JPH07235456A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法Info
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- JPH07235456A JPH07235456A JP33241294A JP33241294A JPH07235456A JP H07235456 A JPH07235456 A JP H07235456A JP 33241294 A JP33241294 A JP 33241294A JP 33241294 A JP33241294 A JP 33241294A JP H07235456 A JPH07235456 A JP H07235456A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 腐食減量あたりの静電容量をさらに高めるこ
とにある。 【構成】 アルミニウム箔に塩素イオンを含有する電解
液中で交流電流を印加してエッチングを行う際に、交流
電流が正側および負側半周期Ｔ中に波形、振幅ａ、印加
時間ｔが異なる半波を２つ含み、かつ振幅が０ないし、
正側または負側に微小電流が最大振幅の１／１５以内で
印加される休止期ｔ0 を各々の半波の間で設ける。
とにある。 【構成】 アルミニウム箔に塩素イオンを含有する電解
液中で交流電流を印加してエッチングを行う際に、交流
電流が正側および負側半周期Ｔ中に波形、振幅ａ、印加
時間ｔが異なる半波を２つ含み、かつ振幅が０ないし、
正側または負側に微小電流が最大振幅の１／１５以内で
印加される休止期ｔ0 を各々の半波の間で設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電解コンデンサに使
用するアルミニウム箔のエッチング方法に関するもので
ある。
用するアルミニウム箔のエッチング方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に電解コンデンサ用アルミニウム箔
の製造には、その有効表面積を拡大する目的で、電解エ
ッチング処理が行われている。この電解エッチングに使
用される電源電流には、直流と交流とがあるが、陰極箔
や低圧用陽極箔をエッチングする場合には微細な腐食ピ
ット形状の得られる交流電流が広く利用されている。電
解コンデンサの小形化を実現するためにはエッチング箔
の有効拡面倍率を高める必要があり、エッチング液組成
の工夫、改善が行われる一方で、使用する交流電源の周
波数や、正弦波、方形波、三角波、台形波、ひずみ波等
の波形に関する発明が行われている。また、印加する交
流電流の正側半周期と負側半周期の電流密度や印加時間
を変えてエッチングする方法やエッチングを前段と後段
とに分けて、前段にて直流電流によるエッチングを行
い、後段にて交流電流によりエッチングを行う方法も開
発されているが、前者の場合は、正側・負側の電流波形
が非対称になるため、交流エッチング法の利点である２
つの電極間にアルミニウム箔を配して電流を印加する間
接電気導入法が行えず、アルミニウム箔から直接電気導
入を行わねばならないし、また後者の場合には、エッチ
ング設備を２つに分けねばならないという問題がある。
の製造には、その有効表面積を拡大する目的で、電解エ
ッチング処理が行われている。この電解エッチングに使
用される電源電流には、直流と交流とがあるが、陰極箔
や低圧用陽極箔をエッチングする場合には微細な腐食ピ
ット形状の得られる交流電流が広く利用されている。電
解コンデンサの小形化を実現するためにはエッチング箔
の有効拡面倍率を高める必要があり、エッチング液組成
の工夫、改善が行われる一方で、使用する交流電源の周
波数や、正弦波、方形波、三角波、台形波、ひずみ波等
の波形に関する発明が行われている。また、印加する交
流電流の正側半周期と負側半周期の電流密度や印加時間
を変えてエッチングする方法やエッチングを前段と後段
とに分けて、前段にて直流電流によるエッチングを行
い、後段にて交流電流によりエッチングを行う方法も開
発されているが、前者の場合は、正側・負側の電流波形
が非対称になるため、交流エッチング法の利点である２
つの電極間にアルミニウム箔を配して電流を印加する間
接電気導入法が行えず、アルミニウム箔から直接電気導
入を行わねばならないし、また後者の場合には、エッチ
ング設備を２つに分けねばならないという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】交流電流によるエッチ
ング方法の工夫・改善により、有効拡面倍率が向上し、
高容量エッチド箔の製造が可能となってきているが、そ
の半面、引張り強度や折曲げ強度で代表されるエッチド
箔の機械的強度が低下し、化成して使用する場合もろく
なって切断しやすく、そのためコンデンサ素子巻きを行
う時に大きな問題となっている。しかし、従来にも増し
てコンデンサ小型化の必要性が高まっており、さらにエ
ッチド箔の高容量化を計る必要がある。エッチド箔の機
械的強度を保持しつつ、有効拡面倍率を高めることは、
特性上相反する関係にあるものを同時に解決することで
あり、極めて困難なことである。この問題の解決方法の
ひとつは腐食減量あたりの静電容量（以下、エッチング
効率と呼ぶ）を、さらに高めることである。すなわち、
同一静電容量のエッチド箔でも、エッチング効率の高い
箔の場合には、腐食減量が少なく、エッチングされてい
ない芯部が多く残るので機械的強度の強い箔となる。ま
た腐食減量が同じで、機械的強度が同等でも、エッチン
グ効率の高いエッチド箔は静電容量の高い箔となる。そ
こで本発明は前記した困難な問題を解決するためエッチ
ング効率の高いエッチング方法を開発することを目的と
したものである。
ング方法の工夫・改善により、有効拡面倍率が向上し、
高容量エッチド箔の製造が可能となってきているが、そ
の半面、引張り強度や折曲げ強度で代表されるエッチド
箔の機械的強度が低下し、化成して使用する場合もろく
なって切断しやすく、そのためコンデンサ素子巻きを行
う時に大きな問題となっている。しかし、従来にも増し
てコンデンサ小型化の必要性が高まっており、さらにエ
ッチド箔の高容量化を計る必要がある。エッチド箔の機
械的強度を保持しつつ、有効拡面倍率を高めることは、
特性上相反する関係にあるものを同時に解決することで
あり、極めて困難なことである。この問題の解決方法の
ひとつは腐食減量あたりの静電容量（以下、エッチング
効率と呼ぶ）を、さらに高めることである。すなわち、
同一静電容量のエッチド箔でも、エッチング効率の高い
箔の場合には、腐食減量が少なく、エッチングされてい
ない芯部が多く残るので機械的強度の強い箔となる。ま
た腐食減量が同じで、機械的強度が同等でも、エッチン
グ効率の高いエッチド箔は静電容量の高い箔となる。そ
こで本発明は前記した困難な問題を解決するためエッチ
ング効率の高いエッチング方法を開発することを目的と
したものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、上記した目的を
達成するために本願発明者は、交流電流によるエッチン
グの正側半周期中で起こるピットの開始、伸長、拡大と
いったピット形成機構に着目し、これらピットの成長の
各段階が正側半周期中の別々の時間域で起こるものと考
え研究を重ねた結果、図１のように半周期中に振幅の同
じ、または異なる２つの半波を含み、かつ２つの半波の
間に振幅が０ないし正側または負側に微小電流が最大振
幅の１／１５以内で印加される休止期を〔休止期の時間
（以下、ｔ0 ）〕／〔半周期の時間（以下、Ｔ）〕で
０．１８から０．８５の範囲で設けた交流電流でエッチ
ングした場合、従来の単一波形でエッチングした場合に
比べて、エッチング効率が高くなることを見い出した。
即ち〔前の半波の振幅（以下、ａ1 ）〕／〔後の半波の
振幅（以下、ａ2 ）〕が０．４から４．０の範囲にある
交流電流でエッチングすると、陰極箔および５Ｖ化成か
ら１４０Ｖ化成の範囲に適した微細なピットが高密度に
形成され、しかもピット形成にとって無駄な腐食が少な
くなり、エッチング効率の高い箔の製造が可能となるこ
とを見い出した。ａ1 ／ａ2 が４．０を超えて大きくな
ると低い電圧の化成に適した細かいピットが形成される
がエッチング効率が減少する。また、ａ1 ／ａ2 が０．
４未満の場合は高い電圧の化成に適した太いピットが形
