JPH07235652A - Ｘ線イメージ捕獲エレメントおよびその製造方法 - Google Patents

Ｘ線イメージ捕獲エレメントおよびその製造方法

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JPH07235652A
JPH07235652A JP6328814A JP32881494A JPH07235652A JP H07235652 A JPH07235652 A JP H07235652A JP 6328814 A JP6328814 A JP 6328814A JP 32881494 A JP32881494 A JP 32881494A JP H07235652 A JPH07235652 A JP H07235652A
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JP6328814A
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Lothar S Jeromin
サイグフライド ジェロミン ロサー
Jr George D Robinson
デイヴィッド ロビンソン，ジュニア ジョージ
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EI Du Pont de Nemours and Co
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  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 放射線非検出領域、すなわち盲目領域を最小
化もしくは完全に回避できるＸ線イメージ捕獲エレメン
トを提供する。 【構成】 頂面および底面を有するベースプレートと；
該ベースプレートの頂面上に近接して配列されている複
数個の個別のアレイモジュールであって、各モジュール
が、少なくとも１つの他のモジュールに隣接されて配列
されて、二次元のモジュールモザイクを構成し、これら
モジュールの各々には、頂面と、前記ベースプレートの
頂面と隣接した底面とを有する誘電体基板、および該誘
電体基板の頂面に隣接して配列された複数のトランジス
タが設けられている、複数個の個別のアレイモジュール
と；前記複数のアレイモジュール上に配列され、入射放
射線のパターンを表わす電荷を生成できる連続的な放射
線検出層と；を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線イメージ（像）の
捕獲に関するもので、特に、連続した光導電層から構成
されたＸ線イメージ捕獲エレメントに関する。この光導
電層によって、入射Ｘ線放射パターンを、放射線パター
ンを表わす電荷のパターンに変換する。この光導電層を
ソリッドステートモジュールから成る二次元アレイ上に
形成し、このソリッドステートモジュールによって上記
電荷パターンを捕獲すると共に、これら放射線イメージ
のディジタル表示を記録する。
【０００２】なお、本明細書の記述は本件出願の優先権
の基礎たる米国特許出願第１７４，８６１号（１９９３
年１２月２９日出願）の明細書の記載に基づくものであ
って、当該米国特許出願の番号を参照することによって
当該米国特許出願の明細書の記載内容が本明細書の一部
分を構成するものとする。
【０００３】
【従来の技術】医療分野および工業分野においては、伝
統的に、銀ハロゲン化物を主成分とするフィルムシステ
ムを利用して、分析すべき物体を通過中に、像方向に減
衰されたＸ線のパターンを捕獲しているが、このような
フィルムを利用しないイメージ捕獲システムが導入され
ており、これによって、放射線像が形成されるまでの必
要な時間を短縮すると共に、フィルムの費用ならびに処
理を回避できる。シンチレータおよび他のＸ線感応デバ
イスを利用して、Ｘ線パターンを可視像に変換する。こ
れら可視像を、これに続く強調、分析、表示および記憶
のために電気信号パターンに変換する。さらに、最近に
おいては、ソリッドステートコンポーネントを利用し
て、Ｘ線パターンの捕獲をするシステムが開発されてい
る。一般に、このシステムには、Ｘ線感応性蛍光体、Ｘ
線インテンシファイヤ、または光導電材料が採用され、
これによって、Ｘ線パターンを電気信号パターンに変換
する。また、これらシステムには、一般に、ある面積を
有するＸ線イメージパターンを電気信号の対応のアレイ
に変換する動作が包含されており、次に、これら電気信
号を用いて、捕獲したイメージの可視ディスプレイを生
成している。これらシステムの大部分では、マイクロエ
レクトロニクスデバイスのアレイから構成された変換装
置を利用しており、製造プロセスでは、これらマイクロ
エレクトロニクスデバイスの歩留りが、アレイのサイズ
が増大するに伴って、劇的に縮減されるようになる。従
って、捕獲されるＸ線イメージパターンの最大寸法に
は、実際上、制限が生じてしまう。この結果として、Ｘ
線パターンを捕獲すると共に、このパターンの電気的表
示を発生するソリッドステートデバイスは、例えば、胸
部Ｘ線を捕獲するために用いられているような１４×７
インチまでの、標準のＸ線イメージフィールドのフルサ
イズを充分に捕獲できるような大きなサイズのものを容
易に製造できないようになる。
【０００４】また、このようなサイズにおける制限を克
服するための最近の努力結果としては、複数個の小さな
ソリッドステートＸ線検出器から、大きなソリッドステ
ートＸ線センサを組立てる技術が包含されており、これ
らＸ線検出器は、受入れ可能な歩留りで製造できてい
る。しかしながら、このような組立技術には、別の問題
点が生じてしまう。すなわち、これら小さな検出器の各
々の境界において、放射線非検出の盲目領域が導入され
てしまう問題点がある。例えば、米国特許第５，１０
５，０８７号に開示されているように、これら放射線検
出領域間の盲目の境界部分に、小さなソリッドステート
放射線検出器を積ねて充填している。また、米国特許第
４，８７３，７０８号に記載されている他のシステムに
おいては、１４×１７インチの寸法を有する光検出アレ
イを、１６個の独立したモジュラーチャージトランスフ
ァデバイスを以下のように配列して構成する。すなわ
ち、これらデバイスを、２列に、物理的に交互配列し、
電気的には対を成すようにし、一列を構成する個々のチ
ャージトランフファモジュールをオフセット状に整列さ
せるが、次の隣の列に関して、位置的にオーバーラップ
