JPH07262565A - 情報記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】歪みの無いマ―クを記録し、消去率を向上し
て、ジッタを改善することができる情報記録装置を提供
する。 【構成】相変化情報記録媒体に記録／消去／再生用光ビ
―ムを照射する光ヘッドを具備して、情報記録媒体に書
き込まれている情報を新規情報に書き変える際に、予め
第一の光ヘッド60で前記情報を消去後、前記第二の光ヘ
ッド160 で新規情報を記録する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体（光ディ
スク）にレ―ザ―ビ―ム、電子線ビ―ム等を照射して、
その記録層に情報の記録・消去を繰り返して行い、かつ
再生する情報記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】記録消去が可能な情報記録媒体は、例え
ば図１に示すように基板１５に記録層２と有機保護膜３
とを順に積層している構造を持つ。基板１５はガラスや
プラスチック材料（例えばポリメチルメタクリレ―ト樹
脂やポリカ―ボネ―ト樹脂等）からなり、記録層２は光
ビームの照射により結晶状態または非晶質状態に相変化
する材料からなり、真空蒸着、スパッタリングなどの堆
積方法により形成される。有機保護膜３は紫外線硬化樹
脂などからなる。

【０００３】このような情報記録媒体は、例えば次のよ
うにして情報が記録・消去される。情報記録媒体に光ビ
―ムを全面に照射して加熱し、記録層を結晶性の高い状
態（原子が比較的正しく配列された状態、以下結晶状態
と呼ぶ）にする。次に情報の書込のため短い強いパルス
光を照射し記録層を加熱急冷にする。するとパルス光照
射部は結晶性が低下した状態である非晶質領域となる。
上記の結晶状態と非晶質状態では原子配列の構造が異な
ることから、光学的性質（透過率、反射率）が変化し情
報を記録することができる。このようにして、書き込ま
れた情報はついで記録部に長い弱いパルス光を照射し、
加熱徐冷することにより消去することができる。これは
記録部が元の状態である結晶状態に戻るためである。

【０００４】さらに、図２の示すような弱い連続光ビ―
ム（以下、消去ビ―ムとする）に強く短いパルス（記録
用光ビ―ム）を重畳した光ビ―ムを用いることにより以
前に形成された非晶質状態の記録部を結晶状態として消
去しながら同時に新しい記録部を形成するいわゆるオ―
バ―ライトすることができる。このように、相変化型光
ディスクは光ビ―ムを熱に変換し、その熱を利用して記
録層を溶融、急冷し非晶質化（非晶質）することで記録
し、また、記録層の温度を結晶化温度以上にすることに
より記録マ―クの消去を行う。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、例えば、光デ
ィスクを回転数3600 rpm相当で回転させた時、３．５イ
ンチの光ディスクの外周で１５ｍ／ｓの高線速となり、
消去率が著しく劣化することが確認されている。これ
は、相変化光ディスクにおいて非晶質、結晶部の吸収率
に大きく起因している。すなわち、ＧｅＳｂＴｅ材料を
記録層に用いた相変化光ディスクは、一般に非晶質の吸
収率が結晶部の吸収率よりも大きいくなるように膜設計
され、このことにより再生信号を大きくすることができ
る。しかし、オ―バ―ライトした場合、非晶質（マーク
部）の吸収率が高いと、結晶部より非晶質部の温度が上
がり易く、しかも結晶部は溶解潜熱が存在するが、非晶
質には潜熱が存在しないため記録時の結晶部と非晶質の
温度差がさらに大きくなる。このためオ―バ―ライトし
た場合非晶質部と結晶部の境界部分では非晶質部と結晶
部の到達温度の違いによりマ―クに歪みを生じたり、非
晶質部にオ―バ―ライトした場合と結晶部にオ―バ―ラ
イトした場合でマ―クの大きさが異なる場合が生じこれ
により消去率が低下する。

【０００６】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、既に書き込まれている情報を高速度で新規情報に書
き替える場合にも歪みの無いマ―クを記録し、消去率を
向上して、ジッタを改善することができる情報記録装置
を提供する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の情報
記録装置は、相変化形情報記録媒体に記録された情報を
消去する光ビ―ムを該相変化情報記録媒体に照射する手
段と、情報が消去された相変化情報記録媒体に、情報を
記録する光ビ―ムを照射する手段とを備えている。さら
に、記録媒体と情報記録用光ビームとの相対的な線速度
を検出して、所定の線速度（例えば１２〜１３ｍ／ｓ）
以下では、消去用光ビームと情報記録用光ビームとを重
畳した光ビームを照射して書き替え（オーバーライト）
を行い、所定の線速度を越えると、消去用光ビームを照
射して情報を消去した後記録用光ビームを照射して書き
替えを行なう。

【０００８】具体的に述べれば、相変化記録媒体で、デ
ィスク回転数を3600 rpm回転以上で情報を書き換える場
合、線速度が所定の値を越えた場合、１つの光学ヘッド
を持つ情報記録装置においてビ―ムスポットが記録マ―
クを通過する時間中に記録マ―クを消去することが可能
な消去パワ―３ｍＷ〜６ｍＷまでのレ―ザ―を連続照射
して前記情報を消去する。その後、記録マ―クが形成可
能な１０ｍＷ以上の記録パワ―でレ―ザ―を照射し、前
記新規情報を相変化記録媒体に記録する。このように記
録されている情報を予め消去しておけば、デ―タを記録
する場合、吸収率の異なる記録マ―クである非晶質相が
存在しないので歪みの無いマ―クが記録できる。そのた
め、消去率が向上し、ジッタも改善される。

【０００９】また２つの光学ヘッドを持つ情報記録装置
の場合、消去用光学ヘッドより消去ビ―ムを照射してデ
―タ消去後、記録用／再生用光学ヘッドより記録ビ―ム
を照射してデ―タを記録する。このように記録されてい
る情報を予め消去しておけば、次に情報を記録する場
合、吸収率の異なる記録マ―クである非晶質相が存在し
ないので歪みの無いマ―クが記録できる。そのため、消
去率が向上し、ジッタも改善される。

【００１０】

【実施例】以下、本発明を図示する実施例を参照して説
明する。図４は成膜記録装置の側面図、図５は底面図で
ある。図中１１は真空容器で、この真空容器１１はその
底壁に設けられたガス排気ボ―ド１２を有している。ガ
ス排気ボ―ド１２は排気装置２７に接続されており、こ
の排出ボ―ド１２を介して真空容器１１内を排気するよ
うになっている。真空容器内の上部には、支持装置１８
により円盤状の基板１５がその面を水平にして支架され
ている。成膜中に、図示されてないモ―タ―により支持
装置１８を回転させることにより基板１５を回転駆動さ
せるようになっている。例えば、基板として十分に洗浄
した外径９０ｍｍ、板厚０．６ｍｍの円板上ポリカ―ボ
ネ―ト基板を用いる。また、真空容器１１内の底部近傍
には基板１５に対向するように、所定元素で形成された
スパッタ元１９、２０、２１、２２が配設されており、
これら各スパッタ元には図示しない高周波電源が接続さ
れている。スパッタ源として、ＧｅＳｂＴｅ、ＺｎＳ：
ＳｉＯ₂ 混合物及びＡｌＭｏが挙げられる。また、ガス
導入ポ―ト１３からスパッタガスとしてＡｒガス１４が
導入できるようになっている。モニタ装置２３、２４、
２５、２６は各々スパッタ源の上方に設けられており、
各スパッタ源からの元素のスパッタ量をモニタするよう
になっており、このモニタした値が所定の比になるよう
に各スパッタ源に投入する電力を調整するようになって
いる。

【００１１】この成膜装置によれば、まず排気装置２７
により真空装置１１内を、例えば１０^-6ｔｏｒｒ台の真
空度（例えば８×１０^-6ｔｏｒｒ）まで排気する。次い
で、ガス導入ポ―ト１３よりＡｒガス１４を導入し、排
気装置２７の排気量を調節して真空容器１１内を所定の
減圧下に保持する（例えば、４×１０^-3ｔｏｒｒ）。そ
して、基板１５を例えば５０ｒｐｍで回転させつつモニ
タにより各元素のスパッタ量をモニタして各スパッタ源
に投入する電力をコントロ―ルし、最初に基板に対して
ＺｎＳ：ＳｉＯ₂ 、ＧｅＳｂＴｅ、ＺｎＳ：ＳｉＯ₂ 、
金属反射層Ａｌ合金等を層構成に合わせて堆積させる。
さらにこの記録層上に保護膜として紫外線硬化樹脂を１
０ｕｍスピンコ―タによりオ―バ―コ―トし、紫外線を
照射して硬化させ情報記録媒体を形成した。これによ
り、基板１５に記録層２，保護膜３が被覆形成される。

【００１２】実施例１：１ヘッドの場合（線速度を検出
し、所定値以下では消去と書込を同時に行い、所定値を
越えると消去と書込とを別々に行う） 図６は、上記の情報記録媒体に情報を消去、記録、再生
するための１光学ヘッド６０の記録装置の具体例を示
す。試料６１はスピンドルモ―タ６２に固定され、所定
の回転数で回転することができる。試料の上部には試料
上にレ―ザ―光を集光させるための光学系６３が配置さ
れている。半導体レ―ザ―６４から出た光はコリメ―タ
レンズ６５で平行光となりビ―ムスプリッタ６６とλ／
４波長板６７を通って対物レンズ６８により試料６１上
に集光する。試料６１からの反射光はビ―ムスプリッタ
６６で分けられ、検出レンズ６９を通って受光器６Ａに
入り検出信号となる。この信号は一方で対物レンズ６８
を駆動するための駆動コイル６Ｂに電流を流すサ―ボ系
６Ｃにも供給される。このようにして常に試料との距離
を一定に保ち、試料６１上に集光スポットを結像するこ
とができる。

【００１３】図７は、１光学ヘッドの場合の半導体レ―
ザ―の制御回路のブロック図である。レーザ制御回路で
あるマルチプレクサ７４５には、Ｒ／Ｗ信号７４０、パ
ラレル／シリアル変換回路７４４からの信号が入力され
ている。パラレル／シリアル変換回路７４４にはＲＯＭ
７４２、ＣＬＫ生成部７４３からの信号が出力されてい
る。また、前記マルチプレクサ７４５は、信号を書込用
レーザ駆動電流回路７４６のＯＮ，ＯＦＦの切替えをす
る書込用レ―ザ―駆動電流スイッチ７４９に出力し、消
去レ―ザ―駆動電流回路７４７と再生レ―ザ―駆動電流
回路７４８とを、切替える切替えスイッチ７４Ａに出力
している。書込用レーザ駆動電流回路７４６、消去レ―
ザ―駆動電流回路７４７、再生レ―ザ―駆動電流回路７
４８には予め各出力レ―ザ―パワ―レベルが設定され、
その出力信号はスイッチ７４９または７４Ａを介して、
加算器７４Ｄに入力している。加算器７４Ｄは増幅器７
４Ｂを介してレ―ザ―ダイオ―ド７４Ｃに接続してい
る。

【００１４】図１３に示すように、前記ＲＯＭ７４２に
はパルスパターン及び線速度を含むデータ７４１が入力
されている。すなわち、ＲＡＭ７６０内には所定の記録
データが記録され、各パルスパターンジエネレータ７６
１，７６２はこの記録データに基づいて記録データを生
成する。パルスパターンジエネレータ７６１は、線速度
が遅い場合（所定値以下）の記録データを生成する（図
２参照）。パルスパターンジエネレータ７６２は線速度
が速い場合（所定値を越える）のパルスパターンジエネ
レータ記録データを生成する。パルスパターンジエネレ
ータ７６１，７６１の信号は切替スイッチ７６３を介し
て前記ＲＯＭ７４２に入力される（図８参照）。一方、
回転制御器７６４からの回転速度制御信号がスピンドル
モータ７６５及び線速度検出器７６６に入力されてい
る。線速度検出器７６６にはヘッド位置検出器７６７か
らの位置検出信号が入力され、線速度検出器７６６はこ
れら入力信号から線速度を検出し、線速度が所定の値よ
り遅いときにパルスパターンジエネレータ７６１側に、
速いときにパルスパターンジエネレータ７６２側に切り
替える信号を切替スイッチ７６３に出力している。すな
わち、線速度検出器７６６は、線速度が所定値（１２〜
１３ｍ／秒）を越えているか否かによりパルスパターン
ジエネレータ７６２又は７６３を選択する信号を出力す
る。

【００１５】このように構成された情報記録装置につい
て、３６００ｒｐｍ回転時の書込及び消去時の動作を示
す。光学ヘッドの位置が記録媒体の半径２９ｍｍ以下の
場合（線速度１２〜１３ｍ／秒）に相当する）、線速度
検出器７６６からの信号で切替スイッチ７６３をパルス
パターンジエネレータ７６１側に設定し、パルスパター
ンジエネレータ７６１の記録データがＲＯＭ７４２に入
力する。Ｒ／Ｗ信号７４０がＬＯＷとなりマルチプレク
サ７４５に入力すると再生／消去レ―ザ―駆動電流回路
切り替えスイッチ７４Ａが消去レ―ザ―駆動電流回路７
４７を選択する。またそれと同時にユ―ザ―デ―タ―信
号７４１がデ―タ変換ＲＯＭ７４２に入力するとデ―タ
変換ＲＯＭ７４２より（１，７）変調または（２，７）
変調されたデ―タが出力される。これをＣＬＫ生成部７
４３から出力されるチャネルクロック信号に同期してパ
ラレル／シリアル変換回路７４４によりシリアルデ―タ
に変換され、マルチプレクサ７４５に入力する。書込用
レ―ザ―駆動電流回路７４６、消去パワ―用レ―ザ―駆
動回路７４７には予め各出力レ―ザ―パワ―レベルを設
定しておき、マルチプレクサにより出力される信号に同
期して書込用レ―ザ―駆動電流スイッチのＯＮ、ＯＦＦ
を切り替える。このことにより書込用レ―ザ―駆動電流
が加算器７４Ｄへ流れ込み、消去パワ―駆動用の電流に
加算される。そして増幅器７４Ｂに流れ込み増幅されレ
―ザ―ダイオ―ド７４Ｃに出力され、レ―ザ―ダイオ―
ドから図２に示すごときパワーレベルのレ―ザ―パワ―
が設定時間照射される。すなわち、図３に示すように、
半径が２９ｍｍ以下の時は、ライトセクタを検出し、ラ
イトパルスを照射する。

【００１６】光学ヘッドの位置が記録媒体の半径２９ｍ
ｍを越える場合、線速度検出器７６６からの信号で切替
スイッチ７６３をパルスパターンジエネレータ７６２側
に設定し、パルスパターンジエネレータ７６２の記録デ
ータがＲＯＭ７４２に入力する。そして、Ｒ／Ｗ信号７
４０がＬＯＷとなりマルチプレクサ７４５に入力すると
再生／消去レ―ザ―駆動電流回路切り替えスイッチ７４
Ａが消去レ―ザ―駆動電流回路７４７を選択する。そし
て、消去パワ―駆動用の電流が加算器７４Ｄを介して増
幅器７４Ｂに流れ込み増幅されレ―ザ―ダイオ―ド７４
Ｃに出力され、レ―ザ―ダイオ―ドから消去用パワーレ
ベルのレ―ザ―パワ―が設定時間照射される。消去パワ
ーの照射後、書込用レ―ザ―駆動電流スイッチをＯＮ
し、デ―タ変換ＲＯＭ７４２より（１，７）変調または
（２，７）変調されたデ―タが出力される。これをＣＬ
Ｋ生成部７４３から出力されるチャネルクロック信号に
同期してパラレル／シリアル変換回路７４４によりシリ
アルデ―タに変換され、マルチプレクサ７４５に入力す
る。このことにより書込用レ―ザ―駆動電流が加算器７
４Ｄへ流れ込み、増幅器７４Ｂに流れ込み増幅されレ―
ザ―ダイオ―ド７４Ｃに出力され、レ―ザ―ダイオ―ド
から書込用パワーレベルのレ―ザ―パワ―が設定時間照
射される。すなわち、半径２９ｍｍを越える場合、図３
に示すようにライトセクタを検出して消去パワーを照射
した後、再度ライトセクタを検出しライトパルスを照射
する。

【００１７】図８は半径２９ｍｍを越える場合のタイミ
ングを示すチャートで、デ―タを書込むべきセクタを検
出後、予め消去用レ―ザ―駆動電流スイッチをＯＮし、
デ―タを消去する。その後再度記録セクタ検出後書き込
むようレ―ザ―駆動電流スイッチを書込デ―タに合わせ
てＯＮすることを示している。

【００１８】なお、消去パワーの照射後に書込パワーを
照射するが、書込パワーレベルは、消去パワ―レベルを
加算していないものに限らず、消去パワ―レベルを加算
したものでもよい。

【００１９】また、再生時はＲ／Ｗ信号７４０がＨＩＧ
Ｈとなりマルチプレクサ７４５に入力すると、再生／消
去レ―ザ―駆動電流回路切り替えスイッチ７４Ａが再生
レ―ザ―駆動電流回路７４８を選択しレ―ザ―ダイオ―
ドからは再生用レ―ザ―パワ―が照射される。

【００２０】次に、上記記録装置を用いた実験例を説明
する。上記記録装置に用いたディスク試料（情報記録媒
体）は、層構成がＰＣ基板／ＺｎＳ：ＳｉＯ₂ （１４０
ｎｍ）／ＧｅＳｂＴｅ（１５ｎｍ）／ＺｎＳ：ＳｉＯ₂
（２０ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）とし、記録条件はこ
の試料をスピンドルモ―タに固定し、線速１４ｍ／ｓで
回転させた。

【００２１】ライトセクターを検出して消去パワーを照
射して情報を消去した後、ライトセクターを検出してラ
イトパルスを照射して１５．１ＭＨｚと３．１９ＭＨｚ
の単一周波数のデ―タを交互に繰り返してオ―バ―ライ
ト記録した。この時のジッタを測定したところ、３０％
程度であり良好な結果が得られた。これに対し、消去パ
ワーとライトパルスとを重畳したパワーレベルのレーザ
を照射した場合（図２参照）、ジッタは６０％であっ
た。この結果から、高線速度となる場合、本発明方法が
有効であることがわかる。

【００２２】なお、上記実施例は、いずれも光ディスク
の回転速度を一定とした装置であるので、ヘッドの位置
と線速度とが対応しており、ヘッドの位置を検出するこ
とにより、切替え制御される。しかし、本発明はこれに
限らず、光ディスクの回転速度とヘッドの位置とから、
線速度を算出し、これによりより、切替え制御してもよ
い。

【００２３】また、線速度が遅い場合、図２に示すよう
に書込みパワーを一定としたものに限らず、図１４の
（ａ）に示すように書込みパワーを書き込み後半にＷＰ
１からＷＰ２に段階的に下げたもの（例えば、ＷＰ１の
持続時間Ｔ１＝６０ｎｓ、ΔＰ＝２ｍＷ）、あるいは
（ｂ）に示すように書込みパワーを書き込み後半にＷＰ
１からＷＰ２に段階的に下げ、さらに最終段階でパワー
ＬＰを消去レベルＢＰよりも下げたもの（例えば、ＷＰ
１の持続時間Ｔ１＝６０ｎｓ、ΔＰ＝２．５ｍＷ、ＬＰ
＝３ｍＷ、Ｔ４＝３０ｍｓ）などでもよい。

【００２４】実施例２：２ヘッドの場合（消去と書込を
別の光学ヘッドで行う） 図９は、２ヘッド記録装置を示す。２ヘッドの場合は図
６に示す記録／再生用レ―ザ―光を照射する光学系６０
とともに、スピンドルモ―タを中心にして、反対方向に
も消去用レ―ザ―光を照射する光学系１６０が存在す
る。消去用レ―ザ―光を照射する光学系１６０は、記録
／再生用レ―ザ―光を照射する光学系６０と同じように
構成されている。そして、半導体レ―ザ―１６４から出
た光はコリメ―タレンズ１６５で平行光となりビ―ムス
プリッタ１６６とλ／４波長板１６７を通って対物レン
ズ１６８により試料６１上に集光する。試料６１からの
反射光はビ―ムスプリッタ１６６で分けられ、検出レン
ズ１６９を通って受光器１０６Ａに入り検出信号とな
る。この信号は一方で対物レンズ１６８を駆動するため
の駆動コイル１０６Ｂに電流を流すサ―ボ系１０６Ｃに
も供給される。このようにして常に試料との距離を一定
に保ち、試料６１上に集光スポットを結像することがで
きる。なお、光学系６０については図６と同一番号を付
して、その説明を省略する。

【００２５】図１０は記録／再生用半導体レ―ザ―（第
二の光学ヘッド）の制御回路のブロック図である。書込
用レ―ザ―駆動電流回路８４１には予め書き込み用のレ
―ザ―パワ―レベルが設定され、その出力信号は書込用
レ―ザ―駆動電流スイッチ８４６を介して、加算器８４
７に入力している。再生用レ―ザ―駆動電流回路８４２
には予め再生用のレ―ザ―パワ―レベルが設定され、そ
の出力信号は加算器８４７に入力している。加算器８４
７は増幅器８４８を介してレ―ザ―ダイオ―ド８４９に
接続している。書込用レ―ザ―駆動電流スイッチ８４６
は、パラレル／シリアル変換回路８４４から出力される
信号によりＯＮ，ＯＦＦされる。パラレル／シリアル変
換回路８４４には、デ―タ変換ＲＯＭ８４５からの信号
及びＣＬＫ生成部からの信号が入力される。デ―タ変換
ＲＯＭ８４５にはユ―ザ―デ―タ信号８４Ａが入力され
る。また、再生用レ―ザ―駆動電流回路８４２から常時
再生レ―ザ―駆動電流は出力されている。

【００２６】図１１は、消去用半導体レ―ザ―（第一の
光学ヘッド）の制御回路を示す。消去用レ―ザ―駆動電
流回路９４１には予め消去用のレ―ザ―パワ―レベルが
設定され、その出力信号は消去用レ―ザ―駆動電流スイ
ッチ９４６を介して、加算器９４７に入力している。再
生用レ―ザ―駆動電流回路９４２には予め再生用のレ―
ザ―パワ―レベルが設定され、その出力信号は加算器９
４７に入力している。加算器９４７は増幅器９４８を介
してレ―ザ―ダイオ―ド９４９に接続している。消去用
レ―ザ―駆動電流スイッチ９４６は、書込セクタ９０５
の検出信号によりＯＮ，ＯＦＦされる。また、再生用レ
―ザ―駆動電流回路９４１から常時再生レ―ザ―駆動電
流は出力されている。

【００２７】次に、この装置を用いて情報を消去／書込
する動作を説明する。第一の光学ヘッドにより書込セク
タ９０５が検出されると消去用レ―ザ―駆動電流スイッ
チ９０６をＯＮに切り替えることにより消去用レ―ザ―
駆動電流が加算器９０３へ流れ込み再生パワ―駆動用の
電流に加算される。そして増幅器９０４に流れ込み増幅
されレ―ザ―ダイオ―ド９０７に出力され、レ―ザ―ダ
イオ―ドからレ―ザ―パワ―が設定パワ―レベルを設定
時間だけ照射する。

【００２８】次に、第二の光学ヘッドにより書込セクタ
（第一の光学ヘッドですでに検出された）が再度検出さ
れ、ユ―ザ―デ―タ信号８４Ａがデ―タ変換ＲＯＭ８４
５に入力するとデ―タ変換ＲＯＭ８４５より（１，７）
変調または（２，７）変調されたデ―タが出力される。
これをＣＬＫ生成部８４３から出力されるチャネルクロ
ック信号に同期してパラレル／シリアル変換回路８４４
によりシリアルデ―タに変換される。書込用レ―ザ―駆
動電流回路８４１には予め各出力レ―ザ―パワ―レベル
を設定しておき、パラレル／シリアル変換回路８４４に
より出力される信号に同期して書込用レ―ザ―駆動電流
スイッチ８４６をＯＮ、ＯＦＦを切り替えることにより
書込用レ―ザ―駆動電流が加算器８４７へ流れ込み再生
パワ―駆動用の電流に加算される。そして増幅器８４８
に流れ込み増幅されレ―ザ―ダイオ―ド８４９に出力さ
れ、レ―ザ―ダイオ―ドからレ―ザ―パワ―が設定パワ
―レベルを設定時間だけ照射する。

【００２９】図１２は、２ヘッドを用いたときのタイミ
ングチャートを示す。情報を書くべきセクタを検出後、
ヘッド１６０の消去レ―ザ―駆動電流スイッチをＯＮ
し、情報を消去する。そして、ヘッド６０で同セクタ検
出後情報を書込用レ―ザ―駆動電流をＯＮさせて情報を
書き込む。

【００３０】次に実際に本発明装置（２系統の光学ヘッ
ド）を用いて評価を行った。この実施例に用いた試料の
層構成はＰＣ基板／ＺｎＳ：ＳｉＯ₂ （１４０ｎｍ）／
ＧｅＳｂＴｅ（１５ｎｍ）／ＺｎＳ：ＳｉＯ₂ （２０ｎ
ｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）とし、記録条件はこの試料を
スピンドルモ―タに固定し、線速１５ｍ／ｓで回転させ
た。

【００３１】１５．１ＭＨｚと３．１９ＭＨｚの単一周
波数のデ―タを交互に繰り返してオ―バ―ライト記録し
た時のジッタを測定したところ、従来方式（消去と書き
込みを同時に行う）ではジッタは６０％が得られている
が、本発明ではデ―タを書き込む前に消去パワ―５ｍＷ
で予めデ―タを消去したところジッタは３０％程度であ
り良好な結果が得られた。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、情報記録媒体に書
き込まれている情報を新規情報に書き変える場合、記録
マ―クを消去することが可能な消去パワ―でレ―ザ―を
照射し、て予め前記情報を消去した後、記録マ―クが形
成可能な記録パワ―でレ―ザ―を照射して前記新規情報
を記録しているので、上書きデ―タのジッタが減少し、
エラ―を減少させることができる。

【００３３】この場合、１つの光学ヘッドを用いる場
合、相対線速度が所定値より遅い時に消去と書込を同時
に行い、速い時に消去後に書込を行うように制御をする
ことができる。２つの光学ヘッドを用いる場合、まず第
一のヘッドで該記録媒体に記録されているセクタの情報
を消去し、つづいて前記セクタに第二のヘッドで情報を
記録することにより上書き情報のジッタが減少し、エラ
―を減少させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】一般的な情報記録膜の概略断面図。

【図２】一般的なレ―ザ―駆動電流波形の例を示す図。

【図３】本発明の実施例１におけるオーバライト時のフ
ローチャート。

【図４】本発明の実施例における成膜装置の側面図。

【図５】本発明の実施例における成膜装置の底面図。

【図６】本発明の実施例１における１ヘッド記録装置を
示す図。

【図７】本発明の実施例１における１ヘッド記録装置の
レ―ザ―駆動電流回路のブロック図。

【図８】本発明の実施例１における１ヘッド記録装置の
記録時のタイミングの概略図。

【図９】本発明の実施例２における２ヘッド記録装置の
概略図。

【図１０】本発明の実施例２における２ヘッド記録装置
のレ―ザ―駆動電流回路の概略図。

【図１１】本発明の実施例２における２ヘッド記録装置
のレ―ザ―駆動電流回路の概略図。

【図１２】本発明の実施例２における２ヘッド記録装置
のタイミングチャート。

【図１３】本発明の実施例１における図７のＲＯＭに接
続される、パルスパターン生成及びに線速度検出に関す
る回路のブロック図。

【図１４】本発明の実施例１において、線速度が遅い場
合の他のパワーレベルの他の例を示す図で、（ａ）、
（ｂ）はそれぞれ異なる例を示す。

【符号の説明】

２…記録層、３…保護層、１５…基板、６０，１６０…
光学ヘッド、６１…試料、６２…スピンドルモ―タ、６
３…光学系、６４，１６４…半導体レ―ザ―、６５，１
６５…コリメ―タレンズ、６６，１６６…ビ―ムスプリ
ッタ光学系、６７，１６７…λ／４波長板、６８，１６
８…対物レンズ、６９，１６９…検出レンズ、６Ａ，１
０６Ａ…受光器、６Ｂ，１０６Ｂ…駆動コイル、６Ｃ，
１０６Ｃ…サ―ボ系、740 …Ｒ／Ｗ信号、741 …ユ―ザ
―デ―タ―信号、742 …デ―タ変換ＲＯＭ、743 …ＣＬ
Ｋ生成部、744 …パラレル／シリアル変換回路、745 …
マルチプレクサ、746 …書込用レ―ザ―駆動電流回路、
747 …消去用レ―ザ―駆動電流回路、748 …再生用レ―
ザ―駆動電流回路、749 …再生／消去レ―ザ―駆動電流
回路切り替えスイッチ、74A …再生／消去レ―ザ―駆動
電流回路切り替えスイッチ、74B …増幅器、74C …レ―
ザ―ダイオ―ド、74D …加算器、 750…モード切替信
号、 751…位置検出信号、 760…ＲＡＭ、 761…パルス
パターンジエネレータＡ、 762…パルスパターンジエネ
レータＢ、 763…切替スイッチ、 764…回転制御器、 7
65…スピンドルモータ、 766…線速度検出器、 767…ヘ
ッド位置検出器、

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 相変化形情報記録媒体に記録された情報
   を消去する光ビ―ムを該相変化情報記録媒体に照射する
   第一の照射手段と、 情報が消去された相変化情報記録媒体に、情報を記録す
   る光ビ―ムを照射する第二の照射手段と、 を備えたことを特徴とする情報記録装置。
2. 【請求項２】 相変化形情報記録媒体に記録された情報
   を消去する光ビ―ムを該相変化情報記録媒体に照射する
   第１の照射手段と、 情報が消去された相変化情報記録媒体に、情報を記録す
   る光ビ―ムを照射する第２の照射手段と、 相変化形情報記録媒体と情報記録用光ビームとの相対的
   な線速度を検出する手段と、 該検出手段で検出した値が所定の線速度以下の時に、第
   １の照射手段と第２の照射手段とを同期して駆動し、該
   検出手段で検出した値が所定の線速度を越えた時に、前
   記第１の照射手段を駆動した後第２の照射手段を駆動す
   る制御手段と、 を備えたことを特徴とする情報記録装置。
3. 【請求項３】 前記所定の線速度は、線速１２ｍ／秒以
   上である請求項２に記載の情報記録装置。
4. 【請求項４】 第１の照射手段は、消去パワ―３ｍＷ〜
   ６ｍＷのレ―ザ―を連続照射可能なもので、第２の照射
   手段は、１０ｍＷ以上の記録パワ―でレ―ザ―を照射可
   能なものであることを特徴とする請求項１乃至３のいず
   れか記載の情報記録装置。
5. 【請求項５】 相変化情報記録媒体に記録されている情
   報を消去するための消去ビ―ムを照射する消去用光学ヘ
   ッドと、情報を記録する記録用光ビ―ムを照射する光学
   ヘッドとの２つの光学ヘッドを同一記録媒体面上に有す
   ることを特徴とする情報記録装置。
6. 【請求項６】 同一記録媒体面上にある相変化情報記録
   媒体に記録されている情報を消去するための消去ビ―ム
   を照射し、情報を記録する記録用光ビ―ムを照射する光
   学ヘッドと、照射される光ビームと記録媒体との相対線
   速度を検出する線速度検出器と、情報記録時に相対線速
   度が所定線速度以下の場合、前記光学ヘッドから記録用
   光ビ―ムを照射させ、相対速度が所定速度を越えると、
   前記光学ヘッドから消去用光ビームと記録用光ビ―ムと
   を同期して照射させる制御装置とを備えたことを特徴と
   する情報記録装置。
7. 【請求項７】 所定線速度は、１２ｍ／秒以上である請
   求項６に記載の情報記録装置。
8. 【請求項８】 光学ヘッドの消去ビ―ムは３ｍＷ〜７ｍ
   Ｗであり、前記記録ビ―ムは１０ｍＷ〜１６ｍＷである
   ことを特徴とする請求項５又は６又は７に記載の情報記
   録装置。