JPH0724258B2 - 固体拡散源、ドープされたシリコンウェーハ並びにそれを作る方法 - Google Patents
固体拡散源、ドープされたシリコンウェーハ並びにそれを作る方法Info
- Publication number
- JPH0724258B2 JPH0724258B2 JP1064017A JP6401789A JPH0724258B2 JP H0724258 B2 JPH0724258 B2 JP H0724258B2 JP 1064017 A JP1064017 A JP 1064017A JP 6401789 A JP6401789 A JP 6401789A JP H0724258 B2 JPH0724258 B2 JP H0724258B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- wafer
- diffusion source
- oxide
- solid diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/19—Diffusion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/14—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
- H10P32/1408—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers
- H10P32/141—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers the applied layer comprising oxides only
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/17—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material
- H10P32/171—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material being group IV material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S252/00—Compositions
- Y10S252/95—Doping agent source material
- Y10S252/951—Doping agent source material for vapor transport
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、Gd酸化物／P2O5である化合物からなる固体拡
散源並びにてそれを用いてドープされたシリコンウェー
ハを作る方法及びドープされたシリコンウェーハに関す
る。
散源並びにてそれを用いてドープされたシリコンウェー
ハを作る方法及びドープされたシリコンウェーハに関す
る。
従来の技術 ガラスセラミック又は多結晶粒子からなる固体拡散源
が、ラップ（Rapp）の米国特許第4,141,738号に開示さ
れている。米国特許第4,033,790号にはLa2O3／P2O5、Ce
2O3／P2O5又はY2O3／P2O5である化合物をホットプレス
することによって作られた固体拡散源が開示されてい
る。これらの２つの米国特許が、参考のために挙げられ
る。
が、ラップ（Rapp）の米国特許第4,141,738号に開示さ
れている。米国特許第4,033,790号にはLa2O3／P2O5、Ce
2O3／P2O5又はY2O3／P2O5である化合物をホットプレス
することによって作られた固体拡散源が開示されてい
る。これらの２つの米国特許が、参考のために挙げられ
る。
発明が解決しようとする課題 ホットプレスすることなく容易に製造されかつ比較的低
温にてしかも比較的高速にてP2O5を放出する組成物から
作られる固体拡散源を提供することが望ましい。
温にてしかも比較的高速にてP2O5を放出する組成物から
作られる固体拡散源を提供することが望ましい。
課題を解決するための手段 本発明の目的は、被覆されたシリコンウェーハを作るた
めの固体拡散源であって、比較的低温にてしかも比較的
高速にてP2O5を放出するGd酸化物／P2O5である化合物か
らなる固体拡散源を提供することである。
めの固体拡散源であって、比較的低温にてしかも比較的
高速にてP2O5を放出するGd酸化物／P2O5である化合物か
らなる固体拡散源を提供することである。
本発明の目的はまた、固体拡散源を用いてドープされた
シリコンウェーハを作る方法であって、 A.Gd酸化物及びH3PO4を加熱してGd酸化物／P2O5固体拡
散源を作り、そして B.該固体拡散源を加熱してP2O5を比較的低温にてシリコ
ンウェーハへ放出させる ことからなる方法を提供することである。
シリコンウェーハを作る方法であって、 A.Gd酸化物及びH3PO4を加熱してGd酸化物／P2O5固体拡
散源を作り、そして B.該固体拡散源を加熱してP2O5を比較的低温にてシリコ
ンウェーハへ放出させる ことからなる方法を提供することである。
本発明のこれらの目的及び他の目的は、以下の記載及び
特許請求の範囲から明らかであろう。
特許請求の範囲から明らかであろう。
本発明は、比較的低温例えば700℃ないし1050℃にてし
かもシリコンウェーハ上への厚い被膜の付着により指摘
されるように比較的高速にて（該被膜は900℃にて１時
間で約1500〜2000Å（オングストローム）の厚さを有す
るのに対し、同じ温度にて同じ時間でLa2O3／P2O5を用
いる場合は500Åにすぎない。）P2O5を放出するGd酸化
物／P2O5である化合物からなる新規固体拡散源を提供す
る。
かもシリコンウェーハ上への厚い被膜の付着により指摘
されるように比較的高速にて（該被膜は900℃にて１時
間で約1500〜2000Å（オングストローム）の厚さを有す
るのに対し、同じ温度にて同じ時間でLa2O3／P2O5を用
いる場合は500Åにすぎない。）P2O5を放出するGd酸化
物／P2O5である化合物からなる新規固体拡散源を提供す
る。
本発明はまた、固体拡散源を用いてドープされたシリコ
ンウェーハを作る方法であって、 A.Gd酸化物及びH3PO4を加熱してGd酸化物／P2O5固体拡
散源を作り、そして B.該固体拡散源を加熱してP2O5を比較的低温にてしかも
比較的高速にてシリコンウェーハへ放出させる ことからなる方法を提供する。
ンウェーハを作る方法であって、 A.Gd酸化物及びH3PO4を加熱してGd酸化物／P2O5固体拡
散源を作り、そして B.該固体拡散源を加熱してP2O5を比較的低温にてしかも
比較的高速にてシリコンウェーハへ放出させる ことからなる方法を提供する。
本発明はまた、この方法によりGd/P2O5である化合物か
ら製造されたドープされたシリコンウェーハを提供す
る。
ら製造されたドープされたシリコンウェーハを提供す
る。
一般に、ガドリニウム酸化物／P2O5の拡散源用組成物
は、約1:1ないし1:5好ましくは1:3ないし1:5のGd酸化物
／P2O5のモル比を有する。通常、最良の結果は、メタリ
ン酸ガドリニウムの場合は約1/3そして五リン酸ガドリ
ニウムの場合は1/5のモル比を用いて得られる。
は、約1:1ないし1:5好ましくは1:3ないし1:5のGd酸化物
／P2O5のモル比を有する。通常、最良の結果は、メタリ
ン酸ガドリニウムの場合は約1/3そして五リン酸ガドリ
ニウムの場合は1/5のモル比を用いて得られる。
実施例 五リン酸ガリニウム拡散源を次のようにして製造した： １）化学量論的割合のGd酸化物をリン酸（Gd酸化物／P2
O5のモル比1:5）と、過剰量のリン酸と混合する。
O5のモル比1:5）と、過剰量のリン酸と混合する。
２）350℃に加熱して過剰の水を追い出す。
３）ふた付きルツボ中で750℃にて15時間加熱する。
４）物質を取り出しそて粉砕して微粉末（60メッシュま
たはそれより細かい。）にする。
たはそれより細かい。）にする。
５）所望するなら、Ｘ線回折（XRD）試験のため粉末の
サンプルを採取する。
サンプルを採取する。
６）粉末に水を混合して注入可能なスラリーを作り、そ
のスラリーを注型して未加工ウェーハの形態にする（15
gの粉末対5gの水）。
のスラリーを注型して未加工ウェーハの形態にする（15
gの粉末対5gの水）。
７）未加工ウェーハを焼結して源ウェーハ（拡散源ウェ
ーハ）である硬質の盤にする。
ーハ）である硬質の盤にする。
８）ドーピング特性について源ウェーハを試験し、そし
てこのウェーハを半導体デバイスに用いる。
てこのウェーハを半導体デバイスに用いる。
銅管（未分解の銅α）及びわん曲結晶モノクロメーター
を備えたフィリップス社製3100X線回折計を、結晶相の
分析のために用いた。
を備えたフィリップス社製3100X線回折計を、結晶相の
分析のために用いた。
五リン酸ガドリニウムのサンプルに関して得られたＸ線
パターンは、五リン酸ガドリニウムについて公表されて
いるデータと非常によく合致している。
パターンは、五リン酸ガドリニウムについて公表されて
いるデータと非常によく合致している。
XRDパターンからみて、Gd酸化物／P2O5の組成化合物
は、750℃にて15時間で充分に反応されると認められ
る。
は、750℃にて15時間で充分に反応されると認められ
る。
五リン酸ガドリニウムに関するドーピング試験（900℃,
1時間，N2＝3l/分）を、この拡散源ウェーハを用いてシ
リコンウェーハに不純物に拡散させることによって行っ
た。
1時間，N2＝3l/分）を、この拡散源ウェーハを用いてシ
リコンウェーハに不純物に拡散させることによって行っ
た。
五リン酸ガドリニウム源との比較のために、ランタン酸
化物：5P2O5の化合物拡散源も試験した。
化物：5P2O5の化合物拡散源も試験した。
五リン酸ガドリニウムは、予期されなかった厚いガラス
質の膜を生じた。
質の膜を生じた。
五リン酸ガドリニウムを用いて得られたデータを表１に
要約する。
要約する。
驚くべきことに、Gd酸化物／P2O5の化合物源は、同じ温
度かつ同じ時間でLa酸化物／P2O5の源の３〜５倍厚い付
着膜厚をもたらした、ということがわかる。
度かつ同じ時間でLa酸化物／P2O5の源の３〜５倍厚い付
着膜厚をもたらした、ということがわかる。
Gd酸化物／P2O5の組成物源のP2O5の放出は、一般に所与
の温度における所与の時間でLa酸化物／P2O5の源の少な
くとも２倍通常３〜４倍又はそれ以上の速さである。
の温度における所与の時間でLa酸化物／P2O5の源の少な
くとも２倍通常３〜４倍又はそれ以上の速さである。
P2O5を放出させるための加熱サイクルは、一般に約1/4
時間ないし24時間又はそれ以上で好ましくは約1/2時間
ないし２時間で約700又は750℃から1000〜1050℃まで又
はそれ以上好ましくは750〜1050℃である。
時間ないし24時間又はそれ以上で好ましくは約1/2時間
ないし２時間で約700又は750℃から1000〜1050℃まで又
はそれ以上好ましくは750〜1050℃である。
ガドリニウム酸化物／P2O5である化合物は、注型及び焼
結する前は、好ましくは細かい粒子サイズ（一般に60メ
ッシュ又はそれより細かく好ましくは約100〜400メッシ
ュ）を有する。好ましくは、細かく分割された粒子は少
量の水と混合されて、源ウェーハ用モールド中で拡散源
ウェーハを作るための注入可能な混合物である粘性なス
ラリーを形成する。一般に、粉末／水の重量比は約5/1
ないし約1/1である。源ウェーハそれ自体は一般に、直
径に依り約５〜200ミル又はそれ以上の厚さを有する。
結する前は、好ましくは細かい粒子サイズ（一般に60メ
ッシュ又はそれより細かく好ましくは約100〜400メッシ
ュ）を有する。好ましくは、細かく分割された粒子は少
量の水と混合されて、源ウェーハ用モールド中で拡散源
ウェーハを作るための注入可能な混合物である粘性なス
ラリーを形成する。一般に、粉末／水の重量比は約5/1
ないし約1/1である。源ウェーハそれ自体は一般に、直
径に依り約５〜200ミル又はそれ以上の厚さを有する。
ドープされたシリコンウェーハが前記ガドリニウム酸化
物／P2O5からなる源ウェーハから作られる場合、ドープ
されたシリコンウェーハの面積抵抗率は、温度及び時間
に依り約１〜200オーム／平方である。900℃にて１時間
付着された一層厚い（1000〜1500から2000〜3000オング
ストロームまで）膜は、最終シリコンウェーハにおける
一層高いリン濃度をもたらす。
物／P2O5からなる源ウェーハから作られる場合、ドープ
されたシリコンウェーハの面積抵抗率は、温度及び時間
に依り約１〜200オーム／平方である。900℃にて１時間
付着された一層厚い（1000〜1500から2000〜3000オング
ストロームまで）膜は、最終シリコンウェーハにおける
一層高いリン濃度をもたらす。
得られたドープされたウェーハは、典型的なエミッタ
ー、チャンネルMOS及びポリシリコン拡散体に用いられ
得る。
ー、チャンネルMOS及びポリシリコン拡散体に用いられ
得る。
五リン酸ガドリニウム固体拡散源は、次の分解反応に従
って働く： GdP5O14(s)→Gd(PO3)3(s)＋P2O5(g)↑ この反応は、約700〜1050℃にてドーパント源として用
いられるのに充分な速度で進行する。所与の温度（恒
温）における時間の関数としての放出速度（重量減量）
の特定値は、粒子サイズ、粒子の充填度、密度、多孔
度、サンプルの外形及び多くの他の因子に左右されよ
う。
って働く： GdP5O14(s)→Gd(PO3)3(s)＋P2O5(g)↑ この反応は、約700〜1050℃にてドーパント源として用
いられるのに充分な速度で進行する。所与の温度（恒
温）における時間の関数としての放出速度（重量減量）
の特定値は、粒子サイズ、粒子の充填度、密度、多孔
度、サンプルの外形及び多くの他の因子に左右されよ
う。
五リン酸ガドリニウムは好ましくは、350℃のカーボン
ルツボ中でGd2O3を85％H3PO4に1:5の重量比にて溶解す
ることにより製造される。過剰の水が蒸発された後、該
ルツボはふたをされそして温度は750℃に24時間上げら
れる。五リン酸ガドリニウムの結晶が、溶液から成長す
る。該結晶は、細かい粉末が得られる（−60メッシュ）
までボールミルにかけられる。次いで:3:1の粉末対水の
重量比をもたらすように該粉末は蒸留水と混合され、こ
のスラリーがテフロン製モールド中で注型されそして50
℃にて乾燥され、アルミナ板の間で900℃にて１時間加
熱されそして次いで試験される。これらのウェーハは、
従来のリンドーパント源と比べて良好な熱衝撃性を示
す。
ルツボ中でGd2O3を85％H3PO4に1:5の重量比にて溶解す
ることにより製造される。過剰の水が蒸発された後、該
ルツボはふたをされそして温度は750℃に24時間上げら
れる。五リン酸ガドリニウムの結晶が、溶液から成長す
る。該結晶は、細かい粉末が得られる（−60メッシュ）
までボールミルにかけられる。次いで:3:1の粉末対水の
重量比をもたらすように該粉末は蒸留水と混合され、こ
のスラリーがテフロン製モールド中で注型されそして50
℃にて乾燥され、アルミナ板の間で900℃にて１時間加
熱されそして次いで試験される。これらのウェーハは、
従来のリンドーパント源と比べて良好な熱衝撃性を示
す。
Claims (9)
- 【請求項１】シリコンウェーハ上に酸化リン被膜を付着
させるための固体拡散源であって、Gd酸化物／P2O5であ
る化合物からなる固体拡散源。 - 【請求項２】Gd酸化物／P2O5のモル比が1/1ないし1/5で
ある、請求項１記載の固体拡散源。 - 【請求項３】Gd酸化物／P2O5のモル比が1/3ないし1/5で
ある、請求項１記載の固体拡散源。 - 【請求項４】固体拡散源を用いてドープされたシリコン
ウェーハを作る方法であって、 A.Gd酸化物及びH3PO4を加熱してGd酸化物／P2O5固体拡
散源を作り、そして B.この固体拡散源を加熱してP2O5を放出させて、シリコ
ンウェーハ上にリン含有被膜を付着させる ことからなる方法。 - 【請求項５】該リン含有被膜が900℃にて１時間の付着
で1000〜3000オングストロームの厚さにある、請求項４
記載の方法。 - 【請求項６】請求項４記載の方法に従って作られたドー
プされたシリコンウェーハ。 - 【請求項７】固体拡散源を用いてドープされたシリコン
ウェーハを作る方法であって、 （Ａ）（ａ）Gd酸化物／P2O5のモル比が1/1ないし1/5で
あるガドリニウム酸化物／P2O5である化合物の60メッシ
ュ又はそれより小さい粒子及び （ｂ）水 から粘性な注入可能なスラリーを作り、該注入可能なス
ラリーを未加工ウェーハの形態にしそして該未加工ウェ
ーハを焼結することにより、シリコンウェーハをリンで
ドープするためのドーピング源ウェーハを作り、そして （Ｂ）該ドーピング源ウェーハを加熱してP2O5の蒸気相
輸送によりシリコンウェーハ上にガラス質層を作ってリ
ンをシリコンウェーハ中に拡散させることからなる方
法。 - 【請求項８】注入可能なスラリーをフルオロカーボンポ
リマー製モールド中に注入し、該モールド内で乾燥して
未加工ウェーハを形成し、この未加工ウェーハを取り出
して焼結することによりドーピング源ウェーハを作る、
請求項７記載の方法。 - 【請求項９】請求項７記載の方法に従って作られたリン
