JPH07254689A - エピタキシャル成長層を絶縁層上に設ける方法及びエピタキシャル成長層を絶縁層上に有するシリコンウエハ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 デバイス形成層の特性の均一性の良好なＳＯ
Ｉウエハを得る。 【構成】 シリコン酸化膜３上にＳＯＩウエハのデバイ
ス形成層に用いられるエピタキシャル成長層４を形成す
る。 【効果】 エピタキシャル成長層４の特性の均一性は通
常ウエハと比較して極めて良好であり、デバイス形成層
の特性の均一化が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハなどの
半導体デバイスを製造するための層を絶縁層上に有する
基板及びその製造方法に関し、特に絶縁層上にシリコン
を形成したＳＯＩ（Silicon on insulator ）ウエハ及
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図５は、例えば、ウルトラクリーンテク
ノロジーVo.1993 年の１０ページに示された、従来の貼
り合わせ法によるＳＯＩウエハの製造方法を示す工程図
である。図において、１，２は通常のシリコン単結晶の
インゴットから切り出されて鏡面加工が施されたシリコ
ンウエハ、３はシリコン酸化膜である。

【０００３】次に、ＳＯＩウエハの製造方法について説
明する。図５において、(5-a) 〜(5-e) は、ＳＯＩウエ
ハ製造工程の各過程を経たシリコンウエハ１、２の状態
を示している。過程(5-a) に従って、２枚のシリコンウ
エハ１，２を準備する。次いで過程(5-b) に従って、シ
リコンウエハ１を酸化し、表面にシリコン酸化膜を１μ
ｍ程度形成する。次いで過程(5-c) に従って、シリコン
ウエハ１とシリコンウエハ２を貼り合わせる。これは、
シリコンウエハ１、２を重ねて、例えば、ウエット酸化
雰囲気中で、１１００℃、２時間程度の熱処理を行うこ
とにより可能である。

【０００４】次いで過程(5-d) に従って、挟まれている
シリコン酸化膜３の片側のシリコンウエハ１またはシリ
コンウエハ２を平面研削により３０μｍ程度まで薄膜化
する。次いで過程(5-e) に従って、通常のシリコンウエ
ハの最終加工工程と同様に機械化学的に鏡面研磨して過
程(5-d) おいて平面研削したシリコンウエハ１を１０μ
ｍ以下に薄膜化する。

【０００５】シリコンウエハ１を平面研削及び機械化学
的に鏡面研磨する装置を図６に示す。図６において、１
１はシリコンウエハ１を研磨するためのポリシャ、１２
はポリシャをのせる２枚の銅板、１３は２枚の銅板１２
の間に挟まれて銅板１２を加熱するためのシリコンラバ
ーヒータ、１４は銅板１２の下に敷かれた石綿板、１５
は石綿板１４上の銅板１２等とともにポリシャ１１を支
持しつつ回転させるための固定基板、１６はシリコンウ
エハ１の表面をポリシャ１１に接触させるためシリコン
ウエハ１を保持しつつ上下動可能な接着用ステンレスプ
レート、１８は接着用ステンレスプレート１６を支持す
るためのガイドローラ、１９はポリシャ１１とシリコン
ウエハ１との界面にあってシリコンウエハ１を研磨する
ための加工剤、２０はパネルヒータ、２１はパネルヒー
タ２０によって加熱されつつ加工剤１９を溜めておく容
器、２２は容器２１に溜まっている加工剤１９を攪拌す
る攪拌器、２３，２４はそれぞれシリコンラバーヒータ
１３とパネルヒータ２０の発熱量を制御するためのスラ
イダックである。

【０００６】図７は、接着用ステンレスプレート１６に
接着されたシリコンウエハ１の様子を示す平面図であ
る。シリコンウエハ１は研磨される面を上にして固着さ
れる。

【０００７】図６の装置を用いて、平面研削を行うとき
は、加工剤１９に研磨剤入りの純水を使用する。また、
機械化学的研磨を行うときには、加工剤１９にアルカリ
溶液を用いる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来のＳＯＩウエハは
以上のように製造されているので、デバイスを形成する
シリコン層の特性の均一性は、貼り合わせ前に準備した
シリコンウエハの均一性をそのまま引き継いでいる。通
常の製造法によるシリコンウエハでは、単結晶シリコン
インゴット製造時に同心円状に特性が変化する、いわゆ
るストリエーションをなくすことができないため、ＳＯ
Ｉウエハを製造しても特性の均一性が悪いという問題点
があった。

【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、特性の均一性の良好なＳＯ
Ｉウエハを得ることを目的としており、さらにその製造
方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係るエピタ
キシャル成長層を絶縁層上に設ける方法は、少なくとも
一つの主面が単結晶の基体の該主面上に直接エピタキシ
ャル成長させてエピタキシャル成長層を形成する工程
と、前記基体と接している面とは反対側の前記エピタキ
シャル成長層の表面に前記絶縁層を配設する工程と、前
記基体を削り取り、前記エピタキシャル成長層を露出さ
せる工程とを備えて構成されている。

【００１１】第２の発明に係るエピタキシャル成長層を
絶縁層上に設ける方法は、第１の発明のエピタキシャル
成長層を絶縁層上に設ける方法において、前記絶縁層を
配設する工程は、前記エピタキシャル成長層の表面に前
記絶縁層を形成する工程と、前記エピタキシャル成長層
と支持基板とが対向するように、前記絶縁層上に前記支
持基板を形成する工程とを含むことを特徴とする。

【００１２】第３の発明に係るエピタキシャル成長層を
絶縁層上に設ける方法は、第１の発明のエピタキシャル
成長層を絶縁層上に設ける方法において、前記絶縁層を
配設する工程は、支持基板上に前記絶縁層を形成する工
程と、前記支持基板上の前記絶縁層と前記エピタキシャ
ル成長層とを張り合わせる工程とを含むことを特徴とす
る。

【００１３】第４の発明に係るエピタキシャル成長層を
絶縁層上に設ける方法は、第２または第３の発明のエピ
タキシャル成長層を絶縁層上に設ける方法において、前
記基体の前記主面は、シリコン単結晶からなる面を含
み、前記エピタキシャル成長層は、前記基体の前記面上
に直接シリコンをエピタキシャル成長させた層を含み、
前記絶縁層はシリコン酸化膜を含むことを特徴とする。

【００１４】第５の発明に係るエピタキシャル成長層を
絶縁層上に設ける方法は、少なくとも一つの主面が単結
晶からなる基板を準備する工程と、前記基板の前記主面
上に直接エピタキシャル成長させてエピタキシャル成長
層を形成する工程と、前記基板または前記エピタキシャ
ル成長層と結合して絶縁物を形成するイオンを、前記エ
ピタキシャル成長層の表面から所定の深さのところに打
ち込み、そして前記イオンと前記基板または前記エピタ
キシャル成長層とを結合させて絶縁物を形成する工程と
を備えて構成されている。

【００１５】第６の発明に係るエピタキシャル成長層を
絶縁層上に有するシリコンウエハは、一方主面を有する
支持基板と、前記支持基板の前記一方主面の全面にほぼ
同じ厚みで形成されたシリコン系絶縁層と、前記絶縁層
の全面上にエピタキシャル成長によって形成されたシリ
コン層とを備えて構成されている。

【００１６】

【作用】第１の発明におけるエピタキシャル成長層を形
成する工程は、少なくとも一つの主面が単結晶の基体の
該主面上にエピタキシャル成長層を直接成長させるた
め、基体の主面の単結晶が有しているストリエーション
を引き継がずに、極めて均一なエピタキシャル成長層を
形成することができる。

