JPH07254665A - 半導体素子・集積回路装置 - Google Patents
半導体素子・集積回路装置Info
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- JPH07254665A JPH07254665A JP4583694A JP4583694A JPH07254665A JP H07254665 A JPH07254665 A JP H07254665A JP 4583694 A JP4583694 A JP 4583694A JP 4583694 A JP4583694 A JP 4583694A JP H07254665 A JPH07254665 A JP H07254665A
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- semiconductor element
- fluororesin
- integrated circuit
- protective film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】封止樹脂と半導体素子の間に保護膜として含フ
ッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂の薄膜を有する半
導体素子・集積回路装置において、該フッ素樹脂と封止
樹脂との密着性を向上させ、信頼性向上させる。 【構成】フッ素樹脂保護膜の表面にエネルギー線照射を
行った後に、封止樹脂により封止を行う。
ッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂の薄膜を有する半
導体素子・集積回路装置において、該フッ素樹脂と封止
樹脂との密着性を向上させ、信頼性向上させる。 【構成】フッ素樹脂保護膜の表面にエネルギー線照射を
行った後に、封止樹脂により封止を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、封止樹脂と半導体素子
の間に保護膜としてフッ素樹脂の薄膜を有する半導体素
子・集積回路装置に関するものである。
の間に保護膜としてフッ素樹脂の薄膜を有する半導体素
子・集積回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にフッ素樹脂は溶媒に不溶であるた
めにコーティングによる均一な薄膜形成は困難であった
が、特開昭６３−２３８１１１号公報、特開昭６３−２
６０９３２号公報、米国特許４７５４００９号明細書に
見られるように特殊な溶媒に溶解するフッ素樹脂が開発
され、その電気特性、低吸水性等を活かして半導体保護
膜等の用途への応用が欧州特許０３９３６８２号明細書
に記載されている。
めにコーティングによる均一な薄膜形成は困難であった
が、特開昭６３−２３８１１１号公報、特開昭６３−２
６０９３２号公報、米国特許４７５４００９号明細書に
見られるように特殊な溶媒に溶解するフッ素樹脂が開発
され、その電気特性、低吸水性等を活かして半導体保護
膜等の用途への応用が欧州特許０３９３６８２号明細書
に記載されている。
【０００３】しかし、上記のフッ素樹脂はフッ素含有量
が高く表面エネルギーがきわめて低いために、バッファ
ーコート膜あるいはパッシベーション、バッファーコー
ト兼用膜といった保護膜として半導体素子上に薄膜を形
成すると、その後の封止工程において、封止樹脂との密
着性が悪く信頼性が劣るといった問題があった。特に高
温高湿下に長期間放置しておくと封止樹脂とフッ素樹脂
の間に水分がたまり、封止樹脂のクラックの原因となっ
たり、素子の性能を低下させるといった問題があった。
ここにいうパッシベーション膜とはチップへの水分、不
純物の侵入を防ぐための膜であり、バッファーコート膜
とは組立時の封止樹脂による機械的応力を緩和するため
の膜である。
が高く表面エネルギーがきわめて低いために、バッファ
ーコート膜あるいはパッシベーション、バッファーコー
ト兼用膜といった保護膜として半導体素子上に薄膜を形
成すると、その後の封止工程において、封止樹脂との密
着性が悪く信頼性が劣るといった問題があった。特に高
温高湿下に長期間放置しておくと封止樹脂とフッ素樹脂
の間に水分がたまり、封止樹脂のクラックの原因となっ
たり、素子の性能を低下させるといった問題があった。
ここにいうパッシベーション膜とはチップへの水分、不
純物の侵入を防ぐための膜であり、バッファーコート膜
とは組立時の封止樹脂による機械的応力を緩和するため
の膜である。
【０００４】また、封止樹脂として特に室温で液体状で
粘度が低いものを用いると、前述のごとくフッ素樹脂の
表面エネルギーが低いために、封止樹脂がその硬化工程
中にはじいてしまい、均一に封止することが困難であっ
た。
粘度が低いものを用いると、前述のごとくフッ素樹脂の
表面エネルギーが低いために、封止樹脂がその硬化工程
中にはじいてしまい、均一に封止することが困難であっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述のよう
な封止樹脂と半導体素子の間に保護膜としてフッ素樹脂
を用いた半導体に認められる欠点を解消し、電気特性、
信頼性に優れた半導体素子・集積回路装置を新規に提供
することを目的とするものである。
な封止樹脂と半導体素子の間に保護膜としてフッ素樹脂
を用いた半導体に認められる欠点を解消し、電気特性、
信頼性に優れた半導体素子・集積回路装置を新規に提供
することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題点
の認識に基づいて鋭意検討を重ねた結果、フッ素樹脂表
面をエネルギー線により処理をすることにより、フッ素
樹脂上に均一に封止樹脂層を形成することができ、フッ
素樹脂と封止樹脂間の密着性に優れた信頼性が高い半導
体素子・集積回路装置の製造ができることを新規に見い
だした。
の認識に基づいて鋭意検討を重ねた結果、フッ素樹脂表
面をエネルギー線により処理をすることにより、フッ素
樹脂上に均一に封止樹脂層を形成することができ、フッ
素樹脂と封止樹脂間の密着性に優れた信頼性が高い半導
体素子・集積回路装置の製造ができることを新規に見い
だした。
【０００７】かくして本発明は、封止樹脂と半導体素子
の間に保護膜として含フッ素脂肪族環構造を有するフッ
素樹脂の薄膜を有する半導体素子・集積回路装置におい
て、前記薄膜の封止樹脂側表面がエネルギー線により処
理されていることを特徴とする半導体素子・集積回路装
置である。
の間に保護膜として含フッ素脂肪族環構造を有するフッ
素樹脂の薄膜を有する半導体素子・集積回路装置におい
て、前記薄膜の封止樹脂側表面がエネルギー線により処
理されていることを特徴とする半導体素子・集積回路装
置である。
【０００８】含フッ素脂肪族環構造を有するポリマーと
しては、含フッ素環構造を有するモノマーを重合して得
られるものや、少なくとも２つの重合性二重結合を有す
る含フッ素モノマーを環化重合して得られる主鎖に環構
造を有するポリマーが公知あるいは周知のものを含めて
広範囲にわたって例示される。
しては、含フッ素環構造を有するモノマーを重合して得
られるものや、少なくとも２つの重合性二重結合を有す
る含フッ素モノマーを環化重合して得られる主鎖に環構
造を有するポリマーが公知あるいは周知のものを含めて
広範囲にわたって例示される。
【０００９】少なくとも２つの重合性二重結合を有する
含フッ素モノマーを環化重合して得られる主鎖に環構造
を有するポリマーは、特開昭６３−２３８１１１号公報
や特開昭６３−２３８１１５号公報等により知られてい
る。すなわち、パーフルオロ（アリルビニルエーテル）
やパーフルオロ（ブテニルビニルエーテル）等のモノマ
ーの単独重合、またはテトラフルオロエチレンなどのラ
ジカル重合性モノマーと共重合することにより得られ
る。
含フッ素モノマーを環化重合して得られる主鎖に環構造
を有するポリマーは、特開昭６３−２３８１１１号公報
や特開昭６３−２３８１１５号公報等により知られてい
る。すなわち、パーフルオロ（アリルビニルエーテル）
やパーフルオロ（ブテニルビニルエーテル）等のモノマ
ーの単独重合、またはテトラフルオロエチレンなどのラ
ジカル重合性モノマーと共重合することにより得られ
る。
【００１０】また、含フッ素環構造を有するモノマーを
重合して得られる主鎖に環構造を有するポリマーは、特
公昭６３−１８９６４号公報等により知られている。す
なわち、パーフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジ
オキソール）等の含フッ素環構造を有するモノマーを単
独重合ないし、テトラフルオロエチレンなどのラジカル
重合性モノマーと共重合することにより得られる。
重合して得られる主鎖に環構造を有するポリマーは、特
公昭６３−１８９６４号公報等により知られている。す
なわち、パーフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジ
オキソール）等の含フッ素環構造を有するモノマーを単
独重合ないし、テトラフルオロエチレンなどのラジカル
重合性モノマーと共重合することにより得られる。
【００１１】また、パーフルオロ（２，２−ジメチル−
１，３−ジオキソール）等の含フッ素環構造を有するモ
ノマーとパーフルオロ（アリルビニルエーテル）やパー
フルオロ（ブテニルビニルエーテル）等の少なくとも２
つの重合性二重結合を有する含フッ素モノマーを共重合
して得られるポリマーでもよい。
１，３−ジオキソール）等の含フッ素環構造を有するモ
ノマーとパーフルオロ（アリルビニルエーテル）やパー
フルオロ（ブテニルビニルエーテル）等の少なくとも２
つの重合性二重結合を有する含フッ素モノマーを共重合
して得られるポリマーでもよい。
【００１２】含フッ素脂肪族環構造を有するポリマー
は、ポリマーの繰り返し単位中に含フッ素脂肪族環構造
を２０モル％以上含有するものが透明性、機械的特性等
の面から好ましい。
は、ポリマーの繰り返し単位中に含フッ素脂肪族環構造
を２０モル％以上含有するものが透明性、機械的特性等
の面から好ましい。
【００１３】半導体素子・集積回路装置上へフッ素樹脂
の被膜を形成する方法としては、フッ素樹脂の溶液を素
子上へ塗布した後に、加熱乾燥することにより溶媒を揮
発させる方法が好ましく採用される。この際、塗布方法
としては、スピンコート法、ディッピング法、ポッティ
ング法等が例示される。
の被膜を形成する方法としては、フッ素樹脂の溶液を素
子上へ塗布した後に、加熱乾燥することにより溶媒を揮
発させる方法が好ましく採用される。この際、塗布方法
としては、スピンコート法、ディッピング法、ポッティ
ング法等が例示される。
【００１４】この際、下地であるアルミニウム、アルミ
ニウム合金、チタン、金、白金等の配線金属表面、ある
いはシリコン、ガリウムヒ素等の半導体表面、あるいは
シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミナ等の絶縁膜
表面との充分な密着性が、素子の信頼性の観点から必要
であるために、下地をカップリング剤で処理するか、フ
ッ素樹脂溶液にカップリング剤を混合したものを用いる
ことが望ましい。
ニウム合金、チタン、金、白金等の配線金属表面、ある
いはシリコン、ガリウムヒ素等の半導体表面、あるいは
シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミナ等の絶縁膜
表面との充分な密着性が、素子の信頼性の観点から必要
であるために、下地をカップリング剤で処理するか、フ
ッ素樹脂溶液にカップリング剤を混合したものを用いる
ことが望ましい。
【００１５】カップリング剤としては下地表面との密着
性を付与し得るものであれば特に制限はないが、シラン
カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミ
ニウムキレート系カップリング剤が好ましく例示され
る。
性を付与し得るものであれば特に制限はないが、シラン
カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミ
ニウムキレート系カップリング剤が好ましく例示され
る。
【００１６】本発明において、エネルギー線処理として
は光を含む広義の意味での電磁波の利用による処理、す
なわちレーザー光照射、マイクロ波照射、あるいは電子
線を利用する処理、すなわち電子線照射、グロー放電処
理、コロナ放電処理、プラズマ処理などの処理が例示さ
れる。
は光を含む広義の意味での電磁波の利用による処理、す
なわちレーザー光照射、マイクロ波照射、あるいは電子
線を利用する処理、すなわち電子線照射、グロー放電処
理、コロナ放電処理、プラズマ処理などの処理が例示さ
れる。
【００１７】これらのうち半導体素子・集積回路装置の
量産工程に対応し得る好適な処理方法としては、レーザ
ー光照射、コロナ放電処理、プラズマ処理が例示され
る。さらには、プラズマ処理が半導体素子・集積回路装
置に与えるダメージが小さく、望ましい。プラズマ処理
を行う装置としては装置内に所望のガスを導入でき、電
場を印加できるものであれば特に制限はないが、市販の
バレル型、平行平板型のプラズマ発生装置を適宜使用で
きる。
量産工程に対応し得る好適な処理方法としては、レーザ
ー光照射、コロナ放電処理、プラズマ処理が例示され
る。さらには、プラズマ処理が半導体素子・集積回路装
置に与えるダメージが小さく、望ましい。プラズマ処理
を行う装置としては装置内に所望のガスを導入でき、電
場を印加できるものであれば特に制限はないが、市販の
バレル型、平行平板型のプラズマ発生装置を適宜使用で
きる。
【００１８】プラズマ装置へ導入するガスとしては、含
フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂表面を有効に活
性化するものであれば特に制限はなく、アルゴン、ヘリ
ウム、窒素、酸素、あるはこれらの混合物などが例示さ
れる。さらには、有効に含フッ素脂肪族環構造を有する
含フッ素樹脂の表面を活性化させ、この際に膜減りもほ
とんどないガスとして、窒素、及び窒素−酸素の混合ガ
スが好ましい。
フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂表面を有効に活
性化するものであれば特に制限はなく、アルゴン、ヘリ
ウム、窒素、酸素、あるはこれらの混合物などが例示さ
れる。さらには、有効に含フッ素脂肪族環構造を有する
含フッ素樹脂の表面を活性化させ、この際に膜減りもほ
とんどないガスとして、窒素、及び窒素−酸素の混合ガ
スが好ましい。
【００１９】また、含フッ素脂肪族環構造を有する含フ
ッ素樹脂の表面処理を行った後に、封止樹脂との密着
性、封止樹脂の塗れ性をさらに向上させる目的で、密着
改良剤を塗布した後に、封止樹脂による封止を行っても
よい。密着性改良剤としては、フッ素樹脂表面への封止
樹脂の均一塗布性を向上させ、密着性を改善するための
ものであれば、特に限定されないが、ヘキサメチルジシ
ラザン（ＨＭＤＳ）、シランカップリング剤が好まし
い。
ッ素樹脂の表面処理を行った後に、封止樹脂との密着
性、封止樹脂の塗れ性をさらに向上させる目的で、密着
改良剤を塗布した後に、封止樹脂による封止を行っても
よい。密着性改良剤としては、フッ素樹脂表面への封止
樹脂の均一塗布性を向上させ、密着性を改善するための
ものであれば、特に限定されないが、ヘキサメチルジシ
ラザン（ＨＭＤＳ）、シランカップリング剤が好まし
い。
【００２０】フッ素樹脂上に塗布する際には、これら密
着改良剤ををそのまま塗布してもよいし、適宜、水、あ
るいはアルコール、トルエン、キシレン等の有機溶剤で
希釈したものを塗布してもよい。塗布方法としては密着
改良剤の特性を損なわないものであれば制限はないが、
スピンコート法、ディッピング法が好ましくい。
着改良剤ををそのまま塗布してもよいし、適宜、水、あ
るいはアルコール、トルエン、キシレン等の有機溶剤で
希釈したものを塗布してもよい。塗布方法としては密着
改良剤の特性を損なわないものであれば制限はないが、
スピンコート法、ディッピング法が好ましくい。
【００２１】本発明で用いる封止樹脂には特に制限はな
く、半導体素子・集積回路装置の特性、封止形態によっ
てエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の
公知のものから適宜選択でき、信頼性や価格の点からエ
ポキシ樹脂が好ましい。
く、半導体素子・集積回路装置の特性、封止形態によっ
てエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の
公知のものから適宜選択でき、信頼性や価格の点からエ
ポキシ樹脂が好ましい。
【００２２】エポキシ封止樹脂には大きく分けて室温で
液体状のものと固体状のものがある。前者は主にＴＡＢ
（テープ・オートメイテッド・ボンディング）方式、フ
リップチップ方式等のベアチップ（ＣＯＢ；チップ・オ
ン・ボード）実装用に用いられており、通常、ディスペ
ンサにより素子上へポッティングを行った後に、加熱硬
化を行うものである。
液体状のものと固体状のものがある。前者は主にＴＡＢ
（テープ・オートメイテッド・ボンディング）方式、フ
リップチップ方式等のベアチップ（ＣＯＢ；チップ・オ
ン・ボード）実装用に用いられており、通常、ディスペ
ンサにより素子上へポッティングを行った後に、加熱硬
化を行うものである。
【００２３】また、後者は主にＤＩＰ（デュアル・イン
ライン・パッケージ）、ＰＧＡ（ピン・グリッド・アレ
イ）等のピン挿入タイプや、ＳＯＰ（スモール・アウト
ライン・パッケージ）、ＦＰＰ（フラット・プラスチッ
ク・パッケージ）等の面取付実装タイプの半導体パッケ
ージに用いられており、通常トランスファ成形により封
止を行う。
ライン・パッケージ）、ＰＧＡ（ピン・グリッド・アレ
イ）等のピン挿入タイプや、ＳＯＰ（スモール・アウト
ライン・パッケージ）、ＦＰＰ（フラット・プラスチッ
ク・パッケージ）等の面取付実装タイプの半導体パッケ
ージに用いられており、通常トランスファ成形により封
止を行う。
【００２４】本発明に用いるエポキシ封止樹脂として
は、半導体素子・集積回路装置の特性、用途から所望の
封止形態を選択し、液状、固体状のいずれを用いてもよ
い。また、広く知られているようにエポキシ封止樹脂中
には、エポキシ樹脂の他に硬化剤、無機フィラー、シラ
ンカップリング剤等の添加剤を含んでいるものが一般的
であるが、信頼性、価格等の観点から適宜最適な組成の
ものを選択すればよい。また、表面処理された含フッ素
脂肪族環構造を有するフッ素樹脂の保護膜上への塗れ広
がり性をさらに改善させるために、界面活性剤を添加し
てもよい。
は、半導体素子・集積回路装置の特性、用途から所望の
封止形態を選択し、液状、固体状のいずれを用いてもよ
い。また、広く知られているようにエポキシ封止樹脂中
には、エポキシ樹脂の他に硬化剤、無機フィラー、シラ
ンカップリング剤等の添加剤を含んでいるものが一般的
であるが、信頼性、価格等の観点から適宜最適な組成の
ものを選択すればよい。また、表面処理された含フッ素
脂肪族環構造を有するフッ素樹脂の保護膜上への塗れ広
がり性をさらに改善させるために、界面活性剤を添加し
てもよい。
【００２５】本発明は、含フッ素脂肪族環構造を有する
フッ素樹脂からなる保護膜を有するダイオード、トラン
ジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ、サイリ
スタ等の個別半導体、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダ
ム・アクセス・メモリー）、ＳＲＡＭ（スタティック・
ランダム・アクセス・メモリー）、ＥＰＲＯＭ（イレイ
ザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ
ー）、マスクＲＯＭ（マスク・リード・オンリー・メモ
リー）、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカル・イレイザブル
・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、フ
ラッシュメモリー等の記憶素子、マイクロプロセッサ
ー、ＡＳＩＣ等の理論回路素子、ＭＭＩＣ（モノリシッ
ク・マイクロウェーブ集積回路）に代表される化合物半
導体などの集積回路素子、混成集積回路（ハイブリッド
ＩＣ）、発光ダイオード、電価結合素子等の光電変換素
子といった半導体素子・集積回路装置に適用できる。
フッ素樹脂からなる保護膜を有するダイオード、トラン
ジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ、サイリ
スタ等の個別半導体、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダ
ム・アクセス・メモリー）、ＳＲＡＭ（スタティック・
ランダム・アクセス・メモリー）、ＥＰＲＯＭ（イレイ
ザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ
ー）、マスクＲＯＭ（マスク・リード・オンリー・メモ
リー）、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカル・イレイザブル
・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、フ
ラッシュメモリー等の記憶素子、マイクロプロセッサ
ー、ＡＳＩＣ等の理論回路素子、ＭＭＩＣ（モノリシッ
ク・マイクロウェーブ集積回路）に代表される化合物半
導体などの集積回路素子、混成集積回路（ハイブリッド
ＩＣ）、発光ダイオード、電価結合素子等の光電変換素
子といった半導体素子・集積回路装置に適用できる。
【００２６】フッ素樹脂保護膜表面をエネルギー線によ
り処理した後に封止樹脂によって封止を行うために、フ
ッ素樹脂の表面が活性化され、封止樹脂の塗れ広がり
性、密着性が改善されるために封止樹脂層を均一に形成
することができ、優れた信頼性を達成できるものと考え
られる。
り処理した後に封止樹脂によって封止を行うために、フ
ッ素樹脂の表面が活性化され、封止樹脂の塗れ広がり
性、密着性が改善されるために封止樹脂層を均一に形成
することができ、優れた信頼性を達成できるものと考え
られる。
【００２７】
【実施例】次に、本発明の実施例について具体的に説明
するが、この説明が本発明を限定するものではない。
するが、この説明が本発明を限定するものではない。
【００２８】「合成例１」パーフルオロ（ブテニルビニ
ルエーテル）の３５ｇ、イオン交換水の１５０ｇ、及び
重合開始剤として（（ＣＨ3 ）2 ＣＨＯＣＯＯ）2 の９
０ｍｇを、内容積２００ｃｃの耐圧ガラス製オートクレ
ーブに入れた。系内を３回窒素で置換した後、４０℃で
２２時間懸濁重合を行った。その結果、含フッ素重合体
Ａを２８ｇ得た。この重合体の固有粘度［η］は、パー
フルオロ（２−ブチルテトラヒドロフラン）中３０℃で
０．３４であった。重合体のガラス転移点は１０８℃で
あり、室温ではタフで透明なガラス状の重合体である。
また１０％熱分解温度は４６５℃であり、誘電率は２．
１であった。この重合体の表面自由エネルギーは、１９
ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。
ルエーテル）の３５ｇ、イオン交換水の１５０ｇ、及び
重合開始剤として（（ＣＨ3 ）2 ＣＨＯＣＯＯ）2 の９
０ｍｇを、内容積２００ｃｃの耐圧ガラス製オートクレ
ーブに入れた。系内を３回窒素で置換した後、４０℃で
２２時間懸濁重合を行った。その結果、含フッ素重合体
Ａを２８ｇ得た。この重合体の固有粘度［η］は、パー
フルオロ（２−ブチルテトラヒドロフラン）中３０℃で
０．３４であった。重合体のガラス転移点は１０８℃で
あり、室温ではタフで透明なガラス状の重合体である。
また１０％熱分解温度は４６５℃であり、誘電率は２．
１であった。この重合体の表面自由エネルギーは、１９
ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。
【００２９】「合成例２」パーフルオロ（２，２−ジメ
チル−１，３−ジオキソール）とパーフルオロ（ブテニ
ルビニルエーテル）とをラジカル共重合し、ガラス転移
点１６０℃の含フッ素共重合体Ｂを得た。この重合体は
無色透明であり、誘電率は２．０であった。また、この
重合体の表面自由エネルギーは、１９ｄｙｎ／ｃｍ2 で
あった。
チル−１，３−ジオキソール）とパーフルオロ（ブテニ
ルビニルエーテル）とをラジカル共重合し、ガラス転移
点１６０℃の含フッ素共重合体Ｂを得た。この重合体は
無色透明であり、誘電率は２．０であった。また、この
重合体の表面自由エネルギーは、１９ｄｙｎ／ｃｍ2 で
あった。
【００３０】「実施例１」合成例１で得られた含フッ素
重合体Ａをパーフルオロトリブチルアミン中に溶解し９
重量％の溶液を調製した。この溶液を３−アミノプロピ
ルトリエトキシシランで表面処理したシリコンウェハ上
にスピンコーターで塗布し、５０℃で１時間、さらに２
００℃で１時間の乾燥を行い、厚さ３μｍの塗膜を形成
した。
重合体Ａをパーフルオロトリブチルアミン中に溶解し９
重量％の溶液を調製した。この溶液を３−アミノプロピ
ルトリエトキシシランで表面処理したシリコンウェハ上
にスピンコーターで塗布し、５０℃で１時間、さらに２
００℃で１時間の乾燥を行い、厚さ３μｍの塗膜を形成
した。
【００３１】このフッ素樹脂保護膜を形成したウェハ
を、平行平板型プラズマ装置にセットし、窒素ガス１８
０ｃｍ3 （標準状態）、圧力０．６Ｔｏｒｒの条件で１
分間プラズマ処理を行った。次いで液状エポキシ樹脂チ
ップコート１３１０（北陸塗料社製）をディスペンサに
より塗布し、１５０℃で１時間の硬化を行った。このと
き、エポキシ樹脂の濡れ広がり性は良好であった。ま
た、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度は１２ｋｇ／
ｃｍ2 であり、良好な密着性を有していた。
を、平行平板型プラズマ装置にセットし、窒素ガス１８
０ｃｍ3 （標準状態）、圧力０．６Ｔｏｒｒの条件で１
分間プラズマ処理を行った。次いで液状エポキシ樹脂チ
ップコート１３１０（北陸塗料社製）をディスペンサに
より塗布し、１５０℃で１時間の硬化を行った。このと
き、エポキシ樹脂の濡れ広がり性は良好であった。ま
た、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度は１２ｋｇ／
ｃｍ2 であり、良好な密着性を有していた。
【００３２】「実施例２」エポキシ樹脂をエポキシペレ
ットＥＭＥ−５５００（住友ベークライト社製）に変
え、トランスファー成形によってウェハ上に成形体を形
成した他は実施例１と同様な評価を行ったところ、フッ
素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度は８ｋｇ／ｃｍ2 であ
り、良好な密着性を有していた。
ットＥＭＥ−５５００（住友ベークライト社製）に変
え、トランスファー成形によってウェハ上に成形体を形
成した他は実施例１と同様な評価を行ったところ、フッ
素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度は８ｋｇ／ｃｍ2 であ
り、良好な密着性を有していた。
【００３３】「実施例３」フッ素樹脂保護膜のプラズマ
処理条件を、ガスを窒素９５体積％、酸素５体積％の混
合ガスとした以外は、実施例１と同様の評価を行ったと
ころ、エポキシ樹脂の濡れ広がり性は良好であった。ま