する関係で整列させる。このアレイを、捕獲すべきＸ線
パターンを横切って走査し、この走査には、以下のよう
な信号処理方法が利用される。すなわち、電気的信号
が、このアレイから次の処理のために出力されるまで、
チャージトランスファデバイスの列間で捕獲された電気
信号をストアすると共にシフトする処理である。さらに
古いシステム、例えば、米国特許第４，７５５，６８１
号に記載されているようなものでは、二次元パターンで
配列された複数個の独立した放射検出器および信号処理
回路を採用しており、この二次元パターンには、直線状
の放射線非検出ラインを回避するために、これら検出器
の列間に千鳥状ジョイントが設けられている。シングル
パターンおよびオーバーラップパターンを利用して、米
国特許第４，４６７，３４２号に記載されているよう
に、独立したソリッドステート放射線イメージ検出器の
アレイを形成している。これらすべての従来の方策は、
放射線非検出器または盲目領域を形成することなく、大
面積の放射線検出器を製造する時の問題点を解決するこ
とを要旨としている。しかしながら、いずれの従来例に
おいても、Ｘ線イメージ捕獲エレメントの放射線非検出
領域を除去することによる利点について考察または示唆
するものではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、前記
従来のＸ線イメージ捕獲エレメントにおける問題点を解
決して、放射線非検出領域、すなわち盲目領域を最小化
もしくは完全に回避できるＸ線イメージ捕獲エレメント
およびその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
になされた本発明の請求項１のＸ線イメージ捕獲エレメ
ントは、頂面および底面を有するベースプレートと；該
ベースプレートの頂面上に近接して配列されている複数
個の個別のアレイモジュールであって、各モジュール
が、少なくとも１つの他のモジュールに隣接されて配列
されて、二次元のモジュールモザイクを構成し、これら
モジュールの各々には、頂面と、前記ベースプレートの
頂面と隣接した底面とを有する誘電体基板、および該誘
電体基板の頂面に隣接して配列された複数のトランジス
タが設けられている、複数個の個別のアレイモジュール
と；前記複数のアレイモジュール上に配列され、入射放
射線のパターンを表わす電荷を生成できる連続的な放射
線検出層と；を有することを特徴とするものである。
【０００７】本発明の請求項２のＸ線イメージ捕獲エレ
メントは、前記請求項１のＸ線イメージ捕獲エレメント
において、前記各アレイモジュールの誘電体基板が矩形
形状であり、各誘電体基板の少なくとも１つの精密研磨
された端部によって、前記ベースプレートの頂面に対し
て、ほぼ平行な横方向の面内において、他の誘電体基板
の精密研磨された端部と精密な当接状態が構成されてい
ることを特徴とする。
【０００８】本発明の請求項３のＸ線イメージ捕獲エレ
メントは、前記請求項２のＸ線イメージ捕獲エレメント
において、前記各精密研磨された端部には、前記誘電体
基板の底面に隣接して配置されたベベル（bevel ）が設
けられていることを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項４のＸ線イメージ捕獲エレ
メントは、前記請求項１のＸ線イメージ捕獲エレメント
において、前記連続的な放射線検出層には、少なくとも
５００マイクロメータの厚さを有するシンチレーション
材料が設けられ、この材料は、ガドリウムオキシサルフ
ァイト、タングステン酸カルシウム、鉛で活性化された
ＢａＳｉＯ3 、ガドリウムまたはインジウムまたはこれ
らの組合せによって活性化されたＹＰＯ4 、鉛で活性化
されたＣａ2 ＺｉＳｉ4 Ｏ12、および鉛で活性化された
ＢａＺｎＳｉＯ2 からなる群から選択されていることを
特徴とする。
【００１０】本発明の請求項５のＸ線イメージ捕獲エレ
メントは、前記請求項１のＸ線イメージ捕獲エレメント
において、前記トランジスタは薄膜トランジスタであ
り、前記アレイモジュールの各々には、さらに、前記誘
電体基板の頂面に隣接して配列された複数の電荷蓄積コ
ンデンサが設けられ、これらコンデンサの各々は、これ
ら薄膜トランジスタの少なくとも１つに接続されている
ことを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項６のＸ線イメージ捕獲エレ
メントは、前記請求項５のＸ線イメージ捕獲エレメント
において、前記各電荷蓄積コンデンサには、前記誘電体
基板の頂面上に配置された導電性の外側マイクロプレー
トと、この外側マイクロプレート上に配列された誘電体
材料と、この外側マイクロプレートと対向して前記誘電
体材料上に配置された導電性の内側マイクロプレートと
が設けられていることを特徴とする。
【００１２】本発明の請求項７のＸ線イメージ捕獲エレ
メントは、前記請求項６のＸ線イメージ捕獲エレメント
において、前記各誘電体基板の頂面に隣接して配置さ
れ、各アレイモジュール内のトランジスタを電子的に活
性化するとともに、各アレイモジュール中の電荷蓄積コ
ンデンサを個々にアクセスする手段が、さらに設けられ
ていることを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項８のＸ線イメージ捕獲エレ
メントは、前記請求項７のＸ線イメージ捕獲エレメント
において、前記各アレイモジュール内の各トランジスタ
が、前記内側マイクロプレートの一方に接続されたソー
スと、前記活性化手段に接続されたドレイン、およびゲ
ートとを有する薄膜電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）で
あることを特徴とする。
【００１４】本発明の請求項９のＸ線イメージ捕獲エレ
メントは、前記請求項８のＸ線イメージ捕獲エレメント
において、前記活性化手段およびアクセス手段には；前
記各アレイモジュール内のトランジスタに沿って延在す
るとともに、隣接したトランジスタのゲートの各々に接
続された複数の個別の導電性アドレスラインと；これら
アドレスラインを横切る方向に前記各アレイモジュール
内のトランジスタに沿って延在すると共に、隣接したト
ランジスタのドレイン領域の各々に接続された複数の個
別の導電性センスラインと；が設けられていることを特
徴とする。
【００１５】本発明の請求項１０のＸ線イメージ捕獲エ
レメントは、前記請求項５のＸ線イメージ捕獲エレメン
トにおいて、前記薄膜トランジスタの半導体部分が、ア
モルファスシリコン、多結晶シリコン、結晶シリコンお
よびセレン化カドミウムからなる群から選択されている
ことを特徴とする。
【００１６】本発明の請求項１１のＸ線イメージ捕獲エ
レメントは、前記請求項１のＸ線イメージ捕獲エレメン
トにおいて、前記アレイモジュールに対向して前記放射
線検出層上に配置されるとともに、この検出層と同一平
面上に存在する連続的な誘電体層と；前記放射線検出層
に対向して前記誘電体層上に配置されるとともに、この
誘電体層と同一平面上に存在する連続的な頂面導電層
と；をさらに設けたことを特徴とする。
【００１７】本発明の請求項１２のＸ線イメージ捕獲エ
レメントは、前記請求項１１のＸ線イメージ捕獲エレメ
ントにおいて、前記連続的な放射線検出層が、セレン、
硫化カドミウム、酸化鉛および酸化水銀からなる群から
選択された材料を有することを特徴とする。
【００１８】本発明の請求項１３のＸ線イメージ捕獲エ
レメントは、前記請求項１１のＸ線イメージ捕獲エレメ
ントにおいて、前記連続的な誘電体層が、ポリエチレン
テレフタレートおよびポリキノリンからなる群から選択
された材料を有することを特徴とする。
【００１９】本発明の請求項１４のＸ線イメージ捕獲エ
レメントは、前記請求項１１のＸ線イメージ捕獲エレメ
ントにおいて、前記連続的な頂面導電性層が、インジウ
ム−錫酸化物、アルミニウム、金および銅からなる群か
ら選択された材料であることを特徴とする。
【００２０】また、本発明の請求項１５のＸ線イメージ
捕獲エレメントの製造方法は、ベースプレートの頂面上
のアッセンブリ中に、複数の個別のアレイモジュールを
隣接させる工程であって、前記各モジュールが少なくと
も１つの他のモジュールに隣接されて配置されて二次元
のモジュールのモザイクを形成し、これらモジュールの
各々は、頂面と前記ベースプレートの頂面に隣接して配
置された底部表面とを有する誘電体基板と、この誘電体
基板の頂面に隣接して配置された複数のトランジスタと
を有する、複数の個別のアレイモジュールを隣接させる
工程と；前記複数のアレイモジュール上に連続的な放射
線検出層を形成し、前記放射線検出層によって、入射放
射線のパターンを表わす電荷を発生させる工程と；を有
することを特徴とする。
【００２１】本発明の請求項１６のＸ線イメージ捕獲エ
レメントの製造方法は、前記請求項１５のＸ線イメージ
捕獲エレメントの製造方法において、前記アレイモジュ
ールの各々の誘電体基板が矩形形状であり、前記隣接さ
せる工程が、前記誘電体基板の各々の少なくとも１つの
端部を精密に切削および研磨するとともに、この各基板
の精密研磨した端部を、他の基板の精密研磨した端部に
対して、前記ベースプレートの頂面とほぼ平行な横方向
面内で当接することによって実行され、これによって、
これらアレイモジュール間の放射線非検出スペースを最
小限にすることを特徴とする。
【００２２】本発明の請求項１７のＸ線イメージ捕獲エ
レメントの製造方法は、前記請求項１６のＸ線イメージ
捕獲エレメントの製造方法において、前記切削および研
磨工程が、前記誘電体基板の底面に隣接する各精密研磨
した端部内にベベルを形成する工程を有することを特徴
とする。
【００２３】本発明の請求項１８のＸ線イメージ捕獲エ
レメントの製造方法は、前記請求項１５のＸ線イメージ
捕獲エレメントの製造方法において、前記連続的な放射
線検出層を形成する工程が、少なくとも５００マイクロ
メータの厚さを有するシンチレーション材料の層をコー
ティングすることによって実行され、この材料は、ガド
リウムオキシサルファイド、タングステン酸カルシウ
ム、鉛で活性化されたＢａＳｉＯ3 、ガドリウムまたは
インジウムまたはこれらの組合せによって活性化された
ＹＰＯ4 、鉛で活性化されたＣａ2 ＺｉＳｉ4 Ｏ12、お
よび鉛で活性化されたＢａＺｎＳｉＯ2 からなる群から
選択されることを特徴とする。
【００２４】本発明の請求項１９のＸ線イメージ捕獲エ
レメントの製造方法は、前記請求項１５のＸ線イメージ
捕獲エレメントの製造方法において、前記アレイモジュ
ールに対向して前記放射線検出層上に配置されるととも
に、該放射線検出層と同一平面上に存在する連続的な誘
電体層を形成する工程と；前記放射線検出層に対向して
前記誘電体層上に配置されるとともに、該誘電体層と同
一平面上に存在する連続的な頂面導電層を形成する工程
とを、さらに有することを特徴とする。
【００２５】本発明の請求項２０のＸ線イメージ捕獲エ
レメントの製造方法は、前記請求項１９のＸ線イメージ
捕獲エレメントの製造方法において、前記連続的な放射
線検出層を形成する工程が、少なくとも５０マイクロメ
ータの厚さを有する材料の層を堆積させることによって
実行され、この層の材料は、セレン、硫化カドミウム、
酸化鉛および酸化水銀からなる群から選択されることを
特徴とする。
【００２６】本発明の請求項２１のＸ線イメージ捕獲エ
レメントの製造方法は、前記請求項１９のＸ線イメージ
捕獲エレメントの製造方法において、前記連続した誘電
体層を形成する工程が、ポリエチレンテレフタレートの
層をラミネートするか、またはポリキノリンの層をコー
ティングすることによって実行されることを特徴とす
る。
【００２７】本発明の請求項２２のＸ線イメージ捕獲エ
レメントの製造方法は、前記請求項１９のＸ線イメージ
捕獲エレメントの製造方法において、前記連続的な頂面
導電性層を形成する工程が、インジウム−錫酸化物、ア
ルミニウム、金および銅からなる群から選択された材料
を蒸着することによって実行することを特徴とする。
【００２８】
【作用】前記したように、本発明は、大面積のＸ線イメ
ージ捕獲エレメントを有し、このエレメントは、ベース
プレートの頂部表面上のアッセンブリ内に、複数の個別
のアレイモジュールを隣接させることによって製造さ
れ、これは、各モジュールが少なくとも１つの他のモジ
ュールに隣接して配置されて、モザイクの二次元モザイ
クを構成することによって実現する。これら個別のモジ
ュールの各々には、複数の薄膜トランジスタが設けら
れ、これら薄膜トランジスタは誘電体基板の頂面に隣接
して配列されており、少なくとも１個の精密研磨された
端部によって他の基板の精密研磨された端部と共に精密
な当接部を構成する。連続的な放射線検出層を前述の複
数の隣接したモジュール上に配置すると共に、この検出
層によって、電荷の形態の放射線潜像を生成する。この
ような方法によれば、放射線非検出、すなわち盲目領域
を最小化または完全に回避でき、この盲目領域は、アレ
イモジュール間の境界部に形成される。
【００２９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
【００３０】（実施例１）図１は、イメージ捕獲エレメ
ント９を表わし、このエレメント９によって、イメージ
状に変調された放射線パターンを、イメージ状に変調さ
れた放射線を表わす複数の電荷に変換することができ
る。本発明によれば、電荷を検出するために、少なくと
も２つの隣接したアレイモジュール１７を、ベースプレ
ート１３上に連続的に配置して、上述のイメージ捕獲エ
レメント９を構成する。このベースプレート１３は、例
えば、ガラスプレートまたは、サラミックやカーボンフ
ァイバを積層したものを合成して形成される。これらア
レイモジュール１７は、突合せ継手１２が２つの隣接し
たアレイモジュール１７の隣接した端部間に設けられる
ように配置する。アレイモジュール１７の各々には、誘
電体基板１５が設けられており、この基板１５には少な
くとも２つのベベル（斜面）構造の端部、複数のトラン
ジスタ／コンデンサピクセル１９および後で詳しく説明
するような電子的アドレス／読出し手段が設けられてい
る。ここで本明細書で使用する用語“ピクセル”とは、
放射線パターンの分解可能な最小部分を規定するものと
して使用する。トランジスタ／コンデンサピクセル１９
が形成されるべき誘電体基板１５を以下のように製造す
る。基板１５の各々の２つの側面（角部に隣接してい
る）を、９０度±４秒の交差角度で精密に研磨する。基
板１５の各々のこれら端部を、それの頂部表面に垂直な
方向に９０度±４秒の角度で研磨する。３０度ベベルを
各基板１５の底面上で、これら基板１５が隅切りされる
端部に沿って研磨され、これによってこれら基板１５間
の接点の表面積を減少させる。マット処理したすべての
端部を、例えばＭｉｃｒｏ−Ｇｒｉｔのような４０ミク
ロンのラッピングコンパウンドを用いて一緒にラッピン
グする。
【００３１】本発明の主な特徴点は、複数個のアレイモ
ジュール１７上に形成された、連続的な放射線検出材料
層１４であり、これによって、入射されたＸ線放射を検
出できる単一の連続手段が得られるようになる。このよ
うな層の連続した特性によって、従来の大面積のソリッ
ドステート検出器アレイ中に放射線非感応材料の境界部
によって形成される放射線非感応または盲目領域のすべ
てを除去する。また、追加の放射線検出器を用いて放射
線非検出部分を傾斜または屋根板（shingle ）手段によ
って重ね合せる必要を無くす。第１実施例においては、
放射線検出器層１４を、極めて高い暗抵抗値を有すると
共に、光導電性を呈するあらゆる材料を有する光導電性
材料とする。すなわち、Ｘ線放射に曝した場合に、この
光導電性材料は、このような暴露が無い場合に比べて抵
抗値が低下する性能を呈することを意味する。このよう
に選択した特別なタイプの放射線検出材料は、さらに、
所望の電荷発生効率、電荷伝送特性、および所望の製造
しやすさに依存するようになる。硫化カドミウム、ヨー
化水銀、または酸化鉛を利用できるが、セレンは好適な
材料の１つである。
【００３２】（実施例２）図２は、本発明の他の実施例
を表わし、ここでは放射線検出層１４ａとしてシンチレ
ーション材料が選択されている。このシンチレーション
材料によって、入射した放射線を可視光に変換して、放
射線パターンを検出し、このパターンを本例ではトラン
ジスタ／フォトダイオードピクセル１９ａの手段によっ
て複数の電荷に変換している。本実施例の場合に、複数
のトランジスタ／フォトダイオードピクセル１９ａを上
述のトランジスタ／コンデンサピクセル１９の代りに採
用する。これらフォトダイオードは、アモルファスシリ
コンのｐ型にドープした層とｎ型にドープした層との間
に堆積したアモルファスまたは多結晶シリコンの層を用
いて形成される。これら電荷をドープした層の代表的な
厚さは、２５〜１００ナノメータであり、アモルファス
または多結晶シリコン層は代表的に１ミクロン厚で、こ
の厚さは、シンチレーション材料層１４ａ内で発生す
る、すべてのフォトンを吸収できる厚さである。周知の
ように、フォトダイオード中の様々な層の厚さを調整す
ることによって、電荷の捕獲を最大にすることができ、
これは、シンチレーション放射検出材料のスペクトル放
射の波長に依存するようになる。Ｘ線に対して透過性で
あり、好適には、インジウム／錫酸化物である導電材料
を、さらに堆積させることによって、電気的な読出しが
可能となる。放射線検出用シンチレーション材料として
は、以下のグループから選択できる。すなわち、ガドリ
ウムオキシサルファイド、タングステン酸カルシウム、
鉛で活性化したＢａＳｉＯ3 、ガドリウム、インジウム
またはこれらを組合せたもので活性化したＹＰＯ4 、鉛
で活性化したＣａ2 ＺｒＳｉ4 Ｏ12、および鉛で活性化
したＢａＺｎＳｉＯ2 から選択することが好ましい。こ
の放射線検出層１４ａの代表的な厚さは、５００ミクロ
ンで、この材料を、湿式化学的コーティング技術、好適
にはブレードコーティングによって、５．３ｇ／ｃｍ3
より大きくない密度で、塗布する。この放射線検出用シ
ンチレーション材料を適当なバインダによって分散さ
せ、このバインダから放射された光を有害なために吸収
しないように選択する。これらのバインダとしては、ポ
リビニルブチル、ポリビニルアルコールのナトリウムｏ
−サルフォベンズアルデヒドアセタールおよびポリウレ
タンエラストマーが包含されている。好適なバインダの
一つには、アクリル酸およびメタクリル酸を有するアル
キルアクリレートおよびアルキルメタクリレートの共重
合体が含まれている。
【００３３】図１において、放射線検出層１４を、蒸着
技術を用いて、複数のアレイモジュール１７上に設け、
この層の厚さは、入射Ｘ線を吸収するのに十分な厚みを
有するか、または、放射線検出が高効率で達成できるよ
うな大きな部分を有する。アモルファス合金も利用でき
るが、ヒ素の重量比で約１％を有する部分的に結晶化し
たセレン／ヒ素合金を用いて、均一な層の厚さを形成す
る。アレイモジュール１７と堆積したセレン層との間
に、接着層を採用せず、このセレン層は、１５０〜４０
０マイクロメータオーダの厚みが達成されるまで堆積さ
れる。当業者には周知のように、所期の応用に適用する
ために、合金の内容、堆積形状、硬化および基板温度、
真空圧、基板のクリーニングおよび焼入手順を変化させ
て、最適化されたセレンの光導電層を生成する必要があ
る。例えば、米国特許第４，７７０，９６５号を参照さ
れたい。また、上述のプロセスを変更して、セレン層の
放射線検出特性を最適化することもできる。しかしなが
ら、このようなことによって、放射線検出材料１４の連
続した層の前記利点を損うものではない。この連続した
層によって、入射Ｘ線を検出する単一の連続した手段が
得られる。これが本発明の特徴である。
【００３４】この連続した放射線検出層１４を形成した
後で、誘電体層１６をアレイモジュール１７に対向した
検出層１４の頂面上に付加する。これには、例えば、ス
ピン、デップ、またはブレードコーティングのようなラ
ミネーションおよび紫外線硬化性接着プロセスまたは湿
式コーティングプロセスを利用することが好ましい。本
発明の好適な一実施例によれば、この誘電体層１６は、
１０ミクロン以上の厚さを有するポリエチレンテレフタ
レート（Ｍｙｌａｒ；登録商標）の層を有する。という
のは、この材料はラミネーション（積層）プロセスに好
適であることが知られているからである。また、湿式ブ
レードコーティングプロセスの変形例としては、ポリキ
ノロンが好適材料である。例えば、インジウム−錫酸化
物、アルミニウム、金、銅、または他の導電材料などの
ほとんどＸ線放射線に透明な導電材料からなる最終頂面
層８１を、周知のスパッタリングまたは蒸着技術を駆使
して、前記誘電体層１６上に形成する。
【００３５】図３は、誘電体基板１５上に配置された複
数個のピクセル間から形成された単一のトランジスタ／
コンデンサピクセル１９を表わす。図４において番号８
で表わされている各ピクセル１９のコンデンサは、複数
個の独立した微細な導電性外側マイクロプレート１８ｎ
（すなわち、１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，…，１８ｎ）か
ら形成されている。このマイクロプレート１８ｎは、上
述したピクセルを、すなわち、トランジスタ／コンデン
サピクセル１９によって分解可能な最小の画素を規定で
きる寸法を有するアルミニウムから製造されるのが好ま
しい。各マイクロプレート１８ｎは、不図示の導電線に
よって設置されている。これら複数の外側マイクロプレ
ート１８ｎ上には、例えば、二酸化シリコンまたは窒化
シリコンのような容量性誘電体材料５９を設ける。ま
た、例えば、アルミニウムやインジウム−錫酸化物のよ
うな金属の極めて薄いフィルムから好ましくは形成され
る複数の内側マイクロプレート４ｎ（すなわち、４ａ，
４ｂ，４ｃ，…，４ｎ）を誘電体材料５９上に設けて、
コンデンサ８を完成する。この内側マイクロプレート４
ｎがアルミニウムで製造された場合に、一般にアルミニ
ウム酸化物からなる電荷阻止層１０を、これら内側マイ
クロプレート４ｎの頂面上に設ける。これら層４ｎ，１
０および１４を組合せたものは、ブロッキングダイオー
ドとして振舞い、このダイオードによって一方向の電荷
の流れの１つのタイプを禁止する。この電荷阻止層１０
は、電荷の漏洩を防止するのに十分な厚さ、すなわち、
代表的には１００オングストロームより厚い値を有する
必要がある。
【００３６】図４には、導電性電極、すなわちＸ１，Ｘ
２，…，Ｘｎアドレスライン１１および導電性電極、す
なわちＹ１，Ｙ２，…，Ｙｎセンスライン３３が図示さ
れており、これらライン１１，３３は、トランジスタ／
コンデンサピクセル１９間のスペースにおいて、互いに
ほぼ直交して配列されている。これらＸｎアドレスライ
ン１１は、これら図には特に示していないリード線やコ
ネクタを介して個々にアクセス可能であり、このアレイ
１７の側面または端部に沿ってアクセスできるようにな
っている。Ｙｎライン１３の各々は、また電荷増幅検出
器３６に接続されており、この検出器３６によって、こ
のような電荷に比例した出力電圧を発生する。これらの
電荷増幅検出器３６の出力を順次サンプリング処理して
出力信号を得る技術およびこれら電荷増幅検出器３６を
形成する技術は、当業者には周知なものである。
【００３７】さらに、図４には、各マイクロプレート４
ｎをＸｎライン１１に接続するトランジスタ５を表わ
す。各トランジスタ５は、一般に電界効果トランジスタ
ＦＥＴを有している。このＦＥＴには、好適には、水素
化されたアモルファスシリコン層６と、絶縁層９９と、
Ｘｎアドレスライン１１に接続されたゲート５５と、２
つの導電性電極とが設けられている。一方の導電性電極
５３は、Ｙｎセンスライ３３に接続されたトランジスタ
のドレインであり、他方の電極５４は、内側マイクロプ
レート４ｎに接続されたトランジスタのソースである。
このトランジスタ５は、双方向スイッチとして作用し、
これらスイッチによって、Ｙセンスライン１３と電荷蓄
積コンデンサ８との間で、バイアス電圧がＸｎアドレス
ライン１１を介してゲート５５に印加されるか否かによ
って、電流を流すことができる。このトランジスタ５
は、多結晶シリコン、結晶シリコンまたはセレン化カド
ミウムをその半導体性材料層６に用いることによって製
造でき、また、このトランジスタ５をパッシベーション
層９８で包囲して、誘電体基板層１５を用いるか、また
は追加の層を用いて、低エネルギー放射線からシールド
する。本発明の目的からすると、低エネルギー放射線と
は、紫外線、赤外線または可視光線を意味するが、Ｘ線
およびガンマ放射線を除外する。また、これらトランジ
スタ５、電荷蓄積コンデンサ８、フォトダイオード、内
側マイクロプレート４ｎおよび外側マイクロプレート１
８ｎを製造する技術は、当業者には周知なものであり、
例えば、１９８８年にＡｄｄｉｓｏｎ−Ｗｅｓｌｅｙ社
から発行の、Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｔｏ Ｍｉｃ
ｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ
の第５巻“Ｍｏｄｕｌａｒ Ｓｅｒｉｅｓ ｏｎ Ｓｏ
ｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ”（Ｒ，Ｃ，Ｊａ
ｅｇｅｎ著）に記載されている。
【００３８】（実施例３）図５には、４つのアレイモジ
ュール１７を一緒に配列して形成された、より大きなイ
メージ捕獲エレメント９が表示されている。このような
アプローチを利用して、例えば、４つの７×８．５イン
チのアレイを組合せて、単一の１４×１７インチのイメ
ージ捕獲エレメント９が形成される。数個のトランジス
タ／コンデンサピクセル１９が、４つのアレイモジュー
ル１７の交差部付近に図示されている。これらトランジ
スタ／コンデンサピクセル１９の一列が、合口（受面）
