JPH07249595A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07249595A JPH07249595A JP6069971A JP6997194A JPH07249595A JP H07249595 A JPH07249595 A JP H07249595A JP 6069971 A JP6069971 A JP 6069971A JP 6997194 A JP6997194 A JP 6997194A JP H07249595 A JPH07249595 A JP H07249595A
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- JP
- Japan
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- layer
- type
- semiconductor device
- ohmic
- compound semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル結
晶からなるｐ型層と電極とのオーム性接触を可能とする
半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル結
晶からなるｐ型層と電極層との間に高濃度にドープした
ｐ型オーミック層をＭＯＣＶＤ法により形成すること
で、ＭＢＥ法などで形成した場合とアクセプタのエネル
ギー状態が違うことやトンネル電流が多く見込めること
などにより、簡単な製造方法をもって容易に両者間にオ
ーム性接触が得られる。また、ｐ型オーミック層をも上
記ｐ型層と同様の結晶で形成することで、ｐ型層とｐ型
オーミック層との間で格子整合がとれるため結晶欠陥が
発生しない。更に、ｐ型オーミック層をＭＯＣＶＤ法に
より形成することで、両層間の密着性を確保でき、その
後の熱処理を省略でき、工程が簡略化されると共に半導
体装置全体への熱による悪影響も回避できる。
晶からなるｐ型層と電極とのオーム性接触を可能とする
半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル結
晶からなるｐ型層と電極層との間に高濃度にドープした
ｐ型オーミック層をＭＯＣＶＤ法により形成すること
で、ＭＢＥ法などで形成した場合とアクセプタのエネル
ギー状態が違うことやトンネル電流が多く見込めること
などにより、簡単な製造方法をもって容易に両者間にオ
ーム性接触が得られる。また、ｐ型オーミック層をも上
記ｐ型層と同様の結晶で形成することで、ｐ型層とｐ型
オーミック層との間で格子整合がとれるため結晶欠陥が
発生しない。更に、ｐ型オーミック層をＭＯＣＶＤ法に
より形成することで、両層間の密着性を確保でき、その
後の熱処理を省略でき、工程が簡略化されると共に半導
体装置全体への熱による悪影響も回避できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上にＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体エピタキシャル結晶からなるｐ型層を有す
る半導体装置の製造方法に関し、特に上記ｐ型層と電極
層との接触部分に特徴を有する半導体装置の製造方法に
関するものである。
化合物半導体エピタキシャル結晶からなるｐ型層を有す
る半導体装置の製造方法に関し、特に上記ｐ型層と電極
層との接触部分に特徴を有する半導体装置の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体のエピタキシャル結晶成長
法としては主として分子線エピタキシー法（以下、本明
細書ではＭＢＥ法と略記する）が良く知られている。
法としては主として分子線エピタキシー法（以下、本明
細書ではＭＢＥ法と略記する）が良く知られている。
【０００３】一方、ＩＩ−ＶＩ族のエピタキシャル結晶
として砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上へセレン化亜鉛
（ＺｎＳｅ）の結晶を成長させ、更にドーパントとして
窒素（Ｎ）を導入して青色レーザを得るためのｐ型結晶
を形成する方法や装置が近年注目されており、特開昭６
２−８８３２９号公報にはその一例が開示されている。
また、米国のＤｅＰｕｙｄｔらによれば、ＭＢＥ法にて
ｒｆプラズマ励起セルにより活性窒素ビームを発生さ
せ、１０18ｃｍ-3台の窒素ドーピングを実現する方法が
提案されており（Appl.Phys.Lett.57,2127（1991）参
照）、これにより低抵抗のｐ型結晶が得られることが示
唆されている。
として砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上へセレン化亜鉛
（ＺｎＳｅ）の結晶を成長させ、更にドーパントとして
窒素（Ｎ）を導入して青色レーザを得るためのｐ型結晶
を形成する方法や装置が近年注目されており、特開昭６
２−８８３２９号公報にはその一例が開示されている。
また、米国のＤｅＰｕｙｄｔらによれば、ＭＢＥ法にて
ｒｆプラズマ励起セルにより活性窒素ビームを発生さ
せ、１０18ｃｍ-3台の窒素ドーピングを実現する方法が
提案されており（Appl.Phys.Lett.57,2127（1991）参
