JPH07248615A - 防塵膜 - Google Patents
防塵膜Info
- Publication number
- JPH07248615A JPH07248615A JP3806594A JP3806594A JPH07248615A JP H07248615 A JPH07248615 A JP H07248615A JP 3806594 A JP3806594 A JP 3806594A JP 3806594 A JP3806594 A JP 3806594A JP H07248615 A JPH07248615 A JP H07248615A
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- Japan
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- frame
- pellicle
- light
- dustproof film
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- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目 的】 LSI製造のリソグラフィー工法において
次世代の露光光として用いられるエキシマレーザー光の
ような短波長の露光光に対して耐光性を有し、発塵しな
いペリクルを提供する。 【構 成】 アルミニウム材よりなる枠2の表面を合金
発色や電解液発色などの自然発色法によって黒色アルマ
イト化処理する。
次世代の露光光として用いられるエキシマレーザー光の
ような短波長の露光光に対して耐光性を有し、発塵しな
いペリクルを提供する。 【構 成】 アルミニウム材よりなる枠2の表面を合金
発色や電解液発色などの自然発色法によって黒色アルマ
イト化処理する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、枠と、枠の一側面に張
設される膜よりなり、配線パターンの原図であるマスク
又はレチクル等のパターン上に異物が付着するのを防止
する目的で用いられる防塵膜と、その製造法に関する。
設される膜よりなり、配線パターンの原図であるマスク
又はレチクル等のパターン上に異物が付着するのを防止
する目的で用いられる防塵膜と、その製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】この防塵膜は通称ペリクルと呼ばれ、以
下ペリクルと称する。ペリクルには、露光に用いる光の
波長に応じてg線用、i線用、ブロードライン用などが
あり、枠には一般に、軽量かつ安価で、機械的強度もあ
るアルミニウム材が用いられているが、アルミニウム材
の表面は、耐蝕性、耐摩耗性に問題があり、また異物検
査をするのが容易でないという問題がある。
下ペリクルと称する。ペリクルには、露光に用いる光の
波長に応じてg線用、i線用、ブロードライン用などが
あり、枠には一般に、軽量かつ安価で、機械的強度もあ
るアルミニウム材が用いられているが、アルミニウム材
の表面は、耐蝕性、耐摩耗性に問題があり、また異物検
査をするのが容易でないという問題がある。
【0003】この問題に対処するため、ペリクル枠とし
て用いるアルミニウム材に黒色アルマイト処理する方法
が知られる。この方法は一般には、アルミニウム材の表
面に多孔質なアルマイト層を形成したのち、黒色の有機
染料を孔中に吸着させ、孔を塞ぐ(封孔)方法である。
て用いるアルミニウム材に黒色アルマイト処理する方法
が知られる。この方法は一般には、アルミニウム材の表
面に多孔質なアルマイト層を形成したのち、黒色の有機
染料を孔中に吸着させ、孔を塞ぐ(封孔)方法である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】LSIの配線のパター
ンは、集積度が増すにつれ、線幅に対し許容されるマス
クやレチクル上の異物サイズや個数が益々厳しくなって
いる。上述の従来法において、アルマイト処理したの
ち、黒色の有機染料で黒色化するのは、枠に付着した異
物の検査を容易にするためと、LSI製造のリソグラフ
ィー工程で用いられる際に露光光が反射してゴーストが
生じるのを防ぐこと及びアルミニウムの酸化を防止する
ためである。しかしながら、これにもなお次のような問
題がある。
ンは、集積度が増すにつれ、線幅に対し許容されるマス
クやレチクル上の異物サイズや個数が益々厳しくなって
いる。上述の従来法において、アルマイト処理したの
ち、黒色の有機染料で黒色化するのは、枠に付着した異
物の検査を容易にするためと、LSI製造のリソグラフ
ィー工程で用いられる際に露光光が反射してゴーストが
生じるのを防ぐこと及びアルミニウムの酸化を防止する
ためである。しかしながら、これにもなお次のような問
題がある。
【0005】LSI製造のリソグラフィー工程で用いら
れる露光光は、配線パターンの集積度が増すにつれ、解
像度を高くする必要性から次第に短波長化し、これに伴
いエネルギーも大きくなる。次世代の露光光源として
は、短波長のエキシマレーザー光や遠紫外光が考えられ
るが、上述の方法による黒色アルマイト処理された枠で
は、有機染料の耐光性が十分でないため、枠にエキシマ
レーザー光が照射された際、黒色化部分が退色してアル
ミニウム肌が露出したり、アルマイトが破壊され、発塵
するおそれがある。
れる露光光は、配線パターンの集積度が増すにつれ、解
像度を高くする必要性から次第に短波長化し、これに伴
いエネルギーも大きくなる。次世代の露光光源として
は、短波長のエキシマレーザー光や遠紫外光が考えられ
るが、上述の方法による黒色アルマイト処理された枠で
は、有機染料の耐光性が十分でないため、枠にエキシマ
レーザー光が照射された際、黒色化部分が退色してアル
ミニウム肌が露出したり、アルマイトが破壊され、発塵
するおそれがある。
【0006】本発明は、枠からの発塵をなくし、エキシ
マレーザー光等の短波長の露光光を使用しても発塵する
ことのないペリクルと、その製造法を提供することを目
的とする。
マレーザー光等の短波長の露光光を使用しても発塵する
ことのないペリクルと、その製造法を提供することを目
的とする。
【0007】
【課題の解決手段】本発明のペリクルは、枠の少なくと
も表面部分をアルマイト以外の非金属無機材料であるセ
ラミックスとし、セラミックスに好ましくは黒色のもの
を使用することを特徴とする。セラミックスは、エキシ
マレーザー光や遠紫外線等の短波長光に対して耐光性を
有するため、劣化による発塵を生ずることがない。また
黒色のセラミックスを使用することにより、ペリクル枠
の異物検査が容易となり、また照射光の乱反射によるゴ
ーストの形成を防ぐこともできる。
も表面部分をアルマイト以外の非金属無機材料であるセ
ラミックスとし、セラミックスに好ましくは黒色のもの
を使用することを特徴とする。セラミックスは、エキシ
マレーザー光や遠紫外線等の短波長光に対して耐光性を
有するため、劣化による発塵を生ずることがない。また
黒色のセラミックスを使用することにより、ペリクル枠
の異物検査が容易となり、また照射光の乱反射によるゴ
ーストの形成を防ぐこともできる。
【0008】本発明で用いられるセラミックスとして
は、例えば酸化アルミニウムAl2 O 3 、酸化チタンT
iO2 などの金属酸化物や炭化珪素、窒化珪素等を例示
することができる。別の発明のペリクル及び製造法は、
アルミニウム材よりなる枠の表面に自然発色法によって
アルマイト化処理、好ましくは黒色アルマイト化処理し
たことを特徴とする。
は、例えば酸化アルミニウムAl2 O 3 、酸化チタンT
iO2 などの金属酸化物や炭化珪素、窒化珪素等を例示
することができる。別の発明のペリクル及び製造法は、
アルミニウム材よりなる枠の表面に自然発色法によって
アルマイト化処理、好ましくは黒色アルマイト化処理し
たことを特徴とする。
【0009】こゝで自然発色法とは、いわゆる有機材料
を用いずに金属表面に色を付ける方法の総称で、代表的
な例としては、合金発色や電解液発色などがある。合金
発色は、アルミニウム合金の合金成分による発色で、硫
酸中で陽極酸化する過程において、合金成分を金属間化
合物としてアルマイト中に溶出させる方法で、黒色系の
アルマイト層が形成される。
を用いずに金属表面に色を付ける方法の総称で、代表的
な例としては、合金発色や電解液発色などがある。合金
発色は、アルミニウム合金の合金成分による発色で、硫
酸中で陽極酸化する過程において、合金成分を金属間化
合物としてアルマイト中に溶出させる方法で、黒色系の
アルマイト層が形成される。
【0010】電解液発色は、スルフォン酸やジカルボン
酸などの有機酸をベースにした電解液を用いて発色させ
る方法で、同じくアルミニウム材表面に黒色系のアルマ
イト層が形成される。上述するような自然発色法により
アルミニウム材表面をアルマイト処理したものは、エキ
シマレーザー光や遠紫外線等の短波長光に対し耐光性を
有するため、こうした短波長光を照射しても劣化により
退色したり、アルマイト層が破壊され発塵することがな
い。また、この方法により形成されるアルマイト層は平
坦で、孔が非常に緻密なため、孔中に異物が入り込むこ
とがなく、ペリクルのハンドリング中などに発塵する可
能性がきわめて少ないという利点がある。
酸などの有機酸をベースにした電解液を用いて発色させ
る方法で、同じくアルミニウム材表面に黒色系のアルマ
イト層が形成される。上述するような自然発色法により
アルミニウム材表面をアルマイト処理したものは、エキ
シマレーザー光や遠紫外線等の短波長光に対し耐光性を
有するため、こうした短波長光を照射しても劣化により
退色したり、アルマイト層が破壊され発塵することがな
い。また、この方法により形成されるアルマイト層は平
坦で、孔が非常に緻密なため、孔中に異物が入り込むこ
とがなく、ペリクルのハンドリング中などに発塵する可
能性がきわめて少ないという利点がある。
【0011】
実施例1 図1に示すペリクル1の枠2として、全体がアルミナA
l2 O3 からなるセラミック枠を用い、この枠にKrF
のエキシマレーザー光(248nm)を照射して耐光性
テストを行った。ここで照射条件は、1パルス当たり1
00mj/cm2とし、100mj/cm2 照射毎、照射部を目視
及び顕微鏡で観察した。その結果、トータルで2000
J/cm2 まで照射してもセラミック枠には何の変化も見
られなかった。
l2 O3 からなるセラミック枠を用い、この枠にKrF
のエキシマレーザー光(248nm)を照射して耐光性
テストを行った。ここで照射条件は、1パルス当たり1
00mj/cm2とし、100mj/cm2 照射毎、照射部を目視
及び顕微鏡で観察した。その結果、トータルで2000
J/cm2 まで照射してもセラミック枠には何の変化も見
られなかった。
【0012】比較例1 図1のペリクル枠2として、有機染料を用いてアルミニ
ウム材の表面を黒色アルマイト処理したアルミニウム枠
を用い、これに実施例1と同じ条件でKrFのエキシマ
レーザー光を照射した。その結果100mj/cm2 照射し
たら照射部が退色し、2000j/cm2 まで照射したら
アルマイト処理層よりアルミニウム面が完全に露出し
た。
ウム材の表面を黒色アルマイト処理したアルミニウム枠
を用い、これに実施例1と同じ条件でKrFのエキシマ
レーザー光を照射した。その結果100mj/cm2 照射し
たら照射部が退色し、2000j/cm2 まで照射したら
アルマイト処理層よりアルミニウム面が完全に露出し
た。
【0013】実施例2 図1に示すペリクル1の枠2として、以下に示す合金発
色法で処理したアルミニウム枠、すなわちAl−Mn−
Mg(Mn:1.5〜2.2%,Mg:0.2〜4.0
%)合金,及びAl−Mn−Mg−X(Mn:0.8〜
2.0%,Mg:0.8〜6.0%,XとしてAg:
0.05〜0.6%,Cr:0.01〜0.2%,C
u:0.01〜0.3%,Fe:0.3%以下,Si:
0.2%以下,Ti:0.008〜0.2%)合金を1
0〜20%硫酸浴中で陽極酸化し、その後300〜70
0℃の条件で熱処理することにより、表面を黒色アルマ
イト処理したアルミニウム枠を用いた。そして実施例1
と同様、KrFのエキシマレーザー光による耐光性テス
トを行った。照射条件は1パルス当たり20mj/cm2 と
し、発振周波数を100HZとした。そしてトータルで
10000J/cm2 まで照射を行い、照射部を目視及び
顕微鏡で観察した。その結果、合金発色法により黒色ア
ルマイト処理したアルミニウム枠はいずれも何の変化も
見られず、耐光性が非常に高いことが分かった。
色法で処理したアルミニウム枠、すなわちAl−Mn−
Mg(Mn:1.5〜2.2%,Mg:0.2〜4.0
%)合金,及びAl−Mn−Mg−X(Mn:0.8〜
2.0%,Mg:0.8〜6.0%,XとしてAg:
0.05〜0.6%,Cr:0.01〜0.2%,C
u:0.01〜0.3%,Fe:0.3%以下,Si:
0.2%以下,Ti:0.008〜0.2%)合金を1
0〜20%硫酸浴中で陽極酸化し、その後300〜70
0℃の条件で熱処理することにより、表面を黒色アルマ
イト処理したアルミニウム枠を用いた。そして実施例1
と同様、KrFのエキシマレーザー光による耐光性テス
トを行った。照射条件は1パルス当たり20mj/cm2 と
し、発振周波数を100HZとした。そしてトータルで
10000J/cm2 まで照射を行い、照射部を目視及び
顕微鏡で観察した。その結果、合金発色法により黒色ア
ルマイト処理したアルミニウム枠はいずれも何の変化も
見られず、耐光性が非常に高いことが分かった。
【0014】比較例2 比較例1と同じアルミニウム枠を用い、実施例2と同様
の照射条件でKrFのエキシマレーザー光による耐光性
テストを行った。そして10000J/cm2 まで照射を
行い、照射部を目視及び顕微鏡で観察したところ、照射
部が白色化し、アルマイト層よりアルミニウム面が露出
してアルマイト層にひゞ割れが生じていた。
の照射条件でKrFのエキシマレーザー光による耐光性
テストを行った。そして10000J/cm2 まで照射を
行い、照射部を目視及び顕微鏡で観察したところ、照射
部が白色化し、アルマイト層よりアルミニウム面が露出
してアルマイト層にひゞ割れが生じていた。
【0015】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され、次のよ
うな効果を奏する。請求項1記載のペリクルによれば、
エキシマレーザー光や遠紫外線のような短波長を照射し
ても、枠の劣化がなく、枠よりの発塵を防止することが
できる。請求項3記載のペリクル及び請求項4記載の製
造法で得られるペリクルによれば、請求項1記載のセラ
ミック枠と同様、エキシマレーサー光や遠紫外線等の短
波長光に対して耐光性を有するため、照射により劣化し
てアルマイト層が破壊されることがない。又、アルマイ
ト層が平坦で、孔が非常に緻密であるため、孔中に異物
が入り込むようなことがなく、ペリクルのハンドリング
中等に発塵する可能性がほとんどない。
うな効果を奏する。請求項1記載のペリクルによれば、
エキシマレーザー光や遠紫外線のような短波長を照射し
ても、枠の劣化がなく、枠よりの発塵を防止することが
できる。請求項3記載のペリクル及び請求項4記載の製
造法で得られるペリクルによれば、請求項1記載のセラ
ミック枠と同様、エキシマレーサー光や遠紫外線等の短
波長光に対して耐光性を有するため、照射により劣化し
てアルマイト層が破壊されることがない。又、アルマイ
ト層が平坦で、孔が非常に緻密であるため、孔中に異物
が入り込むようなことがなく、ペリクルのハンドリング
中等に発塵する可能性がほとんどない。
【0016】また、請求項2及び5記載のペリクルのよ
うに、ペリクル枠を黒色系にすれば、異物検査が容易と
なり、照射光の乱反射によるゴーストの形成を防ぐこと
ができる。
うに、ペリクル枠を黒色系にすれば、異物検査が容易と
なり、照射光の乱反射によるゴーストの形成を防ぐこと
ができる。
【図1】 ペリクルの断面図。
1・・・ペリクル 2・・・枠
Claims (5)
- 【請求項1】 枠と、枠の一側面に張設される膜よりな
り、配線パターンの原図であるマスクやレチクル等に装
着されて、パターン上に異物が付着するのを防止する目
的で用いられる防塵膜において、上記枠として、少なく
とも表面部分がアルマイトを除くセラミックスである枠
を用いたことを特徴とする防塵膜。 - 【請求項2】 請求項1記載のセラミックスとして黒色
系のものを使用することを特徴とする請求項1記載の防
塵膜。 - 【請求項3】 枠と、枠の一側面に張設される膜よりな
り、配線パターンの原図であるマスクやレチクル等に装
着されて、パターン上に異物が付着するのを防止する目
的で用いられる防塵膜において、上記枠として、アルミ
ニウム材の表面を自然発色法によってアルマイト化処理
を施して得られる枠を用いたことを特徴とする防塵膜。 - 【請求項4】 枠と、枠の一側面に張設される膜よりな
り、配線パターンの原図であるマスクやレチクル等に装
着されて、パターン上に異物が付着するのを防止する目
的で用いられる防塵膜の製造法において、アルミニウム
材よりなる枠の表面を自然発色法によってアルマイト化
処理したことを特徴とする防塵膜の製造法。 - 【請求項5】請求項3記載の防塵膜及び請求項4記載の
製造法で得られる防塵膜は枠が黒色系である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3806594A JPH07248615A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 防塵膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3806594A JPH07248615A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 防塵膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07248615A true JPH07248615A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12515098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3806594A Pending JPH07248615A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 防塵膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07248615A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006184822A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトリソグラフィ用ペリクル及びペリクルフレーム |
| JP2014021216A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル枠体及びペリクル |
| JP2016122092A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 日本特殊陶業株式会社 | ペリクル枠およびペリクル枠の製造方法 |
| JP2016122091A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 日本特殊陶業株式会社 | ペリクル枠およびペリクル枠の製造方法 |
| CN115956224A (zh) * | 2020-08-20 | 2023-04-11 | 旭化成株式会社 | 对准单元用的防尘构造体 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01275733A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Kobe Steel Ltd | 投影露光装置のマスキングフレーム用アルミニウム合金 |
| JPH03153255A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Seiko Epson Corp | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
| JPH03166545A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-18 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Icレチクル保護用のペリクル枠 |
| JPH0470750A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 防塵体の製造方法 |
| JPH04190355A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-08 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
| JPH0545710U (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | 凸版印刷株式会社 | ペリクル用フレーム |
| JPH0619125A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Tosoh Corp | ペリクルの製造法 |
| JPH06250383A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-09 | Asahi Kasei Denshi Kk | ペリクル |
-
1994
- 1994-03-09 JP JP3806594A patent/JPH07248615A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01275733A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Kobe Steel Ltd | 投影露光装置のマスキングフレーム用アルミニウム合金 |
| JPH03153255A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Seiko Epson Corp | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
| JPH03166545A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-18 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Icレチクル保護用のペリクル枠 |
| JPH0470750A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 防塵体の製造方法 |
| JPH04190355A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-08 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
| JPH0545710U (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | 凸版印刷株式会社 | ペリクル用フレーム |
| JPH0619125A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Tosoh Corp | ペリクルの製造法 |
| JPH06250383A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-09 | Asahi Kasei Denshi Kk | ペリクル |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006184822A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトリソグラフィ用ペリクル及びペリクルフレーム |
| JP2014021216A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル枠体及びペリクル |
| JP2016122092A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 日本特殊陶業株式会社 | ペリクル枠およびペリクル枠の製造方法 |
| JP2016122091A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 日本特殊陶業株式会社 | ペリクル枠およびペリクル枠の製造方法 |
| CN115956224A (zh) * | 2020-08-20 | 2023-04-11 | 旭化成株式会社 | 对准单元用的防尘构造体 |
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