JPH07252633A - 黒色膜 - Google Patents
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- JPH07252633A JPH07252633A JP6993994A JP6993994A JPH07252633A JP H07252633 A JPH07252633 A JP H07252633A JP 6993994 A JP6993994 A JP 6993994A JP 6993994 A JP6993994 A JP 6993994A JP H07252633 A JPH07252633 A JP H07252633A
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Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
［目的］ 高真空下に加熱状態で使用されてもそれ自身
からのガス放出はなく、かつ輻射率が低下せず安定して
おり、更には基板への密着性の良好な黒色膜及びその製
造方法を提供すること。 ［構成］ イオンプレーティング、真空蒸着、その他の
真空成膜によって、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ
％未満の鉄酸化物（Ｆｅ−Ｏ）膜を基板上に形成させ
る。必要に応じ、基板上に中間層を形成させる、または
基板を粗面化するなどによって黒色膜の密着性を高め
る。
からのガス放出はなく、かつ輻射率が低下せず安定して
おり、更には基板への密着性の良好な黒色膜及びその製
造方法を提供すること。 ［構成］ イオンプレーティング、真空蒸着、その他の
真空成膜によって、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ
％未満の鉄酸化物（Ｆｅ−Ｏ）膜を基板上に形成させ
る。必要に応じ、基板上に中間層を形成させる、または
基板を粗面化するなどによって黒色膜の密着性を高め
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は黒色膜に関するものであ
り、更に詳しくは他物体からの輻射熱を効率よく吸収す
る黒色膜に関するものである。
り、更に詳しくは他物体からの輻射熱を効率よく吸収す
る黒色膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】従来、黒色膜の形成方法
としては、黒色塗装や、黒ニッケル鍍金、黒クロム鍍金
などの湿式鍍金が知られている。しかし、これらの方法
による黒色膜は膜中に多量の放出ガス成分を含んでお
り、高真空下で加熱状態となるＸ線管球の内面黒化膜な
どに使用される場合には、多量のガスを放出して真空度
を低下させ、また、熱によって膜自身が分解ないしは還
元されて輻射率が低下し、発熱体からの輻射熱を吸収し
にくくなるので、黒色膜として不満足なものである。そ
して現在に至るも、高真空下、加熱状態での使用に耐え
る黒色膜は知られていない。
としては、黒色塗装や、黒ニッケル鍍金、黒クロム鍍金
などの湿式鍍金が知られている。しかし、これらの方法
による黒色膜は膜中に多量の放出ガス成分を含んでお
り、高真空下で加熱状態となるＸ線管球の内面黒化膜な
どに使用される場合には、多量のガスを放出して真空度
を低下させ、また、熱によって膜自身が分解ないしは還
元されて輻射率が低下し、発熱体からの輻射熱を吸収し
にくくなるので、黒色膜として不満足なものである。そ
して現在に至るも、高真空下、加熱状態での使用に耐え
る黒色膜は知られていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、輻射率が大きく、高真空下、特に高真
空下に加熱状態で使用された場合にも、放出ガスは極め
て少なく、輻射率も低下しない黒色膜、更には基板への
密着性に優れた黒色膜を提供することを目的とする。
に鑑みてなされ、輻射率が大きく、高真空下、特に高真
空下に加熱状態で使用された場合にも、放出ガスは極め
て少なく、輻射率も低下しない黒色膜、更には基板への
密着性に優れた黒色膜を提供することを目的とする。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】以上の目的は、真空蒸
着、反応性蒸着、イオンプレーティング及びスパッタリ
ングの何れかによる真空成膜によって基板上に形成さ
れ、その酸素含有量が２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満の
範囲にある鉄酸化物の膜であることを特徴とする黒色
膜、によって達成される。
着、反応性蒸着、イオンプレーティング及びスパッタリ
ングの何れかによる真空成膜によって基板上に形成さ
れ、その酸素含有量が２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満の
範囲にある鉄酸化物の膜であることを特徴とする黒色
膜、によって達成される。
【０００５】
【作用】真空蒸着、反応性蒸着、イオンプレーティン
グ、スパッタリング等の真空成膜によって基板上に形成
させ、かつ酸素含有量を限定した鉄酸化物の黒色膜とし
ているので、高真空下に加熱状態で使用されても殆どガ
スを放出せず、かつ安定して大きい輻射率を与える。
グ、スパッタリング等の真空成膜によって基板上に形成
させ、かつ酸素含有量を限定した鉄酸化物の黒色膜とし
ているので、高真空下に加熱状態で使用されても殆どガ
スを放出せず、かつ安定して大きい輻射率を与える。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の黒色膜について、各実施例に
よって説明する。
よって説明する。
【０００７】（実施例１）本実施例は高周波励起法によ
るイオンプレーティングによって基板上に鉄酸化物の黒
色膜を形成した一例である。
るイオンプレーティングによって基板上に鉄酸化物の黒
色膜を形成した一例である。
【０００８】基板として鏡面研磨したＣｕ（銅）板を用
い、そのＣｕ板を真空処理室内の上方に配置し、その下
方にＦｅ（鉄）ペレットを充填した蒸発源を配設した。
い、そのＣｕ板を真空処理室内の上方に配置し、その下
方にＦｅ（鉄）ペレットを充填した蒸発源を配設した。
【０００９】次に、真空処理室内を排気した後、Ａｒ
（アルゴン）ガスを導入してＡｒ分圧を４×１０-4Ｔｏ
ｒｒに維持し、蒸発源よりＦｅを加熱蒸発させると共
に、蒸発源と基板の間に配設した高周波コイルに２００
Ｗの高周波電力を印加し、更にＣｕ板に−２ｋＶを印加
した。この状態でＯ2 （酸素）ガスを流量を調節して導
入し、真空処理室内のＯ2 分圧を変えることによって、
Ｃｕ板上に酸素含有量の異なる、厚さ１〜３μｍのＦｅ
−Ｏ（鉄酸化物）黒色膜を形成させた。
（アルゴン）ガスを導入してＡｒ分圧を４×１０-4Ｔｏ
ｒｒに維持し、蒸発源よりＦｅを加熱蒸発させると共
に、蒸発源と基板の間に配設した高周波コイルに２００
Ｗの高周波電力を印加し、更にＣｕ板に−２ｋＶを印加
した。この状態でＯ2 （酸素）ガスを流量を調節して導
入し、真空処理室内のＯ2 分圧を変えることによって、
Ｃｕ板上に酸素含有量の異なる、厚さ１〜３μｍのＦｅ
−Ｏ（鉄酸化物）黒色膜を形成させた。
【００１０】形成された黒色膜としての光学特性、すな
わちＦｅ−Ｏ黒色膜の測定波長１．１μｍにおける輻射
率（但し、輻射率＝１−反射率とし、１００％の反射率
を１．０と定義する。）と酸素含有量との関係を測定
し、その結果を図１に示した。図１から明らかなよう
に、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満の範囲で
輻射率０．７以上を示した。
わちＦｅ−Ｏ黒色膜の測定波長１．１μｍにおける輻射
率（但し、輻射率＝１−反射率とし、１００％の反射率
を１．０と定義する。）と酸素含有量との関係を測定
し、その結果を図１に示した。図１から明らかなよう
に、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満の範囲で
輻射率０．７以上を示した。
【００１１】また、これら黒色膜試料について、室温下
で、セロハン粘着テープによる剥離テストを行なった
が、膜は剥離せず良好な密着性を示した。
で、セロハン粘着テープによる剥離テストを行なった
が、膜は剥離せず良好な密着性を示した。
【００１２】更に、この黒色膜を真空中において７００
℃、２時間の条件で焼鈍したが、黒色膜からの放出ガス
による圧力上昇は認められず、また、焼鈍後の輻射率は
焼鈍前の輻射率と同程度であった。ただ、セロハン粘着
テープによるテストでは、黒色膜の一部が剥離した。焼
鈍時における熱応力が原因と思われる。
℃、２時間の条件で焼鈍したが、黒色膜からの放出ガス
による圧力上昇は認められず、また、焼鈍後の輻射率は
焼鈍前の輻射率と同程度であった。ただ、セロハン粘着
テープによるテストでは、黒色膜の一部が剥離した。焼
鈍時における熱応力が原因と思われる。
【００１３】（実施例２）基板として実施例１における
鏡面研磨Ｃｕ板に代え、表面をドライホーニングにより
粗面化したＣｕ板を使用した。それ以外は実施例１と全
く同様の手順でイオンプレーティングによってＣｕ板上
に厚さ１〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ
％未満のＦｅ−Ｏ黒色膜を形成した。なお、粗面化した
Ｃｕ板の表面粗さはＲｍａｘ＝２μｍ以上であった。
鏡面研磨Ｃｕ板に代え、表面をドライホーニングにより
粗面化したＣｕ板を使用した。それ以外は実施例１と全
く同様の手順でイオンプレーティングによってＣｕ板上
に厚さ１〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ
％未満のＦｅ−Ｏ黒色膜を形成した。なお、粗面化した
Ｃｕ板の表面粗さはＲｍａｘ＝２μｍ以上であった。
【００１４】これによって得た黒色膜は輻射率が０．７
以上であり、真空下、７００℃、２時間の焼鈍によって
も、輻射率の低下を示さず、セロハン粘着テープによる
テストによって膜は剥離しなかった。Ｃｕ板を粗面化し
たことによる、密着面積の増大及び投錨効果によって密
着性が改善されたものと思われる。
以上であり、真空下、７００℃、２時間の焼鈍によって
も、輻射率の低下を示さず、セロハン粘着テープによる
テストによって膜は剥離しなかった。Ｃｕ板を粗面化し
たことによる、密着面積の増大及び投錨効果によって密
着性が改善されたものと思われる。
【００１５】（実施例３）基板として前記実施例１と同
様の鏡面研磨Ｃｕ板を使用し、そのＣｕ板を真空処理室
内の上方に配置し、その下方にＦｅの蒸発源とは別にＮ
ｉ（ニッケル）ペレットを充填した蒸発源を配設した。
そして、予めＯ2 ガスを導入せずに、Ｎｉを加熱蒸発さ
せ、高周波励起法によるイオンプレーティングによって
Ｃｕ板上に中間層として厚さ０．１〜０．５μｍのＮｉ
膜を形成した以外は前記実施例１と同様の方法で厚さ１
〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満の
Ｆｅ−Ｏの黒色膜を形成させた。
様の鏡面研磨Ｃｕ板を使用し、そのＣｕ板を真空処理室
内の上方に配置し、その下方にＦｅの蒸発源とは別にＮ
ｉ（ニッケル）ペレットを充填した蒸発源を配設した。
そして、予めＯ2 ガスを導入せずに、Ｎｉを加熱蒸発さ
せ、高周波励起法によるイオンプレーティングによって
Ｃｕ板上に中間層として厚さ０．１〜０．５μｍのＮｉ
膜を形成した以外は前記実施例１と同様の方法で厚さ１
〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満の
Ｆｅ−Ｏの黒色膜を形成させた。
【００１６】これによって得た黒色膜は輻射率が０．７
以上であった。又、真空中で７００℃、２時間の焼鈍を
行なった後、輻射率を測定し、セロハン粘着テープによ
る剥離テストを行なったが、輻射率は０．７以上であ
り、膜の剥離も発生しなかった。良好な密着性はＣｕ板
と中間層のＮｉ膜との界面、Ｎｉ膜とＦｅ−Ｏ膜との界
面に合金層が形成されたことによると思われる。
以上であった。又、真空中で７００℃、２時間の焼鈍を
行なった後、輻射率を測定し、セロハン粘着テープによ
る剥離テストを行なったが、輻射率は０．７以上であ
り、膜の剥離も発生しなかった。良好な密着性はＣｕ板
と中間層のＮｉ膜との界面、Ｎｉ膜とＦｅ−Ｏ膜との界
面に合金層が形成されたことによると思われる。
【００１７】（実施例４）実施例３における中間層とし
てＮｉの代わりに、Ｃｒ（クロム）を用いた以外は前記
実施例３と同様にして黒色膜を形成した。すなわち、鏡
面研磨したＣｕ板上に厚さ０．１〜０．５μｍのＣｒ膜
を形成し、その上に厚さ１〜３μｍ、酸素含有量２０％
ａｔ以上６０ａｔ％未満のＦｅ−Ｏの黒色膜を形成し
た。
てＮｉの代わりに、Ｃｒ（クロム）を用いた以外は前記
実施例３と同様にして黒色膜を形成した。すなわち、鏡
面研磨したＣｕ板上に厚さ０．１〜０．５μｍのＣｒ膜
を形成し、その上に厚さ１〜３μｍ、酸素含有量２０％
ａｔ以上６０ａｔ％未満のＦｅ−Ｏの黒色膜を形成し
た。
【００１８】この黒色膜は輻射率が０．７以上であり、
真空中での７００℃、２時間の焼鈍後においても、輻射
率０．７以上を示し、セロハン粘着テープによるテスト
で剥離しなかった。良好な密着性はＣｕ板と中間層のＣ
ｒ膜との界面、Ｃｒ膜とＦｅ−Ｏ膜との界面に合金層が
形成されたことによると思われる。
真空中での７００℃、２時間の焼鈍後においても、輻射
率０．７以上を示し、セロハン粘着テープによるテスト
で剥離しなかった。良好な密着性はＣｕ板と中間層のＣ
ｒ膜との界面、Ｃｒ膜とＦｅ−Ｏ膜との界面に合金層が
形成されたことによると思われる。
【００１９】（実施例５）前記実施例３における中間層
のＮｉ膜に代え、鏡面研磨Ｃｕ板上にＦｅ（鉄）膜を形
成した以外は、実施例３と同様にＦｅ膜上に厚さ１〜３
μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満のＦｅ
−Ｏの黒色膜を形成させた。
のＮｉ膜に代え、鏡面研磨Ｃｕ板上にＦｅ（鉄）膜を形
成した以外は、実施例３と同様にＦｅ膜上に厚さ１〜３
μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満のＦｅ
−Ｏの黒色膜を形成させた。
【００２０】この黒色膜は輻射率０．７以上であり、真
空中での７００℃、２時間の焼鈍後においても輻射率は
低下せず、セロハン粘着テープによる剥離も発生しなか
った。
空中での７００℃、２時間の焼鈍後においても輻射率は
低下せず、セロハン粘着テープによる剥離も発生しなか
った。
【００２１】（実施例６）前記実施例３における中間層
のＮｉ膜に代えて、鏡面研磨Ｃｕ板上にＴｉ（チタン）
膜を形成した以外は実施例３と同様にＴｉ膜上に厚さ１
〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満の
Ｆｅ−Ｏの黒色膜を形成させた。
のＮｉ膜に代えて、鏡面研磨Ｃｕ板上にＴｉ（チタン）
膜を形成した以外は実施例３と同様にＴｉ膜上に厚さ１
〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満の
Ｆｅ−Ｏの黒色膜を形成させた。
【００２２】この黒色膜も輻射率０．７以上で、真空中
での７００℃、２時間の焼鈍によっても輻射率は変わら
ず、セロハン粘着テープによるテストでも剥離しなかっ
た。
での７００℃、２時間の焼鈍によっても輻射率は変わら
ず、セロハン粘着テープによるテストでも剥離しなかっ
た。
【００２３】（実施例７）実施例３のＮｉの代わりに、
Ｐｄ（パラジウム）又は、Ｐｔ（白金）を用いて中間層
を形成した鏡面研磨Ｃｕ板を別々に用意し、これらの上
へ、実施例３と同様の手順で形成した厚さ１〜３μｍ、
酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満のＦｅ−Ｏの
黒色膜は何れも輻射率０．７以上であり、真空中での７
００℃、２時間の焼鈍に耐え、輻射率の低下、セロハン
粘着テープによる剥離を示さなかった。
Ｐｄ（パラジウム）又は、Ｐｔ（白金）を用いて中間層
を形成した鏡面研磨Ｃｕ板を別々に用意し、これらの上
へ、実施例３と同様の手順で形成した厚さ１〜３μｍ、
酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満のＦｅ−Ｏの
黒色膜は何れも輻射率０．７以上であり、真空中での７
００℃、２時間の焼鈍に耐え、輻射率の低下、セロハン
粘着テープによる剥離を示さなかった。
【００２４】（実施例８）前記実施例３における中間層
のＮｉ膜に代えて、鏡面研磨Ｃｕ板上にそれぞれＮｉ
膜、Ｃｒ膜、Ｔｉ膜、Ｐｄ膜、Ｐｔ膜を形成させ、それ
ぞれの上にＦｅ膜を積層した。すなわち、Ｆｅ／Ｎｉ積
層膜、Ｆｅ／Ｃｒ積層膜、Ｆｅ／Ｔｉ積層膜、Ｆｅ／Ｐ
ｄ積層膜、Ｆｅ／Ｐｔ積層膜を中間層として形成させ
た。これら中間層の上へ実施例１と同様の方法で厚さ１
〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満の
Ｆｅ−Ｏの黒色膜を形成させた。
のＮｉ膜に代えて、鏡面研磨Ｃｕ板上にそれぞれＮｉ
膜、Ｃｒ膜、Ｔｉ膜、Ｐｄ膜、Ｐｔ膜を形成させ、それ
ぞれの上にＦｅ膜を積層した。すなわち、Ｆｅ／Ｎｉ積
層膜、Ｆｅ／Ｃｒ積層膜、Ｆｅ／Ｔｉ積層膜、Ｆｅ／Ｐ
ｄ積層膜、Ｆｅ／Ｐｔ積層膜を中間層として形成させ
た。これら中間層の上へ実施例１と同様の方法で厚さ１
〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満の
Ｆｅ−Ｏの黒色膜を形成させた。
【００２５】これらの黒色膜は輻射率０．８以上を有
し、真空中での７００℃、２時間の焼鈍後も、輻射率
０．８以上を示し、セロハン粘着テープによるテストで
剥離しなかった。
し、真空中での７００℃、２時間の焼鈍後も、輻射率
０．８以上を示し、セロハン粘着テープによるテストで
剥離しなかった。
【００２６】（実施例９）本実施例は真空蒸着によって
基板上に鉄酸化物の黒色膜を形成した一例である。
基板上に鉄酸化物の黒色膜を形成した一例である。
【００２７】基板として表面を鏡面研磨したＣｕ板を真
空処理室内の上方に配置し、その下方にＮｉの蒸発源
と、Ｆｅ3 Ｏ4 （四三酸化鉄）の蒸発源を配設した。
空処理室内の上方に配置し、その下方にＮｉの蒸発源
と、Ｆｅ3 Ｏ4 （四三酸化鉄）の蒸発源を配設した。
【００２８】次に、真空処理室内を１×１０-5Ｔｏｒｒ
以下に排気した後、Ａｒガスを導入して圧力を１×１０
-2Ｔｏｒｒにすると共に、基板としてのＣｕ板に−２Ｋ
Ｖを印加し、基板表面のスパッタ・クリーニングを１０
分間行なった。
以下に排気した後、Ａｒガスを導入して圧力を１×１０
-2Ｔｏｒｒにすると共に、基板としてのＣｕ板に−２Ｋ
Ｖを印加し、基板表面のスパッタ・クリーニングを１０
分間行なった。
【００２９】スパッタ・クリーニング後、Ａｒガスを排
気し、Ｎｉを加熱蒸発させてＣｕ板上に中間層として厚
さ０．５μｍのＮｉ膜を形成した。続いてＦｅ3 Ｏ4 を
加熱蒸発させ、Ｎｉ膜上に厚さ１〜３μｍ、酸素含有量
２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満のＦｅ−Ｏ膜を形成し
た。このＦｅ−Ｏ膜は輻射率０．８の黒色膜であり、真
空中における７００℃、２時間の焼鈍によっても輻射率
は低下せず、かつ良好な密着性を維持していた。
気し、Ｎｉを加熱蒸発させてＣｕ板上に中間層として厚
さ０．５μｍのＮｉ膜を形成した。続いてＦｅ3 Ｏ4 を
加熱蒸発させ、Ｎｉ膜上に厚さ１〜３μｍ、酸素含有量
２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満のＦｅ−Ｏ膜を形成し
た。このＦｅ−Ｏ膜は輻射率０．８の黒色膜であり、真
空中における７００℃、２時間の焼鈍によっても輻射率
は低下せず、かつ良好な密着性を維持していた。
【００３０】（実施例１０）本実施例は、反応性蒸着に
よって基板上に鉄酸化物の黒色膜を形成した一例であ
る。
よって基板上に鉄酸化物の黒色膜を形成した一例であ
る。
【００３１】基板として表面を鏡面研磨したＣｕ板を真
空処理室内の上方に配置し、その下方にＮｉの蒸発源と
Ｆｅの蒸発源を配設した。
空処理室内の上方に配置し、その下方にＮｉの蒸発源と
Ｆｅの蒸発源を配設した。
【００３２】以下、実施例９と同様の手順で、Ｃｕ板上
に中間層として厚さ０．５μｍのＮｉ膜を形成した。そ
の後、Ｆｅを加熱蒸発させると共に、Ｏ2 ガスを導入し
て真空処理室内の圧力を２×１０-4Ｔｏｒｒとし、反応
性蒸着を行なってＮｉ膜の上へ厚さ１〜３μｍ、酸素含
有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満のＦｅ−Ｏの黒色膜
を形成させた。
に中間層として厚さ０．５μｍのＮｉ膜を形成した。そ
の後、Ｆｅを加熱蒸発させると共に、Ｏ2 ガスを導入し
て真空処理室内の圧力を２×１０-4Ｔｏｒｒとし、反応
性蒸着を行なってＮｉ膜の上へ厚さ１〜３μｍ、酸素含
有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満のＦｅ−Ｏの黒色膜
を形成させた。
【００３３】この黒色膜は輻射率が０，８であり、真空
中において７００℃、２時間の焼鈍を行なった後も、輻
射率０．８を示し、セロハン粘着テープによる密着テス
トによって良好な密着性を示した。
中において７００℃、２時間の焼鈍を行なった後も、輻
射率０．８を示し、セロハン粘着テープによる密着テス
トによって良好な密着性を示した。
【００３４】（実施例１１）実施例１０におけるＦｅに
代え、ＦｅＯ（酸化鉄）を用いた以外は実施例１０と全
く同様の方法で、厚さ１〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ
％以上６０ａｔ％未満のＦｅ−Ｏの黒色膜を形成させ
た。
代え、ＦｅＯ（酸化鉄）を用いた以外は実施例１０と全
く同様の方法で、厚さ１〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ
％以上６０ａｔ％未満のＦｅ−Ｏの黒色膜を形成させ
た。
【００３５】この黒色膜は輻射率が０．９以上であっ
た。又、この黒色膜を真空下で焼鈍（７００℃、２時
間）したが、輻射率は０．９以上を示し、セロハン粘着
テープによっても良好な密着性を示した。
た。又、この黒色膜を真空下で焼鈍（７００℃、２時
間）したが、輻射率は０．９以上を示し、セロハン粘着
テープによっても良好な密着性を示した。
【００３６】（実施例１２）本実施例は、スパッタリン
グによって基板上に鉄酸化物の黒色膜を形成した一例で
ある。
グによって基板上に鉄酸化物の黒色膜を形成した一例で
ある。
【００３７】基板として表面を鏡面研磨したＣｕ板を用
い、そのＣｕ板を真空処理室内の上方に配置し、その下
方に２基のＲＦ（高周波）マグネトロンカソードを配設
すると共に、一方のカソードにＮｉターゲットを、他方
のカソードにＦｅターゲットをそれぞれ装着した。
い、そのＣｕ板を真空処理室内の上方に配置し、その下
方に２基のＲＦ（高周波）マグネトロンカソードを配設
すると共に、一方のカソードにＮｉターゲットを、他方
のカソードにＦｅターゲットをそれぞれ装着した。
【００３８】次に、真空処理室内を圧力１×１０-5Ｔｏ
ｒｒ以下に排気した後、Ａｒガスを導入して圧力を５×
１０-3Ｔｏｒｒ程度とし、基板としてのＣｕ板に−２Ｋ
Ｖを印加して１０分間のスパッタ・クリーニングを行な
った。
ｒｒ以下に排気した後、Ａｒガスを導入して圧力を５×
１０-3Ｔｏｒｒ程度とし、基板としてのＣｕ板に−２Ｋ
Ｖを印加して１０分間のスパッタ・クリーニングを行な
った。
【００３９】スパッタ・クリーニングの後、Ｎｉターゲ
ットを装着したＲＦマグネトロンカソードにＲＦ電力を
印加して、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより、Ｃ
ｕ板上に中間層として厚さ０．５μｍのＮｉ膜を形成し
た。次に、再度、圧力を１×１０-5Ｔｏｒｒに排気し、
Ｆｅターゲットを装着したＲＦマグネトロンカソードに
ＲＦ電力を印加すると共に、真空処理室内にＯ2 ガスを
導入し圧力５×１０-5Ｔｏｒｒとして、Ｎｉ膜上に厚さ
１〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満
のＦｅ−Ｏの黒色膜を形成させた。
ットを装着したＲＦマグネトロンカソードにＲＦ電力を
印加して、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより、Ｃ
ｕ板上に中間層として厚さ０．５μｍのＮｉ膜を形成し
た。次に、再度、圧力を１×１０-5Ｔｏｒｒに排気し、
Ｆｅターゲットを装着したＲＦマグネトロンカソードに
ＲＦ電力を印加すると共に、真空処理室内にＯ2 ガスを
導入し圧力５×１０-5Ｔｏｒｒとして、Ｎｉ膜上に厚さ
１〜３μｍ、酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満
のＦｅ−Ｏの黒色膜を形成させた。
【００４０】この黒色膜は輻射率が０．８以上であっ
た。又、真空中における７００℃、２時間の焼鈍後に行
なったテストで、輻射率は０．８以上と変わらず、セロ
ハン粘着テープ剥離に耐える密着性を示した。
た。又、真空中における７００℃、２時間の焼鈍後に行
なったテストで、輻射率は０．８以上と変わらず、セロ
ハン粘着テープ剥離に耐える密着性を示した。
【００４１】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
【００４２】例えば各実施例においては、基板にＣｕ板
を使用したが、これに限られることなく、各種の金属や
合金、ないしはガラス、セラミックスを含め一般に基板
として使用されているもの全てを基板とし得る。
を使用したが、これに限られることなく、各種の金属や
合金、ないしはガラス、セラミックスを含め一般に基板
として使用されているもの全てを基板とし得る。
【００４３】また、実施例２以外では表面を鏡面研磨し
た基板を用いたが、それらの実施例においても実施例２
と同様に表面を粗面化した基板を用いることができる。
更に粗面化の手段はドライホーニングに限定されるもの
ではない。
た基板を用いたが、それらの実施例においても実施例２
と同様に表面を粗面化した基板を用いることができる。
更に粗面化の手段はドライホーニングに限定されるもの
ではない。
【００４４】
【発明の効果】以上述べたように、従来のような湿式鍍
金などによるのではなく、真空蒸着、イオンプレーティ
ング、その他の真空成膜によって基板上に形成させた本
発明の酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満のＦｅ
−Ｏの黒色膜は輻射率が大きく、かつ真空下、加熱状態
での使用によってもガスは放出せず、輻射率も低下しな
い。また、同じ真空成膜過程において基板との間に中間
層を形成させた黒色膜や、粗面化した基板上の黒色膜は
良好な密着性を示す。
金などによるのではなく、真空蒸着、イオンプレーティ
ング、その他の真空成膜によって基板上に形成させた本
発明の酸素含有量２０ａｔ％以上６０ａｔ％未満のＦｅ
−Ｏの黒色膜は輻射率が大きく、かつ真空下、加熱状態
での使用によってもガスは放出せず、輻射率も低下しな
い。また、同じ真空成膜過程において基板との間に中間
層を形成させた黒色膜や、粗面化した基板上の黒色膜は
良好な密着性を示す。
【００４５】従って、本発明の黒色膜は特に真空成膜装
置の基板保持具やＸ線管球への使用に適している。真空
成膜装置において基板保持具で基板を加熱する場合、加
熱電力を低減することができるし、ヒータの温度を低く
し得るので、その周囲からの放出ガスを低減させる。Ｘ
線管球内面に本発明の黒色膜を形成させると、赤熱され
たターゲットからの輻射熱が効率よく回収されるので、
輻射熱によってＸ線管球内から発生する放出ガスを低減
し得る。
置の基板保持具やＸ線管球への使用に適している。真空
成膜装置において基板保持具で基板を加熱する場合、加
熱電力を低減することができるし、ヒータの温度を低く
し得るので、その周囲からの放出ガスを低減させる。Ｘ
線管球内面に本発明の黒色膜を形成させると、赤熱され
たターゲットからの輻射熱が効率よく回収されるので、
輻射熱によってＸ線管球内から発生する放出ガスを低減
し得る。
【図１】本発明による鉄酸化物黒色膜の酸素含有量と輻
射率との関係を示す図である。
射率との関係を示す図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 真空蒸着、反応性蒸着、イオンプレーテ
ィング及びスパッタリングの何れかによる真空成膜によ
って基板上に形成され、その酸素含有量が２０ａｔ％以
上６０ａｔ％未満の範囲にある鉄酸化物の膜であること
を特徴とする黒色膜。 - 【請求項２】 前記基板の表面に中間膜として、ニッケ
ル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔ
ｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）からなる
金属群から選ばれた１種の金属の単層膜が形成されてい
る請求項１に記載の黒色膜。 - 【請求項３】 前記基板の表面に中間膜として、ニッケ
ル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔ
ｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）からなる
金属群から選ばれた２種の金属からなる積層膜が形成さ
れている請求項１に記載の黒色膜。 - 【請求項４】 前記積層膜が、前記金属群の鉄（Ｆｅ）
以外の金属の１種を前記基板側として、その上へ鉄（Ｆ
ｅ）を積層した膜である請求項３に記載の黒色膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6993994A JPH07252633A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 黒色膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6993994A JPH07252633A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 黒色膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07252633A true JPH07252633A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=13417142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6993994A Pending JPH07252633A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 黒色膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07252633A (ja) |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP6993994A patent/JPH07252633A/ja active Pending
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