成されるが、この場合もエッチング効率は少し低下す
る。これらのことから、前の半波（Ｗ1 ）でピットの開
始伸長が高密度に起こり、後の半波（Ｗ2 ）により前の
半波（Ｗ1 ）で発生したピットが太くなると考えれば、
その効果がよく理解される。
達成するために本願発明者は、交流電流によるエッチン
グの正側半周期中で起こるピットの開始、伸長、拡大と
いったピット形成機構に着目し、これらピットの成長の
各段階が正側半周期中の別々の時間域で起こるものと考
え研究を重ねた結果、図１のように半周期中に振幅の同
じ、または異なる２つの半波を含み、かつ２つの半波の
間に振幅が０ないし正側または負側に微小電流が最大振
幅の１／１５以内で印加される休止期を〔休止期の時間
（以下、ｔ0 ）〕／〔半周期の時間（以下、Ｔ）〕で
０．１８から０．８５の範囲で設けた交流電流でエッチ
ングした場合、従来の単一波形でエッチングした場合に
比べて、エッチング効率が高くなることを見い出した。
即ち〔前の半波の振幅（以下、ａ1 ）〕／〔後の半波の
振幅（以下、ａ2 ）〕が０．４から４．０の範囲にある
交流電流でエッチングすると、陰極箔および５Ｖ化成か
ら１４０Ｖ化成の範囲に適した微細なピットが高密度に
形成され、しかもピット形成にとって無駄な腐食が少な
くなり、エッチング効率の高い箔の製造が可能となるこ
とを見い出した。ａ1 ／ａ2 が４．０を超えて大きくな
ると低い電圧の化成に適した細かいピットが形成される
がエッチング効率が減少する。また、ａ1 ／ａ2 が０．
４未満の場合は高い電圧の化成に適した太いピットが形
成されるが、この場合もエッチング効率は少し低下す
る。これらのことから、前の半波（Ｗ1 ）でピットの開
始伸長が高密度に起こり、後の半波（Ｗ2 ）により前の
半波（Ｗ1 ）で発生したピットが太くなると考えれば、
その効果がよく理解される。
【０００５】次に２つの半波の間の休止期がｔｏ／Ｔで
０．１８から０．８５の範囲を超えるとエッチング効率
が低下する。適度の休止期を設けるとエッチング効率が
向上することから、この休止期中にエッチド箔表面やす
でに形成されているピット内壁および前の半波（Ｗ1 ）
により形成されたピット内壁に皮膜が形成され、後の半
波（Ｗ2 ）によるピットの拡大時において箔表面やピッ
ト内壁の弱点部が補修され、効率の良いピットの拡大を
可能にするものと理解される。また、この休止期中に印
加される電流は、０であることが好ましく、正側および
負側いづれでも最大振幅の１／１５を超えて電流を印加
するとエッチング効率が低下することからも休止期を設
けた効果が理解される。次に、前の半波の印加時間（以
下、ｔ1 ）と後の半波の印加時間（以下、ｔ2）の比
が、ｔ1 ／ｔ2 で０．５未満の時、または３．０を超え
て大きくなるとエッチング効率は低下する。これは前の
半波（Ｗ1 ）によるピットの開始伸長と後の半波
（Ｗ2 ）によるピットの拡大が効果的に起こるために
は、各々の半波の印加時間の比に最適値があると理解さ
れる。なお本願発明において、電解液温度が５℃未満ま
たは５０℃を超える場合、周波数が１．０Ｈｚ未満また
は３０Ｈｚを超えた場合、および電流密度が２５ｍＡ／
cm2 未満または４５０ｍＡ／cm2 を超えた場合には、腐
食減量の増加にともなう静電容量の増大が低下し、エッ
チング効率が低下するため本願発明の効果は見られなく
なる。
０．１８から０．８５の範囲を超えるとエッチング効率
が低下する。適度の休止期を設けるとエッチング効率が
向上することから、この休止期中にエッチド箔表面やす
でに形成されているピット内壁および前の半波（Ｗ1 ）
により形成されたピット内壁に皮膜が形成され、後の半
波（Ｗ2 ）によるピットの拡大時において箔表面やピッ
ト内壁の弱点部が補修され、効率の良いピットの拡大を
可能にするものと理解される。また、この休止期中に印
加される電流は、０であることが好ましく、正側および
負側いづれでも最大振幅の１／１５を超えて電流を印加
するとエッチング効率が低下することからも休止期を設
けた効果が理解される。次に、前の半波の印加時間（以
下、ｔ1 ）と後の半波の印加時間（以下、ｔ2）の比
が、ｔ1 ／ｔ2 で０．５未満の時、または３．０を超え
て大きくなるとエッチング効率は低下する。これは前の