でドープされたシリコンウェーハ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/195,940 US4846902A (en) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | Solid diffusion source of GD oxide/P205 compound and method of making silicon wafer |
| US195,940 | 1988-05-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319932A JPH01319932A (ja) | 1989-12-26 |
| JPH0724258B2 true JPH0724258B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=22723465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1064017A Expired - Fee Related JPH0724258B2 (ja) | 1988-05-19 | 1989-03-17 | 固体拡散源、ドープされたシリコンウェーハ並びにそれを作る方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4846902A (ja) |
| JP (1) | JPH0724258B2 (ja) |
| KR (1) | KR890017770A (ja) |
| GB (1) | GB2218699B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350460A (en) * | 1992-12-08 | 1994-09-27 | Techneglas, Inc. | High temperature phosphorus oxide diffusion source |
| US5350461A (en) * | 1992-12-08 | 1994-09-27 | Techneglas, Inc. | Low temperature P2 O5 oxide diffusion source |
| CN102176412B (zh) * | 2007-11-09 | 2013-12-25 | 日本电气硝子株式会社 | 掺杂剂源及其制造方法 |
| JP5382606B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2014-01-08 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体用ホウ素ドープ材の製造方法 |
| WO2009060761A1 (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | ドーパントホストおよびその製造方法 |
| JP5476849B2 (ja) * | 2008-08-20 | 2014-04-23 | 日本電気硝子株式会社 | ドーパントホスト |
| WO2011065316A1 (ja) | 2009-11-24 | 2011-06-03 | 日本電気硝子株式会社 | ドーパントホスト及びその製造方法 |
| RU2542591C1 (ru) * | 2013-08-13 | 2015-02-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ формирования эмиттерной области транзистора |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4025464A (en) * | 1973-11-01 | 1977-05-24 | Mitsuo Yamashita | Composition for diffusing phosphorus |
| US4000247A (en) * | 1974-05-27 | 1976-12-28 | Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation | Dielectric active medium for lasers |
| US4160672A (en) * | 1974-12-23 | 1979-07-10 | Owens-Illinois, Inc. | Glass-ceramics for semiconductor doping |
| US4033790A (en) * | 1976-07-29 | 1977-07-05 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Solid diffusion dopants for semiconductors and method of making the same |
| US4152286A (en) * | 1977-09-13 | 1979-05-01 | Texas Instruments Incorporated | Composition and method for forming a doped oxide film |
| US4175988A (en) * | 1978-03-16 | 1979-11-27 | Owens-Illinois, Inc. | Melt-formed polycrystalline ceramics and dopant hosts containing phosphorus |
| US4141738A (en) * | 1978-03-16 | 1979-02-27 | Owens-Illinois, Inc. | Melt-formed polycrystalline ceramics and dopant hosts containing phosphorus |
-
1988
- 1988-05-19 US US07/195,940 patent/US4846902A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-17 JP JP1064017A patent/JPH0724258B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-20 KR KR1019890005213A patent/KR890017770A/ko not_active Withdrawn
- 1989-05-18 GB GB8911478A patent/GB2218699B/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01319932A (ja) | 1989-12-26 |
| GB2218699A (en) | 1989-11-22 |
| GB8911478D0 (en) | 1989-07-05 |
| GB2218699B (en) | 1992-02-19 |
| KR890017770A (ko) | 1989-12-18 |
| US4846902A (en) | 1989-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4584151A (en) | Method of producing a polycrystalline transparent spinel sintered body | |
| AMIN et al. | Reaction of anatase and rutile with barium carbonate | |
| JPS5850929B2 (ja) | 炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
| JPH0724258B2 (ja) | 固体拡散源、ドープされたシリコンウェーハ並びにそれを作る方法 | |
| JP4361892B2 (ja) | シリコンからなるドーピングされた半導体ウェーハを製造する方法およびこの種の半導体ウェーハ | |
| CN114149261A (zh) | 一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法 | |
| JPS63277567A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
| Kruppa et al. | Advanced thermoelectric performance of a textured ceramic composite: Encapsulation of NaxCoO2 into a triple‐phase matrix | |
| JPH0776126B2 (ja) | マグネシア焼結体の製造方法 | |
| US4798764A (en) | Arsenate dopant sources and method of making the sources | |
| KR20180133712A (ko) | 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자 | |
| Babini et al. | Hot pressing of silicon nitride with ceria additions | |
| Sarrión et al. | Preparation and characterization of NTC thermistors: Nickel manganites doped with lithium | |
| Niepmann et al. | The order of the palladium and germanium atoms in the germanides LnPdGe (Ln= La–Nd, Sm, Gd, Tb) and the new compound Yb3Pd4Ge4 | |
| Wiedemeier et al. | Phase equilibria in the solid region of the system manganese selenide-cadmium selenide | |
| JP2003137535A (ja) | 希土類ホウケイ化物とその製造方法 | |
| EP0156054B1 (en) | Porous silicon nitride semiconductor dopant carriers | |
| Felsche et al. | Thermal oxidation of Eu2SiO4—a topotactic solid state reaction | |
| CN113072380B (zh) | 一种用于pld的钴酸镧陶瓷靶材及其制备方法与应用 | |
| JP2520421B2 (ja) | 熱分解窒化硼素板 | |
| JPS6259572A (ja) | 窒化けい素質焼結体およびその製造方法 | |
| JP2001270712A (ja) | ケイ素を含むＧｄ多ホウ化物とその製造方法 | |
| CN1621354A (zh) | 一种Ca3Co2O6基氧化物热电材料的制备方法 | |
| Rubenstein | Preparation and analysis of homogeneous solid solution crystals of the system Si-Ge | |
| JPS59223214A (ja) | 超微粒子状ＳｉＣ粉末の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |