JPH07232910A - テトラクロロシランの水素添加法 - Google Patents
テトラクロロシランの水素添加法Info
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Abstract
る実質的に密閉の内室を形成する反応容器を内部に配置
した加圧可能シエルからなる反応器における水素ガスと
テトラクロロシランとを接触させる方法の提供。 【構成】 本法は、加圧可能シエルと反応容器間の外室
に塩素/ケイ素のモル比が3.5以上のガス又はガス混
合体を供給することからなる。この方法は、実質的に密
閉の内室からこれらのガスの漏れから生じる水素とテト
ラクロロシランの濃度を下げて、かかる漏れに伴う反応
器の構成要素および性能に与える有害な反応を最小限に
おさえる。
Description
ラクロロシランとを接触させる実質的に密閉の内室を形
成する反応容器を配置した加圧可能シエルからなる反応
器において水素ガスとテトラクロロシランとを接触させ
る方法に関する。本法は、加圧可能シエルと反応容器と
の間の外室に塩素/ケイ素のモル比が3.5以上のガス
またはガス混合体を供給することからなる。本法は、実
質的に密閉された内室から、これらガスの漏れからもた
らされる水素とテトラクロロシランの濃度を下げると共
に、かかる漏れに伴う反応器の構成要素および性能に及
ぼす有害な反応を最少にする。
典型的な製造法において、トリクロロシランガスは水素
の存在下で還元されて加熱体上に蒸着する。該プロセス
に供給されるトリクロロシランガスのかなりの部分が脱
水素されて副生物のテトラクロロシランを生成する。こ
の副生物のテトラクロロシランをトリクロロシランに転
化させて、それを次の蒸着工程に再循環させる必要があ
る。
933,985号、および米国特許−A第4,217,
334号であって、ロジヤーズ(Rogers)による
米国特許−A第3,933,985号は、水素とテトラ
クロロシラン蒸気を900℃〜1200℃の温度に保持
された反応室に通すことから成るテトラクロロシランの
トリクロロシランへの転化法を記載している。
許−A第4,217,334号はテトラクロロシランを
トリクロロシランに転化する方法を開示している。その
方法は、トリクロロシランと塩化水素とが平衡関係にあ
る1:1〜1:50のモル組成を有するテトラクロロシ
ランと水素との混合体を600℃〜1200℃の温度で
反応させ、その反応混合体を300℃以下に急冷させる
工程を含む。そして該工程は炭素から構成された気密管
において実施された。
添加用反応器は、高温および水素添加工程中に生成され
るクロロシランおよび塩化水素のような物質の腐食性に
耐えれなければならない。従って、典型的に炭素、黒
鉛、炭素繊維複合体、等を含む炭素をベースにした複合
材料が反応器内に使用される。これらの炭素をベースに
した材料は、水素ガスおよびテトラクロロシランを反応
させる反応器内の容器を形成する構造材料、熱絶縁材
料、および加熱体として使用される。
供給された水素ガスおよびテトラクロロシランを完全に
閉じ込めることができない。これらのガスは反応器のシ
ールおよび継目を通して漏れて絶縁材料および他の構造
部材を含む周囲の空間に入る。水素ガスがこれらの構造
部材と接触すると、構造部材の組成および接触場所の温
度に依存して多くの有害な反応が生じる恐れがある。例
えば、400℃〜1000℃の温度において、水素は炭
素と反応してメタンを生成する。この反応は、電極、ブ
リッジおよび絶縁体のような炭素をベースにした材料を
還元して微粉末にさせる。そのメタン化反応はトリクロ
ロシラン生成物における炭素汚染の主発生源にもなりう
る。水素およびクロロシランの存在下で800℃以上の
温度において反応器中で生じうる第2の反応は炭素をベ
ースにした材料の炭化ケイ素への転化であって、塩化水
素の遊離を伴う。この反応は炭素をベースにした部材の
物理的完全性を劣化させる。遊離した塩化水素はトリク
ロロシランの生成を妨げる。第3の反応は反応器内の高
温部材へのケイ素の蒸着である。水素ガスとテトラクロ
ロシランからなる雰囲気において、水素ガスの濃度が8
5モル%以上であると、テトラクロロシランは元素ケイ
素に還元されて反応器の高温部材に蒸着する。反応器内
へのケイ素の付着は反応器内の熱伝達を妨げると共に、
反応器の部材を脆くさせ、かつ分解を困難にさせる。ま
た、水素ガスは高熱伝導率を有するので、反応容器と反
応器シエル間の空間に存在すると、低熱伝導率のガスと
比べて反応からの熱損失を増しシエルの温度を高くさせ
る。
ゾーン外側の反応器部材と接触する水素ガスの存在に伴
う有害な作用は、反応ゾーン外側の領域に塩素/ケイ素
のモル比が3.5以上のガス又はガス混合体を供給する
ことによって減少させることができることを見出した。
スとテトラクロロシランとを接触させる実質的に密閉の
内室を形成する反応容器を配置した加圧可能シエルから
なる反応器内において水素ガスとテトラクロロシランと
を600℃以上の温度で接触させることからなり、外室
が前記加圧可能シエルと反応容器間に配置され、該外室
が内部におよび加圧可能シエルに隣接して炭素または黒
鉛の絶縁層を設け、該絶縁層と反応容器間に1つ以上の
加熱体を配置し、前記外室に塩素/ケイ素のモル比が
3.5以上のガスまたはガス混合体を供給することを特
徴とするテトラクロロシランの水素添加法を提供する。
シランの水素添加が反応器内で行なわれることが知られ
ている。本法は作業能率を上げるために800℃〜12
00℃の範囲内の温度で行なうことが望ましい。反応器
に供給するテトラクロロシランと水素ガスのモル比は、
本発明の方法に実施に重要でなく、技術的に既知の値に
することができる。例えば、テトラクロロシラン/水素
のモル比は1:1〜1:50の範囲内である。さらに、
炭素と黒鉛はかかる反応器の内部構成要素を形成するた
めに構成材料として使用できることが知られている。
側面図である。その水素とクロロシランを反応させる反
応器は、ステンレス鋼(例えば、商品名インコネル(I
nconel),Hunting Alloy Pro
duets Division社製)からなる加圧可能
容器1からなる。加圧可能容器1の内表面は熱絶縁体2
によって加熱体3から熱的に絶縁される。熱絶縁体2は
普通の高温絶縁材料、例えば、炭素や黒鉛のフエルトお
よび固体シートで作られる。熱絶縁体2は、ブルジー
(Burgie)による米国特許−A第5,126,1
12号に記載されているものに類似の絶縁系が望まし
い。
ケイ素コーテッド炭素複合物で作ることができる。加熱
体3は炭化ケイ素コーテッド炭素複合物で作るのが望ま
しい。加熱体3は、普通の構成、例えば、反応器の外周
部に配置した1つ以上のロッド又はスラットにすること
ができる。加熱体3は外部エネルギー源への接続手段を
提供する電極5に電気的に接続される。
残部から電気的に絶縁される。電気絶縁体4は、普通の
高温および化学的耐性電気絶縁材料、例えば、溶融シリ
カ又は窒化ケイ素製にすることができるが、窒化ケイ