半波（Ｗ1 ）によるピットの開始伸長と後の半波
（Ｗ2 ）によるピットの拡大が効果的に起こるために
は、各々の半波の印加時間の比に最適値があると理解さ
れる。なお本願発明において、電解液温度が５℃未満ま
たは５０℃を超える場合、周波数が１．０Ｈｚ未満また
は３０Ｈｚを超えた場合、および電流密度が２５ｍＡ／
cm2 未満または４５０ｍＡ／cm2 を超えた場合には、腐
食減量の増加にともなう静電容量の増大が低下し、エッ
チング効率が低下するため本願発明の効果は見られなく
なる。
【０００６】
【実施例】以下、本願発明を実施例と比較例により具体
的に説明する。 実施例１ 純度９９．８６％、厚さ５０μm のアルミニウム箔の軟
質材を用い、塩酸を４．５wt％、リン酸を０．９ｗｔ
％、塩化アルミニウムを２．０ｗｔ％を含む電解液中で
４５℃にてエッチングした。交流電流として図１．Ａの
波形を使用し、ａ1 ／ａ2 ＝３．４５、ｔ1 ／ｔ2 ＝
２．６７、ｔ0 ／Ｔ＝０．４５、周波数を１５．０Ｈｚ
とし、電流密度を２８０mA／cm2 とした。次いで純水で
洗浄した後、アジピン酸アンモニウム水溶液中にて３Ｖ
の通常おこなわれている化成を行い、静電容量を測定し
た。 比較例１ 実施例１と同じアルミニウム箔および電解液を使用し、
４５℃にて交流電流として周波数３３．０Ｈｚの三角波
にて電流密度２８０ｍＡ／cm2 でエッチングし、実施例
１と同様の化成を行い静電容量を測定した。図２は、縦
軸に３Ｖ化成静電容量（μF ／cm2 ）を横軸に腐食減量
（ｇ／ｍ2）をとり、実施例１と比較例１とで得られる
エッチド箔の３Ｖ化成静電容量におけるエッチング効率
を示すグラフである。この図２を参照して、エッチング
効率を同一腐食減量で比較すると、実施例１の静電容量
は比較例１より高く、例えば腐食減量３０ｇ／ｍ2 で比
較すると、比較例１の９８μF ／cm2 に対し、実施例１
では１１３μF ／cm2 であった。
的に説明する。 実施例１ 純度９９．８６％、厚さ５０μm のアルミニウム箔の軟
質材を用い、塩酸を４．５wt％、リン酸を０．９ｗｔ
％、塩化アルミニウムを２．０ｗｔ％を含む電解液中で
４５℃にてエッチングした。交流電流として図１．Ａの
波形を使用し、ａ1 ／ａ2 ＝３．４５、ｔ1 ／ｔ2 ＝
２．６７、ｔ0 ／Ｔ＝０．４５、周波数を１５．０Ｈｚ
とし、電流密度を２８０mA／cm2 とした。次いで純水で
洗浄した後、アジピン酸アンモニウム水溶液中にて３Ｖ
の通常おこなわれている化成を行い、静電容量を測定し
た。 比較例１ 実施例１と同じアルミニウム箔および電解液を使用し、
４５℃にて交流電流として周波数３３．０Ｈｚの三角波
にて電流密度２８０ｍＡ／cm2 でエッチングし、実施例
１と同様の化成を行い静電容量を測定した。図２は、縦
軸に３Ｖ化成静電容量（μF ／cm2 ）を横軸に腐食減量
（ｇ／ｍ2）をとり、実施例１と比較例１とで得られる
エッチド箔の３Ｖ化成静電容量におけるエッチング効率
を示すグラフである。この図２を参照して、エッチング
効率を同一腐食減量で比較すると、実施例１の静電容量
は比較例１より高く、例えば腐食減量３０ｇ／ｍ2 で比
較すると、比較例１の９８μF ／cm2 に対し、実施例１
では１１３μF ／cm2 であった。
【０００７】実施例２ 純度９９．９８％、厚さ１００μm のアルミニウム箔の
軟質材を用い、塩酸を４．０ｗｔ％、リン酸を１．５ｗ
ｔ％、硝酸を０．６ｗｔ％、塩化アルミニウムを４．２
ｗｔ％含む電解液中で１８℃にてエッチングした。交流
電流として、図１．Ｂの波形を使用し、ａ1 ／ａ2 ＝
２．０、ａ3 ／a 1 ＝０．０２５、ｔ1 ／ｔ2 ＝１．４
０、ｔo ／Ｔ＝０．４０、周波数を５．０Ｈｚとした。
電流密度を１４０ｍＡ／cm2 でエッチングし、純水で洗
浄した後、アジピン酸アンモニウム水溶液中で２０Ｖの
通常おこなわれている化成を行った。 比較例２ 実施例２と同じアルミニウム箔および電解液を使用し、
１８℃にて交流電流として周波数１２．０Ｈｚの正弦波
にて、電流密度１４０ｍＡ／cm2 でエッチングし、実施
例２と同様の化成を行った。図３は、実施例２と比較例
２とで得られるエッチド箔の２０Ｖ化成静電容量におけ
るエッチング効率を比較するグラフである。この図３を
参照して、同一腐食減量で比較すると、実施例２の２０
Ｖ化成静電容量は比較例２の静電容量より高く、例えば
腐食減量９０ｇ／ｍ2 で比較すると、比較例２の３８μ
F ／cm2 に対して、実施例２は４２μF ／cm2 であっ
た。
軟質材を用い、塩酸を４．０ｗｔ％、リン酸を１．５ｗ
ｔ％、硝酸を０．６ｗｔ％、塩化アルミニウムを４．２
ｗｔ％含む電解液中で１８℃にてエッチングした。交流
電流として、図１．Ｂの波形を使用し、ａ1 ／ａ2 ＝
２．０、ａ3 ／a 1 ＝０．０２５、ｔ1 ／ｔ2 ＝１．４
０、ｔo ／Ｔ＝０．４０、周波数を５．０Ｈｚとした。
電流密度を１４０ｍＡ／cm2 でエッチングし、純水で洗
浄した後、アジピン酸アンモニウム水溶液中で２０Ｖの
通常おこなわれている化成を行った。 比較例２ 実施例２と同じアルミニウム箔および電解液を使用し、
１８℃にて交流電流として周波数１２．０Ｈｚの正弦波
にて、電流密度１４０ｍＡ／cm2 でエッチングし、実施
例２と同様の化成を行った。図３は、実施例２と比較例
２とで得られるエッチド箔の２０Ｖ化成静電容量におけ
るエッチング効率を比較するグラフである。この図３を
参照して、同一腐食減量で比較すると、実施例２の２０
Ｖ化成静電容量は比較例２の静電容量より高く、例えば
腐食減量９０ｇ／ｍ2 で比較すると、比較例２の３８μ
F ／cm2 に対して、実施例２は４２μF ／cm2 であっ
た。
【０００８】実施例３ 純度９９．９８％、厚さ７０μm のアルミニウム箔の軟
質材を用い、塩酸を４．５wt％、シュウ酸を０．９ｗｔ
％、硝酸を０．５ｗｔ％、塩化アルミニウムを２．０ｗ
ｔ％含む電解液中３５℃にてエッチングした。交流電流
として図１．Ｃの波形を使用し、ａ1 ／ａ2 ＝１．１
１、ａ3 ／a 1 ＝０．０３、ｔ1 ／ｔ2 ＝２．１３、ｔ
o ／Ｔ＝０．５３、周波数を１０．５Ｈｚとした。電流
密度２７６ｍＡ／cm2 でエッチングし、純水で洗浄した
後、アジピン酸アンモニウム水溶液中で４０Ｖの通常お
こなわれている化成を行った。 比較例３ 実施例３と同じアルミニウム箔および電解液を使用し、
３５℃にて交流電流として、周波数２４．０Ｈｚの単一
な三角波にて、電流密度２７６ｍＡ／cm2 でエッチング
し、実施例３と同様の化成を行った。図４は実施例３と
比較例３とで得られるエッチド箔の４０Ｖ化成静電容量
におけるエッチング効率を比較するグラフである。図４
を参照して、同一腐食量で比較すると、実施例３の４０
Ｖ化成静電容量は比較例３の静電容量より高く、腐食減
量５０ｇ／ｍ2 において、実施例３の静電容量は１０．
３μF ／cm2 と比較例３の９．０μF ／cm2 より高かっ
た。
質材を用い、塩酸を４．５wt％、シュウ酸を０．９ｗｔ
％、硝酸を０．５ｗｔ％、塩化アルミニウムを２．０ｗ
ｔ％含む電解液中３５℃にてエッチングした。交流電流
として図１．Ｃの波形を使用し、ａ1 ／ａ2 ＝１．１
１、ａ3 ／a 1 ＝０．０３、ｔ1 ／ｔ2 ＝２．１３、ｔ
o ／Ｔ＝０．５３、周波数を１０．５Ｈｚとした。電流
密度２７６ｍＡ／cm2 でエッチングし、純水で洗浄した
後、アジピン酸アンモニウム水溶液中で４０Ｖの通常お
こなわれている化成を行った。 比較例３ 実施例３と同じアルミニウム箔および電解液を使用し、
３５℃にて交流電流として、周波数２４．０Ｈｚの単一
な三角波にて、電流密度２７６ｍＡ／cm2 でエッチング
し、実施例３と同様の化成を行った。図４は実施例３と
比較例３とで得られるエッチド箔の４０Ｖ化成静電容量
におけるエッチング効率を比較するグラフである。図４
を参照して、同一腐食量で比較すると、実施例３の４０
Ｖ化成静電容量は比較例３の静電容量より高く、腐食減
量５０ｇ／ｍ2 において、実施例３の静電容量は１０．
３μF ／cm2 と比較例３の９．０μF ／cm2 より高かっ
た。
【０００９】実施例４ 純度９９．９８％、厚さ８０μｍのアルミニウム箔の軟
質材を用い、塩酸を９．０ｗｔ％、シュウ酸を０．４ｗ
ｔ％、硫酸を０．０８ｗｔ％、塩化アルミニウムを２．
０ｗｔ％含む電解液中で２５℃にてエッチングした。交
流電流として図１．Ｄの波形を使用し、ａ1 ／ａ2 ＝
０．６７、ｔ1 ／ｔ2 ＝１．０、ｔo ／Ｔ＝０．７、周
