JPH0724247B2 - 非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法とその装置 - Google Patents
非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法とその装置Info
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- JPH0724247B2 JPH0724247B2 JP62328372A JP32837287A JPH0724247B2 JP H0724247 B2 JPH0724247 B2 JP H0724247B2 JP 62328372 A JP62328372 A JP 62328372A JP 32837287 A JP32837287 A JP 32837287A JP H0724247 B2 JPH0724247 B2 JP H0724247B2
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- winding core
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
- C21D1/04—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering with simultaneous application of supersonic waves, magnetic or electric fields
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は非晶質磁性合金薄帯の磁気特性を改良するため
の熱処理方法とその装置に関する。
の熱処理方法とその装置に関する。
〈従来の技術〉 高周波トランス，チョークコイルおよび磁気フィルタな
どに非晶質合金薄帯が用いられる場合，それらに適した
磁気特性のものを使用すること例えば透磁率を高めた
り，ヒステリシス曲線の角型比Br/Bsを適当に低くした
りコア損失を小さくしたりすることは磁化の発生機構に
基づく本質的な特性であるがその他にもその合金の磁区
分布を適当な方法で制御することによって，製品として
要求される磁気特性を出現させることが出来る。その制
御手段の１つとして直交磁場中冷却法がある。
どに非晶質合金薄帯が用いられる場合，それらに適した
磁気特性のものを使用すること例えば透磁率を高めた
り，ヒステリシス曲線の角型比Br/Bsを適当に低くした
りコア損失を小さくしたりすることは磁化の発生機構に
基づく本質的な特性であるがその他にもその合金の磁区
分布を適当な方法で制御することによって，製品として
要求される磁気特性を出現させることが出来る。その制
御手段の１つとして直交磁場中冷却法がある。
この直交磁場中冷却法の１つに，回転磁場中熱処理法が
ある。これは，磁性薄膜および薄帯の面内誘導異方性を
小さくするために，上記の磁場を熱処理中に印加する方
法である。
ある。これは，磁性薄膜および薄帯の面内誘導異方性を
小さくするために，上記の磁場を熱処理中に印加する方
法である。
しかしこの方法による場合，直交又は回転磁界を印加す
るために巻コアの外側に二対又はそれ以上のヘルムホル
ツコイルや電磁石を配設したり，巻コアに直接導線を巻
装させたりする方法が採られている。しかしヘルムホル
ツコイル又は電磁石を設置するために，拾い空間が必要
であったり，巻線作業のための煩雑さがあったりして量
産のための熱処理装置としては複雑すぎると言う欠陥が
ある。
るために巻コアの外側に二対又はそれ以上のヘルムホル
ツコイルや電磁石を配設したり，巻コアに直接導線を巻
装させたりする方法が採られている。しかしヘルムホル
ツコイル又は電磁石を設置するために，拾い空間が必要
であったり，巻線作業のための煩雑さがあったりして量
産のための熱処理装置としては複雑すぎると言う欠陥が
ある。
〈発明の目的〉 本発明は上記の欠点を除去するために，アンペールの法
則に基づく通電方式による円形磁場と巻線抵抗加熱炉と
を兼用したソレノイドコイルに発生する直角磁場とによ
る合成磁場を用いる事によって，小さな空間で，大量の
巻コアに合成磁場を印加することによって薄帯面内に摂
動磁界を発生させその中で熱処理を行ない面内誘導磁気
異方性を小さくし，量産に適した簡単な磁場中熱処理装
置を提供することにある。
則に基づく通電方式による円形磁場と巻線抵抗加熱炉と
を兼用したソレノイドコイルに発生する直角磁場とによ
る合成磁場を用いる事によって，小さな空間で，大量の
巻コアに合成磁場を印加することによって薄帯面内に摂
動磁界を発生させその中で熱処理を行ない面内誘導磁気
異方性を小さくし，量産に適した簡単な磁場中熱処理装
置を提供することにある。
〈発明の構成〉 本発明によれば，一軸方向に延びた非晶質合金から成る
薄帯巻磁心の中空部に導線を通して該導線に通電するこ
とにより該薄帯巻磁心に対して該一軸方向に沿って印加
される円形磁場と，薄帯巻磁心の外側に該薄帯巻磁心を
覆って設けられた該薄帯巻磁心に対する加熱用の巻状線
輪から一軸方向とは直角な方向であって，且つ該薄帯巻
磁心の幅方向に印加される直角発熱磁場とにより合成さ
れた合成磁場中にて該薄帯巻磁心を熱処理する非晶質合
金薄帯巻磁心の熱処理方法が得られる。
薄帯巻磁心の中空部に導線を通して該導線に通電するこ
とにより該薄帯巻磁心に対して該一軸方向に沿って印加
される円形磁場と，薄帯巻磁心の外側に該薄帯巻磁心を
覆って設けられた該薄帯巻磁心に対する加熱用の巻状線
輪から一軸方向とは直角な方向であって，且つ該薄帯巻
磁心の幅方向に印加される直角発熱磁場とにより合成さ
れた合成磁場中にて該薄帯巻磁心を熱処理する非晶質合
金薄帯巻磁心の熱処理方法が得られる。
又，本発明によれば，一軸方向に延びた非晶質合金から
成る薄帯巻磁心を取り付けるための磁心装着部と，薄帯
巻磁心の中空部に導線を設けるための導線装着部と，薄
帯巻磁心の外側に該薄帯巻磁心を覆って該薄帯巻磁心に
対する加熱用の巻状線輪を取り付けるための巻線抵抗炉
と，導線に通電する通電手段とを含み，更に通電手段
は，導線に対する通電時に薄帯巻磁心に対して一軸方向
に沿って印加される円形磁場と，巻線抵抗炉に対する通
電時に巻状線輪から一軸方向とは直角な方向であって，
且つ該薄帯巻磁心の幅方向に印加される直角発熱磁場と
により合成された合成磁場を発生させ，該合成磁場中に
て該薄帯巻磁心を熱処理させる非晶質合金薄帯巻磁心の
熱処理装置が得られる。
成る薄帯巻磁心を取り付けるための磁心装着部と，薄帯
巻磁心の中空部に導線を設けるための導線装着部と，薄
帯巻磁心の外側に該薄帯巻磁心を覆って該薄帯巻磁心に
対する加熱用の巻状線輪を取り付けるための巻線抵抗炉
と，導線に通電する通電手段とを含み，更に通電手段
は，導線に対する通電時に薄帯巻磁心に対して一軸方向
に沿って印加される円形磁場と，巻線抵抗炉に対する通
電時に巻状線輪から一軸方向とは直角な方向であって，
且つ該薄帯巻磁心の幅方向に印加される直角発熱磁場と
により合成された合成磁場を発生させ，該合成磁場中に
て該薄帯巻磁心を熱処理させる非晶質合金薄帯巻磁心の
熱処理装置が得られる。
〈作用〉 本発明の非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法では，薄帯
巻磁心（巻コア）の中空部に設けられた導線に通電する
ことにより巻コアの軸方向に沿って発生する円形磁場
と，巻コアの外側にこれを覆って巻コアに対する加熱用
として設けられた巻状線輪から円形磁場とは直角な方向
に発生する直角発熱磁場とによる合成磁場中にて熱処理
を行っている。
巻磁心（巻コア）の中空部に設けられた導線に通電する
ことにより巻コアの軸方向に沿って発生する円形磁場
と，巻コアの外側にこれを覆って巻コアに対する加熱用
として設けられた巻状線輪から円形磁場とは直角な方向
に発生する直角発熱磁場とによる合成磁場中にて熱処理
を行っている。
前記導線を巻コアとともに巻線抵抗炉の中心に通し導線
と巻線抵抗炉に同時に通電するとき，前記巻コアの幅方
向とそれに直角方向に同時に磁場を印加して合成磁場を
得ることが出来る。またこれと同時に巻コアを一定温度
で加熱することが出来る。
と巻線抵抗炉に同時に通電するとき，前記巻コアの幅方
向とそれに直角方向に同時に磁場を印加して合成磁場を
得ることが出来る。またこれと同時に巻コアを一定温度
で加熱することが出来る。
このとき，巻コアに印加される任意の点Ｐにおける合成
磁場 は次式で与えられる。
磁場 は次式で与えられる。
ここにｘは巻線抵抗炉の中心からＰ点までの距離,lは巻
線抵抗炉の長さ,aはその半径そして,Nおよびｉはそれぞ
れ巻線の巻数と電流である。
線抵抗炉の長さ,aはその半径そして,Nおよびｉはそれぞ
れ巻線の巻数と電流である。
他方上記巻線抵抗体にｉを流したとき抵抗体の発熱温度
ΔＴは次式で与えられる。
ΔＴは次式で与えられる。
ここにρｏは巻線抵抗体の比抵抗,tは時間,Jは仕事当
量,Cpは比熱,dは密度である。（２）式から明らかな様
に（１）式における を変化させない様にして任意の温度を発熱させるために
は，巻線の径Ｄを制御すればよい。
量,Cpは比熱,dは密度である。（２）式から明らかな様
に（１）式における を変化させない様にして任意の温度を発熱させるために
は，巻線の径Ｄを制御すればよい。
以上の装置を用いて上記非晶質合金薄帯に結晶化温度Tx
以下で適当な磁場中熱処理を施すと，磁気履歴曲線を変
える事が出来る。
以下で適当な磁場中熱処理を施すと，磁気履歴曲線を変
える事が出来る。
例えば上記の様な２方向の磁場による合成磁場を印加し
て熱処理を施すことによって，前記非晶質合金薄帯の残
留磁束密度Brを適当に小さくし角型比Br/Bsを制御する
ことが出来る。印加磁場はAC又はDCどちらでもよい。印
加磁場は上記薄帯の磁化を飽和させるに十分な10Oeもあ
れば十分である。
て熱処理を施すことによって，前記非晶質合金薄帯の残
留磁束密度Brを適当に小さくし角型比Br/Bsを制御する
ことが出来る。印加磁場はAC又はDCどちらでもよい。印
加磁場は上記薄帯の磁化を飽和させるに十分な10Oeもあ
れば十分である。
上記の様な熱処理を施しBr/Bsを適当に小さくすること
によって，高周波トランス，平滑チョークコイル等の磁
心材として必要な特性を得ることが出来る。
によって，高周波トランス，平滑チョークコイル等の磁
心材として必要な特性を得ることが出来る。
〈実施例〉 以下に実施例を挙げ，本発明の非晶質合金薄帯巻磁心の
熱処理方法とその装置について，図面を参照して詳細に
説明する。
熱処理方法とその装置について，図面を参照して詳細に
説明する。
最初に，本発明の非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法の
概要を簡単に説明する。この熱処理方法は，一軸方向に
延びた非晶質合金から成る薄帯巻磁心の中空部に導線を
通して導線に通電することにより薄帯巻磁心に対して一
軸方向に沿って印加される円形磁場と，薄帯巻磁心の外
側にその薄帯巻磁心を覆って設けられた薄帯巻磁心に対
する加熱用の巻状線輪から一軸方向とは直角な方向であ
って，且つ薄帯巻磁心の幅方向に印加される直角発熱磁
場とにより合成された合成磁場中にて薄帯巻磁心を熱処
理するものである。この熱処理方法によれば，薄帯巻磁
心に対する熱処理時に面内誘導磁気異方性を小さくする
ことができる。
概要を簡単に説明する。この熱処理方法は，一軸方向に
延びた非晶質合金から成る薄帯巻磁心の中空部に導線を
通して導線に通電することにより薄帯巻磁心に対して一
軸方向に沿って印加される円形磁場と，薄帯巻磁心の外
側にその薄帯巻磁心を覆って設けられた薄帯巻磁心に対
する加熱用の巻状線輪から一軸方向とは直角な方向であ
って，且つ薄帯巻磁心の幅方向に印加される直角発熱磁
場とにより合成された合成磁場中にて薄帯巻磁心を熱処
理するものである。この熱処理方法によれば，薄帯巻磁
心に対する熱処理時に面内誘導磁気異方性を小さくする
ことができる。
第１図は，この熱処理方法を導入した本発明の一実施例
に係る非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理装置の要部構成を
側面図により示したものである。
に係る非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理装置の要部構成を
側面図により示したものである。
この熱処理装置では，装置取付台11上に対し，一端側に
N2ガス又はArガスを吸入するための分岐管が設けられ，
且つ他端側が装置取付台11内に収納されて装置取付台11
内でN2ガスやArガスを排出できるように雰囲気ガス導入
管12が取り付けられている。この雰囲気ガス導入管12内
には導線としての銅パイプ１が貫入され，雰囲気ガス導
入管12の外側には一軸方向に延びた非晶質合金から成る
薄帯巻磁心としての巻コア試料４が巻線抵抗炉に設けら
れた試料受け台５及びネジ９によって取り付けられてい
る。巻線抵抗炉の外側には発熱磁場発生用の巻状線輪で
あるコイル８が取り付けられ，雰囲気ガス導入管12及び
巻線抵抗炉はそれぞれ雰囲気ガス導入管12における一端
側及び他端側に設けられたガス封入栓６によって固定さ
れている。この一端側におけるガス封入栓６の一部には
熱電対２が設けられ，他端側におけるガス封入栓６は雰
囲気ガス導入管12及び巻線抵抗炉を装置取付台11上に固
定するための固定部となっている。又，巻線抵抗炉の外
側には冷却水を流入，流出させるための水冷却管７が取
り付けられ，この水冷却管７の外側には補助磁場発生コ
イル３が設けられている。補助磁場発生コイル３及び水
冷却管７は装置取付台11上に設けられた熱処理取付台10
によって巻線抵抗炉に対して固定されている。
N2ガス又はArガスを吸入するための分岐管が設けられ，
且つ他端側が装置取付台11内に収納されて装置取付台11
内でN2ガスやArガスを排出できるように雰囲気ガス導入
管12が取り付けられている。この雰囲気ガス導入管12内
には導線としての銅パイプ１が貫入され，雰囲気ガス導
入管12の外側には一軸方向に延びた非晶質合金から成る
薄帯巻磁心としての巻コア試料４が巻線抵抗炉に設けら
れた試料受け台５及びネジ９によって取り付けられてい
る。巻線抵抗炉の外側には発熱磁場発生用の巻状線輪で
あるコイル８が取り付けられ，雰囲気ガス導入管12及び
巻線抵抗炉はそれぞれ雰囲気ガス導入管12における一端
側及び他端側に設けられたガス封入栓６によって固定さ
れている。この一端側におけるガス封入栓６の一部には
熱電対２が設けられ，他端側におけるガス封入栓６は雰
囲気ガス導入管12及び巻線抵抗炉を装置取付台11上に固
定するための固定部となっている。又，巻線抵抗炉の外
側には冷却水を流入，流出させるための水冷却管７が取
り付けられ，この水冷却管７の外側には補助磁場発生コ
イル３が設けられている。補助磁場発生コイル３及び水
冷却管７は装置取付台11上に設けられた熱処理取付台10
によって巻線抵抗炉に対して固定されている。
この熱処理装置において，雰囲気ガス導入管12の外壁は
薄帯巻磁心としての巻コア試料４を取り付けるための磁
心装着部となり，雰囲気ガス導入管12の一端側の内壁に
設けられた栓は巻コア試料４の中空部に導線としての銅
パイプ１を設けるための導線装着部となる。又，この熱
処理装置は銅パイプ１及び巻線抵抗炉に通電する通電手
段（図示せず）を含んでいるが，この通電手段は銅パイ
プ１に対する通電時に巻コア試料４に対してその軸方向
に沿って印加される円形磁場と，コイル８からその軸方
向とは直角な方向であって，且つ巻コア試料４の幅方向
に印加される直角磁場とにより合成された合成磁場を発
生させ，この合成磁場中にて巻コア試料４を熱処理させ
るように働く。
薄帯巻磁心としての巻コア試料４を取り付けるための磁
心装着部となり，雰囲気ガス導入管12の一端側の内壁に
設けられた栓は巻コア試料４の中空部に導線としての銅
パイプ１を設けるための導線装着部となる。又，この熱
処理装置は銅パイプ１及び巻線抵抗炉に通電する通電手
段（図示せず）を含んでいるが，この通電手段は銅パイ
プ１に対する通電時に巻コア試料４に対してその軸方向
に沿って印加される円形磁場と，コイル８からその軸方
向とは直角な方向であって，且つ巻コア試料４の幅方向
に印加される直角磁場とにより合成された合成磁場を発
生させ，この合成磁場中にて巻コア試料４を熱処理させ
るように働く。
そこで，以下はコア試料の製造方法を含めて本発明の熱
処理による成果を具体的に説明する。
処理による成果を具体的に説明する。
Fe92B3Si5の組成を有する板厚24μm,板幅5mmの非晶質磁
性合金薄帯を片ロール法で作成した。この合金薄帯の結
晶化温度Tx＝550℃，キュリー温度Tc＝415℃であった。
この薄帯を外径18mm,内径12mmの筒状に巻き，これを磁
心とした。
性合金薄帯を片ロール法で作成した。この合金薄帯の結
晶化温度Tx＝550℃，キュリー温度Tc＝415℃であった。
この薄帯を外径18mm,内径12mmの筒状に巻き，これを磁
心とした。
次の熱処理条件の下で熱処理された試料を用いて，磁気
履歴曲線の測定を行った。熱処理は全てN2雰囲気中で行
われた。ｉ未処理のもの,ii450℃で１時間加熱した後50
℃/minの冷却速度で200℃まで冷却し，続いて200℃で１
時間保持した後室温まで炉冷した。上記の熱処理中,450
℃では巻磁心の板幅方向にAC磁場を 200℃においては30Oe印加した。また200℃に於いては薄
帯の長手方向に のDC磁場を加えた。
履歴曲線の測定を行った。熱処理は全てN2雰囲気中で行
われた。ｉ未処理のもの,ii450℃で１時間加熱した後50
℃/minの冷却速度で200℃まで冷却し，続いて200℃で１
時間保持した後室温まで炉冷した。上記の熱処理中,450
℃では巻磁心の板幅方向にAC磁場を 200℃においては30Oe印加した。また200℃に於いては薄
帯の長手方向に のDC磁場を加えた。
以上の様な熱処理状態を と表示する。以下同様に表示する。
以上の熱処理を施した試料のDCにおける磁気履歴曲線を
測定した。第２図には未熱処理試料，第３図には上記の
３つの異なる熱処理を施した試料の測定結果を併せて示
し，第１表は上記の結果を表にまとめたものである。
測定した。第２図には未熱処理試料，第３図には上記の
３つの異なる熱処理を施した試料の測定結果を併せて示
し，第１表は上記の結果を表にまとめたものである。
図から明らかなように本発明装置を用いて熱処理を行う
と，非晶質合金の履歴曲線を任意に変えることが出来
る。板幅方向の磁場 を加えるとHcは若干大きくなるがBr/Bsを著しく小さく
することが出来る。上記の磁気特性は高周波トランス，
平滑チョーク・コイルの設計に要求される。
と，非晶質合金の履歴曲線を任意に変えることが出来
る。板幅方向の磁場 を加えるとHcは若干大きくなるがBr/Bsを著しく小さく
することが出来る。上記の磁気特性は高周波トランス，
平滑チョーク・コイルの設計に要求される。
〈発明の効果〉 以上に述べた通り，本発明の非晶質合金薄帯巻磁心の熱
処理方法によれば，円形磁場及び直角発熱磁場を調整す
ることにより任意の方向に合成磁場を印加できるため，
面内誘導磁気異方性を小さくして量産に適した熱処理を
合理的に行い得るようになる。又，この熱処理方法を導
入した熱処理装置の場合も各部が巻線抵抗炉に沿って同
心円状に存在するため，簡素で小規模に構成され得るよ
うになる。
処理方法によれば，円形磁場及び直角発熱磁場を調整す
ることにより任意の方向に合成磁場を印加できるため，
面内誘導磁気異方性を小さくして量産に適した熱処理を
合理的に行い得るようになる。又，この熱処理方法を導
入した熱処理装置の場合も各部が巻線抵抗炉に沿って同
心円状に存在するため，簡素で小規模に構成され得るよ
うになる。
第１図には本発明非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理装置の
主要部分の概略断面図を示す。 第２図には片ロール法で作製されたFe92B5Si7系非晶質
合金薄帯の未熱処理試料について測定された磁気履歴曲
線（Ａ）を示す。 第３図には印加磁場の異なる熱処理の施された試料の磁
気履歴曲線を示す。 １……円形磁場を発生させるための銅パイプ,2……熱電
対,3……補助磁場発生コイル,4……巻コア試料,5……試
料受け台,6……ガス封入栓,7……水冷却管,8……熱処理
炉兼磁場発生コイル,9……ネジ,10……熱処理炉取付け
台,11……装置取付け台,12……雰囲気ガス導入管。
主要部分の概略断面図を示す。 第２図には片ロール法で作製されたFe92B5Si7系非晶質
合金薄帯の未熱処理試料について測定された磁気履歴曲
線（Ａ）を示す。 第３図には印加磁場の異なる熱処理の施された試料の磁
気履歴曲線を示す。 １……円形磁場を発生させるための銅パイプ,2……熱電
対,3……補助磁場発生コイル,4……巻コア試料,5……試
料受け台,6……ガス封入栓,7……水冷却管,8……熱処理
炉兼磁場発生コイル,9……ネジ,10……熱処理炉取付け
台,11……装置取付け台,12……雰囲気ガス導入管。
Claims (2)
- 【請求項１】一軸方向に延びた非晶質合金から成る薄帯
巻磁心の中空部に導線を通して該導線に通電することに
より該薄帯巻磁心に対して該一軸方向に沿って印加され
る円形磁場と，前記薄帯巻磁心の外側に該薄帯巻磁心を
覆って設けられた該薄帯巻磁心に対する加熱用の巻状線
輪から前記一軸方向とは直角な方向であって，且つ該薄
帯巻磁心の幅方向に印加される直角発熱磁場とにより合
成された合成磁場中にて該薄帯巻磁心を熱処理すること
を特徴とする非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法。 - 【請求項２】一軸方向に延びた非晶質合金から成る薄帯
巻磁心を取り付けるための磁心装着部と，前記薄帯巻磁
心の中空部に導線を設けるための導線装着部と，前記薄
帯巻磁心の外側に該薄帯巻磁心を覆って該薄帯巻磁心に
対する加熱用の巻状線輪を取り付けるための巻線抵抗炉
と，前記導線に通電する通電手段とを含み，更に前記通
電手段は，前記導線に対する通電により前記薄帯巻磁心
に対して前記一軸方向に沿って印加される円形磁場と，
前記巻線抵抗炉に対する通電により前記巻状線輪から前
記一軸方向とは直角な方向であって，且つ該薄帯巻磁心
の幅方向に印加される直角発熱磁場とにより合成された
合成磁場を発生させ，該合成磁場中にて該薄帯巻磁心を
熱処理させるものであることを特徴とする非晶質合金薄
帯巻磁心の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328372A JPH0724247B2 (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328372A JPH0724247B2 (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01172513A JPH01172513A (ja) | 1989-07-07 |
| JPH0724247B2 true JPH0724247B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=18209513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62328372A Expired - Lifetime JPH0724247B2 (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724247B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6674626B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2020-04-01 | 日立金属株式会社 | 巻磁心の磁場中熱処理方法 |
| JP7663869B2 (ja) * | 2020-12-18 | 2025-04-17 | 株式会社Ifg | 巻鉄心用誘導加熱式熱処理装置およびその熱処理方法 |
| CN117079965A (zh) * | 2023-09-19 | 2023-11-17 | 东莞市昱懋纳米科技有限公司 | 一种提高纳米晶磁芯高频磁导率的热处理方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5934779B2 (ja) * | 1977-05-30 | 1984-08-24 | 株式会社日立製作所 | 非晶質金属体の磁場熱処理方法 |
| JPS596360A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Sony Corp | 非晶質磁性合金の熱処理方法 |
| JPS5954213A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Toshiba Corp | 積層磁心の焼鈍方法 |
-
1987
- 1987-12-26 JP JP62328372A patent/JPH0724247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01172513A (ja) | 1989-07-07 |
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