JPH07245528A - 温度補償型水晶発振器 - Google Patents
温度補償型水晶発振器Info
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- JPH07245528A JPH07245528A JP3467394A JP3467394A JPH07245528A JP H07245528 A JPH07245528 A JP H07245528A JP 3467394 A JP3467394 A JP 3467394A JP 3467394 A JP3467394 A JP 3467394A JP H07245528 A JPH07245528 A JP H07245528A
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- transistor
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来必要不可欠であった温度補償電圧発生回
路部を不要とする。 【構成】 バラクタダイオードと温度可変抵抗素子を用
いて発振器のバイアス機能と周波数変動に対する温度補
償機能を兼ね備えた構成とした。
路部を不要とする。 【構成】 バラクタダイオードと温度可変抵抗素子を用
いて発振器のバイアス機能と周波数変動に対する温度補
償機能を兼ね備えた構成とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、人工衛星等に搭載す
る温度補償型水晶発振器（以後発振器と記す）の改良に
関するものである。
る温度補償型水晶発振器（以後発振器と記す）の改良に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の標準的な発振器の例であ
り、図において１はトランジスタ、２はトランジスタ１
のコレクタに接続された電源端子、３はトランジスタ１
のエミッタに接続された信号出力端子、４、５、６はバ
イアス用の抵抗、７、８は帰還用のコンデンサ、９は水
晶振動子、１０は電圧にて容量が可変できるバラクタダ
イオード、１１は温度補償電圧を発生する温度可変抵抗
素子、１２は温度補償電圧発生回路のバイアス用抵抗、
１３は温度補償電圧発生回路用電源端子である。発振器
は、このうち１〜１０にて構成される水晶発振器部と、
１１〜１３にて構成される温度補償電圧発生回路部によ
り構成される。
り、図において１はトランジスタ、２はトランジスタ１
のコレクタに接続された電源端子、３はトランジスタ１
のエミッタに接続された信号出力端子、４、５、６はバ
イアス用の抵抗、７、８は帰還用のコンデンサ、９は水
晶振動子、１０は電圧にて容量が可変できるバラクタダ
イオード、１１は温度補償電圧を発生する温度可変抵抗
素子、１２は温度補償電圧発生回路のバイアス用抵抗、
１３は温度補償電圧発生回路用電源端子である。発振器
は、このうち１〜１０にて構成される水晶発振器部と、
１１〜１３にて構成される温度補償電圧発生回路部によ
り構成される。
【０００３】従来の発振器は前記のように構成され、水
晶振動子９の温度変化による発振周波数変動に対して、
温度補償電圧発生回路部より出力される補償電圧を用い
てバラクタダイオード１０の容量制御を行うことで、出
力周波数の安定化を図るものである。水晶発振器部の可
変周波数ΔＦは式（１）にて示される。 ΔＦ／Ｆｓ＝１／｛２ｒ（１＋ＣＬ／Ｃｏ）｝ ・・・（１） ΔＦ：水晶発振器部の可変周波数 Ｆｓ：直列共振周波数 ｒ：水晶振動子の容量比 Ｃｏ：水晶振動子の並列容量 ＣＬ：水晶振動子から見た回路の合成負荷容量
晶振動子９の温度変化による発振周波数変動に対して、
温度補償電圧発生回路部より出力される補償電圧を用い
てバラクタダイオード１０の容量制御を行うことで、出
力周波数の安定化を図るものである。水晶発振器部の可
変周波数ΔＦは式（１）にて示される。 ΔＦ／Ｆｓ＝１／｛２ｒ（１＋ＣＬ／Ｃｏ）｝ ・・・（１） ΔＦ：水晶発振器部の可変周波数 Ｆｓ：直列共振周波数 ｒ：水晶振動子の容量比 Ｃｏ：水晶振動子の並列容量 ＣＬ：水晶振動子から見た回路の合成負荷容量
【０００４】又、水晶振動子９から見た回路の合成負荷
容量ＣＬは式（２）にて示される。 ＣＬ＝１／（１／Ｃ１＋１／Ｃ２＋１／Ｃｖ） ・・・（２） Ｃ１：図６における帰還用コンデンサ７の容量 Ｃ２：図６における帰還用コンデンサ８の容量 Ｃｖ：図６におけるバラクタダイオード１０の容量
容量ＣＬは式（２）にて示される。 ＣＬ＝１／（１／Ｃ１＋１／Ｃ２＋１／Ｃｖ） ・・・（２） Ｃ１：図６における帰還用コンデンサ７の容量 Ｃ２：図６における帰還用コンデンサ８の容量 Ｃｖ：図６におけるバラクタダイオード１０の容量
【０００５】従来の発振器は、水晶振動子９の温度によ
って変動する周波数に対して、式（１）にて示されるよ
うにＣＬの容量を制御することで補償している。ＣＬは
式（２）にて示されるようにＣ１、Ｃ２、Ｃｖの合成容
量であり、このうちＣｖ（バラクタダイオード１０の容
量）を可変することで制御している。この、Ｃｖはバラ
クタダイオード１０に印加される温度補償電圧によって
制御され、その温度補償電圧は温度補償電圧発生回路部
の温度可変抵抗素子１１の抵抗値温度変化によって発生
するものである。すなわち、温度補償電圧発生回路部の
温度可変抵抗素子１１の抵抗値温度変化を利用してバラ
クタダイオード１０にかかる印加電圧を制御し、ＣＬの
一部であるＣｖ（バラクタダイオード１０の容量）を制
御することで発振器の温度による周波数変化を補償する
構成となっている。
って変動する周波数に対して、式（１）にて示されるよ
うにＣＬの容量を制御することで補償している。ＣＬは
式（２）にて示されるようにＣ１、Ｃ２、Ｃｖの合成容
量であり、このうちＣｖ（バラクタダイオード１０の容
量）を可変することで制御している。この、Ｃｖはバラ
クタダイオード１０に印加される温度補償電圧によって
制御され、その温度補償電圧は温度補償電圧発生回路部
の温度可変抵抗素子１１の抵抗値温度変化によって発生
するものである。すなわち、温度補償電圧発生回路部の
温度可変抵抗素子１１の抵抗値温度変化を利用してバラ
クタダイオード１０にかかる印加電圧を制御し、ＣＬの
一部であるＣｖ（バラクタダイオード１０の容量）を制
御することで発振器の温度による周波数変化を補償する
構成となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の発振器は以上の
ように構成されているため、温度変化によって変動する
水晶発振器部の発振周波数を補償するためには温度補償
電圧発生回路部が必要不可欠であるという課題があっ
た。
ように構成されているため、温度変化によって変動する
水晶発振器部の発振周波数を補償するためには温度補償
電圧発生回路部が必要不可欠であるという課題があっ
た。
【０００７】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたものであり、従来の発振器に用いられてい
る温度補償電圧発生回路部を使用せずとも、温度変化に
よって変動する水晶発振器部の発振周波数を補償するこ
とのできる発振器を得ることを目的とする。
めになされたものであり、従来の発振器に用いられてい
る温度補償電圧発生回路部を使用せずとも、温度変化に
よって変動する水晶発振器部の発振周波数を補償するこ
とのできる発振器を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の実施例１に係
わる発振器は、温度補償電圧発生回路部を使用しないた
めに、発振器のバイアス抵抗６を温度可変抵抗素子に、
帰還用コンデンサ８をバラクタダイオードに、バラクタ
ダイオード１０を帰還用コンデンサに置きかえ、バイア
ス機能と周波数変動に対する温度補償機能を兼ね備える
構成としたものである。
わる発振器は、温度補償電圧発生回路部を使用しないた
めに、発振器のバイアス抵抗６を温度可変抵抗素子に、
帰還用コンデンサ８をバラクタダイオードに、バラクタ
ダイオード１０を帰還用コンデンサに置きかえ、バイア
ス機能と周波数変動に対する温度補償機能を兼ね備える
構成としたものである。
【０００９】この発明の実施例２に係わる発振器は、温
度補償電圧発生回路部を使用しないために、発振器のバ
イアス抵抗５を温度可変抵抗端子に、帰還用コンデンサ
８をバラクタダイオードに、バラクタダイオード１０を
帰還用コンデンサに置きかえ、バイアス機能と周波数変
動に対する温度補償機能を兼ね備える構成とした。
度補償電圧発生回路部を使用しないために、発振器のバ
イアス抵抗５を温度可変抵抗端子に、帰還用コンデンサ
８をバラクタダイオードに、バラクタダイオード１０を
帰還用コンデンサに置きかえ、バイアス機能と周波数変
動に対する温度補償機能を兼ね備える構成とした。
【００１０】この発明の実施例３に係わる発振器は、温
度補償電圧発生回路部を使用しないために、発振器のバ
イアス抵抗４を温度可変抵抗素子に、帰還用コンデンサ
８をバラクタダイオードに、バラクタダイオード１０を
帰還用コンデンサに置きかえ、バイアス機能と周波数変
動に対する温度補償機能を兼ね備える構成とした。
度補償電圧発生回路部を使用しないために、発振器のバ
イアス抵抗４を温度可変抵抗素子に、帰還用コンデンサ
８をバラクタダイオードに、バラクタダイオード１０を
帰還用コンデンサに置きかえ、バイアス機能と周波数変
動に対する温度補償機能を兼ね備える構成とした。
【００１１】この発明の実施例４に係わる発振器は、温
度補償電圧発生回路部を使用しないために、発振器の水
晶振動子９の両端に発振の妨げにならないような高抵抗
を接続し、バイアス抵抗４を温度可変抵抗素子に置きか
え、バイアス機能と周波数変動に対する温度補償機能を
兼ね備える構成とした。
度補償電圧発生回路部を使用しないために、発振器の水
晶振動子９の両端に発振の妨げにならないような高抵抗
を接続し、バイアス抵抗４を温度可変抵抗素子に置きか
え、バイアス機能と周波数変動に対する温度補償機能を
兼ね備える構成とした。
【００１２】この発明の実施例５に係わる発振器は、温
度補償電圧発生回路部を使用しないために、発振器の水
晶振動子９の両端に発振の妨げにならないような高抵抗
を接続し、バイアス抵抗５を温度可変抵抗素子に置きか
え、バイアス機能と周波数変動に対する温度補償機能を
兼ね備える構成とした。
度補償電圧発生回路部を使用しないために、発振器の水
晶振動子９の両端に発振の妨げにならないような高抵抗
を接続し、バイアス抵抗５を温度可変抵抗素子に置きか
え、バイアス機能と周波数変動に対する温度補償機能を
兼ね備える構成とした。
【００１３】
【作用】この発明の実施例１による発振器は、バイアス
抵抗６に温度可変抵抗素子を、帰還用コンデンサ８にバ
ラクタダイオードを、バラクタダイオード１０にコンデ
ンサを置きかえることにより、温度補償電圧発生回路部
を不要とすることができる。
抵抗６に温度可変抵抗素子を、帰還用コンデンサ８にバ
ラクタダイオードを、バラクタダイオード１０にコンデ
ンサを置きかえることにより、温度補償電圧発生回路部
を不要とすることができる。
【００１４】この発明の実施例２による発振器は、バイ
アス抵抗５に温度可変抵抗素子を、帰還用コンデンサ８
にバラクタダイオードを、バラクタダイオード１０にコ
ンデンサを置きかえることにより、温度補償電圧発生回
路部を不要とすることができる。
アス抵抗５に温度可変抵抗素子を、帰還用コンデンサ８
にバラクタダイオードを、バラクタダイオード１０にコ
ンデンサを置きかえることにより、温度補償電圧発生回
路部を不要とすることができる。
【００１５】この発明の実施例３による発振器は、バイ
アス抵抗４に温度可変抵抗素子を、帰還用コンデンサ８
にバラクタダイオードを、バラクタダイオード１０にコ
ンデンサを置きかえることにより、温度補償電圧発生回
路部を不要とすることができる。
アス抵抗４に温度可変抵抗素子を、帰還用コンデンサ８
にバラクタダイオードを、バラクタダイオード１０にコ
ンデンサを置きかえることにより、温度補償電圧発生回
路部を不要とすることができる。
【００１６】この発明の実施例４による発振器は、水晶
振動子９の両端にバイアス抵抗を追加し、バイアス抵抗
４に温度可変抵抗素子を置きかえることにより、温度補
償電圧発生回路部を不要とすることができる。
振動子９の両端にバイアス抵抗を追加し、バイアス抵抗
４に温度可変抵抗素子を置きかえることにより、温度補
償電圧発生回路部を不要とすることができる。
【００１７】この発明の実施例５による発振器は、水晶
振動子９の両端にバイアス抵抗を追加し、バイアス抵抗
５に温度可変抵抗素子を置きかえることにより、温度補
償電圧発生回路部を不要とすることができる。
振動子９の両端にバイアス抵抗を追加し、バイアス抵抗
５に温度可変抵抗素子を置きかえることにより、温度補
償電圧発生回路部を不要とすることができる。
【００１８】
実施例１．この発明の実施例１を図１について、従来の
発振器である図６と対比しながら説明する。図１におい
て１〜５、７、９は、前記従来の発振器と全く同一のも
のであり、１４は帰還機能と周波数調整機能を兼ね備え
たバラクタダイオード、１５は帰還用コンデンサ、１６
はバイアス機能と温度補償機能を兼ね備えた温度可変抵
抗素子である。図１の発振器が、式（１）に従って周波
数変動するのは従来の発振器と同様であり、その周波数
変動が式（２）で示されたＣＬ（水晶振動子９から見た
回路の合成負荷容量）で制御されることも又従来の発振
器と同様である。従来の発振器と異なる点は、図６では
単なる抵抗とコンデンサであったバイアス用抵抗６及び
帰還用コンデンサ８をそれぞれ温度可変抵抗素子１６、
バラクタダイオード１４に置きかえたことである。この
ため、温度可変抵抗素子１６による抵抗値温度変化を利
用してバラクタダイオード１４への印加電圧制御すなわ
ちバラクタダイオード１４の容量制御が可能となり、結
果的に式（２）で示されるＣ２（図６の帰還用コンデン
サ８の容量）を制御することでＣＬを制御して発振器の
周波数変動を補償しようとするものである。この場合、
図６で必要であったバラクタダイオード１０は不要とな
るため、図１では帰還用コンデンサ１５にて置きかえ
る。このように、図６では単なる抵抗とコンデンサであ
ったバイアス用抵抗６及び帰還用コンデンサ８をそれぞ
れ温度可変抵抗素子１６、バラクタダイオード１４に置
きかえることで、従来必要であった温度補償電圧発生回
路部を使用することなく従来の発振器と同様に発振器の
周波数変動を補償することが可能となる。
発振器である図６と対比しながら説明する。図１におい
て１〜５、７、９は、前記従来の発振器と全く同一のも
のであり、１４は帰還機能と周波数調整機能を兼ね備え
たバラクタダイオード、１５は帰還用コンデンサ、１６
はバイアス機能と温度補償機能を兼ね備えた温度可変抵
抗素子である。図１の発振器が、式（１）に従って周波
数変動するのは従来の発振器と同様であり、その周波数
変動が式（２）で示されたＣＬ（水晶振動子９から見た
回路の合成負荷容量）で制御されることも又従来の発振
器と同様である。従来の発振器と異なる点は、図６では
単なる抵抗とコンデンサであったバイアス用抵抗６及び
帰還用コンデンサ８をそれぞれ温度可変抵抗素子１６、
バラクタダイオード１４に置きかえたことである。この
ため、温度可変抵抗素子１６による抵抗値温度変化を利
用してバラクタダイオード１４への印加電圧制御すなわ
ちバラクタダイオード１４の容量制御が可能となり、結
果的に式（２）で示されるＣ２（図６の帰還用コンデン
サ８の容量）を制御することでＣＬを制御して発振器の
周波数変動を補償しようとするものである。この場合、
図６で必要であったバラクタダイオード１０は不要とな
るため、図１では帰還用コンデンサ１５にて置きかえ
る。このように、図６では単なる抵抗とコンデンサであ
ったバイアス用抵抗６及び帰還用コンデンサ８をそれぞ
れ温度可変抵抗素子１６、バラクタダイオード１４に置
きかえることで、従来必要であった温度補償電圧発生回
路部を使用することなく従来の発振器と同様に発振器の
周波数変動を補償することが可能となる。
【００１９】実施例２．次に、この発明の実施例２を図
２について、従来の発振器である図６と対比しながら説
明する。図２において１〜４、６、７、９は、前記従来
の発振器と全く同一のもの、１４、１５は図１と同一の
ものであり、１７はバイアス機能と温度補償機能を兼ね
備えた温度可変抵抗素子である。図２の発振器が、式
（１）に従って周波数変動するのは従来の発振器と同様
であり、その周波数変動が式（２）で示されたＣＬ（水
晶振動子９から見た回路の合成負荷容量）で制御される
ことも又従来の発振器と同様である。従来の発振器と異
なる点は、図６では単なる抵抗とコンデンサであったバ
イアス用抵抗５及び帰還用コンデンサ８をそれぞれ温度
可変抵抗素子１７、バラクタダイオード１４に置きかえ
たことである。温度可変抵抗素子１７による抵抗値温度
変化はトランジスタ１のベース電位変動となるがベース
／エミッタ間電圧は通常一定であるため、結果的にトラ
ンジスタ１のエミッタ電位変動となる。これはエミッタ
に接続されているバラクタダイオード１４への印加電圧
制御を意味するが、バラクタダイオード１４への容量制
御が可能となることで、結果的に式（２）で示されるＣ
２（図６の帰還用コンデンサ８の容量）の制御を行いＣ
Ｌを制御して発振器の周波数変動を補償しようとするも
のである。この場合、図６で必要であったバラクタダイ
オード１０は不要となるため、図２では帰還用コンデン
サ１５にて置きかえる。このように、図６では単なる抵
抗とコンデンサであったバイアス用抵抗５及び帰還用コ
ンデンサ８をそれぞれ温度可変抵抗素子１７、バラクタ
ダイオード１４に置きかえることで、従来必要であった
温度補償電圧発生回路部を使用することなく従来の発振
器と同様に発振器の周波数変動を補償することが可能と
なる。
２について、従来の発振器である図６と対比しながら説
明する。図２において１〜４、６、７、９は、前記従来
の発振器と全く同一のもの、１４、１５は図１と同一の
ものであり、１７はバイアス機能と温度補償機能を兼ね
備えた温度可変抵抗素子である。図２の発振器が、式
（１）に従って周波数変動するのは従来の発振器と同様
であり、その周波数変動が式（２）で示されたＣＬ（水
晶振動子９から見た回路の合成負荷容量）で制御される
ことも又従来の発振器と同様である。従来の発振器と異
なる点は、図６では単なる抵抗とコンデンサであったバ
イアス用抵抗５及び帰還用コンデンサ８をそれぞれ温度
可変抵抗素子１７、バラクタダイオード１４に置きかえ
たことである。温度可変抵抗素子１７による抵抗値温度
変化はトランジスタ１のベース電位変動となるがベース
／エミッタ間電圧は通常一定であるため、結果的にトラ
ンジスタ１のエミッタ電位変動となる。これはエミッタ
に接続されているバラクタダイオード１４への印加電圧
制御を意味するが、バラクタダイオード１４への容量制
御が可能となることで、結果的に式（２）で示されるＣ
２（図６の帰還用コンデンサ８の容量）の制御を行いＣ
Ｌを制御して発振器の周波数変動を補償しようとするも
のである。この場合、図６で必要であったバラクタダイ
オード１０は不要となるため、図２では帰還用コンデン
サ１５にて置きかえる。このように、図６では単なる抵
抗とコンデンサであったバイアス用抵抗５及び帰還用コ
ンデンサ８をそれぞれ温度可変抵抗素子１７、バラクタ
ダイオード１４に置きかえることで、従来必要であった
温度補償電圧発生回路部を使用することなく従来の発振
器と同様に発振器の周波数変動を補償することが可能と
なる。
【００２０】実施例３．次に、この発明の実施例３を図
３について、従来の発振器である図６と対比しながら説
明する。図３において１〜３、５〜７、９は、前記従来
の発振器と全く同一のもの、１４、１５は図１と同一の
ものであり、１８はバイアス機能と温度補償機能を兼ね
備えた温度可変抵抗素子である。図３の発振器が、式
（１）に従って周波数変動するのは従来の発振器と同様
であり、その周波数変動が式（２）で示されたＣＬ（水
晶振動子９から見た回路の合成負荷容量）で制御される
ことも又従来の発振器と同様である。従来の発振器と異
なる点は、図６では単なる抵抗とコンデンサであったバ
イアス用抵抗４及び帰還用コンデンサ８をそれぞれ温度
可変抵抗素子１８、バラクタダイオード１４に置きかえ
たことである。温度可変抵抗素子１８による抵抗値温度
変化はトランジスタ１のベース電位変動となるがベース
／エミッタ間電圧は通常一定であるため、結果的にトラ
ンジスタ１のエミッタ電位変動となる。これはエミッタ
に接続されているバラクタダイオード１４への印加電圧
制御を意味するが、バラクタダイオード１４への容量制
御が可能となることで、結果的に式（２）で示されるＣ
２（図６の帰還用コンデンサ８の容量）の制御を行いＣ
Ｌを制御して発振器の周波数変動を補償しようとするも
のである。この場合、図６で必要であったバラクタダイ
オード１０は不要となるため、図３では帰還用コンデン
サ１５にて置きかえる。このように、図６では単なる抵
抗とコンデンサであったバイアス用抵抗４及び帰還用コ
ンデンサ８をそれぞれ温度可変抵抗素子１８、バラクタ
ダイオード１４に置きかえることで、従来必要であった
温度補償電圧発生回路部を使用することなく従来の発振
器と同様に発振器の周波数変動を補償することが可能と
なる。
３について、従来の発振器である図６と対比しながら説
明する。図３において１〜３、５〜７、９は、前記従来
の発振器と全く同一のもの、１４、１５は図１と同一の
ものであり、１８はバイアス機能と温度補償機能を兼ね
備えた温度可変抵抗素子である。図３の発振器が、式
（１）に従って周波数変動するのは従来の発振器と同様
であり、その周波数変動が式（２）で示されたＣＬ（水
晶振動子９から見た回路の合成負荷容量）で制御される
ことも又従来の発振器と同様である。従来の発振器と異
なる点は、図６では単なる抵抗とコンデンサであったバ
イアス用抵抗４及び帰還用コンデンサ８をそれぞれ温度
可変抵抗素子１８、バラクタダイオード１４に置きかえ
たことである。温度可変抵抗素子１８による抵抗値温度
変化はトランジスタ１のベース電位変動となるがベース
／エミッタ間電圧は通常一定であるため、結果的にトラ
ンジスタ１のエミッタ電位変動となる。これはエミッタ
に接続されているバラクタダイオード１４への印加電圧
制御を意味するが、バラクタダイオード１４への容量制
御が可能となることで、結果的に式（２）で示されるＣ
２（図６の帰還用コンデンサ８の容量）の制御を行いＣ
Ｌを制御して発振器の周波数変動を補償しようとするも
のである。この場合、図６で必要であったバラクタダイ
オード１０は不要となるため、図３では帰還用コンデン
サ１５にて置きかえる。このように、図６では単なる抵
抗とコンデンサであったバイアス用抵抗４及び帰還用コ
ンデンサ８をそれぞれ温度可変抵抗素子１８、バラクタ
ダイオード１４に置きかえることで、従来必要であった
温度補償電圧発生回路部を使用することなく従来の発振
器と同様に発振器の周波数変動を補償することが可能と
なる。
【００２１】実施例４．次に、この発明の実施例４を図
４について、従来の発振器である図６と対比しながら説
明する。図４において１〜３、５〜１０は、前記従来の
発振器と全く同一のもの、１９は水晶振動子の発振を妨
げないようなバイアス用高抵抗であり、２０はバイアス
機能と温度補償機能を兼ね備えた温度可変抵抗素子であ
る。図４の発振器が、式（１）に従って周波数変動する
のは従来の発振器と同様であり、その周波数変動が式
（２）で示されたＣＬ（水晶振動子９から見た回路の合
成負荷容量）で制御されることも又従来の発振器と同様
である。従来の発振器と異なる点は、水晶振動子９の両
端にバイアス抵抗１９が追加されたことと、図６では単
なる抵抗であったバイアス用抵抗４が温度可変抵抗素子
２０に置きかえたことである。温度可変抵抗素子２０に
よる抵抗値温度変化はトランジスタ１のベース電位変動
となるが、ベースとバラクタダイオード１０はバイアス
抵抗１９で接続され同電位であるため、結果的にバラク
タダイオード１０への印加電圧制御となる。これより、
バラクタダイオード１０への容量制御が可能となり、従
来の発振器と同様に式（２）で示されるＣｖ（図６のバ
ラクタダイオード１０の容量）を制御することでＣＬを
制御して発振器の周波数変動を補償しようとするもので
ある。このように、バイアス用抵抗１９の追加及び図６
におけるバイアス用抵抗４を温度可変抵抗素子２０に置
きかえることで、従来必要であった温度補償電圧発生回
路部を使用することなく従来の発振器と同様に発振器の
周波数変動を補償することが可能となる。
４について、従来の発振器である図６と対比しながら説
明する。図４において１〜３、５〜１０は、前記従来の
発振器と全く同一のもの、１９は水晶振動子の発振を妨
げないようなバイアス用高抵抗であり、２０はバイアス
機能と温度補償機能を兼ね備えた温度可変抵抗素子であ
る。図４の発振器が、式（１）に従って周波数変動する
のは従来の発振器と同様であり、その周波数変動が式
（２）で示されたＣＬ（水晶振動子９から見た回路の合
成負荷容量）で制御されることも又従来の発振器と同様
である。従来の発振器と異なる点は、水晶振動子９の両
端にバイアス抵抗１９が追加されたことと、図６では単
なる抵抗であったバイアス用抵抗４が温度可変抵抗素子
２０に置きかえたことである。温度可変抵抗素子２０に
よる抵抗値温度変化はトランジスタ１のベース電位変動
となるが、ベースとバラクタダイオード１０はバイアス
抵抗１９で接続され同電位であるため、結果的にバラク
タダイオード１０への印加電圧制御となる。これより、
バラクタダイオード１０への容量制御が可能となり、従
来の発振器と同様に式（２）で示されるＣｖ（図６のバ
ラクタダイオード１０の容量）を制御することでＣＬを
制御して発振器の周波数変動を補償しようとするもので
ある。このように、バイアス用抵抗１９の追加及び図６
におけるバイアス用抵抗４を温度可変抵抗素子２０に置
きかえることで、従来必要であった温度補償電圧発生回
路部を使用することなく従来の発振器と同様に発振器の
周波数変動を補償することが可能となる。
【００２２】実施例５．次に、この発明の実施例５を図
５について、従来の発振器である図６と対比しながら説
明する。図５において１〜４、６〜１０は、前記従来の
発振器と全く同一のもの、１９は水晶振動子の発振を妨
げないようなバイアス用高抵抗であり、２１はバイアス
機能と温度補償機能を兼ね備えた温度可変抵抗素子であ
る。図４の発振器が、式（１）に従って周波数変動する
のは従来の発振器と同様であり、その周波数変動が式
（２）で示されたＣＬ（水晶振動子９から見た回路の合
成負荷容量）で制御されることも又従来の発振器と同様
である。従来の発振器と異なる点は、水晶振動子９の両
端にバイアス抵抗１９が追加されたことと、図６では単
なる抵抗であったバイアス用抵抗５が温度可変抵抗素子
２１に置きかえたことである。温度可変抵抗素子２１に
よる抵抗値温度変化はトランジスタ１のベース電位変動
となるが、ベースとバラクタダイオード１０はバイアス
抵抗１９で接続され同電位であるため、結果的にバラク
タダイオード１０への印加電圧制御となる。これより、
バラクタダイオード１０への容量制御が可能となり、従
来の発振器と同様に式（２）で示されるＣｖ（図６のバ
ラクタダイオード１０の容量）を制御することでＣＬを
制御して発振器の周波数変動を補償しようとするもので
ある。このように、バイアス用抵抗１９の追加及び図６
におけるバイアス用抵抗５を温度可変抵抗素子２１に置
きかえることで、従来必要であった温度補償電圧発生回
路部を使用することなく従来の発振器と同様に発振器の
周波数変動を補償することが可能となる。
５について、従来の発振器である図６と対比しながら説
明する。図５において１〜４、６〜１０は、前記従来の
発振器と全く同一のもの、１９は水晶振動子の発振を妨
げないようなバイアス用高抵抗であり、２１はバイアス
機能と温度補償機能を兼ね備えた温度可変抵抗素子であ
る。図４の発振器が、式（１）に従って周波数変動する
のは従来の発振器と同様であり、その周波数変動が式
（２）で示されたＣＬ（水晶振動子９から見た回路の合
成負荷容量）で制御されることも又従来の発振器と同様
である。従来の発振器と異なる点は、水晶振動子９の両
端にバイアス抵抗１９が追加されたことと、図６では単
なる抵抗であったバイアス用抵抗５が温度可変抵抗素子
２１に置きかえたことである。温度可変抵抗素子２１に
よる抵抗値温度変化はトランジスタ１のベース電位変動
となるが、ベースとバラクタダイオード１０はバイアス
抵抗１９で接続され同電位であるため、結果的にバラク
タダイオード１０への印加電圧制御となる。これより、
バラクタダイオード１０への容量制御が可能となり、従
来の発振器と同様に式（２）で示されるＣｖ（図６のバ
ラクタダイオード１０の容量）を制御することでＣＬを
制御して発振器の周波数変動を補償しようとするもので
ある。このように、バイアス用抵抗１９の追加及び図６
におけるバイアス用抵抗５を温度可変抵抗素子２１に置
きかえることで、従来必要であった温度補償電圧発生回
路部を使用することなく従来の発振器と同様に発振器の
周波数変動を補償することが可能となる。
【００２３】
【発明の効果】この発明の実施例１によれば、従来の発
振器に対して発振器のバイアス抵抗６を温度可変抵抗素
子１６に、帰還用コンデンサ８をバラクタダイオード１
４に、バラクタダイオード１０を帰還用コンデンサ１５
に置きかえることで、従来必要不可欠であった温度補償
電圧発生回路部を不要とした。
振器に対して発振器のバイアス抵抗６を温度可変抵抗素
子１６に、帰還用コンデンサ８をバラクタダイオード１
４に、バラクタダイオード１０を帰還用コンデンサ１５
に置きかえることで、従来必要不可欠であった温度補償
電圧発生回路部を不要とした。
【００２４】この発明の実施例２によれば、従来の発振
器に対して発振器のバイアス抵抗５を温度可変抵抗素子
１７に、帰還用コンデンサ８をバラクタダイオード１４
に、バラクタダイオード１０を帰還用コンデンサ１５に
置きかえることで、従来必要不可欠であった温度補償電
圧発生回路を不要とした。
器に対して発振器のバイアス抵抗５を温度可変抵抗素子
１７に、帰還用コンデンサ８をバラクタダイオード１４
に、バラクタダイオード１０を帰還用コンデンサ１５に
置きかえることで、従来必要不可欠であった温度補償電
圧発生回路を不要とした。
【００２５】この発明の実施例３によれば、従来の発振
器に対して発振器のバイアス抵抗４を温度可変抵抗素子
１８に、帰還用コンデンサ８をバラクタダイオード１４
に、バラクタダイオード１０を帰還用コンデンサ１５に
置きかえることで、従来必要不可欠であった温度補償電
圧発生回路を不要とした。
器に対して発振器のバイアス抵抗４を温度可変抵抗素子
１８に、帰還用コンデンサ８をバラクタダイオード１４
に、バラクタダイオード１０を帰還用コンデンサ１５に
置きかえることで、従来必要不可欠であった温度補償電
圧発生回路を不要とした。
【００２６】この発明の実施例４によれば、従来の発振
器に対して発振器のバイアス抵抗４を温度可変抵抗素子
２０に置きかえ、バイアス用抵抗１９を追加すること
で、従来必要不可欠であった温度補償電圧発生回路を不
要とした。
器に対して発振器のバイアス抵抗４を温度可変抵抗素子
２０に置きかえ、バイアス用抵抗１９を追加すること
で、従来必要不可欠であった温度補償電圧発生回路を不
要とした。
【００２７】この発明の実施例５によれば、従来の発振
器に対して発振器のバイアス抵抗５を温度可変抵抗素子
２１に置きかえ、バイアス用抵抗１９を追加すること
で、従来必要不可欠であった温度補償電圧発生回路を不
要とした。
器に対して発振器のバイアス抵抗５を温度可変抵抗素子
２１に置きかえ、バイアス用抵抗１９を追加すること
で、従来必要不可欠であった温度補償電圧発生回路を不
要とした。
【図１】この発明の実施例１による発振器を示す図であ
る。
る。
【図２】この発明の実施例２による発振器を示す図であ
る。
る。
【図３】この発明の実施例３による発振器を示す図であ
る。
る。
【図４】この発明の実施例４による発振器を示す図であ
る。
る。
【図５】この発明の実施例５による発振器を示す図であ
る。
る。
【図６】従来の発振器を示す図である。
１ トランジスタ ２ 電源端子 ３ 出力端子 ４ バイアス用抵抗 ５ バイアス用抵抗 ６ バイアス用抵抗 ７ 帰還用コンデンサ ８ 帰還用コンデンサ ９ 水晶振動子 １０ バラクタダイオード １１ 温度可変抵抗素子 １２ バイアス用抵抗 １３ 電源端子 １４ バラクタダイオード １５ 帰還用コンデンサ １６ 温度可変抵抗素子 １７ 温度可変抵抗素子 １８ 温度可変抵抗素子 １９ バイアス用抵抗 ２０ 温度可変抵抗素子 ２１ 温度可変抵抗素子
Claims (5)
- 【請求項１】 トランジスタと、前記トランジスタのベ
ースとコレクタ間に接続して発振器のバイアス回路を形
成する抵抗と、前記トランジスタのベースと回路のグラ
ンド間に接続して発振器のバイアス回路を形成する抵抗
と、前記トランジスタのエミッタと回路のグランド間に
接続して発振器のバイアス機能と温度補償機能を兼ね備
えた温度可変抵抗素子と、前記トランジスタのベースと
エミッタ間に接続して発振器の帰還回路を形成するコン
デンサと、前記トランジスタのエミッタと回路のグラン
ド間に接続して発振器の帰還機能と周波数調整機能を兼
ね備えたバラクタダイオードと、前記トランジスタのコ
レクタに電源を供給する電源端子と、前記トランジスタ
のエミッタに接続された信号出力端子と、前記トランジ
スタのベースに接続された水晶振動子と、前記水晶振動
子の他端と回路のグランド間に接続されて発振器の帰還
回路を形成するコンデンサで構成された温度補償型水晶
発振器。 - 【請求項２】 トランジスタと、前記トランジスタのベ
ースとコレクタ間に接続して発振器のバイアス回路を形
成する抵抗と、前記トランジスタのベースと回路のグラ
ンド間に接続して発振器のバイアス機能と温度補償機能
を兼ね備えた温度可変抵抗素子と、前記トランジスタの
エミッタと回路のグランド間に接続して発振器のバイア
ス回路を形成する抵抗と、前記トランジスタのベースと
エミッタ間に接続して発振器の帰還回路を形成するコン
デンサと、前記トランジスタのエミッタの回路のグラン
ド間に接続して発振器の帰還機能と周波数調整機能を兼
ね備えたバラクタダイオードと、前記トランジスタのコ
レクタに電源を供給する電源端子と、前記トランジスタ
のエミッタに接続された信号出力端子と、前記トランジ
スタのベースに接続された水晶振動子と、前記水晶振動
子の他端と回路のグランド間に接続されて発振器の帰還
回路を形成するコンデンサで構成された温度補償型水晶
発振器。 - 【請求項３】 トランジスタと、前記トランジスタのベ
ースとコレクタ間に接続して発振器のバイアス機能と温
度補償機能を兼ね備えた温度可変抵抗素子と、前記トラ
ンジスタのベースと回路のグランド間に接続して発振器
のバイアス回路を形成する抵抗と、前記トランジスタの
エミッタと回路のグランド間に接続して発振器のバイア
ス回路を形成する抵抗と、前記トランジスタのベースと
エミッタ間に接続して発振器の帰還回路を形成するコン
デンサと、前記トランジスタのエミッタと回路のグラン
ド間に接続して発振器の帰還機能と周波数調整機能を兼
ね備えたバラクタダイオードと、前記トランジスタのコ
レクタに電源を供給する電源端子と、前記トランジスタ
のエミッタに接続された信号出力端子と、前記トランジ
スタのベースに接続された水晶振動子と、前記水晶振動
子の他端と回路のグランド間に接続されて発振器の帰還
回路を形成するコンデンサで構成された温度補償型水晶
発振器。 - 【請求項４】 トランジスタと、前記トランジスタのベ
ースとコレクタ間に接続して発振器のバイアス機能と温
度補償機能を兼ね備えた温度可変抵抗素子と、前記トラ
ンジスタのベースと回路のグランド間に接続して発振器
のバイアス回路を形成する抵抗と、前記トランジスタの
エミッタと回路のグランド間に接続して発振器のバイア
ス回路を形成する抵抗と、前記トランジスタのベースと
エミッタ間に接続して発振器の帰還回路を形成するコン
デンサと、前記トランジスタのエミッタと回路のグラン
ド間に接続して発振器の帰還回路を形成するコンデンサ
と、前記トランジスタのコレクタに電源を供給する電源
端子と、前記トランジスタのエミッタに接続された信号
出力端子と、前記トランジスタのベースに接続された水
晶振動子と、前記水晶振動子の他端と回路のグランド間
に接続されて発振器の周波数調整を行うバラクタダイオ
ードと、前記水晶振動子の両端に並列に接続されたバイ
アス抵抗で構成された温度補償型水晶発振器。 - 【請求項５】 トランジスタと、前記トランジスタのベ
ースとコレクタ間に接続して発振器のバイアス回路を形
成する抵抗と、前記トランジスタのベースと回路のグラ
ンド間に接続して発振器のバイアス機能と温度補償機能
を兼ね備えた温度可変抵抗素子と、前記トランジスタの
エミッタと回路のグランド間に接続して発振器のバイア
ス回路を形成する抵抗と、前記トランジスタのベースと
エミッタ間に接続して発振器の帰還回路を形成するコン
デンサと、前記トランジスタのエミッタと回路のグラン
ド間に接続して発振器の帰還回路を形成するコンデンサ
と、前記トランジスタのコレクタに電源を供給する電源
端子と、前記トランジスタのエミッタに接続された信号
出力端子と、前記トランジスタのベースに接続された水
晶振動子と、前記水晶振動子の他端と回路のグランド間
に接続されて発振器の周波数調整を行うバラクタダイオ
ードと、前記水晶振動子の両端に並列に接続されたバイ
アス抵抗で構成された温度補償型水晶発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3467394A JPH07245528A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 温度補償型水晶発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3467394A JPH07245528A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 温度補償型水晶発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245528A true JPH07245528A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12420953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3467394A Pending JPH07245528A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 温度補償型水晶発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07245528A (ja) |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP3467394A patent/JPH07245528A/ja active Pending
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