JPH07239237A - 電子式走行距離計 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 走行距離の下位桁を記憶する領域が複数ワー
ドであっても、その上位桁のデータより一義的に最新の
総走行距離を記憶している、すなわち更新する際のワー
ドが求まる。 【構成】 距離検出手段１は走行距離に応じたパルス信
号を出力する。距離演算手段２はパルス信号に応じた走
行距離を演算する。不揮発性の記憶手段４は走行距離を
各桁毎にＢＣＤで記憶するため前記各桁の更新頻度に応
じたワード数の専用記憶領域を有する。制御手段３は走
行距離が単位走行距離に達する毎に記憶手段４のデータ
を更新すると共に複数ワードで構成されている記憶領域
は上位桁の記憶領域のデータにより更新する際のワード
を決める。表示手段６は記憶手段４のデータに応じて総
走行距離を表示する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、自動車やオートバイ等
の車両のオドメータやトリップメータとして使用される
電子式走行距離計に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子式走行距離計を、例えば車両のオド
メータとして使用する場合、バッテリ異常（電圧低下や
外れ等）になっても過去の総走行距離を保持しておく必
要があることから、不揮発性の記憶手段を用いている
（特開昭５７−１９８８１０号公報）。また、不揮発性
メモリの構成としては、不揮発性メモリの許容更新回数
（約１万回）を考慮して、総走行距離を下位桁（１Km桁
と10Km桁）用記憶領域と上位桁（ 100Km桁〜100000Km
桁）用記憶領域とに分け、単位走行距離（例えば１km）
毎に下位桁用記憶領域を１ビットずつ書換え、上位桁用
記憶領域にはその桁上げを記憶させ、かつ、下位桁用記
憶領域と上位桁用記憶領域とに夫々誤り訂正手段を設け
たものもある（特開平５−３２２５９４号公報）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで近年では、半
導体技術の進歩により、不揮発性の記憶手段の性能が向
上し、その許容更新回数も大幅に向上しており、これに
対応する電子式走行距離計が望まれている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明は、走行距離に応じたパルス信号を出力する
距離検出手段と、前記パルス信号に応じた走行距離を演
算する距離演算手段と、前記走行距離を各桁毎にＢＣＤ
で記憶するため前記各桁の更新頻度に応じたワード数の
専用記憶領域を有する不揮発性の記憶手段と、前記走行
距離が単位走行距離に達する毎に前記記憶手段のデータ
を更新すると共に複数ワードで構成されている前記記憶
領域については上位桁の前記記憶領域のデータにより更
新する際のワードを決める制御手段と、前記記憶手段の
データに応じて総走行距離を表示する表示手段と、を有
することを特徴とするものである。

【０００５】また、前記ワード数は、前記単位走行距離
を含む桁については、最大総走行距離／（許容更新回数
×桁の最小距離×単位走行距離）、それ以外の桁につい
ては、最大総走行距離／（許容更新回数×桁の最小距
離）の計算結果にて求め、その計算結果が１未満の桁に
ついては１ワードとすることを特徴とする。

【０００６】または、前記ワード数は、前記単位走行距
離を含む桁については、最大総走行距離／（許容更新回
数×桁の最小距離×単位走行距離）、その直近する上位
桁については、前記単位走行距離を含む桁と同数、それ
ら以外の桁については、最大総走行距離／（許容更新回
数×桁の最小距離）の計算結果にて求め、その計算結果
が１未満の桁については１ワードとし、前記単位走行距
離を含む桁及びその直近する上位桁については、前記単
位走行距離を含む桁及びその直近する上位桁以外の上位
桁の前記記憶領域のデータにより更新する際のワードを
決めてそのワード単位で同時に更新することを特徴とす
る。

【０００７】

【作用】走行距離の下位桁を記憶する領域が複数ワード
であっても、その上位桁のデータにより最新の総走行距
離を記憶している、すなわち更新する際のワードが一義
的に求まる。

【０００８】

【実施例】以下、本発明について、添付図面に記載した
各実施例に基づき説明する。

【０００９】図１は、本発明に係る電子式走行距離計を
車両のオドメータとして用いたブロック図であり、距離
検出手段１は車両の車輪あるいは車軸に設けられて回転
数毎にパルス信号を出力するセンサで、マイクロコンピ
ュータからなる演算制御手段２の距離入力とする。

