JPH07249631A - はんだバンプ及びはんだボールの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

はんだバンプ及びはんだボールの製造方法及び半導体装置の製造方法

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JPH07249631A
JPH07249631A JP7003679A JP367995A JPH07249631A JP H07249631 A JPH07249631 A JP H07249631A JP 7003679 A JP7003679 A JP 7003679A JP 367995 A JP367995 A JP 367995A JP H07249631 A JPH07249631 A JP H07249631A
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solder
solder ball
forming member
recess
manufacturing
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Masayuki Ochiai
正行 落合
Yasuo Yamagishi
康男 山岸
Hidefumi Ueda
秀文 植田
Nobuo Kamehara
伸男 亀原
Rikuro Sono
陸郎 薗
Ichiro Yamaguchi
一郎 山口
Kazuhiko Mitobe
一彦 水戸部
Koki Otake
幸喜 大竹
Junichi Kasai
純一 河西
Masataka Mizukoshi
正孝 水越
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 はんだバンプの製造方法及びはんだボールの
製造方法に関し、所望の大きさのはんだバンプを容易に
形成できるようにすることを目的とする。 【構成】 平坦な表面１０ａと、該平坦な表面に所定の
パターンで配置された複数の凹部１２とを有するはんだ
ボール形成部材１０を準備し、はんだボール形成部材１
０の凹部１２にはんだ粒子１６とフラックス１５とから
なるはんだペースト１４を充填し、はんだボール形成部
材１０を加熱して各凹部１２内のはんだペースト１４中
に含まれるはんだ粒子１６が溶融して表面張力により丸
まったはんだボール２０を形成し、はんだバンプを形成
すべき部材２２をはんだボール形成部材１０に相対的に
近づけて加熱されたはんだボール２０をはんだボール形
成部材１０から該はんだバンプを形成すべき部材２２に
該凹部１２のパターンと同じパターンで転写する構成と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、例えば半導体チップの電極パッドにはんだバンプ
を効率的に形成するためのはんだバンプの製造方法に関
する。さらに詳細には、本発明ははんだペーストからは
んだボールを形成することによりはんだバンプを形成す
るはんだバンプの製造方法及びはんだペーストからはん
だボールを形成するはんだボールの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大量の情報を高速に処理する情報処理装
置においては、半導体チップに電子回路や電子部品を集
積したＬＳＩやＶＬＳＩ等が多く用いられている。電子
回路が形成されている半導体チップを例えばセラミック
基板に取り付けるために、半導体チップ又はセラミック
基板にはんだバンプを設け、はんだバンプの溶着によ
り、半導体チップをセラミック基板に固定するとともに
電気的な接続を行うことができる。
【０００３】従来は、セラミック基板にはんだペースト
を印刷し、半導体チップに取り付けたリードをセラミッ
ク基板のはんだペーストの上に置き、加熱することによ
りはんだを溶融させ、よって半導体チップをセラミック
基板に機械的及び電気的に接続していた。セラミック基
板にはんだペーストを印刷するために、例えば所定のパ
ターンの開口部を有する金属マスクを使用し、この金属
マスクにはんだペーストを載せて、金属マスクの表面に
沿ってスキージを移動させながら、はんだペーストをセ
ラミック基板に印刷する。
【０００４】しかし、半導体チップ上の電子回路が集積
されると、入出力端子となるリードの数が増加し、リー
ド間ピッチが小さくなる。そうなると、印刷するはんだ
ペーストの量は少なくなり、はんだペーストの印刷は困
難となる。つまり、はんだペーストは通常粒径が３０〜
５０μｍのはんだ粒子と、松脂や、活性剤や、有機溶剤
などを含むフラックスとからなるものであり、はんだペ
ーストの粘度は室温で２０〜３０×１０4 ｃｐ程度と高
い。従って、金属マスクの開口部の寸法が１００μｍ程
度と小さくなると、はんだペーストが目詰まりし、金属
マスクの開口部を円滑に通過しなくなり、セラミック基
板に印刷されなくなる。
【０００５】最近のフリップチップ構造では、半導体チ
ップにリードを設けることなく、半導体チップにはんだ
バンプを設けて、半導体チップをセラミック基板に直接
に取り付けるようになっている。この場合にも、はんだ
バンプのサイズが小さくなると、はんだペーストの印刷
が難しくなる。そこで、はんだペーストを使用すること
なく、実質的にはんだのみによってはんだバンプを形成
することによって、小さなはんだバンプを形成すること
が提案されており、このような方法として、真空蒸着法
及びはんだメッキ法がある。
【０００６】真空蒸着法は、例えば特開平─４─０１４
８３４号に記載されており、はんだを真空下で加熱して
蒸発させ、蒸発したはんだを付着させるものである。前
記公報に記載された方法では、石英やガラスなど透明で
耐熱性に優れるが、はんだ濡れ性の劣る転写板と、所定
のパターンの開口部を有する金属マスクとを用いる。転
写板は金属マスクのすぐ上方に配置され、金属マスクの
開口部を通過したはんだ蒸気が転写板に蒸着するように
なっている。従って、転写板には金属マスクの開口部に
相当するパターンではんだバンプが形成される。
【０００７】次に、半導体チップを加熱し、転写板に近
づけ、よって転写板のはんだバンプを半導体チップに転
写する。このようにして、半導体チップに所定のパター
ンではんだバンプが形成される。このような方法をとる
ことにより、はんだバンプを精度よく形成することがで
きるが、所望の厚さ、例えば数１０μｍの厚さのはんだ
バンプを形成するにはかなり長い蒸発時間を必要とする
問題があった。
【０００８】また、はんだメッキ法は、半導体チップの
表面をレジストで被覆した後、パンプ形成位置のレジス
トを窓開けしてはんだメッキを行うものであるが、メッ
キ液によりＬＳＩなどの集積回路が化学的な変化を受け
て、特性劣化が生じ易いことと、析出したはんだの組成
ずれが大きいことが問題となる。
【０００９】また、はんだバンプは半導体チップに形成
されるばかりでなく、セラミック基板やセラミックパッ
ケージ等にも形成される。またある応用においては、は
んだペーストを使用することなく、実質的にはんだのみ
の塊としてはんだボールが提供され、このようなはんだ
ボールを使用してはんだバンプを形成することがある。
しかし、従来、はんだボールを簡単に製造する方法がな