照）、これにより低抵抗のｐ型結晶が得られることが示
唆されている。
【０００４】このとき、例えばＭＢＥ法でＺｎＳｅ等の
ＩＩ−ＶＩ族のエピタキシャル結晶からなるｐ型層を形
成した場合、このｐ型層とその上層に形成される金（Ａ
ｕ）などの電極との間の界面電位障壁が大きく（２Ｖ〜
１０Ｖ程度）、オーム性接触が得られず、その電気的特
性が低下することが考えられる。この問題は、ＭＯＭＢ
Ｅ法やＣＢＥ法を用いた場合にも同様に生じる。
ＩＩ−ＶＩ族のエピタキシャル結晶からなるｐ型層を形
成した場合、このｐ型層とその上層に形成される金（Ａ
ｕ）などの電極との間の界面電位障壁が大きく（２Ｖ〜
１０Ｖ程度）、オーム性接触が得られず、その電気的特
性が低下することが考えられる。この問題は、ＭＯＭＢ
Ｅ法やＣＢＥ法を用いた場合にも同様に生じる。
【０００５】そこで、例えばＺｎＳｅのｐ型層の上層に
テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）とＺｎＳｅとを交互に徐々に
その厚さを変化させて積層してなる多重量子井戸構造を
形成し、その上層に電極層を形成する方法が提案されて
いる（F.Hiei et al.Electron Lett.29,878（1993）参
照）。
テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）とＺｎＳｅとを交互に徐々に
その厚さを変化させて積層してなる多重量子井戸構造を
形成し、その上層に電極層を形成する方法が提案されて
いる（F.Hiei et al.Electron Lett.29,878（1993）参
照）。
【０００６】しかしながら、ＺｎＳｅとＺｎＴｅとはそ
の格子定数が異なることによる格子不整合（７％程度）
が生じることから、多重量子井戸構造を形成する場合に
各層間に応力による歪みが生じて結晶欠陥発生の原因と
なり、その耐久性が問題となるばかりでなく、多重量子
井戸構造は複雑であり、形成が厄介であることから量産
することが困難であると云う問題もあった。
の格子定数が異なることによる格子不整合（７％程度）
が生じることから、多重量子井戸構造を形成する場合に
各層間に応力による歪みが生じて結晶欠陥発生の原因と
なり、その耐久性が問題となるばかりでなく、多重量子
井戸構造は複雑であり、形成が厄介であることから量産
することが困難であると云う問題もあった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述したよう
な従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その主
な目的は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル結
晶からなるｐ型層と電極とのオーム性接触を可能とする
半導体装置の製造方法を提供することにある。
な従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その主
な目的は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル結
晶からなるｐ型層と電極とのオーム性接触を可能とする
半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した目的は本発明に
よれば、基板上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシ
ャル結晶からなるｐ型層を形成する過程と、有機金属化
学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法により、前記ｐ型層の上層に高
濃度にドープしたｐ型オーミック層を形成する過程と、
前記ｐ型オーミック層の上層に電極層を形成する過程と
をこの順番に有することを特徴とする半導体装置の製造
方法を提供することにより達成される。
よれば、基板上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシ
ャル結晶からなるｐ型層を形成する過程と、有機金属化
学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法により、前記ｐ型層の上層に高
濃度にドープしたｐ型オーミック層を形成する過程と、
前記ｐ型オーミック層の上層に電極層を形成する過程と
をこの順番に有することを特徴とする半導体装置の製造
方法を提供することにより達成される。
【０００９】
【作用】このように、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタ
キシャル結晶からなるｐ型層と電極層との間に高濃度に
ドープしたｐ型オーミック層をＭＯＣＶＤ法により形成
することで、ＭＢＥ法などで形成した場合とアクセプタ
のエネルギー状態が違うことや炭素を結晶内に含むよう
になることによりトンネル電流が多く見込めるようにな
ることなどにより両者間にオーム性接触が得られる。ま
た、ｐ型オーミック層をも上記ｐ型層と同様のＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体エピタキシャル結晶で形成すること
で、もとのｐ型層とｐ型オーミック層との間で格子整合
がとれるため結晶欠陥が発生することもない。更に、Ｍ
ＯＣＶＤ法により形成したｐ型オーミック層の表面はＭ
ＢＥ法などで形成した場合よりも電極層蒸着時の密着性
が良く、その後の熱処理を省略できるため、工程が簡略
化でき、半導体装置全体への熱による悪影響も回避でき
る。
キシャル結晶からなるｐ型層と電極層との間に高濃度に
ドープしたｐ型オーミック層をＭＯＣＶＤ法により形成
することで、ＭＢＥ法などで形成した場合とアクセプタ
のエネルギー状態が違うことや炭素を結晶内に含むよう
になることによりトンネル電流が多く見込めるようにな
ることなどにより両者間にオーム性接触が得られる。ま
た、ｐ型オーミック層をも上記ｐ型層と同様のＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体エピタキシャル結晶で形成すること
で、もとのｐ型層とｐ型オーミック層との間で格子整合
がとれるため結晶欠陥が発生することもない。更に、Ｍ
ＯＣＶＤ法により形成したｐ型オーミック層の表面はＭ
ＢＥ法などで形成した場合よりも電極層蒸着時の密着性
が良く、その後の熱処理を省略できるため、工程が簡略
化でき、半導体装置全体への熱による悪影響も回避でき
る。
【００１０】
【実施例】以下、添付の図面に従って本発明の好適実施
例について説明する。
例について説明する。
【００１１】図１は本発明の方法により製造された半導
体レーザ装置の要部断面図である。砒化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）基板１上にはｎ型ＺｎＳｅのバッファ層２と、ｎ
型ＺｎＳＳｅのクラッド層３と、ＣｄＺｎＳｅからなる
活性層４と、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層５と、高濃度
ドープｐ型ＺｎＳｅ層６とがこの順番にＭＢＥ法により
形成され、積層されている。また、高濃度ドープｐ型Ｚ
ｎＳｅ層６の上層にはＭＯＣＶＤ法によりｐ型オーミッ
クＺｎＳｅ層７が積層され、更にその上層にはＡｕ電極
層８が蒸着により形成されている。尚、ＧａＡｓ基板１
の裏面側にはＡｕ／Ｇｅ（ゲルマニウム）電極層９が形
成されている。尚、上記した各ｎ型層のドーパントには
塩素（Ｃｌ）を用いｐ型層のドーパントには窒素（Ｎ）
を用いた。
体レーザ装置の要部断面図である。砒化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）基板１上にはｎ型ＺｎＳｅのバッファ層２と、ｎ
型ＺｎＳＳｅのクラッド層３と、ＣｄＺｎＳｅからなる
活性層４と、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層５と、高濃度
ドープｐ型ＺｎＳｅ層６とがこの順番にＭＢＥ法により
形成され、積層されている。また、高濃度ドープｐ型Ｚ
ｎＳｅ層６の上層にはＭＯＣＶＤ法によりｐ型オーミッ
クＺｎＳｅ層７が積層され、更にその上層にはＡｕ電極
層８が蒸着により形成されている。尚、ＧａＡｓ基板１
の裏面側にはＡｕ／Ｇｅ（ゲルマニウム）電極層９が形
成されている。尚、上記した各ｎ型層のドーパントには
塩素（Ｃｌ）を用いｐ型層のドーパントには窒素（Ｎ）
を用いた。
【００１２】ここで、ｐ型オーミックＺｎＳｅ層７は、
ＭＯＣＶＤ法により、結晶成長温度３００℃、成長圧力
７６ｔｏｒｒとし、原料ガスとしてジメチル亜鉛を６×
１０-5ｍｏｌ／ｍｉｎ、ジメチルセレンを１．２×１０
-4ｍｏｌ／ｍｉｎ、ｔ−ブチルアミンを６×１０-5ｍｏ
ｌ／ｍｉｎ、キャリアガスとしてＨ2をｌ／ｍｉｎとし
て超高圧水銀ランプを基板１に照射しつつ結晶成長速度
を２．５μｍ／ｈに制御し、膜厚が２０００オングスト
ローム、キャリア（窒素）濃度が２×１０18ｃｍ-3とな
るようにして形成した。
ＭＯＣＶＤ法により、結晶成長温度３００℃、成長圧力
７６ｔｏｒｒとし、原料ガスとしてジメチル亜鉛を６×
１０-5ｍｏｌ／ｍｉｎ、ジメチルセレンを１．２×１０
-4ｍｏｌ／ｍｉｎ、ｔ−ブチルアミンを６×１０-5ｍｏ
ｌ／ｍｉｎ、キャリアガスとしてＨ2をｌ／ｍｉｎとし
て超高圧水銀ランプを基板１に照射しつつ結晶成長速度
を２．５μｍ／ｈに制御し、膜厚が２０００オングスト
ローム、キャリア（窒素）濃度が２×１０18ｃｍ-3とな
るようにして形成した。
【００１３】尚、実際には膜厚を１０オングストローム
〜２０００オングストロームの間で印加電圧などにより
設定して良く、またキャリアとしての窒素濃度が１×１
０16ｃｍ-3〜１×１０19ｃｍ-3の間となるように設定し
て良い。
〜２０００オングストロームの間で印加電圧などにより
設定して良く、またキャリアとしての窒素濃度が１×１
０16ｃｍ-3〜１×１０19ｃｍ-3の間となるように設定し
て良い。
【００１４】また、Ａｕ電極層８はｐ型オーミックＺｎ
Ｓｅ層７の表面に蒸着により成膜させた。ここで、ＭＯ
ＣＶＤ法により形成したｐ型オーミック層の表面はＭＢ
Ｅ法などで形成した場合よりも電極層蒸着時の密着性が
良く、その後の熱処理を行わなくてもと共に両層間の密
着性を確保できる。
Ｓｅ層７の表面に蒸着により成膜させた。ここで、ＭＯ
ＣＶＤ法により形成したｐ型オーミック層の表面はＭＢ
Ｅ法などで形成した場合よりも電極層蒸着時の密着性が
良く、その後の熱処理を行わなくてもと共に両層間の密
着性を確保できる。
【００１５】このようにして製造された半導体装置で
は、特に従来界面電位障壁が大きかったｐ型ＺｎＳＳｅ
