JPH07122902A - マイクロ波集積回路基板間接続構造 - Google Patents

マイクロ波集積回路基板間接続構造

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JPH07122902A
JPH07122902A JP5270142A JP27014293A JPH07122902A JP H07122902 A JPH07122902 A JP H07122902A JP 5270142 A JP5270142 A JP 5270142A JP 27014293 A JP27014293 A JP 27014293A JP H07122902 A JPH07122902 A JP H07122902A
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JP
Japan
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integrated circuit
microwave integrated
circuit boards
dielectric
microwave
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JP5270142A
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English (en)
Inventor
Seiichi Uno
誠一 宇野
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NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Engineering Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/142Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit

Landscapes

  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マイクロ波特性インピーダンスの不連続を低
減し、広帯域にわたって良好な特性を得る。 【構成】 導電性ベースプレート1上にはマイクロ波集
積回路基板2,3が配置されている。マイクロ波集積回
路基板2,3は裏面に面導体が設けられ、表面に金属体
のマイクロストリップ線路4,5が設けられた誘電体基
板からなっており、導電性ベースプレート1上に配置さ
れるときに相互間に間隙6が設けられている。誘電体7
は間隙6において導電性ベースプレート1上に導電性接
着によって固定されている。接続用導体リボン8は誘電
体7の上を通ってマイクロ波集積回路基板2,3各々の
マイクロストリップ線路4,5間に架設されており、誘
電体7の上面と接続用導体リボン8の下面とは互いに接
着されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波集積回路基板
間接続構造に関し、特に複数のマイクロ波集積回路基板
が互いに間隙をもって配設されたマイクロ波装置におけ
るマイクロ波集積回路基板間接続構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、複数のマイクロ波集積回路基板を
並べて接続する場合、マイクロ波集積回路基板の誘電体
の温度による熱膨張係数の違いや、マイクロ波集積回路
基板を筐体にねじ止めするときの製作精度のばらつき等
からマイクロ波集積回路基板相互間に間隙が必要であ
る。
【0003】このマイクロ波集積回路基板間接続構造に
おいては、図7及び図8に示すように、導電性ベースプ
レート1上のマイクロ波集積回路基板2,3のマイクロ
ストリップ線路4,5を接続導体12で接続したとき、
接続導体12上に誘電体片13を乗せて接着している。
【0004】すなわち、間隙6における誘電率はマイク
ロ波集積回路基板2,3の誘電率よりも低いため、間隙
6の部分でマイクロ波特性インピーダンスが不連続とな
る。これを補償するために、間隙6の部分において誘電
体片13を接続導体12上に接着している。
【0005】この場合、間隙6の大きさが周囲温度の変
化によって変化し、接続導体12がその変化に対応する
ことができずに、接続導体12が破断したり、あるいは
亀裂が生じたりすることがある。
【0006】この問題を解決するために、図9及び図1
0に示すように、マイクロ波集積回路基板2,3のマイ
クロストリップ線路4,5に容量性スタブ14,15を
設けるとともに、容量性スタブ14,15間をたるみの
ある接続導体16で接続している。
【0007】これによって、周囲温度が変化しても接続
部分が破断したり、あるいは亀裂が生じたりしないよう
にするとともに、マイクロ波特性インピーダンスの不連
続の補償を容易にしている。
【0008】上記のマイクロ波集積回路基板間接続構造
については、特開平1−256801号公報に詳述され
ている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマイク
ロ波集積回路基板間接続構造では、複数のマイクロ波集
積回路基板を並べて接続する際に、それらマイクロ波集
積回路基板相互間に間隙が必要である。
【0010】しかしながら、筐体及びマイクロ波集積回
路基板各々の熱膨張係数が異なるため、周囲温度の変化
によって間隙の大きさが変化するので、マイクロ波集積
回路基板間を接続する接続導体をたるませて実装しなけ
ればならない。そのため、高周波的にインピーダンスが
不連続となり、高い周波数ほど、また接続する箇所が多
いほど通過周波数特性が劣化するという問題がある。
【0011】また、容量性スタブを設けてマイクロ波特
性インピーダンスの不連続を補償する構成が提案されて
いるが、この場合にはマイクロ波角周波数ω=1/(L
C)1/2 にて周波数が決定されてしまい、広帯域にわた
って良好な特性が得られないという問題がある。
【0012】そこで、本発明の目的は上記問題点を解消
し、マイクロ波特性インピーダンスの不連続を低減する
ことができ、広帯域にわたって良好な特性を得ることが
できるマイクロ波集積回路基板間接続構造を提供するこ
とにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明によるマイクロ波
集積回路基板間接続構造は、表面にマイクロストリップ
線路を備えかつ裏面が導電性ベースプレートに固定され
た誘電体基板からなる複数のマイクロ波集積回路基板が
互いに間隙をもって配設されたマイクロ波装置における
マイクロ波集積回路基板間接続構造であって、前記間隙
に配設されかつ下面が前記導電性ベースプレートに固定
された誘電体と、互いに隣合うマイクロ波集積回路基板
間に前記誘電体を介して架設されかつ当該マイクロ波集
積回路基板各々の前記マイクロストリップ線路を接続す
る接続用導体リボンとを具備している。
【0014】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0015】図1は本発明の一実施例の斜視図であり、
図2は図1のAA線に沿う矢視方向の断面図であり、図
3は図1のBB線に沿う矢視方向の断面図である。これ
らの図において、導電性ベースプレート1上にはマイク
ロ波集積回路基板2,3が配置されている。
【0016】マイクロ波集積回路基板2,3は裏面に面
導体が設けられ、表面に金属体のマイクロストリップ線
路4,5が設けられた誘電体基板からなっている。ま
た、マイクロ波集積回路基板2,3は導電性ベースプレ
ート1上に配置されるときに、相互間に間隙6が設けら
れている。
【0017】この間隙6においては誘電体7が導電性ベ
ースプレート1上に導電性接着によって固定されてお
り、この誘電体7の上を通って接続用導体リボン8がマ
イクロ波集積回路基板2,3各々のマイクロストリップ
線路4,5間に架設されている。この場合、誘電体7の
上面と接続用導体リボン8の下面とは互いに接着されて
いる。
【0018】これら誘電体7及び接続用導体リボン8に
よって、不平衡形マイクロ波ストリップ線路が形成され
る。この不平衡形マイクロ波ストリップ線路の特性イン
ピーダンスをZ0 とすると、 Z0 =30ln{[1+4h/w0 {8h/w0 +[(8h/w0 )2 +π2 1/2 }}/(εw )1/2 で近似することができるのは公知の事実である。ここ
で、hは誘電体7の厚み、w0 はストリップ線路の厚さ
を0としたときの等価的な幅、εw は実効誘電率であ
る。
【0019】ストリップ線路の幅をwとすると、実効誘
電率εw は、 εw =(εr +1)/2+(εr −1)(1+10h/w)-1/2 である。ここで、εr は実効比誘電率である。
【0020】この不平衡形マイクロ波ストリップ線路の
特性インピーダンスZ0 がマイクロ波集積回路の特性イ
ンピーダンスと一致するような適当な誘電体7を選択
し、誘電体7の厚みと接続用導体リボン8の幅とを最適
化することによって、特性インピーダンスの不連続を減
少させることができる。
【0021】例えば、誘電体7としてεr =2.5のテ
フロンを使用した場合、マイクロ波集積回路の特性イン
ピーダンスを50Ωとすると、w/hを2.5に近似、
すなわち誘電体7の厚みを1mmとし、接続用導体リボ
ン8の幅を約2.5mmとすることによって、50Ωの
特性インピーダンスZ0 を実現することができる。
【0022】図4は本発明の他の実施例の斜視図であ
り、図5は図4のCC線に沿う矢視方向の断面図であ
り、図6は図4のDD線に沿う矢視方向の断面図であ
る。これらの図において、導電性ベースプレート1上に
はマイクロ波集積回路基板2,3が配置されている。
【0023】マイクロ波集積回路基板2,3は裏面に面
導体が設けられ、表面に金属体のマイクロストリップ線
路4,5が設けられた誘電体基板からなっている。ま
た、マイクロ波集積回路基板2,3は導電性ベースプレ
ート1上に配置されるときに、相互間に間隙6が設けら
れている。
【0024】この間隙6においては誘電体7が導電性ベ
ースプレート1上に導電性接着によって固定され、この
誘電体7とその上に配置される誘電体9とによって接続
用導体リボン8が挟まれている。接続用導体リボン8は
マイクロ波集積回路基板2,3各々のマイクロストリッ
プ線路4,5間に架設されている。
【0025】この状態で、誘電体7,9と接続用導体リ
ボン8とは導電性ベースプレート1と同電位のクランプ
プレート10によって互いに密着固定されている。クラ
ンププレート10はネジ11a,11bによって導電性
ベースプレート1に固定されている。
【0026】これら誘電体7,9と接続用導体リボン8
とクランププレート10とによって、平衡形マイクロ波
ストリップ線路が形成される。この平衡形マイクロ波ス
トリップ線路の特性インピーダンスZ0 は誘電体7,9
の厚さをhとし、接続用導体リボン8の幅をwとする
と、 0<w/h<0.56の場合、 Z0 =60/(εr )1/2 {ln[2×coth(πw/2h)]} で近似することができる。
【0027】また、0.56≦w/hの場合、 Z0 =148/(εr )1/2 {ln[2×exp(πw/2h)]} で近似することができるのは公知の事実である。
【0028】この平衡形マイクロ波ストリップ線路の特
性インピーダンスZ0 がマイクロ波集積回路の特性イン
ピーダンスと一致するような適当な誘電体7,9を選択
し、誘電体7,9の厚さhと接続用導体リボン8の幅w
とを最適化することによって、特性インピーダンスの不
連続を減少させることができる。
【0029】このように、マイクロ波集積回路基板2,
3の相互間に間隙6を設けて互いに接続する際に間隙6
に誘電体7,9を配置し、マイクロ波集積回路基板2,
3上のマイクロストリップ線路4,5を互いに接続する
接続用導体リボン8を誘電体7,9を介して架設するこ
とによって、マイクロ波集積回路基板2,3の相互間の
間隙6にマイクロストリップ線路を形成することができ
る。
【0030】したがって、マイクロ波特性インピーダン
スの不連続を低減することができ、広帯域にわたって良
好な特性を得ることができる。これによって、従来のよ
うな等価L、等価Cによるマッチングの調整が不要とな
るので、マイクロ波集積回路基板2,3相互間の接続作
業を効率化することができる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数のマイクロ波集積回路基板相互の間隙に下面が導電性
ベースプレートに固定された誘電体を配設し、互いに隣
合うマイクロ波集積回路基板各々のマイクロストリップ
線路を接続する接続用導体リボンを当該マイクロ波集積
回路基板間に誘電体を介して架設することによって、マ
イクロ波特性インピーダンスの不連続を低減することが
でき、広帯域にわたって良好な特性を得ることができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の斜視図である。
【図2】図1のAA線に沿う矢視方向の断面図である。
【図3】図1のBB線に沿う矢視方向の断面図である。
【図4】本発明の他の実施例の斜視図である。
【図5】図4のCC線に沿う矢視方向の断面図である。
【図6】図4のDD線に沿う矢視方向の断面図である。
【図7】従来例の斜視図である。
【図8】図7のEE線に沿う矢視方向の断面図である。
【図9】従来例の斜視図である。
【図10】図9のFF線に沿う矢視方向の断面図であ
る。
【符号の説明】
1 導電性ベースプレート 2,3 マイクロ波集積回路基板 4,5 マイクロストリップ線路 6 間隙 7,9 誘電体 8 接続用導体リボン 10 クランププレート

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面にマイクロストリップ線路を備えか
    つ裏面が導電性ベースプレートに固定された誘電体基板
    からなる複数のマイクロ波集積回路基板が互いに間隙を
    もって配設されたマイクロ波装置におけるマイクロ波集
    積回路基板間接続構造であって、前記間隙に配設されか
    つ下面が前記導電性ベースプレートに固定された誘電体
    と、互いに隣合うマイクロ波集積回路基板間に前記誘電
    体を介して架設されかつ当該マイクロ波集積回路基板各
    々の前記マイクロストリップ線路を接続する接続用導体
    リボンとを含むことを特徴とするマイクロ波集積回路基
    板間接続構造。
  2. 【請求項2】 前記接続用導体リボンは、前記誘電体の
    上面に当接して架設されたことを特徴とする請求項1記
    載のマイクロ波集積回路基板間接続構造。
  3. 【請求項3】 前記接続用導体リボンは、前記誘電体を
    貫通して架設されたことを特徴とする請求項1記載のマ
    イクロ波集積回路基板間接続構造。
  4. 【請求項4】 前記接続用導体リボンは、複数の誘電体
    各々に挟まれて架設されたことを特徴とする請求項1記
    載のマイクロ波集積回路基板間接続構造。
JP5270142A 1993-10-28 1993-10-28 マイクロ波集積回路基板間接続構造 Pending JPH07122902A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006295393A (ja) * 2005-04-07 2006-10-26 Mitsubishi Electric Corp 高周波回路
KR100734332B1 (ko) * 2006-03-23 2007-07-02 이해영 슬로우 웨이브 구조를 가지는 고주파 전송 선로 소자
WO2009016408A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Bae Systems Plc Flexible joint
JP2012089935A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Nec Engineering Ltd 高周波モジュール接続構造
EP2471351B1 (en) * 2009-12-31 2016-05-04 Huawei Technologies Co., Ltd. A microwave unit and method therefore

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