herstellung |
| US4404489A (en) * | 1980-11-03 | 1983-09-13 | Hewlett-Packard Company | Acoustic transducer with flexible circuit board terminals |
| DE3224026A1 (de) * | 1982-06-28 | 1983-12-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur auslese eines zweidimensionalen ladungsbildes mittels eines arrays |
| US4445380A (en) * | 1982-07-21 | 1984-05-01 | Technicare Corporation | Selectable focus sphericone transducer and imaging apparatus |
| US4701659A (en) * | 1984-09-26 | 1987-10-20 | Terumo Corp. | Piezoelectric ultrasonic transducer with flexible electrodes adhered using an adhesive having anisotropic electrical conductivity |
| DE3769724D1 (de) * | 1986-08-11 | 1991-06-06 | Siemens Ag | Vorrichtung zum lesen eines zweidimensionalen ladungsbildes. |
| JP2545861B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1996-10-23 | 富士通株式会社 | 超音波探触子の製造方法 |
| JP3015481B2 (ja) * | 1990-03-28 | 2000-03-06 | 株式会社東芝 | 超音波プローブ・システム |
| US5267221A (en) * | 1992-02-13 | 1993-11-30 | Hewlett-Packard Company | Backing for acoustic transducer array |
| US5335209A (en) * | 1993-05-06 | 1994-08-02 | Westinghouse Electric Corp. | Acoustic sensor and projector module having an active baffle structure |
-
1994
- 1994-12-28 CA CA002139151A patent/CA2139151A1/en not_active Abandoned
-
1995
- 1995-01-10 EP EP95300127A patent/EP0663244A3/en not_active Withdrawn
- 1995-01-10 JP JP7001787A patent/JPH07231890A/ja active Pending
- 1995-01-11 AU AU10137/95A patent/AU692492B2/en not_active Ceased
- 1995-05-26 US US08/450,475 patent/US5894646A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-31 US US08/550,868 patent/US5764596A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-24 US US08/637,207 patent/US5640370A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-17 US US08/877,147 patent/US5920523A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001298795A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-10-26 | Toshiba Corp | 超音波プローブ及び超音波プローブ製造方法 |
| JP2011130477A (ja) * | 2000-02-07 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | 超音波プローブ及び超音波プローブ製造方法 |
| JP2002232995A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超音波探触子及びその製造方法 |
| JP2007513563A (ja) * | 2003-12-04 | 2007-05-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 高減衰バッキングを備えたｉｃ取り付けセンサを実装する装置及び方法 |
| JP2009504057A (ja) * | 2005-08-05 | 2009-01-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 曲がった二次元アレイ・トランスデューサ |
| JP2009200838A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Toshiba Corp | 超音波探触子、超音波探触子の製造方法、超音波探触子の製造装置、および超音波検査装置 |
| JP2009268070A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-11-12 | Hella Kgaa Hueck & Co | 圧電素子を有する超音波トランスデューサ |
| JP2010214118A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | General Electric Co <Ge> | 超音波探触子内で単結晶圧電材料を使用するための方法および装置 |
| US8978216B2 (en) | 2009-03-18 | 2015-03-17 | General Electric Company | Method for forming an acoustical stack for an ultrasound probe |
| KR101491802B1 (ko) * | 2013-05-13 | 2015-02-12 | 알피니언메디칼시스템 주식회사 | 트랜스듀서 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 트랜스듀서 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5920523A (en) | 1999-07-06 |
| US5764596A (en) | 1998-06-09 |
| EP0663244A3 (en) | 1996-05-01 |
| AU1013795A (en) | 1995-07-27 |
| CA2139151A1 (en) | 1995-07-15 |
| EP0663244A2 (en) | 1995-07-19 |
| US5894646A (en) | 1999-04-20 |
| US5640370A (en) | 1997-06-17 |
| AU692492B2 (en) | 1998-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5920523A (en) | Two-dimensional acoustic array and method for the manufacture thereof | |
| US4385255A (en) | Linear array ultrasonic transducer | |
| US5957851A (en) | Extended bandwidth ultrasonic transducer | |
| US6640634B2 (en) | Ultrasonic probe, method of manufacturing the same and ultrasonic diagnosis apparatus | |
| US5792058A (en) | Broadband phased array transducer with wide bandwidth, high sensitivity and reduced cross-talk and method for manufacture thereof | |
| US6043590A (en) | Composite transducer with connective backing block | |
| US6758094B2 (en) | Ultrasonic transducer wafer having variable acoustic impedance | |
| US5916169A (en) | Phased array transducer design and method for manufacture thereof | |
| JP3210671B2 (ja) | 超音波変換器アレーとその製造方法 | |
| US20010021807A1 (en) | Ultrasonic probe | |
| US6759791B2 (en) | Multidimensional array and fabrication thereof | |
| US8030824B2 (en) | Wide bandwidth matrix transducer with polyethylene third matching layer | |
| US5757727A (en) | Two-dimensional acoustic array and method for the manufacture thereof | |
| JPH0889505A (ja) | 超音波プローブの製造方法 | |
| JPH0723500A (ja) | ２次元アレイ超音波プローブ | |
| WO2005055195A1 (en) | Implementing ic mounted sensor with high attenuation backing | |
| JP3304560B2 (ja) | 超音波探触子及び超音波探触子の製造方法 | |
| JPH04218765A (ja) | 超音波プローブ | |
| JP4468599B2 (ja) | 超音波探触子 | |
| JPH07136164A (ja) | 超音波探触子 | |
| US6333590B1 (en) | Ultrasonic transducer having laminate structure, ultrasonic probe and production method thereof | |
| JPH11347032A (ja) | 超音波探触子 | |
| JPH07194517A (ja) | 超音波探触子 | |
| US20240269709A1 (en) | Curved shape piezoelectric transducer and method for manufacturing the same | |
| JPH01236900A (ja) | アレイ型超音波探触子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |