JPH07254384A - 電子ビーム加工装置 - Google Patents
電子ビーム加工装置Info
- Publication number
- JPH07254384A JPH07254384A JP6045906A JP4590694A JPH07254384A JP H07254384 A JPH07254384 A JP H07254384A JP 6045906 A JP6045906 A JP 6045906A JP 4590694 A JP4590694 A JP 4590694A JP H07254384 A JPH07254384 A JP H07254384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- cathode
- coil
- focusing
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 陰極で発する熱による熱膨張や、陰極部の真
空もれ等を防ぎ、ビームを安定して被加工物に照射し、
加工が正確に行える電子ビーム加工装置を得ることを目
的とする。 【構成】 装置の筐体6には筐体側保持部31を備え、
一方陰極部4には陰極側保持部30を備える。有機絶縁
体からなる絶縁支持部5は陰極2につながる電流導入端
子32とともに、この筐体側保持部31と陰極側保持部
30を覆うことにより陰極部4を筐体6に支持し、さら
に陰極部4を真空封止する。このとき真空封止された電
流導入端子の部分22の断面積を電流導入端子32の断
面積より小さくしておく。
空もれ等を防ぎ、ビームを安定して被加工物に照射し、
加工が正確に行える電子ビーム加工装置を得ることを目
的とする。 【構成】 装置の筐体6には筐体側保持部31を備え、
一方陰極部4には陰極側保持部30を備える。有機絶縁
体からなる絶縁支持部5は陰極2につながる電流導入端
子32とともに、この筐体側保持部31と陰極側保持部
30を覆うことにより陰極部4を筐体6に支持し、さら
に陰極部4を真空封止する。このとき真空封止された電
流導入端子の部分22の断面積を電流導入端子32の断
面積より小さくしておく。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、陰極から発生する電子
ビームを、集束レンズや偏向器によりその電子ビームを
制御しながら被加工物に照射して加工を行う電子ビーム
加工装置に関するものである。
ビームを、集束レンズや偏向器によりその電子ビームを
制御しながら被加工物に照射して加工を行う電子ビーム
加工装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図22は、例えば特開平3−64841
号公報に掲載された従来の電子ビーム装置の構成図であ
る。図において、2は電子銃となる陰極、3はバイアス
電位を与えるウェネルト電極、5は絶縁支持部(セラミ
ック)、6は筐体、8は陽極、9は陽極8を通過した電
子ビームを被加工物に集束させるための集束レンズ、1
2は集束レンズからの電子ビームを偏向するための偏向
器、90は外部電流から陰極2やウェネルト電極3に負
の高電圧を与える高電圧ケーブル、91は冷却水または
冷却用の油が流れる溝、92は高電圧ケーブルから電子
銃を封止するOリングである。
号公報に掲載された従来の電子ビーム装置の構成図であ
る。図において、2は電子銃となる陰極、3はバイアス
電位を与えるウェネルト電極、5は絶縁支持部(セラミ
ック)、6は筐体、8は陽極、9は陽極8を通過した電
子ビームを被加工物に集束させるための集束レンズ、1
2は集束レンズからの電子ビームを偏向するための偏向
器、90は外部電流から陰極2やウェネルト電極3に負
の高電圧を与える高電圧ケーブル、91は冷却水または
冷却用の油が流れる溝、92は高電圧ケーブルから電子
銃を封止するOリングである。
【0003】図23は陰極2に関し詳細に示したもの
で、例えば特開平2−250310号公報に示されたL
aB6(六ホウ化ランタン)からなる陰極の構成であ
る。図において、2はLaB6陰極、20は陰極2を加
熱する発熱体となるグラファイトチップ、21はホルダ
ーである。絶縁支持部5により筐体6などのアース電位
から絶縁された陰極2は、図23のようにグラファイト
チップ20を介してホルダー21に挟まれ固定される。
で、例えば特開平2−250310号公報に示されたL
aB6(六ホウ化ランタン)からなる陰極の構成であ
る。図において、2はLaB6陰極、20は陰極2を加
熱する発熱体となるグラファイトチップ、21はホルダ
ーである。絶縁支持部5により筐体6などのアース電位
から絶縁された陰極2は、図23のようにグラファイト
チップ20を介してホルダー21に挟まれ固定される。
【0004】次いで動作について説明する。図22にお
いて、電子銃室は通常真空ポンプ(図示せず)によって
予め真空に排気されている。陰極加熱電源(図示せず)
からホルダー21を介してグラファイトチップ20に電
流が供給され、この電流によって発熱したグラファイト
チップ20により陰極2は加熱される。そして、運転中
は常に1500〜1600℃の高温に保持され、陰極2
より電子ビームが発生する。陰極2・陽極8間に加速電
源(図示せず)から加えられた電圧により電子ビームが
加速される。ビーム電流量はバイアス電源(図示せず)
によって陰極2に対して負にバイアスされたウェネルト
電極3(バイアス電極とも呼ぶ)で制御される。
いて、電子銃室は通常真空ポンプ(図示せず)によって
予め真空に排気されている。陰極加熱電源(図示せず)
からホルダー21を介してグラファイトチップ20に電
流が供給され、この電流によって発熱したグラファイト
チップ20により陰極2は加熱される。そして、運転中
は常に1500〜1600℃の高温に保持され、陰極2
より電子ビームが発生する。陰極2・陽極8間に加速電
源(図示せず)から加えられた電圧により電子ビームが
加速される。ビーム電流量はバイアス電源(図示せず)
によって陰極2に対して負にバイアスされたウェネルト
電極3(バイアス電極とも呼ぶ)で制御される。
【0005】陰極2で発生した電子ビームは、図示しな
いが図22の装置の偏向器12の下方に配置される被加
工物に照射される。集束レンズ9は、被加工物上に電子
ビームを集束するように調整し、さらに偏向器12は、
電子ビームを偏向して被加工物の加工位置に電子ビーム
を照射するように制御する。
いが図22の装置の偏向器12の下方に配置される被加
工物に照射される。集束レンズ9は、被加工物上に電子
ビームを集束するように調整し、さらに偏向器12は、
電子ビームを偏向して被加工物の加工位置に電子ビーム
を照射するように制御する。
【0006】図25は、上記の集束レンズ9と偏向器1
2の一例を示したもので、特開昭54−137977号
公報に掲載されたものである。図において、1は電子ビ
ーム、10は集束レンズコイル、17は集束され、偏向
された電子ビームが照射される被加工物表面、100は
偏向器磁極、101は偏向器コイル、102は集束レン
ズ磁極、104はフェライト製磁極、105は偏向器の
発生する磁束である。図25は集束レンズ内に偏向器が
配置されたインレンズ方式のものである。
2の一例を示したもので、特開昭54−137977号
公報に掲載されたものである。図において、1は電子ビ
ーム、10は集束レンズコイル、17は集束され、偏向
された電子ビームが照射される被加工物表面、100は
偏向器磁極、101は偏向器コイル、102は集束レン
ズ磁極、104はフェライト製磁極、105は偏向器の
発生する磁束である。図25は集束レンズ内に偏向器が
配置されたインレンズ方式のものである。
【0007】集束レンズコイル10は、電子ビームがそ
のコイル軸心内を貫くように配置されている。偏向コイ
ル101は、そのコイル軸心を電子ビームと向かい合わ
せるように配置され、偏向コイル101の形成する磁束
105を図25のように電子ビームに錯交させ、電子ビ
ームを偏向する。偏向コイル101には通常高周波電流
が与えられるので、磁束105は高周波の磁界となり、
この高周波磁界により渦電流が磁極内に発生し、各コイ
ルにより形成される磁界を乱してしまう。そこで図22
では、偏向器の磁極100と集束レンズの構成部品の中
で高周波磁界の影響を受けやすい磁極の先端部を高電気
抵抗率をもつフェライト製磁極104にして、渦電流等
の発生を低減していた。この従来例の集束レンズと偏向
器はインレンズ方式のものであるが、偏向器の上部に集
束レンズが配置された図22の場合においても同様で、
高周波磁界の影響を受けやすい磁極はフェライトで構成
される必要がある。
のコイル軸心内を貫くように配置されている。偏向コイ
ル101は、そのコイル軸心を電子ビームと向かい合わ
せるように配置され、偏向コイル101の形成する磁束
105を図25のように電子ビームに錯交させ、電子ビ
ームを偏向する。偏向コイル101には通常高周波電流
が与えられるので、磁束105は高周波の磁界となり、
この高周波磁界により渦電流が磁極内に発生し、各コイ
ルにより形成される磁界を乱してしまう。そこで図22
では、偏向器の磁極100と集束レンズの構成部品の中
で高周波磁界の影響を受けやすい磁極の先端部を高電気
抵抗率をもつフェライト製磁極104にして、渦電流等
の発生を低減していた。この従来例の集束レンズと偏向
器はインレンズ方式のものであるが、偏向器の上部に集
束レンズが配置された図22の場合においても同様で、
高周波磁界の影響を受けやすい磁極はフェライトで構成
される必要がある。
【0008】さらに、偏向器12により電子ビームを偏
向する場合、その偏向に伴い被加工物上で焦点ぼけが生
じる。特に高精度加工を行う場合は、この集束点補正を
行う必要があり、この場合動的焦点補正レンズが用いら
れる。図26、27は、特開昭62−44943号公報
に示された電子ビーム装置の集束レンズおよび動的焦点
補正レンズを示す構成図、およびそれらのレンズ駆動ア
ンプ系での補正回路図である。両図において、11は動
的焦点補正レンズ、12は偏向コイル、13は集束レン
ズ駆動アンプ、14は動的焦点補正レンズ駆動アンプ、
15は偏向器駆動アンプ、110は微分回路、111は
加算回路である。その他の符号は図25と同一である。
向する場合、その偏向に伴い被加工物上で焦点ぼけが生
じる。特に高精度加工を行う場合は、この集束点補正を
行う必要があり、この場合動的焦点補正レンズが用いら
れる。図26、27は、特開昭62−44943号公報
に示された電子ビーム装置の集束レンズおよび動的焦点
補正レンズを示す構成図、およびそれらのレンズ駆動ア
ンプ系での補正回路図である。両図において、11は動
的焦点補正レンズ、12は偏向コイル、13は集束レン
ズ駆動アンプ、14は動的焦点補正レンズ駆動アンプ、
15は偏向器駆動アンプ、110は微分回路、111は
加算回路である。その他の符号は図25と同一である。
【0009】図26のように集束レンズ9と動的焦点補
正レンズ11が近接して配置された場合、これらのレン
ズ同士は互いに鎖交する磁束によって磁気的に結合し、
一方が交流動作すると他方に誘導電流が誘起される。特
に、高周波動作する動的焦点補正レンズは集束レンズに
電流変動を誘導する。一般に集束レンズ駆動回路は高周
波で動作できないため、その変動が定常状態にもどる時
定数が長くなり、必要精度を維持するためには変動が整
定するまでの待ち時間を長くとる必要がある。待ち時間
を短くするため、図27のように動的焦点補正レンズの
駆動電流の微分値を微分回路110で検出し、さらに集
束レンズアンプの入力信号に加算器111で加算するこ
とにより、動的補正レンズの変動の微分量に対応して変
動しようとする集束レンズの電流変動を打ち消すように
駆動アンプ13を制御する。このようにして、被加工物
上で電子ビームが位置制御されるとともに焦点補正され
た加工が行われる。
正レンズ11が近接して配置された場合、これらのレン
ズ同士は互いに鎖交する磁束によって磁気的に結合し、
一方が交流動作すると他方に誘導電流が誘起される。特
に、高周波動作する動的焦点補正レンズは集束レンズに
電流変動を誘導する。一般に集束レンズ駆動回路は高周
波で動作できないため、その変動が定常状態にもどる時
定数が長くなり、必要精度を維持するためには変動が整
定するまでの待ち時間を長くとる必要がある。待ち時間
を短くするため、図27のように動的焦点補正レンズの
駆動電流の微分値を微分回路110で検出し、さらに集
束レンズアンプの入力信号に加算器111で加算するこ
とにより、動的補正レンズの変動の微分量に対応して変
動しようとする集束レンズの電流変動を打ち消すように
駆動アンプ13を制御する。このようにして、被加工物
上で電子ビームが位置制御されるとともに焦点補正され
た加工が行われる。
【0010】さらに、図28は偏向器の形状の従来例を
示したもので、菅田栄治編集、電子イオンビームハンド
ブック第2版に掲載された8極子偏向系の構成図であ
る。あるいは図示しないが24極などの多数の磁極に偏
向コイル101が巻かれた複雑な構造である。これらの
磁極はリング状の磁極とともに一体構造となった磁極1
00を形成し、コイルの軸心が電子ビーム1に対向する
ように、かつ各磁極が装置のビーム軸に軸対称をなして
配置される。
示したもので、菅田栄治編集、電子イオンビームハンド
ブック第2版に掲載された8極子偏向系の構成図であ
る。あるいは図示しないが24極などの多数の磁極に偏
向コイル101が巻かれた複雑な構造である。これらの
磁極はリング状の磁極とともに一体構造となった磁極1
00を形成し、コイルの軸心が電子ビーム1に対向する
ように、かつ各磁極が装置のビーム軸に軸対称をなして
配置される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来の電子ビーム加工
装置は前述のように構成されているため、高電圧部の放
電により加工中にビームが停止し、被加工物が修復不能
になったり、電子ビーム電力(加速電圧やビーム電流)
が一定で、正常なビームを発生させても、ビーム径や焦
点位置などのビーム特性の変化や照射位置の変動によっ
て、例えばビーム溶接に用いた場合、溶け込み深さやビ
ード幅の変動として現れ、溶接結果の信頼性を著しく下
げてしまうという問題点があった。以下、問題点の詳細
を述べる。
装置は前述のように構成されているため、高電圧部の放
電により加工中にビームが停止し、被加工物が修復不能
になったり、電子ビーム電力(加速電圧やビーム電流)
が一定で、正常なビームを発生させても、ビーム径や焦
点位置などのビーム特性の変化や照射位置の変動によっ
て、例えばビーム溶接に用いた場合、溶け込み深さやビ
ード幅の変動として現れ、溶接結果の信頼性を著しく下
げてしまうという問題点があった。以下、問題点の詳細
を述べる。
【0012】図22の電子ビーム加工装置において、絶
縁支持部5、筐体6などは陰極2からの熱を十分放熱で
きないため、筐体6、絶縁支持部5が熱膨張し、陰極・
陽極間の寸法精度に誤差が生じ、ビーム特性が変動す
る。
縁支持部5、筐体6などは陰極2からの熱を十分放熱で
きないため、筐体6、絶縁支持部5が熱膨張し、陰極・
陽極間の寸法精度に誤差が生じ、ビーム特性が変動す
る。
【0013】また、各部材の熱膨張を抑制するために、
冷却水や油などによる強制冷却する構造になっており、
電子銃室を真空にするため、例えば高電圧ケーブル90
と装置の接続部にOリング92を用いて真空封止する構
成になっていた。この構成は大変複雑で、かつ電気絶縁
のためセラミック製の絶縁支持部5は熱伝導性が悪く、
放熱が十分でないためOリング92はかなりの高温にさ
らされていた。そのため、長期使用中に劣化による油も
れ等が発生し、それが原因となる高電圧部での放電が多
発していた。この現象は加速電圧の変動やビーム発生の
中断となり被加工物に修復できない欠陥を残すことにな
る。
冷却水や油などによる強制冷却する構造になっており、
電子銃室を真空にするため、例えば高電圧ケーブル90
と装置の接続部にOリング92を用いて真空封止する構
成になっていた。この構成は大変複雑で、かつ電気絶縁
のためセラミック製の絶縁支持部5は熱伝導性が悪く、
放熱が十分でないためOリング92はかなりの高温にさ
らされていた。そのため、長期使用中に劣化による油も
れ等が発生し、それが原因となる高電圧部での放電が多
発していた。この現象は加速電圧の変動やビーム発生の
中断となり被加工物に修復できない欠陥を残すことにな
る。
【0014】図23に示すように、陰極2の発熱量を少
なくするためLaB6陰極が用いられているが、150
0〜1600℃の高温においては、LaB6は陰極2か
ら蒸発し、残留酸素と反応することにより絶縁物質を形
成してしまう。図24は陰極2とウェネルト電極3との
近接部分を示す図である。このように発生する物質は絶
縁物95として、図のように主としてLaB6の陰極2
より最も近い電極であるウェネルト電極3に付着する。
LaB6の蒸発速度は2×10-6Torrの真空度で1
500℃の時、1時間当たり1〜2μmであるが、この
ようなわずかな量であっても100時間程度の使用でウ
ェネルト電極3の陰極周辺部分が絶縁物95で覆われて
しまうことになる。ウェネルト電極3は陰極2に対し
て、電子の発生を抑制する負電位が印加される。ここ
で、真空雰囲気であるものの、電子ビームが残留ガスに
エネルギーを与えたことによって生成されるプラズマ中
の正イオンは負電位を有するウェネルト電極3に引き寄
せられ、絶縁物95を帯電させる。このような現象によ
り絶縁物は正に帯電する。絶縁物は一様に分布しないた
め、絶縁物の帯電は陰極2近傍の電界(図の符号97)
を乱すことになる。従って、ウェネルト電極3による電
子ビームの制御を妨害し、ビーム電流やビーム焦点位置
などが安定しないというような問題点があった。
なくするためLaB6陰極が用いられているが、150
0〜1600℃の高温においては、LaB6は陰極2か
ら蒸発し、残留酸素と反応することにより絶縁物質を形
成してしまう。図24は陰極2とウェネルト電極3との
近接部分を示す図である。このように発生する物質は絶
縁物95として、図のように主としてLaB6の陰極2
より最も近い電極であるウェネルト電極3に付着する。
LaB6の蒸発速度は2×10-6Torrの真空度で1
500℃の時、1時間当たり1〜2μmであるが、この
ようなわずかな量であっても100時間程度の使用でウ
ェネルト電極3の陰極周辺部分が絶縁物95で覆われて
しまうことになる。ウェネルト電極3は陰極2に対し
て、電子の発生を抑制する負電位が印加される。ここ
で、真空雰囲気であるものの、電子ビームが残留ガスに
エネルギーを与えたことによって生成されるプラズマ中
の正イオンは負電位を有するウェネルト電極3に引き寄
せられ、絶縁物95を帯電させる。このような現象によ
り絶縁物は正に帯電する。絶縁物は一様に分布しないた
め、絶縁物の帯電は陰極2近傍の電界(図の符号97)
を乱すことになる。従って、ウェネルト電極3による電
子ビームの制御を妨害し、ビーム電流やビーム焦点位置
などが安定しないというような問題点があった。
【0015】また、集束レンズや偏向器においては、図
25のように偏向器の発生する高周波磁束105の一部
は高周波に対して即応性のない低電気抵抗率の磁極内
(磁極102部分)に侵入するため、そこで誘導される
渦電流により正規の磁界(特に、集束レンズ9が形成す
るビーム集束用の定常磁界)が乱れ、ビーム照射位置が
振動し、被加工物の所定の位置にビーム照射できないと
いう問題が生じた。
25のように偏向器の発生する高周波磁束105の一部
は高周波に対して即応性のない低電気抵抗率の磁極内
(磁極102部分)に侵入するため、そこで誘導される
渦電流により正規の磁界(特に、集束レンズ9が形成す
るビーム集束用の定常磁界)が乱れ、ビーム照射位置が
振動し、被加工物の所定の位置にビーム照射できないと
いう問題が生じた。
【0016】さらに、図26、27の従来技術による偏
向に伴った集束点の変動補正においても、動的焦点補正
レンズによる集束レンズ電流の変動を補正回路で補正す
るように構成しているが、集束レンズ駆動アンプ13は
もともと周波数帯域が狭いため、高い周波数成分を含ん
だ微分信号を増幅できず効果的な補正はできなかった。
そのためビームが偏向させる被加工物位置によってビー
ム集束状態が異なるという問題が生じた。
向に伴った集束点の変動補正においても、動的焦点補正
レンズによる集束レンズ電流の変動を補正回路で補正す
るように構成しているが、集束レンズ駆動アンプ13は
もともと周波数帯域が狭いため、高い周波数成分を含ん
だ微分信号を増幅できず効果的な補正はできなかった。
そのためビームが偏向させる被加工物位置によってビー
ム集束状態が異なるという問題が生じた。
【0017】さらに、図28の偏向器は、複雑な構造
で、かつ偏向コイル101をビーム軸に対して軸対称に
配置しなければならず、一体構造として各磁極が必要な
位置精度を確保することも困難なため、筐体内部で高精
度の位置合わせは困難であった。そのため、ビーム軸と
偏向器の軸ずれによる大きな偏向収差が生じていた。
で、かつ偏向コイル101をビーム軸に対して軸対称に
配置しなければならず、一体構造として各磁極が必要な
位置精度を確保することも困難なため、筐体内部で高精
度の位置合わせは困難であった。そのため、ビーム軸と
偏向器の軸ずれによる大きな偏向収差が生じていた。
【0018】以上の問題点をまとめると、 (1)装置の温度上昇により熱膨張に伴う電極寸法精度
の変動 (2)真空室への油もれによる高電圧部の放電 (3)ウェネルト電極に付着する絶縁物の帯電によるビ
ーム変動 (4)渦電流によるビーム照射位置の振動 (5)動的集束点補正レンズの動作に伴う集束レンズの
集束性変動 (6)偏向器軸ずれによる収差 によってビーム特性等が変化し、例えば溶接に用いた場
合安定した溶接性能を得ることが困難であった。
の変動 (2)真空室への油もれによる高電圧部の放電 (3)ウェネルト電極に付着する絶縁物の帯電によるビ
ーム変動 (4)渦電流によるビーム照射位置の振動 (5)動的集束点補正レンズの動作に伴う集束レンズの
集束性変動 (6)偏向器軸ずれによる収差 によってビーム特性等が変化し、例えば溶接に用いた場
合安定した溶接性能を得ることが困難であった。
【0019】さらに、絶縁支持部はセラミックで構成し
ているが、セラミックは応力に対してもろく、図22の
ように複雑な形状に加工することは困難であり、またO
リングを介して締め付けて真空封止する際も、セラミッ
クを破損してしまう可能性があるという問題点があっ
た。
ているが、セラミックは応力に対してもろく、図22の
ように複雑な形状に加工することは困難であり、またO
リングを介して締め付けて真空封止する際も、セラミッ
クを破損してしまう可能性があるという問題点があっ
た。
【0020】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、加工性に優れ、絶縁状態を良
くして陰極部にかけられる高電圧に対する放電を防ぎ、
熱膨張を抑止して装置内で陰極部を高精度に支持し、か
つ陰極部の真空封止を確実に行なう。
るためになされたもので、加工性に優れ、絶縁状態を良
くして陰極部にかけられる高電圧に対する放電を防ぎ、
熱膨張を抑止して装置内で陰極部を高精度に支持し、か
つ陰極部の真空封止を確実に行なう。
【0021】陰極から蒸発することにより発生する絶縁
物のウェネルト電極への付着を低減し、またウェネルト
電極に付着した絶縁物の帯電による電子ビームへの影響
を少なくする。
物のウェネルト電極への付着を低減し、またウェネルト
電極に付着した絶縁物の帯電による電子ビームへの影響
を少なくする。
【0022】高周波磁界が存在してもレンズの有する磁
極での渦電流の発生を抑えることでビーム照射位置の振
動を防ぎ、ビーム偏向に伴って集束点位置を精度良く補
正でき、さらに偏向器のビーム軸に対する位置決め精度
を良くして偏向収差を小さくする。
極での渦電流の発生を抑えることでビーム照射位置の振
動を防ぎ、ビーム偏向に伴って集束点位置を精度良く補
正でき、さらに偏向器のビーム軸に対する位置決め精度
を良くして偏向収差を小さくする。
【0023】上記の達成により、動作が安定し、広い偏
向領域で一様な加工が達成できる電子ビーム加工装置を
得ることを本発明の目的としている。
向領域で一様な加工が達成できる電子ビーム加工装置を
得ることを本発明の目的としている。
【0024】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る電子ビーム加工装置は、陰極部を保持すると同時に筐
体の一部および端子部を被覆するように有機絶縁物を組
立成形することによりこの陰極部を筐体に支持し、かつ
端子部の一部とともに陰極部を真空封止する陰極支持部
を備えたものである。
る電子ビーム加工装置は、陰極部を保持すると同時に筐
体の一部および端子部を被覆するように有機絶縁物を組
立成形することによりこの陰極部を筐体に支持し、かつ
端子部の一部とともに陰極部を真空封止する陰極支持部
を備えたものである。
【0025】また、請求項2に係る電子ビーム加工装置
は、有機絶縁物は無機質物質を添加させて筐体と同程度
の熱膨張率を有したものである。
は、有機絶縁物は無機質物質を添加させて筐体と同程度
の熱膨張率を有したものである。
【0026】また、請求項3に係る電子ビーム加工装置
は、有機絶縁物は外気に接する表面積を大きく形成する
ようにしたものである。
は、有機絶縁物は外気に接する表面積を大きく形成する
ようにしたものである。
【0027】また、請求項4の電子ビーム加工装置は、
陰極支持部に覆われる筐体もしくは端子部の境界面に
は、凹凸形状を形成するようにしたものである。
陰極支持部に覆われる筐体もしくは端子部の境界面に
は、凹凸形状を形成するようにしたものである。
【0028】また、請求項5の電子ビーム加工装置は、
陰極支持部に覆われた筐体の部分は、陰極部が配置され
る側に突出するように形成された突出部を含むようにし
たものである。
陰極支持部に覆われた筐体の部分は、陰極部が配置され
る側に突出するように形成された突出部を含むようにし
たものである。
【0029】また、請求項6の電子ビーム加工装置は、
陰極部とともに真空封止された端子部の断面積は、陰極
支持部に覆われた端子部の断面積より小さくしたもので
ある。
陰極部とともに真空封止された端子部の断面積は、陰極
支持部に覆われた端子部の断面積より小さくしたもので
ある。
【0030】また、請求項7の電子ビーム加工装置は、
陰極に対向して配置され、かつ陰極からの電子ビームを
通過させる開口部を有するウェネルト電極を備え、この
開口部の端部を、陰極側に突出させるようにしたもので
ある。
陰極に対向して配置され、かつ陰極からの電子ビームを
通過させる開口部を有するウェネルト電極を備え、この
開口部の端部を、陰極側に突出させるようにしたもので
ある。
【0031】また、請求項8の電子ビーム加工装置は、
陰極に対向するウェネルト電極の表面に凹凸形状を形成
したものである。
陰極に対向するウェネルト電極の表面に凹凸形状を形成
したものである。
【0032】また、請求項9の電子ビーム加工装置は、
発熱体を発熱させることにより被加工物を加工する電子
ビームを発生させる陰極を備え、電子ビームの放出され
る箇所を残して、陰極の電子ビーム発生動作温度より高
い融点を有する導電性物質で覆うようにしたものであ
る。
発熱体を発熱させることにより被加工物を加工する電子
ビームを発生させる陰極を備え、電子ビームの放出され
る箇所を残して、陰極の電子ビーム発生動作温度より高
い融点を有する導電性物質で覆うようにしたものであ
る。
【0033】また、請求項10の電子ビーム加工装置
は、発熱体を発熱させることにより被加工物を加工する
電子ビームを発生させる陰極を備え、電子ビームの放出
される箇所を残して、前記発熱体で覆うようにしたもの
である。
は、発熱体を発熱させることにより被加工物を加工する
電子ビームを発生させる陰極を備え、電子ビームの放出
される箇所を残して、前記発熱体で覆うようにしたもの
である。
【0034】また、請求項11の電子ビーム加工装置
は、集束コイル及び集束コイル磁極を有し、電子ビーム
を被加工物に集束させる集束レンズを備え、集束コイル
は、その軸心内に電子ビームを通過させるように配置さ
れ、集束コイル磁極は、集束コイルの内側の少なくとも
一部を除いて、集束コイルを取り囲むように形成され、
かつ集束コイル磁極の少なくとも一部は複数の薄板状の
磁性体を積層して構成されたものである。
は、集束コイル及び集束コイル磁極を有し、電子ビーム
を被加工物に集束させる集束レンズを備え、集束コイル
は、その軸心内に電子ビームを通過させるように配置さ
れ、集束コイル磁極は、集束コイルの内側の少なくとも
一部を除いて、集束コイルを取り囲むように形成され、
かつ集束コイル磁極の少なくとも一部は複数の薄板状の
磁性体を積層して構成されたものである。
【0035】また、請求項12の電子ビーム加工装置
は、集束コイル及び集束コイル磁極を有し、電子ビーム
を被加工物に集束させる集束レンズ、電子ビームの焦点
ぼけを矯正する動的焦点補正コイルを備え、集束コイル
は、その軸心内に電子ビームを通過させるように配置さ
れ、この集束コイル自身のインダクタンスより大きいイ
ンダクタンスを介して付勢されるように形成されるとと
もに、動的焦点補正コイルは、その軸心内に電子ビーム
を通過させるように集束コイルの内側に配置されたもの
である。
は、集束コイル及び集束コイル磁極を有し、電子ビーム
を被加工物に集束させる集束レンズ、電子ビームの焦点
ぼけを矯正する動的焦点補正コイルを備え、集束コイル
は、その軸心内に電子ビームを通過させるように配置さ
れ、この集束コイル自身のインダクタンスより大きいイ
ンダクタンスを介して付勢されるように形成されるとと
もに、動的焦点補正コイルは、その軸心内に電子ビーム
を通過させるように集束コイルの内側に配置されたもの
である。
【0036】また、請求項13の電子ビーム加工装置
は、集束コイル及び集束コイル磁極を有し、電子ビーム
を被加工物に集束させる集束レンズ、電子ビームの焦点
ぼけを矯正する動的焦点補正コイルを備え、集束コイル
は、その軸心内に電子ビームを通過させるように配置さ
れ、動的焦点補正コイルは、その軸心内に電子ビームを
通過させるように集束コイルの内側に配置され、集束コ
イル磁極は、集束コイルの内側の少なくとも一部を除い
てこの集束コイルを取り囲むように形成され、集束コイ
ル内側の集束コイル磁極の部分は第一の磁性体で、それ
以外の箇所の少なくとも一部は第一の磁性体より低電気
抵抗の第二の磁性体で構成されたものである。
は、集束コイル及び集束コイル磁極を有し、電子ビーム
を被加工物に集束させる集束レンズ、電子ビームの焦点
ぼけを矯正する動的焦点補正コイルを備え、集束コイル
は、その軸心内に電子ビームを通過させるように配置さ
れ、動的焦点補正コイルは、その軸心内に電子ビームを
通過させるように集束コイルの内側に配置され、集束コ
イル磁極は、集束コイルの内側の少なくとも一部を除い
てこの集束コイルを取り囲むように形成され、集束コイ
ル内側の集束コイル磁極の部分は第一の磁性体で、それ
以外の箇所の少なくとも一部は第一の磁性体より低電気
抵抗の第二の磁性体で構成されたものである。
【0037】また、請求項14の電子ビーム加工装置
は、偏向コイルを有し、電子ビームを偏向させて被加工
物に照射させる位置を制御する偏向器、筐体のビーム軸
と同心となるように、筐体内に配置された円筒状部材を
備え、偏向コイルは、コイル端面をビーム軸に対向する
ように円筒状部材に接触させて位置決めするようにした
ものである。
は、偏向コイルを有し、電子ビームを偏向させて被加工
物に照射させる位置を制御する偏向器、筐体のビーム軸
と同心となるように、筐体内に配置された円筒状部材を
備え、偏向コイルは、コイル端面をビーム軸に対向する
ように円筒状部材に接触させて位置決めするようにした
ものである。
【0038】
【作用】上記の請求項1の電子ビーム加工装置による
と、陰極支持部は、陰極部を保持すると同時に筐体の一
部と端子部を被覆するように有機絶縁物を組立成形する
ことにより陰極部を筐体に支持し、かつ前記端子部の一
部とともに前記陰極部を真空封止するようにしたので、
陰極支持部は、有機絶縁体からなり、組立成形により容
易に製作でき、また有機絶縁物は筐体や端子部に密着し
て接合され、密接部分に他の部材を介さず、真空封止が
強固になされる。
と、陰極支持部は、陰極部を保持すると同時に筐体の一
部と端子部を被覆するように有機絶縁物を組立成形する
ことにより陰極部を筐体に支持し、かつ前記端子部の一
部とともに前記陰極部を真空封止するようにしたので、
陰極支持部は、有機絶縁体からなり、組立成形により容
易に製作でき、また有機絶縁物は筐体や端子部に密着し
て接合され、密接部分に他の部材を介さず、真空封止が
強固になされる。
【0039】また、請求項2の電子ビーム加工装置によ
ると、有機絶縁物は筐体とほぼ同じ熱膨張率なので、陰
極部からの熱により有機絶縁物と筐体が熱膨張しても、
有機絶縁物と筐体または陰極部との間の接合が劣化しな
い。
ると、有機絶縁物は筐体とほぼ同じ熱膨張率なので、陰
極部からの熱により有機絶縁物と筐体が熱膨張しても、
有機絶縁物と筐体または陰極部との間の接合が劣化しな
い。
【0040】また、請求項3の電子ビーム加工装置によ
ると、有機絶縁物と外気との熱交換が良くなり、有機絶
縁物から放熱しやすくなる。
ると、有機絶縁物と外気との熱交換が良くなり、有機絶
縁物から放熱しやすくなる。
【0041】また、請求項4の電子ビーム加工装置によ
ると、陰極支持部に覆われる筐体や端子部の境界面に凹
凸形状を形成したので、その境界面は陰極支持部とより
密に接合され、真空封止が強固になる。
ると、陰極支持部に覆われる筐体や端子部の境界面に凹
凸形状を形成したので、その境界面は陰極支持部とより
密に接合され、真空封止が強固になる。
【0042】また、請求項5の電子ビーム加工装置によ
ると、陰極支持部に覆われた筐体の部分は、陰極部が配
置される側に突出するように形成された突出部を含むよ
うにしたので、真空封止をより強固にするとともに、電
子ビームにより発生するX線をその突出部が遮断する。
ると、陰極支持部に覆われた筐体の部分は、陰極部が配
置される側に突出するように形成された突出部を含むよ
うにしたので、真空封止をより強固にするとともに、電
子ビームにより発生するX線をその突出部が遮断する。
【0043】また、請求項6の電子ビーム加工装置によ
ると、陰極部とともに真空封止された端子部の断面積
は、陰極支持部に覆われた端子部の断面積より小さくし
たので、端子部から陰極支持部へ伝わる熱量が低減さ
れ、陰極支持部や筐体の温度を低く抑えられる。
ると、陰極部とともに真空封止された端子部の断面積
は、陰極支持部に覆われた端子部の断面積より小さくし
たので、端子部から陰極支持部へ伝わる熱量が低減さ
れ、陰極支持部や筐体の温度を低く抑えられる。
【0044】また、請求項7の電子ビーム加工装置によ
ると、ウェネルト電極の端部を陰極側に突出させるよう
にし、請求項8によると、陰極に対向するウェネルト電
極の表面に凹凸形状を形成したので、陰極から発生する
絶縁物がウェネルト電極に付着する際、その凸部分の陰
に付着し、その絶縁物が帯電しても陰極近傍の電界は乱
れない。
ると、ウェネルト電極の端部を陰極側に突出させるよう
にし、請求項8によると、陰極に対向するウェネルト電
極の表面に凹凸形状を形成したので、陰極から発生する
絶縁物がウェネルト電極に付着する際、その凸部分の陰
に付着し、その絶縁物が帯電しても陰極近傍の電界は乱
れない。
【0045】また、請求項9の電子ビーム加工装置によ
ると、電子ビームの放出される箇所を残して、陰極の電
子ビーム発生動作温度より高い融点を有する導電性物質
で覆うようにし、請求項10によると、電子ビームを陰
極より発生させるための発熱体で電子ビームの放出され
る箇所を残して陰極を覆うので、陰極からの絶縁物の発
生、飛散が抑制される。
ると、電子ビームの放出される箇所を残して、陰極の電
子ビーム発生動作温度より高い融点を有する導電性物質
で覆うようにし、請求項10によると、電子ビームを陰
極より発生させるための発熱体で電子ビームの放出され
る箇所を残して陰極を覆うので、陰極からの絶縁物の発
生、飛散が抑制される。
【0046】また、請求項11の電子ビーム加工装置に
よると、集束コイル磁極の少なくとも一部は複数の薄板
状の磁性体を積層して形成されるので、高周波磁界によ
る渦電流の発生が抑制される。
よると、集束コイル磁極の少なくとも一部は複数の薄板
状の磁性体を積層して形成されるので、高周波磁界によ
る渦電流の発生が抑制される。
【0047】また、請求項12の電子ビーム加工装置に
よると、集束コイルは、それ自身のインダクタンスより
大きいインダクタンスを介して付勢されるように形成さ
れたので、軸心内に電子ビームを通過させるようにその
集束コイルの内側に配置された動的焦点補正コイルの形
成する磁界が変動しても、その変動に対して誘導される
電流の変動を抑えるように集束レンズに接続されたイン
ダクタンスが作用するため、集束コイルの作る磁界に影
響を与えない。
よると、集束コイルは、それ自身のインダクタンスより
大きいインダクタンスを介して付勢されるように形成さ
れたので、軸心内に電子ビームを通過させるようにその
集束コイルの内側に配置された動的焦点補正コイルの形
成する磁界が変動しても、その変動に対して誘導される
電流の変動を抑えるように集束レンズに接続されたイン
ダクタンスが作用するため、集束コイルの作る磁界に影
響を与えない。
【0048】また、請求項13の電子ビーム加工装置に
よると、集束コイル磁極は、集束コイルの内側の少なく
とも一部を除いて集束コイルを取り囲むように形成さ
れ、集束コイル内側の集束コイル磁極部分は第一の磁性
体で、それ以外の箇所の少なくとも一部は前記第一の磁
性体より低電気抵抗の第二の磁性体で構成されたので、
集束コイルの内側に配置された動的焦点補正コイルの作
る高周波磁界が集束コイル磁極の第二の磁性体部分に侵
入することを抑制し、レンズ間の磁気結合が小さくな
り、相互誘導が少なくなる。
よると、集束コイル磁極は、集束コイルの内側の少なく
とも一部を除いて集束コイルを取り囲むように形成さ
れ、集束コイル内側の集束コイル磁極部分は第一の磁性
体で、それ以外の箇所の少なくとも一部は前記第一の磁
性体より低電気抵抗の第二の磁性体で構成されたので、
集束コイルの内側に配置された動的焦点補正コイルの作
る高周波磁界が集束コイル磁極の第二の磁性体部分に侵
入することを抑制し、レンズ間の磁気結合が小さくな
り、相互誘導が少なくなる。
【0049】また、請求項14の電子ビーム加工装置に
よると、偏向器の偏向コイルは、コイル端面をビーム軸
に対向させ、筐体のビーム軸と同心となるように配置さ
れた円筒状部材に接触させて位置決めするようにしたの
で、装置のビーム軸に対して、偏向器の精度良い位置決
めが可能となる。
よると、偏向器の偏向コイルは、コイル端面をビーム軸
に対向させ、筐体のビーム軸と同心となるように配置さ
れた円筒状部材に接触させて位置決めするようにしたの
で、装置のビーム軸に対して、偏向器の精度良い位置決
めが可能となる。
【0050】
実施例1.以下、この発明の一実施例を示す。図1は、
本実施例の電子ビーム装置の陰極の支持構造を示す詳細
な図である。図において、1は電子ビーム、3はウェネ
ルト電極、4は陰極(図示せず)とウェネルト電極3で
構成され、電子ビームを発生する陰極部、5は絶縁支持
部、6は金属からなる筐体、7は陰極部4を絶縁支持部
5により筐体6に固定させるための固定筒、30は固定
筒7を絶縁支持部5に保持するための陰極側保持部、3
1は筐体の一部である筐体側保持部で、筐体6の陰極部
4の配置される側に突出するように形成されている。3
2は外部電源から陰極部4に電流を供給する絶縁支持部
内の電流導入端子、33は固定筒リング部である。
本実施例の電子ビーム装置の陰極の支持構造を示す詳細
な図である。図において、1は電子ビーム、3はウェネ
ルト電極、4は陰極(図示せず)とウェネルト電極3で
構成され、電子ビームを発生する陰極部、5は絶縁支持
部、6は金属からなる筐体、7は陰極部4を絶縁支持部
5により筐体6に固定させるための固定筒、30は固定
筒7を絶縁支持部5に保持するための陰極側保持部、3
1は筐体の一部である筐体側保持部で、筐体6の陰極部
4の配置される側に突出するように形成されている。3
2は外部電源から陰極部4に電流を供給する絶縁支持部
内の電流導入端子、33は固定筒リング部である。
【0051】さらに、図2は図1の陰極支持構造を備え
た電子ビーム加工装置の構成図である。2は陰極部4内
に配置された陰極、8は陽極、9は集束レンズ、10は
集束レンズのコイル、11は動的焦点補正用レンズのコ
イル、12は偏向器、13、14、15はそれぞれ集束
レンズ9、動的焦点補正用レンズコイル11、偏向器1
2の駆動アンプ、16はビーム軸合わせのためのアライ
メントレンズ、17は加工される被加工物である。
た電子ビーム加工装置の構成図である。2は陰極部4内
に配置された陰極、8は陽極、9は集束レンズ、10は
集束レンズのコイル、11は動的焦点補正用レンズのコ
イル、12は偏向器、13、14、15はそれぞれ集束
レンズ9、動的焦点補正用レンズコイル11、偏向器1
2の駆動アンプ、16はビーム軸合わせのためのアライ
メントレンズ、17は加工される被加工物である。
【0052】図1において、絶縁支持部5は有機絶縁物
で、陰極側保持部30、筐体側保持部31および電流導
入端子32を装填し組立成形されており、陰極部4は固
定筒7と絶縁支持部5で筐体6に取付けられている。バ
イアス電圧、ヒータ加熱電流などは絶縁支持部内の電流
導入端子32を経て陰極部4に供給される。陰極部4よ
り発射される電子ビームは、従来例と同様に集束レンズ
9、動的焦点補正用レンズコイル11、偏向器12を経
て、被加工物17に照射される(図2)。各レンズの基
本的な動作は従来例と同じである。ここで陽極8と集束
レンズ9との間にアライメントレンズ16を配置し、偏
向器12と基本的に同一動作をさせて、集束レンズのコ
イル10の軸心を電子ビームが貫くように調整する。ま
たアラインメントコイル16は被加工物の照射位置を制
御する役割を果たす。
で、陰極側保持部30、筐体側保持部31および電流導
入端子32を装填し組立成形されており、陰極部4は固
定筒7と絶縁支持部5で筐体6に取付けられている。バ
イアス電圧、ヒータ加熱電流などは絶縁支持部内の電流
導入端子32を経て陰極部4に供給される。陰極部4よ
り発射される電子ビームは、従来例と同様に集束レンズ
9、動的焦点補正用レンズコイル11、偏向器12を経
て、被加工物17に照射される(図2)。各レンズの基
本的な動作は従来例と同じである。ここで陽極8と集束
レンズ9との間にアライメントレンズ16を配置し、偏
向器12と基本的に同一動作をさせて、集束レンズのコ
イル10の軸心を電子ビームが貫くように調整する。ま
たアラインメントコイル16は被加工物の照射位置を制
御する役割を果たす。
【0053】特に本実施例では、絶縁支持部5の組成物
として有機絶縁物を用いる。有機絶縁物として、例えば
エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性の組成物を
用いる。図のように、固定筒7、陰極側保持部30、電
流導入端子32、固定筒リング部33により支持された
陰極部4を筐体6の所定位置にあらかじめ固定してお
き、筐体側保持部31、陰極側保持部30、電流導入端
子32を装填するように熱硬化性樹脂を流し込む。さら
に加熱して樹脂を硬化させることにより絶縁支持部5を
形成する。なお熱硬化樹脂を流し込む際に、軟化状態の
樹脂を保持しておくための枠や鋳型をあらかじめ筐体に
装着しておく。また、この軟化状態時に陰極部4を所定
の位置の配置されるように調整する。硬化後にその枠や
鋳型をはずし、必要に応じその絶縁支持部を所望の形状
に成形する。
として有機絶縁物を用いる。有機絶縁物として、例えば
エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性の組成物を
用いる。図のように、固定筒7、陰極側保持部30、電
流導入端子32、固定筒リング部33により支持された
陰極部4を筐体6の所定位置にあらかじめ固定してお
き、筐体側保持部31、陰極側保持部30、電流導入端
子32を装填するように熱硬化性樹脂を流し込む。さら
に加熱して樹脂を硬化させることにより絶縁支持部5を
形成する。なお熱硬化樹脂を流し込む際に、軟化状態の
樹脂を保持しておくための枠や鋳型をあらかじめ筐体に
装着しておく。また、この軟化状態時に陰極部4を所定
の位置の配置されるように調整する。硬化後にその枠や
鋳型をはずし、必要に応じその絶縁支持部を所望の形状
に成形する。
【0054】装置の使用時には筐体6内部の電子ビーム
の発生部は真空にしておく必要があり、従来のセラミッ
クからなる絶縁支持部5は筐体や陰極部の装着箇所にO
リングなどの部材を用いて、堅固に真空封止していた。
しかし本実施例では、有機絶縁物は接合する筐体の金属
等との密着性がよく、上記のOリングを用いることなく
真空封止ができる。特に、図に示すように筐体側保持部
31を筐体6の内側に突出させることで、有機絶縁物の
陰極支持部と筐体とは接合しやすく、真空封止も強固に
なされる。従ってOリング部分が熱劣化により、真空状
態が劣化することもない。またセラミックは応力に対し
てもろいので、加工性がよくが、このセラミックに比べ
有機絶縁性は加工性が良く、複雑な形状でも容易に形成
でき、安価に製作できる。
の発生部は真空にしておく必要があり、従来のセラミッ
クからなる絶縁支持部5は筐体や陰極部の装着箇所にO
リングなどの部材を用いて、堅固に真空封止していた。
しかし本実施例では、有機絶縁物は接合する筐体の金属
等との密着性がよく、上記のOリングを用いることなく
真空封止ができる。特に、図に示すように筐体側保持部
31を筐体6の内側に突出させることで、有機絶縁物の
陰極支持部と筐体とは接合しやすく、真空封止も強固に
なされる。従ってOリング部分が熱劣化により、真空状
態が劣化することもない。またセラミックは応力に対し
てもろいので、加工性がよくが、このセラミックに比べ
有機絶縁性は加工性が良く、複雑な形状でも容易に形成
でき、安価に製作できる。
【0055】また、絶縁支持部5は熱に対する低膨張化
のために、シリカ等の無機質粉末を有機絶縁物の組成物
に含有(例えば全体の70VL%程度)させておく。さ
らに熱伝導率を良くするために、アルミナ等の無機質粉
末を有機組成物に含有(例えば全体の70VL%)させ
ておくこともある。本実施例では、熱膨張率を筐体6の
材質(ステンレス鋼など)と同じ程度に調整してある。
さらに絶縁支持部5の放熱を良くするために、図1から
見て横方向の断面積を大きくてやり、図示しないがその
表面にひだ等の凹凸を形成することにより表面積を大き
くするなど、外部への露出部分を大きくしてやる。
のために、シリカ等の無機質粉末を有機絶縁物の組成物
に含有(例えば全体の70VL%程度)させておく。さ
らに熱伝導率を良くするために、アルミナ等の無機質粉
末を有機組成物に含有(例えば全体の70VL%)させ
ておくこともある。本実施例では、熱膨張率を筐体6の
材質(ステンレス鋼など)と同じ程度に調整してある。
さらに絶縁支持部5の放熱を良くするために、図1から
見て横方向の断面積を大きくてやり、図示しないがその
表面にひだ等の凹凸を形成することにより表面積を大き
くするなど、外部への露出部分を大きくしてやる。
【0056】陰極2は熱電子を放出するため加熱電源か
ら電流導入端子22を経て通電され加熱されているが、
その熱量の多くは固定筒7、電流導入端子22を経て伝
導され、絶縁支持部5、筐体6の温度を上昇させてい
る。しかし、絶縁支持部はその横方向の断面積を大きく
して上記熱伝導に対する熱抵抗が小さくし、さらに外気
と接触する面積が広いため、熱を効率よく放熱でき絶縁
支持部5、筐体6の温度上昇は低く抑えられている。陰
極部4と陽極8の位置決めは絶縁支持部5、筐体6を介
して行われている。しかし、絶縁支持部5、筐体6の温
度上昇が少なく熱膨張が小さいため、陰極部4と陽極8
間の寸法の変動がなく高い精度が維持でき、ビーム発生
部でのビーム特性の変動が少なくなる。
ら電流導入端子22を経て通電され加熱されているが、
その熱量の多くは固定筒7、電流導入端子22を経て伝
導され、絶縁支持部5、筐体6の温度を上昇させてい
る。しかし、絶縁支持部はその横方向の断面積を大きく
して上記熱伝導に対する熱抵抗が小さくし、さらに外気
と接触する面積が広いため、熱を効率よく放熱でき絶縁
支持部5、筐体6の温度上昇は低く抑えられている。陰
極部4と陽極8の位置決めは絶縁支持部5、筐体6を介
して行われている。しかし、絶縁支持部5、筐体6の温
度上昇が少なく熱膨張が小さいため、陰極部4と陽極8
間の寸法の変動がなく高い精度が維持でき、ビーム発生
部でのビーム特性の変動が少なくなる。
【0057】また、陰極側保持部30、筐体側保持部3
1、絶縁体内電流導入端子32と絶縁支持部5との境界
面は筐体内部の真空部分から外部までの経路を長く設定
するとともに、それぞれの表面に細かな凹凸をつけた曲
面で形成されている。本実施例では、上記経路の長さを
30mm以上確保しており、凹凸は陰極側保持部30、
筐体側保持部31、絶縁体内電流導入端子32の面にシ
ョットブラストで加工している。このように各部と絶縁
支持部5との境界面に細かな凹凸をつけたこと、境界面
の経路を長く確保したこと、さらに絶縁支持部5の膨張
率を筐体6と同じにしたことによって、真空封止を確実
に行うことができる。
1、絶縁体内電流導入端子32と絶縁支持部5との境界
面は筐体内部の真空部分から外部までの経路を長く設定
するとともに、それぞれの表面に細かな凹凸をつけた曲
面で形成されている。本実施例では、上記経路の長さを
30mm以上確保しており、凹凸は陰極側保持部30、
筐体側保持部31、絶縁体内電流導入端子32の面にシ
ョットブラストで加工している。このように各部と絶縁
支持部5との境界面に細かな凹凸をつけたこと、境界面
の経路を長く確保したこと、さらに絶縁支持部5の膨張
率を筐体6と同じにしたことによって、真空封止を確実
に行うことができる。
【0058】筐体のアース電位と陰極部4との絶縁を良
好にするために、図1に示すように、陰極側保持部3
0、筐体側保持部31を曲面構造となるように成形す
る。陰極側保持部30と筐体側保持部31間で局所的に
電界が集中するのを緩和することができ、放電を抑制す
ることができる。また固定筒リング部33も表面を曲面
にしつつ、かつ絶縁支持部5の有機絶縁物、固定筒リン
グ部33の金属部分、さらに真空の接する点(図の符号
34の点)から対向する筐体6のアース電位へ放電しや
すいので、固定筒リング部33は、固定筒7と絶縁支持
部5との境界部を筐体部のアース電位から隠すように形
成されている。このことも放電の抑制に寄与し、安定に
動作させる効果がある。
好にするために、図1に示すように、陰極側保持部3
0、筐体側保持部31を曲面構造となるように成形す
る。陰極側保持部30と筐体側保持部31間で局所的に
電界が集中するのを緩和することができ、放電を抑制す
ることができる。また固定筒リング部33も表面を曲面
にしつつ、かつ絶縁支持部5の有機絶縁物、固定筒リン
グ部33の金属部分、さらに真空の接する点(図の符号
34の点)から対向する筐体6のアース電位へ放電しや
すいので、固定筒リング部33は、固定筒7と絶縁支持
部5との境界部を筐体部のアース電位から隠すように形
成されている。このことも放電の抑制に寄与し、安定に
動作させる効果がある。
【0059】また、本実施例では、水、油など液体冷却
をしなくても十分放熱できる構造になっており、従来の
問題点となっていた液体もれにより高電圧部からアース
電位へ放電が発生することを防ぎ、安定な動作が維持さ
れる。
をしなくても十分放熱できる構造になっており、従来の
問題点となっていた液体もれにより高電圧部からアース
電位へ放電が発生することを防ぎ、安定な動作が維持さ
れる。
【0060】さらに、図3のように筐体側保持部31の
先端部の内接円110は陽極外形円111と陰極部分の
作る最大半径の外形円112(例えば図1の固定筒リン
グ部33の外形円)で定義される立体角113内に収ま
るように構成されている。有機絶縁体であるエポキシ組
成物は高エネルギーX線を透過するが、このように筐体
側保持部31を構成しておくと、万一、アーキングなど
でバイアス電圧が所定値から大きく逸脱した場合など
に、陽極8等にビームが当たりX線が発生したとして
も、高エネルギーを有する1次X線は、筐体側保持部3
1もしくは固定筒リング部33に当たり、X線の外部へ
の漏洩を防止される。また筐体6の壁面などで反射され
た低エネルギーのX線はエポキシ組成物からなる絶縁支
持部5によりシールドされる。
先端部の内接円110は陽極外形円111と陰極部分の
作る最大半径の外形円112(例えば図1の固定筒リン
グ部33の外形円)で定義される立体角113内に収ま
るように構成されている。有機絶縁体であるエポキシ組
成物は高エネルギーX線を透過するが、このように筐体
側保持部31を構成しておくと、万一、アーキングなど
でバイアス電圧が所定値から大きく逸脱した場合など
に、陽極8等にビームが当たりX線が発生したとして
も、高エネルギーを有する1次X線は、筐体側保持部3
1もしくは固定筒リング部33に当たり、X線の外部へ
の漏洩を防止される。また筐体6の壁面などで反射され
た低エネルギーのX線はエポキシ組成物からなる絶縁支
持部5によりシールドされる。
【0061】実施例2.図4はこの発明の電子ビーム加
工装置の陰極の支持構造の一実施例である。実施例1と
同様に図2の電子ビーム加工装置に組み込まれる。図4
において20はグラファイトチップ等の発熱体、21は
ホルダー、22は陰極・絶縁支持部間の電流導入端子で
ある。
工装置の陰極の支持構造の一実施例である。実施例1と
同様に図2の電子ビーム加工装置に組み込まれる。図4
において20はグラファイトチップ等の発熱体、21は
ホルダー、22は陰極・絶縁支持部間の電流導入端子で
ある。
【0062】陰極部4は絶縁支持部5に対して固定筒7
と電流導入端子22で支持されている。陰極2の熱は実
施例1のように固定筒7、電流導入端子22を経て伝導
され、絶縁支持部5、筐体6(図示せず)などの温度を
上昇させている。この実施例では絶縁支持部内の電圧・
電流導入端子32に比べ陰極・絶縁支持部間の電圧・電
流導入端子の断面積を小さく構成した。具体的には絶縁
支持部内の電流導入端子32の外径を7mm、陰極側の
電流導入端子22の外径を3mmに設定したので、陰極
・絶縁支持部間の電流導入端子22の熱抵抗を大きくで
き、絶縁支持部への熱流を少なくできる。従って、陰極
2が高温であっても、筐体6への熱伝導が少なくなり、
絶縁支持部5、筐体6の温度上昇を小さくすることがで
きるため、絶縁支持部5、筐体6の熱膨張が少なく、陰
極部4と陽極8の寸法精度の変動が抑えられ、ビーム特
性が安定する。
と電流導入端子22で支持されている。陰極2の熱は実
施例1のように固定筒7、電流導入端子22を経て伝導
され、絶縁支持部5、筐体6(図示せず)などの温度を
上昇させている。この実施例では絶縁支持部内の電圧・
電流導入端子32に比べ陰極・絶縁支持部間の電圧・電
流導入端子の断面積を小さく構成した。具体的には絶縁
支持部内の電流導入端子32の外径を7mm、陰極側の
電流導入端子22の外径を3mmに設定したので、陰極
・絶縁支持部間の電流導入端子22の熱抵抗を大きくで
き、絶縁支持部への熱流を少なくできる。従って、陰極
2が高温であっても、筐体6への熱伝導が少なくなり、
絶縁支持部5、筐体6の温度上昇を小さくすることがで
きるため、絶縁支持部5、筐体6の熱膨張が少なく、陰
極部4と陽極8の寸法精度の変動が抑えられ、ビーム特
性が安定する。
【0063】また、この構造は真空封止にOリングを用
いた従来例のような構造においても有効であり、Oリン
グの温度上昇が抑えられ熱劣化が少なくなり、上記と同
様の効果を得ることができる。
いた従来例のような構造においても有効であり、Oリン
グの温度上昇が抑えられ熱劣化が少なくなり、上記と同
様の効果を得ることができる。
【0064】実施例3.図5はこの発明の一実施例であ
る陰極部(図1において符号4で表されている)を示す
構成図である。熱放出陰極としてLaB6陰極を用いた
場合を示している。図において2はLaB6陰極、3は
陰極2からの電子ビーム取り出し開口部を有するウェネ
ルト電極、20はグラファイトチップ、21は外部電源
から陰極2に電源を供給し、グラファイトチップ20を
介して陰極2を保持するホルダー、40はウェネルト電
極の陰極側の面に設けられた開口部と同心かつリング状
の凸部である。この凸部40はウェネルト電極と一体成
形されたものでもよいし、別の金属部材を成形してウェ
ネルト電極の開口部に取り付けてもよい。
る陰極部(図1において符号4で表されている)を示す
構成図である。熱放出陰極としてLaB6陰極を用いた
場合を示している。図において2はLaB6陰極、3は
陰極2からの電子ビーム取り出し開口部を有するウェネ
ルト電極、20はグラファイトチップ、21は外部電源
から陰極2に電源を供給し、グラファイトチップ20を
介して陰極2を保持するホルダー、40はウェネルト電
極の陰極側の面に設けられた開口部と同心かつリング状
の凸部である。この凸部40はウェネルト電極と一体成
形されたものでもよいし、別の金属部材を成形してウェ
ネルト電極の開口部に取り付けてもよい。
【0065】このように構成された陰極部においては、
従来例で問題となった陰極から発生する絶縁物95のほ
とんど大部分は凸部40の陰に付着するため(図5の斜
線で示したもの)、絶縁物95が帯電しても陰極近傍の
電界を乱すことはない。従って陰極近傍の電界は正常に
維持され、安定な電子ビームの引き出しが可能となる。
従来例で問題となった陰極から発生する絶縁物95のほ
とんど大部分は凸部40の陰に付着するため(図5の斜
線で示したもの)、絶縁物95が帯電しても陰極近傍の
電界を乱すことはない。従って陰極近傍の電界は正常に
維持され、安定な電子ビームの引き出しが可能となる。
【0066】実施例4.なお、上記実施例3では、1つ
の凸部40を有するものを示したが、図6のようにウェ
ネルト電極3上に複数の凸部40を設けてもよい。この
場合、陰極に向かった面45と陰になる面46が交互に
配置されている。図7は、図6におけるウェネルト電極
表面の詳細を示し、絶縁物95の付着状態を示す図であ
るが、図7のように、絶縁物の付着は陰極に向かった面
45に限られ、そこに正の電荷がある程度帯電すると、
さらに付着しようとする正電荷47はすぐ近くにある陰
になる面46の負の電位に引き寄せられ帯電が進まな
い。その結果、高電圧に帯電しなくなるため、実施例3
と同様の効果が得られる。なお、図において凸部はのこ
ぎり歯状のものを示したが、このような形状を限定した
ものでなく三角波状、波状でもよい。
の凸部40を有するものを示したが、図6のようにウェ
ネルト電極3上に複数の凸部40を設けてもよい。この
場合、陰極に向かった面45と陰になる面46が交互に
配置されている。図7は、図6におけるウェネルト電極
表面の詳細を示し、絶縁物95の付着状態を示す図であ
るが、図7のように、絶縁物の付着は陰極に向かった面
45に限られ、そこに正の電荷がある程度帯電すると、
さらに付着しようとする正電荷47はすぐ近くにある陰
になる面46の負の電位に引き寄せられ帯電が進まな
い。その結果、高電圧に帯電しなくなるため、実施例3
と同様の効果が得られる。なお、図において凸部はのこ
ぎり歯状のものを示したが、このような形状を限定した
ものでなく三角波状、波状でもよい。
【0067】実施例5.図8は本実施例に示す陰極2の
構成図である。熱放出陰極2の真空露出面が小さくなる
ように、陰極の電子ビーム発生の動作温度以上の高融点
を有する導電性物質41で陰極の電子放出面以外の面を
覆うように構成したものである。42は陰極2の真空へ
の露出面である。この実施例では陰極としてLaB6陰
極、導電性物質としてのタングステン等の金属蒸着膜を
用いた例を示している。このように構成された陰極2に
おいては、加熱中、金属蒸着膜の導電性物質41で覆わ
れた部分からのLaB6の蒸発が抑制されるため、陰極
からのLaB6蒸発量が大幅に減少し、LaB6と残留酸
素が反応して発生する絶縁物のウェネルト電極3への付
着も激減する。従って、従来より長時間の安定動作が可
能となる。なお、陰極のビーム放出面の反対側の裏側の
面は必ずしも覆う必要はない。
構成図である。熱放出陰極2の真空露出面が小さくなる
ように、陰極の電子ビーム発生の動作温度以上の高融点
を有する導電性物質41で陰極の電子放出面以外の面を
覆うように構成したものである。42は陰極2の真空へ
の露出面である。この実施例では陰極としてLaB6陰
極、導電性物質としてのタングステン等の金属蒸着膜を
用いた例を示している。このように構成された陰極2に
おいては、加熱中、金属蒸着膜の導電性物質41で覆わ
れた部分からのLaB6の蒸発が抑制されるため、陰極
からのLaB6蒸発量が大幅に減少し、LaB6と残留酸
素が反応して発生する絶縁物のウェネルト電極3への付
着も激減する。従って、従来より長時間の安定動作が可
能となる。なお、陰極のビーム放出面の反対側の裏側の
面は必ずしも覆う必要はない。
【0068】実施例6.通常、陰極2は図5に示すよう
に、導電性のあるグラファイトチップ20のような発熱
体を介して、ホルダー21により保持されている。この
グラファイトチップ20を利用して、実施例5と同様に
陰極2の電子放出面以外の面を覆うように構成する。図
9は本実施例において示す陰極2の電子放出面方向から
見た図、およびその側面図である。図9(a)におい
て、42はL字形のグラファイトチップで、2つのグラ
ファイトチップ42で陰極を挟み込んだ場合である。図
9(b)において、43は口形のグラファイトチップ
で、このグラファイトチップ43に陰極を組み込んだ場
合である。両者とも電子ビームが放出される箇所44を
残して、陰極2を覆い隠す構造となりその露出面を小さ
くでき、実施例5と同様の効果を得ることができる。
に、導電性のあるグラファイトチップ20のような発熱
体を介して、ホルダー21により保持されている。この
グラファイトチップ20を利用して、実施例5と同様に
陰極2の電子放出面以外の面を覆うように構成する。図
9は本実施例において示す陰極2の電子放出面方向から
見た図、およびその側面図である。図9(a)におい
て、42はL字形のグラファイトチップで、2つのグラ
ファイトチップ42で陰極を挟み込んだ場合である。図
9(b)において、43は口形のグラファイトチップ
で、このグラファイトチップ43に陰極を組み込んだ場
合である。両者とも電子ビームが放出される箇所44を
残して、陰極2を覆い隠す構造となりその露出面を小さ
くでき、実施例5と同様の効果を得ることができる。
【0069】実施例7.図10は、この発明の一実施例
である集束レンズ9(例えば図2の符号9)を示すもの
である。図において、50は電子ビームのビーム軸で、
集束レンズの磁極は内部磁性体部51、上部磁性体部5
2、下部磁性体部53、外部磁性体部54から構成され
ている。内部磁性体部51および外部磁性体部54は円
筒状磁性体であり、上部磁性体部52および下部磁性体
部53は円盤状の薄い磁性体を上下方向に積層構造にし
たものである。円筒状磁性体はフェライトなどの高電気
抵抗率(1Ω・m以上)の磁性体からなり、円盤状の積
層構造の磁性体にはパーマロイ、けい素鋼板など低電気
抵抗率(0.1〜0.7μΩ・m)の磁性体金属を用い
てよい。12は集束レンズの下部に備えられた偏向器で
ある。集束レンズコイル10は、ビーム軸50を軸とし
て同心円状に配置され、その周りを上記の磁性体部51
〜54に囲まれている。集束レンズコイル10のビーム
軸側の少なくとも一部には内部磁性体部51を設けず、
図に示すようなギャップ57を形成しておく。一方偏向
器12のコイルはその軸心をビーム軸50に対向して配
置している。
である集束レンズ9(例えば図2の符号9)を示すもの
である。図において、50は電子ビームのビーム軸で、
集束レンズの磁極は内部磁性体部51、上部磁性体部5
2、下部磁性体部53、外部磁性体部54から構成され
ている。内部磁性体部51および外部磁性体部54は円
筒状磁性体であり、上部磁性体部52および下部磁性体
部53は円盤状の薄い磁性体を上下方向に積層構造にし
たものである。円筒状磁性体はフェライトなどの高電気
抵抗率(1Ω・m以上)の磁性体からなり、円盤状の積
層構造の磁性体にはパーマロイ、けい素鋼板など低電気
抵抗率(0.1〜0.7μΩ・m)の磁性体金属を用い
てよい。12は集束レンズの下部に備えられた偏向器で
ある。集束レンズコイル10は、ビーム軸50を軸とし
て同心円状に配置され、その周りを上記の磁性体部51
〜54に囲まれている。集束レンズコイル10のビーム
軸側の少なくとも一部には内部磁性体部51を設けず、
図に示すようなギャップ57を形成しておく。一方偏向
器12のコイルはその軸心をビーム軸50に対向して配
置している。
【0070】また図11は各コイルの発生する磁束を示
す図である。実線55は集束レンズコイルによる磁束で
あり、破線56は偏向器12が発生する高周波磁束であ
る。高周波磁束56は集束レンズの各磁性体部内を通過
するが、内部磁性体部51と外部磁性体部53は高電気
抵抗であるフェライトなので渦電流は少ない。一方上部
磁性体部52、下部磁性体部53は積層構造であり、こ
の高周波磁束56によってその内部に渦電流が生じる
が、積層間の間隙が電気抵抗となりこの渦電流量が少な
くなる。従って、位置決め時の渦電流によるビーム位置
の振動を抑えることができる。さらに、金属磁性体は7
8パーマロイやスーパーマロイで代表されるようにフェ
ライトに比べ飽和磁束密度が極めて大きく、積層構造磁
性体の厚さを薄くできるので、集束レンズを小形にでき
るとともに、熱の放熱性が良くなる。そのため温度上昇
が少なくレンズ磁極やその周辺の部材の寸法の変動がな
くなりビーム特性が安定する。
す図である。実線55は集束レンズコイルによる磁束で
あり、破線56は偏向器12が発生する高周波磁束であ
る。高周波磁束56は集束レンズの各磁性体部内を通過
するが、内部磁性体部51と外部磁性体部53は高電気
抵抗であるフェライトなので渦電流は少ない。一方上部
磁性体部52、下部磁性体部53は積層構造であり、こ
の高周波磁束56によってその内部に渦電流が生じる
が、積層間の間隙が電気抵抗となりこの渦電流量が少な
くなる。従って、位置決め時の渦電流によるビーム位置
の振動を抑えることができる。さらに、金属磁性体は7
8パーマロイやスーパーマロイで代表されるようにフェ
ライトに比べ飽和磁束密度が極めて大きく、積層構造磁
性体の厚さを薄くできるので、集束レンズを小形にでき
るとともに、熱の放熱性が良くなる。そのため温度上昇
が少なくレンズ磁極やその周辺の部材の寸法の変動がな
くなりビーム特性が安定する。
【0071】集束レンズの磁性体をすべてフェライトで
構成することは、(1)加工性が悪い、(2)高価であ
る、等により好ましくない。本実施例のように磁極の一
部(例えば図10のような上部磁性体部52、下部磁性
体部53)を低電気抵抗の磁性体で積層構造することに
より、簡単な加工成形により部材を製造できる。本実施
例では円盤状形状をした磁性体を金型を用いた打ち抜き
加工で製造できるため高精度の磁極を安価に製造でき
る。また、図25の従来例で、集束レンズ9と偏向器1
2とを一体にしたものでも、例えば図25の磁極102
を薄型の金属磁性体の積層構造としてもよい。
構成することは、(1)加工性が悪い、(2)高価であ
る、等により好ましくない。本実施例のように磁極の一
部(例えば図10のような上部磁性体部52、下部磁性
体部53)を低電気抵抗の磁性体で積層構造することに
より、簡単な加工成形により部材を製造できる。本実施
例では円盤状形状をした磁性体を金型を用いた打ち抜き
加工で製造できるため高精度の磁極を安価に製造でき
る。また、図25の従来例で、集束レンズ9と偏向器1
2とを一体にしたものでも、例えば図25の磁極102
を薄型の金属磁性体の積層構造としてもよい。
【0072】なお、図2のように集束レンズ9の内側に
重ね巻きされた動的焦点補正コイル11の発生する高周
波磁束に対して上記のような積層構造磁性体を磁極とし
て用いても、同様の渦電流抑制の効果がある。
重ね巻きされた動的焦点補正コイル11の発生する高周
波磁束に対して上記のような積層構造磁性体を磁極とし
て用いても、同様の渦電流抑制の効果がある。
【0073】実施例8.なお、図11の構成以外にも、
図12に示すように集束レンズ磁極は円盤状磁性体の積
層構造である上部磁性体部52と下部磁性体部53で内
部および外部磁性体部52、54を挟み込む構造として
も、あるいは、図13に示すように内部磁性体部51と
外部磁性体部54で上部および下部磁性体部52、53
を挟み込む構造としても実施例7と同様の動作を行わせ
ることができる。
図12に示すように集束レンズ磁極は円盤状磁性体の積
層構造である上部磁性体部52と下部磁性体部53で内
部および外部磁性体部52、54を挟み込む構造として
も、あるいは、図13に示すように内部磁性体部51と
外部磁性体部54で上部および下部磁性体部52、53
を挟み込む構造としても実施例7と同様の動作を行わせ
ることができる。
【0074】また、例えば図10のように偏向器12が
集束レンズ9下側に配置されている場合は、集束レンズ
9の磁極の下側が主に高周波磁界の影響を受けるため、
図14のような下部磁性体部52のみを薄い円盤状磁性
体の積層構造とし、その他の磁性体部51、54をフェ
ライトとしても図10、12、13に示したものに比
べ、渦電流の発生は若干増えるものの、実施例7と同様
の効果を得ることができる。また、図示しないが内部磁
性体部51や外部磁性体部54を積層構造磁性体として
もよい。
集束レンズ9下側に配置されている場合は、集束レンズ
9の磁極の下側が主に高周波磁界の影響を受けるため、
図14のような下部磁性体部52のみを薄い円盤状磁性
体の積層構造とし、その他の磁性体部51、54をフェ
ライトとしても図10、12、13に示したものに比
べ、渦電流の発生は若干増えるものの、実施例7と同様
の効果を得ることができる。また、図示しないが内部磁
性体部51や外部磁性体部54を積層構造磁性体として
もよい。
【0075】実施例9.図15は、この発明の一実施例
である集束レンズと動的補正レンズの構成(例えば図2
の符号9と10)を示すものである。集束レンズ磁極
に、電子ビームが通るビーム軸50が同心円の軸中心に
なるように集束レンズコイル10とその内側に動的焦点
補正レンズコイル11を重ねて巻いてある。60は集束
レンズ駆動アンプ13の出力に対して集束レンズコイル
109と直列接続されたインダクタンスである。インダ
クタンス60は集束レンズのインダクタンスより十分大
きなインダクタンスであり、このインダクタンス60が
発生する磁束が電子ビームにまったく影響を及ぼさない
位置に配置されている。62は集束レンズの磁極で、例
えばフェライトで構成されるか、もしくは図10ないし
図14のいずれかのようにフェライトと積層構造磁性体
とで構成されている。
である集束レンズと動的補正レンズの構成(例えば図2
の符号9と10)を示すものである。集束レンズ磁極
に、電子ビームが通るビーム軸50が同心円の軸中心に
なるように集束レンズコイル10とその内側に動的焦点
補正レンズコイル11を重ねて巻いてある。60は集束
レンズ駆動アンプ13の出力に対して集束レンズコイル
109と直列接続されたインダクタンスである。インダ
クタンス60は集束レンズのインダクタンスより十分大
きなインダクタンスであり、このインダクタンス60が
発生する磁束が電子ビームにまったく影響を及ぼさない
位置に配置されている。62は集束レンズの磁極で、例
えばフェライトで構成されるか、もしくは図10ないし
図14のいずれかのようにフェライトと積層構造磁性体
とで構成されている。
【0076】電子ビームを偏向する際に生じる焦点ぼけ
を補正するために、動的補正レンズコイル11を駆動ア
ンプ14からの出力電流により制御して、この動的補正
レンズコイル11が、この焦点ぼけを矯正する。また集
束レンズコイル10には通常定磁場が作られており、動
的補正レンズ駆動アンプ14の出力電流の変化により集
束レンズコイル10には電磁誘導が生じて集束レンズコ
イルの形成する磁場を乱そうとする。しかし、このよう
に集束コイルの電流が変動しようとした時、インダクタ
ンス60にはその集束レンズコイル10の電流変動を妨
げるように電圧が誘導される。インダクタンス60は集
束レンズのインダクタンスに比べ十分大きく設定したた
め、集束レンズへの誘導電流は無視でき、レンズ動作に
影響を与えない。従って、インダクタンス60を集束レ
ンズ駆動アンプ14と集束レンズコイル10間に挿入す
るだけの簡単な構成で安定に動作する集束レンズ、動的
補正レンズ系を構成できる。特に高周波動作を行う動的
補正レンズコイルが設定された場合に有効であり、また
高速なビーム偏向に対しても精度良く焦点を合わせるこ
とができ、被加工物への安定な加工が実施できる。
を補正するために、動的補正レンズコイル11を駆動ア
ンプ14からの出力電流により制御して、この動的補正
レンズコイル11が、この焦点ぼけを矯正する。また集
束レンズコイル10には通常定磁場が作られており、動
的補正レンズ駆動アンプ14の出力電流の変化により集
束レンズコイル10には電磁誘導が生じて集束レンズコ
イルの形成する磁場を乱そうとする。しかし、このよう
に集束コイルの電流が変動しようとした時、インダクタ
ンス60にはその集束レンズコイル10の電流変動を妨
げるように電圧が誘導される。インダクタンス60は集
束レンズのインダクタンスに比べ十分大きく設定したた
め、集束レンズへの誘導電流は無視でき、レンズ動作に
影響を与えない。従って、インダクタンス60を集束レ
ンズ駆動アンプ14と集束レンズコイル10間に挿入す
るだけの簡単な構成で安定に動作する集束レンズ、動的
補正レンズ系を構成できる。特に高周波動作を行う動的
補正レンズコイルが設定された場合に有効であり、また
高速なビーム偏向に対しても精度良く焦点を合わせるこ
とができ、被加工物への安定な加工が実施できる。
【0077】(インダクタンス/集束レンズインダクタ
ンス)比と集束レンズ電流の変動量は反比例するため、
例えばインダクタンスの大きさを集束レンズインダクタ
ンスの10倍とすると電流変動はインダクタンスのない
場合の1/10程度に抑えられる。例えば100mHの
集束コイルに対して、1H程度のインダクタンスを接続
すれば、集束レンズコイルに流れる電流変動は1/10
小さくなる。
ンス)比と集束レンズ電流の変動量は反比例するため、
例えばインダクタンスの大きさを集束レンズインダクタ
ンスの10倍とすると電流変動はインダクタンスのない
場合の1/10程度に抑えられる。例えば100mHの
集束コイルに対して、1H程度のインダクタンスを接続
すれば、集束レンズコイルに流れる電流変動は1/10
小さくなる。
【0078】実施例10.集束レンズ9ではビーム軸合
わせのために電流の方向を瞬時に逆に切り替えるような
動作をさせる場合がある。その時、インダクタンス60
は、電流の応答を遅らせたり、アンプを破損させたりす
る可能性があるため、図16のようにインダクタンス6
0に対してスイッチ機能61を並列に接続して、スイッ
チ61によりインダクタンス60の誘導を取り除ける構
造にしてもよい(集束レンズコイルの磁極は図示せ
ず)。
わせのために電流の方向を瞬時に逆に切り替えるような
動作をさせる場合がある。その時、インダクタンス60
は、電流の応答を遅らせたり、アンプを破損させたりす
る可能性があるため、図16のようにインダクタンス6
0に対してスイッチ機能61を並列に接続して、スイッ
チ61によりインダクタンス60の誘導を取り除ける構
造にしてもよい(集束レンズコイルの磁極は図示せ
ず)。
【0079】実施例11.図17はこの発明の一実施例
である動的補正レンズと集束レンズの構成の他の実施例
を示すものである。実施例9と同様に、集束レンズコイ
ル10と、その内側に動的焦点補正レンズ11を配置し
たもので、図において、70は集束レンズ内側のギャッ
プを隔て、上下に配置された円筒状磁極であり、フェラ
イトなどの高電気抵抗率の磁性体(1Ω・m以上)で構
成される。71は円筒状磁極70以外の磁束リターン部
の磁極で、電磁軟鉄など低電気抵抗率の磁性体(0.1
〜0.7μΩ・m程度)で構成されている。11は動的
補正レンズのコイルで集束レンズ内側の磁極のギャップ
間に配置された場合を示している。72の実線は集束レ
ンズコイル10により形成される磁束、73の破線は動
的焦点補正レンズコイル11により形成される磁束であ
る。
である動的補正レンズと集束レンズの構成の他の実施例
を示すものである。実施例9と同様に、集束レンズコイ
ル10と、その内側に動的焦点補正レンズ11を配置し
たもので、図において、70は集束レンズ内側のギャッ
プを隔て、上下に配置された円筒状磁極であり、フェラ
イトなどの高電気抵抗率の磁性体(1Ω・m以上)で構
成される。71は円筒状磁極70以外の磁束リターン部
の磁極で、電磁軟鉄など低電気抵抗率の磁性体(0.1
〜0.7μΩ・m程度)で構成されている。11は動的
補正レンズのコイルで集束レンズ内側の磁極のギャップ
間に配置された場合を示している。72の実線は集束レ
ンズコイル10により形成される磁束、73の破線は動
的焦点補正レンズコイル11により形成される磁束であ
る。
【0080】集束レンズコイル10に流れる電流によっ
て発生する集束レンズ磁束72は上下の円筒状磁極7
0、およびリターン部の磁極71を通り、ビームを集束
させる磁界を形成する。一方、動的焦点補正レンズのコ
イル11に流れる電流で発生する動的焦点補正レンズ磁
束73は高周波動作する。リターン部の磁極71が低電
気抵抗率であるために渦電流が発生し、磁気抵抗を大き
くする。そのため磁束73はリターン部の磁極71に侵
入できず、図のように集束レンズ内側の上下の円筒状磁
極70のみを流れる。図18は動的補正レンズコイル1
1の作る磁束を示した模式図である。両コイルともビー
ム軸50を軸中心として同心円状に巻かれていて、動的
補正レンズコイル11の作る磁束は破線73の通りで、
図17に示す磁極70と71の構成により、磁束ループ
は集束レンズコイル10の内側で発生する。動的焦点補
正コイル11がこの集束レンズコイル10の周りを鎖交
するループ(図の実線74)に沿った磁束を形成するこ
とは極めて少なくなり、従ってコイル11の高周波動作
による磁束73の変動が起きても、集束レンズコイル1
0に誘導される誘導電流はかなり低減され、集束レンズ
コイル10の作る磁束(図示せず)に影響を及ぼすこと
はなく、実施例9と同様の効果が得られる。
て発生する集束レンズ磁束72は上下の円筒状磁極7
0、およびリターン部の磁極71を通り、ビームを集束
させる磁界を形成する。一方、動的焦点補正レンズのコ
イル11に流れる電流で発生する動的焦点補正レンズ磁
束73は高周波動作する。リターン部の磁極71が低電
気抵抗率であるために渦電流が発生し、磁気抵抗を大き
くする。そのため磁束73はリターン部の磁極71に侵
入できず、図のように集束レンズ内側の上下の円筒状磁
極70のみを流れる。図18は動的補正レンズコイル1
1の作る磁束を示した模式図である。両コイルともビー
ム軸50を軸中心として同心円状に巻かれていて、動的
補正レンズコイル11の作る磁束は破線73の通りで、
図17に示す磁極70と71の構成により、磁束ループ
は集束レンズコイル10の内側で発生する。動的焦点補
正コイル11がこの集束レンズコイル10の周りを鎖交
するループ(図の実線74)に沿った磁束を形成するこ
とは極めて少なくなり、従ってコイル11の高周波動作
による磁束73の変動が起きても、集束レンズコイル1
0に誘導される誘導電流はかなり低減され、集束レンズ
コイル10の作る磁束(図示せず)に影響を及ぼすこと
はなく、実施例9と同様の効果が得られる。
【0081】なお、図2のように動的焦点補正レンズの
コイルは集束レンズのコイルの内側に近接して配置した
場合でも、若干効果は落ちるものの同様の動作が得られ
る。
コイルは集束レンズのコイルの内側に近接して配置した
場合でも、若干効果は落ちるものの同様の動作が得られ
る。
【0082】実施例12.実施例11では集束レンズの
上下磁極に対称に電磁軟鉄など低電気抵抗の磁性体材質
で構成したものを示したが、例えば偏向器12が集束レ
ンズ下部に設置された場合には、この偏向器12が発生
させる磁束による影響の大きい箇所、例えば下側の磁極
75は高電気抵抗率の材質例えばフェライトにした図1
9のように構成する。磁極75は下側の円筒状磁極70
と一体成形してもよいし、別部材として形成てもよい。
偏向器12の高周波磁界に対する渦電流の発生を抑える
ことができ、また、動的補正レンズ磁束73は低電気抵
抗率の磁極71を通らないため集束レンズコイルを鎖交
する磁束を少なくすることができる。また、下側の磁極
は実施例7、8の低電気抵抗率の磁性体の積層構造との
組み合わせ構造でもよい。これら構造により実施例7お
よび実施例11の両方の効果を得ることができる。
上下磁極に対称に電磁軟鉄など低電気抵抗の磁性体材質
で構成したものを示したが、例えば偏向器12が集束レ
ンズ下部に設置された場合には、この偏向器12が発生
させる磁束による影響の大きい箇所、例えば下側の磁極
75は高電気抵抗率の材質例えばフェライトにした図1
9のように構成する。磁極75は下側の円筒状磁極70
と一体成形してもよいし、別部材として形成てもよい。
偏向器12の高周波磁界に対する渦電流の発生を抑える
ことができ、また、動的補正レンズ磁束73は低電気抵
抗率の磁極71を通らないため集束レンズコイルを鎖交
する磁束を少なくすることができる。また、下側の磁極
は実施例7、8の低電気抵抗率の磁性体の積層構造との
組み合わせ構造でもよい。これら構造により実施例7お
よび実施例11の両方の効果を得ることができる。
【0083】実施例13.図20は、この発明の一実施
例である偏向器を示すものである(図2において12お
よびアライメントコイル16に対応する)。図において
80は円柱状磁極、81はリング状磁極、82は円柱状
磁極80に巻かれたコイル、83は円筒状の磁極位置決
め筒、85はコイル82の作る磁束である。また電子ビ
ーム1は紙面の上から下へ流れるものとする。図20
(a)は偏向器の上面図、(b)はその側面図である。
例である偏向器を示すものである(図2において12お
よびアライメントコイル16に対応する)。図において
80は円柱状磁極、81はリング状磁極、82は円柱状
磁極80に巻かれたコイル、83は円筒状の磁極位置決
め筒、85はコイル82の作る磁束である。また電子ビ
ーム1は紙面の上から下へ流れるものとする。図20
(a)は偏向器の上面図、(b)はその側面図である。
【0084】陰極から発射された電子ビーム1は磁極位
置決め筒83の内側を通過する。偏向器駆動アンプ15
(図示せず)はコイル82に電流を流して磁界を発生さ
せると、円柱状磁極80、磁極間の空間、対向する磁極
位置決め筒83、リング状磁極81からなる磁路を経て
偏向磁束が生じる(図20の矢印85の方向)。この磁
束の大きさ、向きを制御することにより、ビームの被加
工物への照射位置を変動させながら被加工物に加工を施
す。磁極位置決め筒83は筐体6の一部として加工さ
れ、旋盤などを用い容易に高い同心度で加工される。例
えば図20(b)のように筐体6の内側に中心ビーム1
の通る開口部を設けた円盤状の取り付け部86を形成
し、その開口部の端を上に突出させるように位置決め筒
83を備え付けた。通常集束レンズ9(図示せず)は軸
対称であり、筐体に対して高精度で同心度を確保して組
み立てられる。一般に電子ビームは集束レンズの軸中心
に対して軸合わせされるため、偏向器もこの軸中心に軸
合わせする必要がある。偏向器の円柱状磁極80に巻か
れた偏向コイル82を、その磁極80の先端が磁極位置
決め筒83に接触するように位置決めする。円柱状磁極
80のその反対側の端部にはネジが形成され、リング状
磁極81に対してそのままネジ留めされ、出し入れが可
能である。磁極位置決め筒83へ接触するようにこのネ
ジ調節する。また、図20(c)のようにリング状磁極
81に別のネジ84で取り付け固定してもよい。このよ
うな偏向コイルの位置決めにより、集束レンズとの同心
度が得られ、ビーム軸に対して精度よく同心度を確保す
ることが可能である。その結果発生する偏向収差量が小
さくなり、偏向による加工時のビーム特性の変動が小さ
く、安定なビーム加工が実現できる。
置決め筒83の内側を通過する。偏向器駆動アンプ15
(図示せず)はコイル82に電流を流して磁界を発生さ
せると、円柱状磁極80、磁極間の空間、対向する磁極
位置決め筒83、リング状磁極81からなる磁路を経て
偏向磁束が生じる(図20の矢印85の方向)。この磁
束の大きさ、向きを制御することにより、ビームの被加
工物への照射位置を変動させながら被加工物に加工を施
す。磁極位置決め筒83は筐体6の一部として加工さ
れ、旋盤などを用い容易に高い同心度で加工される。例
えば図20(b)のように筐体6の内側に中心ビーム1
の通る開口部を設けた円盤状の取り付け部86を形成
し、その開口部の端を上に突出させるように位置決め筒
83を備え付けた。通常集束レンズ9(図示せず)は軸
対称であり、筐体に対して高精度で同心度を確保して組
み立てられる。一般に電子ビームは集束レンズの軸中心
に対して軸合わせされるため、偏向器もこの軸中心に軸
合わせする必要がある。偏向器の円柱状磁極80に巻か
れた偏向コイル82を、その磁極80の先端が磁極位置
決め筒83に接触するように位置決めする。円柱状磁極
80のその反対側の端部にはネジが形成され、リング状
磁極81に対してそのままネジ留めされ、出し入れが可
能である。磁極位置決め筒83へ接触するようにこのネ
ジ調節する。また、図20(c)のようにリング状磁極
81に別のネジ84で取り付け固定してもよい。このよ
うな偏向コイルの位置決めにより、集束レンズとの同心
度が得られ、ビーム軸に対して精度よく同心度を確保す
ることが可能である。その結果発生する偏向収差量が小
さくなり、偏向による加工時のビーム特性の変動が小さ
く、安定なビーム加工が実現できる。
【0085】なお、磁極位置決め筒は、筐体の一部であ
る必要はなく筐体に組み合わされる部品や真空壁であっ
てもよい。円柱状磁極80は断面が円である必要性はな
く、多角形でもなんら問題はない。さらに、図21のよ
うな断面をT型の形状にし、このT型部分を位置決め筒
83に接触させても同様の動作が可能である。
る必要はなく筐体に組み合わされる部品や真空壁であっ
てもよい。円柱状磁極80は断面が円である必要性はな
く、多角形でもなんら問題はない。さらに、図21のよ
うな断面をT型の形状にし、このT型部分を位置決め筒
83に接触させても同様の動作が可能である。
【0086】また、偏向器の組み立て前に円柱状磁極に
コイルが巻け、コイルを巻いた円柱状磁極を組み立てる
ことにより精度良い偏向器の製作が簡単であるというこ
とも効果のひとつである。この特徴を有する偏向器はビ
ーム軸合わせ用のアライメントレンズ(図2の符号1
6)としても用いることができる。また、コイルを配置
して電子ビームの非点収差補正に使われるスティグメー
タに用いても、上記と同様の効果が得られる。
コイルが巻け、コイルを巻いた円柱状磁極を組み立てる
ことにより精度良い偏向器の製作が簡単であるというこ
とも効果のひとつである。この特徴を有する偏向器はビ
ーム軸合わせ用のアライメントレンズ(図2の符号1
6)としても用いることができる。また、コイルを配置
して電子ビームの非点収差補正に使われるスティグメー
タに用いても、上記と同様の効果が得られる。
【0087】
【発明の効果】この発明は、以上説明した様に構成され
るので以下に記載される様な効果を奏する。請求項1に
よると、陰極支持部は、陰極部を保持すると同時に筐体
の一部および端子部を被覆するように有機絶縁物を組立
成形することにより陰極部を筐体に支持し、かつ端子部
の一部とともに陰極部を真空封止するようにしたのでの
で、加工しやすく、安価に構成できる。また陰極部の真
空封止も強固になされ、安定したビーム特性が得られ
る。
るので以下に記載される様な効果を奏する。請求項1に
よると、陰極支持部は、陰極部を保持すると同時に筐体
の一部および端子部を被覆するように有機絶縁物を組立
成形することにより陰極部を筐体に支持し、かつ端子部
の一部とともに陰極部を真空封止するようにしたのでの
で、加工しやすく、安価に構成できる。また陰極部の真
空封止も強固になされ、安定したビーム特性が得られ
る。
【0088】請求項2によると、有機絶縁物は、無機質
物質を添加させることにより筐体と同程度の熱膨張率を
有するので、熱膨張しても陰極部の位置精度の変動が少
なくなり、安定したビーム特性が得られる。
物質を添加させることにより筐体と同程度の熱膨張率を
有するので、熱膨張しても陰極部の位置精度の変動が少
なくなり、安定したビーム特性が得られる。
【0089】請求項3によると、有機絶縁物は、有機絶
縁物は、外気と露出するようにしたので、放熱性の良い
構造となり熱膨張を抑止し、そのため陰極部の位置精度
の変動が少なくなり、安定したビーム特性が得られる。
縁物は、外気と露出するようにしたので、放熱性の良い
構造となり熱膨張を抑止し、そのため陰極部の位置精度
の変動が少なくなり、安定したビーム特性が得られる。
【0090】請求項4によると、陰極支持部に覆われる
筐体や端子部の境界面に凹凸形状を形成したので、その
境界は密切に接合され、真空封止を強固に行なうことが
でき、安定したビーム特性が得られる。
筐体や端子部の境界面に凹凸形状を形成したので、その
境界は密切に接合され、真空封止を強固に行なうことが
でき、安定したビーム特性が得られる。
【0091】請求項5によると、陰極支持部に覆われた
筐体の部分は、陰極部が配置される側に突出するように
形成された突出部を含むようにしたので、電子ビームに
より筐体内部で発生するX線を外部に漏れないようにす
ることができる。
筐体の部分は、陰極部が配置される側に突出するように
形成された突出部を含むようにしたので、電子ビームに
より筐体内部で発生するX線を外部に漏れないようにす
ることができる。
【0092】請求項6によると、陰極部とともに真空封
止された端子部の断面積は、陰極支持部に覆われた端子
部の断面積より小さくしたので、端子部から陰極支持部
への熱伝導を抑え、陰極支持部や筐体の熱膨張を少なく
することができ、陰極部の位置精度の変動が少なくな
り、安定したビーム特性が得られる。
止された端子部の断面積は、陰極支持部に覆われた端子
部の断面積より小さくしたので、端子部から陰極支持部
への熱伝導を抑え、陰極支持部や筐体の熱膨張を少なく
することができ、陰極部の位置精度の変動が少なくな
り、安定したビーム特性が得られる。
【0093】請求項7によると、ウェネルト電極の端部
を陰極側に突出させるようにし、また請求項8による
と、陰極に対向するウェネルト電極の表面に凹凸形状を
形成したので、陰極から放出してウェネルト電極に付着
する絶縁物の帯電に対して、電子ビームは影響を受けに
くくし、安定したビーム特性が得られる。
を陰極側に突出させるようにし、また請求項8による
と、陰極に対向するウェネルト電極の表面に凹凸形状を
形成したので、陰極から放出してウェネルト電極に付着
する絶縁物の帯電に対して、電子ビームは影響を受けに
くくし、安定したビーム特性が得られる。
【0094】請求項9によると、電子ビームの放出され
る箇所を残して、陰極の電子ビーム発生動作温度より高
い融点を有する導電性物質で覆うようにし、請求項10
によると、電子ビームを陰極より発生させるための発熱
体で電子ビームの放出される箇所を残して陰極を覆うの
で、陰極からの絶縁物の発生、飛散が抑制され、ウェネ
ルト電極への付着、帯電を防ぐ。
る箇所を残して、陰極の電子ビーム発生動作温度より高
い融点を有する導電性物質で覆うようにし、請求項10
によると、電子ビームを陰極より発生させるための発熱
体で電子ビームの放出される箇所を残して陰極を覆うの
で、陰極からの絶縁物の発生、飛散が抑制され、ウェネ
ルト電極への付着、帯電を防ぐ。
【0095】請求項11によると、集束コイル磁極の少
なくとも一部は複数の薄板状の磁性体を積層して形成さ
れるので、渦電流の発生を防ぎ、それにより集束コイル
が作る磁束への影響を小さくすることができ、集束レン
ズによりビームの集束を精度よく安定して行なうことが
できる。
なくとも一部は複数の薄板状の磁性体を積層して形成さ
れるので、渦電流の発生を防ぎ、それにより集束コイル
が作る磁束への影響を小さくすることができ、集束レン
ズによりビームの集束を精度よく安定して行なうことが
できる。
【0096】請求項12によると、集束コイルは、それ
自身のインダクタンスより大きいインダクタンスを介し
て付勢されるように形成されたので、集束コイルに流れ
る電流は、集束コイルの内部に配置された動的焦点補正
コイルからの磁界変動に対しても影響を受けず、ビーム
焦点補正が高速で精度よく行なうことができる。
自身のインダクタンスより大きいインダクタンスを介し
て付勢されるように形成されたので、集束コイルに流れ
る電流は、集束コイルの内部に配置された動的焦点補正
コイルからの磁界変動に対しても影響を受けず、ビーム
焦点補正が高速で精度よく行なうことができる。
【0097】請求項13によると、集束コイル磁極は、
集束コイルの内側の少なくとも一部を除いて集束コイル
を取り囲むように形成され、集束コイル内側の集束コイ
ル磁極部分は第一の磁性体で、それ以外の箇所の少なく
とも一部は前記第一の磁性体より低電気抵抗の第二の磁
性体で構成されたので、集束コイルに流れる電流は、そ
の内部に配置された動的焦点補正コイルにより生じる変
動がなくなり、ビーム焦点補正が高速で精度よく行なう
ことができる。
集束コイルの内側の少なくとも一部を除いて集束コイル
を取り囲むように形成され、集束コイル内側の集束コイ
ル磁極部分は第一の磁性体で、それ以外の箇所の少なく
とも一部は前記第一の磁性体より低電気抵抗の第二の磁
性体で構成されたので、集束コイルに流れる電流は、そ
の内部に配置された動的焦点補正コイルにより生じる変
動がなくなり、ビーム焦点補正が高速で精度よく行なう
ことができる。
【0098】請求項14によると、偏向コイルを有し、
電子ビームを偏向させて被加工物に照射させる位置を制
御する偏向器、筐体のビーム軸と同心となるように、筐
体内に配置された円筒状部材を備え、偏向コイルは、コ
イル端面をビーム軸に対向するように円筒状部材に接触
させて位置決めするようにしたので、偏向収差が少なく
なり、ビーム特性が安定し、偏向して被加工物にビーム
を照射しても精度よく加工することができる。
電子ビームを偏向させて被加工物に照射させる位置を制
御する偏向器、筐体のビーム軸と同心となるように、筐
体内に配置された円筒状部材を備え、偏向コイルは、コ
イル端面をビーム軸に対向するように円筒状部材に接触
させて位置決めするようにしたので、偏向収差が少なく
なり、ビーム特性が安定し、偏向して被加工物にビーム
を照射しても精度よく加工することができる。
【図1】この発明の実施例1に示す電子ビーム加工装置
の陰極の支持構造の構成図である。
の陰極の支持構造の構成図である。
【図2】この発明の実施例1に示す電子ビーム加工装置
の構成図である。
の構成図である。
【図3】この発明の実施例1に示す電子ビーム加工装置
の筐体保持部、陽極、陰極側保持部の位置を示す説明図
である。
の筐体保持部、陽極、陰極側保持部の位置を示す説明図
である。
【図4】この発明の実施例2に示す電子ビーム加工装置
の陰極の支持構造の構成図である。
の陰極の支持構造の構成図である。
【図5】この発明の実施例3に示す電子ビーム加工装置
の陰極とウェネルト電極の構成図である。
の陰極とウェネルト電極の構成図である。
【図6】この発明の実施例4に示す電子ビーム加工装置
のウェネルト電極の構成図である。
のウェネルト電極の構成図である。
【図7】この発明の実施例4の図6に示すウェネルト電
極の構成の詳細図である。
極の構成の詳細図である。
【図8】この発明の実施例5に示す電子ビーム加工装置
の陰極の構成図である。
の陰極の構成図である。
【図9】この発明の実施例6に示す電子ビーム加工装置
の陰極の構成図である。
の陰極の構成図である。
【図10】この発明の実施例7に示す電子ビーム加工装
置の集束レンズと偏向器の構成図である。
置の集束レンズと偏向器の構成図である。
【図11】この発明の実施例7の図10における集束レ
ンズと偏向器の形成する磁束を示す詳細図である。
ンズと偏向器の形成する磁束を示す詳細図である。
【図12】この発明の実施例8に示す電子ビーム加工装
置の集束レンズの構成図である。
置の集束レンズの構成図である。
【図13】この発明の実施例8に示す電子ビーム加工装
置の別の集束レンズの構成図である。
置の別の集束レンズの構成図である。
【図14】この発明の実施例8に示す電子ビーム加工装
置の別の集束レンズの構成図である。
置の別の集束レンズの構成図である。
【図15】この発明の実施例9に示す電子ビーム加工装
置の集束レンズと動的焦点補正レンズの構成図である。
置の集束レンズと動的焦点補正レンズの構成図である。
【図16】この発明の実施例10に示す電子ビーム加工
装置の集束レンズと動的焦点補正レンズの構成図であ
る。
装置の集束レンズと動的焦点補正レンズの構成図であ
る。
【図17】この発明の実施例11に示す電子ビーム加工
装置の集束レンズと動的焦点補正レンズの構成図であ
る。
装置の集束レンズと動的焦点補正レンズの構成図であ
る。
【図18】図17の動的焦点補正レンズの形成する磁束
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図19】この発明の実施例12に示す電子ビーム加工
装置の集束レンズと動的焦点補正レンズの構成図であ
る。
装置の集束レンズと動的焦点補正レンズの構成図であ
る。
【図20】この発明の実施例13に示す電子ビーム加工
装置の偏向器の構成図である。
装置の偏向器の構成図である。
【図21】この発明の実施例13に示す偏向器の別の偏
向器磁極の構成図である。
向器磁極の構成図である。
【図22】従来技術による電子ビーム加工装置の構成図
である。
である。
【図23】従来技術による電子ビーム加工装置の陰極部
の構成図である。
の構成図である。
【図24】従来技術による陰極部のウェネルト電極に絶
縁物が付着し、帯電する様子を示す説明図である。
縁物が付着し、帯電する様子を示す説明図である。
【図25】従来技術による電子ビーム加工装置の集束レ
ンズと偏向器の構成図である。
ンズと偏向器の構成図である。
【図26】従来技術による電子ビーム加工装置の集束レ
ンズと動的焦点補正レンズの構成図である。
ンズと動的焦点補正レンズの構成図である。
【図27】図26の集束レンズと動的焦点補正レンズの
動作原理を示す回路図である。
動作原理を示す回路図である。
【図28】従来技術による電子ビーム加工装置の偏向器
の構成図である。
の構成図である。
1 電子ビーム 2 陰極 3 ウェネルト電極 5 絶縁支持部 6 筐体 7 固定筒 8 陽極 9 集束レンズ 11 動的焦点補正コイル 12 偏向器 13 集束レンズ駆動アンプ 14 動的焦点補正コイル駆動アンプ 16 アラインメントコイル 17 被加工物 22 電流導入端子 30 陰極側保持部 31 筐体側保持部 32 電流導入端子 40 ウェネルト電極の凸部 41 高融点金属蒸着膜 42 L型グラファイトチップ 43 口型グラファイトチップ 50 ビーム軸 51 内部磁性体部 52 上部磁性体部 53 下部磁性体部 54 外部磁性体部 60 インダクタンス 70 集束レンズ内側の円筒状磁極 71 集束レンズのリターン部磁極 80 円柱状磁極 81 リング状磁極 82 偏向コイル 83 磁極位置決め筒
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01J 37/21 Z (72)発明者 酒井 国人 尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電機 株式会社中央研究所内
Claims (14)
- 【請求項1】 筐体と、陰極及びウェネルト電極を有
し、被加工物を加工する電子ビームを発生させる陰極部
と、外部電源から前記陰極部に電流を供給する端子部
と、前記陰極部を保持するとともに前記筐体の一部およ
び前記端子部を被覆するように有機絶縁物を組立成形す
ることにより前記陰極部を筐体に支持し、かつ前記端子
部の一部とともに前記陰極部を真空封止する陰極支持部
を備えたことを特徴とする電子ビーム加工装置。 - 【請求項2】 有機絶縁物は、無機質物質を添加させる
ことにより筐体と同程度の熱膨張率を有することを特徴
とする請求項1記載の電子ビーム加工装置。 - 【請求項3】 有機絶縁物は、外気に接する表面積が大
きく形成されたことを特徴とする請求項1記載の電子ビ
ーム加工装置。 - 【請求項4】 陰極支持部に覆われる筐体または端子部
の境界面には、凹凸形状を形成するようにしたことを特
徴とする請求項1記載の電子ビーム加工装置。 - 【請求項5】 陰極支持部に覆われた筐体の部分は、陰
極部が配置される側に突出するように形成された突出部
を含むようにしたことを特徴とする請求項1記載の電子
ビーム加工装置。 - 【請求項6】 陰極部とともに真空封止された端子部の
断面積は、陰極支持部に覆われた端子部の断面積より小
さくしたことを特徴とする請求項1記載の電子ビーム加
工装置。 - 【請求項7】 発熱体を発熱させることにより被加工物
を加工する電子ビームを発生させる陰極と、前記陰極に
対向して配置され、かつ前記陰極からの電子ビームを通
過させる開口部を有するウェネルト電極を備え、前記開
口部の端部を、陰極側に突出させるようにしたことを特
徴とする電子ビーム加工装置。 - 【請求項8】 発熱体を発熱させることにより被加工物
を加工する電子ビームを発生させる陰極と、前記陰極に
対向して配置され、かつ前記陰極からの電子ビームを通
過させる開口部を有するウェネルト電極を備え、前記陰
極に対向するウェネルト電極の表面に凹凸形状を形成し
たことを特徴とする電子ビーム加工装置。 - 【請求項9】 発熱体を発熱させることにより被加工物
を加工する電子ビームを発生させる陰極と、前記陰極に
対向して配置され、かつ前記陰極からの電子ビームを通
過させる開口部を有するウェネルト電極を備え、前記陰
極は、電子ビームの放出される箇所を残して、陰極の電
子ビーム発生動作温度より高い融点を有する導電性物質
で覆うようにしたことを特徴とする電子ビーム加工装
置。 - 【請求項10】 発熱体を発熱させることにより被加工
物を加工する電子ビームを発生させる陰極と、前記陰極
に対向して配置され、かつ前記陰極からの電子ビームを
通過させる開口部を有するウェネルト電極を備え、前記
陰極は、電子ビームの放出される箇所を残して、前記発
熱体で覆うようにしたことを特徴とする電子ビーム加工
装置。 - 【請求項11】 被加工物を加工する電子ビームを発生
させる陰極部と、集束コイル及び集束コイル磁極を有
し、前記電子ビームを被加工物に集束させる集束レンズ
と、前記電子ビームを偏向させて被加工物に照射させる
位置を制御する偏向器を備え、前記集束コイルは、その
軸心内に電子ビームを通過させるように配置され、前記
集束コイル磁極は、前記集束コイルの内側の少なくとも
一部を除いて、集束コイルを取り囲むように形成され、
かつ集束コイル磁極の少なくとも一部は複数の薄板状の
磁性体を積層して構成したことを特徴とする電子ビーム
加工装置。 - 【請求項12】 被加工物を加工する電子ビームを発生
させる陰極部と、集束コイルと集束コイル磁極を有し、
前記電子ビームを被加工物に集束させる集束レンズと、
前記電子ビームを偏向させて被加工物に照射させる位置
を制御する偏向器、前記電子ビームの焦点ぼけを矯正す
る動的焦点補正コイルを備え、前記集束コイルは、その
軸心内に電子ビームを通過させるように配置され、前記
集束コイル自身のインダクタンスより大きいインダクタ
ンスを介して付勢されるように形成されるとともに、前
記動的焦点補正コイルは、その軸心内に電子ビームを通
過させるように前記集束コイルの内側に配置されたこと
を特徴とする電子ビーム加工装置。 - 【請求項13】 被加工物を加工する電子ビームを発生
させる陰極部と、集束コイルと集束コイル磁極を有し、
前記電子ビームを被加工物に集束させる集束レンズと、
前記電子ビームを偏向させて被加工物に照射させる位置
を制御する偏向器、前記電子ビームの焦点ぼけを矯正す
る動的焦点補正コイルを備え、前記集束コイルは、その
軸心内に電子ビームを通過させるように配置され、前記
動的焦点補正コイルは、その軸心内に電子ビームを通過
させるように前記集束コイルの内側に配置され、前記集
束コイル磁極は、前記集束コイルの内側の少なくとも一
部を除いて前記集束コイルを取り囲むように形成され、
集束コイル内側の集束コイル磁極の部分は第一の磁性体
で、それ以外の箇所の少なくとも一部は前記第一の磁性
体より低電気抵抗の第二の磁性体で構成されたことを特
徴とする電子ビーム加工装置。 - 【請求項14】 筐体と、被加工物を加工する電子ビー
ムを発生させる陰極部と、前記電子ビームを被加工物に
集束させる集束レンズと、偏向コイルを有し、前記電子
ビームを偏向させて被加工物に照射させる位置を制御す
る偏向器、前記筐体のビーム軸と同心となるように、筐
体内に配置された円筒状部材を備え、前記偏向コイル
は、コイル端面をビーム軸に対向するように前記円筒状
部材に接触させて位置決めするようにしたことを特徴と
する電子ビーム加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6045906A JPH07254384A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 電子ビーム加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6045906A JPH07254384A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 電子ビーム加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254384A true JPH07254384A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12732298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6045906A Pending JPH07254384A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 電子ビーム加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07254384A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006221983A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子発生装置と荷電粒子発生装置用エミッタ温度決定方法 |
| JP2007507835A (ja) * | 2003-10-08 | 2007-03-29 | ヴァリアン オーストラリア ピーティーワイ.エルティーディー. | 質量分析用電極 |
| JP2007242556A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子銃、エネルギー線発生装置、電子線発生装置、及びx線発生装置 |
| EP4539089A3 (en) * | 2023-10-11 | 2025-07-02 | Fei Company | Dry electron source environment |
-
1994
- 1994-03-16 JP JP6045906A patent/JPH07254384A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007507835A (ja) * | 2003-10-08 | 2007-03-29 | ヴァリアン オーストラリア ピーティーワイ.エルティーディー. | 質量分析用電極 |
| JP2006221983A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子発生装置と荷電粒子発生装置用エミッタ温度決定方法 |
| JP2007242556A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子銃、エネルギー線発生装置、電子線発生装置、及びx線発生装置 |
| WO2007105389A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | 電子銃、エネルギー線発生装置、電子線発生装置、及びx線発生装置 |
| EP4539089A3 (en) * | 2023-10-11 | 2025-07-02 | Fei Company | Dry electron source environment |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101988538B1 (ko) | X선 발생 장치 | |
| JP4200656B2 (ja) | 荷電粒子ビームに関する改善 | |
| US5041732A (en) | Charged particle beam generating apparatus | |
| CN110838427B (zh) | 一种用于熔丝增材制造的电子枪装置 | |
| EP1471562B1 (en) | Particle-optical apparatus with a permanent-magnetic lens and an electrostatic lens | |
| US20140077699A1 (en) | Rf system, magnetic filter, and high voltage isolation for an inductively coupled plasma ion source | |
| JP6646150B2 (ja) | イオンミリング装置 | |
| US7382862B2 (en) | X-ray tube cathode with reduced unintended electrical field emission | |
| JP6374989B2 (ja) | 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置用部材の製造方法 | |
| US6111934A (en) | X-ray tube with electromagnetic electron beam deflector formed by laminating in planes oriented perpendicularly to the electron beam | |
| US3497602A (en) | Apparatus for producing and directing an electron beam in an electron beam furnace | |
| US3555347A (en) | Self aligning electron beam welder | |
| US7429740B2 (en) | Electric-magnetic field-generating element and assembling method for same | |
| JPH02227950A (ja) | 陰極の回りに磁界を生じさせる装置を有する電子銃 | |
| US3458743A (en) | Positive ion source for use with a duoplasmatron | |
| US12221689B2 (en) | Insulating structure, method for manufacturing insulating structure, ion generation device, and ion implanter | |
| US5416381A (en) | Self aligning electron beam gun having enhanced thermal and mechanical stability | |
| EP4046179A1 (en) | Electron beam welding systems employing a plasma cathode | |
| EP1218918A2 (en) | Immersion lens with magnetic shield for charged particle beam system | |
| US3286187A (en) | Ion source utilizing a spherically converging electric field | |
| JPH07233473A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH06162979A (ja) | 磁界界浸型電子銃 | |
| JP2000090866A (ja) | 電子銃、電子銃による電子ビーム発生方法及び電子銃を用いた露光装置 | |
| JP2674995B2 (ja) | 基板処理方法およびその装置 | |
| KR101089231B1 (ko) | X선관 |