JPH07235514A - ニッケル電極のパターン形成方法 - Google Patents
ニッケル電極のパターン形成方法Info
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- JPH07235514A JPH07235514A JP6028211A JP2821194A JPH07235514A JP H07235514 A JPH07235514 A JP H07235514A JP 6028211 A JP6028211 A JP 6028211A JP 2821194 A JP2821194 A JP 2821194A JP H07235514 A JPH07235514 A JP H07235514A
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- nickel
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/281—Auxiliary members
- H10W72/283—Reinforcing structures, e.g. bump collars
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ニッケル電極のパターンの形成方法に関し、
ニッケル残膜のないパターン形成方法の実用化を目的と
する。 【構成】 被処理基板１の上にコンタクトメタルとして
チタン膜２を、バリアメタルとしてニッケル膜３を層形
成した後、写真蝕刻技術を用いてニッケル膜３とチタン
膜２とを選択エッチングして端子電極のパターン形成を
行なう際に、被処理基板１を塩酸水溶液に浸漬してニッ
ケル膜３上に存在するニッケル酸化膜11を溶解除去し、
水洗洗浄を行なった後、このニッケル膜３を乾かすこと
なく、硝酸水溶液に浸漬し、露出しているニッケル膜３
を除去することを特徴としてニッケル電極のパターン形
成方法を構成する。
ニッケル残膜のないパターン形成方法の実用化を目的と
する。 【構成】 被処理基板１の上にコンタクトメタルとして
チタン膜２を、バリアメタルとしてニッケル膜３を層形
成した後、写真蝕刻技術を用いてニッケル膜３とチタン
膜２とを選択エッチングして端子電極のパターン形成を
行なう際に、被処理基板１を塩酸水溶液に浸漬してニッ
ケル膜３上に存在するニッケル酸化膜11を溶解除去し、
水洗洗浄を行なった後、このニッケル膜３を乾かすこと
なく、硝酸水溶液に浸漬し、露出しているニッケル膜３
を除去することを特徴としてニッケル電極のパターン形
成方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路などの半
導体デバイスが形成してあるチップの周辺にパターン形
成されているパッド（Pad)やバンプ(Bump)を構成するニ
ッケル(Ni)電極の形成方法に関する。
導体デバイスが形成してあるチップの周辺にパターン形
成されているパッド（Pad)やバンプ(Bump)を構成するニ
ッケル(Ni)電極の形成方法に関する。
【０００２】ＩＣやＬＳＩなどの集積回路は厚さが500
μm 程度の半導体基板（ウエハ）の上に薄膜形成技術,
写真蝕刻技術( フォトリソグラフィ),不純物イオン注入
技術などを用いて大きさが数 mm 角の集積回路をマトリ
ックス状に形成し、最後に素子間分離膜( フィールド酸
化膜) の位置でチョコレートブレークして多数の素子
（チップ）が作られている。
μm 程度の半導体基板（ウエハ）の上に薄膜形成技術,
写真蝕刻技術( フォトリソグラフィ),不純物イオン注入
技術などを用いて大きさが数 mm 角の集積回路をマトリ
ックス状に形成し、最後に素子間分離膜( フィールド酸
化膜) の位置でチョコレートブレークして多数の素子
（チップ）が作られている。
【０００３】こゝで、それぞれの素子の周辺には、この
素子を搭載する回路基板との回路接続を行なうために、
パッドやバンプが設けられている。すなわち、フリップ
チップ・タイプの素子の場合は、はんだバンプを回路基
板上にパターン形成されてあるパッドに位置合わせして
溶着し、また、ワイヤーボンディング・タイプの素子の
場合は素子の裏面を接着剤で回路基板の搭載位置に固定
した後、素子周辺にパターン形成してあるパッドと回路
基板の搭載位置の周辺にパターン形成してあるパッドと
を金（Au) 線またはアルミニウム(Al)線を用いてワイヤ
ボンディングすることにより回路接続が行なわれてい
る。
素子を搭載する回路基板との回路接続を行なうために、
パッドやバンプが設けられている。すなわち、フリップ
チップ・タイプの素子の場合は、はんだバンプを回路基
板上にパターン形成されてあるパッドに位置合わせして
溶着し、また、ワイヤーボンディング・タイプの素子の
場合は素子の裏面を接着剤で回路基板の搭載位置に固定
した後、素子周辺にパターン形成してあるパッドと回路
基板の搭載位置の周辺にパターン形成してあるパッドと
を金（Au) 線またはアルミニウム(Al)線を用いてワイヤ
ボンディングすることにより回路接続が行なわれてい
る。
【０００４】
【従来の技術】半導体基板上や回路基板上にパッドやバ
ンプを形成するためには、半導体基板や回路基板上にパ
ッド形成金属やバンプ形成金属を直接に形成することは
信頼性の面から適当ではなく、各種の金属を介在させて
いる。
ンプを形成するためには、半導体基板や回路基板上にパ
ッド形成金属やバンプ形成金属を直接に形成することは
信頼性の面から適当ではなく、各種の金属を介在させて
いる。
【０００５】すなわち、基板との間には接着性の向上が
可能な金属膜を介在させることが必要であり、また、ボ
ンディングを行なう金属との間にはこの金属の拡散を防
ぐための金属膜を介在させる必要がある。以下、半導体
基板上に“はんだバンプ”を形成する場合を例として説
明する。
可能な金属膜を介在させることが必要であり、また、ボ
ンディングを行なう金属との間にはこの金属の拡散を防
ぐための金属膜を介在させる必要がある。以下、半導体
基板上に“はんだバンプ”を形成する場合を例として説
明する。
【０００６】半導体素子の構成材料としてはシリコン
（Si) が多く使用されており、また、回路基板の構成材
料としてはアルミナ(Al2O3）が多く使用されている。然
し、これらの材料は何れもはんだ付けが可能な材料では
ない。
（Si) が多く使用されており、また、回路基板の構成材
料としてはアルミナ(Al2O3）が多く使用されている。然
し、これらの材料は何れもはんだ付けが可能な材料では
ない。
【０００７】そこで、Si基板の上に接着性を向上するコ
ンタクトメタルとしてチタン（Ti)やクローム(Cr)など
の薄膜をスパッタ法などにより膜形成し、次に、はんだ
と馴染みは良いものゝ合金を作りにくい金属であるニッ
ケル（Ni) や白金(Pt)などの薄膜をスパッタ法などによ
り膜形成して介在させている。
ンタクトメタルとしてチタン（Ti)やクローム(Cr)など
の薄膜をスパッタ法などにより膜形成し、次に、はんだ
と馴染みは良いものゝ合金を作りにくい金属であるニッ
ケル（Ni) や白金(Pt)などの薄膜をスパッタ法などによ
り膜形成して介在させている。
【０００８】いま、はんだとして最も一般に使用されて
いる鉛(Pb)-63 ％錫(Sn)を例にとれば、この合金の融点
は183 ℃であり、普通230 ℃程度の温度で“はんだ付
け”が行なわれているが、溶融状態では極めて活性であ
り、Tiと接触している場合は容易に合金を作って基板よ
り剥がれてしまう。
いる鉛(Pb)-63 ％錫(Sn)を例にとれば、この合金の融点
は183 ℃であり、普通230 ℃程度の温度で“はんだ付
け”が行なわれているが、溶融状態では極めて活性であ
り、Tiと接触している場合は容易に合金を作って基板よ
り剥がれてしまう。
【０００９】そこで、NiやPt膜を介在させて、はんだ合
金の拡散を防ぐものであり、この目的からこれらの金属
はバリアメタル（Barrier-metal)と言われている。そこ
で、“はんだバンプ”の形成法としては図３（Ａ）に示
すようにSi基板（被処理基板）１の上にコンタクトメタ
ルとしてTi膜２を、また、バリアメタルとしてNi膜３を
スパッタ法などにより連続的に膜形成した後、この上に
写真蝕刻技術を用いて“はんだバンプ”形成位置にバン
プの大きさにレジスト４をパターニングする。（以上同
図Ｂ） 次に、硝酸（HNO3）水溶液をエッチャントとして露出し
ているNi膜３を溶解除去し、（以上同図Ｃ）、次に、過
酸化水素（H2O2）と水酸化アンモニウム（NH4OH)との水
溶液をエッチャントとして露出しているTi膜２を溶解除
去し、（以上同図Ｄ）、次に、レジスト４を溶剤を用い
て除去することによりNi電極５が得られている。（以上
同図Ｅ） なお、図示を省略したが、以後の工程としてはSi基板１
の上に再びレジストを被覆した後、選択露光と現像を行
なってNi電極５のNi膜３のみを露出させ、電解メッキ法
によりNi膜を数μm の厚さに付けてバリアメタルを補強
した後、この上に“はんだメッキ”を施すことにより
“はんだバンプ”が形成されている。
金の拡散を防ぐものであり、この目的からこれらの金属
はバリアメタル（Barrier-metal)と言われている。そこ
で、“はんだバンプ”の形成法としては図３（Ａ）に示
すようにSi基板（被処理基板）１の上にコンタクトメタ
ルとしてTi膜２を、また、バリアメタルとしてNi膜３を
スパッタ法などにより連続的に膜形成した後、この上に
写真蝕刻技術を用いて“はんだバンプ”形成位置にバン
プの大きさにレジスト４をパターニングする。（以上同
図Ｂ） 次に、硝酸（HNO3）水溶液をエッチャントとして露出し
ているNi膜３を溶解除去し、（以上同図Ｃ）、次に、過
酸化水素（H2O2）と水酸化アンモニウム（NH4OH)との水
溶液をエッチャントとして露出しているTi膜２を溶解除
去し、（以上同図Ｄ）、次に、レジスト４を溶剤を用い
て除去することによりNi電極５が得られている。（以上
同図Ｅ） なお、図示を省略したが、以後の工程としてはSi基板１
の上に再びレジストを被覆した後、選択露光と現像を行
なってNi電極５のNi膜３のみを露出させ、電解メッキ法
によりNi膜を数μm の厚さに付けてバリアメタルを補強
した後、この上に“はんだメッキ”を施すことにより
“はんだバンプ”が形成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】集積回路の大容量化は
これを構成する単位素子の小形化により行なわれている
ことから、“はんだバンプ”も直径が180 μm 程度に小
形化しており、また、バンプ間の間隔も50μm 程度に狭
まってきている。
これを構成する単位素子の小形化により行なわれている
ことから、“はんだバンプ”も直径が180 μm 程度に小
形化しており、また、バンプ間の間隔も50μm 程度に狭
まってきている。
【００１１】こゝで、先に記したように“はんだバン
プ”の形成は図２（Ａ）に示すようにSi基板（被処理基
板）１の上にTi膜２とNi膜３を連続して形成した後、バ
ンプ形成位置にレジスト４を被覆し、（以上同図Ｂ）HN
O3水溶液を用いてNi膜３を選択エッチングしている。
プ”の形成は図２（Ａ）に示すようにSi基板（被処理基
板）１の上にTi膜２とNi膜３を連続して形成した後、バ
ンプ形成位置にレジスト４を被覆し、（以上同図Ｂ）HN
O3水溶液を用いてNi膜３を選択エッチングしている。
【００１２】然し、同図（Ｃ）に示すようにNi膜３の選
択エッチングに当たってNi残膜７が生じ易く、また、Ni
残膜７を無くそうとするとサイドエッチング８が激しく
なると云う問題がある。
択エッチングに当たってNi残膜７が生じ易く、また、Ni
残膜７を無くそうとするとサイドエッチング８が激しく
なると云う問題がある。
【００１３】そして、次に、Ti膜２のエッチングを行な
うとNi残膜７がそのまゝ残り、（以上同図Ｄ）、その結
果として“はんだバンプ”間の絶縁が不充分となり、信
頼性確保の面から解決が必要であった。
うとNi残膜７がそのまゝ残り、（以上同図Ｄ）、その結
果として“はんだバンプ”間の絶縁が不充分となり、信
頼性確保の面から解決が必要であった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の課題はSi基板の上
にコンタクトメタルとしてTi膜を、バリアメタルとして
Ni膜を層形成した後、写真蝕刻技術を用いてNi膜とTi膜
とを選択エッチングしてNi電極のパターン形成を行なう
際に、Si基板を塩酸（HCl)水溶液に浸漬してNi膜上に存
在するNi酸化膜を除去し、水洗洗浄を行なった後、Si基
板を乾かすことなく、HNO3水溶液に浸漬し、露出してい
るNi膜を除去することを特徴としてNi電極のパターン形
成方法を構成することにより解決することができる。
にコンタクトメタルとしてTi膜を、バリアメタルとして
Ni膜を層形成した後、写真蝕刻技術を用いてNi膜とTi膜
とを選択エッチングしてNi電極のパターン形成を行なう
際に、Si基板を塩酸（HCl)水溶液に浸漬してNi膜上に存
在するNi酸化膜を除去し、水洗洗浄を行なった後、Si基
板を乾かすことなく、HNO3水溶液に浸漬し、露出してい
るNi膜を除去することを特徴としてNi電極のパターン形
成方法を構成することにより解決することができる。
【００１５】
【作用】本発明はNi膜をHNO3水溶液に浸漬して選択エッ
チングを行なう際にNiの残膜を生ずる理由が酸化皮膜の
存在によると判った結果なされたものである。
チングを行なう際にNiの残膜を生ずる理由が酸化皮膜の
存在によると判った結果なされたものである。
【００１６】こゝで、Niを選択的に溶解する鉱酸として
はHNO3が用いられている。すなわち、HCl と硫酸(H2S
O4) は濃度に拘らず難溶であってエッチャントとしては
適さない。一方、HNO3は濃度が高い場合は不動態皮膜を
作るために不溶であるが、希HNO3溶液ではこの作用がな
いために易溶である。また、アルカリ水溶液には不溶で
ある。これらのことから、濃度を20％程度としたHNO3水
溶液がエッチャントとして用いられている。
はHNO3が用いられている。すなわち、HCl と硫酸(H2S
O4) は濃度に拘らず難溶であってエッチャントとしては
適さない。一方、HNO3は濃度が高い場合は不動態皮膜を
作るために不溶であるが、希HNO3溶液ではこの作用がな
いために易溶である。また、アルカリ水溶液には不溶で
ある。これらのことから、濃度を20％程度としたHNO3水
溶液がエッチャントとして用いられている。
【００１７】このように、希HNO3水溶液はNi金属に対す
るエッチャントとして優れているが、発明者は既に酸化
皮膜により覆われているNi金属に対しては均一溶解は不
可能であると推定した。すなわち真空蒸着法やスパッタ
法により得られるNi金属膜は微結晶の集合体よりなり、
膜形成後に大気に接していることから表面は酸化膜によ
り覆われており、かゝるNi金属膜を希HNO3水溶液に浸漬
する場合は粒界部分から反応が生じ、酸化膜の下側に沿
ってNi金属の溶解が進行する筈である。
るエッチャントとして優れているが、発明者は既に酸化
皮膜により覆われているNi金属に対しては均一溶解は不
可能であると推定した。すなわち真空蒸着法やスパッタ
法により得られるNi金属膜は微結晶の集合体よりなり、
膜形成後に大気に接していることから表面は酸化膜によ
り覆われており、かゝるNi金属膜を希HNO3水溶液に浸漬
する場合は粒界部分から反応が生じ、酸化膜の下側に沿
ってNi金属の溶解が進行する筈である。
【００１８】そのため、表面に酸化膜が存在する結晶粒
の大きさが大きい場合は希HNO3の循環が不充分なことか
ら、溶解速度が減少しNi残膜が発生すると推定した。そ
こで、本発明はNi膜の選択エッチングを行なう際、先
ず、HCl 水溶液に浸漬して表面の酸化膜を除去し、次
に、希HNO3水溶液に浸漬してNi膜のエッチングを行なう
ものである。
の大きさが大きい場合は希HNO3の循環が不充分なことか
ら、溶解速度が減少しNi残膜が発生すると推定した。そ
こで、本発明はNi膜の選択エッチングを行なう際、先
ず、HCl 水溶液に浸漬して表面の酸化膜を除去し、次
に、希HNO3水溶液に浸漬してNi膜のエッチングを行なう
ものである。
【００１９】但し、この際に必要なことはHCl 水溶液に
浸漬した後、洗浄を行なわずにHNO3水溶液に浸漬するこ
とは好ましくないことゝ、HCl 水溶液に浸漬して酸化皮
膜を溶解除去し、水洗洗浄を行なった後、乾燥させては
ならないことである。
浸漬した後、洗浄を行なわずにHNO3水溶液に浸漬するこ
とは好ましくないことゝ、HCl 水溶液に浸漬して酸化皮
膜を溶解除去し、水洗洗浄を行なった後、乾燥させては
ならないことである。
【００２０】すなわち、Niは最強の酸である王水に対し
ても不溶であるが、これはHNO3とHCl とH2O との反応に
より生ずる発生期の酸素(O) により不動態皮膜が形成さ
れるためであるが、HCl 付着の状態でHNO3水溶液に浸漬
すると同様な反応が生ずる可能性がある。また、HCl 水
溶液に浸漬して酸化皮膜を除去し、水洗洗浄を行なって
から乾燥させると、再び新しい酸化膜をNi膜上に形成さ
せることになる。
ても不溶であるが、これはHNO3とHCl とH2O との反応に
より生ずる発生期の酸素(O) により不動態皮膜が形成さ
れるためであるが、HCl 付着の状態でHNO3水溶液に浸漬
すると同様な反応が生ずる可能性がある。また、HCl 水
溶液に浸漬して酸化皮膜を除去し、水洗洗浄を行なって
から乾燥させると、再び新しい酸化膜をNi膜上に形成さ
せることになる。
【００２１】以上のことから、本発明はレジストをパタ
ーン形成した後、Si基板をHCl 水溶液に浸漬してNi膜上
に存在するNi酸化膜を除去し、水洗洗浄を行なった後、
Si基板を乾かすことなく、HNO3水溶液に浸漬してNiの選
択エッチングを行なうものである。
ーン形成した後、Si基板をHCl 水溶液に浸漬してNi膜上
に存在するNi酸化膜を除去し、水洗洗浄を行なった後、
Si基板を乾かすことなく、HNO3水溶液に浸漬してNiの選
択エッチングを行なうものである。
【００２２】
実施例１：（図１対応） Si基板（被処理基板）１の上に高周波スパッタ法により
Ti膜２とNi膜３をそれぞれ5000Åの厚さに連続して膜形
成した。( 以上同図Ａ） 次に、レジスト（品名ZPP3200-94CP) をSi基板１の上に
スピンコートし、紫外線の投影露光を行った後、現像し
てバンプ形成位置に直径が180 μm でピッチが230 μm
のレジストパターン10を形成した。( 以上同図Ｂ） 次に、濃HCl を１：１の比率で希釈した常温のHCl 水溶
液にSi基板１を２分間浸漬してNi酸化膜11を除去し、続
いて純水の流水中に１分間浸漬して洗浄した。（以上同
図Ｃ） 次に、Si基板１を乾かすことなく20％HNO3水溶液に浸漬
し、３分毎に揺動を加え乍ら12分間処理することによ
り、露出しているNi膜３を溶解し、続いて10分間に亙っ
て純水の流水中で洗浄して乾燥し、顕微鏡によりNi残膜
の有無を調べた。
Ti膜２とNi膜３をそれぞれ5000Åの厚さに連続して膜形
成した。( 以上同図Ａ） 次に、レジスト（品名ZPP3200-94CP) をSi基板１の上に
スピンコートし、紫外線の投影露光を行った後、現像し
てバンプ形成位置に直径が180 μm でピッチが230 μm
のレジストパターン10を形成した。( 以上同図Ｂ） 次に、濃HCl を１：１の比率で希釈した常温のHCl 水溶
液にSi基板１を２分間浸漬してNi酸化膜11を除去し、続
いて純水の流水中に１分間浸漬して洗浄した。（以上同
図Ｃ） 次に、Si基板１を乾かすことなく20％HNO3水溶液に浸漬
し、３分毎に揺動を加え乍ら12分間処理することによ
り、露出しているNi膜３を溶解し、続いて10分間に亙っ
て純水の流水中で洗浄して乾燥し、顕微鏡によりNi残膜
の有無を調べた。
【００２３】その結果、Ni残膜は存在せず、また、Ni電
極のサイドエッチングも認められなかった。（以上同図
Ｄ） 比較例１：実施例１と全く同様にしてSi基板１上にTi膜
２とNi膜３をそれぞれ5000Åの厚さに連続して膜形成
し、続いてバンプ形成位置にレジストパターン10を形成
した後、濃HCl を１：１の比率で希釈した常温のHCl 水
溶液にSi基板１を２分間浸漬してNi酸化膜11を除去し、
続いて純水の流水中に１分間洗浄し、乾燥した。
極のサイドエッチングも認められなかった。（以上同図
Ｄ） 比較例１：実施例１と全く同様にしてSi基板１上にTi膜
２とNi膜３をそれぞれ5000Åの厚さに連続して膜形成