素、すなわち、Si3 N4 製が望ましい。
いて、反応器は同心配置の管によって外ゾーンと内ゾー
ンを形成させる設計の二重壁を有する。外ゾーンは管6
と管7の間に形成される。内ゾーンは管7によって形成
される。反応器の上部は変流板8が設けられている。
応器用材料、例えば、炭素、黒鉛、炭化ケイ素コーテッ
ド炭素および炭化ケイ素コーテッド黒鉛、又は炭化ケイ
素コーテッド炭素繊維複合材料、等から作ることができ
るが、炭化ケイ素コーテッド炭素繊維複合材料から作る
ことが望ましい。
応器に供給された水素およびクロロシランを管6と管7
間に形成の外ゾーンに送す前に予熱することができる。
これらのガスは次に反応器の外ゾーンを流通して、加熱
体3によってさらに加熱されて、変流板8によって向き
を変えられて管7によって形成された内ゾーンを逆向き
に流通する。管7を出る加熱ガスは次に熱交換器9を流
通して熱を入ってくる供給ガスへ伝達する。熱交換器9
は標準の設計、例えば、米国特許−A、第2,821,
369号、第3,250,322号および第3,39
1,016号に開示された設計に類似したものにするこ
とができる。
以上のガス又はガス混合体を反応器の外室へ供給するこ
とを特徴とする。例えば、図1は水素ガスとテトラクロ
ロシランを反応させる実質的に密閉の内室であって、管
6、変流板(diverter)8および熱交換器9に
よって形成される。反応器の外室は加圧可能シエル(容
器)1と実質的に密閉の内室との間の領域である。用語
「実質的に密閉」とは、反応容器が供給材料を囲まれた
領域内に供給材料を反応させるのに十分な時間保持する
ように設計されていることを意味する。当業者には周知
のように、かかる反応容器は完全に気密に作ることがで
きず、若干量の水素およびテトラクロロシランのガスが
反応容器の外側の反応器の領域に漏れる。この漏れは、
構成材料の熱膨脹又は収縮差による反応容器の継目およ
びシール部で生じる。
テトラクロロシランの漏れは、反応器の領域内に配置さ
れた構成要素に悪影響を与える。反応容器外側の反応器
のこの領域に塩素/ケイ素のモル比が3.5以上のガス
又はガス混合体を供給すると、これらの悪影響を低減さ
せうることがわかった。例えば、図1において、塩素/
ケイ素のモル比が3.5以上のガス又はガス混合体を入
口ポート10から反応器に提供し、必要ならば出口ポー
ト11から除去することができる。或いは、前記のガス
又はガス混合体を入口ポート10から供給して反応容器
の外側の反応器の領域内にブランケットを形成すること
ができる。そのガス又はガス混合体を反応器の外側へ外
室に正圧を生じさせるのに十分な流量で供給して、反応
容器から外室内へのガスの漏れを減少させることができ
る。最適には、反応器に供給される塩素/ケイ素のモル
比が3.5以上のガス又はガス混合体の圧力は、反応容
器外側の反応器の領域への水素とテトラクロロシランの
漏れを防ぐのに十分なだけでよい。かかる圧力はプロセ
スに依存し、当業者に既知の普通の方法によって決定さ
れる。
又はガス混合体が反応器へ供給される。その混合体を形
成するガスは塩素、塩化水素、シランおよびポリシラン
から選ぶ。ガスの塩素、塩化水素およびテトラクロロシ
ラン;かかるガスの混合体;およびかかるガスとトリク
ロロシラン、ジクロロシランおよびクロロシランの混合
体にすることができる。その場合の塩素/ケイ素のモル
比は3.5以上である。例えば、HSiCl3 1モルと
SiCl4 2モルの混合体は塩素/ケイ素のモル比が
3.67となる。本発明の実施に望ましいガスはテトラ
クロロシランおよ塩化水素から選ぶ。
中に、テトラクロロシランを34.05kg/hrの流
量で入口ポートから加圧可能シエル1と反応容器の間の
領域に導入した。同様の反応器の始動と比較して、メタ
ンの発生が約50重量%減少した。反応器へのテトラク
ロロシランの流れを実験を通じて続けた結果、シエルの
温度が低下すると共に、テトラクロロシランの全転化率
で測定して反応器の効率が5%上昇した。
ある。
Claims (1)
- 【請求項1】 内部に水素ガスとテトラクロロシランと
を接触させる実質的に密閉の内室を形成する反応容器を
配置した加圧可能シエルからなる反応器内において水素
ガスとテトラクロロシランとを600℃以上の温度で接
触させることからなり、外室が前記加圧可能シエルと反
応容器間に配置され、該外室が内部におよび加圧可能シ
エルに隣接して炭素または黒鉛の絶縁層を設け、該絶縁
層と反応容器間に1つ以上の加熱体を配置し、前記外室
に塩素/ケイ素のモル比が3.5以上のガスまたはガス
混合体を供給することを特徴とするテトラクロロシラン
の水素添加法。
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|---|---|---|---|
| US08/188,852 US5422088A (en) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | Process for hydrogenation of tetrachlorosilane |
| US08/188852 | 1994-01-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP (1) | JP3763104B2 (ja) |
| DE (1) | DE19502550B4 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008116080A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Taisei Kaken:Kk | 熱風ヒータ |
| WO2008062632A1 (fr) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Mitsubishi Materials Corporation | Appareil de production de trichlorosilane |
| WO2008065829A1 (fr) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Mitsubishi Materials Corporation | Dispositif de production de trichlorosilane |
| JP2008150274A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-07-03 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置 |
| JP2008528433A (ja) * | 2005-02-03 | 2008-07-31 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 四塩化ケイ素の熱水素化を用いたトリクロロシランの製造方法 |
| WO2008146741A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Mitsubishi Materials Corporation | トリクロロシランの製造方法と製造装置および多結晶シリコンの製造方法 |
| JP2009062211A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | トリクロロシランの製造方法および多結晶シリコンの製造方法 |
| WO2010087003A1 (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | 電気化学工業株式会社 | 発熱装置 |
| JP2013540092A (ja) * | 2010-09-27 | 2013-10-31 | ジーティーエイティー・コーポレーション | ヒータ、およびヒータのための関連方法 |
| US9217609B2 (en) | 2011-06-21 | 2015-12-22 | Gtat Corporation | Apparatus and methods for conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7033561B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-04-25 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of polycrystalline silicon |
| US20040173597A1 (en) * | 2003-03-03 | 2004-09-09 | Manoj Agrawal | Apparatus for contacting gases at high temperature |
| RU2278076C2 (ru) * | 2004-08-16 | 2006-06-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" | Устройство для гидрирования тетрахлорида кремния |
| JP4607637B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム |
| DE102005046703A1 (de) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Hydrierung von Chlorsilanen |
| JP5428146B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2014-02-26 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
| RU2346736C1 (ru) * | 2007-08-09 | 2009-02-20 | Открытое акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" | Реактор с псевдоожиженным слоем |
| DE102007041803A1 (de) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh | Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliziumstäben und polykristalliner Siliziumstab |
| JP5959198B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2016-08-02 | ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション | 材料を蒸着するための製造装置及び当該装置において使用される電極 |
| CN102047066B (zh) * | 2008-04-14 | 2013-01-16 | 赫姆洛克半导体公司 | 用于沉积材料的制造设备和其中使用的电极 |
| RU2494578C2 (ru) * | 2008-04-14 | 2013-09-27 | Хемлок Семикондактор Корпорейшн | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней |
| US8178051B2 (en) * | 2008-11-05 | 2012-05-15 | Stephen Michael Lord | Apparatus and process for hydrogenation of a silicon tetrahalide and silicon to the trihalosilane |
| US8298490B2 (en) * | 2009-11-06 | 2012-10-30 | Gtat Corporation | Systems and methods of producing trichlorosilane |
| CN101769247B (zh) * | 2010-01-14 | 2012-02-01 | 友达光电股份有限公司 | 抽气装置 |
| JP5482687B2 (ja) * | 2010-02-17 | 2014-05-07 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置および製造方法 |
| CN102190305B (zh) * | 2010-03-15 | 2014-10-29 | 三菱综合材料株式会社 | 三氯硅烷制造装置 |
| US8029756B1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-04 | Peak Sun Sillcon Corporation | Closed-loop silicon production |
| DE102011002749A1 (de) | 2011-01-17 | 2012-07-19 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Konvertierung von Siliciumtetrachlorid in Trichlorsilan |
| EP2809455B1 (en) | 2012-01-30 | 2018-04-04 | Hemlock Semiconductor Operations LLC | Method of repairing and/or protecting a surface in a reactor |
| DE102012224202A1 (de) | 2012-12-21 | 2014-07-10 | Evonik Industries Ag | Verfahren zum Hydrieren höherer Halogen-haltiger Silanverbindungen |
| DE102014205001A1 (de) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
| JP6790254B2 (ja) | 2016-11-23 | 2020-11-25 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG | 四塩化ケイ素を水素化する方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB756327A (en) * | 1952-10-14 | 1956-09-05 | Lorraine Carbone | Improvements in or relating to heat exchangers |
| US3250322A (en) * | 1964-02-07 | 1966-05-10 | Texas Instruments Inc | Corrosive fluid heat exchanger |
| US3391016A (en) * | 1964-02-07 | 1968-07-02 | Texas Instruments Inc | Silicon carbide coating on graphite bores of heat exchanger |
| US3933985A (en) * | 1971-09-24 | 1976-01-20 | Motorola, Inc. | Process for production of polycrystalline silicon |
| US4217334A (en) * | 1972-02-26 | 1980-08-12 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler | Process for the production of chlorosilanes |
| FR2530638A1 (fr) * | 1982-07-26 | 1984-01-27 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de preparation d'un melange a base de trichlorosilane utilisable pour la preparation de silicium de haute purete |
| JPH0217281A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 給湯機 |
| JPH02172811A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Mitsubishi Kakoki Kaisha Ltd | トリクロロシランの製造方法 |
| DE4022707C2 (de) * | 1989-07-18 | 2002-01-31 | Hemlock Semiconductor Corp | Isolierungssystem für einen Chlorsilan- und Wasserstoff-Reaktor |
| US5906799A (en) * | 1992-06-01 | 1999-05-25 | Hemlock Semiconductor Corporation | Chlorosilane and hydrogen reactor |
-
1994
- 1994-01-28 US US08/188,852 patent/US5422088A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-01-27 JP JP01116395A patent/JP3763104B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-01-27 DE DE19502550A patent/DE19502550B4/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008528433A (ja) * | 2005-02-03 | 2008-07-31 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 四塩化ケイ素の熱水素化を用いたトリクロロシランの製造方法 |
| JP4819830B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2011-11-24 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 四塩化ケイ素の熱水素化を用いたトリクロロシランの製造方法 |
| JP2008116080A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Taisei Kaken:Kk | 熱風ヒータ |
| WO2008062632A1 (fr) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Mitsubishi Materials Corporation | Appareil de production de trichlorosilane |
| JP2008150274A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-07-03 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置 |
| US8221691B2 (en) | 2006-11-21 | 2012-07-17 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus for producing trichlorosilane |
| WO2008065829A1 (fr) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Mitsubishi Materials Corporation | Dispositif de production de trichlorosilane |
| US9994455B2 (en) | 2007-05-25 | 2018-06-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus and method for manufacturing trichlorosilane and method for manufacturing polycrystalline silicon |
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