た、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度は１３ｋｇ／
ｃｍ2 であり、良好な密着性を有していた。
処理条件を、ガスを窒素９５体積％、酸素５体積％の混
合ガスとした以外は、実施例１と同様の評価を行ったと
ころ、エポキシ樹脂の濡れ広がり性は良好であった。ま
た、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度は１３ｋｇ／
ｃｍ2 であり、良好な密着性を有していた。
【００３４】「実施例４」合成例２で得られた含フッ素
共重合体Ｂをパーフルオロトリブチルアミン中に溶解し
７重量％の溶液を調製した。この溶液を３−アミノプロ
ピルトリエトキシシランで表面処理したシリコンウェハ
上にスピンコーターで塗布し、５０℃で１時間、さらに
２５０℃で１時間の乾燥を行い、厚さ３μｍの塗膜を形
成した。
共重合体Ｂをパーフルオロトリブチルアミン中に溶解し
７重量％の溶液を調製した。この溶液を３−アミノプロ
ピルトリエトキシシランで表面処理したシリコンウェハ
上にスピンコーターで塗布し、５０℃で１時間、さらに
２５０℃で１時間の乾燥を行い、厚さ３μｍの塗膜を形
成した。
【００３５】このフッ素樹脂保護膜を形成したウェハ
を、実施例１と同じ条件でプラズマ処理してから液状エ
ポキシ樹脂チップコート１３１０（北陸塗料社製）をデ
ィスペンサにより塗布し、１５０℃で１時間の硬化を行
った。このとき、エポキシ樹脂の濡れ広がり性は良好で
あった。また、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度は
９ｋｇ／ｃｍ2 であり、良好な密着性を有していた。
を、実施例１と同じ条件でプラズマ処理してから液状エ
ポキシ樹脂チップコート１３１０（北陸塗料社製）をデ
ィスペンサにより塗布し、１５０℃で１時間の硬化を行
った。このとき、エポキシ樹脂の濡れ広がり性は良好で
あった。また、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度は
９ｋｇ／ｃｍ2 であり、良好な密着性を有していた。
【００３６】「実施例５」合成例１で得られた含フッ素
重合体Ａをパーフルオロトリブチルアミン中に溶解し、
９重量％の溶液を調製した。この溶液を３−アミノプロ
ピルトリエトキシシランで表面処理したシリコンウェハ
上にスピンコーターで塗布し、５０℃で１時間、さらに
２００℃で１時間の乾燥を行い、厚さ３μｍの塗膜を形
成した。
重合体Ａをパーフルオロトリブチルアミン中に溶解し、
９重量％の溶液を調製した。この溶液を３−アミノプロ
ピルトリエトキシシランで表面処理したシリコンウェハ
上にスピンコーターで塗布し、５０℃で１時間、さらに
２００℃で１時間の乾燥を行い、厚さ３μｍの塗膜を形
成した。
【００３７】このフッ素樹脂保護膜を形成したウェハ
を、平行平板型プラズマ装置にセットし、窒素ガス１８
０ｃｍ3 （標準状態）、圧力０．６Ｔｏｒｒの条件で３
０秒間プラズマ処理を行った。さらに密着性改良剤とし
て、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの
０．５重量％エタノール溶液をスピンコートにより塗布
し、ホットプレート上で乾燥を行った。次いで液状エポ
キシ樹脂チップコート１３２０（北陸塗料社製）をディ
スペンサにより塗布し、１５０℃で１時間の硬化を行っ
た。このとき、エポキシ樹脂の濡れ広がり性は良好であ
った。また、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度は１
３ｋｇ／ｃｍ2 であり、良好な密着性を有していた。
を、平行平板型プラズマ装置にセットし、窒素ガス１８
０ｃｍ3 （標準状態）、圧力０．６Ｔｏｒｒの条件で３
０秒間プラズマ処理を行った。さらに密着性改良剤とし
て、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの
０．５重量％エタノール溶液をスピンコートにより塗布
し、ホットプレート上で乾燥を行った。次いで液状エポ
キシ樹脂チップコート１３２０（北陸塗料社製）をディ
スペンサにより塗布し、１５０℃で１時間の硬化を行っ
た。このとき、エポキシ樹脂の濡れ広がり性は良好であ
った。また、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度は１
３ｋｇ／ｃｍ2 であり、良好な密着性を有していた。
【００３８】「実施例６」合成例１で得られた含フッ素
重合体Ａをパーフルオロトリブチルアミン中に溶解し９
重量％の溶液を調製した。さらにこの溶液に３−アミノ
プロピルメチルジエトキシシランを０．３重量％添加
し、半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成された６
インチシリコンウェハ上にスピンコーターで塗布し、５
０℃で１時間、さらに２００℃で１時間の乾燥を行い、
厚さ３μｍの保護膜を形成した。
重合体Ａをパーフルオロトリブチルアミン中に溶解し９
重量％の溶液を調製した。さらにこの溶液に３−アミノ
プロピルメチルジエトキシシランを０．３重量％添加
し、半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成された６
インチシリコンウェハ上にスピンコーターで塗布し、５
０℃で１時間、さらに２００℃で１時間の乾燥を行い、
厚さ３μｍの保護膜を形成した。
【００３９】次いでフォトリソグラフィー工程、ＣＦ
4 、ＣＨＦ3 、Ａｒによるプラズマエッチング工程によ
りフッ素樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１０
０μｍ角大の穴あけ加工を行い、実施例１と同様の表面
プラズマ処理を行った後に組立、封止加工を行った。こ
のとき、封止工程は、エポキシペレットＥＭＥ−５５０
０（住友ベークライト社製）を用い、トランスファー成
形法により行った。このようにして保護膜の形成された
半導体素子は、初期及び耐湿性試験後において、優れた
性能を有していた。
4 、ＣＨＦ3 、Ａｒによるプラズマエッチング工程によ
りフッ素樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１０
０μｍ角大の穴あけ加工を行い、実施例１と同様の表面
プラズマ処理を行った後に組立、封止加工を行った。こ
のとき、封止工程は、エポキシペレットＥＭＥ−５５０
０（住友ベークライト社製）を用い、トランスファー成
形法により行った。このようにして保護膜の形成された
半導体素子は、初期及び耐湿性試験後において、優れた
性能を有していた。
【００４０】「実施例７」合成例２で得られた含フッ素
共重合体Ｂを用いた他は、実施例６と同様にして保護膜
を有する半導体を製造した。得られた半導体素子は、初
期及び耐湿性試験後において、優れた性能を示してい
た。
共重合体Ｂを用いた他は、実施例６と同様にして保護膜
を有する半導体を製造した。得られた半導体素子は、初
期及び耐湿性試験後において、優れた性能を示してい
た。
【００４１】「実施例８」合成例１で得られた含フッ素
重合体Ａをパーフルオロトリブチルアミン中に溶解し９
重量％の溶液を調製した。さらにこの溶液に３−アミノ
プロピルメチルジエトキシシランを０．３重量％添加
し、半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成された６
インチシリコンウェハ上にスピンコーターで塗布し、５
０℃で１時間、さらに２００℃で１時間の乾燥を行い、
厚さ３μｍの保護膜を形成した。
重合体Ａをパーフルオロトリブチルアミン中に溶解し９
重量％の溶液を調製した。さらにこの溶液に３−アミノ
プロピルメチルジエトキシシランを０．３重量％添加
し、半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成された６
インチシリコンウェハ上にスピンコーターで塗布し、５
０℃で１時間、さらに２００℃で１時間の乾燥を行い、
厚さ３μｍの保護膜を形成した。
【００４２】次いでフォトリソグラフィー工程、ＣＦ
4 、ＣＨＦ3 、Ａｒによるプラズマエッチング工程によ
りフッ素樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１０
０μｍ角大の穴あけ加工を行い、実施例１と同様の表面
プラズマ処理を行った後に組立、封止加工を行った。こ
のとき、封止形態はＴＡＢ方式を取り、封止剤として液
状エポキシ樹脂チップコート１３１０（北陸塗料社製）
を用い、ポッティング法により封止を行った。このよう
にして保護膜の形成された半導体素子は、初期及び耐湿
性試験後において、優れた性能を有していた。
4 、ＣＨＦ3 、Ａｒによるプラズマエッチング工程によ
りフッ素樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１０
０μｍ角大の穴あけ加工を行い、実施例１と同様の表面
プラズマ処理を行った後に組立、封止加工を行った。こ
のとき、封止形態はＴＡＢ方式を取り、封止剤として液
状エポキシ樹脂チップコート１３１０（北陸塗料社製）
を用い、ポッティング法により封止を行った。このよう
にして保護膜の形成された半導体素子は、初期及び耐湿
性試験後において、優れた性能を有していた。
【００４３】「比較例１」フッ素樹脂保護膜の表面プラ
ズマ処理を行わずに、実施例１と同様の評価を行ったと
ころ、エポキシ樹脂は玉状になっており、濡れ広がり性
は悪かった。また、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強
度は２ｋｇ／ｃｍ2 であった。
ズマ処理を行わずに、実施例１と同様の評価を行ったと
ころ、エポキシ樹脂は玉状になっており、濡れ広がり性
は悪かった。また、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強
度は２ｋｇ／ｃｍ2 であった。
【００４４】「比較例２」フッ素樹脂保護膜の表面プラ
ズマ処理を行わずに、実施例６と同様にして保護膜を有
する半導体を製造した。このようにして保護膜の形成さ
れた半導体素子は、耐湿性試験にて不良の発生率が高か
った。
ズマ処理を行わずに、実施例６と同様にして保護膜を有
する半導体を製造した。このようにして保護膜の形成さ
れた半導体素子は、耐湿性試験にて不良の発生率が高か
った。
【００４５】「比較例３」フッ素樹脂保護膜の表面プラ
ズマ処理を行わずに、実施例８と同様にして保護膜を有
する半導体を製造した。このようにして保護膜の形成さ
れた半導体素子は、エポキシ樹脂のはじきが見られ、耐
湿性試験にて不良の発生率が高かった。
ズマ処理を行わずに、実施例８と同様にして保護膜を有
する半導体を製造した。このようにして保護膜の形成さ
れた半導体素子は、エポキシ樹脂のはじきが見られ、耐
湿性試験にて不良の発生率が高かった。
【００４６】
【発明の効果】本発明は、含フッ素脂肪族環構造を有す
るフッ素樹脂からなる保護膜を形成し、該フッ素樹脂表
面をエネルギー線により処理した後に封止樹脂によって
封止することにより、封止樹脂のフッ素樹脂保護膜への
濡れ性を改善し、両者の間の接着性を高めることによ
り、電気特性、信頼性に優れた半導体素子・集積回路装
置を得るという優れた効果を有する。
るフッ素樹脂からなる保護膜を形成し、該フッ素樹脂表
面をエネルギー線により処理した後に封止樹脂によって
封止することにより、封止樹脂のフッ素樹脂保護膜への
濡れ性を改善し、両者の間の接着性を高めることによ
り、電気特性、信頼性に優れた半導体素子・集積回路装
置を得るという優れた効果を有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｆ 16/32 ＭＬＡ
Claims (4)
- 【請求項１】封止樹脂と半導体素子の間に保護膜として
含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂の薄膜を有す
る半導体素子・集積回路装置において、前記薄膜の封止
樹脂側表面がエネルギー線により処理されていることを
特徴とする半導体素子・集積回路装置。 - 【請求項２】保護膜がバッファーコート膜である請求項
１の半導体素子・集積回路装置。 - 【請求項３】保護膜がパッシベーション、バッファーコ
ート兼用膜である請求項１の半導体素子・集積回路装
置。 - 【請求項４】エネルギー線による処理がプラズマ処理で
ある請求項１、２または３の半導体素子・集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4583694A JPH07254665A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 半導体素子・集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4583694A JPH07254665A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 半導体素子・集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254665A true JPH07254665A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12730316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4583694A Pending JPH07254665A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 半導体素子・集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07254665A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005510084A (ja) * | 2001-11-23 | 2005-04-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイス、及び集積回路を包む方法 |
| JP2009071281A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-04-02 | Commiss Energ Atom | フッ素重合体上の接着層 |
| WO2017145823A1 (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 旭硝子株式会社 | 塗布液組成物およびこれを用いた膜付き物品の製造方法 |
-
1994
- 1994-03-16 JP JP4583694A patent/JPH07254665A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005510084A (ja) * | 2001-11-23 | 2005-04-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイス、及び集積回路を包む方法 |
| JP2010147500A (ja) * | 2001-11-23 | 2010-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 半導体デバイス |
| JP2009071281A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-04-02 | Commiss Energ Atom | フッ素重合体上の接着層 |
| WO2017145823A1 (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 旭硝子株式会社 | 塗布液組成物およびこれを用いた膜付き物品の製造方法 |
| JPWO2017145823A1 (ja) * | 2016-02-24 | 2018-12-27 | Ａｇｃ株式会社 | 塗布液組成物およびこれを用いた膜付き物品の製造方法 |
| US11732153B2 (en) | 2016-02-24 | 2023-08-22 | AGC Inc. | Coating liquid composition and process for producing article provided with film using it |
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