波数を７．０Ｈｚとした。電流密度を２７０ｍＡ／cm2
でエッチングし、純水で洗浄した後、アジピン酸アンモ
ニウム水溶液中で８０Ｖの通常おこなわれている化成を
行った。 比較例４ 実施例４と同じアルミニウム箔および電解液を使用し、
２５℃にて交流電流として周波数１０．５Ｈｚの単一な
台形波にて、電流密度１３２ｍＡ／cm2 でエッチング
し、実施例４と同様の化成を行った。図５は、実施例４
と比較例４とで得られるエッチド箔の８０Ｖ化成静電容
量におけるエッチング効率を比較するグラフである。図
５を参照して、同一腐食減量で比較すると、実施例４の
８０Ｖ化成静電容量は比較例４の静電容量より高く、腐
食減量７０ｇ／ｍ2 において、実施例４の静電容量は
５．７μF ／cm2 と比較例の５．０μF ／cm2 より１４
％高かった。
質材を用い、塩酸を９．０ｗｔ％、シュウ酸を０．４ｗ
ｔ％、硫酸を０．０８ｗｔ％、塩化アルミニウムを２．
０ｗｔ％含む電解液中で２５℃にてエッチングした。交
流電流として図１．Ｄの波形を使用し、ａ1 ／ａ2 ＝
０．６７、ｔ1 ／ｔ2 ＝１．０、ｔo ／Ｔ＝０．７、周
波数を７．０Ｈｚとした。電流密度を２７０ｍＡ／cm2
でエッチングし、純水で洗浄した後、アジピン酸アンモ
ニウム水溶液中で８０Ｖの通常おこなわれている化成を
行った。 比較例４ 実施例４と同じアルミニウム箔および電解液を使用し、
２５℃にて交流電流として周波数１０．５Ｈｚの単一な
台形波にて、電流密度１３２ｍＡ／cm2 でエッチング
し、実施例４と同様の化成を行った。図５は、実施例４
と比較例４とで得られるエッチド箔の８０Ｖ化成静電容
量におけるエッチング効率を比較するグラフである。図
５を参照して、同一腐食減量で比較すると、実施例４の
８０Ｖ化成静電容量は比較例４の静電容量より高く、腐
食減量７０ｇ／ｍ2 において、実施例４の静電容量は
５．７μF ／cm2 と比較例の５．０μF ／cm2 より１４
％高かった。
【００１０】前記、実施例１，２，３，４および比較例
１，２，３，４でエッチングした箔の折曲げ強度および
引張り強度を測定した。表１に示すように、この発明の
エッチング方法によれば、腐食減量が同じで、機械的強
度が同程度であっても静電容量の高い箔の製造が可能で
ある。
１，２，３，４でエッチングした箔の折曲げ強度および
引張り強度を測定した。表１に示すように、この発明の
エッチング方法によれば、腐食減量が同じで、機械的強
度が同程度であっても静電容量の高い箔の製造が可能で
ある。
【表１．】実施例１，２，３，４に示した交流電流波形
以外に方形波や、ひずみ波でも同じ効果が得られ、前の
半波（Ｗ1 ）と後の半波（Ｗ2 ）が異なった波形の組み
合わせでも同じ効果が得られた。
以外に方形波や、ひずみ波でも同じ効果が得られ、前の
半波（Ｗ1 ）と後の半波（Ｗ2 ）が異なった波形の組み
合わせでも同じ効果が得られた。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本願発明によれ
ば、半周期中に２つの半波を含み２つの半波間に振幅が
０ないし正側または負側に微小電流が最大振幅の１／１
５以内で印加される休止期を設けた交流電流をエッチン
グ電源として用いることによりエッチング効率の高い箔
の製造が可能となり、機械的強度を低下させることなし
に有効拡面倍率を高めることができる。また半周期中に
２つの半波を設け、交流電流の１サイクルのピット形成
過程を前段と後段とに分けてエッチング効率の向上を計
っているので、エッチング設備を２つに分ける必要がな
く、生産設備の合理化にも適している。本発明により製
造された箔は、陰極箔および低圧用陽極箔として電解コ
ンデンサの小型化に寄与するものである。
ば、半周期中に２つの半波を含み２つの半波間に振幅が
０ないし正側または負側に微小電流が最大振幅の１／１
５以内で印加される休止期を設けた交流電流をエッチン
グ電源として用いることによりエッチング効率の高い箔
の製造が可能となり、機械的強度を低下させることなし
に有効拡面倍率を高めることができる。また半周期中に
２つの半波を設け、交流電流の１サイクルのピット形成
過程を前段と後段とに分けてエッチング効率の向上を計
っているので、エッチング設備を２つに分ける必要がな
く、生産設備の合理化にも適している。本発明により製
造された箔は、陰極箔および低圧用陽極箔として電解コ
ンデンサの小型化に寄与するものである。
【図１Ａ】実施例１における交流電流波形を示す図
【図１Ｂ】実施例２における交流電流波形を示す図
【図１Ｃ】実施例３における交流電流波形を示す図
【図１Ｄ】実施例４における交流電流波形を示す図
【図２】実施例１と比較例１とで得られる箔の３Ｖ化成
静電容量におけるエッチング効率の比較
静電容量におけるエッチング効率の比較
【図３】実施例２と比較例２とで得られる箔の２０Ｖ化
成静電容量におけるエッチング効率の比較
成静電容量におけるエッチング効率の比較
【図４】実施例３と比較例３とで得られる箔の４０Ｖ化
成静電容量におけるエッチング効率の比較
成静電容量におけるエッチング効率の比較
【図５】実施例４と比較例４とで得られる箔の８０Ｖ化
成静電容量におけるエッチング効率の比較
成静電容量におけるエッチング効率の比較
【表１】
Claims (5)
- 【請求項１】 アルミニウム箔に塩素イオンを含有する
電解液中で交流電流を印加してエッチングする電解コン
デンサ用アルミニウム箔の製造方法において、前記交流
電流が正側および負側半周期中に、波形、振幅、印加時
間のいずれか１つまたはその全てが同じかまたは異なる
半波を２つ含み、かつ振幅が０ないし、正側または負側
に微小電流が最大振幅の１／１５以内で印加される休止
期を各々の半波の間に設けたことを特徴とする電解コン
デンサ用アルミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項２】 交流電流の半周期中の２つの半波が正弦
波、三角波、台形波、方形波、およびひずみ波のいずれ
かであり、前の半波の振幅と後の半波の振幅との比が
（前の半波の振幅）／（後の半波の振幅）で０．４から
４．０の範囲である請求項１記載の電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項３】 交流電流の半周期において前の半波の印
加時間と後の半波の印加時間の比が（前の半波の印加時
間）／（後の半波の印加時間）で０．５から３．０の範
囲である請求項１または２記載の電解コンデンサ用アル
ミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項４】 交流電流の半周期において、振幅が０な
いし、正側または負側に微小電流が最大振幅の１／１５
以内で印加される休止期を２つの半波の間に、（休止期
の時間）／（半周期の時間）で０．１８から０．８５ま
で設けた請求項１，２または３記載の電解コンデンサ用
アルミニウム箔のエッチング方法。 - 【請求項５】 電解液は塩素イオンを主成分として含
み、これにりん酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン，し
ゅう酸イオンなどを単独もしくは組み合わせて含む水溶
液であり、温度が５℃から５０℃の範囲であるこれら電
解液中で周波数が１．０Ｈｚから３０Ｈｚの範囲にて電
流密度が２５mA／cm2 から４５０mA／cm2 の範囲である
交流電流をアルミニウム箔に印加することを特徴とする
請求項１，２，３または４記載の電解コンデンサ用アル
ミニウム箔のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33241294A JP2802730B2 (ja) | 1993-12-28 | 1994-12-14 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34892993 | 1993-12-28 | ||
| JP5-348929 | 1993-12-28 | ||
| JP33241294A JP2802730B2 (ja) | 1993-12-28 | 1994-12-14 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235456A true JPH07235456A (ja) | 1995-09-05 |
| JP2802730B2 JP2802730B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=26574185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33241294A Expired - Lifetime JP2802730B2 (ja) | 1993-12-28 | 1994-12-14 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2802730B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007149759A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 |
| US7289314B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-10-30 | Showa Denko K.K. | Metal foil for capacitor, solid electrolytic capacitor using the foil and production methods of the foil and the capacitor |
| KR100988802B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2010-10-20 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 콘덴서용 금속박, 그 박을 이용한 고체 전해 콘덴서 및 그박과 콘덴서의 제조방법 |
| JP2014533894A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-12-15 | インテル コーポレイション | 電気化学コンデンサ用ナノマシン構造 |
| CN116752198A (zh) * | 2023-07-26 | 2023-09-15 | 深圳市凯琦佳科技股份有限公司 | 一种铝电解电容阳极箔的新型化成方法 |
-
1994
- 1994-12-14 JP JP33241294A patent/JP2802730B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7289314B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-10-30 | Showa Denko K.K. | Metal foil for capacitor, solid electrolytic capacitor using the foil and production methods of the foil and the capacitor |
| KR100988802B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2010-10-20 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 콘덴서용 금속박, 그 박을 이용한 고체 전해 콘덴서 및 그박과 콘덴서의 제조방법 |
| JP2007149759A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 |
| JP2014533894A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-12-15 | インテル コーポレイション | 電気化学コンデンサ用ナノマシン構造 |
| CN116752198A (zh) * | 2023-07-26 | 2023-09-15 | 深圳市凯琦佳科技股份有限公司 | 一种铝电解电容阳极箔的新型化成方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2802730B2 (ja) | 1998-09-24 |
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