JPH07257B2 - 半導体ウエハー保持装置及び半導体製造装置 - Google Patents
半導体ウエハー保持装置及び半導体製造装置Info
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- JPH07257B2 JPH07257B2 JP7367991A JP7367991A JPH07257B2 JP H07257 B2 JPH07257 B2 JP H07257B2 JP 7367991 A JP7367991 A JP 7367991A JP 7367991 A JP7367991 A JP 7367991A JP H07257 B2 JPH07257 B2 JP H07257B2
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Landscapes
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハーを静電
力によって吸着し、保持する静電チャックを用いた、半
導体ウエハー保持装置及び半導体製造装置に関するもの
である。
力によって吸着し、保持する静電チャックを用いた、半
導体ウエハー保持装置及び半導体製造装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウエハー固定技術として
は、メカニカル固定、真空チャック、静電チャックの各
方式が知られており、例えば、半導体ウエハーの搬送
用、露光、成膜、微細加工、洗浄、ダイシング等に使用
されている。このうち、特に静電チャック式は、半導体
ウエハーと試料ステージとの密着性を制御できるので、
今後は非常に優位にあるものと考えられている。
は、メカニカル固定、真空チャック、静電チャックの各
方式が知られており、例えば、半導体ウエハーの搬送
用、露光、成膜、微細加工、洗浄、ダイシング等に使用
されている。このうち、特に静電チャック式は、半導体
ウエハーと試料ステージとの密着性を制御できるので、
今後は非常に優位にあるものと考えられている。
【０００３】こうした静電チャックにおいては、例えば
特開平2-160444号公報に開示されているように、円盤状
のセラミックス基板の内部に膜状の電極を設け、この膜
状電極に例えば正の電荷を発生させ、半導体ウエハーの
側に負の電荷を与え、両者間に働くクーロン力によって
半導体ウエハーを吸着する。
特開平2-160444号公報に開示されているように、円盤状
のセラミックス基板の内部に膜状の電極を設け、この膜
状電極に例えば正の電荷を発生させ、半導体ウエハーの
側に負の電荷を与え、両者間に働くクーロン力によって
半導体ウエハーを吸着する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この際、膜状内部電極
の側に正の電荷を与えるだけでなく、半導体ウエハーに
対して直接導電体を接触させ、半導体ウエハーの側に負
の電荷を与える必要がある。しかし、導電体をウエハー
に接触させる際に、導電体材料による汚染及び接触によ
る塵が発生し、ウエハーが汚染するという問題がある。
また、特に真空中においては、絶縁耐圧が低下し、例え
ばピン状の導電体から放電が生じ易いので、この放電に
よってチャンバー壁等の部品がスパッタされてウエハー
が汚染し、また塵が発生する。更に、静電チャックによ
る半導体ウエハーの保持を解除する際、半導体ウエハー
側に残留する電荷によってウエハーの離脱応答性が悪く
なっていた。
の側に正の電荷を与えるだけでなく、半導体ウエハーに
対して直接導電体を接触させ、半導体ウエハーの側に負
の電荷を与える必要がある。しかし、導電体をウエハー
に接触させる際に、導電体材料による汚染及び接触によ
る塵が発生し、ウエハーが汚染するという問題がある。
また、特に真空中においては、絶縁耐圧が低下し、例え
ばピン状の導電体から放電が生じ易いので、この放電に
よってチャンバー壁等の部品がスパッタされてウエハー
が汚染し、また塵が発生する。更に、静電チャックによ
る半導体ウエハーの保持を解除する際、半導体ウエハー
側に残留する電荷によってウエハーの離脱応答性が悪く
なっていた。
【０００５】本発明の課題は、静電チャックに対して半
導体ウエハーを吸着する際の上記汚染や塵発生を防止
し、また半導体ウエハーの離脱応答性を高めることであ
る。
導体ウエハーを吸着する際の上記汚染や塵発生を防止
し、また半導体ウエハーの離脱応答性を高めることであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁体中に膜
状内部電極を埋設してなる盤状の静電チャック部と、こ
の静電チャック部のウエハー吸着面に設置された半導体
ウエハーに電荷を供給するイオナイザーとを有する、半
導体ウエハー保持装置に係るものである。
状内部電極を埋設してなる盤状の静電チャック部と、こ
の静電チャック部のウエハー吸着面に設置された半導体
ウエハーに電荷を供給するイオナイザーとを有する、半
導体ウエハー保持装置に係るものである。
【０００７】また、本発明は、一つの膜状内部電極を絶
縁体中に埋設してなる盤状の静電チャック部が、少なく
とも一部が導電体からなるチャンバーの内側に設置さ
れ、バイアス電圧が前記チャンバーに印加され、かつ前
記静電チャック部のウエハー吸着面に設置された半導体
ウエハーと前記チャンバーとに電荷を供給するイオナイ
ザーが前記チャンバー内に設置されていることを特徴と
する、半導体製造装置に係るものである。
縁体中に埋設してなる盤状の静電チャック部が、少なく
とも一部が導電体からなるチャンバーの内側に設置さ
れ、バイアス電圧が前記チャンバーに印加され、かつ前
記静電チャック部のウエハー吸着面に設置された半導体
ウエハーと前記チャンバーとに電荷を供給するイオナイ
ザーが前記チャンバー内に設置されていることを特徴と
する、半導体製造装置に係るものである。
【０００８】
【実施例】まず、半導体製造装置に本発明を適用した例
について述べる。図１は本発明の実施例に係る半導体製
造装置を示す概略断面図、図２は静電チャック部のみを
示す平面図である。チャンバー１の内側空間２に半導体
ウエハー７を設置、固定する。チャンバー１は、例えば
アルミニウム、ＳＵＳ等の導電体からなる。チャンバー
１の底面にサセプター４が設置されており、サセプター
４の上部が静電チャック部５となっている。静電チャッ
ク部５は、図２に示すように例えば円盤状であり、その
内部に円形の膜状内部電極６が埋設されている。
について述べる。図１は本発明の実施例に係る半導体製
造装置を示す概略断面図、図２は静電チャック部のみを
示す平面図である。チャンバー１の内側空間２に半導体
ウエハー７を設置、固定する。チャンバー１は、例えば
アルミニウム、ＳＵＳ等の導電体からなる。チャンバー
１の底面にサセプター４が設置されており、サセプター
４の上部が静電チャック部５となっている。静電チャッ
ク部５は、図２に示すように例えば円盤状であり、その
内部に円形の膜状内部電極６が埋設されている。
【０００９】交流電源10には一対の給電ケーブル８，９
が接続される。一方の給電ケーブル８は、膜状内部電極
６に接続され、他方の給電ケーブル９はチャンバー１に
接続される。チャンバー１の図１において左上側にはイ
オナイザー３が設置されている。
が接続される。一方の給電ケーブル８は、膜状内部電極
６に接続され、他方の給電ケーブル９はチャンバー１に
接続される。チャンバー１の図１において左上側にはイ
オナイザー３が設置されている。
【００１０】イオナイザーは、通常は、クリーンルーム
や半導体製造装置において、クリーンルーム内の各装置
や、絶縁体で保持された半導体ウエハー表面の帯電を防
止するために用いるものである。具体的には針状放電電
極に数kV〜数十kVの電圧を印加してコロナ放電を起し、
これによりイオンを発生させている。通常このイオンに
より、静電気を中和している。
や半導体製造装置において、クリーンルーム内の各装置
や、絶縁体で保持された半導体ウエハー表面の帯電を防
止するために用いるものである。具体的には針状放電電
極に数kV〜数十kVの電圧を印加してコロナ放電を起し、
これによりイオンを発生させている。通常このイオンに
より、静電気を中和している。
【００１１】図１の装置を動作させるときには、膜状内
部電極６に交流電圧を印加すると共に、導電体からなる
チャンバー１にバイアス電圧を印加する。これと共に、
ウエハー吸着面５ａに半導体ウエハー７を設置する。こ
こで、イオナイザ−３で正負のイオンを発生させると、
これらのイオンは膜状内部電極６及びチャンバー１の極
性に応じて移動し、チャンバー１の壁面か半導体ウエハ
ー７に付着する。こうしてチャンバー１に供給された電
荷はチャンバー１を流れる。半導体ウエハー７に供給さ
れた電荷は、半導体ウエハー７と膜状内部電極６との間
でクーロン力を生じさせ、これにより半導体ウエハー７
が吸着される。これにより、半導体ウエハー７には、印
加電圧による所定の電荷を発生させることができるた
め、所定の電位を、放電し対し安定なレベルにコントロ
ールできる。これにより、今までのような異常放電を生
じることがなくなった。
部電極６に交流電圧を印加すると共に、導電体からなる
チャンバー１にバイアス電圧を印加する。これと共に、
ウエハー吸着面５ａに半導体ウエハー７を設置する。こ
こで、イオナイザ−３で正負のイオンを発生させると、
これらのイオンは膜状内部電極６及びチャンバー１の極
性に応じて移動し、チャンバー１の壁面か半導体ウエハ
ー７に付着する。こうしてチャンバー１に供給された電
荷はチャンバー１を流れる。半導体ウエハー７に供給さ
れた電荷は、半導体ウエハー７と膜状内部電極６との間
でクーロン力を生じさせ、これにより半導体ウエハー７
が吸着される。これにより、半導体ウエハー７には、印
加電圧による所定の電荷を発生させることができるた
め、所定の電位を、放電し対し安定なレベルにコントロ
ールできる。これにより、今までのような異常放電を生
じることがなくなった。
【００１２】膜状内部電極６の材質としては、Ag−Pd、
Ag、Ag−Cu−Ti、Pt、Ag−Pt、Au、W 、Mo等の導体が好
ましい。また、静電チャック部５の絶縁体としては、 A
l2O3、Si3N4 、 AlN、SiC 等を主成分とするセラミック
スが好ましい。チャンバー１内で行う処理としては、ス
パッタリング、ドライエッチング、CVD 、露光によるパ
ターン形成等を例示できる。
Ag、Ag−Cu−Ti、Pt、Ag−Pt、Au、W 、Mo等の導体が好
ましい。また、静電チャック部５の絶縁体としては、 A
l2O3、Si3N4 、 AlN、SiC 等を主成分とするセラミック
スが好ましい。チャンバー１内で行う処理としては、ス
パッタリング、ドライエッチング、CVD 、露光によるパ
ターン形成等を例示できる。
【００１３】本実施例によれば、イオナイザー３によっ
て半導体ウエハー７へ電荷を供給し、ク−ロン力を発生
させているので、電位的なバランスが良くなり、放電や
ショートの問題が生じないため、これらによる塵の発生
や汚染を防止できる。また、半導体ウエハー７自体に導
電体を機械的に接触させないため、こうした機械的接触
に起因する塵の発生や汚染も防止できる。特に、従来は
イオナイザーを雰囲気中の電荷の中和に使っていたので
あり、この点、本実施例では逆に半導体ウエハー７に電
荷を供給するためにイオナイザーを使っているのであっ
て、この点で従来とは全く発想が異なっている。
て半導体ウエハー７へ電荷を供給し、ク−ロン力を発生
させているので、電位的なバランスが良くなり、放電や
ショートの問題が生じないため、これらによる塵の発生
や汚染を防止できる。また、半導体ウエハー７自体に導
電体を機械的に接触させないため、こうした機械的接触
に起因する塵の発生や汚染も防止できる。特に、従来は
イオナイザーを雰囲気中の電荷の中和に使っていたので
あり、この点、本実施例では逆に半導体ウエハー７に電
荷を供給するためにイオナイザーを使っているのであっ
て、この点で従来とは全く発想が異なっている。
【００１４】更に、本実施例では、膜状内部電極６が単
一層であるので、半導体ウエハー７の表面においても電
位がほぼ均一になる。従ってスパッタリング装置等、半
導体ウエハー７の表面電位に影響を受ける半導体製造装
置においては、半導体ウエハー７の表面における成膜条
件を均一化できるので、図２に示すように膜状内部電極
６を単一層にすることが好ましい。
一層であるので、半導体ウエハー７の表面においても電
位がほぼ均一になる。従ってスパッタリング装置等、半
導体ウエハー７の表面電位に影響を受ける半導体製造装
置においては、半導体ウエハー７の表面における成膜条
件を均一化できるので、図２に示すように膜状内部電極
６を単一層にすることが好ましい。
【００１５】また、半導体ウエハー７の保持を解除する
際には、膜状電極への電力の供給を停止して膜状電極と
チャンバーの電位を同等とすると共に、イオナイザー３
において正あるいは負のイオンを発生させる。すると、
この場合には、半導体ウエハー７の表面の電荷に対して
逆極性のイオンが半導体ウエハー７の方へと吸引され、
この表面電荷を中和する。従って、半導体ウエハー７の
吸着力を速やかに低下させ、その離脱応答性を高めるこ
とができる。尚、イオナイザーの作動は、吸着開始時、
吸着終了時に必須となり、その他ウエハー吸着中や、ウ
エハー吸着時以外の場合もイオナイザーを作動させるこ
とが、ウエハー電位を一定とできる点及び、塵を発生さ
せない点で望ましいが、半導体製造上のプロセスに該イ
オンが影響を及ぼすようであれば、作動を停止してもか
まわない。
際には、膜状電極への電力の供給を停止して膜状電極と
チャンバーの電位を同等とすると共に、イオナイザー３
において正あるいは負のイオンを発生させる。すると、
この場合には、半導体ウエハー７の表面の電荷に対して
逆極性のイオンが半導体ウエハー７の方へと吸引され、
この表面電荷を中和する。従って、半導体ウエハー７の
吸着力を速やかに低下させ、その離脱応答性を高めるこ
とができる。尚、イオナイザーの作動は、吸着開始時、
吸着終了時に必須となり、その他ウエハー吸着中や、ウ
エハー吸着時以外の場合もイオナイザーを作動させるこ
とが、ウエハー電位を一定とできる点及び、塵を発生さ
せない点で望ましいが、半導体製造上のプロセスに該イ
オンが影響を及ぼすようであれば、作動を停止してもか
まわない。
【００１６】上記の実施例においては、図２に示すよう
に単一層の膜状内部電極６を用いたが、図３に示すよう
に、平面略半月形状のような複数の膜状内部電極６Ａ、
６Ｂを静電チャック部15の内部に設けてもよい。この場
合は、ウエハー吸着面15ａに半導体ウエハーを設置し、
また各膜状内部電極６Ａと６Ｂとに異なる極性を与え
る。そして、イオナイザーから半導体ウエハーへと電荷
を与えると、半導体ウエハーの表面には、膜状内部電極
６Ａ、６Ｂのパターンに応じて正負の電荷が与えられ
る。半導体ウエハーの保持を解除する際には、膜状内部
電極６Ａ、６Ｂに対する電力の供給を止め、イオナイザ
ーで発生させたイオンによって上記の電荷を中和する。
複数の電極を設置した場合には、各電極に対応しウエハ
ーの電位が分極するため、外部からの電荷供給は一般に
は不要である。しかし、Siウエハーは、種々のドーパン
トによって抵抗が10-4〜106 Ω/cm と変化するので、特
に高抵抗の場合には、該分極が遅く、吸着、脱着のレス
ポンスが低下し、吸着力にもバラツキが生じていた。こ
のためイオナイザーを設置することによって、上記電荷
の移動がすみやかに行なわれ、安定した吸着力、レスポ
ンスを保てる。
に単一層の膜状内部電極６を用いたが、図３に示すよう
に、平面略半月形状のような複数の膜状内部電極６Ａ、
６Ｂを静電チャック部15の内部に設けてもよい。この場
合は、ウエハー吸着面15ａに半導体ウエハーを設置し、
また各膜状内部電極６Ａと６Ｂとに異なる極性を与え
る。そして、イオナイザーから半導体ウエハーへと電荷
を与えると、半導体ウエハーの表面には、膜状内部電極
６Ａ、６Ｂのパターンに応じて正負の電荷が与えられ
る。半導体ウエハーの保持を解除する際には、膜状内部
電極６Ａ、６Ｂに対する電力の供給を止め、イオナイザ
ーで発生させたイオンによって上記の電荷を中和する。
複数の電極を設置した場合には、各電極に対応しウエハ
ーの電位が分極するため、外部からの電荷供給は一般に
は不要である。しかし、Siウエハーは、種々のドーパン
トによって抵抗が10-4〜106 Ω/cm と変化するので、特
に高抵抗の場合には、該分極が遅く、吸着、脱着のレス
ポンスが低下し、吸着力にもバラツキが生じていた。こ
のためイオナイザーを設置することによって、上記電荷
の移動がすみやかに行なわれ、安定した吸着力、レスポ
ンスを保てる。
【００１７】次いで、いわゆるクリーンルーム等におけ
る半導体ウエハーの搬送に対して本発明を適用した例を
示す。真空中で半導体ウエハーを搬送する場合や、空気
中から真空中へとウエハーを搬送する場合など、静電チ
ャックを用いたウエハーの搬送が期待されている。図４
はこうした静電チャックでウエハーを吸着している状態
を示す概略正面図、図５は同じく概略部分断面図であ
る。
る半導体ウエハーの搬送に対して本発明を適用した例を
示す。真空中で半導体ウエハーを搬送する場合や、空気
中から真空中へとウエハーを搬送する場合など、静電チ
ャックを用いたウエハーの搬送が期待されている。図４
はこうした静電チャックでウエハーを吸着している状態
を示す概略正面図、図５は同じく概略部分断面図であ
る。
【００１８】図５においてチャンバー13の右端側の壁面
にイオナイザー３が設置されている。チャンバー13の内
側空間14において、搬送用ハンド11の先端に静電チャッ
ク部12が取り付けられている。ただし、図４において
は、チャンバー13、イオナイザー３は図示省略してあ
る。そして、細長い平板形状の静電チャック部12の内部
には、膜状内部電極が埋設され、静電チャック部12のウ
エハー吸着面12ａに、半導体ウエハー７が垂直方向に配
向した状態で吸着される。他は前述した実施例と同様で
あって、例えば静電チャック部12内の膜状内部電極が負
に帯電したときには、イオナイザー３で発生したイオン
のうち正の電荷を持ったイオンが半導体ウエハー７の表
面に付き、クーロン力を発生させる。このク−ロン力に
よって半導体ウエハー７を吸着しつつ搬送する。
にイオナイザー３が設置されている。チャンバー13の内
側空間14において、搬送用ハンド11の先端に静電チャッ
ク部12が取り付けられている。ただし、図４において
は、チャンバー13、イオナイザー３は図示省略してあ
る。そして、細長い平板形状の静電チャック部12の内部
には、膜状内部電極が埋設され、静電チャック部12のウ
エハー吸着面12ａに、半導体ウエハー７が垂直方向に配
向した状態で吸着される。他は前述した実施例と同様で
あって、例えば静電チャック部12内の膜状内部電極が負
に帯電したときには、イオナイザー３で発生したイオン
のうち正の電荷を持ったイオンが半導体ウエハー７の表
面に付き、クーロン力を発生させる。このク−ロン力に
よって半導体ウエハー７を吸着しつつ搬送する。
【００１９】図１の例ではウエハー吸着面５ａを上向き
にしたが、これを下向きにしてもよい。図３の例におい
て、膜状内部電極を３つ以上に区分してもよい。また、
図１において、交流電源10の代りに直流電源を使用でき
る。イオナイザー３自体としては、針状放電電極に電圧
を印加することによってコロナ放電を起す公知のイオナ
イザーを使用できる。ただし、将来の半導体製造技術に
おいては、特に発塵がなくオゾン濃度の低いイオナイザ
ーを使う必要がある。このためには、タングステン電極
の表面をSiO2等の絶縁膜で保護し、かつ電極の先端に極
度に高い電界が生じないような電極構造としなければな
らない。
にしたが、これを下向きにしてもよい。図３の例におい
て、膜状内部電極を３つ以上に区分してもよい。また、
図１において、交流電源10の代りに直流電源を使用でき
る。イオナイザー３自体としては、針状放電電極に電圧
を印加することによってコロナ放電を起す公知のイオナ
イザーを使用できる。ただし、将来の半導体製造技術に
おいては、特に発塵がなくオゾン濃度の低いイオナイザ
ーを使う必要がある。このためには、タングステン電極
の表面をSiO2等の絶縁膜で保護し、かつ電極の先端に極
度に高い電界が生じないような電極構造としなければな
らない。
【００２０】イオナイザーは交流直流どちらでも良い
が、交流の場合、高周波とする形式、グロー放電、コロ
ナ放電によってイオン化させる形式でもかまわない。ま
た、イオナイザーは、静電チャックの近傍に設置するの
が好ましいが、CVD 装置等の場合は、ガス供給部にイオ
ナイザーを設置し、イオン化したガスをチャンバーに導
入することでも同様の効果がえられる。特に該静電チャ
ックにヒーターを取り付けた形式のもの、特に、静電チ
ャックの誘電体膜にセラミックスのような耐熱性を有す
る材質を使用した、静電チャックヒーターでは、ウエハ
ー温度が上昇するにつれ、グロー放電が生じやすくな
り、塵の原因となるため、イオナイザーにより異常帯電
を防止することが重要となる。
が、交流の場合、高周波とする形式、グロー放電、コロ
ナ放電によってイオン化させる形式でもかまわない。ま
た、イオナイザーは、静電チャックの近傍に設置するの
が好ましいが、CVD 装置等の場合は、ガス供給部にイオ
ナイザーを設置し、イオン化したガスをチャンバーに導
入することでも同様の効果がえられる。特に該静電チャ
ックにヒーターを取り付けた形式のもの、特に、静電チ
ャックの誘電体膜にセラミックスのような耐熱性を有す
る材質を使用した、静電チャックヒーターでは、ウエハ
ー温度が上昇するにつれ、グロー放電が生じやすくな
り、塵の原因となるため、イオナイザーにより異常帯電
を防止することが重要となる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、静電チャック部のウエ
ハー吸着面に設置された半導体ウエハーに電荷を供給す
るイオナイザーを設けているので、この電荷によって半
導体ウエハーと静電チャック部との間にクーロン力を生
じさせ、半導体ウエハーを良好に吸着することができ
る。従って、電位的なバランスが良くなり、放電やショ
ートの問題が生じないため、これらによる塵の発生や汚
染を防止できる。また、半導体ウエハー自体に導電体を
機械的に接触させないため、こうした機械的接触に起因
する塵の発生や汚染も防止できる。これと共に、半導体
ウエハーの保持を解除する際には、膜状内部電極への電
力の供給を停止すると共に、イオナイザーからの電荷に
よって半導体ウエハー表面の残留電荷を中和することが
できる。従って、半導体ウエハーの吸着力を速やかに低
下させ、その離脱応答性を高めることができる。
ハー吸着面に設置された半導体ウエハーに電荷を供給す
るイオナイザーを設けているので、この電荷によって半
導体ウエハーと静電チャック部との間にクーロン力を生
じさせ、半導体ウエハーを良好に吸着することができ
る。従って、電位的なバランスが良くなり、放電やショ
ートの問題が生じないため、これらによる塵の発生や汚
染を防止できる。また、半導体ウエハー自体に導電体を
機械的に接触させないため、こうした機械的接触に起因
する塵の発生や汚染も防止できる。これと共に、半導体
ウエハーの保持を解除する際には、膜状内部電極への電
力の供給を停止すると共に、イオナイザーからの電荷に
よって半導体ウエハー表面の残留電荷を中和することが
できる。従って、半導体ウエハーの吸着力を速やかに低
下させ、その離脱応答性を高めることができる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体製造装置を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】静電チャック部の一例を示す平面図である。
【図３】静電チャック部の一例を示す平面図である。
【図４】半導体ウエハーを静電チャック部に吸着し、搬
送している状態を示す概略正面図である。
送している状態を示す概略正面図である。
【図５】半導体ウエハーを静電チャック部に吸着し、搬
送している状態を示す概略部分断面図である。
送している状態を示す概略部分断面図である。
１ 導電性材料からなるチャンバー ３ イオナイザー ４ サセプター ５，12 静電チャック部 ６，６Ａ，６Ｂ 膜状内部電極 ７ 半導体ウエハー
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁体中に膜状内部電極を埋設してなる
盤状の静電チャック部と、この静電チャック部のウエハ
ー吸着面に設置された半導体ウエハーに電荷を供給する
イオナイザーとを有する、半導体ウエハー保持装置。 - 【請求項２】 一つの膜状内部電極を絶縁体中に埋設し
てなる盤状の静電チャック部が、少なくとも一部が導電
体からなるチャンバーの内側に設置され、バイアス電圧
が前記チャンバーに印加され、かつ前記静電チャック部
のウエハー吸着面に設置された半導体ウエハーと前記チ
ャンバーとに電荷を供給するイオナイザーが前記チャン
バー内に設置されていることを特徴とする、半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7367991A JPH07257B2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 半導体ウエハー保持装置及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7367991A JPH07257B2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 半導体ウエハー保持装置及び半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04289046A JPH04289046A (ja) | 1992-10-14 |
| JPH07257B2 true JPH07257B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=13525152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7367991A Expired - Lifetime JPH07257B2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 半導体ウエハー保持装置及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07257B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2766130B1 (en) | 2011-10-12 | 2020-07-08 | 1366 Technologies Inc. | Apparatus and process for depositing a thin layer of resist on a substrate |
| CN102615526B (zh) * | 2012-04-10 | 2014-03-05 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种精密夹具 |
| CN112151436B (zh) * | 2020-09-27 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 压环组件及半导体工艺腔室 |
-
1991
- 1991-03-14 JP JP7367991A patent/JPH07257B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04289046A (ja) | 1992-10-14 |
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Legal Events
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