JPH07236814A

JPH07236814A - フィルタ装置及びレジスト処理システム

Info

Publication number: JPH07236814A
Application number: JP6098443A
Authority: JP
Inventors: Junichi Kitano; 淳一北野; Yuji Kakazu; 勇二嘉数; Misako Saito; 美佐子斉藤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1993-05-18
Filing date: 1994-05-12
Publication date: 1995-09-12
Anticipated expiration: 2015-10-03
Also published as: JP3094055B2

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体ウェハ等の基板をレジスト処理するた
めのシステムに用いられるフィルタ装置を提供する。【構成】外気をレジスト処理システム内に取り入れる
ための開口部をもつ枠体と、開口部に外気を吸引するフ
ァン装置と、このファン装置の少なくとも一方面側に位
置するように枠体によって支持されたフィルタエレメン
トと、を有し、フィルタエレメントは、アルカリ成分と
反応吸着しうる酸成分を含む多孔質体を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハ等の基板を
レジスト処理するシステムに用いられるフィルタ装置及
びそのようなフィルタを備えたレジスト処理システムに
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトレジスト処
理工程にあっては、半導体ウエハ上に形成された例えば
ＳｉＯ₂ などの薄膜上にレジストを塗布し、レジスト膜
を所定のパタ―ンで露光した後に現像し、マスクパタ―
ンを形成している。このような処理を行うためにレジス
ト処理システムが用いられている。

【０００３】レジスト処理システムは、疎水化処理（ア
ドヒ―ジョン）部、レジスト塗布部、ベーキング部、露
光部、現像部などを備えている。レジスト処理システム
のプロセス部（露光部を除く）には搬送路が設けられ、
レジスト塗布部やベーキング部が搬送路の両側に設けら
れている。搬送アーム機構が搬送路上を走行可能に設け
られ、この搬送アーム機構によってウエハが疎水化処理
部やレジスト塗布部にそれぞれ搬送されるようになって
いる。露光部は外部機構としてプロセス部に連結されて
いる。

【０００４】ところで近年の急激なデバイスの集積化に
伴いフォトリソグラフィ技術についても改良がなされて
いる。例えばＤＲＡＭの場合、４ＭのＤＲＡＭのパタ―
ンについては、０．７〜０．８μｍ程度の線幅が要求さ
れており、露光の光源としてはｇ線やｉ線などが用いら
れると共にレジスト材料としてはノボラック系の樹脂が
用いられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら次世代の
デバイス、例えば１６Ｍビット、６４Ｍビットあるいは
それ以上の容量のＤＲＡＭに対応するためには光源波長
の短波長化を進めることが必要であり、例えばエキシマ
レ―ザ光などの紫外線が有力視されている。しかし、ノ
ボラック系樹脂は短波長光に対して光吸収率が相当大き
いので、エッチングされたレジスト側壁の垂直性（形
状）が悪い。

【０００６】そこで最近ではノボラック系樹脂の代わり
に化学増幅型のレジスト材料が用いられるようになって
きている。化学増幅型のレジスト材料は、露光すると感
光剤から酸が発生し、この酸がベーキングにより拡散し
て触媒として作用する。酸の作用によりレジスト材料の
主成分であるベ―ス樹脂が分解されたり分子構造が変化
し、その結果レジスト材料は現像液に対して可溶性ある
いは不溶性となる。

【０００７】各種化学増幅型のレジスト材料の特徴を下
記（１）〜（３）にあげる。（１）例えばポリビニルフェノ―ルなどのポリマ―中の
水酸基をアルキル基やシリル基でブロックし、酸により
このブロックを外してアルカリ可溶性を回復させる（ポ
ジ型レジスト）。

【０００８】（２）ノボラック樹脂に溶解阻止作用を示
す物質を混合し、露光により生成した酸の触媒作用で溶
解阻止成分を分解、変性させて溶解性を復元または促進
させる。

【０００９】（３）酸発生剤、架橋剤及びベ―ス樹脂に
よりレジスト材料を構成し、酸触媒縮合反応により架橋
剤がベ―ス樹脂を硬化（架橋）し、この架橋反応がアル
カリ水溶液に対する溶解性を著しく低下させる。

【００１０】従って、化学増幅型のレジスト材料は、触
媒（酸）１分子が複数の化学反応に寄与するため、従来
のものに比べて原理的に光感度が高く、また短波長領域
における光透過率が高くなる。このため、化学増幅型の
レジスト材料にエキシマレ―ザ光を用いた場合に、膜厚
方向の光強度分布を緩和することができ、結果として
０．３μｍレベルの線幅に対応することができる。しか
しながら上述の化学増幅型のレジスト膜にパタ―ンを形
成する場合に、露光後のベーキング及び現像工程におい
て、パタ―ンの平面形状及び深さ方向の形状（コンタク
トホール形状）が劣化するという問題点がある。

【００１１】例えば上述（１）のポジ型レジストの場合
は、図１（ａ）に示すように露光部３ｂのレジスト中に
酸（水素イオン）が発生し、図１（ｂ）に示すように酸
がアルカリ成分（アルカリ性の成分）と反応して中和層
４が形成される。この中和層４では現像液に対して不溶
性又は難溶性の化合物が生成されるので、図１（ｃ）に
示すように現像後においても不溶化部５が残留する。不
溶化部５はコンタクトホール６の開口を狭めるので、後
工程においてエッチング不良を生じる。なお、符号２は
シリコン基板を、符号３ａは未露光部を示す。

【００１２】ところで上述のアルカリ成分は、空気中に
含まれている微量なアンモニア、あるいは壁の塗料や疎
水化処理に用いられるＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサ
ン）から発生するアミンに起因している。外気中に含ま
れるこれらの微量アルカリ成分がレジスト膜の表面近傍
の酸と反応すると推定されている。本発明の目的は、外
気に含まれるアルカリ性の成分を高い効率で除去するこ
とができるフィルタ装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係るフィルタ装
置は、外気をレジスト処理システム内に取り入れるため
の開口部をもつ枠体と、前記開口部に外気を吸引する吸
引手段と、この吸引手段の少なくとも一方面側に位置す
るように前記枠体によって支持されたフィルタエレメン
トと、を有し、前記フィルタエレメントは、アルカリ成
分と反応吸着しうる酸成分を含む多孔質体を有すること
を特徴とする。

【００１４】

【作用】多孔質体を酸溶液に浸漬すると、微細孔に酸溶
液が侵入する。そして遠心分離機により処理すると、微
細孔内の酸溶液がはじき飛ばされて空洞が形成され、そ
の内壁面に酸溶液の分子が吸着した状態となる。更にこ
の多孔質体をプレスすることにより微細孔の密度が高ま
り、しかも多孔質体の微細孔は形状が揃っており、また
規則正しく配列されているので比表面積が大きく、従っ
てアルカリ成分を高い効率で除去できる。

【００１５】

【実施例】以下、添付の図面を参照しながら本発明の種
々の実施例について説明する。図２、図３、図４に示す
ように、レジスト処理システムはプロセス部２０、ロー
ド／アンロード部２１、インターフェイス部２２及び露
光部１００を備えている。プロセス部２０には搬送路３
１が設けられ、搬送路３１上をロボット３０が走行する
ようになっている。搬送路３１はロード／アンロード部
２１からインターフェイス部２２のところまで設けられ
ており、ロボット３０のアーム機構によって半導体ウェ
ハＷが搬送されるようになっている。搬送路３１の両側
には処理ユニット４０，５１，５２，５３，５４が並ん
でいる。露光部１００はインターフェイス部２２を介し
てプロセス部２０に連結されている。

【００１６】ロード／アンロード部２１はカセット載置
用のステ―ジ２３を備えている。カセットステージ２３
には移載機構２１ａが設けられ、移載機構２１ａによっ
てウェハカセットがＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θ回転軸の各方
向に移動されるようになっている。なお、インターフェ
イス部２２の移載機構２２ａは実質的に上記移載機構２
１ａと同じである。

【００１７】疎水化（アドヒ―ジョン）処理部４０では
ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）の蒸気によりウエ
ハ表面を疎水化し、これによりウエハ表面へのレジスト
膜の密着性を向上させる。レジスト塗布部５１では化学
増幅型のレジスト液がウエハに均一に塗布される。

【００１８】ベーキング部５２はウエハＷを加熱する加
熱板を有する。ベーキング部５２ではウエハＷに塗布さ
れたレジスト材から溶剤を蒸発させ、あるいは露光後の
レジスト膜をベークして露光時に発生した酸を拡散させ
る。４つのベーキング部５２を交互に使うことによりス
ル―プットを向上させるようになっている。冷却部５３
は、処理部４０での疎水化処理後、塗布部５１でのレジ
スト塗布前にウェハＷを冷却するためのものである。現
像部５４は、露光後、ベーキング部５２を経たウエハＷ
に対してアルカリ性の現像液により現像を行うためのも
のである。なお、プロセス部２０及びロード／アンロー
ド部２１の上部には電源ユニット２４及びフィルタユニ
ット７０がそれぞれ設けられている。また、インターフ
ェイス部２２の上部にはフィルタユニット７０ａのみが
設けられている。

【００１９】図５に示すように、システム全体はカバ―
１６で覆われ、このカバ―１６の上面側には空気取り入
れ口６０が設けられている。カバ―１６の前後にはウエ
ハ搬入出口がそれぞれ形成されている。なお、カバ―１
６は一体のものである必要はなく、メンテナンスや運搬
の容易性などを考慮して別体ものを組み合わせたもので
あってもよい。

【００２０】図６に示すように、プロセス部２０、ロー
ド／アンロード部２１並びにインターフェイス部２２の
床にはパンチングメタル板７８が敷かれている。ダウン
フローエアはパンチングメタル板７８の孔７８ａを通っ
て床下空間７９に流れ込むようになっている。ダクト７
７はカバー１６の外に設けられ、空気取り入れ口６０お
よび床下空間７９の両者に連通している。エアはフィル
タ装置７０ａ、インターフェイス部２２、床下空間７
９、ダクト７７を循環するようになっている（セミクロ
ーズドシステム）。

【００２１】図２に示すように、プロセス部２０及びロ
ード／アンロード部２１の空気取り入れ口６０には３個
のフィルタユニット７０が設けられている。一方、イン
ターフェイス部２２の上部には１個のフィルタユニット
７０ａが設けられている。

【００２２】図５に示すように、フィルタユニット７０
の四方は支持枠７２で取り囲まれている。支持枠７２内
には、上から順に第１のフィルタ部６１、ファン６２、
第２のフィルタ部６３が設けられている。なお、フィル
タユニット７０内の第１フィルタ部６１および第２フィ
ルタ部６３は支持枠７２から取り外せるので、第１フィ
ルタ部６１および第２フィルタ部６３を新品に取換える
ことが容易である。

【００２３】第１のフィルタ部６１は、空気中に含まれ
るアンモニアやアミンなどのアルカリ成分を数ＰＰｂ以
下のオーダーに抑えるためのケミカルフィルタである。
第２のフィルタ部６３は、空気中に含まれるパ―ティク
ルを除去するためのものである。

【００２４】図７に示すように、第１フィルタ部６１の
エレメント７１はシ―ト７１ａを蛇腹状に折り曲げた形
状をなしている。シ―ト７１ａとシ―ト７１ａとの間を
エアが通過するようになっている。図８に示すように、
各シ―ト７１ａの相互間には部材７１ｂが設けられ、フ
ィルタエレメント７１は全体としてハニカム構造をなし
ている。シ―ト７１ａ及び部材７１ｂは炭素繊維ででき
ている。エレメント７１にはリン酸が添着されている。

