JPH07252649A - 光磁気記録媒体用ターゲット - Google Patents
光磁気記録媒体用ターゲットInfo
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- JPH07252649A JPH07252649A JP6559494A JP6559494A JPH07252649A JP H07252649 A JPH07252649 A JP H07252649A JP 6559494 A JP6559494 A JP 6559494A JP 6559494 A JP6559494 A JP 6559494A JP H07252649 A JPH07252649 A JP H07252649A
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- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 32
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 23
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 25
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 6
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- -1 iron group metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017060 Fe Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002544 Fe-Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N chromium iron Chemical compound [Cr].[Fe] UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲットにおいて、さらなる低透磁率化が
達成でき、マグネトロンスパッタリングに好適なターゲ
ットを提供することである。 【構成】 本発明は、希土類金属と鉄族金属を主体と
し、その組織が鉄族金属を主体とする相を含む２相以上
を有する光磁気記録媒体用ターゲットであって、前記鉄
族金属を主体とする相の一部または全部が、周期律表で
４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素から選ばれる一種以上の
元素を５０原子％以下、残部実質的にＣｏからなること
を特徴とする光磁気記録媒体用ターゲットである。望ま
しくは上述した周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに族する元
素として、ＣｒまたはＶを選択する。
達成でき、マグネトロンスパッタリングに好適なターゲ
ットを提供することである。 【構成】 本発明は、希土類金属と鉄族金属を主体と
し、その組織が鉄族金属を主体とする相を含む２相以上
を有する光磁気記録媒体用ターゲットであって、前記鉄
族金属を主体とする相の一部または全部が、周期律表で
４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素から選ばれる一種以上の
元素を５０原子％以下、残部実質的にＣｏからなること
を特徴とする光磁気記録媒体用ターゲットである。望ま
しくは上述した周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに族する元
素として、ＣｒまたはＶを選択する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体用ターゲ
ットに関し、特にマグネトロンスパッタリングに好適な
低透磁率のターゲットに関する。
ットに関し、特にマグネトロンスパッタリングに好適な
低透磁率のターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能な大容
量記録媒体として、コンピュータの記憶装置、映像情報
のファインリング、あるいは音楽用あるいはデータ記録
用のミニディスクと呼ばれる小型の記録媒体として使用
され始めてきた。これらの光磁気記録媒体は、通常希土
類金属と鉄族金属を主体とする非晶質薄膜の磁気光学効
果を用いたものである。この光磁気記録媒体となる薄膜
は、ターゲットをスパッタリングリングして形成される
のが一般的である。スパッタリングする方法にも様々あ
り、希土類金属と鉄族金属を別々なターゲットとし同時
にスパッタリングする方法（コースパッタ方式）や、あ
らかじめ薄膜として得たい元素を合金化または複合化し
たターゲットをスパッタリングする方法がある。
量記録媒体として、コンピュータの記憶装置、映像情報
のファインリング、あるいは音楽用あるいはデータ記録
用のミニディスクと呼ばれる小型の記録媒体として使用
され始めてきた。これらの光磁気記録媒体は、通常希土
類金属と鉄族金属を主体とする非晶質薄膜の磁気光学効
果を用いたものである。この光磁気記録媒体となる薄膜
は、ターゲットをスパッタリングリングして形成される
のが一般的である。スパッタリングする方法にも様々あ
り、希土類金属と鉄族金属を別々なターゲットとし同時
にスパッタリングする方法（コースパッタ方式）や、あ
らかじめ薄膜として得たい元素を合金化または複合化し
たターゲットをスパッタリングする方法がある。
【０００３】このようなターゲットのうち、特開昭６２
−７０５５０号あるいは特開昭６４−２５９７７号に記
載される希土類金属および／または希土類金属と鉄族金
属との金属間化合物または合金を主体とする希土類含有
相と、鉄族金属を主体とする金属相によって構成される
複合型ターゲットは、特開平１−１４９９５９号に記載
されるような鉄族金属を主体とする相を含まない完全合
金型のターゲットに比べ、組織制御により、膜中の組成
分布を均一化できるという利点があり広く使用されるよ
うになってきている。
−７０５５０号あるいは特開昭６４−２５９７７号に記
載される希土類金属および／または希土類金属と鉄族金
属との金属間化合物または合金を主体とする希土類含有
相と、鉄族金属を主体とする金属相によって構成される
複合型ターゲットは、特開平１−１４９９５９号に記載
されるような鉄族金属を主体とする相を含まない完全合
金型のターゲットに比べ、組織制御により、膜中の組成
分布を均一化できるという利点があり広く使用されるよ
うになってきている。
【０００４】また、ターゲットに含有される希土類金属
は極めて活性であるため、薄膜の耐食性を向上させる目
的でしばしば添加元素が加えられる。例えば、特開平１
−２４７５７１には（Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ）の１種または２種以上の添加元素を
１５原子％以下含有するターゲット材を用い、薄膜の耐
食性を向上させる方法が報告されている。
は極めて活性であるため、薄膜の耐食性を向上させる目
的でしばしば添加元素が加えられる。例えば、特開平１
−２４７５７１には（Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ）の１種または２種以上の添加元素を
１５原子％以下含有するターゲット材を用い、薄膜の耐
食性を向上させる方法が報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように鉄族金
属を主体とする相を含み、２相以上の組織を有する複合
型ターゲットは、生成した膜中の組成分布を均一化でき
るという利点があるが、鉄族金属を主体とする相として
Ｆｅ、Ｃｏなどの強磁性体が存在するため、ターゲット
材の磁化が大きく透磁率が高い。そのため、マグネトロ
ンスパッタリングに適用すると、ターゲット材表面から
発生する漏洩磁束の不足による成膜効率の低下、放電の
不安定、局所的な凹部の進行によるターゲット材使用効
率の低下などの問題点が指摘されていた。
属を主体とする相を含み、２相以上の組織を有する複合
型ターゲットは、生成した膜中の組成分布を均一化でき
るという利点があるが、鉄族金属を主体とする相として
Ｆｅ、Ｃｏなどの強磁性体が存在するため、ターゲット
材の磁化が大きく透磁率が高い。そのため、マグネトロ
ンスパッタリングに適用すると、ターゲット材表面から
発生する漏洩磁束の不足による成膜効率の低下、放電の
不安定、局所的な凹部の進行によるターゲット材使用効
率の低下などの問題点が指摘されていた。
【０００６】このため、ターゲット材の組織を制御する
ことにより透磁率を低下させ、上記問題点を解決しよう
とする種々の方策が報告されている。例えば、特開平５
−２７１９１５には鉄族金属の原料粉の平均粒径を１２
５μｍ以下に規定することにより、透磁率を低下させた
ターゲット材が報告されている。また特開平４−３６５
８６０号には、鉄族金属相に希土類元素を少量添加させ
透磁率を低下させたターゲット材が報告されている。
ことにより透磁率を低下させ、上記問題点を解決しよう
とする種々の方策が報告されている。例えば、特開平５
−２７１９１５には鉄族金属の原料粉の平均粒径を１２
５μｍ以下に規定することにより、透磁率を低下させた
ターゲット材が報告されている。また特開平４−３６５
８６０号には、鉄族金属相に希土類元素を少量添加させ
透磁率を低下させたターゲット材が報告されている。
【０００７】しかし、現在さらなる低透磁率化が要求さ
れており、上述した方策だけでは充分とはいえなくなっ
てきている。本発明の目的は、光磁気記録媒体用ターゲ
ットにおいて、さらなる低透磁率化が達成でき、マグネ
トロンスパッタリングに好適なターゲットを提供するこ
とである。
れており、上述した方策だけでは充分とはいえなくなっ
てきている。本発明の目的は、光磁気記録媒体用ターゲ
ットにおいて、さらなる低透磁率化が達成でき、マグネ
トロンスパッタリングに好適なターゲットを提供するこ
とである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鉄族金属を
主体とする相を含むターゲットにおいて、主としてキュ
リー点調整、カー回転角の増大などを目的に添加される
Ｃｏに着目し、Ｃｏを単独または鉄族金属同士の合金と
してではなく、Ｃｏに周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに属
する元素から選ばれるの一種以上の元素を５０原子％以
下添加した相として存在させると、複合型ターゲットの
透磁率を著しく低減できることを見いだし本発明に到達
した。
主体とする相を含むターゲットにおいて、主としてキュ
リー点調整、カー回転角の増大などを目的に添加される
Ｃｏに着目し、Ｃｏを単独または鉄族金属同士の合金と
してではなく、Ｃｏに周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに属
する元素から選ばれるの一種以上の元素を５０原子％以
下添加した相として存在させると、複合型ターゲットの
透磁率を著しく低減できることを見いだし本発明に到達
した。
【０００９】すなわち本発明は、希土類金属と鉄族金属
を主体とし、その組織が鉄族金属を主体とする相を含む
２相以上を有する光磁気記録媒体用ターゲットであっ
て、前記鉄族金属を主体とする相の一部または全部が、
周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素、すなわちＣ
ｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆから
選ばれる一種以上の元素を５０原子％以下、残部実質的
にＣｏからなることを特徴とする光磁気記録媒体用ター
ゲットである。
を主体とし、その組織が鉄族金属を主体とする相を含む
２相以上を有する光磁気記録媒体用ターゲットであっ
て、前記鉄族金属を主体とする相の一部または全部が、
周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素、すなわちＣ
ｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆから
選ばれる一種以上の元素を５０原子％以下、残部実質的
にＣｏからなることを特徴とする光磁気記録媒体用ター
ゲットである。
【００１０】望ましくは上述した周期律表で４Ａ、５
Ａ、６Ａに属する元素として、ＣｒまたはＶを選択す
る。たとえば６Ａ族として、Ｃrを選んだ時、本発明の
ターゲットの組織は、代表的にはＣｏ−Ｃｒ合金相、Ｆ
ｅ相がマトリックスとなるＦｅと希土類の共晶合金相に
分散した組織、あるいはＣｏ−Ｃｒ合金相と希土類金属
相とこれらの相の界面に形成した反応相とで構成される
組織となる。これらの組織は、原料粉末として、Ｃｏ−
Ｃｒの合金粉末としてＣｏ−Ｃｒの合金粉末を用いて、
この原料粉末の合金組織をターゲットの他の構成元素と
完全に反応させるのではなく、一部または全部残留させ
ることにより得ることができる。
Ａ、６Ａに属する元素として、ＣｒまたはＶを選択す
る。たとえば６Ａ族として、Ｃrを選んだ時、本発明の
ターゲットの組織は、代表的にはＣｏ−Ｃｒ合金相、Ｆ
ｅ相がマトリックスとなるＦｅと希土類の共晶合金相に
分散した組織、あるいはＣｏ−Ｃｒ合金相と希土類金属
相とこれらの相の界面に形成した反応相とで構成される
組織となる。これらの組織は、原料粉末として、Ｃｏ−
Ｃｒの合金粉末としてＣｏ−Ｃｒの合金粉末を用いて、
この原料粉末の合金組織をターゲットの他の構成元素と
完全に反応させるのではなく、一部または全部残留させ
ることにより得ることができる。
【００１１】
【作用】上述したように、本発明の最大の特徴とすると
ころは、Ｃｏを単独相または鉄族金属同士の合金相とし
てではなく、周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素
から選ばれるの一種以上の元素を５０原子％以下、残部
実質的にＣｏからなる相として存在させたことにある。
Ｃｏは、４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素と合金化するこ
とにより、強擾乱作用により著しく飽和磁化を低下させ
ることができ、ひいては透磁率を低下させることができ
る。
ころは、Ｃｏを単独相または鉄族金属同士の合金相とし
てではなく、周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素
から選ばれるの一種以上の元素を５０原子％以下、残部
実質的にＣｏからなる相として存在させたことにある。
Ｃｏは、４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素と合金化するこ
とにより、強擾乱作用により著しく飽和磁化を低下させ
ることができ、ひいては透磁率を低下させることができ
る。
【００１２】光磁気記録媒体用ターゲットには、Ｃｏの
他にＦｅを含有させる場合が多いが、Ｆｅに４Ａ、５
Ａ、６Ａに族する元素を添加してもＣｏほど飽和磁化は
低下しない。またＣｏとＦｅを合金化することは、透磁
率を逆に高めることになり好ましくない。したがって、
周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素から選ばれる
の一種以上の元素を５０原子％以下、残部実質的にＣｏ
よりなる相を存在させることが、上述した複合型ターゲ
ットの透磁率を下げる有効な手段になるのである。
他にＦｅを含有させる場合が多いが、Ｆｅに４Ａ、５
Ａ、６Ａに族する元素を添加してもＣｏほど飽和磁化は
低下しない。またＣｏとＦｅを合金化することは、透磁
率を逆に高めることになり好ましくない。したがって、
周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素から選ばれる
の一種以上の元素を５０原子％以下、残部実質的にＣｏ
よりなる相を存在させることが、上述した複合型ターゲ
ットの透磁率を下げる有効な手段になるのである。
【００１３】実際、代表的な強擾乱系であるＣｏ−Ｃｒ
系、Ｃｏ−Ｖ系では、わずかなＣｒまたはＶの添加によ
り、Ｃｏの飽和磁化は急激に低下し、室温のおいてＣｒ
およびＶを約２５ａｔ％含む組成で非磁性化することを
確認した。これに対して、Ｆｅ−Ｃｒ系では、非磁性化
するのに約９０ａｔ％添加が必要る。本発明において、
添加する元素量を５０原子％以下に限定したのは、５０
％を越えて添加してもさらなる透磁率を低下する効果が
少ないためである。
系、Ｃｏ−Ｖ系では、わずかなＣｒまたはＶの添加によ
り、Ｃｏの飽和磁化は急激に低下し、室温のおいてＣｒ
およびＶを約２５ａｔ％含む組成で非磁性化することを
確認した。これに対して、Ｆｅ−Ｃｒ系では、非磁性化
するのに約９０ａｔ％添加が必要る。本発明において、
添加する元素量を５０原子％以下に限定したのは、５０
％を越えて添加してもさらなる透磁率を低下する効果が
少ないためである。
【００１４】なお本発明における４Ａ、５Ａ、６Ａに属
する元素は、膜としての光磁気特性を劣化する元素であ
り、光磁気特性にとってはできるだけ少ない方がよい。
一方、これらの元素は膜に耐食性を付与する元素でもあ
る。したがって、要求される光磁気特性と耐食性に応じ
てターゲットとしての全体の添加元素量を決定すること
が望ましい。その上で、できるだけＣｏと合金化を行う
ことが望ましく、ターゲット中にＣｏが金属単相として
存在しないようにすることが望ましい。
する元素は、膜としての光磁気特性を劣化する元素であ
り、光磁気特性にとってはできるだけ少ない方がよい。
一方、これらの元素は膜に耐食性を付与する元素でもあ
る。したがって、要求される光磁気特性と耐食性に応じ
てターゲットとしての全体の添加元素量を決定すること
が望ましい。その上で、できるだけＣｏと合金化を行う
ことが望ましく、ターゲット中にＣｏが金属単相として
存在しないようにすることが望ましい。
【００１５】なお上述したように、ＣｒやＶをＣｏに対
して２５原子％を大きく越えて添加した合金は、すでに
非磁性となるため意味がなく、これを大きく越えない範
囲で出来るだけＣｏとの合金化を行い、耐食性等の目的
でさらにこれらの元素をさらに添加する必要があるとき
には、他の金属相である例えばＦｅとの合金化によって
Ｆｅ相の磁化を希釈することが好ましい。
して２５原子％を大きく越えて添加した合金は、すでに
非磁性となるため意味がなく、これを大きく越えない範
囲で出来るだけＣｏとの合金化を行い、耐食性等の目的
でさらにこれらの元素をさらに添加する必要があるとき
には、他の金属相である例えばＦｅとの合金化によって
Ｆｅ相の磁化を希釈することが好ましい。
【００１６】
（実施例１）Ａｒガスアトマイズ法により表１および表
２に示す原料粉末を準備した。なお、純Ｃｒ粉および純
Ｖ粉は市販の３Ｎ級を使用した。次に、各原料粉末をふ
るい（＃１００、目開き１５０μｍ）を用いて分級した
後、表１ないし表２に示すターゲット材組成となるよう
に、各原料粉を秤量し、Ｖ型ブレンダーを用いてＡｒ雰
囲気中で混合を行った。得られた混合粉を軟鋼製カプセ
ルに充填し、熱間静水圧プレス（以下ＨＩＰと記す）で
加圧・焼結した。ＨＩＰ条件は温度６６５℃、圧力９８
ＭＰａ、５時間保持である。次に、得られた焼結体試
料、直流磁束計を用いて印加磁場１２５Ａ／ｍでＢ−Ｈ
ループを測定し、飽和磁束密度（Ｂｓ）と最大透磁率
（μmax）を求めた。結果を表１ないし表２に示す。
２に示す原料粉末を準備した。なお、純Ｃｒ粉および純
Ｖ粉は市販の３Ｎ級を使用した。次に、各原料粉末をふ
るい（＃１００、目開き１５０μｍ）を用いて分級した
後、表１ないし表２に示すターゲット材組成となるよう
に、各原料粉を秤量し、Ｖ型ブレンダーを用いてＡｒ雰
囲気中で混合を行った。得られた混合粉を軟鋼製カプセ
ルに充填し、熱間静水圧プレス（以下ＨＩＰと記す）で
加圧・焼結した。ＨＩＰ条件は温度６６５℃、圧力９８
ＭＰａ、５時間保持である。次に、得られた焼結体試
料、直流磁束計を用いて印加磁場１２５Ａ／ｍでＢ−Ｈ
ループを測定し、飽和磁束密度（Ｂｓ）と最大透磁率
（μmax）を求めた。結果を表１ないし表２に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】表１に示す本発明の試料１は、表１に示す
目標組成に要求されるＣｏをＣｏ−Ｃｒ系合金で磁性が
なくなるＣｒ２５原子％添加し、全体組成で余剰のＣｒ
をＦｅと合金化したものである。これに対し、比較例の
試料２は強磁性を有する鉄族金属であるＦｅおよびＣｏ
を単独で存在させ、耐食性改善元素であるＣｒを単体の
まま存在させたものである。また比較例の試料３は、Ｃ
ｒをＦｅとの合金として存在させたものである。本発明
の試料１の典型的なミクロ組織写真を図１およびそのス
ケッチ図を図２に示す。
目標組成に要求されるＣｏをＣｏ−Ｃｒ系合金で磁性が
なくなるＣｒ２５原子％添加し、全体組成で余剰のＣｒ
をＦｅと合金化したものである。これに対し、比較例の
試料２は強磁性を有する鉄族金属であるＦｅおよびＣｏ
を単独で存在させ、耐食性改善元素であるＣｒを単体の
まま存在させたものである。また比較例の試料３は、Ｃ
ｒをＦｅとの合金として存在させたものである。本発明
の試料１の典型的なミクロ組織写真を図１およびそのス
ケッチ図を図２に示す。
【００２０】典型的な例として図１に示すように、本発
明および比較例とも原料粉末がその組織が破壊されるこ
となく焼結した組織を有するものであった。図１におい
て黒色相は７０Ｔｂ−３０Ｆｅ共晶合金粉末を起源とす
る相であり、実質的にαＴｂとＦｅ２Ｔｂが微細に分散
した急冷共晶組織を有している。また図中白色の粒は、
４Ｔｂ−９６Ｆｅ，７４Ｆｅ−２６Ｃｒ，７５Ｃｏ−２
５Ｃｒのいずれかの相であり、この組織写真のみからは
特定されないが、局所Ｘ線分析装置により特定すること
ができるものである。また鉄族金属を主体とする相と共
晶合金を主体とする相の界面には、焼結により極薄い金
属間化合物が生成していることが確認された。
明および比較例とも原料粉末がその組織が破壊されるこ
となく焼結した組織を有するものであった。図１におい
て黒色相は７０Ｔｂ−３０Ｆｅ共晶合金粉末を起源とす
る相であり、実質的にαＴｂとＦｅ２Ｔｂが微細に分散
した急冷共晶組織を有している。また図中白色の粒は、
４Ｔｂ−９６Ｆｅ，７４Ｆｅ−２６Ｃｒ，７５Ｃｏ−２
５Ｃｒのいずれかの相であり、この組織写真のみからは
特定されないが、局所Ｘ線分析装置により特定すること
ができるものである。また鉄族金属を主体とする相と共
晶合金を主体とする相の界面には、焼結により極薄い金
属間化合物が生成していることが確認された。
【００２１】表１に示すように、例えば本発明の試料１
とＣｒを単体で存在させた試料２と比較すると、本発明
の方が大幅な透磁率の低下となり、ＣｏとＣｒの合金を
使用することが透磁率を下げるという目的に対して有効
であることが確認された。また本発明の試料１とＣｒを
Ｆｅとの合金として存在させた比較例の試料３とを比較
すると試料３はＣｒを単体で存在させた試料２によりも
透磁率の低下は達成できているものの本発明よりも透磁
率の低下は少なく、ＣｏとＣｒの合金相を存在させるこ
とはターゲットの透磁率を低下する目的にとって有効で
あることを確認した。また表２に示すように、Ｖ，Ｔ
ｉ，ＮｂをＣｏと合金化した原料粉を用いて、ターゲッ
ト中に原料粉末の組織を存在させた試料においてもＶ，
Ｔｉ，Ｎｂをターゲット中に単独で存在させるよりも、
低い飽和磁束密度と、低い透磁率が得られた。
とＣｒを単体で存在させた試料２と比較すると、本発明
の方が大幅な透磁率の低下となり、ＣｏとＣｒの合金を
使用することが透磁率を下げるという目的に対して有効
であることが確認された。また本発明の試料１とＣｒを
Ｆｅとの合金として存在させた比較例の試料３とを比較
すると試料３はＣｒを単体で存在させた試料２によりも
透磁率の低下は達成できているものの本発明よりも透磁
率の低下は少なく、ＣｏとＣｒの合金相を存在させるこ
とはターゲットの透磁率を低下する目的にとって有効で
あることを確認した。また表２に示すように、Ｖ，Ｔ
ｉ，ＮｂをＣｏと合金化した原料粉を用いて、ターゲッ
ト中に原料粉末の組織を存在させた試料においてもＶ，
Ｔｉ，Ｎｂをターゲット中に単独で存在させるよりも、
低い飽和磁束密度と、低い透磁率が得られた。
【００２２】（実施例２）Ａｒガスアトマイズ法により
表１および表２に示す原料粉末を準備した。なお、純Ｃ
ｒ粉および純Ｖ粉は市販の３Ｎ級を使用した。次に、各
原料粉末をふるい（＃１００、目開き１５０μｍ）を用
いて分級した。 これらの原料粉末を表３に示すターゲ
ット材組成となるように、各原料粉を秤量し、Ｖ型ブレ
ンダーを用いてＡｒ雰囲気中で混合を行った。得られた
混合粉を軟鋼製カプセルに充填し、真空封止した。つい
で６００℃で３回の熱間圧延を行い、その後６６０℃、
４時間の加熱処理を行った。
表１および表２に示す原料粉末を準備した。なお、純Ｃ
ｒ粉および純Ｖ粉は市販の３Ｎ級を使用した。次に、各
原料粉末をふるい（＃１００、目開き１５０μｍ）を用
いて分級した。 これらの原料粉末を表３に示すターゲ
ット材組成となるように、各原料粉を秤量し、Ｖ型ブレ
ンダーを用いてＡｒ雰囲気中で混合を行った。得られた
混合粉を軟鋼製カプセルに充填し、真空封止した。つい
で６００℃で３回の熱間圧延を行い、その後６６０℃、
４時間の加熱処理を行った。
【００２３】ターゲット組織を観察したところ、Ｃｏ、
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｖの合金粒は一部が希土類金属粉末
と反応し反応相を形成し、原料粉末の組織は６５〜８０
面積％残留していることが確認された。次に、得られた
焼結体試料、直流磁束計を用いて印加磁場１２５Ａ／ｍ
でＢ−Ｈループを測定し、飽和磁束密度（Ｂｓ）と最大
透磁率（μmax）を求めた。結果を表３にしめす。
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｖの合金粒は一部が希土類金属粉末
と反応し反応相を形成し、原料粉末の組織は６５〜８０
面積％残留していることが確認された。次に、得られた
焼結体試料、直流磁束計を用いて印加磁場１２５Ａ／ｍ
でＢ−Ｈループを測定し、飽和磁束密度（Ｂｓ）と最大
透磁率（μmax）を求めた。結果を表３にしめす。
【００２４】
【表３】
【００２５】表３に示すように、反応相を形成した場合
でも、ＣｏとＣｒまたはＶを合金化した組織をターゲッ
トの相として残留させた本発明の試料はＣｏを単体相と
して残留させた比較例に比べて低い飽和磁束密度と低い
透磁率が得られ、ＣｏとＣｒまたはＶの合金化が有効で
あることが確認された。
でも、ＣｏとＣｒまたはＶを合金化した組織をターゲッ
トの相として残留させた本発明の試料はＣｏを単体相と
して残留させた比較例に比べて低い飽和磁束密度と低い
透磁率が得られ、ＣｏとＣｒまたはＶの合金化が有効で
あることが確認された。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、組織制御により、光磁
気記録媒体膜中の組成分布を均一化できるという利点を
有する複合相を有するターゲットにおいて、添加される
強磁性体であるＣｏの磁化を低減できるため、できるだ
け低い飽和磁束密度と透磁率が要求されるターゲットに
とって有効である。
気記録媒体膜中の組成分布を均一化できるという利点を
有する複合相を有するターゲットにおいて、添加される
強磁性体であるＣｏの磁化を低減できるため、できるだ
け低い飽和磁束密度と透磁率が要求されるターゲットに
とって有効である。
【図１】本発明のターゲット組織の一例を示す金属ミク
ロ組織写真である。
ロ組織写真である。
【図２】本発明のターゲット組織のスケッチ図である。
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】望ましくは上述した周期律表で４Ａ、５
Ａ、６Ａに属する元素として、ＣｒまたはＶを選択す
る。たとえば６Ａ族として、Ｃrを選んだ時、本発明の
ターゲットの組織は、代表的にはＣｏ−Ｃｒ合金相、Ｆ
ｅ相および希土類とＦｅとの共晶相で構成される組織、
あるいはＣｏ−Ｃｒ合金相、Ｆｅ相、希土類金属相とこ
れらの相の界面に形成した反応相とで構成される組織と
なる。これらの組織は、原料粉末として、Ｃｏ−Ｃｒ合
金組織としてＣｏ−Ｃｒの合金粉末を用いて、この原料
粉末の合金組織をターゲットの他の構成元素と完全に反
応させるのではなく、一部または全部残留させることに
より得ることができる。
Ａ、６Ａに属する元素として、ＣｒまたはＶを選択す
る。たとえば６Ａ族として、Ｃrを選んだ時、本発明の
ターゲットの組織は、代表的にはＣｏ−Ｃｒ合金相、Ｆ
ｅ相および希土類とＦｅとの共晶相で構成される組織、
あるいはＣｏ−Ｃｒ合金相、Ｆｅ相、希土類金属相とこ
れらの相の界面に形成した反応相とで構成される組織と
なる。これらの組織は、原料粉末として、Ｃｏ−Ｃｒ合
金組織としてＣｏ−Ｃｒの合金粉末を用いて、この原料
粉末の合金組織をターゲットの他の構成元素と完全に反
応させるのではなく、一部または全部残留させることに
より得ることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 希土類金属と鉄族金属を主体とし、その
組織が鉄族金属を主体とする相を含む２相以上を有する
光磁気記録媒体用ターゲットであって、前記鉄族金属を
主体とする相の一部または全部が、周期律表で４Ａ、５
Ａ、６Ａに属する元素から選ばれる一種以上の元素を５
０原子％以下、残部実質的にＣｏからなることを特徴と
する光磁気記録媒体用ターゲット。 - 【請求項２】 前記周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに属す
る元素として、ＣｒまたはＶを選択することを特徴とす
る請求項１に記載の光磁気記録媒体用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6559494A JPH07252649A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 光磁気記録媒体用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6559494A JPH07252649A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 光磁気記録媒体用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07252649A true JPH07252649A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=13291508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6559494A Pending JPH07252649A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 光磁気記録媒体用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07252649A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
-
1994
- 1994-03-09 JP JP6559494A patent/JPH07252649A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7291374B2 (en) | 1998-06-22 | 2007-11-06 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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