JPH07242487A - 化合物半導体単結晶製造装置 - Google Patents
化合物半導体単結晶製造装置Info
- Publication number
- JPH07242487A JPH07242487A JP3139994A JP3139994A JPH07242487A JP H07242487 A JPH07242487 A JP H07242487A JP 3139994 A JP3139994 A JP 3139994A JP 3139994 A JP3139994 A JP 3139994A JP H07242487 A JPH07242487 A JP H07242487A
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- Japan
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- heat
- soaking tube
- crystal
- furnace
- tube
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】炉外への放熱量制御に加えて、結晶左右の温度
バランスを制御することにより、装置構造の大幅変更を
伴うことなく、固液界面形状の変動を大幅に低減でき、
安定な結晶成長を行う。 【構成】横形炉体２０は、その炉内の上下方向に所要の
温度差を生じさせる放熱孔９が設けられる。炉体２０内
には炉内の温度を均一化する均熱管３が設けられる。均
熱管３は周方向に分割されて、各均熱管片３Ｒ１、３Ｒ
２…、３Ｌ１、３Ｌ２…は周方向に移動可能である。均
熱管片を周方向にずらすことによって、均熱管上部の開
口部の間隔を変化させれば上方への放熱量を制御でき、
また均熱管片間のスリット３０ａ、３０ｂ…の間隔を変
化させれば結晶左右の温度バランスを制御できる。
バランスを制御することにより、装置構造の大幅変更を
伴うことなく、固液界面形状の変動を大幅に低減でき、
安定な結晶成長を行う。 【構成】横形炉体２０は、その炉内の上下方向に所要の
温度差を生じさせる放熱孔９が設けられる。炉体２０内
には炉内の温度を均一化する均熱管３が設けられる。均
熱管３は周方向に分割されて、各均熱管片３Ｒ１、３Ｒ
２…、３Ｌ１、３Ｌ２…は周方向に移動可能である。均
熱管片を周方向にずらすことによって、均熱管上部の開
口部の間隔を変化させれば上方への放熱量を制御でき、
また均熱管片間のスリット３０ａ、３０ｂ…の間隔を変
化させれば結晶左右の温度バランスを制御できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶成長における固液
界面形状の制御を改善した化合物半導体単結晶製造装置
に関する。
界面形状の制御を改善した化合物半導体単結晶製造装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の温度傾斜法（以下、ＧＦ法）によ
る化合物半導体単結晶製造装置の概略を図４に示す。炉
体２０は、石英ボート５の長さ方向に融液保持温度を与
える高温炉１、蒸気圧温度を与える低温炉２の２つの抵
抗加熱炉を備える。この炉体２０内には、III −Ｖ族元
素の融液６を入れた石英ボート５とＶ族元素８の蒸気圧
を一定に保持するためのＶ族元素８とを収容した密封反
応容器４（以下、アンプル４という）が設置される。こ
の装置により単結晶を製造するには、炉体２０内に均熱
管３を設置しアンプル４を挿入する。高温炉１内に任意
の温度分布を形成し、この温度分布を保持したまま降温
する。これにより、ボート５の一端から融液４が凝固し
融液全体が結晶化して化合物半導体単結晶７が得られ
る。
る化合物半導体単結晶製造装置の概略を図４に示す。炉
体２０は、石英ボート５の長さ方向に融液保持温度を与
える高温炉１、蒸気圧温度を与える低温炉２の２つの抵
抗加熱炉を備える。この炉体２０内には、III −Ｖ族元
素の融液６を入れた石英ボート５とＶ族元素８の蒸気圧
を一定に保持するためのＶ族元素８とを収容した密封反
応容器４（以下、アンプル４という）が設置される。こ
の装置により単結晶を製造するには、炉体２０内に均熱
管３を設置しアンプル４を挿入する。高温炉１内に任意
の温度分布を形成し、この温度分布を保持したまま降温
する。これにより、ボート５の一端から融液４が凝固し
融液全体が結晶化して化合物半導体単結晶７が得られ
る。
【０００３】一般にボート法では、融液の凝固は結晶自
由表面から始ることが必要であり、そのため高温炉１上
部に炉内の上下方向に所要の温度差を生じさせる放熱孔
９を設け、結晶自由表面から放熱させる構造となってい
る。結晶が成長する際の固液界面形状は、この放熱孔９
からの放熱の程度に左右されるため、放熱量の制御は極
めて重要である。通常、放熱孔９の構造は、図５に示す
ように、石英ガラス１１と任意寸法のスリット１０ａを
設けた断熱材１０を重ね合せた積層構造であり、ヒータ
素線１３とで炉体２０を構成する耐火物１２の開口部上
に積層される。積層数または断熱材スリット１０ａの
幅、石英ボート５との相対位置を変えることにより任意
の放熱量を得る。
由表面から始ることが必要であり、そのため高温炉１上
部に炉内の上下方向に所要の温度差を生じさせる放熱孔
９を設け、結晶自由表面から放熱させる構造となってい
る。結晶が成長する際の固液界面形状は、この放熱孔９
からの放熱の程度に左右されるため、放熱量の制御は極
めて重要である。通常、放熱孔９の構造は、図５に示す
ように、石英ガラス１１と任意寸法のスリット１０ａを
設けた断熱材１０を重ね合せた積層構造であり、ヒータ
素線１３とで炉体２０を構成する耐火物１２の開口部上
に積層される。積層数または断熱材スリット１０ａの
幅、石英ボート５との相対位置を変えることにより任意
の放熱量を得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した従
来技術では次のような問題点があった。
来技術では次のような問題点があった。
【０００５】（１）放熱孔９による固液界面制御法は、
放熱孔長さが、ボート５の長さ程度の有限長であること
により、放熱孔９の両端と中央部では放熱条件が変化し
てしまう欠点を有している。このため、融液６の凝固速
度が変動したり、固液界面形状が変動したりして、ポ
リ、ツイン、リネージ等の結晶欠陥が発生しやすい状況
になり易く、不安定な成長方法となる。
放熱孔長さが、ボート５の長さ程度の有限長であること
により、放熱孔９の両端と中央部では放熱条件が変化し
てしまう欠点を有している。このため、融液６の凝固速
度が変動したり、固液界面形状が変動したりして、ポ
リ、ツイン、リネージ等の結晶欠陥が発生しやすい状況
になり易く、不安定な成長方法となる。
【０００６】（２）特に、固液界面形状の変動は、結晶
の幅方向（左右方向）の温度バランスが放熱孔からの放
熱量の変動に伴って大きく変化することに起因する。左
右温度バランスを制御する方法は、従来では放熱孔９と
結晶７の相対位置を変えることにより行なっているが、
放熱孔幅は結晶幅程度の有限長であり、位置変更の自由
度は極めて狭い。そのため、所定サイズの結晶成長を行
う場合には、相対位置調整により或る程度有効である
が、結晶の大型化を図る場合には、結晶左右の温度バラ
ンスの制御ができなくなり、放熱孔９の作り返しが必要
となる。また、場合によってはヒータ寸法自体を変える
必要が生じる。
の幅方向（左右方向）の温度バランスが放熱孔からの放
熱量の変動に伴って大きく変化することに起因する。左
右温度バランスを制御する方法は、従来では放熱孔９と
結晶７の相対位置を変えることにより行なっているが、
放熱孔幅は結晶幅程度の有限長であり、位置変更の自由
度は極めて狭い。そのため、所定サイズの結晶成長を行
う場合には、相対位置調整により或る程度有効である
が、結晶の大型化を図る場合には、結晶左右の温度バラ
ンスの制御ができなくなり、放熱孔９の作り返しが必要
となる。また、場合によってはヒータ寸法自体を変える
必要が生じる。
【０００７】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、装置構造の大幅な変更を伴うことなく、結晶
左右の温度バランスを簡易に調整でき、安定な結晶成長
が得られる新規な化合物半導体単結晶成長装置を提供す
ることにある。
を解消し、装置構造の大幅な変更を伴うことなく、結晶
左右の温度バランスを簡易に調整でき、安定な結晶成長
が得られる新規な化合物半導体単結晶成長装置を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、化合物半導体
融液を収納するボートと、該ボートを内部に設置するた
めの密封反応容器と、該反応容器の外周に設けられると
共に上下方向に所要の温度差を生じさせるための開口部
を上部に有する均熱管と、該均熱管の外周に設けられた
ヒータとを備えた化合物半導体単結晶製造装置におい
て、前記均熱管に左右方向に所要の温度差を生じさせる
熱流入孔を移動自在に設けたものである。この熱流入孔
は均熱管の任意位置に形成自在に設けられることが好ま
しい。均熱管に熱流入孔を形成自在に設ける手法として
は、均熱管を周方向に分割して、分割した均熱管片を周
方向または軸方向に移動可能とする。周方向に移動可能
としたときは、その移動により均熱管片間に形成される
隙間が熱流入孔となる。また、均熱管片を軸方向に移動
可能としたときは、均熱管片を抜き取ることにより形成
される隙間が熱流入孔となる。また、他の手法として、
均熱管に熱流入孔となるスリットを長さ方向に複数本形
成しておき、各スリットを個別的に開閉自在とすること
により熱流入孔の位置を実質的に移動させるようにする
ことも可能である。このようにして位置の変えられる熱
流入孔により結晶左右の温度バランスの制御が可能とな
る。
融液を収納するボートと、該ボートを内部に設置するた
めの密封反応容器と、該反応容器の外周に設けられると
共に上下方向に所要の温度差を生じさせるための開口部
を上部に有する均熱管と、該均熱管の外周に設けられた
ヒータとを備えた化合物半導体単結晶製造装置におい
て、前記均熱管に左右方向に所要の温度差を生じさせる
熱流入孔を移動自在に設けたものである。この熱流入孔
は均熱管の任意位置に形成自在に設けられることが好ま
しい。均熱管に熱流入孔を形成自在に設ける手法として
は、均熱管を周方向に分割して、分割した均熱管片を周
方向または軸方向に移動可能とする。周方向に移動可能
としたときは、その移動により均熱管片間に形成される
隙間が熱流入孔となる。また、均熱管片を軸方向に移動
可能としたときは、均熱管片を抜き取ることにより形成
される隙間が熱流入孔となる。また、他の手法として、
均熱管に熱流入孔となるスリットを長さ方向に複数本形
成しておき、各スリットを個別的に開閉自在とすること
により熱流入孔の位置を実質的に移動させるようにする
ことも可能である。このようにして位置の変えられる熱
流入孔により結晶左右の温度バランスの制御が可能とな
る。
【０００９】
【作用】均熱管の熱流入孔の位置を炉内の右側に形成す
ると、炉体からの熱はこの熱流入孔を通してボートの右
側部を加熱する。そのため、ボートの右側部の温度が上
がり、融液右側と左側との間に所定の温度勾配が形成さ
れる。これにより、固液界面形状は、結晶右側部の成長
が遅れた形になる。均熱管の熱流入孔位置を左側に形成
すると、固液界面形状は、結晶左側部の成長が遅れた形
になる。このようにして、結晶成長において重要な固液
界面形状の制御性が大幅に向上するため、結晶の大きさ
に関わらず、結晶の安定成長を実現できる。
ると、炉体からの熱はこの熱流入孔を通してボートの右
側部を加熱する。そのため、ボートの右側部の温度が上
がり、融液右側と左側との間に所定の温度勾配が形成さ
れる。これにより、固液界面形状は、結晶右側部の成長
が遅れた形になる。均熱管の熱流入孔位置を左側に形成
すると、固液界面形状は、結晶左側部の成長が遅れた形
になる。このようにして、結晶成長において重要な固液
界面形状の制御性が大幅に向上するため、結晶の大きさ
に関わらず、結晶の安定成長を実現できる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例を図１を用いて説明する。
図１は、ＧＦ法ボート炉の断面図を示したものである。
抵抗加熱炉体は筒状で横形に構築した耐火物１２と、そ
の内周に沿って配設したヒータ素線１３とから構成され
る。その炉体上部には、断熱材１０と石英ガラス１１と
からなる放熱孔９が長さ方向に沿って設けられ、炉内の
上下方向に所要の温度差を生じさせるようになってい
る。また、炉体内には炉内の温度を均一化する筒状の均
熱管３が設置される。均熱管３はグラファイト、ＳｉＣ
等の耐火材料で構成される。この均熱管３の中にアンプ
ル４が挿入される。アンプル４内の石英ボート５に化合
物半導体融液を形成し、ボート５の長さ方向に形成した
温度勾配を一定に保持したまま固液界面を移動し、種結
晶から徐々に単結晶化させるように構成されている。
図１は、ＧＦ法ボート炉の断面図を示したものである。
抵抗加熱炉体は筒状で横形に構築した耐火物１２と、そ
の内周に沿って配設したヒータ素線１３とから構成され
る。その炉体上部には、断熱材１０と石英ガラス１１と
からなる放熱孔９が長さ方向に沿って設けられ、炉内の
上下方向に所要の温度差を生じさせるようになってい
る。また、炉体内には炉内の温度を均一化する筒状の均
熱管３が設置される。均熱管３はグラファイト、ＳｉＣ
等の耐火材料で構成される。この均熱管３の中にアンプ
ル４が挿入される。アンプル４内の石英ボート５に化合
物半導体融液を形成し、ボート５の長さ方向に形成した
温度勾配を一定に保持したまま固液界面を移動し、種結
晶から徐々に単結晶化させるように構成されている。
【００１１】ここで前述した均熱管３は周方向に任意の
数に分割して（図示例では９個）、底部均熱管片３Ｂと
その両脇にある左右側部均熱管片３Ｌ１〜３Ｌ４、３Ｒ
１〜３Ｒ４とで構成する。左右は対象に分割することが
望ましいが、そうでなくてもよい。各片は周方向に移動
可能としてある。分割前の均熱管３の形状は従来例と同
じであり、炉体２０に形成した放熱孔９に対応する上部
には開口部２１が設けられている。従って、均熱管３の
分割後に、この開口部２１を塞ぐ方向に側部均熱管片を
周方向にずらすことが可能となる。なお、均熱管３の長
さ方向の分割領域は、全管長に亘る必要はないが、少な
くとも石英ボート５の全長をカバーする領域に亘ること
は必要である。また、均熱管の分割は周方向のみなら
ず、長さ方向にも分割しておくことが望ましく、その場
合、長さ方向及び周方向の任意の位置での移動が可能と
なるようにする。例えて言えば、並び換えパズルの如く
である。
数に分割して（図示例では９個）、底部均熱管片３Ｂと
その両脇にある左右側部均熱管片３Ｌ１〜３Ｌ４、３Ｒ
１〜３Ｒ４とで構成する。左右は対象に分割することが
望ましいが、そうでなくてもよい。各片は周方向に移動
可能としてある。分割前の均熱管３の形状は従来例と同
じであり、炉体２０に形成した放熱孔９に対応する上部
には開口部２１が設けられている。従って、均熱管３の
分割後に、この開口部２１を塞ぐ方向に側部均熱管片を
周方向にずらすことが可能となる。なお、均熱管３の長
さ方向の分割領域は、全管長に亘る必要はないが、少な
くとも石英ボート５の全長をカバーする領域に亘ること
は必要である。また、均熱管の分割は周方向のみなら
ず、長さ方向にも分割しておくことが望ましく、その場
合、長さ方向及び周方向の任意の位置での移動が可能と
なるようにする。例えて言えば、並び換えパズルの如く
である。
【００１２】さて、上述したような構成において、図１
に示すように、向って結晶右側の分割された均熱管片３
Ｒ１、３Ｒ２、３Ｒ３を反時計回り（矢印方向）に移動
して、それらの移動量を順次減らした場合を考えると、
均熱管片の移動により均熱管３の右側上部には結晶７の
長さ方向に、熱流入孔としてのスリット３０ａ、３０
ｂ、３０ｃが形成される。均熱管３の外周にあるヒータ
素線１３からの放射熱は、波線矢印で示すように、これ
らのスリット３０ａ、３０ｂ、３０ｃを通してアンプル
４及び結晶７の右側部を加熱する。また、均熱管片の移
動により結晶右側上部に先頭の均熱管片３Ｒ１が位置す
ることにより、その均熱管片３Ｒ１により放熱孔９の右
側一部が塞がれるため、白抜き矢印で示すように放熱量
も抑制される。そのため、結晶の右側部は加熱されると
共に放熱が抑制されるため、温度が上がり、結晶右側と
左側との間に、所定の温度勾配を形成することが可能と
なる。これにより、固液界面形状は、結晶右側部の成長
が遅れた形にすることができる。同様に左側の均熱管片
３Ｌ１、３Ｌ２、３Ｌ３を時計方向に移動させれば、固
液界面形状を左側が遅れた形状にすることができるわけ
である。
に示すように、向って結晶右側の分割された均熱管片３
Ｒ１、３Ｒ２、３Ｒ３を反時計回り（矢印方向）に移動
して、それらの移動量を順次減らした場合を考えると、
均熱管片の移動により均熱管３の右側上部には結晶７の
長さ方向に、熱流入孔としてのスリット３０ａ、３０
ｂ、３０ｃが形成される。均熱管３の外周にあるヒータ
素線１３からの放射熱は、波線矢印で示すように、これ
らのスリット３０ａ、３０ｂ、３０ｃを通してアンプル
４及び結晶７の右側部を加熱する。また、均熱管片の移
動により結晶右側上部に先頭の均熱管片３Ｒ１が位置す
ることにより、その均熱管片３Ｒ１により放熱孔９の右
側一部が塞がれるため、白抜き矢印で示すように放熱量
も抑制される。そのため、結晶の右側部は加熱されると
共に放熱が抑制されるため、温度が上がり、結晶右側と
左側との間に、所定の温度勾配を形成することが可能と
なる。これにより、固液界面形状は、結晶右側部の成長
が遅れた形にすることができる。同様に左側の均熱管片
３Ｌ１、３Ｌ２、３Ｌ３を時計方向に移動させれば、固
液界面形状を左側が遅れた形状にすることができるわけ
である。
【００１３】このように、左右の均熱管片を実際の成長
時に適当に移動して、スリットを形成することにより容
易に固液界面形状の制御が可能となる。また、均熱管片
の移動量を大きく変えることにより、放熱量を大幅に変
動させることも可能であり、放熱量を大幅に抑制するこ
とにより結晶の厚肉化、大型化への対応も可能となる。
従って、放熱孔長さが、ボートの長さ程度の有限長であ
っても、放熱孔の両端と中央部で均熱管片の移動量を変
えてやれば、放熱孔の両端と中央部では放熱条件を同一
とすることも可能である。このため、融液の凝固速度が
変動したり、固液界面形状が変動したりすることがな
く、結晶欠陥が発生しにくく、安定な成長が得られる。
時に適当に移動して、スリットを形成することにより容
易に固液界面形状の制御が可能となる。また、均熱管片
の移動量を大きく変えることにより、放熱量を大幅に変
動させることも可能であり、放熱量を大幅に抑制するこ
とにより結晶の厚肉化、大型化への対応も可能となる。
従って、放熱孔長さが、ボートの長さ程度の有限長であ
っても、放熱孔の両端と中央部で均熱管片の移動量を変
えてやれば、放熱孔の両端と中央部では放熱条件を同一
とすることも可能である。このため、融液の凝固速度が
変動したり、固液界面形状が変動したりすることがな
く、結晶欠陥が発生しにくく、安定な成長が得られる。
【００１４】また、均熱管の熱流入孔により、炉体の放
熱孔と結晶の相対位置を変えることなく、左右温度バラ
ンスが適切に制御できるため、相対位置を変える場合と
異なり、バランス制御の幅が広い。そのため、所定サイ
ズ以外の結晶成長を行う場合でも、結晶左右の温度バラ
ンス制御が可能で、放熱孔の作り返しも不要となり、ま
たヒータ寸法自体を変える必要もない。
熱孔と結晶の相対位置を変えることなく、左右温度バラ
ンスが適切に制御できるため、相対位置を変える場合と
異なり、バランス制御の幅が広い。そのため、所定サイ
ズ以外の結晶成長を行う場合でも、結晶左右の温度バラ
ンス制御が可能で、放熱孔の作り返しも不要となり、ま
たヒータ寸法自体を変える必要もない。
【００１５】なお、上記実施例では、均熱管を分割して
均熱管片を周方向に移動する場合について述べたが、図
２に示すように、均熱管片３Ｒを、周方向以外に長さ方
向に抜き取るように移動してスリット３０を形成するよ
うにしてもよい。さらには、図３に示すように、均熱管
に熱流入孔となるスリット３０を当初から複数本長さ方
向に形成しておき、各スリット３０にシャッタ３１を取
り付け、このシャッタ３１によってスリット３０を個別
的に開閉自在とすることによりスリット３０の場所を実
質的に移動させるようにすることも可能である。また、
本発明はＧＦ炉以外の横形ボート法にも適用できること
は勿論である。
均熱管片を周方向に移動する場合について述べたが、図
２に示すように、均熱管片３Ｒを、周方向以外に長さ方
向に抜き取るように移動してスリット３０を形成するよ
うにしてもよい。さらには、図３に示すように、均熱管
に熱流入孔となるスリット３０を当初から複数本長さ方
向に形成しておき、各スリット３０にシャッタ３１を取
り付け、このシャッタ３１によってスリット３０を個別
的に開閉自在とすることによりスリット３０の場所を実
質的に移動させるようにすることも可能である。また、
本発明はＧＦ炉以外の横形ボート法にも適用できること
は勿論である。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば次の効果を発揮する。
【００１７】（１）結晶左右の温度バランスを制御可能
としたことにより、固液界面形状の変動を大幅に低減で
き、安定な結晶成長を行うことができる。
としたことにより、固液界面形状の変動を大幅に低減で
き、安定な結晶成長を行うことができる。
【００１８】（２）結晶欠陥の発生を大幅に低減でき品
質、生産性の上で大幅な向上ができる。
質、生産性の上で大幅な向上ができる。
【００１９】（３）炉体構造、寸法を変えることなく結
晶の大型化を可能とし、歩留り向上、生産性の向上が図
れる。
晶の大型化を可能とし、歩留り向上、生産性の向上が図
れる。
【図１】本発明の一実施例を示すＧＦ法ボート炉構造の
横断面図。
横断面図。
【図２】本発明の他の実施例を示す均熱管の斜視図。
【図３】本発明のさらに他の実施例を示す均熱管の斜視
図。
図。
【図４】従来例のＧＦ法ボート炉構造の縦断面図。
【図５】従来例のＧＦ法ボート炉構造の横断面図。
【符号の説明】 １ 高温炉 ２ 低温炉 ３ 均熱管 ４ アンプル（反応管） ５ 石英ボート ７ 結晶 ９ 放熱孔 １２ 耐火物 １３ ヒータ素線 ２０ 炉体 ３０ａ、３０ｂ スリット（熱流入孔）
Claims (2)
- 【請求項１】化合物半導体融液を収納するボートと、該
ボートを内部に設置するための密封反応容器と、該反応
容器の外周に設けられると共に上下方向に所要の温度差
を生じさせるための開口部を上部に有する均熱管と、該
均熱管の外周に設けられたヒータとを備えた化合物半導
体単結晶製造装置において、 前記均熱管に左右方向に所要の温度差を生じさせる熱流
入孔を移動自在に設けたことを特徴とする化合物半導体
単結晶製造装置。 - 【請求項２】前記均熱管が周方向に複数に分割されてお
り、この分割された各均熱管片の軸方向または周方向の
位置を調節することで前記熱流入孔から前記ボートに達
する熱量を制御することを特徴とする請求項１に記載の
化合物半導体単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3139994A JPH07242487A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 化合物半導体単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3139994A JPH07242487A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 化合物半導体単結晶製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07242487A true JPH07242487A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12330187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3139994A Pending JPH07242487A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 化合物半導体単結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07242487A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012512797A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 側壁を介した可変熱交換を備える溶融凝固炉 |
-
1994
- 1994-03-01 JP JP3139994A patent/JPH07242487A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012512797A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 側壁を介した可変熱交換を備える溶融凝固炉 |
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