JPH01319932A - 固体拡散源、ドープされたシリコンウェーハ並びにそれを作る方法 - Google Patents
固体拡散源、ドープされたシリコンウェーハ並びにそれを作る方法Info
- Publication number
- JPH01319932A JPH01319932A JP1064017A JP6401789A JPH01319932A JP H01319932 A JPH01319932 A JP H01319932A JP 1064017 A JP1064017 A JP 1064017A JP 6401789 A JP6401789 A JP 6401789A JP H01319932 A JPH01319932 A JP H01319932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- oxide
- silicon wafer
- composition
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/19—Diffusion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/14—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
- H10P32/1408—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers
- H10P32/141—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers the applied layer comprising oxides only
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/17—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material
- H10P32/171—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material being group IV material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S252/00—Compositions
- Y10S252/95—Doping agent source material
- Y10S252/951—Doping agent source material for vapor transport
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１１上曵肌里光！
本発明は、Ｇｄ酸化物／ＰオＯ１である化合物からなる
固体拡散源用組成物並びにてそれを用いてドープされた
シリコンウェーハを作る方法に関する。
固体拡散源用組成物並びにてそれを用いてドープされた
シリコンウェーハを作る方法に関する。
盗】ｆとＬ彬
ガラスセラミック又は多結晶粒子からなる固体拡散源が
、ラップ（Ｒａｐｐ）の米国特許第４，１４１，７３８
号に開示されている。米国特許第４，０３３，７９０号
にはＬａｇ’ｓ／Ｐ２Ｏ５ 、ＣｅｔＯｚ／Ｐｇｏｓ又
はＹｚＣｈ／Ｐｇｏｓである化合物を熱圧することによ
って作られた固体拡散源が開示されている。これらの２
つの米国特許が、参考のために挙げられる。
、ラップ（Ｒａｐｐ）の米国特許第４，１４１，７３８
号に開示されている。米国特許第４，０３３，７９０号
にはＬａｇ’ｓ／Ｐ２Ｏ５ 、ＣｅｔＯｚ／Ｐｇｏｓ又
はＹｚＣｈ／Ｐｇｏｓである化合物を熱圧することによ
って作られた固体拡散源が開示されている。これらの２
つの米国特許が、参考のために挙げられる。
■ （″ 脅
熱圧することなく容易に製造されかつ比較的低温にてし
かも比較的高速にてＰ２Ｏ５を放出する組成物から作ら
れる固体拡散源を提供することが望ましい。
かも比較的高速にてＰ２Ｏ５を放出する組成物から作ら
れる固体拡散源を提供することが望ましい。
ｉ 力５
本発明の目的は、被覆されたシリコンウェーハを作るた
めの固体拡散源用ドーピング組成物であって、比較的低
温にてしかも比較的高速にてＰｒｏｓを放出するＧｄ酸
化物／Ｐｉｅｓである化合物からなる組成物を提供する
ことである。
めの固体拡散源用ドーピング組成物であって、比較的低
温にてしかも比較的高速にてＰｒｏｓを放出するＧｄ酸
化物／Ｐｉｅｓである化合物からなる組成物を提供する
ことである。
本発明の目的はまた、固体拡散源を用いてドープされた
シリコンウェーハを作る方法であワて、Ａ、Ｇｄ酸化物
及びＨｓ Ｐ Ｏａを加熱してＧｄ酸化物／Ｐｉｅｓ組
成物を作り、そして Ｂ、該組成物を焼成してＰ２Ｏ５を比較的低温にてシリ
コンウェーハへ放出させる ことからなる方法を提供することである。
シリコンウェーハを作る方法であワて、Ａ、Ｇｄ酸化物
及びＨｓ Ｐ Ｏａを加熱してＧｄ酸化物／Ｐｉｅｓ組
成物を作り、そして Ｂ、該組成物を焼成してＰ２Ｏ５を比較的低温にてシリ
コンウェーハへ放出させる ことからなる方法を提供することである。
本発明のこれらの目的及び他の目的は、以下の記載及び
特許請求の範囲から明らかであろう。
特許請求の範囲から明らかであろう。
本発明は、比較的低温例えば７００℃ないし１０５０″
Ｃにてしかもシリコンウェーハ上への厚い被膜の付着に
より指摘されるように比較的高速にて（該被膜は９００
℃にて１時間で約１５００〜２０００人（オングストロ
ーム）の厚さを有するのに対し−同じ温度にて同じ時間
でＬａｇ’ｓ／Ｐｔｏｓを用いる場合ｒ；１ｓｏｏ人に
すぎない−）Ｐ２Ｏ５を放出するＧｄ酸化物／ Ｐ ｚ
Ｏｓである化合物からなる新規固体拡散源用組成物を
提供する。
Ｃにてしかもシリコンウェーハ上への厚い被膜の付着に
より指摘されるように比較的高速にて（該被膜は９００
℃にて１時間で約１５００〜２０００人（オングストロ
ーム）の厚さを有するのに対し−同じ温度にて同じ時間
でＬａｇ’ｓ／Ｐｔｏｓを用いる場合ｒ；１ｓｏｏ人に
すぎない−）Ｐ２Ｏ５を放出するＧｄ酸化物／ Ｐ ｚ
Ｏｓである化合物からなる新規固体拡散源用組成物を
提供する。
本発明はまた、固体拡散源を用いてドープされたシリコ
ンウェーハを作る方法であって、Ａ、Ｇｄ酸化物及びＨ
ｓＰＯ４を加熱してＧｄ酸化物／ Ｐ ！ Ｏｓ組成物
を作り、そしてＢ、該組成物を焼成してｐｔｏ、を比較
的低温にてしかも比較的高速にてシリコンウェーハへ放
出させる ことからなる方法を提供する。
ンウェーハを作る方法であって、Ａ、Ｇｄ酸化物及びＨ
ｓＰＯ４を加熱してＧｄ酸化物／ Ｐ ！ Ｏｓ組成物
を作り、そしてＢ、該組成物を焼成してｐｔｏ、を比較
的低温にてしかも比較的高速にてシリコンウェーハへ放
出させる ことからなる方法を提供する。
本発明はまた、この方法によりｃａ／ｐｆｉｏ５である
化合物から製造されたドープされたシリコンウェーハを
提供する。
化合物から製造されたドープされたシリコンウェーハを
提供する。
一般に、ガドリニウム酸化物／ Ｐ ｚ Ｏｓの拡散源
用組成物は、約１＝１ないし１：５好ましくは１：３な
いし１：５のＧｄ酸化物／ Ｐ ｔ Ｏｓのモル比を有
する０通常、最良の結果は、メタリン酸ガドリニウムの
場合は約１／３そして五リン酸ガドリニウムの場合は１
１５のモル比を用いて得られる。
用組成物は、約１＝１ないし１：５好ましくは１：３な
いし１：５のＧｄ酸化物／ Ｐ ｔ Ｏｓのモル比を有
する０通常、最良の結果は、メタリン酸ガドリニウムの
場合は約１／３そして五リン酸ガドリニウムの場合は１
１５のモル比を用いて得られる。
皇−旅−■
五リン酸ガドリニウム拡散源を次のようにして製造した
： １）化学量論的割合のＧｄ酸化物をリン酸（Ｇｄ酸化物
／ Ｐ ｔ Ｏｓのモル比１：５）と、過剰量のリン酸
と混合する。
： １）化学量論的割合のＧｄ酸化物をリン酸（Ｇｄ酸化物
／ Ｐ ｔ Ｏｓのモル比１：５）と、過剰量のリン酸
と混合する。
２）３５０℃に加熱して過剰の水を追い出す。
３） ふた付きルツボ中で７５０℃にて１５時間焼成す
る。
る。
４） 物質を取り出しそて粉砕して微粉末（６０メツシ
ュまたはそれより細かい、）にする。
ュまたはそれより細かい、）にする。
５） 所望するなら、Ｘ線回折（ＸＲＤ）試験のため粉
末のサンプルを採取する。
末のサンプルを採取する。
６）注入可能な混合物を作るのに適した粉末／水の混合
物を注型して未加工ウェーハの形態にする（１５ｇの粉
末対５ｇの水）。
物を注型して未加工ウェーハの形態にする（１５ｇの粉
末対５ｇの水）。
７） 未加工ウェー・八を焼結して源ウェーハ（拡散源
ウェーハ）である硬質の盤にする。
ウェーハ）である硬質の盤にする。
８） ドーピング特性について源ウェーハを試験し、そ
してこのウェーハを半導体デバイスに用いる。
してこのウェーハを半導体デバイスに用いる。
鋼管（未分解の銅α）及びわん曲結晶モノクロメータ−
を備えたフィリップス社製３１００Ｘ線回折計を、結晶
相の分析のために用いた。
を備えたフィリップス社製３１００Ｘ線回折計を、結晶
相の分析のために用いた。
五リン酸ガドリニウムのサンプルに関して得られたＸ線
パターンは、五リン酸ガドリニウムについて公表されて
いるデータと非常によく合致している。
パターンは、五リン酸ガドリニウムについて公表されて
いるデータと非常によく合致している。
ＸＲＤパターンからみて、Ｇｄ酸化物／ｐｚｏｓの組成
化合物は、７５０℃にて１５時間で充分に反応されると
認められる。
化合物は、７５０℃にて１５時間で充分に反応されると
認められる。
五リン酸ガドリニウムに関するドーピング試験（９００
°ｃ、 を時間、Ｎ！−３１，７分）を、この拡散源
をシリコンウェー八に拡散させるためのシリカボートを
用いて行った。
°ｃ、 を時間、Ｎ！−３１，７分）を、この拡散源
をシリコンウェー八に拡散させるためのシリカボートを
用いて行った。
五リン酸ガドリニウム源との比較のために、ランタン酸
化物：５Ｐｇｏｓの化合物拡散源も試験した。
化物：５Ｐｇｏｓの化合物拡散源も試験した。
五リン酸ガドリニウムは、予期されなかった厚いガラス
質の膜を生じた。
質の膜を生じた。
五リン酸ガドリニウムを用いて得られたデータを表１に
要約する。
要約する。
（以下余白）
驚くべきことに、Ｇｄ酸化物／Ｐｒｏｓの化合物源は、
同し温度かつ同じ時間でＬａ酸化物／Ｐ２０．の源の３
〜５倍厚い付着膜厚をもたらした、ということがわかる
。
同し温度かつ同じ時間でＬａ酸化物／Ｐ２０．の源の３
〜５倍厚い付着膜厚をもたらした、ということがわかる
。
Ｇｄ酸化物／ Ｐ ｔ Ｏｓの組成物源のＰ２Ｏ５の放
出は、−ＩＩに所与の温度における所与の時間でＬａ酸
化物／ Ｐ ｚ Ｏｓの源の少な（とも２倍通常３〜４
倍又はそれ以上の速さである。
出は、−ＩＩに所与の温度における所与の時間でＬａ酸
化物／ Ｐ ｚ Ｏｓの源の少な（とも２倍通常３〜４
倍又はそれ以上の速さである。
Ｐ２Ｏ５を放出させるための焼成サイクルは、−般に約
１／４時間ないし２４時間又はそれ以上で好ましくは約
１／２時間ないし２時間で約７００又は７５０“Ｃから
１０００〜１０５０ ”Ｃまで又はそれ以上好ましくは
７５０〜１０５０’Ｃである。
１／４時間ないし２４時間又はそれ以上で好ましくは約
１／２時間ないし２時間で約７００又は７５０“Ｃから
１０００〜１０５０ ”Ｃまで又はそれ以上好ましくは
７５０〜１０５０’Ｃである。
ガドリニウム化合物／ Ｐ ！ ＯＳである化合物は、
注型及び焼成する前は、好ましくは細かい粒子サイズ（
−船に６０メツシュ又はそれより細かく好ましくは約１
００〜４００メツシュ）を有する。
注型及び焼成する前は、好ましくは細かい粒子サイズ（
−船に６０メツシュ又はそれより細かく好ましくは約１
００〜４００メツシュ）を有する。
好ましくは、細かく分割された粒子は少量の水と混合さ
れて、源ウェーハ用モールド中で拡散源つ工−ハを作る
ための注入可能な混合物である粘性なスラリーを生じる
。一般に、粉末／水の重量比は約５／１ないし約１／１
である。源ウェーハそれ自体は一般に、直径に依り約５
〜２００ミル又はそれ以上の厚さを有する。
れて、源ウェーハ用モールド中で拡散源つ工−ハを作る
ための注入可能な混合物である粘性なスラリーを生じる
。一般に、粉末／水の重量比は約５／１ないし約１／１
である。源ウェーハそれ自体は一般に、直径に依り約５
〜２００ミル又はそれ以上の厚さを有する。
シリコンウェー八が源ウェーハから作られる場合、ドー
プされたシリコンウェー八の面積抵抗率は、温度及び時
間に依り約１〜２００オーム／平方である。９００℃に
て１時間付着された一層厚い（１０００〜１５００から
２０００〜３０００オングストロームまで）膜は、最終
シリコンウェーハにおける一層高いリン濃度をもたらす
。
プされたシリコンウェー八の面積抵抗率は、温度及び時
間に依り約１〜２００オーム／平方である。９００℃に
て１時間付着された一層厚い（１０００〜１５００から
２０００〜３０００オングストロームまで）膜は、最終
シリコンウェーハにおける一層高いリン濃度をもたらす
。
得られたドープされたウェーハは、不所望な有毒なガス
や液体を有さない典型的なエミッター、チャンネルＭＯ
３及びポリシリコン拡散体に用いられ得る。
や液体を有さない典型的なエミッター、チャンネルＭＯ
３及びポリシリコン拡散体に用いられ得る。
五リン酸ガドリニウム固体拡散源は、次の分解反応に従
って働く： ＣｄＰ ｓｏ＋ａ （ｓ）→Ｃｄ（Ｐ ０ｓ）ｓ （ｓ
） ＋ Ｐ ｇｏｓ （ｇ）↑この反応は、約７００〜
１０５０″Ｃにてドーパント源として用いられるのに充
分な速度で進行する。所与の温度（恒温）における時間
の関数としての放出速度４１減量）の特定値は、粒子サ
イズ、粒子の充填度、密度、多孔度、サンプルの外形及
び多くの他の因子に左右されよう。
って働く： ＣｄＰ ｓｏ＋ａ （ｓ）→Ｃｄ（Ｐ ０ｓ）ｓ （ｓ
） ＋ Ｐ ｇｏｓ （ｇ）↑この反応は、約７００〜
１０５０″Ｃにてドーパント源として用いられるのに充
分な速度で進行する。所与の温度（恒温）における時間
の関数としての放出速度４１減量）の特定値は、粒子サ
イズ、粒子の充填度、密度、多孔度、サンプルの外形及
び多くの他の因子に左右されよう。
五リン酸ガドリニウムは好ましくは、３５０℃のカーボ
ンルツボ中でＧａｚｅｓを８５％ＨｚＰＯｓに１：５の
重量比にて溶解することにより製造される。過剰の水が
蒸発された後、該ルツボはふたをされそして温度は７５
０ ”Ｃに２４時間上げられる。五リン酸ガドリニウム
の結晶が、溶液から成是する。該結晶は、細かい粉末が
得られる（−６０メツシュ）までボールミルにかけられ
る。次いで二３：１の粉末対水の重量比をもたらすよう
に該粉末は蒸留水と混合され、このスラリーがテフロン
製モールド中で注型されそして５０℃にて乾燥され、ア
ルミナ板の間で９００℃にて１時間焼成されそして次い
で試験される。これらのウェーハは、現在のリンドーパ
ント源と比べて良好な熱衝撃性を示す。
ンルツボ中でＧａｚｅｓを８５％ＨｚＰＯｓに１：５の
重量比にて溶解することにより製造される。過剰の水が
蒸発された後、該ルツボはふたをされそして温度は７５
０ ”Ｃに２４時間上げられる。五リン酸ガドリニウム
の結晶が、溶液から成是する。該結晶は、細かい粉末が
得られる（−６０メツシュ）までボールミルにかけられ
る。次いで二３：１の粉末対水の重量比をもたらすよう
に該粉末は蒸留水と混合され、このスラリーがテフロン
製モールド中で注型されそして５０℃にて乾燥され、ア
ルミナ板の間で９００℃にて１時間焼成されそして次い
で試験される。これらのウェーハは、現在のリンドーパ
ント源と比べて良好な熱衝撃性を示す。
代理人の氏名 川原１）−穂
Claims (14)
- （１）シリコンウェーハ上に酸化リン被膜を付着させる
ための固体拡散源用組成物であって、比較的低温にてし
かも比較的高速にてＰ＿２Ｏ＿５を放出するＧｄ酸化物
／Ｐ＿２Ｏ＿５である化合物からなる組成物。 - （２）Ｇｄ酸化物／Ｐ＿２Ｏ＿５のモル比が約１／１な
いし１／５である、請求項１記載の組成物。 - （３）固体拡散源を用いてドープされたシリコンウェー
ハを作る方法であって、 Ａ、Ｇｄ酸化物及びＨ＿３ＰＯ＿４を加熱してＧｄ酸化
物／Ｐ＿２Ｏ＿５組成物を作り、そして Ｂ、該組成物を焼成してＰ＿２Ｏ＿５を放出させて、比
較的低温にてしかも比較的高速にてシリコンウェーハ上
にリン含有被膜を付着させる ことからなる方法。 - （４）Ｇｄ酸化物／Ｐ＿２Ｏ＿５のモル比が約１／３な
いし１／５である、請求項１記載の組成物。 - （５）シリコンウェーハをドープする方法であって、 （Ａ）シリコンウェーハをリンでドープするためのドー
ピング源ウェーハを作り、しかも該源ウェーハは、 （ａ）Ｇｄ酸化物／Ｐ＿２Ｏ＿５のモル比が約１／１な
いし１／５であるガドリニウム酸化物／ Ｐ＿２Ｏ＿５である化合物の６０メッシュ又はそれより
小さい粒子及び （ｂ）粘性な注入可能なスラリーを作るのに充分な水 からなる組成物から作り、そして （Ｂ）該ドーピング源ウェーハを焼成してＰ＿２Ｏ＿５
の蒸気相輸送によりシリコンウェーハ上にガラス質層を
作ってリンをシリコンウェーハ中に拡散させる ことからなる方法。 - （６）工程（Ａ）の源ウェーハを充分に乾燥して耐水性
かつ取扱いによる破損抵抗性にする工程を更に含む、請
求項５記載の方法。 - （７）請求項５記載の方法に従って作られたリンでドー
プされたシリコンウェーハ。 - （８）ドーピングウェーハをフルオロカーボンポリマー
製モールド中で作り、このウェーハを該モールド内で乾
燥し、このウェーハを取り出しそして熱処理する、請求
項５記載の方法。 - （９）乾燥工程が約６０℃ないし１４０℃の温度にあり
、焼成工程が約７００℃ないし１０５０℃の温度にある
、請求項６記載の方法。 - （１０）ガラス質層が９００℃にて１時間の付着で約１
０００〜３０００オングストロームの厚さにある、請求
項３記載の方法。 - （１１）最終のドープされたウェーハの面積抵抗率が９
００℃にて約１時間の付着時間で約１〜５０オーム／平
方である、請求項５記載の方法。 - （１２）ドープされたシリコンウェーハの面積抵抗率が
約１０〜３５オーム／平方である、請求項５記載の方法
。 - （１３）乾燥された源ウェーハを約８５０℃ないし１１
５０℃の温度にて１〜１０時間焼結する工程に付した後
、乾燥されかつ焼結されたウェーハを工程（Ｂ）に従っ
て焼成する、請求項６記載の方法。 - （１４）請求項３記載の方法に従って作られたドープさ
れたシリコンウェーハ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/195,940 US4846902A (en) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | Solid diffusion source of GD oxide/P205 compound and method of making silicon wafer |
| US195,940 | 1988-05-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319932A true JPH01319932A (ja) | 1989-12-26 |
| JPH0724258B2 JPH0724258B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=22723465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1064017A Expired - Fee Related JPH0724258B2 (ja) | 1988-05-19 | 1989-03-17 | 固体拡散源、ドープされたシリコンウェーハ並びにそれを作る方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4846902A (ja) |
| JP (1) | JPH0724258B2 (ja) |
| KR (1) | KR890017770A (ja) |
| GB (1) | GB2218699B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060761A1 (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | ドーパントホストおよびその製造方法 |
| JP2009177129A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-08-06 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体用ホウ素ドープ材の製造方法 |
| JP2010074149A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-04-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ドーパントホスト |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350460A (en) * | 1992-12-08 | 1994-09-27 | Techneglas, Inc. | High temperature phosphorus oxide diffusion source |
| US5350461A (en) * | 1992-12-08 | 1994-09-27 | Techneglas, Inc. | Low temperature P2 O5 oxide diffusion source |
| CN102176412B (zh) * | 2007-11-09 | 2013-12-25 | 日本电气硝子株式会社 | 掺杂剂源及其制造方法 |
| WO2011065316A1 (ja) | 2009-11-24 | 2011-06-03 | 日本電気硝子株式会社 | ドーパントホスト及びその製造方法 |
| RU2542591C1 (ru) * | 2013-08-13 | 2015-02-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ формирования эмиттерной области транзистора |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4025464A (en) * | 1973-11-01 | 1977-05-24 | Mitsuo Yamashita | Composition for diffusing phosphorus |
| US4000247A (en) * | 1974-05-27 | 1976-12-28 | Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation | Dielectric active medium for lasers |
| US4160672A (en) * | 1974-12-23 | 1979-07-10 | Owens-Illinois, Inc. | Glass-ceramics for semiconductor doping |
| US4033790A (en) * | 1976-07-29 | 1977-07-05 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Solid diffusion dopants for semiconductors and method of making the same |
| US4152286A (en) * | 1977-09-13 | 1979-05-01 | Texas Instruments Incorporated | Composition and method for forming a doped oxide film |
| US4175988A (en) * | 1978-03-16 | 1979-11-27 | Owens-Illinois, Inc. | Melt-formed polycrystalline ceramics and dopant hosts containing phosphorus |
| US4141738A (en) * | 1978-03-16 | 1979-02-27 | Owens-Illinois, Inc. | Melt-formed polycrystalline ceramics and dopant hosts containing phosphorus |
-
1988
- 1988-05-19 US US07/195,940 patent/US4846902A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-17 JP JP1064017A patent/JPH0724258B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-20 KR KR1019890005213A patent/KR890017770A/ko not_active Withdrawn
- 1989-05-18 GB GB8911478A patent/GB2218699B/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060761A1 (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | ドーパントホストおよびその製造方法 |
| US9040177B2 (en) | 2007-11-09 | 2015-05-26 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Dopant host |
| JP2009177129A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-08-06 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体用ホウ素ドープ材の製造方法 |
| JP2010074149A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-04-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ドーパントホスト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0724258B2 (ja) | 1995-03-15 |
| GB2218699A (en) | 1989-11-22 |
| GB8911478D0 (en) | 1989-07-05 |
| GB2218699B (en) | 1992-02-19 |
| KR890017770A (ko) | 1989-12-18 |
| US4846902A (en) | 1989-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW589290B (en) | Formed SiC product and manufacturing method thereof | |
| JP2731854B2 (ja) | 高耐水和性、高流動性酸化マグネシウムの製造方法 | |
| US4584151A (en) | Method of producing a polycrystalline transparent spinel sintered body | |
| JPH01319932A (ja) | 固体拡散源、ドープされたシリコンウェーハ並びにそれを作る方法 | |
| JPS584450B2 (ja) | ハンドウタイノ カクサンド−ピングシヨリヨウノ コタイノリンガンユウゲンブツタイオヨビ ソノセイゾウホウ | |
| US4800175A (en) | Phosphorous planar dopant source for low temperature applications | |
| JPS584451B2 (ja) | リンド−ピングヨウ コタイカクサンゲン | |
| JPS5610921A (en) | Material for equipment for manufacturing semiconductor and its treating furnace | |
| JPH01225686A (ja) | 化学蓄熱材及びその製造方法 | |
| Moore et al. | Sol-gel processing of Y1Ba2Cu3O7− x using alkoxide precursors: Two systems yielding high degrees of thin film orientation and crystal growth | |
| JPH0776126B2 (ja) | マグネシア焼結体の製造方法 | |
| EP0134077B1 (en) | Novel arsenate dopant compounds | |
| JP3571356B2 (ja) | 蒸着材料の製造方法 | |
| JP4312286B2 (ja) | α−アルミン酸リチウムの製造方法 | |
| JPH0570286A (ja) | 透明酸化亜鉛の製造方法 | |
| JPS6217005A (ja) | 高純度ムライト粉末の製造方法 | |
| EP0156054B1 (en) | Porous silicon nitride semiconductor dopant carriers | |
| JP3656956B2 (ja) | 石英ガラス及び石英ガラス治具並びにそれらの製造方法 | |
| JPS5945915A (ja) | β型炭化珪素粉末の製造方法 | |
| JPH0666265B2 (ja) | 半導体気相成長用サセプタ | |
| KR102727239B1 (ko) | 산화 마그네슘 분말 및 그의 제조방법 | |
| JPH04265300A (ja) | 低温ドーピング用のセリウムペンタホスフェート平面拡散源 | |
| JP2731333B2 (ja) | 窒化珪素焼結体、その製造方法、窒化珪素粉末及びその製造方法 | |
| JPS5943424B2 (ja) | ＴｍＦｅＣｕＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH0577627B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |