JPH07249316A - 透明導電膜および該透明導電膜を用いた透明基体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】ガリウムを亜鉛に対して０．１〜１５原子％含
有し、そのＸ線回折パターンにおいて（００２）面によ
る回折ピークを有し、該回折線の半値幅が１．２度以下
であり、かつ、比抵抗が１０^-2Ω・ｃｍ以下で、膜厚が
８０ｎｍ〜５μｍの範囲にある、酸化亜鉛を主成分とす
る透明導電膜および該膜を用いた透明基体。 【効果】従来の膜に比べて大気中での耐熱性が大幅に優
れ、かつ導電性が改善される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高性能を有する透明性
電導膜、および外観的な均一性や取り扱い性に優れた、
光学的選択透過性を有する透明部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光学的選択透過性を有する透明部
材としては、いくつかのタイプのものが知られている。
その一つに、暖房熱源や室温の物体からの輻射波長であ
る２μｍ以上の長波長の赤外線を特に有効に反射する、
いわゆるＬｏｗ−Ｅと呼ばれるものがある。構成として
は、室外側から順に、ガラス、空気層、コート層を室外
側においたコートガラスの複層構成として、寒冷下で暖
房負荷を軽減するＬｏｗ−Ｅ複層ガラスや、室外側から
順に、コート層を室内側においたコートガラス、空気
層、ガラスの複層構成として、温暖地で遮熱を目的に使
用されるサンベルトＬｏｗ−Ｅが知られている。この範
疇の透明部材としては、透明基体上に、電導性の透明酸
化膜や膜厚約１０ｎｍの銀膜を含む積層膜をコートした
ものが知られている。

【０００３】透明電導性の酸化スズとしては、アンチモ
ンやフッ素をドーパントとして含むものが知られてお
り、これを用いた膜系が、スプレー法やＣＶＤ法により
工業的に生産されて、すでにＬｏｗ−Ｅガラスとしても
上市されている。これらは機械的・化学的な耐久性に優
れるため、通常コートなしガラスと同様に扱うこともで
きる点は長所である。

【０００４】しかし、製法に由来する問題として、窓部
材で用いられるような大面積基板にコートする場合、面
内で膜厚や膜質がばらつき、光学的干渉条件のむらによ
る、外観的に干渉縞が発生してしまう点がある。対策と
して、干渉の不均一を打ち消すための層を用いた２層構
成で用いられるのが通常であるが、それでも完全に干渉
むらを解消するには至らず、外観的には次に述べるスパ
ッタ法による銀膜系にかなり劣る。

【０００５】スパッタ法による銀膜を用いた膜系として
は、透明誘電体層／銀層／透明誘電体層の２層膜、ある
いはこれを繰り返し積層した５層膜以上のコート膜が知
られている。この銀系コート膜は、２μｍ以上の長波長
赤外線に対する反射率が非常に高く、Ｌｏｗ−Ｅ性能の
点では前に挙げたなかで最も光学特性的に優れているも
のの一つである。またスパッタ法は大面積にわたって均
一なコートを行うのにきわめて適した方法であるので、
コート製品の面内で外観や特性のむらのない製品が安定
して得られる点も長所の一つである。しかし銀は、光学
的な選択反射性能の点では種々の金属材料のなかでも最
も優れる半面、耐久性の点では劣り、後工程で機械的な
傷がついたり、保管環境によっては腐食が発生して外観
に異常を生じるという問題がある。

【０００６】また透明電導膜としては、酸化スズドープ
酸化インジウム（ＩＴＯ）がよく知られている。ＩＴＯ
はスパッタ法、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、スプレー
法などで成膜できるが、いずれの方法を用いてもインジ
ウムが希少な金属の一つであるため、膜材料費が高く、
工業的に窓部材として成立させるのは難しい。

【０００７】他の透明導電膜としては、アルミナなどを
ドープした酸化亜鉛が知られており、１０^-4Ω・ｃｍ台
とＩＴＯ膜に匹敵する低い比抵抗が得られているが、Ｌ
ｏｗ−Ｅとして必要な低抵抗膜の成膜に際して、ターゲ
ット性状の経時変化の影響を受けやすく、また成膜後に
非酸化性雰囲気での熱処理が必要であり、成膜速度が
０．５ｎｍ／秒程度以下ときわめて小さいため生産速度
が遅いなど、工業的な生産に適用するには致命的な問題
があり、広く用いられるには至っていない。

【０００８】他に、透明誘電体を積層して、光学干渉に
よって長波長の赤外線に対して選択反射特性を持たせた
干渉フィルタが知られているが、全体の膜厚が数百ｎｍ
と厚くなり、かつ各層の膜厚を±５％以下の精度で制御
しなければならないので、窓部材等の大面積製品に対し
て工業的に適用するのは不可能に近い。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術が
有していた前述の欠点を解消し、直流スパッタ法により
高速で大面積コートが可能で、しかも機械的・化学的な
耐久性が改善されて、さらに大気雰囲気等の酸化性雰囲
気での高温熱処理においても光学特性が劣化しない高品
位かつ低コストの、光学的選択反射特性膜、特にＬｏｗ
−Ｅ膜として工業的に有用な膜の提供を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題を解
決すべくなされたものであり、酸化亜鉛を主成分とする
透明導電膜であって、該透明導電膜は、ガリウムを亜鉛
に対して０．１〜１５原子％含有し、そのＸ線回折パタ
ーンにおいて（００２）面による回折ピークを有し、
（００２）面による回折線の半値幅が１．２度以下であ
る透明導電膜において、該透明導電膜の比抵抗が１０^-2
Ω・ｃｍ以下で、膜厚が１０ｎｍ〜５μｍの範囲にある
ことを特徴とする透明導電膜を提供する。

【００１１】本発明における透明導電膜は、ガリウムを
亜鉛に対して０．５〜１２原子％含有し、そのＸ線回折
パターンにおいて（００２）面による回折ピークを有
し、（００２）面による回折線の半値幅が０．６度以下
であることが好ましい。

【００１２】また、本発明における透明導電膜は、比抵
抗が１０^-2Ω・ｃｍ以下で、膜厚が８０ｎｍ〜５μｍの
範囲、好ましくは、１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲にあ
ることが好ましい。

【００１３】膜厚が５μｍ超であると成膜時間が長くな
り、コスト増加を招く。膜厚が８０ｎｍ未満、あるい
は、比抵抗が１０^-2Ω・ｃｍ超であるとＬｏｗ−Ｅ性能
が不十分となる。

【００１４】本発明の透明導電膜（以下、単に導電膜と
もいう）には、Ｚｎ、Ｇａ以外の金属元素が本発明の目
的を損わない範囲で含まれていても支障ないが、できる
限り少量にとどめることが望ましい。

【００１５】本発明の透明導電膜を形成する基体にはガ
ラス、プラスチックなどを使用できる。基体がソーダラ
イムガラスのように、その成分としてアルカリ金属を含
む場合には、製膜時あるいは熱処理時あるいは長期間使
用時に基体から導電膜へのアルカリ金属の拡散を防止す
るために、基体と導電膜の間にＳｉ、Ａｌ、Ｚｒなどの
金属の酸化物を主成分とする下地層を形成することがよ
り好ましい。

【００１６】本発明の導電膜の形成方法は特に限定され
ず、スパッタ法、真空蒸着法などの物理蒸着法やＣＶＤ
法などの化学蒸着法が用いられ、より低温基板温度で良
好な導電膜特性が得られる物理蒸着法が好ましい。なか
でも結晶性を促進させるために有効な高密度プラズマを
活性化手段として用いたスパッタ法、高磁場を用いた低
電圧スパッタ法、および、プラズマ活性化真空蒸着法が
低抵抗で耐熱性に優れる膜を得るうえでより好ましい。

【００１７】スパッタ法で本発明の透明導電膜を形成す
る際には、ターゲットについて、単に酸化亜鉛中に酸化
ガリウムを所定量添加して焼結するだけでなく、好まし
くは１４００℃以上の温度で２時間以上保持する処理を
行って、酸化ガリウムを酸化亜鉛中に充分固溶させる処
理を行ったものを用いることが好ましい。なお、実施例
ではスパッタ法として直流法を示しているが、これを高
周波法で行ってもよいことはいうまでもない。

【００１８】本発明の導電膜は、たとえばマグネトロン
直流スパッタ法を用いて作製された場合、４ｎｍ／秒ま
での高速で製膜された場合も低抵抗かつ大気中での高耐
熱性が確保されるため、実用的な成膜速度で膜を成長で
きるという効果もあわせもつ。

【００１９】本発明の透明基体においては、外観を調整
する目的で、透明導電膜層と基体の間に１層以上のアン
ダーコート膜、あるいは透明導電膜層の上に、１層以上
のオーバーコート膜を設けて、光の干渉現象や膜の吸収
を利用して透過・反射色調や可視光線反射率の調整がで
きる。

【００２０】前記アンダーコート膜の少なくとも１層ま
たはオーバーコート膜の少なくとも１層の膜材料として
は、たとえば、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニ
ウム、酸化スズ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化ニオ
ブ、酸化ホウ素、酸化インジウム、酸化亜鉛、および酸
化セリウムからなる群から選ばれる少なくとも１種な
ど、あるいは、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ク
ロム、ニオブの金属、前記金属の窒化物、および前記金
属の酸窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種な
どが挙げられる。

【００２１】このアンダーコート膜やオーバーコート膜
は、光学特性を調整する以外の目的にも有効に用いるこ
とができる。たとえば、合わせ前のコート製品の取り扱
い性を向上させるために耐久性を付与する目的に対して
効果がある。また他の基体とともに合わせ構造に、ある
いは複層構造にしたりする際に、合わせ構造における中
間膜やスペーサ、組み付ける他の部品等との接着性を調
整する目的や、透明基体を形成した後に、ガラス基板の
強化や曲げなどの高温を要する工程に耐えるための耐熱
性を付与したり、高温下での使用に対する信頼性を高め
たりするなどの目的に対しても効果がある。

【００２２】本発明の透明基体は、もちろん透明電導膜
が形成された基体単独でも用いることができるが、基体
をプラスチック板やガラス板と接着したり、強化処理し
たり、複層化したりすることもできる。

【００２３】図２に本発明の透明基体の断面構成図を示
し、１はオーバーコート層、２はガリウムドープ酸化亜
鉛層、３はアンダーコート層、４は基体を表す。

【００２４】

【作用】発明者らはＺｎＯ透明導電膜中のＧａ濃度をＧ
ａ／Ｚｎ原子比で０．５〜１２％に制御し、かつ膜の
（００２）Ｘ線回折線の半値幅が０．６度以下になるよ
うに膜の結晶性を制御することにより、比抵抗値が２×
１０^-4Ω・ｃｍとＩＴＯと同等に低いものが通常の基板
配置で高速で製造した場合でも容易に得られることを見
出した。さらにこれらの膜は５００℃以上での大気中熱
処理の後に導電性の劣化はなく、酸化性雰囲気での耐熱
性にきわめて優れることを見出した。

【００２５】ＺｎＯに単にＧａを添加すること自体はす
でに報告されている(J.Electrochem.Soc,127,1636(198
0) 、Jpn.J.Appl.Phys,24,L781(1985))。前者はＺｎに
対して１原子％のＧａを添加した例であり、後者はＺｎ
に対して１〜４原子％のＧａを添加したスパッタ法によ
る例である。しかしいずれの場合も電気的、光学的特性
について添加膜と無添加膜との比較検討を行った報告例
であり、耐熱性に関する検討および記述は一切みられな
い。またそれらの膜の導電性は従来のＡｌ添加膜に比べ
て劣るものである。

【００２６】一方、本発明はＧａ添加量と膜の結晶性を
制御することにより、電気特性の大幅な向上とともに大
気中での耐熱性を著しく向上させることができる。すな
わち耐熱性はＧａを含むだけでは発現せず、Ｇａをある
特定の範囲の量含み、かつＸ線回折の半値幅の値が特定
の値以下である場合のみに現れることがわかった。

【００２７】一般に、ＺｎＯに周期律表第３族の金属を
添加すると電子密度が増加するために導電性が増加する
ことはよく知られている。これは３族すなわち３価の金
属が、２価のＺｎの位置に置換することにより、浅い電
気的ドナーを形成し自由電子を生成するためと考えられ
ている。また同時に過剰Ｚｎが格子間位置に生成するこ
とや酸素欠陥の生成によってもドナー形成による電子密
度の増加は説明できる。実際の膜ではこれらが混在した
状態になっているものと推定される。３族元素とＺｎの
イオン半径は同一ではないため置換した場合でも結晶格
子歪が生じることが考えられる。