【００１０】距離演算手段２は、距離入力を受けてその
パルス数をカウントし、所定の単位走行距離毎に制御手
段３へ制御信号を出力する。

【００１１】制御手段３は、制御信号を受けて後述する
構成のＥＥＰＲＯＭ等からなる不揮発性の記憶手段４の
データを読みだして１つ手前の時点の総走行距離を求
め、その値に単位走行距離を加えたものを最新の総走行
距離として記憶手段４のデータを更新（消去／書込）す
る。同時に、駆動手段５を介して表示手段６の表示内容
を更新するよう表示信号を出力する。なお、１つ手前の
時点の総走行距離を求める方法としては、必ずしも記憶
手段４のデータを読みだす必要はなく、バッテリ（図示
しない）接続時であれば距離演算手段２内にあるＲＡＭ
等の揮発性記憶手段（図示しない）で記憶されているデ
ータを制御手段３で読みだして求めても良い。

【００１２】なお、７は誤り訂正手段であり、この誤り
訂正手段７による記憶手段４における誤りの検出と訂正
及び制御手段３による記憶手段４の読みだしや更新につ
いては、本願出願人の先願である特開平５−３２２５９
４号公報に記載と同じであり、それらの詳細な説明を省
略する。

【００１３】次に、図２，図３を用いながら、記憶手段
４の構成と動作について説明する。本実施例では、許容
更新回数を５万回、単位走行距離を２Km、最大総走行距
離を100万Km（但し、表示手段５を最下位桁が１Km桁で
全６桁表示とすれば、実際の表示可能最大総走行距離は
999999Kmとなる）とし、各桁の数値０〜９をＢＣＤ（２
進化10進コード）により記憶手段４の各ワードで保持す
るよう、各ワードは５ビット（本来は４ビットで済む
が、各ワードの最上位ビットはパリティビットとして設
定され、奇数パリティにて同一ワードの「０」の個数を
常に奇数個となるようにしている）とし、１Km桁は10ワ
ード、10Km桁は２ワード、 100Km以上の各桁は夫々１ワ
ードで、これらワード数Ｗは、下記に示す式１（単位走
行距離を含む桁用、すなわち本実施例では１Km桁用），
式２（式１で求める桁以外の桁用）に基づく計算結果に
より求められた。但し、Ｌは最大総走行距離（ 100万K
m）、Ｎは許容更新回数（５万回）、Ｐはワード数Ｗを
求める桁の最小距離、Ｍは単位走行距離（２Km）で、計
算結果が１未満の桁については１ワードとする。

【００１４】Ｗ＝Ｌ／（Ｎ×Ｐ×Ｍ）・・・式１

【００１５】Ｗ＝Ｌ／（Ｎ×Ｐ）・・・・・式２

【００１６】この計算結果に基づいて記憶手段４の各桁
の更新頻度に応じたワード数の専用記憶領域を図示した
ものが図２である。すなわち、10は１Km桁用記憶領域で
アドレス00〜09の10ワード、20は10Km桁用記憶領域でア
ドレス20〜21の２ワード、30，40，50及び60は 100Km，
1000Km， 10000Km及び100000Kmの各桁用記憶領域でアド
レス22，23，24及び25の各１ワードである。また、各記
憶領域10〜60は夫々ａ，ｂ及びｃの３組からなり、同一
アドレスでは同一データを記憶するが、以下の説明では
ａについてのみ説明し、他の組については省略する。

【００１７】本発明の特徴は、複数のアドレスを有する
桁（本実施例では１Km桁と10Km桁）用の記憶領域におけ
る更新するアドレスを、上位桁のデータ（走行距離）に
より決めることにあり、以下に詳述する。

【００１８】１Km桁用記憶領域10は、アドレス00〜09が
割り付けられており、図３で示すように、その上位桁で
ある 100Km桁用記憶領域30すなわちアドレス22のデータ
の下位の値（０〜９）により、更新するアドレスが一義
的に決められる。つまりアドレス00〜09は、 100Km走行
毎に切り替わる。

【００１９】また、10Km桁用記憶領域20は、アドレス2
0，21が割り付けられており、図３で示すように、その
上位桁である1000Km桁用記憶領域40すなわちアドレス23
のデータの下位１ビットの値（０か１）により、更新す
るアドレスが一義的に決められる。つまりアドレス20，
21は、1000Km走行毎に切り替わる。

【００２０】図４，図５は、本発明の他の実施例を示し
ており、前記実施例との違いは、単位走行距離Ｍを１Km
としたことにより１Km桁用記憶領域10のワード数が、式
１により20ワードとなったことである。

【００２１】したがって、１Km桁用記憶領域10は、アド
レス00〜19が割り付けられており、図５で示すように、
その上位桁である 100Km桁用記憶領域30すなわちアドレ
ス22のデータの下位の値（０〜９）及び1000Km桁用記憶
領域40すなわちアドレス23のデータの下位１ビットの値
（０か１）により、更新するアドレスが一義的に決めら
れる。つまりアドレス00〜09は、 100Km走行毎に切り替
わり、かつ、1000Km走行毎に前半（アドレス00〜09）と
後半（アドレス10〜19）を交互に使用する。その他の点
については前記実施例と同様である。

【００２２】これらの実施例によれば、下位桁も上位桁
と同様にＢＣＤで記憶することにより、走行距離の記憶
方法は全て１０進数を基本とすることができ、表示手段
６への変換方法が簡略化でき、特に論理回路で構成する
際は、少ないメモリ容量とゲート数で走行距離のデータ
の信頼性向上が図れる利点がある。このような構成とす
ることが可能となったのは、不揮発性の記憶手段の性能
が向上し、その許容更新回数が大幅に向上したことによ
る（図２，図４の１Km桁用記憶領域10は、 100万Km走行
時で各ワードのビットが５万回更新されているのに対
し、本願出願人の先願である特開平５−３２２５９４号
公報の図２の第１不揮発性メモリ４のビットは、同距離
走行時で１万回の更新である）。

【００２３】図６は、本発明の更に他の実施例を示して
おり、前記各実施例がａ，ｂ及びｃの３組用意して各組
に同じデータを記憶させ、同一アドレスにおいて異なる
データを記憶していることとなった場合には、多数決に
より正しいと思われるデータを推定して表示に用いるこ
ととする構成であった（詳しくは特公平１−４６００５
号公報参照）のに対し、本実施例は記憶しているデータ
のビット誤りを検出するための検査ビットを生成する構
成（詳しくは本願出願人の先願である特開平５−２９６
７８１号公報参照）である点で異なる。

【００２４】すなわち、記憶手段４を構成する１Km桁用
記憶領域10と10Km桁用記憶領域20は、夫々４ビット×20
ワードで構成され、かつ、アドレス00〜19を共通に有
し、アドレス00〜19の夫々には５ビットの検査ビット用
領域70を付加している。

【００２５】また、記憶手段４を構成する 100Km桁用記
憶領域30と1000Km桁用記憶領域40は、夫々４ビット×１
ワードで構成され、かつ、アドレス1Aを共通に有し、こ
のアドレス1Aには５ビットの検査ビット用領域80を付加
している。同様に、記憶手段４を構成する 10000Km桁用
記憶領域50と100000Km桁用記憶領域60は、夫々４ビット
×１ワードで構成され、かつ、アドレス1Bを共通に有
し、このアドレス1Bには５ビットの検査ビット用領域90
を付加している。

【００２６】かかる構成において、１Km桁用記憶領域10
及び10Km桁用記憶領域20は、アドレス00〜19が割り付け
られており、前記他の実施例の１Km桁用記憶領域10と同
様に、その上位桁である 100Km桁用記憶領域30のデータ
の下位の値（０〜９）及び1000Km桁用記憶領域40のデー
タの下位１ビットの値（０か１）により、更新するアド
レスが一義的に決められる。つまりアドレス00〜19は、
100Km走行毎に切り替わり、かつ、1000Km走行毎に前半
（アドレス00〜09）と後半（アドレス10〜19）を交互に
使用する。すなわち、単位走行距離を含む桁（１Km桁）
については、式１の計算結果にて、その直近する上位桁
（10Km桁）については、単位走行距離を含む桁と同数、
それら以外の桁（ 100Km桁〜100000Km桁）については、
式２の計算結果にて求め、その計算結果が１未満の桁に
ついては１ワードとし、単位走行距離を含む桁及びその
直近する上位桁については、単位走行距離を含む桁及び
その直近する上位桁以外の上位桁（ 100Km桁及び1000Km
桁）の記憶領域のデータにより更新する際のワードを決
めてそのワード単位で同時に更新する。

【００２７】この実施例によれば、前記各実施例の利点
に加え、各桁用記憶領域10〜90は１組しかなく、同じデ
ータを複数組（ａ，ｂ及びｃの３組）にて記憶する前記
各実施例に比べて、記憶手段４を小型化することがで
き、更新も簡単に行える利点もある。また、１Km桁用記
憶領域10及び10Km桁用記憶領域20は、同じアドレスで更
新が行われるため、１Km桁用記憶領域10及び10Km桁用記
憶領域20の更新が同時に行われて更新時間の短縮とな
る。

【００２８】なお、本発明は、走行距離を各桁毎にＢＣ
Ｄで記憶するため前記各桁の更新頻度に応じたワード数
の専用記憶領域を有する構成であることから、従来のも
のに比べて記憶手段４の容量（ビット数）が多くなる。
しかし、記憶手段４は市販の汎用メモリ（１Ｋビットや
２Ｋビット等の規格品）を用いることが一般的であるた
め、元々容量に余裕があり、前記各実施例のように多少
容量が増加したとしても、実際には従来使用していたメ
モリをそのまま使用することができ、コストアップを招
かない。また、本発明は、前記各実施例に限定されるも
のではなく、例えば単位走行距離等の設定は任意に決め
られる。また、走行距離に限らず、他の車両情報例えば
車両の使用時間を前記各実施例において同様に記憶し表
示することもできる。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、走行距離の記憶方法は
１０進数を基本としているため、表示手段への変換手段
が簡素化され、構成の簡略化が図れ、小型化やコストダ
ウンの効果を有する。また、走行距離の下位桁を記憶す
る領域が複数あっても、その上位桁のデータより一義的
に最新の記憶領域が求まるため、更新の際の手間が簡略
化できて更新時間の低減が可能となる効果を有し、一義
的に最新の記憶領域が求まるため、誤差の低減にも寄与
する効果を有する。特に、近年の半導体技術の進歩によ
る不揮発性の記憶手段の性能の向上すなわち許容更新回
数の大幅な向上に着目して、これに対応する電子式走行
距離計を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の構成を示すブロック図。

【図２】同上実施例の記憶手段の構成を示す説明図。

【図３】同上実施例の記憶手段の更新方法を示す説明
図。

【図４】本発明の他の実施例の記憶手段の構成を示す説
明図。

【図５】同上実施例の記憶手段の更新方法を示す説明
図。

【図６】本発明の更に他の実施例の記憶手段の構成を示
す説明図。

【符号の説明】

１ 距離検出手段 ２ 距離演算手段 ３ 制御手段 ４ 記憶手段 ５ 駆動手段 ６ 表示手段 ７ 誤り訂正手段 10 １Km桁用記憶領域 20 10Km桁用記憶領域 30 100 Km桁用記憶領域 40 1000Km桁用記憶領域 50 10000 Km桁用記憶領域 60 100000Km桁用記憶領域 70〜90 検査ビット用領域

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 走行距離に応じたパルス信号を出力する
   距離検出手段と、前記パルス信号に応じた走行距離を演
   算する距離演算手段と、前記走行距離を各桁毎にＢＣＤ
   で記憶するため前記各桁の更新頻度に応じたワード数の
   専用記憶領域を有する不揮発性の記憶手段と、前記走行
   距離が単位走行距離に達する毎に前記記憶手段のデータ
   を更新すると共に複数ワードで構成されている前記記憶
   領域については上位桁の前記記憶領域のデータにより更
   新する際のワードを決める制御手段と、前記記憶手段の
   データに応じて総走行距離を表示する表示手段と、を有
   することを特徴とする電子式走行距離計。
2. 【請求項２】 前記ワード数は、前記単位走行距離を含
   む桁については、最大総走行距離／（許容更新回数×桁
   の最小距離×単位走行距離）、それ以外の桁について
   は、最大総走行距離／（許容更新回数×桁の最小距離）
   の計算結果にて求め、その計算結果が１未満の桁につい
   ては１ワードとすることを特徴とする請求項１に記載の
   電子式走行距離計。
3. 【請求項３】 前記ワード数は、前記単位走行距離を含
   む桁については、最大総走行距離／（許容更新回数×桁
   の最小距離×単位走行距離）、その直近する上位桁につ
   いては、前記単位走行距離を含む桁と同数、それら以外
   の桁については、最大総走行距離／（許容更新回数×桁
   の最小距離）の計算結果にて求め、その計算結果が１未
   満の桁については１ワードとし、前記単位走行距離を含
   む桁及びその直近する上位桁については、前記単位走行
   距離を含む桁及びその直近する上位桁以外の上位桁の前
   記記憶領域のデータにより更新する際のワードを決めて
   そのワード単位で同時に更新することを特徴とする請求
   項１に記載の電子式走行距離計。