処理（abutment process）によって効果的に除去される
場合において、放射線パターン情報のこの列を、これら
トランジスタ／コンデンサピクセル１９の隣接した、影
響を受けていない列からの補間処理によって置換する。
このような情報の損失が、これらトランジスタ／コンデ
ンサピクセル１９の単一列のものより大きくならないよ
うにされる。これは、これらトランジスタ／コンデンサ
ピクセル１９の物理的寸法とアレイ基板１５の精密なラ
ッピング（lapping ）との組合せのためである。また、
大規模なアレイを組立てる前に、単一のアレイモジュー
ルを最終的に製造するような大規模アレイを形成する他
のアプローチにおいて、放射線検出層を不連続とし、こ
れらアレイの当接端部において、この放射線検出層の端
部のそぎ処理（feathering）のために、放射線パターン
情報の１つ以上の列の情報が失われてしまう。
【００３９】しかしながら、直線補間を利用して、他の
方法でも適用できるようになる。アレイモジュール１７
の電子的アドレス手段４４を、これらモジュール１７の
各々から分離し、これら電子手段４４によって、個々の
トランジスタ／コンデンサピクセル１９をアドレス処理
する。また、この手段をライン４３を経て中央制御ユニ
ット４２に電子的に接続する。この制御ユニット４２に
よって、これらトランジスタ／コンデンサピクセル１９
のゲートに順次電子的にアクセスできるようになるとと
もに、アレイモジュール１７へ同時に電子的にアクセス
でき、これによって読出時間を短縮できる。電子的信号
読出手段４１を、これらトランジスタ／コンデンサピク
セル１９に接続するとともに、ライン４５を経てマルチ
プレックスモジュール４０にも接続する。このマルチプ
レックスモジュール４０を、中央制御ユニット４２にも
接続し、この制御ユニット４２によって、トランジスタ
／コンデンサピクセル１９への制御信号を供給し、電荷
蓄積コンデンサ８の各々から、イメージ状に変調された
入射Ｘ線パターンの強度を表わす信号を受信する。４個
以上のアレイモジュールを、このような当接様式（abut
ting fashion）で組立てる必要がある場合に、アレイモ
ジュールの外側端部に形成された接続部分を用いて、こ
れらアドレス手段を変化させる必要があり、これは例え
ば、６個のアレイモジュールからなるパターン内におけ
る２個の内側アレイモジュールである最も内側のアレイ
モジュールをアクセスするためである。このような状況
の下で、貫通孔またはビア接続部分を、これら内側アレ
イの各端部に形成し、これらビアを基板１５の底部まで
延在させ、イメージエレメント９の電子的アクセス可能
な裏面に出射させる。
【００４０】（実施例４）図６には、前面部材２３およ
び裏面部材２４によって構成された電子カセット２０の
基本的な特徴が表わされており、これら部材を利用し
て、例えば４つのアレイモジュール１７を有するＸ線イ
メージ捕獲エレメント９を収納する。中央制御ユニット
４２によって、電源３８からの電力をＸ線イメージ捕獲
エレメント９に供給し、また、このＸ線イメージ捕獲エ
レメント９に組合わされたアドレス電子回路４４と読出
電子回路４１のすべてを作動させる。入射した放射線を
このＸ線イメージ捕獲エレメント９によって複数の電荷
に変換する。Ｘ線センサ５８によって、Ｘ線放射の無い
状態に続くＸ線が存在する状態を検知すると、これら複
数の電荷をディジタル処理するプロセスが、Ｘ線イメー
ジ捕獲エレメント９内で開始する。これら複数の電荷を
読出回路４１で変換して、複数個のディジタルイメージ
エレメント値を発生させ、これら値を電子メモリ蓄積手
段３５に輸送する。このメモリ蓄積手段３５を、ソリッ
ドステートメモリ回路または電子カセット２０内に配置
した小型の磁気的または光学的ディジタルレコーダで構
成できる。また、このメモリ蓄積手段３５に記憶した放
射線イメージを読出したい時には、ディジタル化したイ
メージエレメント値を中央制御回路４２に送給し、次
に、この電子カセット２０のコネクタ２８に送給する。
これらディジタル処理したイメージエレメント値をメモ
リ中に蓄積した後で、中央制御ユニット４２によって、
イメージ捕獲エレメント９を、次の放射線イメージを捕
獲する準備として消去する。
【００４１】図７は、上述したイメージ捕獲エレメント
９の使用方法を示す。イメージ捕獲エレメント９を内蔵
するカセット２０を、オペレータ、通常は、医療技師に
よって、第１の位置に配置する。この第１の位置は、標
準的なスクリーンフィルムカセットを用いて、第１のイ
メージ状に変調されたＸ線パターンを受信するのに最も
適した位置である。ターゲット６１、すなわち、医学的
診断撮影の場合には、患者を、Ｘ線放射源６３から放射
されたＸ線ビーム路６５中に配置する。このターゲット
６１を通って出射される放射線が、イメージ状に強度変
調される。これは、ターゲット６１内でのＸ線吸収度に
おける差異が存在するためである。このイメージ状に変
調された放射線のパターンを捕獲し、このカセット２０
内に収納されたイメージ捕獲エレメント９によって、ス
トアする。
【００４２】図８には、コネクタ２８を利用してカセッ
ト２０から得られたディジタル処理された画像エレメン
ト値がライン１４０を介して外部のコンピュータ１４４
に送給されるのが示されている。特に、コンピュータ１
４４によって、この信号が適当な蓄積手段に送給され
る。この蓄積手段としては、ホストコンピュータ内に設
けた内部ＲＡＭメモリ、または長期保存メモリ１４２ま
たは両者を利用できる。処理において、放射線イメージ
を表わすデータを再構成して入射した放射線のパターン
を表示し、これらデータを種々のイメージ処理すること
もできる。例えば、フィルタ処理、ディジタルデータを
永久的に記録するための多種類の外部システムによるコ
ントラスト強調処理、およびこれらデータを変更して解
釈すると共に、ディジタル画像エレメント値を再構成し
て可視像を得る処理がある。また、これらデータを、中
間観察用にＣＲＴ１４６上に表示することもでき、プリ
ンタ１４８を駆使して、ハードコピー１５０をとった
り、またはテレラジオグラフィを利用して、遠隔地の読
出地点まで送信することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＸ線イメージ捕獲エレメントの一
部分の縦断面図である。
【図２】本発明の他の実施例のＸ線イメージ捕獲エレメ
ントの一部分の縦断面図である。
【図３】電荷検出アレイの縦断面図である。
【図４】本発明の電荷検出アレイの頂面図である。
【図５】本発明によるＸ線イメージ捕獲エレメントの頂
面図である。
【図６】本発明によるＸ線イメージ捕獲エレメントを内
蔵した電子カセットの斜視図である。
【図７】本発明によるＸ線イメージ捕獲エレメントを用
いた構成を示す展開図である。
【図８】本発明によるＸ線イメージ捕獲エレメントを用
いた放射線イメージ捕獲／表示構成のブロックダイヤグ
ラムである。
【符号の説明】
４ｎ 内側マイクロプレート ５ トランジスタ ６ 半導体材料 ８ 電荷蓄積コンデンサ ９，９ａ Ｘ線イメージ捕獲エレメント １０ 電荷阻止層 １１ アドレスライン １２ 突合せ継手 １３ ベースプレート １４，１４ａ 放射線検出材料層 １５ 誘電体基板 １６ 誘電体層 １７ アレイモジュール １８ｎ 外側マイクロプレート １９，１９ａ トランジスタ／コンデンサピクセル ２０ 電子カセット ２３ 前面部材 ２４ 裏面部材 ２８ コネクタ ３３ センスライン ３５ 電子メモリ蓄積手段 ３６ 電荷増幅検出器 ３８ 電源 ４０ マルチプレックスモジュール ４１ 電子的信号読出手段 ４２ 中央制御ユニット ４３，４５ ライン ４４ 電子的アドレス手段 ５３，５４ 電極 ５５ ゲート ５８ Ｘ線センサ ５９ 容量性誘電体材料 ６１ ターゲット ６３ Ｘ線放射線源 ６５ Ｘ線ビーム路 ８１ 最終頂面層 ９８ パッシベーション層 ９９ 絶縁層 １４０ ライン １４２ 長期保存メモリ １４４ 外部コンピュータ １４６ ＣＲＴ １４８ プリンタ １５０ ハードコピー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 31/09 // Ｈ０１Ｊ 29/38 8326−5Ｅ Ｈ０１Ｌ 31/10 7630−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ 31/10 Ａ (72)発明者 ジョージ デイヴィッド ロビンソン，ジ ュニア アメリカ合衆国 08080 ニュージャージ ー州 セーウェル ウエスト ハンタード ン アヴェニュ 207

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 頂面および底面を有するベースプレート
    と；該ベースプレートの頂面上に近接して配列されてい
    る複数個の個別のアレイモジュールであって、各モジュ
    ールが、少なくとも１つの他のモジュールに隣接されて
    配列されて、二次元のモジュールモザイクを構成し、こ
    れらモジュールの各々には、頂面と、前記ベースプレー
    トの頂面と隣接した底面とを有する誘電体基板、および
    該誘電体基板の頂面に隣接して配列された複数のトラン
    ジスタが設けられている、複数個の個別のアレイモジュ
    ールと；前記複数のアレイモジュール上に配列され、入
    射放射線のパターンを表わす電荷を生成できる連続的な
    放射線検出層と、を有することを特徴とするＸ線イメー
    ジ捕獲エレメント。
  2. 【請求項２】 前記各アレイモジュールの誘電体基板は
    矩形形状であり、各誘電体基板の少なくとも１つの精密
    研磨された端部によって、前記ベースプレートの頂面に
    対して、ほぼ平行な横方向の面内において、他の誘電体
    基板の精密研磨された端部と精密な当接状態が構成され
    ていることを特徴とする請求項１記載のＸ線イメージ捕
    獲エレメント。
  3. 【請求項３】 前記各精密研磨された端部には、前記誘
    電体基板の底面に隣接して配置されたベベル（bevel ）
    が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のＸ
    線イメージ捕獲エレメント。
  4. 【請求項４】 前記連続的な放射線検出層には、少なく
    とも５００マイクロメータの厚さを有するシンチレーシ
    ョン材料が設けられ、この材料は、ガドリウムオキシサ
    ルファイト、タングステン酸カルシウム、鉛で活性化さ
    れたＢａＳｉＯ3 、ガドリウムまたはインジウムまたは
    これらの組合せによって活性化されたＹＰＯ4 、鉛で活
    性化されたＣａ2 ＺｉＳｉ4 Ｏ12、および鉛で活性化さ
    れたＢａＺｎＳｉＯ2 からなる群から選択されているこ
    とを特徴とする請求項１に記載のＸ線イメージ捕獲エレ
    メント。
  5. 【請求項５】 前記トランジスタは薄膜トランジスタで
    あり、前記アレイモジュールの各々にはさらに、前記誘
    電体基板の頂面に隣接して配列された複数の電荷蓄積コ
    ンデンサが設けられ、これらコンデンサの各々は、これ
    ら薄膜トランジスタの少なくとも１つに接続されている
    ことを特徴とする請求項１に記載のＸ線イメージ捕獲エ
    レメント。
  6. 【請求項６】 前記各電荷蓄積コンデンサには、前記誘
    電体基板の頂面上に配置された導電性の外側マイクロプ
    レートと、この外側マイクロプレート上に配列された誘
    電体材料と、この外側マイクロプレートと対向して前記
    誘電体材料上に配置された導電性の内側マイクロプレー
    トとが設けられていることを特徴とする請求項５に記載
    のＸ線イメージ捕獲エレメント。
  7. 【請求項７】 前記各誘電体基板の頂面に隣接して配置
    され、各アレイモジュール内のトランジスタを電子的に
    活性化するとともに、各アレイモジュール中の電荷蓄積
    コンデンサを個々にアクセスする手段を、さらに設けた
    ことを特徴とする請求項６に記載のＸ線イメージ捕獲エ
    レメント。
  8. 【請求項８】 前記各アレイモジュール内の各トランジ
    スタは、前記内側マイクロプレートの一方に接続された
    ソースと、前記活性化手段に接続されたドレイン、およ
    びゲートとを有する薄膜電界効果トランジスタ（ＦＥ
    Ｔ）であることを特徴とする請求項７に記載のＸ線イメ
    ージ捕獲エレメント。
  9. 【請求項９】 前記活性化手段およびアクセス手段に
    は；前記各アレイモジュール内のトランジスタに沿って
    延在するとともに、隣接したトランジスタのゲートの各
    々に接続された複数の個別の導電性アドレスラインと；
    これらアドレスラインを横切る方向に前記各アレイモジ
    ュール内のトランジスタに沿って延在すると共に、隣接
    したトランジスタのドレイン領域の各々に接続された複
    数の個別の導電性センスラインと、が設けられているこ
    とを特徴とする請求項８に記載のＸ線イメージ捕獲エレ
    メント。
  10. 【請求項１０】 前記薄膜トランジスタの半導体部分
    が、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、結晶シリ
    コンおよびセレン化カドミウムからなる群から選択され
    ていることを特徴とする請求項５に記載のＸ線イメージ
    捕獲エレメント。
  11. 【請求項１１】 前記アレイモジュールに対向して前記
    放射線検出層上に配置されるとともに、この検出層と同
    一平面上に存在する連続的な誘電体層と；前記放射線検
    出層に対向して前記誘電体層上に配置されるとともに、
    この誘電体層と同一平面上に存在する連続的な頂面導電
    層と、をさらに設けたことを特徴とする請求項１に記載
    のＸ線イメージ捕獲エレメント。
  12. 【請求項１２】 前記連続的な放射線検出層は、セレ
    ン、硫化カドミウム、酸化鉛および酸化水銀からなる群
    から選択された材料を有することを特徴とする請求項１
    １に記載のＸ線イメージ捕獲エレメント。
  13. 【請求項１３】 前記連続的な誘電体層は、ポリエチレ
    ンテレフタレートおよびポリキノリンからなる群から選
    択された材料を有することを特徴とする請求項１１に記
    載のＸ線イメージ捕獲エレメント。
  14. 【請求項１４】 前記連続的な頂面導電性層は、インジ
    ウム−錫酸化物、アルミニウム、金および銅からなる群
    から選択された材料であることを特徴とする請求項１１
    に記載のＸ線イメージ捕獲エレメント。
  15. 【請求項１５】 ベースプレートの頂面上のアッセンブ
    リ中に、複数の個別のアレイモジュールを隣接させる工
    程であって、前記各モジュールが少なくとも１つの他の
    モジュールに隣接されて配置されて二次元のモジュール
    のモザイクを形成し、これらモジュールの各々は、頂面
    と前記ベースプレートの頂面に隣接して配置された底部
    表面とを有する誘電体基板と、この誘電体基板の頂面に
    隣接して配置された複数のトランジスタとを有する、複
    数の個別のアレイモジュールを隣接させる工程と；前記
    複数のアレイモジュール上に連続的な放射線検出層を形
    成し、前記放射線検出層によって、入射放射線のパター
    ンを表わす電荷を発生させる工程と、を有することを特
    徴とするＸ線イメージ捕獲エレメントの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記アレイモジュールの各々の誘電体
    基板が矩形形状であり、前記隣接させる工程は、前記誘
    電体基板の各々の少なくとも１つの端部を精密に切削お
    よび研磨するとともに、この各基板の精密研磨した端部
    を、他の基板の精密研磨した端部に対して、前記ベース
    プレートの頂面とほぼ平行な横方向面内で当接すること
    によって実行され、これによって、これらアレイモジュ
    ール間の放射線非検出スペースを最小限にすることを特
    徴とする請求項１５記載のＸ線イメージ捕獲エレメント
    の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記切削および研磨工程は、前記誘電
    体基板の底面に隣接する各精密研磨した端部内にベベル
    を形成する工程を有することを特徴とする請求項１６に
    記載のＸ線イメージ捕獲エレメントの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記連続的な放射線検出層を形成する
    工程は、少なくとも５００マイクロメータの厚さを有す
    るシンチレーション材料の層をコーティングすることに
    よって実行され、この材料は、ガドリウムオキシサルフ
    ァイド、タングステン酸カルシウム、鉛で活性化された
    ＢａＳｉＯ3 、ガドリウムまたはインジウムまたはこれ
    らの組合せによって活性化されたＹＰＯ4 、鉛で活性化
    されたＣａ2 ＺｉＳｉ4 Ｏ12 、および鉛で活性化され
    たＢａＺｎＳｉＯ2 からなる群から選択されることを特
    徴とする請求項１５に記載のＸ線イメージ捕獲エレメン
    トの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記アレイモジュールに対向して前記
    放射線検出層上に配置されるとともに、該放射線検出層
    と同一平面上に存在する連続的な誘電体層を形成する工
    程と；前記放射線検出層に対向して前記誘電体層上に配
    置されるとともに、該誘電体層と同一平面上に存在する
    連続的な頂面導電層を形成する工程とを、さらに有する
    ことを特徴とする請求項１５に記載のＸ線イメージ捕獲
    エレメントの製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記連続的な放射線検出層を形成する
    工程は、少なくとも５０マイクロメータの厚さを有する
    材料の層を堆積させることによって実行され、この層の
    材料は、セレン、硫化カドミウム、酸化鉛および酸化水
    銀からなる群から選択されることを特徴とする請求項１
    ９に記載のＸ線イメージ捕獲エレメントの製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記連続した誘電体層を形成する工程
    は、ポリエチレンテレフタレートの層をラミネートする
    か、またはポリキノリンの層をコーティングすることに
    よって実行されることを特徴とする請求項１９に記載の
    Ｘ線イメージ捕獲エレメントの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記連続的な頂面導電性層を形成する
    工程は、インジウム−錫酸化物、アルミニウム、金およ
    び銅からなる群から選択された材料を蒸着することによ
    って実行することを特徴とする請求項１９に記載のＸ線
    イメージ捕獲エレメントの製造方法。
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