【００２８】また３族元素はすべて置換可能なわけでは
なく、一部は結晶格子間または粒界等に析出していると
考えられる。なぜならば膜中から検出される３族元素の
量は、電子密度から理論的に算出される量より約１桁も
多いからである。これらの余剰な元素は格子歪を引き起
こすため、酸素空孔等の生成を引き起こすことが予想さ
れる。酸素空孔等の欠陥は高温の酸素雰囲気下で熱処理
すると減少し、同時に空孔により発生する電子密度も減
少するため抵抗増加が生じると解釈される。

【００２９】実際、Ｇａ以外のＡｌ、Ｉｎ、Ｂの３族元
素を添加したＺｎＯ膜は非酸化性雰囲気での耐熱性には
優れるが、大気中等の酸化性雰囲気での耐熱性はきわめ
て悪い。本発明者らはＸ線回折により膜の組成と結晶性
および大気中での熱的安定性の関係を詳細に調べた結
果、その添加元素が単に３族元素ではなくＧａであり、
しかもその添加量がある特定の範囲であり、加えて膜の
Ｘ線回折の半値幅がある値以下の場合に限り大気中での
耐熱性に富む膜が得られることを見出した。

【００３０】添加元素がＡｌ、Ｂ、Ｉｎの場合とＧａの
場合で大気中での耐熱性が異なる原因としてはイオン半
径の差が考えられる。すなわちＡｌ、Ｂのイオン半径は
それぞれＺｎに比べて小さすぎ、逆にＩｎは大きすぎ
る。Ｇａのイオン半径はＺｎのそれに最も近いため置換
した場合の格子歪は最も小さくなると考えられる。低抵
抗膜を得るためにはＡｌ、Ｂ、Ｉｎを多量に添加する必
要があるが、この場合歪が増加し、酸素空孔が生成する
と考えられる。この欠陥は酸化性雰囲気中での高温熱処
理により容易に減少し、同時に欠陥により発生した自由
電子も減少するため、抵抗増加が起ると考えられる。

【００３１】これに対してＧａ添加膜の場合、Ｇａの多
量添加によっても格子歪、酸素欠陥が生じにくいため酸
化性雰囲気での耐熱性も向上すると考えられる。Ｇａ添
加の場合も耐熱性は膜の結晶性に強く依存することがわ
かり、結晶性のよい膜、すなわちＸ線回折線の半値幅が
ある値以下の場合、酸化性雰囲気での耐熱性が著しく向
上することがわかった。

【００３２】

【実施例】

［実施例１〜６］充分に洗浄したガラス基板（５ｃｍ×
５ｃｍ×１ｍｍ）上に直流マグネトロンスパッタ法によ
り、ＺｎＯ中に酸化ガリウム（Ｇａ₂ ０₃ ）を添加した
種々のターゲット（Ｇａ／Ｚｎ比が０．３〜１５原子
％）を用いてＡｒ雰囲気中で、膜厚が８０ｎｍ〜１００
０ｎｍのＺｎＯ透明導電膜を形成した。このとき用いた
ターゲットは、ＺｎＯ中に酸化ガリウムを添加した後、
１４００℃以上の温度で２時間以上保持して、酸化ガリ
ウムをＺｎＯ中に充分固溶させた直径３インチのターゲ
ットである。

【００３３】真空装置はあらかじめ１０^-6Ｔｏｒｒ以下
に排気した後、Ａｒガスを０．０１Ｔｏｒｒ導入してス
パッタを行った。基板温度は室温から３００℃の範囲に
設定した。スパッタパワーは５０Ｗを標準条件とした
が、高速製膜の例として４００Ｗまで変化させた。

【００３４】作製した膜中のＧａ含有量はＺｎＯ膜を塩
酸の２規定溶液中に溶解した後、ＩＣＰ発光分析法によ
り定量分析して求めた。Ｇａ含有量はＺｎに対する原子
％で表した。また比抵抗は４探針法により求めたシート
抵抗と、触針式膜厚計により測定した膜厚から算出し
た。

【００３５】導電膜のＸ線回折はＣｕのＫα線を使用
し、比例係数管を用いたレートメータにて測定した。Ｘ
線回折の測定例を図１に示す。これは後述するようにＧ
ａを添加したＺｎＯ膜の実施例３について（００２）Ｘ
線回折ピークを拡大したものである。図に示すように、
（００２）ピークの最大強度の１／２の強度となる回折
線の線幅（度で表す）を半値幅（半価幅）と呼ぶが、図
１の実施例３の場合、半値幅は０．２８度である。