【００２５】第２フィルタ部６３は、フィルタエレメン
トの材質としてグラスファイバよりなるシ―トを用いた
点と、シ―トにはリン酸を添着していない点とを除け
ば、第１のフィルタ部６１と実質的に同じである。な
お、第１及び第２のフィルタ部６１、６３に用いられる
ガスケットの材質としては、アンモニアの発生が少ない
ものが望ましく、例えばシリコンゴムやＰＶＣなどが好
適である。これらの材質は超純水に浸漬してアンモニア
の溶出量を測定したところ１ｃｍ² 当り２０ｎｇ／ｃｍ
² 以下の溶出量であるので、空気中ではアンモニアが実
質的に発生しない。

【００２６】次に、上記システムを用いてウェハＷをレ
ジスト処理する場合について説明する。８インチ径のウ
エハＷをプロセス部２０に搬入し、これをアドヒージョ
ン処理し、冷却し、レジスト塗布し、ベークする。次
に、ウエハＷをインターフェイス部２２を介して露光部
１００に搬入し、露光する。ウエハＷをプロセス部２０
に戻し、ベーキング部５２に入れる。ウエハＷをベーク
すると、レジスト膜の露光された部分に酸が発生する。
そして、レジスト膜中で酸が拡散して酸触媒反応が起こ
り、レジスト膜は現像液に対して可溶になる。

【００２７】外気はフィルタユニット７０のファン６２
によりプロセス部２０内に引き込まれる。この外気（例
えばクリ―ンル―ムの中の空気）には、壁の塗料などか
ら発生したアンモニアやアミンなどのアルカリ成分が微
量ながら含まれている。これらのアルカリ成分は、第１
フィルタ部６１のエレメント７１を通過するときにリン
酸と中和反応を起こしてトラップされる。

【００２８】表１は、酸を添着した各種材質のフィルタ
エレメントを用いて、エアに含まれるアンモニアの捕集
効率を調べた結果である。表１試料No. エレメント酸成分形状カラム入口カラム出口捕集効率濃度(ppb) 濃度(ppb) (%) 試料１ゼオライトリン酸ペレッ１５．８７０．１５９９．１ト状試料２活性炭リン酸ペレッ１２．５１０．０６９９．５ト状試料３オレフィンスルホ布状１０．７６０．１１９９．０系繊維ン酸ただし、試料１〜３のエレメントは厚さ４９ｍｍであ
る。なお、試料３の厚さを０．７９ｍｍとしてもよい。
試料１及び試料２のエレメントは所定の気孔率及び平均
気孔径の多孔質ペレットでできている。試料３の繊維の
太さは約１５μｍである。

【００２９】試料１及び試料２のエレメントにおいては
ゼオライト及び活性炭にそれぞれリン酸が物理的に吸着
している。活性炭はペレット状（多孔質体）のみなら
ず、繊維状のもの（いわゆる炭素繊維）を用いてもよ
い。炭素繊維をフィルタエレメントに用いる場合は複数
枚の炭素繊維シートを重ね合わせる。炭素繊維の太さは
約１５μｍである。一方、試料３のエレメントにおいて
はオレフィン系繊維のベースポリマーにスルホン酸基が
化学結合している。

【００３０】試料１ではアンモニア濃度を１５．８７ｐ
ｐｂから０．１５ｐｐｂまで低減することができた。試
料２ではアンモニア濃度を１２．５１ｐｐｂから０．０
６ｐｐｂまで低減することができた。試料３ではアンモ
ニア濃度を１０．７６ｐｐｂから０．１１ｐｐｂまで低
減することができた。いずれの試料でも９９％以上のア
ンモニア補集効率を得た。

【００３１】上記フィルタ装置によれば、プロセス部２
０内においてレジスト膜中の酸の中和が抑えられ、露光
された部分が確実にアルカリ可溶化するので、レジスト
膜を高精度に現像することができる。

【００３２】また、上記フィルタ装置によれば、レジス
ト塗布後のウェハＷが搬入出口から搬出されるまでの間
にアルカリ成分濃度の極めて低い雰囲気内に置かれるの
で、レジスト膜表面部へのアルカリ成分の吸着が抑えら
れる。

【００３３】化学増幅型のレジスト材料には例えばＡＰ
ＥＸ−Ｅ（ＩＢＭ社の商品名）、ＡＺ−ＤＸ４６（ＨＯ
ＥＣＨＳＴ社の商品名）、ＡＸＴ−２４８（シープレー
社の商品名）などの種々のものを用いることができる。
露光後のウエハＷを、アンモニア濃度が１ＰＰｂ程度及
び１０ＰＰｂ程度の雰囲気にそれぞれ所定時間だけ放置
したところ、前者の場合はパタ―ンの線幅±０．３％の
合格基準をクリアしたが後者の場合パタ―ンが大幅に崩
れた。従って化学増幅型のレジスト材料においてはアン
モニア濃度が１ＰＰｂ以下であればよいが、０．７ＰＰ
ｂ以下であれば更に好ましい。

【００３４】ここで本発明では、図９に示すように疎水
化処理部４０を構成することが好ましい。図中にて符号
４１は上下に分離可能な密閉容器である。この密閉容器
４１の上部中央にはＨＭＤＳガスを供給するためのガス
供給管４２が接続され、容器４１の下部には第１排気管
４３が接続されている。密閉容器４１の底部には熱板４
４が配置されている。この熱板４４の上面より３本の保
持ピン４５が突出または退入するようになっている。ウ
エハＷは突起部４４ａにより支持され、その裏面が熱板
４４から離れている。密閉容器４１の側面にはゲ―ト４
６により開閉されるウエハＷの搬入出口４７が形成され
ている。

【００３５】密閉容器４１はカバー１８によって取り囲
まれている。カバ―１８はウエハＷの搬入出口８１を備
えている。また、カバ―１８には第２の排気管８３が設
けられている。第２排気管８３は排気ポンプ８２の吸込
み側に連通している。第２排気管８３の端部はクリ―ン
ル―ム内のダクトに連通している。

【００３６】このような疎水化処理部４０によれば、密
閉容器４１内にてウエハＷの上部中央からＨＭＤＳガス
が供給されウエハＷが疎水化処理される。その後第１の
排気管４３により排気しながらガス供給管４２から不活
性ガスが導入され、大気圧に戻ったときにゲ―ト６４が
開かれる。このとき密閉容器４１の内壁面などに付着し
たＨＭＤＳが飛散して、微量のＨＭＤＳが密閉容器４１
の外に漏れ出す。この場合に密閉容器４１はカバ―１８
で覆われており、常時カバ―１８の内部が排気されてい
るので、ＨＭＤＳに含まれるアミン系成分はカバ―１８
の外部には漏れ出さない。

【００３７】さらに、図１０及び図１１を参照して疎水
化処理部４０について説明する。図１１に示すように、
疎水化処理部４０はプロセス部２０の棚の最下段に設置
するのが好ましい。その理由は、図１０に示すように疎
水化処理部４０を棚の最上段に設置すると、漏れ出たＨ
ＭＤＳガス４９がエアのダウンフローにのってプロセス
部２０内の広い範囲に拡がり、ガス４９がウェハＷに接
触するからである。従ってガス４９に含まれるアミン系
成分によるレジスト膜の汚染を防止するためには、疎水
化処理部４０を棚の最下段に設置するほうがよい。図１
１に示すように、疎水化処理部４０を棚の最下段に設置
すると、漏れ出たＨＭＤＳガス４９がプロセス部２０内
のきわめて狭い領域のみに限られ、ウェハＷがアミン系
成分によって汚染されなくなる。

【００３８】なお、疎水化処理部４０の下方側には他の
処理部が存在せず、かつ疎水化処理部４０が搬送路３１
とほぼ同じ高さレベルに位置することから、漏洩ガス４
９の拡散領域は搬送路３１に対してほとんど重ならな
い。従ってアミン系成分によりウエハＷは実質的に汚染
されなくなる。