く、またはんだボールのサイズのバラツキが大きかっ
た。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、所望
の大きさのはんだバンプを容易に形成できるはんだバン
プの製造方法を提供することである。本発明の他の目的
は、所望の大きさのはんだボールを容易に形成できるは
んだボールの製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によるはんだバン
プの製造方法は、平坦な表面１０ａと、該平坦な表面に
所定のパターンで配置された複数の凹部１２とを有する
はんだボール形成部材１０を準備し、はんだボール形成
部材１０の凹部１２にはんだ粒子１６とフラックス１５
とからなるはんだペースト１４を充填し、はんだボール
形成部材１０を加熱して各凹部１２内のはんだペースト
１４中に含まれるはんだ粒子１６が溶融して表面張力に
より丸まったはんだボール２０を形成し、はんだバンプ
を形成すべき部材２２をはんだボール形成部材１０に相
対的に近づけて加熱されたはんだボール２０をはんだボ
ール形成部材１０から該はんだバンプを形成すべき部材
２２に該凹部１２のパターンと同じパターンで転写する
ことを特徴とする。
【００１２】
【作用】上記構成においては、はんだボール形成部材の
凹部は互いに実質的に等しい形状及び体積を有し、よっ
てはんだペーストをはんだボール形成部材の凹部に充填
すると全ての凹部のはんだペーストの体積は互いに等し
い。はんだペーストの中には、はんだ粒子が一様に分布
している。はんだボール形成部材をはんだの融点以上に
まで加熱すると、溶融したはんだ粒子が表面張力により
丸まり、全ての凹部内で互いに実質的に等しい体積のは
んだボールが形成される。こうして形成されたはんだボ
ールはフラックスとは分離しており、各凹部からはんだ
ボールのみを取り出すことができる。従って、はんだバ
ンプを形成すべき部材をはんだボール形成部材に相対的
に近づけると、加熱されたはんだボールがはんだボール
形成部材から該はんだバンプを形成すべき部材に該凹部
のパターンと同じパターンで転写されることになる。こ
のようにして、はんだバンプを形成すべき部材には、は
んだボール形成部材の凹部の体積に従った所望の大きさ
のはんだバンプが所定の位置に形成される。
【００１３】好ましくは、はんだボール形成部材の少な
くとも該平坦な表面を含む部分が、該はんだバンプを形
成すべき部材のはんだバンプ形成部分よりもはんだ濡れ
性の劣る材料で作られている。これにより、はんだボー
ルがはんだボール形成部材から該はんだバンプを形成す
べき部材へ容易に転写される。
【００１４】好ましくは、はんだボール形成部材の凹部
にはんだペーストを充填する工程が、はんだボール形成
部材の該平坦な表面に沿ってスキージを移動させること
からなる。これにより、はんだペーストをはんだボール
形成部材の凹部に最も簡単に充填することができるとと
もに、全ての凹部のはんだペーストの体積が互いに等し
くなる。
【００１５】好ましくは、はんだボールの転写の一つの
特徴として、はんだボール形成部材の該凹部が、はんだ
ボール形成工程において各凹部で形成されたはんだボー
ルがはんだボール形成部材の該表面から部分的に突出す
るような形状に定められる。従って、はんだバンプを形
成すべき部材を該平坦な表面側からはんだボール形成部
材に相対的に近づけると、突出したはんだボールがはん
だバンプを形成すべき部材に付着し、簡単に転写され
る。
【００１６】はんだボールの転写は、はんだボールを形
成した直後にはんだボールがまだ加熱された状態で行う
こともできる。あるいは、はんだボールを形成する工程
の後ではんだボールを転写する工程の前に、はんだボー
ル形成部材を冷却する工程を含み、該はんだボールを転
写する工程がはんだボール形成部材を加熱することを含
む。これによって、はんだボールの形成と、はんだボー
ルの転写を別のステージで行うことができる。
【００１７】好ましくは、はんだボール形成部材の該凹
部が、該平坦な表面における輪郭形状と、底部と、該平
坦な表面から該底部までの深さとを有し、該輪郭形状の
大きさが形成すべきはんだボールの大きさよりも大き
い。これによって、はんだボールがはんだボール形成部
材の該表面から部分的に突出するような形状に定められ
る。これは、該凹部の深さがはんだボールの直径よりも
小さいと表現することなできる。
【００１８】好ましくは、該凹部の該平坦な表面におけ
る輪郭形状が実質的に円形、あるいは多角形とする。好
ましくは、該凹部が定められた位置に最深部を有し、は
んだボールがこの最深部に対応する位置に形成されるよ
うにする。該凹部が深さが深くなるにつれて輪郭形状が
小さくなる。あるいは、該凹部が深さが深くなるにつれ
て段々に輪郭形状が小さくなる。
【００１９】好ましくは、はんだボール形成部材が一つ
の板からなる。あるいは、はんだボール形成部材が重ね
合わせた複数の板からなり、該複数の板の内の少なくと
も一つが貫通穴を有し、該貫通穴が該凹部の一部を形成
する。これによって、該凹部の形状を深さが深くなるに
つれて変化するようにすることができる。
【００２０】好ましくは、はんだボールの転写のもう一
つの特徴として、はんだボール形成部材の該凹部が、該
平坦な表面における輪郭形状と、底部と、該平坦な表面
と該底部とを接続する環状側壁部とからなり、はんだボ
ール形成部材が取り外し可能に重ね合わせた第１及び第
２の板からなり、該第１の板が該平坦な表面と該凹部の
環状側壁部を形成する貫通穴とを有し、該第２の板の表
面が該凹部の底部を形成する。従って、はんだボールを
転写する工程が、はんだボールが該第１の板に保持され
た状態で該第２の板を該第１の板から遠ざける工程と、
該はんだバンプを形成すべき部材を該第１の板の該平坦
な表面とは反対側の表面に相対的に近づける工程とを含
む。このようにして、はんだボールをはんだボール形成
部材の該凹部のある方とは反対側の表面から転写するこ
とができる。
【００２１】この場合、該はんだボールを転写する工程
が、さらに該第１の板に保持されたはんだボールを該は
んだバンプを形成すべき部材に向かって押し出す工程を
含むことが好ましい。
【００２２】さらに、本発明によるはんだボールの製造
方法は、平坦な表面と、該平坦な表面に所定のパターン
で配置された複数の凹部とを有するはんだボール形成部
材を準備し、はんだボール形成部材の凹部にはんだ粒子
とフラックスとからなるはんだペーストを充填し、はん
だボール形成部材を加熱して各凹部内のはんだペースト
中に含まれるはんだ粒子が溶融して表面張力により丸ま
ったはんだボールを形成し、はんだボール形成部材を冷
却し、はんだボールをはんだボール形成部材の凹部から
取り出すことを特徴とする。
【００２３】この構成においても、はんだボール形成部
材の凹部は互いに実質的に等しい形状及び体積を有し、
よって該凹部に充填されたはんだペーストの体積は互い
に等しい。はんだボール形成部材を加熱すると、溶融し
たはんだ粒子が表面張力により丸まり、全ての凹部内で
互いに実質的に等しい体積のはんだボールが形成され
る。こうして形成されたはんだボールはフラックスとは
分離されている。そこで、はんだボール形成部材を冷却
し、はんだボールを個々の塊とし、はんだボールを各凹
部から取り出すことができる。フラックスははんだボー
ルの外側に付着しているが、洗浄を行うことによって、
フラックスをはんだボールから除去することができる。
【００２４】
【実施例】図１は本発明の第１実施例を示す図である。
本発明によるはんだバンプの製造方法においては、最初
に、（Ａ）に示されるように、はんだボール形成部材１
０を準備する。はんだボール形成部材１０は耐熱性の優
れたステンレス鋼の板（ＳＵＳ３０４）で作られ、その
平坦な表面１０ａに複数の等しい形状の凹部１２を３０
０μｍのピッチでマトリックス状に設けてある。各凹部
１２は、表面１０ａにおける輪郭形状が直径２００μｍ
の円形であり、深さが５０μｍである。凹部１２の形状
は深さが深くなるにつれて直径が小さくなっている。凹
部１２ははんだボール形成部材１０の表面１０ａを切削
加工して形成される。
【００２５】はんだボール形成部材１０はステンレス、
クロム、ガラス、セラミック、チタン等のはんだ濡れ性
の劣る材料で形成されることが好ましく、あるいはその
表面にクロム、チタン、ＳｉＯ2 等のはんだ濡れ性の劣
る材料を被覆されるのが好ましい。実施例においては、
凹部１２を形成した後、はんだボール形成部材１０の表
面１０ａに黒色クロム（Ｃｒ）メッキ（略称ＢＣＲ）を
施した。
【００２６】図３及び図４は、ステンレス鋼の板で作ら
れたはんだボール形成部材１０の平坦な表面１０ａにエ
ッチングにより形成された凹部１２を示す。この場合、
はんだボール形成部材１０の平坦な表面１０ａにレジス
ト（図示せず）を塗布し、露光及び現像によりレジスト
に所定のパターンの開口部を設け、塩化第２鉄溶液をエ
ッチャントとしてエッチングしたものである。図４にお
いて、凹部１２はマトリックス状に設けてある。
【００２７】図５は、はんだボール形成部材１０を比較
的に剛性のある平坦なステンレス鋼の板１０ｂと、凹部
１２に相当する貫通穴１０ｄを有するステンレス鋼の板
１０ｃとを重ねて形成した例を示す図である。図６は、
はんだボール形成部材１０を比較的に剛性のある平坦な
ステンレス鋼の板１０ｂと、凹部１２に相当する丸みの
ある貫通穴１０ｅを有するステンレス鋼の板１０ｃとを
重ねて形成した例を示す図である。図５及び図６におい
て、板１０ｃの厚さは凹部１２の深さに相当する。これ
によって、はんだボール形成部材１０の凹部１２の深さ
を確実にすることができる。
【００２８】図１（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、
はんだボール形成部材１０を準備した後、はんだペース
ト１４をはんだボール形成部材１０の凹部１２に充填す
る。このために、（Ａ）に示されるように、はんだボー
ル形成部材１０の平坦な表面１０ａ上にはんだペースト
１４を載せる。
【００２９】はんだペースト１４ははんだ粒子１６とフ
ラックス１５とからなり、フラックス１５は松脂や、活
性剤や、有機溶剤などを含む。はんだ粒子１６ははんだ
ペースト１４中に非常に高い密度で配置され、よっては
んだペースト１４中にはんだ成分が均一に分布してい
る。はんだ粒子１６を高い密度で配置するために、はん
だ粒子１６は種々の大きさの成分を含む。例えば、実施
例においては、全はんだ粒子１６中、２０μｍ以下の粒
子が約６０パーセント、３０μｍ以下の粒子が約３０パ
ーセント、４０μｍ以下の粒子が約５パーセントあっ
た。また、はんだペースト１４中におけるはんだ粒子１
６の割合は、約９０重量パーセントであり、且つ約４４
体積パーセントである。はんだは、Ｐｂ−５Ｓｎ（融点
が３００〜３１４℃）からなるものであった。なお、そ
の他の構成のはんだを使用することもできる。例えば、
Ｓｎ，Ｐｂ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ａｕ，Ｇｅ，Ｓ
ｉ，Ｓｂのいずれか一つを構成元素として含むはんだを
使用することができる。
【００３０】はんだペースト１４の充填は、スキージ１
８をはんだボール形成部材１０の平坦な表面１０ａに沿
って例えば矢印Ａの方向に移動させることによって行わ
れる。はんだボール形成部材１０の凹部１２の体積は全
て等しいので、凹部１２の中のはんだペースト１４の体
積も全て等しい。はんだペースト１４の中には、はんだ
粒子１６が実質的に均一に分布しているので、凹部１２
の中のはんだ粒子１６の体積も実質的に全て等しい。
【００３１】次に、図１（Ｃ）に示されるように、はん
だボール形成部材１０をはんだの融点以上（例えば３５
０℃）にまで加熱する。はんだペースト１４中のはんだ
粒子１６が溶融し、はんだが表面張力により丸まって各
凹部内１２内に１つのはんだボール２０が形成される。
フラックス１５ははんだボール２０とは分離される。な
お、はんだボール形成部材１０を加熱すると、フラック
ス１５の中の溶剤の蒸発が起こり、活性剤などの一部分
解を生じる。また、このような溶剤の蒸発を起こすため
に、低い温度でプレヒートを行うこともできる。
【００３２】次に、図１（Ｄ）に示されるように、はん
だバンプを形成すべき部材２２をはんだボール形成部材
１０に相対的に近づけて、はんだバンプを形成すべき部
材２２を加熱されたはんだボール２０に突き当て、はん
だボール２０をはんだボール形成部材１０からはんだバ
ンプを形成すべき部材２２に転写する。はんだボール形
成部材１０ははんだバンプを形成すべき部材２２よりも
はんだ濡れ性の劣る材料で形成され、又は被覆されてい
るので、はんだボール２０ははんだボール形成部材１０
からはんだバンプを形成すべき部材２２に容易に転写さ
れる（移動する）。
【００３３】この場合、はんだボール２０は、その配置
を変化させることなく、はんだボール形成部材１０上の
配置のままで、従って凹部１２の配置のパターンと同じ
パターンではんだバンプを形成すべき部材２２に転写さ
れる。このようにして、半導体チップ上に整然と並ん
だ、例えば１００μｍ以下の小さなはんだバンプを得る
ことができた。
【００３４】実施例においては、はんだバンプを形成す
べき部材２２はＬＳＩやＶＬＳＩとして形成した半導体
チップであり、集積回路（図示せず）に接続された電極
パッド２４を備えている。はんだボール形成部材１０の
凹部１２は、はんだバンプを形成すべき部材２２の電極
パッド２４と同じパターンで設けられている。すなわ
ち、電極パッド２４はシリコン（Ｓｉ）基板上に３００
μｍピッチで形成されている。電極パッド２４は例えば
直径１００μｍである。電極パッド２４はシリコン基板
上に設けた厚さが１０００Å／５０００Åの金（Ａｕ）
とニッケル（Ｎｉ）の層からなり、はんだ付け性の優れ
た構成をとっている。
【００３５】はんだバンプを形成すべき部材２２ははん
だボール形成部材１０に対して適切に位置合わせされ、
はんだボール２０が電極パッド２４に付着するようにな
っている。こうして、図１（Ｅ）に示されるように、は
んだボール２０が部材２２のはんだバンプとなる。
【００３６】図１の実施例においては、はんだボール２
０の転写時に、はんだバンプを形成すべき部材２２を平
坦な表面１０ａ側からはんだボール形成部材１０に相対
的に近づけるようなっている。従って、溶融状態のはん
だボール２０の転写を可能とするためには、はんだボー
ル２０が平坦な表面１０ａから外に部分的に突出し、は
んだバンプを形成すべき部材２２と直接に接触できるよ
うになっている必要がある。凹部１２の形状を下記のよ
うに定めることにより、はんだボール２０が平坦な表面
１０ａから外に部分的に突出するようになる。
【００３７】上記したように、はんだペースト１４中に
おけるはんだ粒子１６の割合は、約４４体積パーセント
である。従って、はんだボール２０が平坦な表面１０ａ
から外に部分的に突出するようにするためには、凹部１
２は比較的に浅い溝でなければならず、且つ平坦な表面
１０ａにおける凹部１２の輪郭形状の大きさが形成すべ
きはんだボール２０の大きさよりも大きいことが必要で
ある。
【００３８】図２は本発明の第２実施例を示す図であ
る。第１実施例と同様に、図２（Ａ）から（Ｃ）に示さ
れるように、はんだボール形成部材１０を準備し、はん
だペースト１４をはんだボール形成部材１０の凹部１２
に充填し、はんだボール形成部材１０を加熱してはんだ
ボール２０を形成する。
【００３９】次に、図２（Ｄ）に示されるように、はん
だボール２０を形成する工程の後ではんだボール２０を
転写する工程の前に、はんだボール形成部材１０を冷却
し、場合によってはフラックス１５を溶剤により洗浄す
る。次に、図２（Ｅ）に示されるように、はんだボール
２０をはんだボール形成部材１０からはんだバンプを形
成すべき部材２２に転写する。このときには、再び、は
んだボール形成部材１０を加熱する。
【００４０】図７から図１０は、このようにして製造し
たはんだバンプを形成すべき部材（半導体チップ）２２
を含む半導体パッケージの例を示す図である。図７はピ
ングリッドアレイ（ＰＧＡ）と呼ばれる半導体パッケー
ジであり、セラミック基板４０の表面には電極パターン
又は電極パッド４２が設けられており、セラミック基板
４０の下面からピン４４が延びている。電極パッド４２
はピン４４に接続され、ピン４４を例えばプリント回路
板に取り付けることにより、ＰＧＡをプリント回路板に
取り付けることができる。
【００４１】はんだバンプを形成すべき部材（半導体チ
ップ）２２は、はんだバンプ（はんだボール）２０が電
極パッド４２の上に位置するようにしてＰＧＡ上に位置
せしめられ、加熱することにより、はんだバンプ（はん
だボール）２０を電極パッド４２に溶着させる。最後に
樹脂４６により封止を行う。
【００４２】図８はボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と
呼ばれる半導体パッケージであり、ＰＧＡの下面のピン
４４の代わりに、ボール４８が設けられている。その他
の構成は図７のＰＧＡと類似している。ボール４８は、
プリント回路板に溶着される。従って、このボール４８
も、はんだバンプの一種であり、図１及び図２の製造方
法及び後で説明する製造方法によって製造されることが
できる。この場合には、例えば、直径１０００μｍ、深
さ５００μｍの凹部１２を１２７０μｍピッチで形成す
る。はんだは例えばＳｎ−３７Ｐｂを使用し、この場合
には２１５℃に加熱してはんだボール２０を形成する。
【００４３】図９はマルチチップモジュール（ＭＣＭ）
と呼ばれる半導体パッケージである。ＭＣＭは、図７の
セラミック基板４０と同様のセラミック基板４０に、は
んだバンプを形成すべき部材（半導体チップ）２２を複
数個含むものである。この場合にも、はんだバンプ（は
んだボール）２０が電極パッド４２に溶着され、樹脂４
６により封止される。なお、ＭＣＭを、図８のセラミッ
ク基板４０と同様のセラミック基板４０で構成してもよ
い。
【００４４】図１０はクワッドフラットパッケージ（Ｑ
ＦＰ）と呼ばれる半導体パッケージである。はんだバン
プを形成すべき部材（半導体チップ）２２のはんだバン
プ（はんだボール）２０は、リード５０に溶着され、樹
脂４６により封止される。
【００４５】図１１は、はんだバンプを形成すべき部材
（半導体チップ）２２をプリント回路板（ＰＷＢ）５４
に取り付けた例を示す図である。プリント回路板５４は
電極パッド５６を有し、はんだバンプ（はんだボール）
２０はプリント回路板５４の電極パッド５６に溶着され
る。なお、はんだバンプ（はんだボール）２０をプリン
ト回路板５４に設けることもできる。
【００４６】図１２及び図１３は、ＴＡＢ部品５８には
んだボール２０を設けて、はんだバンプとした例を示す
図である。このＴＡＢ部品５８が図１及び図２のはんだ
バンプを形成すべき部材２２に相当し、はんだボール２
０は図１及び図２に示した製造方法に従ってＴＡＢ部品
５８に形成されたものである。ＴＡＢ部品５８は中央開
口部６０ａを有するプラスチックのテープ６０にリード
６２を取り付けたものであり、はんだボール２０はリー
ド６２に取り付けられる。電極パッド６６を有する半導
体チップ６４がＴＡＢ部品５８の中央開口部６０ａにお
いてリード６２上に置かれ、はんだボール２０を溶着す
ることによりＴＡＢ部品５８に取り付けられる。半導体
チップ６４は樹脂６８により封止される。
【００４７】図１から図６に示したはんだボール形成部
材１０の凹部１２は、平坦な表面１０ａにおける輪郭形
状が形成されたはんだボール２０の直径よりも大きく、
且つ深さが全体的に浅いものであった。図１４に示すよ
うに、このような凹部１２の底部は概して平坦になりや
すく、最深部が一定の位置にならない可能性がある。ボ
ール２０の形成においては溶融はんだの重量が凹部１２
の最深部にかかるのではんだボール２０は最深部におい
て形成される。もし凹部１２の最深部の位置が一定でな
いと、はんだボール２０の位置が凹部１２内でバラツク
ことになる。このため、はんだボール２０の転写時に、
はんだボール２０の位置がはんだバンプを形成すべき部
材２２の電極パッド２４に対してずれることになる。
【００４８】溶融したはんだボール２０を電極パッド２
４に付着させるとセルフアライメントが行われる性質が
あり、溶融したはんだボール２０は一般的に電極パッド
２４の中心に付着するので、はんだボール２０の位置が
ずれていても多くの場合には問題ない。しかし、はんだ
ボール２０の位置ずれが大きいとはんだボール２０が電
極パッド２４にきちんと付着しなくなる可能性がある。
従って、凹部１２にはっきりと最深部を設けるのが好ま
しい。凹部１２を機械加工により形成する場合には、所
定の位置が深くなるように削る。
【００４９】図１５から図２４は、はんだボール２０が
凹部１２の中心で形成されるように、凹部１２に意図的
に最深部を設ける例を示す図である。図１５及び図１６
においては、はんだボール形成部材１０を平坦な表面１
０ａが〈１００〉となるシリコンの板で作り、平坦な表
面１０ａに異方性エッチングを行うことにより凹部１２
を形成した。エッチングにおいては、円形の開口部を有
するレジストを使用したので、円錐形の凹部１２が形成
され、底部の最深部Ｄは凹部１２の中心にある。
【００５０】図１７及び図１８においては、はんだボー
ル形成部材１０を同様にシリコンの板で作り、平坦な表
面１０ａに異方性エッチングを行った。エッチングにお
いては、正方形の開口部を有するレジストを使用したの
で、四角錐形の凹部１２が形成された。
【００５１】図１９及び図２０においては、はんだボー
ル形成部材１０をステンレス鋼の板で作り、平坦な表面
１０ａに２回のエッチングを行うことにより凹部１２を
形成した。最初のエッチングにおいては、小さな開口部
を有するレジストを使用し、２回目のエッチングにおい