【００３６】光学的性質としては透過率、反射率および
放射率について積分球を用いた分光器により測定した。
これらの導電膜について表１に示す条件で大気中熱処理
試験を行った。表２に大気中熱処理試験（５００℃、１
０分）の前（上段）と後（下段）の特性を測定した結果
を示す。

【００３７】表２に示す実施例１〜６はＧａ添加量が
０．５〜１２原子％であり、かつ（００２）Ｘ線回折線
の半値幅が０．６度以下の場合の膜についての耐熱性試
験結果である。実施例３の膜のＸ線回折線の半値幅は図
１に示すように０．２８度であった。これらの膜は成膜
時において０．４０以下と低い放射率を示すとともに、
５００℃、１０分間の大気中熱処理後にも放射率は低下
せず、同等であるかまたは逆に向上している。

【００３８】透過率の変化はみられず大気中熱処理に対
して安定な膜であることがわかった。特に注目すべきは
実施例４に示される高速製膜の例であり、４ｎｍ／秒と
いう高速で製膜された場合にも半値幅が０．４５度と小
さい膜は製膜直後にも０．３２と低放射率であり、かつ
大気中熱処理後も安定であることがわかった。代表的な
測定例として実施例３の膜（膜厚：２００ｎｍ）の分光
特性を図３に示す。

【００３９】［実施例７、比較例１〜４］各種Ｌｏｗ−
Ｅとして、本発明に係る酸化ガリウムドープ酸化亜鉛膜
を用いた例（実施例７）と、他のドーパントを用いた透
明導電性酸化亜鉛膜や他の透明導電膜を用いた例（比較
例１〜４）とについて、その結果を表３に示す。

【００４０】比較例１は酸化スズドープ酸化インジウム
を用いた例で、この場合、純Ａｒ雰囲気でスパッタ成膜
すると得られた膜は微吸収を呈するため、スパッタ雰囲
気中に微量の酸素を導入する必要がある。ところが、膜
の特性はスパッタ雰囲気中の酸素濃度やガス圧力に敏感
に依存するため、得られた膜は比抵抗の不均一が生じ
て、Ｌｏｗ−Ｅ性能も面内分布を持つ。

【００４１】比較例２は酸化アルミニウムドープ酸化亜
鉛を用いた例で、ターゲット性状の経時変化の影響を受
けやすく、膜特性が変動しやすかったり、成膜速度が
０．５ｎｍ／秒以下と著しく低い欠点がある。

【００４２】比較例３は酸化アンチモンドープ酸化スズ
を用いた例で、スパッタ法で低抵抗膜を得る条件幅が狭
く、極端に低い成膜速度でしか、必要な特性をもつ膜を
得ることができない。

【００４３】比較例４はスプレー（熱分解）法によるフ
ッ素ドープ酸化スズを用いた例で、成膜法の宿命で面内
に比抵抗および膜厚の不均一を完全になくすのは非常に
困難で、通常、±１０％の膜厚分布が生じてしまう。そ
の結果、通常用いる１０００〜２００ｎｍの膜厚で、膜
厚むらに対応した縞状の干渉色むらを呈して、外観が見
苦しく、商品価値を著しく下げる。

【００４４】

【表１】

【００４５】

【表２】

【００４６】

【表３】

【００４７】

【発明の効果】表２からわかるように、Ｇａ濃度がＧａ
／Ｚｎ原子比で０．５〜１２原子％の膜は、成膜時にお
いて１０^-3Ω・ｃｍから１０^-4Ω・ｃｍ台の高い導電性
を示すとともに、良好なＬｏｗ−Ｅ特性を示す。またこ
れらの膜は、大気中熱処理後でも導電性およびＬｏｗ−
Ｅ特性は低下せず、同等であるかまたは逆に向上する。
透過率についても変化はみられず高温大気中で安定な膜
であることがわかる。

【００４８】本発明による、酸化ガリウムドープ酸化亜
鉛層を選択的光学反射層に用いた透明基体は、薄い銀層
等の金属薄層を用いた選択的光学反射体の膜系と比べ
て、複層化や合わせ化の工程前の取り扱い性や、使用時
の長期信頼性や環境からのアタックに対する安定性など
において優れる。

【００４９】また、大面積基板に均一な膜厚・膜質分布
で成膜が可能な直流スパッタ法で成膜ができるため、た
とえば１ｍ幅以上の大面積が必要な、たとえばＬｏｗ−
Ｅ性能を有する窓部材や自動車のフロントガラスや電車
車両や航空機などの窓、さらに店舗などの冷凍ショーケ
ースなどの防曇用途などに応用できる。また小サイズの
基板を並べて複数枚同時に成膜できるので、生産効率も
優れる。

【００５０】また酸化ガリウムドープ酸化亜鉛層に対す
るオーバーコート層もしくはアンダーコート層のうち、
１層以上を、たとえば窒化チタン、窒化ジルコニウム、
窒化ハフニウム、窒化クロムなどの窒化物や金、白金な
どの貴金属などをはじめとする熱線や可視光線を吸収・
反射する材料群から選ばれる材料で構成することによ
り、本発明のコートされた透明基体に対して熱線反射性
能を持たせたり、可視光線透過率を基体よりも低い値に
調整することもできる。

【００５１】また、オーバーコート層とアンダーコート
層の両方もしくは一方を用いて、その膜材料と膜厚を調
整することにより光学干渉条件を調整して、本発明のコ
ートされた透明基体に対して、反射率や透過や反射の色
調を調整することもできる。これによりたとえば可視域
での反射率を下げ、ぎらぎらした外観にならないように
したり、好みの反射色調を得たりすることができる。

【００５２】以上示したようにＧａ濃度とＸ線回折線の
半値幅をある特定の範囲に制御することにより、導電
性、透過率の高い透明導電膜が実現できることに加え
て、大気中熱処理によっても導電性が全く損われない、
耐酸化性透明導電膜を得ることができる。したがって、
これらの基板は高透明性、低抵抗、大気中耐熱性、低コ
ストの各要素を供えているため、各種表示素子や太陽電
池および受光素子などの透明電極、建築用および自動車
用の熱線反射膜、選択透過膜、および電磁波遮蔽膜、さ
らに、自動車の防曇、防水用や冷凍ショーケースなどや
その他の建築用の透明基体、あるいはフォトマスクや建
築用などの帯電防止膜、などとして最適なものとなり、
きわめて広範囲な分野への応用が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例３の透明導電膜の（００２）Ｘ線回折線
半値幅を示すグラフ

【図２】本発明の透明基体の断面構成図

【図３】実施例３の透明導電膜の分光特性を示すグラフ

【符号の説明】

１：オーバーコート層 ２：ガリウムドープ酸化亜鉛層 ３：アンダーコート層 ４：基体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 正美 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜であっ
   て、該透明導電膜は、ガリウムを亜鉛に対して０．１〜
   １５原子％含有し、そのＸ線回折パターンにおいて（０
   ０２）面による回折ピークを有し、（００２）面による
   回折線の半値幅が１．２度以下であり、かつ、該透明導
   電膜の比抵抗が１０^-2Ω・ｃｍ以下で、膜厚が８０ｎｍ
   〜５μｍの範囲にあることを特徴とする透明導電膜。
2. 【請求項２】前記透明導電膜は、ガリウムを亜鉛に対し
   て０．５〜１２原子％含有し、そのＸ線回折パターンに
   おいて（００２）面による回折ピークを有し、（００
   ２）面による回折線の半値幅が０．６度以下であること
   を特徴とする請求項１の透明導電膜。
3. 【請求項３】基体上に、請求項１または２の透明導電膜
   を有することを特徴とする透明基体。
4. 【請求項４】前記基体と前記透明導電膜との間に１層以
   上のアンダーコート膜および／または前記透明導電膜上
   に１層以上のオーバーコート膜を有することを特徴とす
   る請求項３の透明基体。
5. 【請求項５】前記アンダーコート膜の少なくとも１層ま
   たは前記オーバーコート膜の少なくとも１層の膜材料
   は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化
   スズ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化ニオブ、酸化ホ
   ウ素、酸化インジウム、酸化亜鉛、および酸化セリウム
   からなる群から選ばれる少なくとも１種からなることを
   特徴とする請求項４の透明基体。
6. 【請求項６】前記アンダーコート膜の少なくとも１層ま
   たは前記オーバーコート膜の少なくとも１層の膜材料
   は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、クロム、ニオ
   ブの金属、前記金属の窒化物、および前記金属の酸窒化
   物からなる群から選ばれる少なくとも１種からなること
   を特徴とする請求項４の透明基体。
7. 【請求項７】請求項３〜６いずれか１項の透明基体を有
   することを特徴とする合わせ構造体または複層構造体。