JPH0745756A - 半導体の製造方法 - Google Patents
半導体の製造方法Info
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- JPH0745756A JPH0745756A JP20840493A JP20840493A JPH0745756A JP H0745756 A JPH0745756 A JP H0745756A JP 20840493 A JP20840493 A JP 20840493A JP 20840493 A JP20840493 A JP 20840493A JP H0745756 A JPH0745756 A JP H0745756A
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- fluororesin
- sealing resin
- semiconductor
- surfactant
- resin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】封止樹脂と半導体素子の間に保護膜としてフッ
素樹脂の薄膜を有し、電気特性、信頼性に優れた半導体
の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】界面活性剤を封止樹脂または密着性改良剤に配
合することにより、低表面エネルギーのフッ素樹脂上に
均一に封止樹脂層を形成することができ、フッ素樹脂と
封止樹脂間の密着性に優れた信頼性が高い半導体を製造
することができる。
素樹脂の薄膜を有し、電気特性、信頼性に優れた半導体
の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】界面活性剤を封止樹脂または密着性改良剤に配
合することにより、低表面エネルギーのフッ素樹脂上に
均一に封止樹脂層を形成することができ、フッ素樹脂と
封止樹脂間の密着性に優れた信頼性が高い半導体を製造
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、封止樹脂と半導体素子
の間に保護膜としてフッ素樹脂の薄膜を有する半導体の
製造方法に関するものである。
の間に保護膜としてフッ素樹脂の薄膜を有する半導体の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般にフッ素樹脂は溶媒に不溶で
あるためにコーティングによる均一な薄膜形成は困難で
あったが、特開昭６３−２３８１１１号公報、特開昭６
３−２６０９３２号公報、米国特許４７５４００９号明
細書に見られるように特殊な溶媒に溶解するフッ素樹脂
が開発され、その電気特性、低吸水性等を活かして半導
体保護膜等の用途への応用が欧州特許３９３６８２号公
報に記載されている。
あるためにコーティングによる均一な薄膜形成は困難で
あったが、特開昭６３−２３８１１１号公報、特開昭６
３−２６０９３２号公報、米国特許４７５４００９号明
細書に見られるように特殊な溶媒に溶解するフッ素樹脂
が開発され、その電気特性、低吸水性等を活かして半導
体保護膜等の用途への応用が欧州特許３９３６８２号公
報に記載されている。
【０００３】しかし、上記のフッ素樹脂はフッ素含有量
が高く表面エネルギーが極めて低いために、いわゆるパ
ッシベーション膜、バッファーコート膜といった保護膜
として半導体素子上に薄膜を形成すると、その後の封止
工程において、封止樹脂との密着性が悪く信頼性が劣る
といった問題があった。特に高温高湿下に長期間放置し
ておくと封止樹脂とフッ素樹脂の間に水分がたまり、封
止樹脂のクラックの原因となったり、素子の性能を低下
させるといった問題があった。
が高く表面エネルギーが極めて低いために、いわゆるパ
ッシベーション膜、バッファーコート膜といった保護膜
として半導体素子上に薄膜を形成すると、その後の封止
工程において、封止樹脂との密着性が悪く信頼性が劣る
といった問題があった。特に高温高湿下に長期間放置し
ておくと封止樹脂とフッ素樹脂の間に水分がたまり、封
止樹脂のクラックの原因となったり、素子の性能を低下
させるといった問題があった。
【０００４】また、封止樹脂として特に室温で液体状で
粘度が低い物を用いると、前述のごとくフッ素樹脂の表
面エネルギーが低いために、封止樹脂がその硬化工程中
にはじいてしまい、均一に封止することが困難であっ
た。
粘度が低い物を用いると、前述のごとくフッ素樹脂の表
面エネルギーが低いために、封止樹脂がその硬化工程中
にはじいてしまい、均一に封止することが困難であっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述のよう
な封止樹脂と半導体素子の間に保護膜としてフッ素樹脂
を用いた半導体に認められる欠点を解消し、電気特性、
信頼性に優れた半導体の製造方法を新規に提供すること
を目的とするものである。
な封止樹脂と半導体素子の間に保護膜としてフッ素樹脂
を用いた半導体に認められる欠点を解消し、電気特性、
信頼性に優れた半導体の製造方法を新規に提供すること
を目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題点
の認識に基づいて鋭意検討を重ねた結果、界面活性剤を
封止樹脂または密着性改良剤の液中に添加することによ
り、低表面エネルギーのフッ素樹脂上に均一に封止樹脂
層を形成することができ、フッ素樹脂と封止樹脂間の密
着性に優れた信頼性が高い半導体の製造が可能であるこ
とを新規に見いだすに至った。
の認識に基づいて鋭意検討を重ねた結果、界面活性剤を
封止樹脂または密着性改良剤の液中に添加することによ
り、低表面エネルギーのフッ素樹脂上に均一に封止樹脂
層を形成することができ、フッ素樹脂と封止樹脂間の密
着性に優れた信頼性が高い半導体の製造が可能であるこ
とを新規に見いだすに至った。
【０００７】かくして本発明は、上記知見に基づいて完
成されたものであり、半導体素子と封止樹脂の間に、保
護膜としてフッ素樹脂の薄膜を有する半導体の製造方法
において、封止樹脂として界面活性剤を含む封止樹脂を
用いることを特徴とする半導体の製造方法及び、半導体
素子と封止樹脂の間に、保護膜としてフッ素樹脂の薄膜
を有する半導体の製造方法において、フッ素樹脂の表面
に、界面活性剤を含む密着改良剤を塗布し、続いて封止
樹脂により封止を行うことを特徴とする、半導体の製造
方法を新規に提供するものである。
成されたものであり、半導体素子と封止樹脂の間に、保
護膜としてフッ素樹脂の薄膜を有する半導体の製造方法
において、封止樹脂として界面活性剤を含む封止樹脂を
用いることを特徴とする半導体の製造方法及び、半導体
素子と封止樹脂の間に、保護膜としてフッ素樹脂の薄膜
を有する半導体の製造方法において、フッ素樹脂の表面
に、界面活性剤を含む密着改良剤を塗布し、続いて封止
樹脂により封止を行うことを特徴とする、半導体の製造
方法を新規に提供するものである。
【０００８】本発明において、フッ素樹脂としては、テ
トラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、
ヘキサフルオロプロピレン、パーフルオロアルキルビニ
ルエーテル、等の含フッ素モノマーを単独あるいは共重
合させてさせて得られるフッ素樹脂、含フッ素ポリイミ
ド、含フッ素アクリル系重合体、含フッ素脂肪族環構造
を有する重合体、等が例示可能であるが、コーティング
により薄膜の形成が可能であるという点、誘電率が低く
半導体素子の応答速度向上が期待できる点、吸水率が低
く素子の耐湿安定性向上が期待できるという点から、含
フッ素脂肪族環構造を有するポリマーが好ましい。
トラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、
ヘキサフルオロプロピレン、パーフルオロアルキルビニ
ルエーテル、等の含フッ素モノマーを単独あるいは共重
合させてさせて得られるフッ素樹脂、含フッ素ポリイミ
ド、含フッ素アクリル系重合体、含フッ素脂肪族環構造
を有する重合体、等が例示可能であるが、コーティング
により薄膜の形成が可能であるという点、誘電率が低く
半導体素子の応答速度向上が期待できる点、吸水率が低
く素子の耐湿安定性向上が期待できるという点から、含
フッ素脂肪族環構造を有するポリマーが好ましい。
【０００９】含フッ素脂肪族環構造を有するポリマーと
しては、含フッ素環構造を有するモノマーを重合して得
られるものや、少なくとも２つの重合性二重結合を有す
る含フッ素モノマーを環化重合して得られる主鎖に環構
造を有するポリマーが公知あるい周知の物を含めて広範
囲にわたって例示される。
しては、含フッ素環構造を有するモノマーを重合して得
られるものや、少なくとも２つの重合性二重結合を有す
る含フッ素モノマーを環化重合して得られる主鎖に環構
造を有するポリマーが公知あるい周知の物を含めて広範
囲にわたって例示される。
【００１０】少なくとも２つの重合性二重結合を有する
含フッ素モノマーを環化重合して得られる主鎖に環構造
を有するポリマーは、特開昭６３−２３８１１１号公報
や特開昭６３−２３８１１５号公報等により知られてい
る。即ち、パーフルオロ（アリルビニルエーテル）やパ
ーフルオロ（ブテニルビニルエーテル）等のモノマーの
単独重合、またはテトラフルオロエチレンなどのラジカ
ル重合性モノマーと共重合することにより得られる。
含フッ素モノマーを環化重合して得られる主鎖に環構造
を有するポリマーは、特開昭６３−２３８１１１号公報
や特開昭６３−２３８１１５号公報等により知られてい
る。即ち、パーフルオロ（アリルビニルエーテル）やパ
ーフルオロ（ブテニルビニルエーテル）等のモノマーの
単独重合、またはテトラフルオロエチレンなどのラジカ
ル重合性モノマーと共重合することにより得られる。
【００１１】また、含フッ素環構造を有するモノマーを
重合して得られる主鎖に環構造を有するポリマーは、特
公昭６３−１８９６４号公報等により知られている。即
ち、パーフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキ
ソール）等の含フッ素環構造を有するモノマーを単独重
合ないし、テトラフルオロエチレンなどのラジカル重合
性モノマーと共重合することにより得られる。
重合して得られる主鎖に環構造を有するポリマーは、特
公昭６３−１８９６４号公報等により知られている。即
ち、パーフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキ
ソール）等の含フッ素環構造を有するモノマーを単独重
合ないし、テトラフルオロエチレンなどのラジカル重合
性モノマーと共重合することにより得られる。
【００１２】また、パーフルオロ（２，２−ジメチル−
１，３−ジオキソール）等の含フッ素環構造を有するモ
ノマーとパーフルオロ（アリルビニルエーテル）やパー
フルオロ（ブテニルビニルエーテル）等の少なくとも２
つの重合性二重結合を有する含フッ素モノマーを共重合
して得られるポリマーでもよい。
１，３−ジオキソール）等の含フッ素環構造を有するモ
ノマーとパーフルオロ（アリルビニルエーテル）やパー
フルオロ（ブテニルビニルエーテル）等の少なくとも２
つの重合性二重結合を有する含フッ素モノマーを共重合
して得られるポリマーでもよい。
【００１３】含フッ素脂肪族環構造を有するポリマー
は、ポリマーの繰り返し単位中に含フッ素脂肪族環構造
を２０モル％以上含有するものが透明性、機械的特性等
の面から好ましい。
は、ポリマーの繰り返し単位中に含フッ素脂肪族環構造
を２０モル％以上含有するものが透明性、機械的特性等
の面から好ましい。
【００１４】半導体素子上へフッ素樹脂の被膜を形成す
る方法としては、フッ素樹脂の溶液を素子上へ塗布した
後に、加熱乾燥することにより溶媒を留去させる方法が
好ましく採用される。この際、塗布方法としては、スピ
ンコート法、ディッピング法、ポッティング法等が例示
される。
る方法としては、フッ素樹脂の溶液を素子上へ塗布した
後に、加熱乾燥することにより溶媒を留去させる方法が
好ましく採用される。この際、塗布方法としては、スピ
ンコート法、ディッピング法、ポッティング法等が例示
される。
【００１５】本発明で用いる封止樹脂には特に制限はな
く、半導体素子の特性、封止形態によりエポキシ樹脂、
シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の公知のものから適
宜選択すればよいが、信頼性や価格の点からエポキシ樹
脂が好ましく採用される。
く、半導体素子の特性、封止形態によりエポキシ樹脂、
シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の公知のものから適
宜選択すればよいが、信頼性や価格の点からエポキシ樹
脂が好ましく採用される。
【００１６】エポキシ封止樹脂には大きく分けて室温で
液体状のものと固体状のものがあり、前者は主にＴＡＢ
（テープ・オートメイテッド・ボンディング）方式、フ
リップチップ方式等のベアチップ（ＣＯＢ；チップ・オ
ン・ボード）実装用に用いられており、通常、ディスペ
ンサにより素子上へポッティングを行った後に、加熱硬
化を行うものである。
液体状のものと固体状のものがあり、前者は主にＴＡＢ
（テープ・オートメイテッド・ボンディング）方式、フ
リップチップ方式等のベアチップ（ＣＯＢ；チップ・オ
ン・ボード）実装用に用いられており、通常、ディスペ
ンサにより素子上へポッティングを行った後に、加熱硬
化を行うものである。
【００１７】また、後者は主にＤＩＰ（デュアル・イン
ライン・パッケージ）、ＰＧＡ（ピン・グリッド・アレ
イ）等のピン挿入タイプや、ＳＯＰ（スモール・アウト
ライン・パッケージ）、ＦＰＰ（フラット・プラスチッ
ク・パッケージ）等の面取付実装タイプの半導体パッケ
ージに用いられており、通常トランスファ成形により封
止を行う。
ライン・パッケージ）、ＰＧＡ（ピン・グリッド・アレ
イ）等のピン挿入タイプや、ＳＯＰ（スモール・アウト
ライン・パッケージ）、ＦＰＰ（フラット・プラスチッ
ク・パッケージ）等の面取付実装タイプの半導体パッケ
ージに用いられており、通常トランスファ成形により封
止を行う。
【００１８】本発明に用いるエポキシ封止樹脂として
は、半導体素子の特性、用途から所望の封止形態を選択
し、液状、固体状のいずれを用いてもよい。また、広く
知られているようにエポキシ封止樹脂中には、エポキシ
樹脂の他に硬化剤、無機フィラー、シランカップリング
剤等の添加剤を含んでいるものが一般的であるが、信頼
性、価格等の観点から適宜最適な組成のものを選択すれ
ばよい。
は、半導体素子の特性、用途から所望の封止形態を選択
し、液状、固体状のいずれを用いてもよい。また、広く
知られているようにエポキシ封止樹脂中には、エポキシ
樹脂の他に硬化剤、無機フィラー、シランカップリング
剤等の添加剤を含んでいるものが一般的であるが、信頼
性、価格等の観点から適宜最適な組成のものを選択すれ
ばよい。
【００１９】本発明で用いられる密着性改良剤として
は、フッ素樹脂表面への封止樹脂の均一塗布性を向上さ
せ、密着性を改善するためのものであれば、特に限定さ
れるものではないが、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤ
Ｓ）、シランカップリング剤が好ましく採用される。フ
ッ素樹脂上に塗布する際には、これら密着改良剤に界面
活性剤を加えたものをそのまま塗布してもよいし、適
宜、水、アルコール等の溶剤で希釈したものを塗布して
もよい。塗布方法としては密着改良剤の特性を損なわな
いものであれば制限は無いが、スピンコート法、ディッ
ピング法が好ましく例示される。
は、フッ素樹脂表面への封止樹脂の均一塗布性を向上さ
せ、密着性を改善するためのものであれば、特に限定さ
れるものではないが、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤ
Ｓ）、シランカップリング剤が好ましく採用される。フ
ッ素樹脂上に塗布する際には、これら密着改良剤に界面
活性剤を加えたものをそのまま塗布してもよいし、適
宜、水、アルコール等の溶剤で希釈したものを塗布して
もよい。塗布方法としては密着改良剤の特性を損なわな
いものであれば制限は無いが、スピンコート法、ディッ
ピング法が好ましく例示される。
【００２０】また、本発明で用いる界面活性剤として
は、液の表面張力を低下させる効果を有するものであれ
ば特に限定されるものではなく、アニオン系、カチオン
系、ノニオン系、水溶性、油溶性等あらゆるタイプの活
性剤が使用可能である。また、上記効果を有するもので
あれば、界面活性剤と呼ばれるものに限定されず、表面
改質剤、レベリング剤等別の用途に使われるものを本用
途に用いることもできる。これらの中で、均一な封止樹
脂の層を形成させ、フッ素樹脂と封止樹脂間のを密着性
を発現させるためには、封止樹脂または密着性改良剤の
溶液と相溶するものが好ましい。
は、液の表面張力を低下させる効果を有するものであれ
ば特に限定されるものではなく、アニオン系、カチオン
系、ノニオン系、水溶性、油溶性等あらゆるタイプの活
性剤が使用可能である。また、上記効果を有するもので
あれば、界面活性剤と呼ばれるものに限定されず、表面
改質剤、レベリング剤等別の用途に使われるものを本用
途に用いることもできる。これらの中で、均一な封止樹
脂の層を形成させ、フッ素樹脂と封止樹脂間のを密着性
を発現させるためには、封止樹脂または密着性改良剤の
溶液と相溶するものが好ましい。
【００２１】本発明で用いる界面活性剤としては、必ず
しもフッ素樹脂の有する表面張力よりも小さい表面張力
を有する必要はないが、できるだけ低い表面張力を持つ
ものが好ましい。特に低い表面張力を有する界面活性剤
としては、含フッ素の界面活性剤が好ましく採用され
る。含フッ素の界面活性剤としては、ポリフルオロアル
キル基を分子内に持つカルボン酸塩、ポリフルオロアル
キル基とアルキレンオキサイド基を分子内に併せ持つ化
合物、ポリフルオロアルキル基含有（メタ）アクリレー
トの単独低重合体あるいは単独重合体、ポリフルオロア
ルキル基含有（メタ）アクリレートを共重合成分として
含む単独低重合体あるいは重合体等が例示される。低重
合体としては、分子量１０００〜２００００、好ましく
は分子量２０００〜１００００のものである。
しもフッ素樹脂の有する表面張力よりも小さい表面張力
を有する必要はないが、できるだけ低い表面張力を持つ
ものが好ましい。特に低い表面張力を有する界面活性剤
としては、含フッ素の界面活性剤が好ましく採用され
る。含フッ素の界面活性剤としては、ポリフルオロアル
キル基を分子内に持つカルボン酸塩、ポリフルオロアル
キル基とアルキレンオキサイド基を分子内に併せ持つ化
合物、ポリフルオロアルキル基含有（メタ）アクリレー
トの単独低重合体あるいは単独重合体、ポリフルオロア
ルキル基含有（メタ）アクリレートを共重合成分として
含む単独低重合体あるいは重合体等が例示される。低重
合体としては、分子量１０００〜２００００、好ましく
は分子量２０００〜１００００のものである。
【００２２】特に、封止樹脂との相溶性の観点から、ポ
リフルオロアルキル基含有（メタ）アクリレートを共重
合成分として含む低重合体が好ましく例示される。その
他の共重合成分としては、ポリフルオロアルキル基含有
（メタ）アクリレートと共重合可能であり、フッ素樹脂
への濡れ性と封止樹脂との相溶性を両立させ得るもので
あれば特に制限はなく、アルキル基、アルキレンオキサ
イド基、芳香環などの側鎖を持つモノマーが広く例示さ
れる。
リフルオロアルキル基含有（メタ）アクリレートを共重
合成分として含む低重合体が好ましく例示される。その
他の共重合成分としては、ポリフルオロアルキル基含有
（メタ）アクリレートと共重合可能であり、フッ素樹脂
への濡れ性と封止樹脂との相溶性を両立させ得るもので
あれば特に制限はなく、アルキル基、アルキレンオキサ
イド基、芳香環などの側鎖を持つモノマーが広く例示さ
れる。
【００２３】本発明の界面活性剤の配合量は、フッ素樹
脂表面に十分な塗布性を与える範囲で、少ない方が好ま
しく、一般的には封止樹脂、あるいは密着改良剤に対し
て０．０１〜５重量％が好ましい。密着改良剤への配合
量が多いと、液の泡立ちが起こり易くなり均一に塗布す
ることが難しくなる。また、封止樹脂に配合する場合
は、配合量が多くなると封止樹脂の成形性、信頼性等に
悪影響を与えることが多く、好ましくない。
脂表面に十分な塗布性を与える範囲で、少ない方が好ま
しく、一般的には封止樹脂、あるいは密着改良剤に対し
て０．０１〜５重量％が好ましい。密着改良剤への配合
量が多いと、液の泡立ちが起こり易くなり均一に塗布す
ることが難しくなる。また、封止樹脂に配合する場合
は、配合量が多くなると封止樹脂の成形性、信頼性等に
悪影響を与えることが多く、好ましくない。
【００２４】本発明の半導体の製造方法は、半導体素子
上にフッ素樹脂による保護膜を形成した後に、界面活性
剤を配合した封止樹脂で封止する、あるいはフッ素樹脂
上に、界面活性剤を配合した密着性改良剤を塗布して、
続いて封止樹脂により封止を行うものであるが、界面活
性剤を封止樹脂に配合する、あるいは界面活性剤を配合
した密着性改良剤を用いることにより、フッ素樹脂と封
止樹脂の濡れ性が向上し、その結果として封止樹脂層を
均一に形成することができ、信頼性に優れた半導体を製
造することができるものと考えられる。
上にフッ素樹脂による保護膜を形成した後に、界面活性
剤を配合した封止樹脂で封止する、あるいはフッ素樹脂
上に、界面活性剤を配合した密着性改良剤を塗布して、
続いて封止樹脂により封止を行うものであるが、界面活
性剤を封止樹脂に配合する、あるいは界面活性剤を配合
した密着性改良剤を用いることにより、フッ素樹脂と封
止樹脂の濡れ性が向上し、その結果として封止樹脂層を
均一に形成することができ、信頼性に優れた半導体を製
造することができるものと考えられる。
【００２５】
【実施例】次に、本発明の実施例について更に具体的に
説明するが、この説明が本発明を限定するものでないこ
とは勿論である。
説明するが、この説明が本発明を限定するものでないこ
とは勿論である。
【００２６】合成例１ パーフルオロブテニルビニルエーテルの３５ｇ、イオン
交換水の１５０ｇ、及び重合開始剤として（（ＣＨ3 ）
2 ＣＨＯＣＯＯ）2 の９０ｍｇを、内容積２００ｃｃの
耐圧ガラス製オートクレーブに入れた。系内を３回窒素
で置換した後、４０℃で２２時間懸濁重合を行った。そ
の結果、重合体Ａを２８ｇ得た。この重合体の固有粘度
［η］は、パーフルオロ（２−ブチルテトラヒドロフラ
ン）中３０℃で０．２４であった。重合体のガラス転移
点は１０８℃であり、室温ではタフで透明なガラス状の
重合体である。また１０％熱分解温度は４６５℃であ
り、光線透過率は９５％以上と高かった。また、この重
合体の表面自由エネルギーは、１９ｄｙｎ／ｃｍ2 であ
った。
交換水の１５０ｇ、及び重合開始剤として（（ＣＨ3 ）
2 ＣＨＯＣＯＯ）2 の９０ｍｇを、内容積２００ｃｃの
耐圧ガラス製オートクレーブに入れた。系内を３回窒素
で置換した後、４０℃で２２時間懸濁重合を行った。そ
の結果、重合体Ａを２８ｇ得た。この重合体の固有粘度
［η］は、パーフルオロ（２−ブチルテトラヒドロフラ
ン）中３０℃で０．２４であった。重合体のガラス転移
点は１０８℃であり、室温ではタフで透明なガラス状の
重合体である。また１０％熱分解温度は４６５℃であ
り、光線透過率は９５％以上と高かった。また、この重
合体の表面自由エネルギーは、１９ｄｙｎ／ｃｍ2 であ
った。
【００２７】合成例２ パーフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソー
ル）とテトラフルオロエチレンとをラジカル共重合し、
ガラス転移点１６０℃の共重合体Ｂを得た。この重合体
は無色透明であり、屈折率は１．３で、透過率も高い。
また、この重合体の表面自由エネルギーは、１９ｄｙｎ
／ｃｍ2 であった。
ル）とテトラフルオロエチレンとをラジカル共重合し、
ガラス転移点１６０℃の共重合体Ｂを得た。この重合体
は無色透明であり、屈折率は１．３で、透過率も高い。
また、この重合体の表面自由エネルギーは、１９ｄｙｎ
／ｃｍ2 であった。
【００２８】実施例１ 合成例１で得られた含フッ素重合体Ａをパーフルオロト
リブチルアミン中に溶解し、９重量％の溶液を調製し
た。この溶液をシリコンウェハ上にスピンコーターで塗
布し、５０℃で１時間の乾燥、続いて１８０℃で１時間
の乾燥を行って、厚さ３μの塗膜を形成した。この、フ
ッ素樹脂保護膜を形成したウェハー上に、液状エポキシ
樹脂チップコート１３１０（北陸塗料社製）中に、界面
活性剤として、サーフロンＳ−３８１（旭硝子社製ポリ
フルオロアルキル基含有メタアクリレート系低重合体）
を０．５重量％配合したものをディスペンサにより塗布
し、１５０℃で１時間の硬化を行った。この時、エポキ
シ樹脂の濡れ広がり性は良好であった。また、フッ素樹
脂とエポキシ樹脂の密着強度は、１０ｋｇｆ／ｃｍ2で
あり、良好な密着性を有していた。
リブチルアミン中に溶解し、９重量％の溶液を調製し
た。この溶液をシリコンウェハ上にスピンコーターで塗
布し、５０℃で１時間の乾燥、続いて１８０℃で１時間
の乾燥を行って、厚さ３μの塗膜を形成した。この、フ
ッ素樹脂保護膜を形成したウェハー上に、液状エポキシ
樹脂チップコート１３１０（北陸塗料社製）中に、界面
活性剤として、サーフロンＳ−３８１（旭硝子社製ポリ
フルオロアルキル基含有メタアクリレート系低重合体）
を０．５重量％配合したものをディスペンサにより塗布
し、１５０℃で１時間の硬化を行った。この時、エポキ
シ樹脂の濡れ広がり性は良好であった。また、フッ素樹
脂とエポキシ樹脂の密着強度は、１０ｋｇｆ／ｃｍ2で
あり、良好な密着性を有していた。
【００２９】実施例２ 液状エポキシ樹脂中に配合する界面活性剤をサーフロン
Ｓ−３８２（旭硝子社製ポリフルオロアルキル基含有メ
タアクリレート系低重合体）とした他は、実施例１と同
様の評価を行ったところ、エポキシ樹脂の濡れ広がり性
は良好であった。また、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密
着強度は、１２ｋｇｆ／ｃｍ2 であり、良好な密着性を
有していた。
Ｓ−３８２（旭硝子社製ポリフルオロアルキル基含有メ
タアクリレート系低重合体）とした他は、実施例１と同
様の評価を行ったところ、エポキシ樹脂の濡れ広がり性
は良好であった。また、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密
着強度は、１２ｋｇｆ／ｃｍ2 であり、良好な密着性を
有していた。
【００３０】実施例３ 合成例２で得られた含フッ素重合体Ｂをパーフルオロト
リブチルアミン中に溶解し、７重量％の溶液を調製し
た。この溶液をシリコンウェハ上にスピンコーターで塗
布し、５０℃で１時間の乾燥、続いて１８０℃で１時間
の乾燥を行って、厚さ３μの塗膜を形成した。この、フ
ッ素樹脂保護膜を形成したウェハー上に、実施例１と同
じ液状エポキシ樹脂組成物をディスペンサにより塗布
し、１５０℃で１時間の硬化を行った。この時、エポキ
シ樹脂の濡れ広がり性は良好であった。また、フッ素樹
脂とエポキシ樹脂の密着強度は、９ｋｇｆ／ｃｍ2 であ
り、良好な密着性を有していた。
リブチルアミン中に溶解し、７重量％の溶液を調製し
た。この溶液をシリコンウェハ上にスピンコーターで塗
布し、５０℃で１時間の乾燥、続いて１８０℃で１時間
の乾燥を行って、厚さ３μの塗膜を形成した。この、フ
ッ素樹脂保護膜を形成したウェハー上に、実施例１と同
じ液状エポキシ樹脂組成物をディスペンサにより塗布
し、１５０℃で１時間の硬化を行った。この時、エポキ
シ樹脂の濡れ広がり性は良好であった。また、フッ素樹
脂とエポキシ樹脂の密着強度は、９ｋｇｆ／ｃｍ2 であ
り、良好な密着性を有していた。
【００３１】実施例４ 合成例１で得られた含フッ素重合体Ａをパーフルオロト
リブチルアミン中に溶解し、９重量％の溶液を調製し
た。この溶液をシリコンウェハ上にスピンコーターで塗
布し、５０℃で１時間の乾燥、続いて１８０℃で１時間
の乾燥を行って、厚さ３μの塗膜を形成した。この、フ
ッ素樹脂保護膜を形成したウェハー上に、界面活性剤と
して、サーフロンＳＣ−１０１（旭硝子社製ポリフルオ
ロアルキル基含有メタアクリレート系低重合体）を０．
０５重量％配合した密着性改良剤（ＯＡＰ：商品名 東
京応化工業社製ＨＭＤＳ系改良剤）をスピンコートによ
り塗布し、ホットプレート上で乾燥を行った。次いで液
状エポキシ樹脂チップコート１３２０（北陸塗料社製）
をディスペンサにより塗布し、１５０℃で１時間の硬化
を行った。この時、エポキシ樹脂の濡れ広がり性は良好
であった。また、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度
は、１３ｋｇｆ／ｃｍ2 であり、良好な密着性を有して
いた。
リブチルアミン中に溶解し、９重量％の溶液を調製し
た。この溶液をシリコンウェハ上にスピンコーターで塗
布し、５０℃で１時間の乾燥、続いて１８０℃で１時間
の乾燥を行って、厚さ３μの塗膜を形成した。この、フ
ッ素樹脂保護膜を形成したウェハー上に、界面活性剤と
して、サーフロンＳＣ−１０１（旭硝子社製ポリフルオ
ロアルキル基含有メタアクリレート系低重合体）を０．
０５重量％配合した密着性改良剤（ＯＡＰ：商品名 東
京応化工業社製ＨＭＤＳ系改良剤）をスピンコートによ
り塗布し、ホットプレート上で乾燥を行った。次いで液
状エポキシ樹脂チップコート１３２０（北陸塗料社製）
をディスペンサにより塗布し、１５０℃で１時間の硬化
を行った。この時、エポキシ樹脂の濡れ広がり性は良好
であった。また、フッ素樹脂とエポキシ樹脂の密着強度
は、１３ｋｇｆ／ｃｍ2 であり、良好な密着性を有して
いた。
【００３２】実施例５ 合成例１で得られた含フッ素重合体Ａをパーフルオロト
リブチルアミン中に溶解し、９重量％の溶液を調製し
た。この溶液を半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形
成された６インチシリコンウェハ上にスピンコーターで
塗布し、５０℃で１時間の乾燥、続いて１８０℃で１時
間の乾燥を行って、厚さ３μの保護膜を形成した。次い
でフォトリソグラフィーによりフッ素樹脂保護膜上にワ
イヤーボンディング用の１００μ角大の穴あけ加工を行
い、続いて組立、封止加工を行った。この時、封止工程
は、エポキシペレットＥＭＥ−５５００（住友ベークラ
イト社製）に界面活性剤として、サーフロンＳ−３８１
（旭硝子社製）を１重量％配合したものを用い、トラン
スファー成形法により行った。このようにして保護膜の
形成された半導体素子は、初期及び耐湿性試験後におい
て、優れた性能を有していた。
リブチルアミン中に溶解し、９重量％の溶液を調製し
た。この溶液を半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形
成された６インチシリコンウェハ上にスピンコーターで
塗布し、５０℃で１時間の乾燥、続いて１８０℃で１時
間の乾燥を行って、厚さ３μの保護膜を形成した。次い
でフォトリソグラフィーによりフッ素樹脂保護膜上にワ
イヤーボンディング用の１００μ角大の穴あけ加工を行
い、続いて組立、封止加工を行った。この時、封止工程
は、エポキシペレットＥＭＥ−５５００（住友ベークラ
イト社製）に界面活性剤として、サーフロンＳ−３８１
（旭硝子社製）を１重量％配合したものを用い、トラン
スファー成形法により行った。このようにして保護膜の
形成された半導体素子は、初期及び耐湿性試験後におい
て、優れた性能を有していた。
【００３３】実施例６ 合成例２で得られた含フッ素重合体を用い、界面活性剤
としてサーフロンＳ−３８２（旭硝子社製）を用いた他
は、実施例５と同様にして保護膜を有する半導体を製造
した。得られた半導体素子は、初期及び耐湿性試験後に
おいて、優れた性能を示していた。
としてサーフロンＳ−３８２（旭硝子社製）を用いた他
は、実施例５と同様にして保護膜を有する半導体を製造
した。得られた半導体素子は、初期及び耐湿性試験後に
おいて、優れた性能を示していた。
【００３４】実施例７ 合成例１で得られた含フッ素重合体をパーフルオロトリ
ブチルアミン中に溶解し、９重量％の溶液を調製した。
この溶液を半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成さ
れた６インチウェハー上にスピンコーターで塗布し、５
０℃で１時間の乾燥、続いて１８０℃で１時間の乾燥を
行って厚さ３μの保護膜を形成した。次いでフォトリソ
グラフィーによりフッ素樹脂保護膜上にワイヤーボンデ
ィング用の１００μ角大の穴あけ加工を行い、続いて組
立、封止加工を行った。この時、封止形態としてＴＡＢ
方式を取り、液状エポキシ樹脂チップコート１３１０
（北陸塗料社製）中に、界面活性剤として、サーフロン
Ｓ−３８２（旭硝子製社）を０．５重量％配合したもの
を用いた。このようにして保護膜の形成された半導体素
子は、初期及び耐湿性試験後において、優れた性能を有
していた。
ブチルアミン中に溶解し、９重量％の溶液を調製した。
この溶液を半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成さ
れた６インチウェハー上にスピンコーターで塗布し、５
０℃で１時間の乾燥、続いて１８０℃で１時間の乾燥を
行って厚さ３μの保護膜を形成した。次いでフォトリソ
グラフィーによりフッ素樹脂保護膜上にワイヤーボンデ
ィング用の１００μ角大の穴あけ加工を行い、続いて組
立、封止加工を行った。この時、封止形態としてＴＡＢ
方式を取り、液状エポキシ樹脂チップコート１３１０
（北陸塗料社製）中に、界面活性剤として、サーフロン
Ｓ−３８２（旭硝子製社）を０．５重量％配合したもの
を用いた。このようにして保護膜の形成された半導体素
子は、初期及び耐湿性試験後において、優れた性能を有
していた。
【００３５】比較例１ 液状エポキシ樹脂中に界面活性剤を添加せずに、実施例
１と同様の評価を行ったところ、エポキシ樹脂は玉状に
なっており、濡れ広がり性は悪かった。また、フッ素樹
脂とエポキシ樹脂の密着強度は、２ｋｇｆ／ｃｍ2 であ
った。
１と同様の評価を行ったところ、エポキシ樹脂は玉状に
なっており、濡れ広がり性は悪かった。また、フッ素樹
脂とエポキシ樹脂の密着強度は、２ｋｇｆ／ｃｍ2 であ
った。
【００３６】比較例２ エポキシペレットに界面活性剤を配合しない以外は、実
施例５と同様にして保護膜を有する半導体を製造した。
このようにして保護膜の形成された半導体素子は、耐湿
性試験により不良の発生率が高かった。
施例５と同様にして保護膜を有する半導体を製造した。
このようにして保護膜の形成された半導体素子は、耐湿
性試験により不良の発生率が高かった。
【００３７】比較例３ 液状エポキシ樹脂に界面活性剤を配合しない以外は、実
施例７と同様にして保護膜を有する半導体を製造した。
このようにして保護膜の形成された半導体素子は、エポ
キシ樹脂のはじきが見られ、耐湿性試験により不良の発
生率が高かった。
施例７と同様にして保護膜を有する半導体を製造した。
このようにして保護膜の形成された半導体素子は、エポ
キシ樹脂のはじきが見られ、耐湿性試験により不良の発
生率が高かった。
【００３８】
【発明の効果】本発明は、界面活性剤を配合した封止樹
脂または密着性改良剤を用いることにより、低表面エネ
ルギーのフッ素樹脂上に均一に封止樹脂層を形成するこ
とができ、フッ素樹脂と封止樹脂間の密着性に優れた信
頼性が高い半導体の製造が可能になり、優れた特性を有
する半導体素子が得られるという効果を有する。
脂または密着性改良剤を用いることにより、低表面エネ
ルギーのフッ素樹脂上に均一に封止樹脂層を形成するこ
とができ、フッ素樹脂と封止樹脂間の密着性に優れた信
頼性が高い半導体の製造が可能になり、優れた特性を有
する半導体素子が得られるという効果を有する。
Claims (6)
- 【請求項１】封止樹脂と半導体素子の間に、保護膜とし
てフッ素樹脂の薄膜を有する半導体の製造方法におい
て、封止樹脂として界面活性剤を含む封止樹脂を用いる
ことを特徴とする半導体の製造方法。 - 【請求項２】フッ素樹脂の薄膜が、含フッ素脂肪族環構
造を有するフッ素樹脂からなる請求項１の半導体の製造
方法。 - 【請求項３】封止樹脂が、エポキシ樹脂からなる請求項
１の半導体の製造方法。 - 【請求項４】封止樹脂と半導体素子の間に、保護膜とし
てフッ素樹脂の薄膜を有する半導体の製造方法におい
て、フッ素樹脂の表面に、界面活性剤を含む密着改良剤
を塗布し、次いで封止樹脂により封止することを特徴と
する半導体の製造方法。 - 【請求項５】フッ素樹脂の薄膜が、含フッ素脂肪族環構
造を有するフッ素樹脂からなる請求項４の半導体の製造
方法。 - 【請求項６】封止樹脂が、エポキシ樹脂からなる請求項
４の半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20840493A JPH0745756A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20840493A JPH0745756A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745756A true JPH0745756A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16555691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20840493A Pending JPH0745756A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745756A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012164937A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法、電源装置 |
| JP2013157400A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015046509A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | シーアイ化成株式会社 | 太陽電池モジュール用封止材及び太陽電池モジュール |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP20840493A patent/JPH0745756A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012164937A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法、電源装置 |
| JP2013157400A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015046509A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | シーアイ化成株式会社 | 太陽電池モジュール用封止材及び太陽電池モジュール |
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