ては、最初のエッチングの場合の開口部と同じ位置にそ
れよりも大きな開口部を有するレジストを使用した。従
って、凹部１２は二段の穴になり、各凹部１２の中心部
に最深部が形成された。
【００５２】図２１及び図２２においては、はんだボー
ル形成部材１０を重ね合わせた複数のステンレス鋼の板
１０ｆ、１０ｇ、１０ｈで作った。１層目の板１０ｆは
比較的剛性が高く平坦であり、２層目の板１０ｇは小さ
な穴１０ｉを有し、３層目の板１０ｈは大きな穴１０ｊ
を有している。従って、各凹部１２は底部の小さな穴１
０ｉと上部の大きな穴１０ｊとからなる二段の穴として
構成され、各凹部１２の中心部に最深部が形成される。
複数のステンレス鋼の板１０ｆ、１０ｇ、１０ｈは加
圧、熱処理により一体化される。あるいは、プロジェク
ション溶接により一体化させることもできる。
【００５３】図２３及び図２４においては、はんだボー
ル形成部材１０をステンレス鋼の板１０ｋと、複数の樹
脂膜１０ｌ、１０ｍ、１０ｎとを重ね合わせて構成す
る。ステンレス鋼の板１０ｋは比較的剛性が高く平坦で
あり、樹脂膜１０ｌ、１０ｍ、１０ｎは順に大きくなる
穴１０ｏ、１０ｐ、１０ｑを有する。各凹部１２はこれ
らの穴１０ｏ、１０ｐ、１０ｑで構成され、各凹部１２
の中心部に最深部が形成される。
【００５４】図２３及び図２４の構成を得るための一例
においては、樹脂膜１０ｌ、１０ｍ、１０ｎは最初に個
別に穴１０ｏ、１０ｐ、１０ｑを形成され、それから重
ね合わせられる。図２３及び図２４の構成を得るための
他の例においては、樹脂膜１０ｌ、１０ｍ、１０ｎをそ
れぞれ光硬化性の樹脂とし、最初に樹脂膜１０ｌを塗布
し、マスクをして光を照射する。光の当たった樹脂の部
分が硬化し、光の当たらなかった部分は洗浄により溶け
て穴１０ｏとなる。次に樹脂膜１０ｍを塗布し、同様に
光を照射して穴１０ｐを形成する。それから、樹脂膜１
０ｎを塗布し、同様に光を照射して穴１０ｑを形成す
る。
【００５５】図２５は本発明の第３実施例を示す図であ
る。（Ａ）に示されるように、まず、凹部１２を備えた
はんだボール形成部材１０を準備する。この実施例にお
いては、はんだボール形成部材１０は取り外し可能に重
ね合わせた第１及び第２のステンレス鋼の板１０ｒ、１
０ｓからなる。第１の板１０ｒは平坦な表面１０ａと凹
部１２の環状側壁部を形成する貫通穴１０ｔとを有す
る。第２の板１０ｓは実質的に平坦であり、凹部１２の
底部を形成する。
【００５６】前の実施例と同様に、はんだボール形成部
材１０ははんだ濡れ性の劣る材料で形成され、あるいは
その表面にはんだ濡れ性の劣る材料を被覆される。次
に、図２５（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、スキー
ジ１８を使用して、はんだペースト１４を凹部１２に充
填する。
【００５７】次に、図２５（Ｃ）に示されるように、は
んだボール形成部材１０をはんだの融点以上に加熱し、
はんだペースト１４中のはんだ粒子１６を溶融し、はん
だが表面張力により丸まって各凹部内１２内に１つのは
んだボール２０を形成する。フラックス１５ははんだボ
ール２０とは分離する。
【００５８】この実施例においては、凹部１２の形状
を、はんだボール２０が平坦な表面１０ａから突出する
ように形成する必要はない。従って、凹部１２の平坦な
表面１０ａにおける輪郭形状を大きくすることなく、凹
部１２の深さを深くすることによって、所望の大きさの
はんだボール２０を形成することができる。従って、凹
部１２をより小さいピッチで配置することができる。
【００５９】はんだボール２０は凹部１２の環状側壁部
（第１の板１０ｒの貫通穴１０ｔ）に接触しており、温
度が低下すると、はんだボール２０は凹部１２の環状側
壁部（第１の板１０ｒの貫通穴１０ｔ）に保持される。
そこで、図２５（Ｄ）に示されるように、はんだボール
形成部材１０の第２の板１０ｓを第１の板１０ｒから遠
ざける。フラックス１５を洗浄すると、はんだボール２
０のみが凹部１２の環状側壁部（第１の板１０ｒの貫通
穴１０ｔ）に保持された状態になる。
【００６０】そこで、図２５（Ｅ）に示されるように、
はんだバンプを形成すべき部材（半導体チップ）２２を
第１の板１０ｒの平坦な表面１０ａとは反対側の表面に
相対的に近づけ、はんだバンプを形成すべき部材２２を
加熱されたはんだボール２０に突き当てる。はんだボー
ル形成部材１０の第１の板１０ｒは適当な時期に加熱さ
れている。よってはんだボール２０をはんだボール形成
部材１０の第１の板１０ｒからはんだバンプを形成すべ
き部材２２に転写する。
【００６１】さらに、押し板７２が使用される。押し板
７２ははんだボール形成部材１０の凹部１２（第１の板
１０ｒの貫通穴１０ｔ）に入るのに適した突起７４を有
しており、押し板７２をはんだボール形成部材１０の第
１の板１０ｒに向かって移動させることによって、突起
７４がはんだボール２０を押し出すとともに、はんだボ
ール２０をはんだバンプを形成すべき部材（半導体チッ
プ）２２に対して押し付け、はんだボール２０が確実に
付着してはんだバンプとなるようにする。
【００６２】図２６は本発明の第４実施例を示す図であ
る。この実施例は、はんだボール２０の製造方法を示す
ものである。図２６（Ａ）に示されるように、まず、凹
部１２を備えたはんだボール形成部材１０を準備する。
前の実施例と同様に、このはんだボール形成部材１０は
取り外し可能に重ね合わせた第１及び第２のステンレス
鋼の板１０ｒ、１０ｓからなる。第１の板１０ｒは平坦
な表面１０ａと凹部１２の環状側壁部を形成する貫通穴
１０ｔとを有する。第２の板１０ｓは実質的に平坦であ
り、凹部１２の底部を形成する。
【００６３】前の実施例と同様に、はんだボール形成部
材１０ははんだ濡れ性の劣る材料で形成され、あるいは
その表面にはんだ濡れ性の劣る材料を被覆される。次
に、図２６（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、スキー
ジ１８を使用して、はんだペースト１４を凹部１２に充
填する。
【００６４】次に、図２６（Ｃ）に示されるように、は
んだボール形成部材１０をはんだの融点以上に加熱し、
はんだペースト１４中のはんだ粒子１６を溶融し、はん
だが表面張力により丸まって各凹部内１２内に１つのは
んだボール２０を形成する。はんだボール２０の大きさ
は凹部１２の形状に従って形成される。凹部１２の形状
が一定であれば、形成されるはんだボール２０の大きさ
は一定になる。
【００６５】そこで、はんだボール形成部材１０の第２
の板１０ｓを第１の板１０ｒから遠ざけ、はんだボール
形成部材１０の第１の板１０ｒを冷却し、フラックス１
５を洗浄する。なお、この場合には、はんだボール形成
部材１０の凹部１２の形状を、冷却されて塊の状態にあ
るはんだボール２０が凹部１２にきつく保持されないよ
うにする。
【００６６】そこで、フラックス１５を洗浄すると、は
んだボール２０が凹部１２から転がり出すので、図２５
（Ｅ）に示されるように、はんだボール２０を容器７６
に集める。はんだボール２０が凹部１２から簡単に転が
り出さない場合には、押し板７２が使用される。押し板
７２ははんだボール形成部材１０の凹部１２（第１の板
１０ｒの貫通穴１０ｔ）に入るのに適した突起７４を有
しており、押し板７２をはんだボール形成部材１０の第
１の板１０ｒに向かって移動させることによって、突起
７４がはんだボール２０を押し出す。
【００６７】図２７は本発明の第５実施例を示す図であ
る。この実施例も、はんだボール２０の製造方法を示す
ものである。図２７（Ａ）に示されるように、まず、凹
部１２を備えたはんだボール形成部材１０を準備する。
はんだボール形成部材１０ははんだ濡れ性の劣る材料で
形成され、あるいはその表面にはんだ濡れ性の劣る材料
を被覆される。次に、図２７（Ａ）及び（Ｂ）に示され
るように、スキージ１８を使用して、はんだペースト１
４を凹部１２に充填する。
【００６８】次に、図２７（Ｃ）に示されるように、は
んだボール形成部材１０をはんだの融点以上に加熱し、
はんだペースト１４中のはんだ粒子１６を溶融し、はん
だが表面張力により丸まって各凹部内１２内に１つのは
んだボール２０を形成する。はんだボール２０の大きさ
は凹部１２の形状に従って形成される。凹部１２の形状
が一定であれば、形成されるはんだボール２０の大きさ
は一定になる。
【００６９】そこで、はんだボール形成部材１０を冷却
し、フラックス１５を洗浄する。すると、はんだボール
２０が凹部１２から転がり出すので、図２５（Ｄ）に示
されるように、はんだボール２０を容器７６に集める。
この場合には、凹部１２の形状が、はんだボール２０と
比べて大きく且つ深さが浅いので、はんだボール２０は
容易に取り出される。
【００７０】このようにして製造したはんだボール２０
は、あらゆる電気／電子装置のはんだバンプを形成する
のに使用できる。例えば、図８に示したＢＧＡのボール
４８を形成するのに使用することができる。はんだボー
ル２０を一つずつＢＧＡに配置してもよいが、例えば図
２８に示したようなボール配置治具８０を使用して一括
してはんだボール２０をＢＧＡに配置することもでき
る。ボール配置治具８０はＢＧＡのボール４８の位置に
相当するパターンで穴８２を備えており、穴８２の大き
さははんだボール２０の大きさよりもわずかに大きい。
従って、ボール配置治具８０をＢＧＡに載せて、はんだ
ボール２０をボール配置治具８０の表面で転がすと、は
んだボール２０が１個ずつ穴８２に入る。そこで、ボー
ル配置治具８０又はＢＧＡを加熱すると、はんだボール
２０がＢＧＡに溶着する。本発明によれば、大きさのバ
ラツキが小さいはんだボール２０を得ることができるの
で、このようなボール配置治具８０を使用することがで
きる。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
比較的簡単な方法ではんだバンプを形成することがで
き、これにより量産に適したバンプの製造方法を確立す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す図である。
【図３】はんだボール形成部材の他の例を示す断面図で
ある。
【図４】図３のはんだボール形成部材の平面図である。
【図５】はんだボール形成部材の他の例を示す断面図で
ある。
【図６】はんだボール形成部材の他の例を示す断面図で
ある。
【図７】はんだバンプを使用したＰＧＡの例を示す断面
図である。
【図８】はんだバンプを使用したＢＧＡの例を示す断面
図である。
【図９】はんだバンプを使用したＭＣＭの例を示す断面
図である。
【図１０】はんだバンプを使用したＱＦＰの例を示す断
面図である。
【図１１】はんだバンプを使用したプリント回路板の例
を示す断面図である。
【図１２】はんだバンプを使用したＴＡＢ部品の例を示
す断面図である。
【図１３】図１２のＴＡＢ部品に半導体チップを取り付
けた例を示す断面図である。
【図１４】はんだボール形成位置の極端な例を示す断面
図である。
【図１５】最深部を備えたはんだボール形成部材の例を
示す断面図である。
【図１６】図１５のはんだボール形成部材の平面図であ
る。
【図１７】はんだボール形成部材の他の例を示す平面図
である。
【図１８】図１７の線XVIII −XVIII に沿った断面図で
ある。
【図１９】はんだボール形成部材の他の例を示す平面図
である。
【図２０】図１９の線XX−XXに沿った断面図である。
【図２１】はんだボール形成部材の他の例を示す平面図
である。
【図２２】図２１の線XXII−XXIIに沿った断面図であ
る。
【図２３】はんだボール形成部材の他の例を示す平面図
である。
【図２４】図２３の線XXIV−XXIVに沿った断面図であ
る。
【図２５】本発明の第３実施例を示す図である。
【図２６】本発明の第４実施例を示す図である。
【図２７】本発明の第５実施例を示す図である。
【図２８】ボール配置軸を示す部分断面斜視図である。
【符号の説明】
１０…はんだボール形成部材 １２…凹部 １４…はんだペースト １５…フラックス １６…はんだ粒子 １８…スキージ ２０…はんだボール ２２…はんだバンプを形成すべき部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀原 伸男 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 薗 陸郎 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 山口 一郎 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 水戸部 一彦 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 大竹 幸喜 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 河西 純一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 水越 正孝 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平坦な表面（１０ａ）と、該平坦な表面
    に所定のパターンで配置された複数の凹部（１２）とを
    有するはんだボール形成部材（１０）を準備し、 はんだボール形成部材の凹部（１２）にはんだ粒子（１
    ６）とフラックス（１５）とからなるはんだペースト
    （１４）を充填し、 はんだボール形成部材（１０）を加熱して各凹部（１
    ２）内のはんだペースト（１４）中に含まれるはんだ粒
    子（１６）が溶融して表面張力により丸まったはんだボ
    ール（２０）を形成し、 はんだバンプを形成すべき部材（２２）をはんだボール
    形成部材（１０）に相対的に近づけて加熱されたはんだ
    ボール（２０）をはんだボール形成部材（１０）から該
    はんだバンプを形成すべき部材（２２）に転写すること
    を特徴とするはんだバンプの製造方法。
  2. 【請求項２】 はんだバンプを形成すべき部材（２２）
    が、半導体チップ、半導体パッケージ、プリント回路
    板、及びＴＡＢ部品の中の一つであり、はんだボール形
    成部材（１０）の少なくとも該平坦な表面（１０ａ）を
    含む部分が、該はんだバンプを形成すべき部材（２２）
    のはんだバンプ形成部分よりもはんだ濡れ性の劣る材料
    で作られていることを特徴とする請求項１に記載のはん
    だバンプの製造方法。
  3. 【請求項３】 はんだバンプを形成すべき部材（２２）
    が、ＩＣチップであることを特徴とする請求項１に記載
    のはんだバンプの製造方法。
  4. 【請求項４】 はんだバンプを形成すべき部材（２２）
    が、ＴＡＢテープ上のリードであることを特徴とする請
    求項１に記載のはんだバンプの製造方法。
  5. 【請求項５】 はんだボール形成部材（１０）の凹部
    （１２）にはんだペースト（１４）を充填する工程が、
    はんだボール形成部材の該平坦な表面に沿ってスキージ
    （１８）を移動させることからなることを特徴とする請
    求項１に記載のはんだバンプの製造方法。
  6. 【請求項６】 はんだボール形成部材（１０）の該凹部
    （１２）が、はんだボール形成工程において各凹部で形
    成されるはんだボール（２０）がはんだボール形成部材
    （１０）の該表面（１０ａ）から部分的に突出するよう
    な形状に定められ、 該はんだボール（２０）を転写する工程が、該はんだバ
    ンプを形成すべき部材（２２）を該平坦な表面側からは
    んだボール形成部材に相対的に近づけることからなるこ
    とを特徴とする請求項１に記載のはんだバンプの製造方
    法。
  7. 【請求項７】 該はんだボールを形成する工程の後では
    んだボールを転写する工程の前に、はんだボール形成部
    材（１０）を冷却する工程を含み、該はんだボールを転
    写する工程がはんだボール形成部材（１０）及び該はん
    だボールを形成すべき部材（２２）の少くとも一方を加
    熱することを含むことを特徴とすとする請求項６に記載
    のはんだバンプの製造方法。
  8. 【請求項８】 はんだボール形成部材（１０）の該凹部
    （１２）が、該平坦な表面（１０ａ）における輪郭形状
    と、底部と、該平坦な表面から該底部までの深さとを有
    し、該輪郭形状の大きさが形成すべきはんだボール（２
    ０）の大きさよりも大きいことを特徴とする請求項６に
    記載のはんだバンプの製造方法。
  9. 【請求項９】 該凹部（１２）の深さがはんだボールの
    直径よりも小さいことを特徴とする請求項８に記載のは
    んだバンプの製造方法。
  10. 【請求項１０】 該凹部（１２）の該平坦な表面（１０
    ａ）における輪郭形状が実質的に円形であることを特徴
    とする請求項６に記載のはんだバンプの製造方法。
  11. 【請求項１１】 該凹部（１２）の該平坦な表面（１０
    ａ）における輪郭形状が実質的に多角形であることを特
    徴とする請求項６に記載のはんだバンプの製造方法。
  12. 【請求項１２】 該凹部（１２）が定められた位置に最
    深部を有することを特徴とする請求項８に記載のはんだ
    バンプの製造方法。
  13. 【請求項１３】 該凹部（１２）が深さが深くなるにつ
    れて輪郭形状が小さくなることを特徴とする請求項１２
    に記載のはんだバンプの製造方法。
  14. 【請求項１４】 該凹部（１２）が深さが深くなるにつ
    れて段々に輪郭形状が小さくなることを特徴とする請求
    項１２に記載のはんだバンプの製造方法。
  15. 【請求項１５】 はんだボール形成部材（１０）が一枚
    の板からなることを特徴とする請求項１に記載のはんだ
    バンプの製造方法。
  16. 【請求項１６】 はんだボール形成部材（１０）が重ね
    合わせた複数の板からなり、該複数の板の内の少なくと
    も一つが貫通穴を有し、該貫通穴が該凹部の一部を形成
    することを特徴とする請求項１に記載のはんだバンプの
    製造方法。
  17. 【請求項１７】 はんだボール形成部材（１０）の該凹
    部（１２）が、該平坦な表面（１０ａ）における輪郭形
    状と、底部と、該平坦な表面と該底部とを接続する環状
    側壁部とからなり、はんだボール形成部材が取り外し可
    能に重ね合わせた第１及び第２の板からなり、該第１の
    板が該平坦な表面と該凹部の環状側壁部を形成する貫通
    穴とを有し、該第２の板の表面が該凹部の底部を形成
    し、 該はんだボールを転写する工程が、はんだボールが該第
    １の板に保持された状態で該第２の板を該第１の板から
    遠ざける工程と、該はんだバンプを形成すべき部材を該
    第１の板の該平坦な表面とは反対側の表面に相対的に近
    づける工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の
    はんだバンプの製造方法。
  18. 【請求項１８】 該はんだボールを転写する工程が、さ
    らに該第１の板に保持されたはんだボールを該はんだバ
    ンプを形成すべき部材に向かって押し出す工程を含むこ
    とを特徴とする請求項１７に記載のはんだバンプの製造
    方法。
  19. 【請求項１９】 平坦な表面（１０ａ）と、該平坦な表
    面に所定のパターンで配置された複数の凹部（１２）と
    を有するはんだボール形成部材（１０）を準備し、 はんだボール形成部材（１０）の凹部（１２）にはんだ
    粒子（１６）とフラックス（１５）とからなるはんだペ
    ースト（１４）を充填し、 はんだボール形成部材（１０）を加熱して各凹部内（１
    ２）のはんだペースト（１４）中に含まれるはんだ粒子
    が溶融して表面張力により丸まったはんだボール（２
    ０）を形成し、 はんだボール形成部材（１０）を冷却し、 はんだボール（２０）をはんだボール形成部材（１０）
    の凹部（１２）から取り出すことを特徴とするはんだボ
    ールの製造方法。
  20. 【請求項２０】 はんだボール形成部材の凹部にはんだ
    ペーストを充填する工程が、はんだボール形成部材の該
    平坦な表面に沿ってスキージ（１８）を移動させること
    を特徴とする請求項１９に記載のはんだボールの製造方
    法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH104127A (ja) * 1996-04-16 1998-01-06 Ngk Spark Plug Co Ltd 半田バンプを有する基板の製造方法
WO1999009590A1 (en) * 1997-08-19 1999-02-25 Hitachi, Ltd. Method for forming bump electrode and method for manufacturing semiconductor device
JP2000517104A (ja) * 1996-08-27 2000-12-19 パック テック―パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー 選択的はんだ付けのためのプロセス
KR20030070342A (ko) * 2002-02-25 2003-08-30 최록일 반도체 소자의 솔더볼 형성장치 및 그 탑재방법
US6653219B2 (en) 2000-01-13 2003-11-25 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing bump electrodes and a method of manufacturing a semiconductor device
DE102004041026A1 (de) * 2004-08-25 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines oder mehrerer Kontakthügel auf einer Substratscheibe
JP2008187211A (ja) * 1996-08-27 2008-08-14 Nippon Steel Materials Co Ltd 低融点金属のバンプを備えた半導体装置及びフリップチップボンディング方法
JPWO2015052780A1 (ja) * 2013-10-08 2017-03-09 リンテック株式会社 電子部品実装体の製造方法
JP2017157626A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 三菱マテリアル株式会社 はんだバンプの形成方法
JPWO2021131905A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01
WO2021131897A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 昭和電工マテリアルズ株式会社 はんだバンプ形成用部材、はんだバンプ形成用部材の製造方法、及びはんだバンプ付き電極基板の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105489511B (zh) * 2015-11-30 2019-01-25 苏州瑞而美光电科技有限公司 标径bga封装金属焊球的制备方法及模具

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH104127A (ja) * 1996-04-16 1998-01-06 Ngk Spark Plug Co Ltd 半田バンプを有する基板の製造方法
JP2000517104A (ja) * 1996-08-27 2000-12-19 パック テック―パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー 選択的はんだ付けのためのプロセス
JP2008187211A (ja) * 1996-08-27 2008-08-14 Nippon Steel Materials Co Ltd 低融点金属のバンプを備えた半導体装置及びフリップチップボンディング方法
WO1999009590A1 (en) * 1997-08-19 1999-02-25 Hitachi, Ltd. Method for forming bump electrode and method for manufacturing semiconductor device
US6335271B1 (en) 1997-08-19 2002-01-01 Hitachi, Ltd. Method of forming semiconductor device bump electrodes
US6653219B2 (en) 2000-01-13 2003-11-25 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing bump electrodes and a method of manufacturing a semiconductor device
KR20030070342A (ko) * 2002-02-25 2003-08-30 최록일 반도체 소자의 솔더볼 형성장치 및 그 탑재방법
DE102004041026A1 (de) * 2004-08-25 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines oder mehrerer Kontakthügel auf einer Substratscheibe
JPWO2015052780A1 (ja) * 2013-10-08 2017-03-09 リンテック株式会社 電子部品実装体の製造方法
JP2017157626A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 三菱マテリアル株式会社 はんだバンプの形成方法
JPWO2021131905A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01
WO2021131905A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 昭和電工マテリアルズ株式会社 はんだバンプ形成用部材、はんだバンプ形成用部材の製造方法、及びはんだバンプ付き電極基板の製造方法
WO2021131897A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 昭和電工マテリアルズ株式会社 はんだバンプ形成用部材、はんだバンプ形成用部材の製造方法、及びはんだバンプ付き電極基板の製造方法
JPWO2021131897A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01
CN115053330A (zh) * 2019-12-27 2022-09-13 昭和电工材料株式会社 焊料凸块形成用部件、焊料凸块形成用部件的制造方法及带焊料凸块的电极基板的制造方法
CN115152007A (zh) * 2019-12-27 2022-10-04 昭和电工材料株式会社 焊料凸块形成用部件、焊料凸块形成用部件的制造方法及带焊料凸块的电极基板的制造方法
US20230042727A1 (en) * 2019-12-27 2023-02-09 Showa Denko Materials Co., Ltd. Solder bump forming member, method for manufacturing solder bump forming member, and method for manufacturing electrode substrate provided with solder bump
US12246398B2 (en) 2019-12-27 2025-03-11 Resonac Corporation Solder bump forming member, method for manufacturing solder bump forming member, and method for manufacturing electrode substrate provided with solder bump
JP2025092692A (ja) * 2019-12-27 2025-06-19 株式会社レゾナック はんだバンプ形成用部材、はんだバンプ形成用部材の製造方法、及びはんだバンプ付き電極基板の製造方法

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