JPH07235751A - プリント回路板の製造法、プリント回路板及び機器 - Google Patents
プリント回路板の製造法、プリント回路板及び機器Info
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- JPH07235751A JPH07235751A JP2709394A JP2709394A JPH07235751A JP H07235751 A JPH07235751 A JP H07235751A JP 2709394 A JP2709394 A JP 2709394A JP 2709394 A JP2709394 A JP 2709394A JP H07235751 A JPH07235751 A JP H07235751A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- -1 heterocyclic nitrogen compound Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- LPLLVINFLBSFRP-UHFFFAOYSA-N 2-methylamino-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CNC(C)C(=O)C1=CC=CC=C1 LPLLVINFLBSFRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000132539 Cosmos Species 0.000 description 2
- 235000005956 Cosmos caudatus Nutrition 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNIPJYFZGXJSDD-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-triphenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 RNIPJYFZGXJSDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101100345589 Mus musculus Mical1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- IJAPPYDYQCXOEF-UHFFFAOYSA-N phthalazin-1(2H)-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NN=CC2=C1 IJAPPYDYQCXOEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 めっきもぐりの大巾に低減されたプリント回
路板の製造法を提供する。 【構成】 パターン状にめっきレジストを形成する工程
が、パターン状露光の後に湿式現像を行ない、その現像
後酸素濃度（体積比）を１５％以下とした雰囲気下で加
熱乾燥する工程を含むことを特徴とするプリント回路板
の製造法、その製造法により得られるプリント回路板及
びそのプリント回路板を用いた機器。
路板の製造法を提供する。 【構成】 パターン状にめっきレジストを形成する工程
が、パターン状露光の後に湿式現像を行ない、その現像
後酸素濃度（体積比）を１５％以下とした雰囲気下で加
熱乾燥する工程を含むことを特徴とするプリント回路板
の製造法、その製造法により得られるプリント回路板及
びそのプリント回路板を用いた機器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント回路板の製造
法、プリント回路板及びこれを用いた機器に関する。
法、プリント回路板及びこれを用いた機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント回路板製造において、め
っきレジストが広く用いられている。近年、プリント回
路板が高密度化し、パターンが細線化しているため、レ
ジストの細線形成方法としてめっき法が主流になりつつ
ある。このめっき法は、部品搭載のためのスルーホール
部及び電気回路となるべき部分を除いてレジストを被覆
してめっきし、その後レジスト剥離、エッチングによっ
て電気回路の作製を行なう方法である。しかし、めっき
の際にレジストと銅等の下地金属との界面にめっき液が
もぐりこみ、レジストがはがれるため配線不良となるこ
とが問題となっていた。そこで、めっきレジストと銅等
の下地金属との密着性を向上させる手段として、密着性
促進剤の開発が行なわれており、インダゾール又はその
誘導体（特開昭５３−７０２号公報）、フタラゾン又は
その誘導体（特開昭５５−６５２０２号公報）、テトラ
ゾール又はその誘導体（特開昭５−１２５７２６号公
報）、ロフィン又はその誘導体（特開昭５−１２５７２
７号公報）等の複素環式窒素化合物をレジスト組成中に
添加することが提案されているが、めっきに十分な耐性
（以下耐めっき性と示す）を持たせるには未だ不十分で
あった。
っきレジストが広く用いられている。近年、プリント回
路板が高密度化し、パターンが細線化しているため、レ
ジストの細線形成方法としてめっき法が主流になりつつ
ある。このめっき法は、部品搭載のためのスルーホール
部及び電気回路となるべき部分を除いてレジストを被覆
してめっきし、その後レジスト剥離、エッチングによっ
て電気回路の作製を行なう方法である。しかし、めっき
の際にレジストと銅等の下地金属との界面にめっき液が
もぐりこみ、レジストがはがれるため配線不良となるこ
とが問題となっていた。そこで、めっきレジストと銅等
の下地金属との密着性を向上させる手段として、密着性
促進剤の開発が行なわれており、インダゾール又はその
誘導体（特開昭５３−７０２号公報）、フタラゾン又は
その誘導体（特開昭５５−６５２０２号公報）、テトラ
ゾール又はその誘導体（特開昭５−１２５７２６号公
報）、ロフィン又はその誘導体（特開昭５−１２５７２
７号公報）等の複素環式窒素化合物をレジスト組成中に
添加することが提案されているが、めっきに十分な耐性
（以下耐めっき性と示す）を持たせるには未だ不十分で
あった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来の技術の問題点を解消し、めっきもぐり等が原因で起
こる不良を大巾に低減し、高密度、高精度及び高信頼性
を有するプリント回路板を得ることのできるプリント回
路板の製造法、プリント回路板及びこのプリント回路板
を用いた機器に関する。
来の技術の問題点を解消し、めっきもぐり等が原因で起
こる不良を大巾に低減し、高密度、高精度及び高信頼性
を有するプリント回路板を得ることのできるプリント回
路板の製造法、プリント回路板及びこのプリント回路板
を用いた機器に関する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、パターン状に
めっきレジストを形成する工程が、パターン状露光の後
に湿式現像を行ない、その現像後酸素濃度（体積比）を
１５％以下とした雰囲気下で加熱乾燥する工程を含むこ
とを特徴とするプリント回路板の製造法、その製造法に
より製造されたプリント回路板及びこれを用いた機器に
関する。
めっきレジストを形成する工程が、パターン状露光の後
に湿式現像を行ない、その現像後酸素濃度（体積比）を
１５％以下とした雰囲気下で加熱乾燥する工程を含むこ
とを特徴とするプリント回路板の製造法、その製造法に
より製造されたプリント回路板及びこれを用いた機器に
関する。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
プリント回路板の製造は、例えば、次のようにして行な
うことができる。回路基板上にめっきレジストを適用し
た後、アートワークと呼ばれるネガ又はポジパターンを
通して活性光線をパターン状に照射し、現像液で現像
し、乾燥加熱し、パターン状のめっきレジストを形成す
る。このようにして得られるめっきレジストが形成され
た回路基板にめっきを行ない、他の所定の公知の工程を
経ることによりプリント回路板を得ることができる。
プリント回路板の製造は、例えば、次のようにして行な
うことができる。回路基板上にめっきレジストを適用し
た後、アートワークと呼ばれるネガ又はポジパターンを
通して活性光線をパターン状に照射し、現像液で現像
し、乾燥加熱し、パターン状のめっきレジストを形成す
る。このようにして得られるめっきレジストが形成され
た回路基板にめっきを行ない、他の所定の公知の工程を
経ることによりプリント回路板を得ることができる。
【０００６】本発明における上記回路基板としては、公
知のものを用い得るが、例えば、銅張り積層板が挙げら
れる。
知のものを用い得るが、例えば、銅張り積層板が挙げら
れる。
【０００７】本発明に用いられるめっきレジストについ
ては特に制限はなく、公知のものを用い得るが、例え
ば、有機溶剤を使用せず、ラミネート法によって適用さ
れるドライフィルム型レジスト、ディップコート法、ロ
ールコート法、カーテンコート法、スクリーン印刷法等
によって適用される液状レジスト、電着塗装法によって
適用される電着レジスト、サートラック法によって適用
されるトナー型レジストなどが挙げられる。液状レジス
トを用いる場合、レジスト中に含まれる溶剤を揮発する
手法として、乾燥機の中で加熱乾燥することが一般的で
あるが、その場合、加熱雰囲気の酸素濃度（体積比）を
１５％以下（好ましくは１０％以下、より好ましくは５
％以下）とし、温度を７０〜２５０℃、好ましくは８０
〜２００℃で１〜１２０分、より好ましくは５〜９０分
の範囲として行なうことが望ましい。
ては特に制限はなく、公知のものを用い得るが、例え
ば、有機溶剤を使用せず、ラミネート法によって適用さ
れるドライフィルム型レジスト、ディップコート法、ロ
ールコート法、カーテンコート法、スクリーン印刷法等
によって適用される液状レジスト、電着塗装法によって
適用される電着レジスト、サートラック法によって適用
されるトナー型レジストなどが挙げられる。液状レジス
トを用いる場合、レジスト中に含まれる溶剤を揮発する
手法として、乾燥機の中で加熱乾燥することが一般的で
あるが、その場合、加熱雰囲気の酸素濃度（体積比）を
１５％以下（好ましくは１０％以下、より好ましくは５
％以下）とし、温度を７０〜２５０℃、好ましくは８０
〜２００℃で１〜１２０分、より好ましくは５〜９０分
の範囲として行なうことが望ましい。
【０００８】パターン状に活性光線を照射する際の、活
性光線としては、例えば、カーボンアーク灯、超高圧水
銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線を有効に
放射するものが用いられる。現像の方法には、剥離方式
等の乾式現像法、ディップ方式、バドル方式、スプレー
方式、高圧スプレー方式等の湿式現像法などがあり、高
圧スプレー方式が好ましい。また、湿式現像で使用され
る現像液としては安全かつ安定であり、操作性が良好な
ものが用いられ、例えば、一般の溶剤現像型のレジスト
では１，１，１−トリクロロエタン等が、アルカリ現像
型のレジストでは炭酸ナトリウムの希薄溶液等が用いら
れる。
性光線としては、例えば、カーボンアーク灯、超高圧水
銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線を有効に
放射するものが用いられる。現像の方法には、剥離方式
等の乾式現像法、ディップ方式、バドル方式、スプレー
方式、高圧スプレー方式等の湿式現像法などがあり、高
圧スプレー方式が好ましい。また、湿式現像で使用され
る現像液としては安全かつ安定であり、操作性が良好な
ものが用いられ、例えば、一般の溶剤現像型のレジスト
では１，１，１−トリクロロエタン等が、アルカリ現像
型のレジストでは炭酸ナトリウムの希薄溶液等が用いら
れる。
【０００９】本発明において、回路基板上にパターン状
にめっきレジストを形成する工程は、パターン状露光の
後に湿式現像を行ない、現像後、酸素濃度（体積比）を
１５％以下（好ましくは１０％以下、より好ましくは５
％以下）とした雰囲気で加熱乾燥する工程を含む。酸素
濃度（体積比）が１５％を超えると耐めっき性、密着性
等が劣る。耐めっき性、密着性等の点からこの加熱乾燥
の温度は５０〜２００℃の範囲とすることが好ましく、
５０〜１００℃の範囲とすることがより好ましく、加熱
乾燥の時間は１〜６０分間とすることが好ましく、１〜
１５分間とすることがより好ましい。
にめっきレジストを形成する工程は、パターン状露光の
後に湿式現像を行ない、現像後、酸素濃度（体積比）を
１５％以下（好ましくは１０％以下、より好ましくは５
％以下）とした雰囲気で加熱乾燥する工程を含む。酸素
濃度（体積比）が１５％を超えると耐めっき性、密着性
等が劣る。耐めっき性、密着性等の点からこの加熱乾燥
の温度は５０〜２００℃の範囲とすることが好ましく、
５０〜１００℃の範囲とすることがより好ましく、加熱
乾燥の時間は１〜６０分間とすることが好ましく、１〜
１５分間とすることがより好ましい。
【００１０】上記した加熱乾燥する工程以外の加熱工程
でも加熱雰囲気の酸素濃度（体積比）を１５％以下（好
ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下）とする
ことが望ましい。
でも加熱雰囲気の酸素濃度（体積比）を１５％以下（好
ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下）とする
ことが望ましい。
【００１１】加熱乾燥の手段は、特に制限されないが、
通常、箱形熱風乾燥機、電気炉等の加熱機器を用いるこ
とができる。加熱機器内の酸素濃度は自然状態では大気
中の酸素濃度と同等の約２１％（体積比）である。この
酸素濃度（体積比）を１５％以下とする手段としては、
加熱機器内を窒素、アルゴン等の不活性ガスで置換する
こと、真空ポンプを用いることなどが挙げられ、その酸
素濃度は可能なかぎり低い値であることが好ましい。酸
素濃度の測定は、酸素濃度計により容易に行なうことが
でき、市販の酸素濃度計としては、デジタル酸素濃度計
ＸＰＯ−３１８Ｅ（新コスモス電機社製）等が挙げられ
る。
通常、箱形熱風乾燥機、電気炉等の加熱機器を用いるこ
とができる。加熱機器内の酸素濃度は自然状態では大気
中の酸素濃度と同等の約２１％（体積比）である。この
酸素濃度（体積比）を１５％以下とする手段としては、
加熱機器内を窒素、アルゴン等の不活性ガスで置換する
こと、真空ポンプを用いることなどが挙げられ、その酸
素濃度は可能なかぎり低い値であることが好ましい。酸
素濃度の測定は、酸素濃度計により容易に行なうことが
でき、市販の酸素濃度計としては、デジタル酸素濃度計
ＸＰＯ−３１８Ｅ（新コスモス電機社製）等が挙げられ
る。
【００１２】めっきを行なう方法には、特に制限はな
く、電解めっき法、無電解めっき法、これらを組み合わ
せた方法等の公知の方法を用い得るが、通常、めっき浴
を用いて行われる。めっき浴の種類については特に限定
はなく種々のめっき浴を用いることができ、例えば、ピ
ロリン銅めっき浴、硫酸銅めっき浴、はんだめっき浴、
ニッケルめっき浴、パラジウムめっき浴、金めっき浴等
が挙げられる。このようにして、得られたプリント回路
板は、テレビ、オーディオ、マイコン、パソコン、ファ
クシミリ、通信機、測定器、制御器、交換器、ゲーム機
等の各種の機器に用いることができる。
く、電解めっき法、無電解めっき法、これらを組み合わ
せた方法等の公知の方法を用い得るが、通常、めっき浴
を用いて行われる。めっき浴の種類については特に限定
はなく種々のめっき浴を用いることができ、例えば、ピ
ロリン銅めっき浴、硫酸銅めっき浴、はんだめっき浴、
ニッケルめっき浴、パラジウムめっき浴、金めっき浴等
が挙げられる。このようにして、得られたプリント回路
板は、テレビ、オーディオ、マイコン、パソコン、ファ
クシミリ、通信機、測定器、制御器、交換器、ゲーム機
等の各種の機器に用いることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明す
る。なお、以下において酸素濃度はデジタル酸素濃度計
ＸＰＯ−３１８Ｅ（新コスモス電機社製）を用い、セン
サーを加熱機器としての電気炉、箱形熱風乾燥機の排気
口に設置して測定した。
る。なお、以下において酸素濃度はデジタル酸素濃度計
ＸＰＯ−３１８Ｅ（新コスモス電機社製）を用い、セン
サーを加熱機器としての電気炉、箱形熱風乾燥機の排気
口に設置して測定した。
【００１４】実施例１ 銅箔（厚さ３５μｍ）の銅張り積層板（日立化成工業社
製、ＭＣＬ−Ｅ−６１）の銅表面を＃８００のサンドペ
ーパーで研磨し、水洗して空気流で水切りし、得られる
銅張り積層板に、アルカリ現像型めっき用ドライフィル
ムレジストＨＫ−６５０（日立化成工業社製、８０μｍ
品）をラミネーターＨＬＭ−１５００（日立化成工業社
製）を用いて下記のラミネート条件下でラミネートし
た。 基板予熱ローラー温度：１２０℃ ヒートシュー温度：１００℃ ラミネート圧力（シリンダー圧）：２kgf/cm2 ラミネート速度：１．０m/min
製、ＭＣＬ−Ｅ−６１）の銅表面を＃８００のサンドペ
ーパーで研磨し、水洗して空気流で水切りし、得られる
銅張り積層板に、アルカリ現像型めっき用ドライフィル
ムレジストＨＫ−６５０（日立化成工業社製、８０μｍ
品）をラミネーターＨＬＭ−１５００（日立化成工業社
製）を用いて下記のラミネート条件下でラミネートし
た。 基板予熱ローラー温度：１２０℃ ヒートシュー温度：１００℃ ラミネート圧力（シリンダー圧）：２kgf/cm2 ラミネート速度：１．０m/min
【００１５】次いで、このようにして得られた基板にネ
ガフィルムを使用し、３kw高圧水銀灯（オーク製作所社
製、ＨＭＷ−２０１Ｂ）で１２０mJ/cm2パターン状の露
光を行ない、ドライフィルム上のポリエチレンテレフタ
レートフィルムを除去し、３０℃で１％の炭酸ナトリウ
ム水溶液を６０秒間スプレーすることにより未露光部を
除去した。次いで、基板を水洗を１分間を行なった後、
レジスト中に含まれる水分を除去するため、加熱雰囲気
を窒素で置換しながら酸素濃度を約３％（体積比）とし
た電気炉で１００℃、１０分間乾燥加熱を行なった。
ガフィルムを使用し、３kw高圧水銀灯（オーク製作所社
製、ＨＭＷ−２０１Ｂ）で１２０mJ/cm2パターン状の露
光を行ない、ドライフィルム上のポリエチレンテレフタ
レートフィルムを除去し、３０℃で１％の炭酸ナトリウ
ム水溶液を６０秒間スプレーすることにより未露光部を
除去した。次いで、基板を水洗を１分間を行なった後、
レジスト中に含まれる水分を除去するため、加熱雰囲気
を窒素で置換しながら酸素濃度を約３％（体積比）とし
た電気炉で１００℃、１０分間乾燥加熱を行なった。
【００１６】次いでめっきを行なうため、脱脂、水洗を
１分間を行い、２５０g/リットル過硫酸アンモニウム水溶液
中に２分間浸漬した。さらに水洗を１分間行なった後１
０％硫酸水溶液に１分間浸漬し、再び水洗を１分間行な
った。次いでニッケルめっき浴（硫酸ニッケル３５０g/
リットル、塩化ニッケル４５g/リットル、ホウ酸４５g/リットル、ナ
イカルｐｃ−３（メルテックス社製商品名）３０ml/リット
ルおよびニッケルクリームＮＡＷ−４（メルテックス社
製商品名）０．１ml/リットル）に入れ、ニッケルめっきを
５０℃、３A/dm2で１０分間行なった。ニッケルめっき
終了後直ちに水洗し、続いて金ストライク（オーロボン
ド−ＴＮ（日本エレクトロプレーティングエンジニャー
社製商品名）を４０℃、５A/dm2で１０秒間行なった。
金ストライク終了後直ちに水洗し、続いて金めっき（テ
ンペレックス４０１（日本エレクトロプレーティングエ
ンジニャー社製商品名）を３０℃、１A/dm2で１０分間
行なった。金めっき終了後水洗を行ない、室温で放置乾
燥した。
１分間を行い、２５０g/リットル過硫酸アンモニウム水溶液
中に２分間浸漬した。さらに水洗を１分間行なった後１
０％硫酸水溶液に１分間浸漬し、再び水洗を１分間行な
った。次いでニッケルめっき浴（硫酸ニッケル３５０g/
リットル、塩化ニッケル４５g/リットル、ホウ酸４５g/リットル、ナ
イカルｐｃ−３（メルテックス社製商品名）３０ml/リット
ルおよびニッケルクリームＮＡＷ−４（メルテックス社
製商品名）０．１ml/リットル）に入れ、ニッケルめっきを
５０℃、３A/dm2で１０分間行なった。ニッケルめっき
終了後直ちに水洗し、続いて金ストライク（オーロボン
ド−ＴＮ（日本エレクトロプレーティングエンジニャー
社製商品名）を４０℃、５A/dm2で１０秒間行なった。
金ストライク終了後直ちに水洗し、続いて金めっき（テ
ンペレックス４０１（日本エレクトロプレーティングエ
ンジニャー社製商品名）を３０℃、１A/dm2で１０分間
行なった。金めっき終了後水洗を行ない、室温で放置乾
燥した。
【００１７】実施例２ 銅箔（厚さ３５μｍ）の銅張り積層板（日立化成工業社
製、ＭＣＬ−Ｅ−６１）の銅表面を＃８００のサンドペ
ーパーで研磨し、水洗して空気流で水切りし、得られる
銅張り積層板上に、アルカリ現像型めっき用ドライフィ
ルムレジストＦ−２４０（日立化成工業社製、９０μｍ
品）を、ラミネーターＨＬＭ−１５００（日立化成工業
社製）を用いて下記のラミネート条件下でラミネートし
た。 基板予熱ローラー温度：１２０℃ ヒートシュー温度：１００℃ ラミネート圧力（シリンダー圧）：２kgf/cm2 ラミネート速度：１．０m/min
製、ＭＣＬ−Ｅ−６１）の銅表面を＃８００のサンドペ
ーパーで研磨し、水洗して空気流で水切りし、得られる
銅張り積層板上に、アルカリ現像型めっき用ドライフィ
ルムレジストＦ−２４０（日立化成工業社製、９０μｍ
品）を、ラミネーターＨＬＭ−１５００（日立化成工業
社製）を用いて下記のラミネート条件下でラミネートし
た。 基板予熱ローラー温度：１２０℃ ヒートシュー温度：１００℃ ラミネート圧力（シリンダー圧）：２kgf/cm2 ラミネート速度：１．０m/min
【００１８】次いで、このようにして得られた基板にネ
ガフィルムを使用し、３kw高圧水銀灯（オーク製作所社
製、ＨＭＷ−２０１Ｂ）で１２０mJ/cm2のパターン状露
光を行ない、ドライフィルム上のポリエチレンテレフタ
レートフィルムを除去し、３０℃で１％の炭酸ナトリウ
ム水溶液を６０秒間スプレーすることにより未露光部を
除去した。次いで、基板を水洗を１分間を行なった後、
レジスト中に含まれる水分を除去するため、加熱雰囲気
をアルゴンガスで置換しながら酸素濃度を約２％（体積
比）とした箱形熱風乾燥機で１００℃、１０分間乾燥加
熱を行なった。
ガフィルムを使用し、３kw高圧水銀灯（オーク製作所社
製、ＨＭＷ−２０１Ｂ）で１２０mJ/cm2のパターン状露
光を行ない、ドライフィルム上のポリエチレンテレフタ
レートフィルムを除去し、３０℃で１％の炭酸ナトリウ
ム水溶液を６０秒間スプレーすることにより未露光部を
除去した。次いで、基板を水洗を１分間を行なった後、
レジスト中に含まれる水分を除去するため、加熱雰囲気
をアルゴンガスで置換しながら酸素濃度を約２％（体積
比）とした箱形熱風乾燥機で１００℃、１０分間乾燥加
熱を行なった。
【００１９】次いで半田めっきを行なうため、脱脂、水
洗を１分間を行い、過酸化水素／硫酸、１０／２０溶量
％水溶液中に２分間浸漬した。さらに水洗を１分間行な
った後１０％硫酸水溶液に１分間浸漬し、再び水洗を１
分間行なった。次いで硫酸銅めっき浴（硫酸銅７５ｇ／
ｌ、硫酸１９０、塩素イオン５ppm、カパーグリームＰ
ＭＣ（メルテックス社製商品名）５ml/リットル）に入れ、
硫酸銅めっきを２５℃、３A/dm2で４０分間行なった。
硫酸銅めっき終了後直ちに水洗し、続いて半田めっき浴
（４５％ホウフッ化錫６４ml/リットル、４２％ホウフッ化
水素酸２００ml/リットル、プルティンＬＡコンダクティビ
ティソルト（メルテックス社製商品名）２０g/リットル）プ
ルティンＬＡスターター（メルテックス社製商品名）４
０ml/リットル）に入れ、２５℃、２A/dm2で２０分間行なっ
た。半田めっき終了後水洗を行ない、室温で放置乾燥し
た。
洗を１分間を行い、過酸化水素／硫酸、１０／２０溶量
％水溶液中に２分間浸漬した。さらに水洗を１分間行な
った後１０％硫酸水溶液に１分間浸漬し、再び水洗を１
分間行なった。次いで硫酸銅めっき浴（硫酸銅７５ｇ／
ｌ、硫酸１９０、塩素イオン５ppm、カパーグリームＰ
ＭＣ（メルテックス社製商品名）５ml/リットル）に入れ、
硫酸銅めっきを２５℃、３A/dm2で４０分間行なった。
硫酸銅めっき終了後直ちに水洗し、続いて半田めっき浴
（４５％ホウフッ化錫６４ml/リットル、４２％ホウフッ化
水素酸２００ml/リットル、プルティンＬＡコンダクティビ
ティソルト（メルテックス社製商品名）２０g/リットル）プ
ルティンＬＡスターター（メルテックス社製商品名）４
０ml/リットル）に入れ、２５℃、２A/dm2で２０分間行なっ
た。半田めっき終了後水洗を行ない、室温で放置乾燥し
た。
【００２０】比較例１ 実施例１の中の現像後の乾燥加熱を、大気循環型の箱形
熱風乾燥機で行なうこととした以外は、実施例１と同様
な材料及び方法で金めっきを行なった。
熱風乾燥機で行なうこととした以外は、実施例１と同様
な材料及び方法で金めっきを行なった。
【００２１】比較例２ 実施例２の中の現像後の乾燥加熱を、大気循環型の電気
炉で行なうこととした以外は、実施例２と同様な材料及
び方法で半田めっきを行なった。
炉で行なうこととした以外は、実施例２と同様な材料及
び方法で半田めっきを行なった。
【００２２】実施例１〜２及び比較例１〜２でレジスト
の耐めっき性を調べるため基板にセロテープをはり、こ
れを垂直方向に引きはがしてレジストのはがれの有無を
調べた（９０°ピールテスト）。その後、上方から光学
顕微鏡でめっきもぐりの有無を観察した。めっきもぐり
を生じた場合はレジストを介してその下部にめっきの浸
潤が観察された。結果を表１に示した。
の耐めっき性を調べるため基板にセロテープをはり、こ
れを垂直方向に引きはがしてレジストのはがれの有無を
調べた（９０°ピールテスト）。その後、上方から光学
顕微鏡でめっきもぐりの有無を観察した。めっきもぐり
を生じた場合はレジストを介してその下部にめっきの浸
潤が観察された。結果を表１に示した。
【００２３】
【表１】
【００２４】実施例１〜２の場合、加熱工程に窒素又は
アルゴンガスを用い、加熱雰囲気を酸素濃度１５％以下
としたので、銅表面の酸化を防止でき、耐めっき性が良
好であることが示される。一方、比較例１〜２の場合は
大気中の酸素の影響で銅表面が酸化され、耐めっき性が
低下した。なお実施例１〜２ではレジストの剥離性等の
他の特性も良好であった。
アルゴンガスを用い、加熱雰囲気を酸素濃度１５％以下
としたので、銅表面の酸化を防止でき、耐めっき性が良
好であることが示される。一方、比較例１〜２の場合は
大気中の酸素の影響で銅表面が酸化され、耐めっき性が
低下した。なお実施例１〜２ではレジストの剥離性等の
他の特性も良好であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明のプリント回路板の製造法によれ
ば、めっきもぐりが原因で起こる不良を低減することが
でき、高密度、高精度及び高信頼性を有するプリント回
路板を得ることができ、このプリント回路板は、テレ
ビ、オーディオ、マイコン、パソコン、ファクシミリ、
通信機、測定器、制御器、交換器、ゲーム機等の各種の
機器に好適に用いることができる。
ば、めっきもぐりが原因で起こる不良を低減することが
でき、高密度、高精度及び高信頼性を有するプリント回
路板を得ることができ、このプリント回路板は、テレ
ビ、オーディオ、マイコン、パソコン、ファクシミリ、
通信機、測定器、制御器、交換器、ゲーム機等の各種の
機器に好適に用いることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大友 聡 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 パターン状にめっきレジストを形成する
工程が、パターン状露光の後に湿式現像を行ない、その
現像後酸素濃度（体積比）を１５％以下とした雰囲気下
で加熱乾燥する工程を含むことを特徴とするプリント回
路板の製造法。 - 【請求項２】 請求項１記載のプリント回路板の製造法
により製造されたプリント回路板。 - 【請求項３】 請求項２記載のプリント回路板を用いた
機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2709394A JPH07235751A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | プリント回路板の製造法、プリント回路板及び機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2709394A JPH07235751A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | プリント回路板の製造法、プリント回路板及び機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235751A true JPH07235751A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12211473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2709394A Pending JPH07235751A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | プリント回路板の製造法、プリント回路板及び機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235751A (ja) |
-
1994
- 1994-02-25 JP JP2709394A patent/JPH07235751A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040506 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040916 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |