JPH07240601A - 高周波回路基板の接続方法 - Google Patents
高周波回路基板の接続方法Info
- Publication number
- JPH07240601A JPH07240601A JP6032134A JP3213494A JPH07240601A JP H07240601 A JPH07240601 A JP H07240601A JP 6032134 A JP6032134 A JP 6032134A JP 3213494 A JP3213494 A JP 3213494A JP H07240601 A JPH07240601 A JP H07240601A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency circuit
- metal base
- circuit board
- high frequency
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- Prior art date
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- Pending
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は高周波回路基板に関し、その目的は、
温度変動に対して十分信頼性を確保でき、さらにインピ
ーダンス不整合を小さく抑えることができる基板の接続
方法を提供することにある。 【構成】金属ベース上で高周波回路基板を接続する場
合、金属ベース側に凸状に成るように成形した接続用の
導体により接続する。 【効果】本発明によれば、温度変動による基板間の接続
箇所における信頼性は十分確保することができ、さら
に、基板間の接続箇所におけるインピーダンス不整合を
抑えることができるという効果がある。
温度変動に対して十分信頼性を確保でき、さらにインピ
ーダンス不整合を小さく抑えることができる基板の接続
方法を提供することにある。 【構成】金属ベース上で高周波回路基板を接続する場
合、金属ベース側に凸状に成るように成形した接続用の
導体により接続する。 【効果】本発明によれば、温度変動による基板間の接続
箇所における信頼性は十分確保することができ、さら
に、基板間の接続箇所におけるインピーダンス不整合を
抑えることができるという効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波回路基板の接続
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来の高周波回路基板の接続方法
を示す。誘電体である基板１、基板上に形成される高周
波信号の導体パタン２、金属ベース３、接続用の導体４
により構成されている。基板は金属ベースと電気的に導
通させるために、基板を金属ベース上に半田付けあるい
はネジ等により固定される。接続用の導体は、基板上の
導体パタンに両端を半田付けあるいは導電性の接着材等
により固定される。
を示す。誘電体である基板１、基板上に形成される高周
波信号の導体パタン２、金属ベース３、接続用の導体４
により構成されている。基板は金属ベースと電気的に導
通させるために、基板を金属ベース上に半田付けあるい
はネジ等により固定される。接続用の導体は、基板上の
導体パタンに両端を半田付けあるいは導電性の接着材等
により固定される。
【０００３】このような従来の実装方法において、基
板、金属ベース、接続用の導体の熱膨張係数を合わせる
ことにより、温度変動により発生する接続部のストレス
を低減している。
板、金属ベース、接続用の導体の熱膨張係数を合わせる
ことにより、温度変動により発生する接続部のストレス
を低減している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、基
板、金属ベース、接続用の導体の熱膨張係数を合わせる
必要がある。高周波回路に使用される基板は、高周波領
域において伝播損失が小さい必要があり、テフロン、ア
ルミナセラミックス等がその要求を満たし使用されてい
る。加工の容易さ、量産に適していることからアルミナ
セラミックスが高周波回路基板に使用されることが多
い。このアルミナセラミックスの熱膨張係数は７×１０
~4Ｋ~1であり、同じ熱膨張係数をもつ金属としてコバー
ルがある。しかし、コバールは成分比により熱膨張係数
は５〜１１×１０~4Ｋ~1とばらつきが存在するため、成
分比を調整する必要があった。したがって、そのような
材料は高価になり、さらに、加工が困難であるという問
題があった。
板、金属ベース、接続用の導体の熱膨張係数を合わせる
必要がある。高周波回路に使用される基板は、高周波領
域において伝播損失が小さい必要があり、テフロン、ア
ルミナセラミックス等がその要求を満たし使用されてい
る。加工の容易さ、量産に適していることからアルミナ
セラミックスが高周波回路基板に使用されることが多
い。このアルミナセラミックスの熱膨張係数は７×１０
~4Ｋ~1であり、同じ熱膨張係数をもつ金属としてコバー
ルがある。しかし、コバールは成分比により熱膨張係数
は５〜１１×１０~4Ｋ~1とばらつきが存在するため、成
分比を調整する必要があった。したがって、そのような
材料は高価になり、さらに、加工が困難であるという問
題があった。
【０００５】本発明の目的は、高周波回路基板の接続に
おいて、基板、金属ベース、接続用の導体の熱膨張係数
によらず、温度変動に対して安定な接続方法を提供する
ことにある。
おいて、基板、金属ベース、接続用の導体の熱膨張係数
によらず、温度変動に対して安定な接続方法を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、接続用の導体を金属ベース側に凸状に成形したもの
を採用することにより基板間を接続する。
に、接続用の導体を金属ベース側に凸状に成形したもの
を採用することにより基板間を接続する。
【０００７】
【作用】本発明では、基板、金属ベース、接続用の導体
の熱膨張係数の差により発生する基板間の距離の変動を
接続用の導体の一部に成形した凸部において吸収するこ
とにより、基板と接続用の導体の固定部に加わるストレ
スを低減し、温度変動に対して安定な接続を実現するこ
とができる。
の熱膨張係数の差により発生する基板間の距離の変動を
接続用の導体の一部に成形した凸部において吸収するこ
とにより、基板と接続用の導体の固定部に加わるストレ
スを低減し、温度変動に対して安定な接続を実現するこ
とができる。
【０００８】従来例として、接続用の導体の凸部を図１
のように金属ベース側にする場合とその逆に接続するこ
とも可能である。これを示したのが図３である。しか
し、高周波回路で重要となる基板の接続箇所におけるイ
ンピーダンスの不整合の点から考えると、接続用の導体
の凸部を金属ベース側にする方が有利である。図４に、
１０ＧＨｚにおいてグランド面の上に平行に厚さ０．１
ｍｍ、幅０．６ｍｍ、長さ１．０ｍｍの接続用の導体を
設けた場合、その高さを変化させてＶＳＷＲを計算した
結果を示す。図から、接続用の導体とグランド面との距
離が近い程、ＶＳＷＲが小さくなっていることから、イ
ンピーダンスの不整合は小さくできることがわかる。し
たがって、接続用の導体４の凸部を金属ベース側にする
方がインピーダンスの不整合は小さくなり、高周波回路
基板の接続に適している。
のように金属ベース側にする場合とその逆に接続するこ
とも可能である。これを示したのが図３である。しか
し、高周波回路で重要となる基板の接続箇所におけるイ
ンピーダンスの不整合の点から考えると、接続用の導体
の凸部を金属ベース側にする方が有利である。図４に、
１０ＧＨｚにおいてグランド面の上に平行に厚さ０．１
ｍｍ、幅０．６ｍｍ、長さ１．０ｍｍの接続用の導体を
設けた場合、その高さを変化させてＶＳＷＲを計算した
結果を示す。図から、接続用の導体とグランド面との距
離が近い程、ＶＳＷＲが小さくなっていることから、イ
ンピーダンスの不整合は小さくできることがわかる。し
たがって、接続用の導体４の凸部を金属ベース側にする
方がインピーダンスの不整合は小さくなり、高周波回路
基板の接続に適している。
【０００９】
【実施例】図１に本発明の一実施例を示す。誘電体１
０、厚さ０．６３５ｍｍのセラミックスからなる基板１
の上に形成した幅０．６ｍｍのマイクロストリップライ
ン２から構成される高周波回路基板を金属ベース３の上
に実装する構成において、マイクロストリップラインと
同じ幅０．６ｍｍの板状の接続用の導体４の一部を半円
状に成形したものにより基板間を接続する方法である。
本実施例では、温度変動による基板、金属ベースの熱膨
張係数の差による接続箇所に加わるストレスは、接続用
の導体４の半円状の部分において吸収できる。また、接
続部のインピーダンス不整合を小さくするために、接続
用の導体４は板状にし、幅をマイクロストリップライン
の幅に合わせている。さらに、接続用の導体をグランド
に近くなるように、凸部を金属ベース側にして実装して
いる。
０、厚さ０．６３５ｍｍのセラミックスからなる基板１
の上に形成した幅０．６ｍｍのマイクロストリップライ
ン２から構成される高周波回路基板を金属ベース３の上
に実装する構成において、マイクロストリップラインと
同じ幅０．６ｍｍの板状の接続用の導体４の一部を半円
状に成形したものにより基板間を接続する方法である。
本実施例では、温度変動による基板、金属ベースの熱膨
張係数の差による接続箇所に加わるストレスは、接続用
の導体４の半円状の部分において吸収できる。また、接
続部のインピーダンス不整合を小さくするために、接続
用の導体４は板状にし、幅をマイクロストリップライン
の幅に合わせている。さらに、接続用の導体をグランド
に近くなるように、凸部を金属ベース側にして実装して
いる。
【００１０】また、この実施例では、接続用の導体４の
凸部の形状を半円としているが、基板の熱による伸縮を
吸収できるような形状であれば問題は無い。
凸部の形状を半円としているが、基板の熱による伸縮を
吸収できるような形状であれば問題は無い。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、温度変動による基板間
の接続箇所における信頼性は十分確保することができ、
さらに、基板間の接続箇所におけるインピーダンスの不
整合を小さく抑えることができるという効果がある。
の接続箇所における信頼性は十分確保することができ、
さらに、基板間の接続箇所におけるインピーダンスの不
整合を小さく抑えることができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】第１の従来の高周波回路基板の接続方法を示す
図である。
図である。
【図３】第２の従来の高周波回路基板の接続方法を示す
図である。
図である。
【図４】接続用の導体をグランド面の上に設けた場合の
ＶＳＷＲを計算した結果を示す図である。
ＶＳＷＲを計算した結果を示す図である。
１…高周波回路基板、 ２…マイクロストリップライン、 ３…金属ベース、 ４…接続用の導体。
Claims (1)
- 【請求項１】回路共通グランドとなる金属ベースと、少
なくとも１個以上の高周波信号接続のための導体パタン
が形成された少なくとも１個以上の誘電体基板と、該誘
電体基板間を接続するための少なくとも１個以上の接続
導体から構成される高周波回路において、金属ベ−ス側
に凸状に成形した接続導体により接続することを特徴と
する高周波回路基板の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6032134A JPH07240601A (ja) | 1994-03-02 | 1994-03-02 | 高周波回路基板の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6032134A JPH07240601A (ja) | 1994-03-02 | 1994-03-02 | 高周波回路基板の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240601A true JPH07240601A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12350431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6032134A Pending JPH07240601A (ja) | 1994-03-02 | 1994-03-02 | 高周波回路基板の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07240601A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791439B2 (en) | 2002-10-29 | 2004-09-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Connection structure for high-frequency circuit substrate, manufacturing method thereof and high frequency circuit device |
| JP2006295393A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路 |
| WO2014156683A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 株式会社日立国際電気 | 高周波回路装置 |
-
1994
- 1994-03-02 JP JP6032134A patent/JPH07240601A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791439B2 (en) | 2002-10-29 | 2004-09-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Connection structure for high-frequency circuit substrate, manufacturing method thereof and high frequency circuit device |
| JP2006295393A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路 |
| WO2014156683A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 株式会社日立国際電気 | 高周波回路装置 |
| JP5844005B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2016-01-13 | 株式会社日立国際電気 | 高周波回路装置 |
| US9467194B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-10-11 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | High frequency circuit device |
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