し、続いてバンプ形成位置にレジストパターン10を形成
した後、濃HCl を１：１の比率で希釈した常温のHCl 水
溶液にSi基板１を２分間浸漬してNi酸化膜11を除去し、
続いて純水の流水中に１分間洗浄し、乾燥した。
【００２４】次に、このSi基板１を20％HNO3水溶液に浸
漬し、３分毎に揺動を加え乍ら12分間処理することによ
り、露出しているNi膜３を溶解させ、続いて10分間に亙
って純水の流水中で洗浄し乾燥し、顕微鏡によりNi残膜
の有無を調べた。
漬し、３分毎に揺動を加え乍ら12分間処理することによ
り、露出しているNi膜３を溶解させ、続いて10分間に亙
って純水の流水中で洗浄し乾燥し、顕微鏡によりNi残膜
の有無を調べた。
【００２５】その結果、Ni残膜は所々に存在しており、
Ni酸化膜11を除去した後に行なった乾燥期間中にNi酸化
膜が再生したことが判った。
Ni酸化膜11を除去した後に行なった乾燥期間中にNi酸化
膜が再生したことが判った。
【００２６】
【発明の効果】本発明の実施によりバンプ或いはパッド
の形成工程においてNi膜の選択エッチングの際に発生す
るNi残膜を無くすることができ、これによる絶縁不良を
無くすることができ、集積回路の信頼性を向上すること
ができる。
の形成工程においてNi膜の選択エッチングの際に発生す
るNi残膜を無くすることができ、これによる絶縁不良を
無くすることができ、集積回路の信頼性を向上すること
ができる。
【図１】 本発明に係る製造工程を示す断面図である。
【図２】 従来の製造工程を示す断面図である。
【図３】 Ni電極の製造工程を示す断面図である。
１ Si基板 ２ Ti膜 ３ Ni膜 ４ レジスト ５ Ni電極 ７ Ni残膜 10 レジストパターン 11 Ni酸化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理基板（１）の上にコンタクトメタ
ルとしてチタン膜（２）を、バリアメタルとしてニッケ
ル膜（３）を層形成した後、写真蝕刻技術を用いてニッ
ケル膜（３）とチタン膜（２）とを選択エッチングして
端子電極のパターン形成を行なう際に、 被処理基板（１）を塩酸水溶液に浸漬してニッケル膜
（３）上に存在するニッケル酸化膜(11)を溶解除去し、
水洗洗浄を行なった後、該ニッケル膜（３）を乾かすこ
となく、硝酸水溶液に浸漬し、露出しているニッケル膜
（３）を除去することを特徴とするニッケル電極のパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6028211A JPH07235514A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | ニッケル電極のパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6028211A JPH07235514A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | ニッケル電極のパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235514A true JPH07235514A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12242323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6028211A Withdrawn JPH07235514A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | ニッケル電極のパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235514A (ja) |
-
1994
- 1994-02-25 JP JP6028211A patent/JPH07235514A/ja not_active Withdrawn
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