クラッド層５とＡｕ電極層８との間にｐ型オーミックＺ
ｎＳｅ層７が介在して両層間のオーム性接触が可能とな
る。また、ｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層５とｐ型オーミッ
クＺｎＳｅ層７との間に高濃度ドープｐ型ＺｎＳｅ層６
を介在させることで、これらの層の間の界面電位障壁が
小さくなる。
は、特に従来界面電位障壁が大きかったｐ型ＺｎＳＳｅ
クラッド層５とＡｕ電極層８との間にｐ型オーミックＺ
ｎＳｅ層７が介在して両層間のオーム性接触が可能とな
る。また、ｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層５とｐ型オーミッ
クＺｎＳｅ層７との間に高濃度ドープｐ型ＺｎＳｅ層６
を介在させることで、これらの層の間の界面電位障壁が
小さくなる。
【００１６】尚、本実施例ではｎ型ＺｎＳｅのバッファ
層２と、ｎ型ＺｎＳＳｅのクラッド層３と、ＣｄＺｎＳ
ｅからなる活性層４と、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層５
と、高濃度ドープｐ型ＺｎＳｅ層６とをＭＢＥ法により
形成したが、ＭＯＭＢＥ法やＣＢＥ法を用いても同様で
あることは云うまでもない。また、本実施例では高濃度
ドープｐ型層の結晶成長温度を３００℃としたが、他の
条件の許容する範囲で１００℃〜４００℃の間で任意に
設定して良い。更に、本実施例では高濃度ドープｐ型層
及びｐ型オーミックＺｎＳｅ層７を形成する原料に、Ｉ
Ｉ族元素としてＺｎを用い、ＶＩ族元素としてＳｅを用
いたが、ＩＩ族元素としてカドミウム（Ｃｄ）、亜鉛
（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）マンガン（Ｍｎ）のい
ずれか、ＶＩ族元素として硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓ
ｅ）、テルル（Ｔｅ）の中から所望に応じて選択した原
料を用いて形成しても同様な結果が得られる。但し、格
子定数の問題から高濃度ドープｐ型層とｐ型オーミック
層とは同じ原料を用いることが望ましい。加えて、本実
施例では結晶成長基板として砒化ガリウム（ＧａＡｓ）
基板を用いたが、ＺｎＳｅやＧａＰ或いは砒化ガリウム
（ＧａＡｓ）基板上に適宜な薄膜結晶（例えばエピタキ
シャル結晶成長させた砒化ガリウム膜など）を形成させ
たものであっても良く、電極はＡｕ以外に白金（Ｐ
ｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）またはこれらを組み合わせた積層膜あるいは
合金などを用いても良い。
層２と、ｎ型ＺｎＳＳｅのクラッド層３と、ＣｄＺｎＳ
ｅからなる活性層４と、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層５
と、高濃度ドープｐ型ＺｎＳｅ層６とをＭＢＥ法により
形成したが、ＭＯＭＢＥ法やＣＢＥ法を用いても同様で
あることは云うまでもない。また、本実施例では高濃度
ドープｐ型層の結晶成長温度を３００℃としたが、他の
条件の許容する範囲で１００℃〜４００℃の間で任意に
設定して良い。更に、本実施例では高濃度ドープｐ型層
及びｐ型オーミックＺｎＳｅ層７を形成する原料に、Ｉ
Ｉ族元素としてＺｎを用い、ＶＩ族元素としてＳｅを用
いたが、ＩＩ族元素としてカドミウム（Ｃｄ）、亜鉛
（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）マンガン（Ｍｎ）のい
ずれか、ＶＩ族元素として硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓ
ｅ）、テルル（Ｔｅ）の中から所望に応じて選択した原
料を用いて形成しても同様な結果が得られる。但し、格
子定数の問題から高濃度ドープｐ型層とｐ型オーミック
層とは同じ原料を用いることが望ましい。加えて、本実
施例では結晶成長基板として砒化ガリウム（ＧａＡｓ）
基板を用いたが、ＺｎＳｅやＧａＰ或いは砒化ガリウム
（ＧａＡｓ）基板上に適宜な薄膜結晶（例えばエピタキ
シャル結晶成長させた砒化ガリウム膜など）を形成させ
たものであっても良く、電極はＡｕ以外に白金（Ｐ
ｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）またはこれらを組み合わせた積層膜あるいは
合金などを用いても良い。
【００１７】
【発明の効果】上記した説明により明らかなように、本
発明に基づく半導体装置の製造方法によれば、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるｐ型層と
オーミック電極層との間に高濃度にドープしたｐ型オー
ミック層をＭＯＣＶＤ法により形成することで、ＭＢＥ
法などで形成した場合とアクセプタのエネルギー状態が
違うことやトンネル電流が多く見込めることなどによ
り、簡単な製造方法及び単純な構造で容易に両者間にオ
ーム性接触が得られる。また、ｐ型オーミック層をも上
記ｐ型層と同様のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシ
ャル結晶で形成することで、もとのｐ型層とｐ型オーミ
ック層との間で格子整合がとれるため結晶欠陥が発生す
ることもない。更に、本発明が適用される半導体装置は
３００℃、５ｍｉｎを超える熱処理は望ましくないが、
ｐ型オーミック層をＭＯＣＶＤ法により形成すること
で、両層間の密着性を確保でき、その後の熱処理（通常
４００℃、１〜２ｍｉｎ）を省略でき、工程が簡略化さ
れると共に半導体装置全体への熱による悪影響も回避で
きる。以上のことから、電気的特性が良く信頼性の高い
半導体装置が歩留まり良く製造できる。
発明に基づく半導体装置の製造方法によれば、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるｐ型層と
オーミック電極層との間に高濃度にドープしたｐ型オー
ミック層をＭＯＣＶＤ法により形成することで、ＭＢＥ
法などで形成した場合とアクセプタのエネルギー状態が
違うことやトンネル電流が多く見込めることなどによ
り、簡単な製造方法及び単純な構造で容易に両者間にオ
ーム性接触が得られる。また、ｐ型オーミック層をも上
記ｐ型層と同様のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシ
ャル結晶で形成することで、もとのｐ型層とｐ型オーミ
ック層との間で格子整合がとれるため結晶欠陥が発生す
ることもない。更に、本発明が適用される半導体装置は
３００℃、５ｍｉｎを超える熱処理は望ましくないが、
ｐ型オーミック層をＭＯＣＶＤ法により形成すること
で、両層間の密着性を確保でき、その後の熱処理（通常
４００℃、１〜２ｍｉｎ）を省略でき、工程が簡略化さ
れると共に半導体装置全体への熱による悪影響も回避で
きる。以上のことから、電気的特性が良く信頼性の高い
半導体装置が歩留まり良く製造できる。
【図１】本発明に基づく製造方法により製造された半導
体レーザの要部断面図である。
体レーザの要部断面図である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＺｎＳｅバッファ層 ３ ｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層 ４ ＣｄＺｎＳｅ活性層 ５ ｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層 ６ 高濃度ドープｐ型ＺｎＳｅ層 ７ ｐ型オーミックＺｎＳｅ層 ８ Ａｕ電極層 ９ Ａｕ／Ｇｅ電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 哲哉 相模原市淵野辺５−10−１ 新日本製鐵株 式会社エレクトロニクス研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エ
ピタキシャル結晶からなるｐ型層を形成する過程と、 有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法により、前記ｐ型層
の上層に高濃度にドープしたｐ型オーミック層を形成す
る過程と、 前記ｐ型オーミック層の上層に電極層を形成する過程と
をこの順番に有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタ
キシャル結晶からなるｐ型層をＭＢＥ法、ＭＯＭＢＥ法
及びＣＢＥ法のうちのいずれかの方法により形成するこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 前記ｐ型オーミック層を、前記ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるｐ型層
と同じ元素からなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキ
シャル結晶により形成することを特徴とする請求項１若
しくは請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタ
キシャル結晶からなるｐ型層が複数の層からなり、前記
基板側の層よりも前記ｐ型オーミック層側の層を高濃度
にドープすることを特徴とする請求項１乃至請求項３の
いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6069971A JPH07249595A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6069971A JPH07249595A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249595A true JPH07249595A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=13418058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6069971A Withdrawn JPH07249595A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249595A (ja) |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP6069971A patent/JPH07249595A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010605 |