【００３９】ここで、疎水化処理部４０内の雰囲気を不
活性ガスに置換し、アミン系成分の飛散量自体を少なく
するようにすることも考えられるが、アミン系成分の濃
度を極めて低い濃度（数ｐｐｂオーダー）に抑えるため
には、長時間にわたって疎水化処理部４０内をガス置換
しなければならない。このため、スル―プットが低下し
てしまう。

【００４０】次に、図１２および図１３を参照しながら
本発明の他の実施例について説明する。図１２に示すよ
うに、この実施例のフィルタ装置９は、２つのエレメン
ト９２を持つ第１のフィルタ部９１を有し、さらに２組
のガス捕集管９３、測定部９４及び検出部９５を有す
る。一方のガス捕集管９３の吸入口は第１フィルタ部９
１のエレメント相互間に位置する。他方のガス捕集管９
３の吸入口は第２フィルタ部６３のエレメント下部（フ
ィルタ装置９の出口側）に位置する。各ガス捕集管９３
は各測定部９４に連通し、各測定部９４は各検出部９５
に接続されている。測定部９４にはガスクロマトグラフ
ィ―、イオンクロマトグラフィ―あるいはガス電極によ
るｐＨ測定器を用いる。一方の検出部９５には第１アラ
ーム９６ａが接続され、他方の検出部９５には第２アラ
ーム９６ｂが接続されている。

【００４１】図１３に示すように、フィルタエレメント
９２は炭素繊維シ―トを蛇腹状に折り曲げた形状（プリ
ーツ構造）をなしている。エレメント９２の側周部は、
折り曲げた面を外気が通気するようにシ―ル層７５を介
して支持枠７２に取り付けられている。エアはスリット
７３を通って下流側に流れる。支持枠７２にはファン６
２の側にガスケット７４が取り付けられている。エレメ
ント９２は、炭素繊維網状体（炭素繊維を編み込んだシ
ート）をリン酸溶液に浸漬した後に、微細孔中に侵入し
たリン酸溶液の一部を遠心分離機によりはじき飛ばし、
その後プレスしてプレ―ト化してつくられる。

【００４２】外気が第１のフィルタ部９１を通過すると
きに、外気中に含まれるアルカリ成分、主としてアミン
系成分はリン酸と中和反応を起こしてトラップされる。
このとき、外気は、上部側のエレメント９２から下部側
のエレメント９２へ通過する際に、第１のガス捕集管９
３によって定期的に捕集され、測定部９４の水溶液中に
バブリングされる。測定部９４で測定されたアミン系成
分の濃度が一定値を越えると、検出部９５は第１アラー
ム９６ａに指令信号を送り、第１出力部９６ａからアラ
―ムが発される。オペレータはアラームを聞くと、フィ
ルタエレメント９２を別のものと取り換える。この場合
に、２つとも新品に取り換えてもよいが、下部側のフィ
ルタエレメント９２を上部側に取り付け、新品のフィル
タエレメントは下部側のみに取り付けてもよい。

【００４３】上記実施例のフィルタ装置によれば、アミ
ン系成分の吸着能力は上流側に位置するフィルタエレメ
ント９２から順に低下していくため、第２のアラ―ム９
６が鳴るよりも前に、一段目のエレメントを通過した空
気を取り込む検出部９５におけるアラ―ムが鳴る。従っ
て第１フィルタエレメント９２相互間のアミン系成分濃
度が所定値を超えたときにその上段側のエレメント９２
を交換するだけで、装置内のウエハについては処分しな
くて済む。なお、第１のフィルタエレメント９２の交換
の方法については、例えば第１アラ―ム９６ａが鳴った
ときに各段全部を交換してもよいし、下段側のエレメン
ト９２については時期をずらして交換してもよい。

【００４４】図１３に示すように、エレメント９２の折
り曲げた面を通気するようにフィルタユニット９を配置
した場合には、エレメント９２の空気抵抗が大きく、第
１のフィルタ部６１を２段に積層すると、ファン６２の
能力を相当大きくしなければならず現実的には多段化が
困難である。しかし、本実施例のようにエレメント９２
を配置すれば、第１のフィルタ部９１の空気抵抗が小さ
くなり、その結果圧力損失も小さくなるため、ファン６
２を用いて外気を十分に吸引でき、第１のフィルタ部９
１の多段化が可能となる。

【００４５】上記実施例のフィルタエレメントは、比表
面積の大きい炭素繊維網状体を酸溶液に浸漬した後に、
遠心分離機で溶液をはじき飛ばし、更にプレスしている
ので、アルカリ成分の吸着領域が大きく、かつ高密度に
配列され、アルカリ成分の吸着効率が高い。

【００４６】なお、アミン系成分は拡散しやすいため、
エレメント９２をこのように配置しても十分に除去する
ことができる。さらに、第１フィルタエレメント９２に
は、上述実施例のもののみに限られずゼオライトや活性
炭などの粒状体または網状体を用いてもよいし、エレメ
ントに添着する酸成分としてはリン酸以外にスルホン酸
などであってもよいし、イオン交換繊維のようなもので
あってもよい。ただし、パ―ティクルの発生が少ない点
で繊維状体のフィルタエレメントが好ましい。

【００４７】また、ファン６２は、第１のフィルタ部６
１（９１）と第２のフィルタ部６３との間に配置すれ
ば、プロセス部２０内における風速を０．２〜０．４ｍ
／秒の好ましい範囲にすることができる。

【００４８】そしてまた本発明は、塗布装置と現像装置
とが分離されているものに対しても適用することができ
る。更には塗布、現像装置と露光部とが例えば搬送路を
介して連結されている場合には、これら全体をカバ―で
覆ってこのカバ―にフィルタユニット部を設けてもよ
い。なお、半導体ウエハ以外にＬＣＤ用のガラス基板な
どを被処理基板としてもよい。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、比表面積の大きい多孔
質体を酸溶液に浸漬した後に、遠心分離機で過剰な酸溶
液を除去し、さらにプレスしてフィルタエレメントを形
成している。このようなフィルタエレメントは、多孔質
体にアルカリ成分と反応吸着しうる酸成分を含むので、
アルカリ成分の捕捉率が極めて高い。このため、エッチ
ング後におけるレジスト塗布膜の形状が良好になる。と
くに化学増幅型のレジスト塗布膜においては、異方性エ
ッチングによる側壁の垂直特性が飛躍的に改善される。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ）のそれぞ
れは、従来のレジスト膜の現像処理を模式化して説明す
る縦断面モデル図。

【図２】レジスト処理システムの外観を示す斜視図。

【図３】レジスト処理システムの内部の概略レイアウト
を示す平面図。

【図４】レジスト処理システムを示す外観側面図。

【図５】レジスト処理システムのプロセス部を示す縦断
面図。

【図６】レジスト処理システムのインターフェイス部を
示す縦断面図。

【図７】フィルタユニットの一部を切り欠いて内部エレ
メントを示す斜視図。

【図８】フィルタエレメントの一部を示す部分断面図。

【図９】疎水化処理部を示す縦断面図。

【図１０】従来のプロセス部を示す縦断面図。

【図１１】実施例のプロセス部を示す縦断面図。

【図１２】他の実施例に係るフィルタユニットを示す正
面図。

【図１３】他の実施例のフィルタユニットの一部を切り
欠いて内部エレメントを示す斜視図である。

【符号の説明】

２０…プロセス部、２１…ロード／アンロード部、２２
…インターフェイス部、６０…開口部、６１，６１ａ，
９１…第１のフィルタ部、６２，６２ａ…ファン、６
３，６３ａ…第３のフィルタ部、７０，７０ａ…フィル
タユニット、７１，９２…フィルタエレメント、７２…
支持枠、７３…スリット、７７…循環ダクト、９３…ガ
ス捕集管、９４…測定部、９５…検出部、１００…露光
部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１Ｈ０１Ｌ 21/027 7352−4ＭＨ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｄ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外気をレジスト処理システム内に取り入
れるための開口部をもつ枠体と、前記開口部に外気を吸
引する吸引手段と、この吸引手段の少なくとも一方面側
に位置するように前記枠体によって支持されたフィルタ
エレメントと、を有し、前記フィルタエレメントは、アルカリ成分と反応吸着し
うる酸成分を含む多孔質体を有することを特徴とする請
求項１記載のフィルタ装置。
【請求項２】フィルタエレメントは、酸溶液中に浸漬
した後に、微細孔中に侵入した酸溶液の一部を遠心分離
機によりはじき飛ばし、その後プレスしてプレ―ト化し
たものであることを特徴とする請求項１記載のフィルタ
装置。
【請求項３】多孔質体は活性炭でできていることを特
徴とする請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項４】多孔質体は炭素繊維でできていることを
特徴とする請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項５】多孔質体はゼオライトでできていること
を特徴とする請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項６】多孔質体はイオン交換繊維でできている
ことを特徴とする請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項７】多孔質体はオレフィン系繊維でできてい
ることを特徴とする請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項８】酸成分はリン酸であることを特徴とする
請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項９】酸成分はスルホン酸であることを特徴と
する請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項１０】スルホン酸基がイオン交換繊維のベー
スポリマーに化学結合していることを特徴とする請求項
６記載のフィルタ装置。
【請求項１１】スルホン酸基がオレフィン系繊維のベ
ースポリマーに化学結合していることを特徴とする請求
項７記載のフィルタ装置。
【請求項１２】フィルタエレメントは、多孔質体のシ
ートをハニカム構造に形成したものであることを特徴と
する請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項１３】フィルタエレメントは、多孔質体のシ
ートをプリーツ構造に形成したものであることを特徴と
する請求項１記載のフィルタ装置。
【請求項１４】フィルタエレメントは、外気の出口側
にスリットをもつプリーツ構造の多孔質体のシートを有
することを特徴とする請求項１３記載のフィルタ装置。
【請求項１５】吸引手段の吸い込み側に第１のフィル
タエレメントを有し、吸引手段の送り出し側に第２のフ
ィルタエレメントを有し、前記第１のフィルタエレメン
トがアルカリ成分と反応吸着しうる酸成分を含む多孔質
体を有することを特徴とする請求項１記載のフィルタ装
置。
【請求項１６】さらに、第１のフィルタエレメントを
通過したガスに含まれるアルカリ成分を測定検出する手
段を有することを特徴とする請求項１５記載のフィルタ
装置。
【請求項１７】さらに、測定検出されたアルカリ成分
がいき値を越えたときにアラームを発するアラーム手段
を有することを特徴とする請求項１６記載のフィルタ装
置。
【請求項１８】第１のフィルタエレメントが二段にな
っていることを特徴とする請求項１５記載のフィルタ装
置。
【請求項１９】フィルタ手段を備えたレジスト処理シ
ステムであって、基板にレジストを塗布するレジスト塗布手段と、塗布レ
ジストをベークするベーキング手段と、塗布レジストを
現像する現像手段と、外気中の不純物を除去するフィル
タ手段と、を備え、前記フィルタ手段は、外気をレジスト処理システム内に
取り入れるための開口部をもつ枠体と、前記開口部に外
気を吸引する吸引手段と、この吸引手段の少なくとも一
方面側に位置するように前記枠体によって支持されたフ
ィルタエレメントと、を有し、前記フィルタエレメントは、アルカリ成分と反応吸着し
うる酸成分を含む多孔質体を有することを特徴とするレ
ジスト処理システム。
【請求項２０】さらに、基板に塗布されたレジストを
露光する露光手段を有することを特徴とする請求項１９
記載のレジスト処理システム。