【００１７】そして、絶縁層を配設する工程によって、
基体と接している面とは反対側のエピタキシャル成長層
の表面に絶縁層を配設するので、次の工程で基体を削り
取り、エピタキシャル成長層を露出させることができ
る。この様に、絶縁膜上にエピタキシャル成長をさせ難
い材料であっても、基体上にその材料からなる層をエピ
タキシャル成長させることができれば、絶縁膜上にスト
リエーションのない層を形成できる。

【００１８】第２の発明における絶縁層を形成する工程
は、エピタキシャル成長層の表面に絶縁層を形成するこ
とで、露出するエピタキシャル成長層の表面の裏側に絶
縁層を形成するとともにエピタキシャル成長層と絶縁層
との接合を行い、支持基体を形成する工程は、エピタキ
シャル成長層と支持基板とが対向するように、絶縁層上
に支持基板を形成するこで、エピタキシャル成長層の全
面を支える基板を絶縁層の裏側に形成できる。

【００１９】第３の発明における絶縁層を形成する工程
は、支持基板上に絶縁層を形成することで、エピタキシ
ャル成長層を支持する支持基板の上に絶縁層を形成し、
張り合わせる工程は、支持基板上の絶縁層とエピタキシ
ャル成長層とを張り合わせることで、露出するエピタキ
シャル成長層の裏側に絶縁層と支持基板とを設けること
ができる。

【００２０】第４の発明における基体は、シリコン単結
晶からなる面を有しており、エピタキシャル成長層は、
基体の面上に直接シリコンをエピタキシャル成長させた
層を含むことから、容易に極めて均一なシリコン層を得
ることができる。そして、絶縁層はシリコン酸化膜を含
むことから、従来と同様の方法でエピタキシャル成長層
の上に容易に絶縁層を形成することができる。

【００２１】第５の発明におけるエピタキシャル成長層
を形成する工程は、基板の主面上に直接エピタキシャル
成長させてエピタキシャル成長層を形成することで、基
板の主面の単結晶が有しているストリエーションを引き
継がずに、極めて均一なエピタキシャル成長層を形成す
ることができる。

【００２２】そして、絶縁物を形成する工程は、基板ま
たはエピタキシャル成長層と結合して絶縁物を形成する
イオンを、エピタキシャル成長層の表面から所定の深さ
のところに打ち込み、そしてイオンと基板またはエピタ
キシャル成長層とを結合させて絶縁物を形成すること
で、エピタキシャル成長層の中または基板の浅いところ
に絶縁層を形成することができる。

【００２３】第６の発明におけるシリコン系絶縁層は、
支持基板の一方主面の全面にほぼ同じ厚みで形成されて
おり、絶縁層がないような部分がシリコンウエハにない
ので、絶縁層の全面上にエピタキシャル成長によって形
成されたシリコン層のどの部分も区別することなく用い
ることができる。

【００２４】

【実施例】以下、この発明の第１実施例を図について説
明する。図１はこの発明の第１実施例によるＳＯＩウエ
ハの製造方法を示す工程図である。図１において、４は
シリコンウエハ１上に形成されたエピタキシャル成長層
であり、その他図５に示したものと同一符号の部分は図
５に示したものに相当する部分である。

【００２５】次に、この発明におけるＳＯＩウエハの製
造法について説明する。(1-a) 〜(1-e) で示されたもの
は、ＳＯＩウエハ製造工程の各過程(1-a) 〜(1-e) を経
た後のシリコンウエハ１、２である。

【００２６】まず過程(1-a) に従って、エピタキシャル
成長層４が０．１μｍ以上形成されたシリコンウエハ１
とともに、通常のシリコンウエハ２が準備される。エピ
タキシャル成長層４の厚みは、所望の厚みよりも厚く形
成しておけば良い。例えば、最終的に厚みを１０μｍ以
下のシリコンからなるエピタキシャル成長層を得たけれ
ば、１０μｍよりも若干厚く形成しておく。

【００２７】シリコンウエハ１，２は、シリコン単結晶
のインゴットから切り出され、表面を鏡面研磨された通
常のシリコンウエハである。なお、このシリコンウエハ
は、ドーパントを添加したものであっても、また真性半
導体であっても良い。シリコンウエハ１上のエピタキシ
ャル成長層形成は、例えば、シリコンウエハ１を水素雰
囲気に曝して表面の酸化膜を除去した後、トリクロルシ
ランＳｉＨＣｌ₃ 中でシリコンウエハ１を１１００℃〜
１１５０℃に保つことにより形成される。エピタキシャ
ル成長層４の厚みは、成長させる時間によって制御され
る。

【００２８】次いで過程(1-b) に従って、エピタキシャ
ル成長層４を形成したシリコンウエハ１を酸素雰囲気に
曝して酸化し、表面にシリコン酸化膜を形成する。な
お、酸化膜の厚みは、酸素に曝す時間によって制御する
ことができる。

【００２９】次いで過程(1-c) に従ってシリコンウエハ
１、２をエピタキシャル成長層４をはさんで貼り合わせ
る。これは、従来と同様に、シリコンウエハ１、２を重
ねて、例えばウエット酸化雰囲気中で、１１００℃、２
時間程度の熱処理を行うことにより可能である。

【００３０】次いで過程(1-d) に従って、従来と同様
に、シリコンウエハ１について、エピタキシャル成長層
４を形成した面の反対の面から平面研削することによ
り、シリコンウエハ１を３０μｍ程度まで薄膜化する。
次いで過程(1-e) に従って、従来と同様に、機械化学的
に鏡面研磨してエピタキシャル成長層４を露出させると
ともに、その厚みを１０μｍ以下まで薄膜化する。エピ
タキシャル成長層４の厚みは、そこに形成されるデバイ
スの特性を均一に保つためなるべく一定にしなければな
らないが、厚みを均一にできる範囲でできる限り薄くす
る方がエピタキシャル成長層４に形成されるトランジス
タ等のデバイス特性を向上するためには好ましい。従っ
て、機械化学的な鏡面研磨よりもエピタキシャル成長層
を薄くできる他の方法があれば、その方法を用いてさら
に厚みを均一に薄く形成する方が望ましい。

【００３１】この様にして形成されたＳＯＩウエハは、
エピタキシャル成長層４の特性の均一性が極めて良いこ
とから、デバイス形成層にエピタキシャル成長層４を形
成することができ、ＵＬＳＩなどのストリエーションの
影響が大きく現れる微細化されたデバイスの製造に用い
られるウエハに特に適している。

【００３２】また、シリコンをウエハの材料に用いるこ
とはシリコン酸化膜３を絶縁層として用いることができ
るなど製造を容易にする。

【００３３】この様なＳＯＩウエハ上にデバイスを形成
すると、通常のシリコンウエハに比べて、ラッチアッ
プ，ソフトエラー等に強いデバイスを製造することが可
能であり、次世代の半導体ウエハとして大いに期待され
る。

【００３４】次にこの発明の第２実施例を図について説
明する。上記実施例では、エピタキシャル成長層４を形
成したシリコンウエハ１に酸化膜を形成したが、エピタ
キシャル成長層４が形成されていない方のシリコンウエ
ハ２にシリコン酸化膜３を形成してもよい。

【００３５】図２はこの発明の第２実施例によるＳＯＩ
ウエハの製造方法を示す工程図である。図２において、
図１に示したものと同一符号の部分は図１に示したもの
に相当する部分である。この発明におけるＳＯＩウエハ
の製造法について説明する。(2-a) 〜(2-e) で示された
ものは、ＳＯＩウエハ製造工程の各過程(2-a) 〜(2-e)
を経た後のシリコンウエハ１、２である。

【００３６】まず第１実施例と同様に、過程(2-a) に従
って、エピタキシャル成長層４が０．１μｍ以上形成さ
れたシリコンウエハ１とともに、通常のシリコンウエハ
２が準備される。エピタキシャル成長層４の厚みは、所
望の厚みよりも厚く（例えば１０μｍ以上）形成してお
く。

【００３７】次いで過程(2-b) に従って、シリコンウエ
ハ２を酸素雰囲気に曝して酸化し、表面にシリコン酸化
膜を形成する。酸化膜の厚みは、酸素に曝す時間などに
よって制御する。

【００３８】次いで過程(2-c) に従ってシリコンウエハ
１、２をエピタキシャル成長層４をはさんで貼り合わせ
る。これは、第１実施例と同様に、シリコンウエハ１、
２を重ねて、例えば、ウエット酸化雰囲気中で、１１０
０℃、２時間程度の熱処理を行うことにより可能であ
る。

【００３９】次いで過程(2-d) に従って、従来と同様
に、シリコンウエハ１について、エピタキシャル成長層
４を形成した面の反対の面から平面研削することによ
り、シリコンウエハ１を３０μｍ程度まで薄膜化する。
次いで過程(2-e) に従って、従来と同様に、機械化学的
に鏡面研磨してエピタキシャル成長層４を露出させると
ともに、その厚みを１０μｍ以下まで薄膜化する。

【００４０】この様にして形成されたＳＯＩウエハは、
第１実施例と同様、エピタキシャル成長層４の特性の均
一性が極めて良いことから、ＵＬＳＩなどのストリエー
ションの影響が大きく現れる微細化されたデバイスの製
造に用いられるウエハに特に適している。そして、材料
にシリコンを用いることで製造が容易になっている。

【００４１】なお、上記実施例では、シリコンウエハ２
を用いてシリコン酸化膜３上に形成されたエピタキシャ
ル成長層４の支持基板としたが、シリコン酸化膜３が絶
縁物として働いているため、シリコンウエハ２を用いな
くとも他の絶縁体、半導体または導伝体を用いても良
く、シリコン酸化膜３と張り合わせた状態で耐熱温度と
して摂氏千数百度程度の耐熱性があれば、そのような材
料を用いることができる。

【００４２】また、上記実施例では、エピタキシャル成
長層４を形成するためにシリコンウエハ１を用いた。こ
れは、単結晶シリコンの上にシリコンをエピタキシャル
成長させることで、特に均一なエピタキシャル成長層が
得られ易いという理由から選択されたものである。しか
し、均一なエピタキシャル成長層ができ、そしてエピタ
キシャル成長層に損傷を与えずに取り除けるのであれ
ば、シリコン以外の材料を用いても良い。例えば、シリ
コンウエハ１及びエピタキシャル成長層４の材料に化合
物半導体やゲルマニウム等の材料を用いても良い。

【００４３】また、上記実施例では、絶縁層としてシリ
コン酸化膜３を用いたが、他の絶縁膜を用いても良い。
例えば、シリコンからなるエピタキシャル成長層４を窒
化したシリコン窒化膜を用いても良く、張り合わせがう
まく行え、かつ必要な耐熱性を有していればその他の絶
縁材料であっても良い。そして、絶縁層を形成する方法
として、酸化を用いたが、シリコン酸化膜やシリコン窒
化膜など絶縁物を堆積しても良く上記実施例と同様の効
果を奏する。

【００４４】次にこの発明の第３実施例を図について説
明する。上記第１及び第２実施例では、貼り合わせ法に
よるＳＯＩ基板の製造法の場合を示したが、他の方法に
より製造してもよい。例えば、酸素イオンの注入を利用
した場合の製造法を図３及び図４に示す。図３及び図４
において５はイオン注入法によってシリコンからなるエ
ピタキシャル成長層４に打ち込まれた酸素イオン、６は
イオン注入法によりシリコンからなるエピタキシャル成
長層上に形成された埋め込み酸化膜であり、その他図１
に示したものと同一符号の部分は図１に示したものに相
当する部分である。

【００４５】図３に示すように、エピタキシャル成長し
たシリコンウエハ１に過程(3-a) に従って第１実施例と
同様にエピタキシャル成長層４が形成されたシリコンウ
エハ１を準備する。エピタキシャル成長したシリコンウ
エハ１に過程(3-b) に従って酸素を１８０〜２００ｋｅ
ｖ程度でイオン注入する。次いで１３００〜１３２０℃
のアルゴン／酸素雰囲気中で６時間程度熱処理すること
により酸素イオン５とシリコンとを結合させて酸化シリ
コンからなる絶縁層が形成される。このようにエピタキ
シャル成長層４の中間にシリコン酸化層６を有するＳＯ
Ｉ基板を製造できる。

【００４６】単結晶のシリコンウエハ１の表面に直接エ
ピタキシャル成長させるため、極めて均一なシリコンか
らなるエピタキシャル成長層４を得ることができる。つ
まり、シリコンウエハ１が持っている不純物の濃度が場
所によって異なるというストリエーションをなくすこと
ができる。従って、実施例１，２と同様の効果を有す
る。ところで、先にシリコンウエハ１にイオン注入を行
った場合には、シリコンウエハ１の表面が荒れるため、
均一なエピタキシャル成長を行うのに適していない。

【００４７】なお、図４に示すように酸素イオン５をエ
ピタキシャル成長層４の厚みよりも深く打ち込んで、酸
素イオン５とシリコンウエハ１とを結合させてシリコン
酸化膜を形成しても良い。

【００４８】また、打ち込むイオンは酸素イオン以外の
ものであっても良く、エピタキシャル成長層４またはウ
エハと反応して絶縁物を形成するものであれば良く、上
記実施例と同様の効果を奏する。

【００４９】また、ウエハ及びエピタキシャル成長層の
材料もシリコンに限られるものではなく、注入されるイ
オンと結合して絶縁物を形成するものであれば良く、上
記実施例と同様の効果を奏する。

【００５０】

【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明のエ
ピタキシャル成長層を絶縁層上に設ける方法によれば、
単結晶の主面上に直接エピタキシャル成長させてエピタ
キシャル成長層を形成し、エピタキシャル成長層の表面
に絶縁層を配設して、基体を削り取り、エピタキシャル
成長層を露出させるので、極めて均一な層を絶縁層の上
に形成できるという効果がある。

【００５１】請求項２記載の発明のエピタキシャル成長
層を絶縁層上に設ける方法によれば、エピタキシャル成
長層の表面に絶縁層を形成し、エピタキシャル成長層と
支持基板とが対向するように、絶縁層上に支持基板を形
成するので、極めて均一なエピタキシャル成長層の下に
形成された絶縁層よりさらに下に、それらを支える支持
基板を形成できるという効果がある。

【００５２】請求項３記載の発明のエピタキシャル成長
層を絶縁層上に設ける方法によれば、支持基板上に前記
絶縁層を形成し、支持基板上の絶縁層とエピタキシャル
成長層とを張り合わせるので、極めて均一なエピタキシ
ャル成長層の下に形成された絶縁層よりさらに下に、そ
れらを支える支持基板を形成できるという効果がある。

【００５３】請求項４記載の発明のエピタキシャル成長
層を絶縁層上に設ける方法によれば、基体の主面は、シ
リコン単結晶からなる面を含み、エピタキシャル成長層
は、基体の面上に直接シリコンをエピタキシャル成長さ
せた層を含み、絶縁層はシリコン酸化膜を含むので、容
易に極めて均一なシリコンからなるエピタキシャル成長
層の下に形成されたシリコン系絶縁層よりさらに下に、
それらを支えるシリコン基板の形成を実現できるという
効果がある。

【００５４】請求項５記載の発明のエピタキシャル成長
層を絶縁層上に設ける方法によれば、単結晶からなる基
板の主面上に直接エピタキシャル成長させてエピタキシ
ャル成長層を形成し、基板またはエピタキシャル成長層
と結合して絶縁物を形成するイオンを、エピタキシャル
成長層の表面から所定の深さのところに打ち込み、そし
てイオンと基板またはエピタキシャル成長層とを結合さ
せて絶縁物を形成するので、極めて均一な層を絶縁層の
上に形成できるという効果がある。

【００５５】請求項６記載の発明のエピタキシャル成長
層を絶縁層上に有するシリコンウエハによれば、支持基
板の一方主面の全面にほぼ同じ厚みで形成されたシリコ
ン系絶縁層と、絶縁層の全面上にエピタキシャル成長に
よって形成されたシリコン層とを備えて構成されている
ので、デバイスの分留りを下げることなくデバイスが形
成される層の特性の均一性を大幅に高めることができる
効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例によるＳＯＩウエハの製
造工程を示すフローチャートである。

【図２】この発明の第２実施例によるＳＯＩウエハの製
造工程を示すフローチャートである。

【図３】この発明の第３実施例によるＳＯＩウエハの製
造工程を示すフローチャートである。

【図４】この発明の第４実施例によるＳＯＩウエハの製
造工程を示すフローチャートである。

【図５】従来のＳＯＩウエハの製造工程を示すフローチ
ャートである。

【図６】従来のＳＯＩウエハの製造に用いる装置を示す
図である。

【図７】従来のＳＯＩウエハの製造に用いる装置を説明
するための図である。

【符号の説明】

１，２ シリコンウエハ ３ シリコン酸化膜 ４ エピタキシャル成長層 ５ 酸素イオン ６ シリコン酸化層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも一つの主面が単結晶の基体の
   該主面上に直接エピタキシャル成長させてエピタキシャ
   ル成長層を形成する工程と、 前記基体と接している面とは反対側の前記エピタキシャ
   ル成長層の表面に絶縁層を配設する工程と、 前記基体を削り取り、前記エピタキシャル成長層を露出
   させる工程とを備える、エピタキシャル成長層を絶縁層
   上に設ける方法。
2. 【請求項２】 前記絶縁層を配設する工程は、 前記エピタキシャル成長層の表面に前記絶縁層を形成す
   る工程と、 前記エピタキシャル成長層と支持基板とが対向するよう
   に、前記絶縁層上に前記支持基板を形成する工程とを含
   む、請求項１記載のエピタキシャル成長層を絶縁層上に
   設ける方法。
3. 【請求項３】 前記絶縁層を配設する工程は、 支持基板上に前記絶縁層を形成する工程と、 前記支持基板上の前記絶縁層と前記エピタキシャル成長
   層とを張り合わせる工程とを含む、請求項１記載のエピ
   タキシャル成長層を絶縁層上に設ける方法。
4. 【請求項４】 前記基体の前記主面は、シリコン単結晶
   からなる面を含み、 前記エピタキシャル成長層は、前記基体の前記面上に直
   接シリコンをエピタキシャル成長させた層を含み、 前記絶縁層はシリコン酸化膜を含む、請求項１または請
   求項２記載のエピタキシャル成長層を絶縁層上に設ける
   方法。
5. 【請求項５】 少なくとも一つの主面が単結晶からなる
   基板を準備する工程と、 前記基板の前記主面上に直接エピタキシャル成長させて
   エピタキシャル成長層を形成する工程と、 前記基板または前記エピタキシャル成長層と結合して絶
   縁物を形成するイオンを、前記エピタキシャル成長層の
   表面から所定の深さのところに打ち込み、そして前記イ
   オンと前記基板または前記エピタキシャル成長層とを結
   合させて絶縁物を形成する工程とを備える、エピタキシ
   ャル成長層を絶縁層上に設ける方法。
6. 【請求項６】 一方主面を有する支持基板と、 前記支持基板の前記一方主面の全面にほぼ同じ厚みで形
   成されたシリコン系絶縁層と、 前記絶縁層の全面上にエピタキシャル成長によって形成
   されたシリコン層とを備える、エピタキシャル成長層を
   絶縁層上に有するシリコンウエハ。