JPH0944903A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JPH0944903A JPH0944903A JP7189071A JP18907195A JPH0944903A JP H0944903 A JPH0944903 A JP H0944903A JP 7189071 A JP7189071 A JP 7189071A JP 18907195 A JP18907195 A JP 18907195A JP H0944903 A JPH0944903 A JP H0944903A
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- JP
- Japan
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- protective layer
- recording
- layer
- groove portion
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 十分な再生信号を得ることができる情報記録
媒体を提供すること。 【解決手段】 基板上に形成された溝部１２と、この溝
部上に形成されこの溝部に略相似する断面形状を有する
第１の保護層１３と、この第１の保護層上に形成され光
ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から非晶質状態間で相
変化することにより情報を記録する記録層１４と、この
第１の記録層上に形成された第２の保護層１５と、この
第２の保護層上に形成された反射層とを備えた情報記録
媒体において、第１の保護層１３の膜厚を再生光を基板
上に照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質
の反射光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特
徴とする。
媒体を提供すること。 【解決手段】 基板上に形成された溝部１２と、この溝
部上に形成されこの溝部に略相似する断面形状を有する
第１の保護層１３と、この第１の保護層上に形成され光
ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から非晶質状態間で相
変化することにより情報を記録する記録層１４と、この
第１の記録層上に形成された第２の保護層１５と、この
第２の保護層上に形成された反射層とを備えた情報記録
媒体において、第１の保護層１３の膜厚を再生光を基板
上に照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質
の反射光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特
徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザービーム、電
子線ビーム等の照射により記録層に原子配列の変化にと
もなう光学的特性の変化を生じさせ、情報の記録、消去
を繰り返して行い、この光学的特性の変化を検出して情
報を記録、再生する情報記録方式の媒体として用いられ
る情報記録媒体に関する。
子線ビーム等の照射により記録層に原子配列の変化にと
もなう光学的特性の変化を生じさせ、情報の記録、消去
を繰り返して行い、この光学的特性の変化を検出して情
報を記録、再生する情報記録方式の媒体として用いられ
る情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】記録、消去が可能な情報記録媒体は、例
えば図１０に示すように、基板１上に順次記録層２と無
機誘電体からなる保護層３が積層された構造を有する。
基板１はガラスやプラスチック材料（例えばポリメチル
メタクリレート樹脂やポリカーポネート樹脂等）から成
り、記録層２，無機誘電体層３は真空蒸着、スパッタリ
ングなどの堆積方法により形成される。また、有機保護
膜４は紫外線効果樹脂などからなっている。
えば図１０に示すように、基板１上に順次記録層２と無
機誘電体からなる保護層３が積層された構造を有する。
基板１はガラスやプラスチック材料（例えばポリメチル
メタクリレート樹脂やポリカーポネート樹脂等）から成
り、記録層２，無機誘電体層３は真空蒸着、スパッタリ
ングなどの堆積方法により形成される。また、有機保護
膜４は紫外線効果樹脂などからなっている。
【０００３】このような情報記録媒体を使用して情報を
記録・消去動作について説明する。まず、情報記録媒体
に光ビームを媒体全面に照射して加熱し、記録層３を結
晶性の高い状態（原子が比較的正しく配列された状態、
以下結晶状態と呼ぶ）にする。
記録・消去動作について説明する。まず、情報記録媒体
に光ビームを媒体全面に照射して加熱し、記録層３を結
晶性の高い状態（原子が比較的正しく配列された状態、
以下結晶状態と呼ぶ）にする。
【０００４】次に、情報の書き込みのため短い強いパル
ス光を照射し記録層３を加熱急冷にする。すると、この
りパルス光が照射された記録層３は結晶性が低下した状
態（原子配列が乱れた状態、以下、非晶質という）とな
る。
ス光を照射し記録層３を加熱急冷にする。すると、この
りパルス光が照射された記録層３は結晶性が低下した状
態（原子配列が乱れた状態、以下、非晶質という）とな
る。
【０００５】ここで、結晶状態と非晶質状態では原子配
列の構造が異なることから、光学的性質（透過率、反射
率）が変化するため、情報を記録することができる。こ
のようにして、記録層３の結晶状態を非晶質とすること
により書き込まれた情報は、ついで記録部３に長い弱い
パルス光を照射し、加熱徐冷することにより消去するこ
とができる。これは記録部３が元の状態である結晶状態
に戻るためである。
列の構造が異なることから、光学的性質（透過率、反射
率）が変化するため、情報を記録することができる。こ
のようにして、記録層３の結晶状態を非晶質とすること
により書き込まれた情報は、ついで記録部３に長い弱い
パルス光を照射し、加熱徐冷することにより消去するこ
とができる。これは記録部３が元の状態である結晶状態
に戻るためである。
【０００６】また、図１１に示すような弱い連続光ビー
ムに強く短いパルスを重畳した光ビームを用いることに
より非晶質状態にある記録部３を結晶状態にすることに
より消去しながら、同時に新しい記録部３を形成するい
わゆるオーバーライトをすることができる。このことに
より、データ‘１’のところで強い（書き込み）レーザ
ーを照射し、データ‘０’のところは弱い連続（消去）
レーザーを照射することでデータ‘１’を非晶質として
記録が可能になる。
ムに強く短いパルスを重畳した光ビームを用いることに
より非晶質状態にある記録部３を結晶状態にすることに
より消去しながら、同時に新しい記録部３を形成するい
わゆるオーバーライトをすることができる。このことに
より、データ‘１’のところで強い（書き込み）レーザ
ーを照射し、データ‘０’のところは弱い連続（消去）
レーザーを照射することでデータ‘１’を非晶質として
記録が可能になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図１に相変化光情報記
録媒体の断面図を示しておく。つまり、ポリカ−ボネイ
ト（ＰＣ）基板１１の溝部１２には第１の保護層１３、
記録層１４、第２の保護層１５、反射層１６が順次形成
されている。
録媒体の断面図を示しておく。つまり、ポリカ−ボネイ
ト（ＰＣ）基板１１の溝部１２には第１の保護層１３、
記録層１４、第２の保護層１５、反射層１６が順次形成
されている。
【０００８】第１の保護１３は、記録時に記録層１４で
発生した熱のＰＣ基板１１への負荷を抑制するために設
けられている。しかし、この第１の保護層１３が厚すぎ
るとＰＣ基板１１の溝（グル−ブ）部１２の幅、つまり
グループ幅を埋めてしまい、記録層１４のグループ幅Ｌ
１がＰＣ基板１１のグループ幅Ｌ２より細くなってしま
う。このことにより、溝部１２に形成される記録マーク
が細くなり、十分な再生信号振幅が得られなくなるとい
う問題があった。
発生した熱のＰＣ基板１１への負荷を抑制するために設
けられている。しかし、この第１の保護層１３が厚すぎ
るとＰＣ基板１１の溝（グル−ブ）部１２の幅、つまり
グループ幅を埋めてしまい、記録層１４のグループ幅Ｌ
１がＰＣ基板１１のグループ幅Ｌ２より細くなってしま
う。このことにより、溝部１２に形成される記録マーク
が細くなり、十分な再生信号振幅が得られなくなるとい
う問題があった。
【０００９】図２に相変化光情報記録媒体の断面図を示
す。図２において、ポリカ−ボネイト（ＰＣ）基板１１
の溝部１２ａと１２ｂとの間の陸（ランド）部２１には
第１の保護層１３、記録層１３、第２の保護層１５、反
射層１６が順次形成されている。
す。図２において、ポリカ−ボネイト（ＰＣ）基板１１
の溝部１２ａと１２ｂとの間の陸（ランド）部２１には
第１の保護層１３、記録層１３、第２の保護層１５、反
射層１６が順次形成されている。
【００１０】通常、記録時に記録層１３で発生した熱の
ＰＣ基板１１への負荷を抑制するために第１の保護層１
３が設けられている。しかし、この第１の保護層１３が
厚すぎるとＰＣ基板１１の陸部２１の幅Ｌ１１を広くし
てしまい、反射層１６のランド幅Ｌ１２がＰＣ基板１１
のランド幅Ｌ１１より広くなる。
ＰＣ基板１１への負荷を抑制するために第１の保護層１
３が設けられている。しかし、この第１の保護層１３が
厚すぎるとＰＣ基板１１の陸部２１の幅Ｌ１１を広くし
てしまい、反射層１６のランド幅Ｌ１２がＰＣ基板１１
のランド幅Ｌ１１より広くなる。
【００１１】このことにより、記録層１３のランド部に
形成されているエンボス部の領域よりそれ以外の領域が
大きくなり位相効果によるエンボス信号振幅が得られな
くなるという問題があった。本発明は上記の点に鑑みて
なされたもので、その目的は、十分な再生信号を得るこ
とができる情報記録媒体を提供することにある。
形成されているエンボス部の領域よりそれ以外の領域が
大きくなり位相効果によるエンボス信号振幅が得られな
くなるという問題があった。本発明は上記の点に鑑みて
なされたもので、その目的は、十分な再生信号を得るこ
とができる情報記録媒体を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に係わる情報記
録媒体は、基板上に形成された溝部と、この溝部上に形
成されこの溝部に略相似する断面形状を有する第１の保
護層と、この第１の保護層上に形成され光ビ−ムの照射
量に応じて結晶状態から非晶質状態間で相変化すること
により情報を記録する記録層と、この第１の記録層上に
形成された第２の保護層と、この第２の保護層上に形成
された反射層とを備えた情報記録媒体において、上記第
１の保護層の膜厚を再生光を上記基板上に照射した時に
干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の変
化の第１周期内の厚さとすることを特徴とする。
録媒体は、基板上に形成された溝部と、この溝部上に形
成されこの溝部に略相似する断面形状を有する第１の保
護層と、この第１の保護層上に形成され光ビ−ムの照射
量に応じて結晶状態から非晶質状態間で相変化すること
により情報を記録する記録層と、この第１の記録層上に
形成された第２の保護層と、この第２の保護層上に形成
された反射層とを備えた情報記録媒体において、上記第
１の保護層の膜厚を再生光を上記基板上に照射した時に
干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の変
化の第１周期内の厚さとすることを特徴とする。
【００１３】請求項２に係わる情報記録媒体は、基板上
に列状に形成された溝部と隣接する溝部との間の陸部に
形成された第１の保護層と、この第１の保護層上に形成
され光ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から非晶質状態
間で相変化することにより情報を記録する記録層と、こ
の第１の記録層上に形成された第２の保護層と、この第
２の保護層上に形成された反射層とを備えた情報記録媒
体において、上記第１の保護層の膜厚を再生光を上記基
板上に照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶
質の反射光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを
特徴とする。
に列状に形成された溝部と隣接する溝部との間の陸部に
形成された第１の保護層と、この第１の保護層上に形成
され光ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から非晶質状態
間で相変化することにより情報を記録する記録層と、こ
の第１の記録層上に形成された第２の保護層と、この第
２の保護層上に形成された反射層とを備えた情報記録媒
体において、上記第１の保護層の膜厚を再生光を上記基
板上に照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶
質の反射光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを
特徴とする。
【００１４】請求項３に係わる情報記録媒体は、透明基
板上に形成された溝部と、この溝部上に形成されこの溝
部に略相似する断面形状を有する第１の保護層と、この
第１の保護層上に形成され記録用光ビ−ムの照射量に応
じて結晶状態から非晶質状態に相変化することにより情
報を記録する記録層と、この第１の記録層上に形成され
た第２の保護層と、この第２の保護層上に形成された反
射層とを備えた情報記録媒体において、上記第１の保護
層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に照射した時に干
渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の変化
の第１周期内の厚さとすることを特徴とする。
板上に形成された溝部と、この溝部上に形成されこの溝
部に略相似する断面形状を有する第１の保護層と、この
第１の保護層上に形成され記録用光ビ−ムの照射量に応
じて結晶状態から非晶質状態に相変化することにより情
報を記録する記録層と、この第１の記録層上に形成され
た第２の保護層と、この第２の保護層上に形成された反
射層とを備えた情報記録媒体において、上記第１の保護
層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に照射した時に干
渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の変化
の第１周期内の厚さとすることを特徴とする。
【００１５】請求項４に係わる情報記録媒体は、透明基
板上に列状に形成された溝部と隣接する溝部との間の陸
部に形成された第１の保護層と、この第１の保護層上に
形成され記録用光ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から
非晶質状態に相変化することにより情報を記録する記録
層と、この第１の記録層上に形成された第２の保護層
と、この第２の保護層上に形成された反射層とを備えた
情報記録媒体において、上記第１の保護層の膜厚を再生
レ−ザ光を上記基板上に照射した時に干渉効果によって
生じる結晶と非晶質の反射光量差の変化の第１周期内の
厚さとすることを特徴とする。
板上に列状に形成された溝部と隣接する溝部との間の陸
部に形成された第１の保護層と、この第１の保護層上に
形成され記録用光ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から
非晶質状態に相変化することにより情報を記録する記録
層と、この第１の記録層上に形成された第２の保護層
と、この第２の保護層上に形成された反射層とを備えた
情報記録媒体において、上記第１の保護層の膜厚を再生
レ−ザ光を上記基板上に照射した時に干渉効果によって
生じる結晶と非晶質の反射光量差の変化の第１周期内の
厚さとすることを特徴とする。
【００１６】請求項５に係わる情報記録媒体は、透明プ
ラスチック基板上に形成された溝部と、この溝部上に形
成されこの溝部に略相似する断面形状を有する第１の保
護層と、この第１の保護層上に形成され記録用光ビ−ム
の照射量に応じて結晶状態から非晶質状態に相変化する
ことにより情報を記録する記録層と、この第１の記録層
上に形成された第２の保護層と、この第２の保護層上に
形成された反射層とを備えた情報記録媒体において、上
記第１の保護層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に照
射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射
光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴とす
る。
ラスチック基板上に形成された溝部と、この溝部上に形
成されこの溝部に略相似する断面形状を有する第１の保
護層と、この第１の保護層上に形成され記録用光ビ−ム
の照射量に応じて結晶状態から非晶質状態に相変化する
ことにより情報を記録する記録層と、この第１の記録層
上に形成された第２の保護層と、この第２の保護層上に
形成された反射層とを備えた情報記録媒体において、上
記第１の保護層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に照
射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射
光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴とす
る。
【００１７】請求項６に係わる情報記録媒体は、透明プ
ラスチック基板上に列状に形成された溝部と隣接する溝
部との間の陸部に形成された第１の保護層と、この第１
の保護層上に形成され記録用光ビ−ムの照射量に応じて
結晶状態から非晶質状態に相変化することにより情報を
記録する記録層と、この第１の記録層上に形成された第
２の保護層と、この第２の保護層上に形成された反射層
とを備えた情報記録媒体において、上記第１の保護層の
膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に照射した時に干渉効
果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の変化の第
１周期内の厚さとすることを特徴とする。
ラスチック基板上に列状に形成された溝部と隣接する溝
部との間の陸部に形成された第１の保護層と、この第１
の保護層上に形成され記録用光ビ−ムの照射量に応じて
結晶状態から非晶質状態に相変化することにより情報を
記録する記録層と、この第１の記録層上に形成された第
２の保護層と、この第２の保護層上に形成された反射層
とを備えた情報記録媒体において、上記第１の保護層の
膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に照射した時に干渉効
果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の変化の第
１周期内の厚さとすることを特徴とする。
【００１８】請求項７に係わる情報記録媒体は、透明プ
ラスチック基板上に形成された溝部と、この溝部上に形
成されこの溝部に略相似する断面形状を有する第１のＺ
ｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2
保護層上に形成され記録用光ビ−ムの照射量に応じて結
晶状態から非晶質状態に相変化することにより情報を記
録するＧｅＳｂＴｅ記録層と、この第１の記録層上に形
成された第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第２の
ＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成されたＡＩＭＯ合金反
射層とを備えた情報記録媒体において、上記第１のＺｎ
Ｓ：ＳｉＯ2 保護層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上
に照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の
反射光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴
とする。
ラスチック基板上に形成された溝部と、この溝部上に形
成されこの溝部に略相似する断面形状を有する第１のＺ
ｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2
保護層上に形成され記録用光ビ−ムの照射量に応じて結
晶状態から非晶質状態に相変化することにより情報を記
録するＧｅＳｂＴｅ記録層と、この第１の記録層上に形
成された第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第２の
ＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成されたＡＩＭＯ合金反
射層とを備えた情報記録媒体において、上記第１のＺｎ
Ｓ：ＳｉＯ2 保護層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上
に照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の
反射光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴
とする。
【００１９】請求項８に係わる情報記録媒体は、透明プ
ラスチック基板上に列状に形成された溝部と隣接する溝
部との間の陸部に形成された第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保
護層と、この第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成さ
れ記録用光ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から非晶質
状態に相変化することにより情報を記録するＧｅＳｂＴ
ｅ記録層と、この第１のＧｅＳｂＴｅ記録層上に形成さ
れた第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第２のＺｎ
Ｓ：ＳｉＯ2 保護層上に形成されたＡＩＭＯ合金反射層
とを備えた情報記録媒体において、上記第１のＺｎＳ：
ＳｉＯ2 保護層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に照
射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射
光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴とす
る。
ラスチック基板上に列状に形成された溝部と隣接する溝
部との間の陸部に形成された第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保
護層と、この第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成さ
れ記録用光ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から非晶質
状態に相変化することにより情報を記録するＧｅＳｂＴ
ｅ記録層と、この第１のＧｅＳｂＴｅ記録層上に形成さ
れた第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第２のＺｎ
Ｓ：ＳｉＯ2 保護層上に形成されたＡＩＭＯ合金反射層
とを備えた情報記録媒体において、上記第１のＺｎＳ：
ＳｉＯ2 保護層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に照
射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射
光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴とす
る。
【００２０】請求項９に係わる情報記録媒体は、ポリカ
−ボネ−ト樹脂基板上に形成された溝部と、この溝部上
に形成されこの溝部に略相似する断面形状を有する第１
のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第１のＺｎＳ：Ｓｉ
Ｏ2 保護層上に形成され記録用光ビ−ムの照射量に応じ
て結晶状態から非晶質状態に相変化することにより情報
を記録するＧｅＳｂＴｅ記録層と、この第１の記録層上
に形成された第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第
２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成されたＡＩＭＯ合
金反射層とを備えた情報記録媒体において、上記第１の
ＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層の膜厚を再生レ−ザ光の波長を
５００〜８３０ｎｍとした場合に上記基板上に照射した
時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差
の変化の第１周期内の厚さである０．０９〜０．１９μ
ｍとすることを特徴とする。
−ボネ−ト樹脂基板上に形成された溝部と、この溝部上
に形成されこの溝部に略相似する断面形状を有する第１
のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第１のＺｎＳ：Ｓｉ
Ｏ2 保護層上に形成され記録用光ビ−ムの照射量に応じ
て結晶状態から非晶質状態に相変化することにより情報
を記録するＧｅＳｂＴｅ記録層と、この第１の記録層上
に形成された第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第
２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成されたＡＩＭＯ合
金反射層とを備えた情報記録媒体において、上記第１の
ＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層の膜厚を再生レ−ザ光の波長を
５００〜８３０ｎｍとした場合に上記基板上に照射した
時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差
の変化の第１周期内の厚さである０．０９〜０．１９μ
ｍとすることを特徴とする。
【００２１】請求項１０に係わる情報記録媒体は、ポリ
カ−ボネ−ト樹脂基板上に列状に形成された溝部と隣接
する溝部との間の陸部に形成された第１のＺｎＳ：Ｓｉ
Ｏ2保護層と、この第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に
形成され記録用光ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から
非晶質状態に相変化することにより情報を記録するＧｅ
ＳｂＴｅ記録層と、この第１のＧｅＳｂＴｅ記録層上に
形成された第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第２
のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成されたＡＩＭＯ合金
反射層とを備えた情報記録媒体において、上記第１のＺ
ｎＳ：ＳｉＯ2保護層の膜厚を再生レ−ザ光の波長を５
００〜８３０ｎｍとした場合に上記基板上に照射した時
に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の
変化の第１周期内の厚さである０．０９〜０．１９μｍ
とすることを特徴とする。
カ−ボネ−ト樹脂基板上に列状に形成された溝部と隣接
する溝部との間の陸部に形成された第１のＺｎＳ：Ｓｉ
Ｏ2保護層と、この第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に
形成され記録用光ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から
非晶質状態に相変化することにより情報を記録するＧｅ
ＳｂＴｅ記録層と、この第１のＧｅＳｂＴｅ記録層上に
形成された第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第２
のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成されたＡＩＭＯ合金
反射層とを備えた情報記録媒体において、上記第１のＺ
ｎＳ：ＳｉＯ2保護層の膜厚を再生レ−ザ光の波長を５
００〜８３０ｎｍとした場合に上記基板上に照射した時
に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の
変化の第１周期内の厚さである０．０９〜０．１９μｍ
とすることを特徴とする。
【００２２】請求項１，３，５，７，９によれば、透明
基板上に記録用光ビームの照射により原子配列の変化を
生じさせ、情報の記録、消去、重ね書きする相変化光情
報記録媒体を用いて、記録マークをＰＣ基板上に設けた
溝部に記録するグループ記録において、ＰＣ基板と記録
層の間の保護層の膜厚を再生レーザー光照射時における
干渉効果によって生じる反射光量変化の第１周期内の膜
厚とすることで十分に大きな再生信号の振幅を得られる
ようにしている。
基板上に記録用光ビームの照射により原子配列の変化を
生じさせ、情報の記録、消去、重ね書きする相変化光情
報記録媒体を用いて、記録マークをＰＣ基板上に設けた
溝部に記録するグループ記録において、ＰＣ基板と記録
層の間の保護層の膜厚を再生レーザー光照射時における
干渉効果によって生じる反射光量変化の第１周期内の膜
厚とすることで十分に大きな再生信号の振幅を得られる
ようにしている。
【００２３】請求項２，４，６，８，１０によれば、透
明基板上に記録用光ビームの照射により原子配列の変化
を生じさせ、情報の記録、消去、重ね書きする相変化光
情報記録媒体を用いて、記録マークをＰＣ基板上に設け
た溝のランド部に記録するランド記録においてＰＣ基板
と記録層の間の保護層の膜厚を再生レーザー光照射時に
おける干渉効果によって生じる反射光量変化の第１周期
内の膜厚とすることにより、十分に大きなエンボス再生
信号の振幅が得らようにしている。
明基板上に記録用光ビームの照射により原子配列の変化
を生じさせ、情報の記録、消去、重ね書きする相変化光
情報記録媒体を用いて、記録マークをＰＣ基板上に設け
た溝のランド部に記録するランド記録においてＰＣ基板
と記録層の間の保護層の膜厚を再生レーザー光照射時に
おける干渉効果によって生じる反射光量変化の第１周期
内の膜厚とすることにより、十分に大きなエンボス再生
信号の振幅が得らようにしている。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態について説明する。本願発明の情報記憶媒体の構
成は第１の保護層の膜厚が後述するように特定の範囲内
にあること以外については従来の構造と同じである。
の形態について説明する。本願発明の情報記憶媒体の構
成は第１の保護層の膜厚が後述するように特定の範囲内
にあること以外については従来の構造と同じである。
【００２５】図１において、相変化光情報記録媒体の断
面図を示しておく。つまり、ポリカ−ボネイト（ＰＣ）
基板１１の溝部１２には第１の保護層１３、記録層１
４、第２の保護層１５、反射層１６が順次形成されてい
る。
面図を示しておく。つまり、ポリカ−ボネイト（ＰＣ）
基板１１の溝部１２には第１の保護層１３、記録層１
４、第２の保護層１５、反射層１６が順次形成されてい
る。
【００２６】第１の保護層１３は、記録時に記録層１４
で発生した熱のＰＣ基板１１への負荷を抑制するために
設けられている。ここで、第１の保護層１３の膜厚は、
後述するように再生光を上記基板１１上に照射した時に
干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の変
化の第１周期内の厚さにしている。
で発生した熱のＰＣ基板１１への負荷を抑制するために
設けられている。ここで、第１の保護層１３の膜厚は、
後述するように再生光を上記基板１１上に照射した時に
干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の変
化の第１周期内の厚さにしている。
【００２７】次に、図３を参照して第２の保護層１５を
ＺｎＳ：ＳｉＯ2 が２０ｎｍの厚さ、記録層１４はＧｅ
ＳｂＴｅが２０ｎｍの厚さ、反射層１６はＡＩＭＯ合金
が２００ｎｍとし、ＰＣ基板１１と記録層１４との間に
形成されたＺｎＳ：ＳｉＯ2よりなる第１の保護層１３
の厚さを変化させた場合に、記録層１４を非晶質（アモ
ルファス）あるいは結晶状態とした場合の光の反射率の
変化について説明する。図５において、横軸は第１の保
護層１３の膜厚（μｍ）、縦軸に基板側の反射率（％）
を意味し、曲線Ａは記録層１４が結晶状態での反射率曲
線を、曲線Ｂは記録層１４が非晶質（アモルファス）状
態での反射率曲線を示し、曲線Ｃは曲線Ａ−曲線Ｂの曲
線を示す。ここで、用いたレーザー光の波長は６８０nm
とし、計算にはＰＣ基板１１のグループ形状は含まれて
いない。
ＺｎＳ：ＳｉＯ2 が２０ｎｍの厚さ、記録層１４はＧｅ
ＳｂＴｅが２０ｎｍの厚さ、反射層１６はＡＩＭＯ合金
が２００ｎｍとし、ＰＣ基板１１と記録層１４との間に
形成されたＺｎＳ：ＳｉＯ2よりなる第１の保護層１３
の厚さを変化させた場合に、記録層１４を非晶質（アモ
ルファス）あるいは結晶状態とした場合の光の反射率の
変化について説明する。図５において、横軸は第１の保
護層１３の膜厚（μｍ）、縦軸に基板側の反射率（％）
を意味し、曲線Ａは記録層１４が結晶状態での反射率曲
線を、曲線Ｂは記録層１４が非晶質（アモルファス）状
態での反射率曲線を示し、曲線Ｃは曲線Ａ−曲線Ｂの曲
線を示す。ここで、用いたレーザー光の波長は６８０nm
とし、計算にはＰＣ基板１１のグループ形状は含まれて
いない。
【００２８】この図に示すように再生光量で最大信号振
幅が得られるのは膜厚が１５０nm，３２０nm，４９０nm
となるが、３２０nm，４９０nmとするとグループ幅が狭
くなり、信号振幅が得られない。
幅が得られるのは膜厚が１５０nm，３２０nm，４９０nm
となるが、３２０nm，４９０nmとするとグループ幅が狭
くなり、信号振幅が得られない。
【００２９】そのため透明基板１１上に記録用光ビーム
の照射により原子配列の変化を生じさせ、情報の記録、
消去、重ね書きする相変化光情報記録媒体を用いて、記
録マークをＰＣ基板１１上に設けた溝のグループ部に記
録するグループ記録においてＰＣ基板１１と記録層１３
の間の第１の保護層１４の膜厚を再生レーザー光照射時
における干渉効果によって生じる反射光量変化の第１周
期である１５０nmの膜厚とすれば良いことが判明した。
の照射により原子配列の変化を生じさせ、情報の記録、
消去、重ね書きする相変化光情報記録媒体を用いて、記
録マークをＰＣ基板１１上に設けた溝のグループ部に記
録するグループ記録においてＰＣ基板１１と記録層１３
の間の第１の保護層１４の膜厚を再生レーザー光照射時
における干渉効果によって生じる反射光量変化の第１周
期である１５０nmの膜厚とすれば良いことが判明した。
【００３０】例えば、レ−ザ波長が830 nmに対して第１
の保護層１４の膜厚が0.19μｍ、レ−ザ波長が780 nmに
対して第１の保護層１４の膜厚が0.17μｍ、レ−ザ波長
が680 nmに対して第１の保護層１４の膜厚が0.14μｍ、
レ−ザ波長が600 nmに対して第１の保護層１４の膜厚が
0.12μｍ、レ−ザ波長が500 nmに対して第１の保護層１
４の膜厚が0.09μｍが最適な関係である。
の保護層１４の膜厚が0.19μｍ、レ−ザ波長が780 nmに
対して第１の保護層１４の膜厚が0.17μｍ、レ−ザ波長
が680 nmに対して第１の保護層１４の膜厚が0.14μｍ、
レ−ザ波長が600 nmに対して第１の保護層１４の膜厚が
0.12μｍ、レ−ザ波長が500 nmに対して第１の保護層１
４の膜厚が0.09μｍが最適な関係である。
【００３１】また、同様に透明基板上に記録用光ビーム
の照射により原子配列の変化を生じさせ、情報の記録、
消去、重ね書きする図２に示すような断面構造を有する
相変化光情報記録媒体を用いて、記録マークをＰＣ基板
２１上に設けた溝のランド部２１に記録するランド記録
においてＰＣ基板１１と記録層１４の間の第１の保護層
１４の膜厚が記録再生レーザー光の波長の第１周期内の
膜厚とすることにより、十分な信号振幅を得ることがで
きる。
の照射により原子配列の変化を生じさせ、情報の記録、
消去、重ね書きする図２に示すような断面構造を有する
相変化光情報記録媒体を用いて、記録マークをＰＣ基板
２１上に設けた溝のランド部２１に記録するランド記録
においてＰＣ基板１１と記録層１４の間の第１の保護層
１４の膜厚が記録再生レーザー光の波長の第１周期内の
膜厚とすることにより、十分な信号振幅を得ることがで
きる。
【００３２】次に、図４及び図５を参照して情報記録媒
体を成膜する成膜装置について説明する。図４は成膜装
置の側面図、図５はその上面図である。図４及び図５に
おいて、２１は真空容器である。この真空容器２１の底
壁にはガス排気ポート２２が接続されている。このガス
排気ポート２２は排気装置２３に接続されている。この
排出ボード２３を介して真空容器２１内を排気するよう
になっている。
体を成膜する成膜装置について説明する。図４は成膜装
置の側面図、図５はその上面図である。図４及び図５に
おいて、２１は真空容器である。この真空容器２１の底
壁にはガス排気ポート２２が接続されている。このガス
排気ポート２２は排気装置２３に接続されている。この
排出ボード２３を介して真空容器２１内を排気するよう
になっている。
【００３３】真空容器２１の上部には、支持装置２４が
設けられている。この支持装置２４は成膜中に図示しな
いモ−タにより支持装置の軸を中心に回転駆動される。
この支持装置２４には円盤上の基板２５がその面を水平
にして支架されている。
設けられている。この支持装置２４は成膜中に図示しな
いモ−タにより支持装置の軸を中心に回転駆動される。
この支持装置２４には円盤上の基板２５がその面を水平
にして支架されている。
【００３４】また、真空容器２１内の底部近傍には基板
２５に対向するように、所定元素で形成されたスパッタ
源２６、２７、２８、２９が配設されている。これら各
スパッタ源２６〜２９には、図示しない高周波電源が接
続されている。
２５に対向するように、所定元素で形成されたスパッタ
源２６、２７、２８、２９が配設されている。これら各
スパッタ源２６〜２９には、図示しない高周波電源が接
続されている。
【００３５】また、３０はスパッタガスとしてＡｒガス
を溜めているガス蓄積装置である。このガス蓄積装置３
０から真空容器２１の底壁にはガス導入ポート３１が接
続されている。
を溜めているガス蓄積装置である。このガス蓄積装置３
０から真空容器２１の底壁にはガス導入ポート３１が接
続されている。
【００３６】各スパッタ源２６〜２９の上方にはモニタ
装置３２〜３５がそれぞれ設けられており、各スパッタ
源２６〜２９からの元素のスパッタ量をモニタするよう
になっている。このモニタ装置３２〜３５でモニタされ
たスパッタ量が所定の比となるように各スパッタ源に投
入する電力が調整されるようになっている。
装置３２〜３５がそれぞれ設けられており、各スパッタ
源２６〜２９からの元素のスパッタ量をモニタするよう
になっている。このモニタ装置３２〜３５でモニタされ
たスパッタ量が所定の比となるように各スパッタ源に投
入する電力が調整されるようになっている。
【００３７】このように構成された成膜装置の成膜処理
について説明する。まず、排気装置２３を駆動して、真
空容器２１内を空気をガス排気ポ−ト２２より排気し、
真空容器２１内を、例えば数１ｔｏｒｒ台の真空度まで
排気する。
について説明する。まず、排気装置２３を駆動して、真
空容器２１内を空気をガス排気ポ−ト２２より排気し、
真空容器２１内を、例えば数１ｔｏｒｒ台の真空度まで
排気する。
【００３８】
【数１】
【００３９】次いで、ガス蓄積装置３０からガス導入ポ
ート３１を介してＡｒガスを真空容器２１内に導入し、
排気装置２３の排気量を調節して真空容器２１内を所定
の減圧下に保持する。
ート３１を介してＡｒガスを真空容器２１内に導入し、
排気装置２３の排気量を調節して真空容器２１内を所定
の減圧下に保持する。
【００４０】そして、支持装置２４を駆動して基板２２
を回転させつつスパッタ源２６〜２９に所定時間電力を
印加する。これにより、基板２５にこの実施例の組成の
記録層１４が形成される。
を回転させつつスパッタ源２６〜２９に所定時間電力を
印加する。これにより、基板２５にこの実施例の組成の
記録層１４が形成される。
【００４１】次に、実際のディスクの成膜工程を説明す
る。真空容器内にGeSbTe、ZnS:Si02混合物及びＡｌ合金
のスパッタ源を設け、容器内を８×数２ｔｏｒｒまで排
気した。次に、Ａｒガスを導入して４×１０数３ｔｏｒ
ｒに全体の気圧を調整した。
る。真空容器内にGeSbTe、ZnS:Si02混合物及びＡｌ合金
のスパッタ源を設け、容器内を８×数２ｔｏｒｒまで排
気した。次に、Ａｒガスを導入して４×１０数３ｔｏｒ
ｒに全体の気圧を調整した。
【００４２】
【数２】
【００４３】
【数３】
【００４４】次に、十分に洗浄した外径９０mm、板厚
０．６mmの円板状ポリカーボネート基板を用い、この基
板を５０rpm で回転しつつモニタ装置３２〜３５により
各元素のスパッタ量をモニタして、各スパッタ源２６〜
２９に投入する電力をコントロールする。
０．６mmの円板状ポリカーボネート基板を用い、この基
板を５０rpm で回転しつつモニタ装置３２〜３５により
各元素のスパッタ量をモニタして、各スパッタ源２６〜
２９に投入する電力をコントロールする。
【００４５】最初に基板２５に対してZnS:Si02、GeSbT
e、ZnS:Si02、金属反射層Ａｌ合金等を層構成に合わせ
て堆積させる。さらにこの記録層１３上に保護膜２して
紫外線硬化樹脂を１０umスピンコータによりオーバーコ
ートをし、紫外線を照射して硬化させ情報記録媒体を形
成した。
e、ZnS:Si02、金属反射層Ａｌ合金等を層構成に合わせ
て堆積させる。さらにこの記録層１３上に保護膜２して
紫外線硬化樹脂を１０umスピンコータによりオーバーコ
ートをし、紫外線を照射して硬化させ情報記録媒体を形
成した。
【００４６】次に、以上のようにして作成した情報記録
媒体に情報を記録する記録装置について図６を参照して
説明する。情報記録媒体（例えば相変化形光ディスク）
４１はスピンドルモータ４２に固定され、所定の回転数
で回転される。
媒体に情報を記録する記録装置について図６を参照して
説明する。情報記録媒体（例えば相変化形光ディスク）
４１はスピンドルモータ４２に固定され、所定の回転数
で回転される。
【００４７】情報記録媒体４１上にレーザー光を集光さ
せるための光学系４３が配置されている。半導体レーザ
ー駆動回路４４から出力された光はコリメータレンズ４
５で平行光となりビームスプリッタ４６とλ／４波長板
４７を通って対物レンズ４８により情報記録媒体４１上
に集光する。
せるための光学系４３が配置されている。半導体レーザ
ー駆動回路４４から出力された光はコリメータレンズ４
５で平行光となりビームスプリッタ４６とλ／４波長板
４７を通って対物レンズ４８により情報記録媒体４１上
に集光する。
【００４８】情報記録媒体４１からの反射光はビームス
プリッタ４６で分けられ、検出レンズ４９を通って受光
器５０に受光され検出信号とされる。この検出信号は一
方で対物レンズ４８を駆動するための駆動コイル４８Ｌ
に電流を流すサーボ系５１にも供給される。このサ−ボ
系５１により、常に対物レンズ４８と情報記録媒体４１
との距離を一定に保ち、情報記録媒体４１上に集光スポ
ットを結像することができる。
プリッタ４６で分けられ、検出レンズ４９を通って受光
器５０に受光され検出信号とされる。この検出信号は一
方で対物レンズ４８を駆動するための駆動コイル４８Ｌ
に電流を流すサーボ系５１にも供給される。このサ−ボ
系５１により、常に対物レンズ４８と情報記録媒体４１
との距離を一定に保ち、情報記録媒体４１上に集光スポ
ットを結像することができる。
【００４９】次に、図７を参照して半導体レーザー駆動
回路４４の一例について説明する。情報記録媒体４１で
ある相変化光ディスクは前述したように記録パワー、消
去パワー及び再生パワーの３段階の光変調を必要とす
る。つまり、６１は記録時のパワ−レベルを出力するた
めのレ−ザ駆動電流回路、６２は再生時のパワ−レベル
を出力するためのレ−ザ駆動電流回路、６３は消去時の
パワ−レベルを出力するためのレ−ザ駆動電流回路であ
る。６４はレ−ザ駆動電流回路６１から出力される記録
時のパワ−レベルはスイッチＳ１を介して加算器６４の
一方の入力端に入力される。また、レ−ザ駆動電流回路
６２から出力される再生時のパワ−レベル及びレ−ザ駆
動電流回路６３から出力される消去時のパワ−レベルは
切り替えスイッチＳ２により選択されて加算器６４に出
力される。
回路４４の一例について説明する。情報記録媒体４１で
ある相変化光ディスクは前述したように記録パワー、消
去パワー及び再生パワーの３段階の光変調を必要とす
る。つまり、６１は記録時のパワ−レベルを出力するた
めのレ−ザ駆動電流回路、６２は再生時のパワ−レベル
を出力するためのレ−ザ駆動電流回路、６３は消去時の
パワ−レベルを出力するためのレ−ザ駆動電流回路であ
る。６４はレ−ザ駆動電流回路６１から出力される記録
時のパワ−レベルはスイッチＳ１を介して加算器６４の
一方の入力端に入力される。また、レ−ザ駆動電流回路
６２から出力される再生時のパワ−レベル及びレ−ザ駆
動電流回路６３から出力される消去時のパワ−レベルは
切り替えスイッチＳ２により選択されて加算器６４に出
力される。
【００５０】加算器６４で加算されたパワ−レベルは増
幅器６５で増幅された後にレ−ザダイオ−ド６６に供給
される。スイッチＳ１，Ｓ２の切り替えはマルチプレク
サ６７により行われる。
幅器６５で増幅された後にレ−ザダイオ−ド６６に供給
される。スイッチＳ１，Ｓ２の切り替えはマルチプレク
サ６７により行われる。
【００５１】マルチプレクサ６７には図示しないホスト
装置からの読み出し書き込み信号Ｒ／Ｗが入力される。
さらに、図示しないホスト装置から出力される転送され
たデ−タは、変調用ＲＯＭ６８により周知のいわゆる
（１−７）変調または（２−７）変調等のデ−タに変調
され、これをクロック生成部６９から出力されるチャネ
ルクロックに同期させて、パラレル・シリアル変換器７
０により、シリアルデ−タに変換される。このシリアル
デ−タはマルチプレクサ６７に出力される。
装置からの読み出し書き込み信号Ｒ／Ｗが入力される。
さらに、図示しないホスト装置から出力される転送され
たデ−タは、変調用ＲＯＭ６８により周知のいわゆる
（１−７）変調または（２−７）変調等のデ−タに変調
され、これをクロック生成部６９から出力されるチャネ
ルクロックに同期させて、パラレル・シリアル変換器７
０により、シリアルデ−タに変換される。このシリアル
デ−タはマルチプレクサ６７に出力される。
【００５２】以上のように構成した装置の書き込み及び
消去時の処理について説明する。この場合には、Ｒ／Ｗ
信号がＬＯＷとなってマルチプレクサ６７に出力され
る。この結果、マルチプレクサ６７はスイッチＳ２をレ
−ザ駆動電流回路６３の方に切り替える。また同時に、
ホスト装置から出力される転送されたデ−タは、変調用
ＲＯＭ６８を介して（１−７）変調または（２−７）変
調等のデ−タに変調され、これをクロック生成部６９か
ら出力されるチャネルクロックに同期させて、パラレル
・シリアル変換器７０により、シリアルデ−タに変換さ
れ、そのシリアルデ−タはマルチプレクサ６７に出力さ
れる。
消去時の処理について説明する。この場合には、Ｒ／Ｗ
信号がＬＯＷとなってマルチプレクサ６７に出力され
る。この結果、マルチプレクサ６７はスイッチＳ２をレ
−ザ駆動電流回路６３の方に切り替える。また同時に、
ホスト装置から出力される転送されたデ−タは、変調用
ＲＯＭ６８を介して（１−７）変調または（２−７）変
調等のデ−タに変調され、これをクロック生成部６９か
ら出力されるチャネルクロックに同期させて、パラレル
・シリアル変換器７０により、シリアルデ−タに変換さ
れ、そのシリアルデ−タはマルチプレクサ６７に出力さ
れる。
【００５３】そして、書き込み用レーザー駆動電流回路
６１、消去用レーザー駆動回路６３には予め各出力レー
ザーパワーレベルを設定しておき、マルチプレクサ６７
により出力される信号に同期してスイッチＳ１をオン、
オフを切り替えることにより書き込み用レーザー駆動電
流が加算器６４へ流れ込み、スイッチＳ２を介してレ−
ザ駆動回路６３から流量する消去パワー駆動用の電流に
加算される。
６１、消去用レーザー駆動回路６３には予め各出力レー
ザーパワーレベルを設定しておき、マルチプレクサ６７
により出力される信号に同期してスイッチＳ１をオン、
オフを切り替えることにより書き込み用レーザー駆動電
流が加算器６４へ流れ込み、スイッチＳ２を介してレ−
ザ駆動回路６３から流量する消去パワー駆動用の電流に
加算される。
【００５４】そして、その加算された駆動電流は増幅器
６５により増幅され、レーザーダイオード６６に出力さ
れる。この結果、レーザーダイオード６６は設定パワー
レベルのレ−ザパワ−を設定時間だけ照射する。
６５により増幅され、レーザーダイオード６６に出力さ
れる。この結果、レーザーダイオード６６は設定パワー
レベルのレ−ザパワ−を設定時間だけ照射する。
【００５５】再生時はＲ／Ｗ信号がＨＩＧＨとなってマ
ルチプレクサ６７に入力される。この結果、マルチプレ
クサ６７はスイッチＳ２を再生用レ−ザ駆動電流回路６
２側に接続される。この結果、再生用レ−ザ駆動電流回
路の６２から出力される再生用の駆動電流は増幅器６５
で増幅された後、レ−ザダイオ−ド６６に出力される。
この結果、レーザーダイオード６６から情報記録媒体４
１である相変化光ディスクに再生用レーザーパワーが照
射される。
ルチプレクサ６７に入力される。この結果、マルチプレ
クサ６７はスイッチＳ２を再生用レ−ザ駆動電流回路６
２側に接続される。この結果、再生用レ−ザ駆動電流回
路の６２から出力される再生用の駆動電流は増幅器６５
で増幅された後、レ−ザダイオ−ド６６に出力される。
この結果、レーザーダイオード６６から情報記録媒体４
１である相変化光ディスクに再生用レーザーパワーが照
射される。
【００５６】次に、同一条件下で作成した２つのサンプ
ルで従来の記録方式と今回の記録方式で記録特性を評価
した。なお、相変化光ディスクの膜構成はPC/ZnS:Si02/
GeSbTe(20nm)/ZnS:Si02(20nm)/AlM0合金(200nm) であ
り、ＰＣ基板１１と記録層１４の間の第１の保護層１３
のZnS:Si02の膜厚を第１周期である１５０nm、第２周期
である２９０nmと第３周期である４９０nmの３種類を作
成した。この試料をスピンドルモータ４２に固定し、線
速７．５m/s で回転させた。この状態で記録パルス幅３
０nsec、記録パワー１３mW、消去パワー６mW、書き込み
周波数５．２３MHz の条件で記録した時の再生信号振幅
を第１の保護層１３の膜厚を変えて評価した。
ルで従来の記録方式と今回の記録方式で記録特性を評価
した。なお、相変化光ディスクの膜構成はPC/ZnS:Si02/
GeSbTe(20nm)/ZnS:Si02(20nm)/AlM0合金(200nm) であ
り、ＰＣ基板１１と記録層１４の間の第１の保護層１３
のZnS:Si02の膜厚を第１周期である１５０nm、第２周期
である２９０nmと第３周期である４９０nmの３種類を作
成した。この試料をスピンドルモータ４２に固定し、線
速７．５m/s で回転させた。この状態で記録パルス幅３
０nsec、記録パワー１３mW、消去パワー６mW、書き込み
周波数５．２３MHz の条件で記録した時の再生信号振幅
を第１の保護層１３の膜厚を変えて評価した。
【００５７】この結果を図８に結果を示す。横軸は膜
厚、縦軸は第１周期の時の出力を１００％とした時の相
対値である。結果は第１周期が１００％とした場合、第
２周期では８５％、第３周期では７３％となった。
厚、縦軸は第１周期の時の出力を１００％とした時の相
対値である。結果は第１周期が１００％とした場合、第
２周期では８５％、第３周期では７３％となった。
【００５８】このように、再生信号の振幅は第１の保護
層１３の膜厚が再生光を上記基板上に照射した時に干渉
効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の変化の
第１周期内に設定することにより、上げることができ
る。
層１３の膜厚が再生光を上記基板上に照射した時に干渉
効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量差の変化の
第１周期内に設定することにより、上げることができ
る。
【００５９】また、同一条件下で作成した２つのサンプ
ルで従来の記録方式と今回の記録方式で記録特性を評価
した。用いた相変化光ディスクの膜構成はPC/ZnS:Si02/
GeSbTe(20nm)/ZnS:Si02(20nm)/AlM0合金(200nm) で、Ｐ
Ｃ基板と記録層の間の保護層１のZnS:Si02の膜厚を第１
周期である１５０nm、第２周期である２９０nmと第３周
期である４９０nmの３種類を作成した。この試料をスピ
ンドルモータ４２に固定し、線速７．５m/s で回転させ
た。この状態でエンボス信号の再生時の再生信号振幅を
第１の保護層１３の膜厚を変えて評価した。
ルで従来の記録方式と今回の記録方式で記録特性を評価
した。用いた相変化光ディスクの膜構成はPC/ZnS:Si02/
GeSbTe(20nm)/ZnS:Si02(20nm)/AlM0合金(200nm) で、Ｐ
Ｃ基板と記録層の間の保護層１のZnS:Si02の膜厚を第１
周期である１５０nm、第２周期である２９０nmと第３周
期である４９０nmの３種類を作成した。この試料をスピ
ンドルモータ４２に固定し、線速７．５m/s で回転させ
た。この状態でエンボス信号の再生時の再生信号振幅を
第１の保護層１３の膜厚を変えて評価した。
【００６０】図９にその結果を示す。横軸は膜厚、縦軸
は第１周期の時の出力を１００％とした時の相対値であ
る。結果は第１周期が１００％とした場合、第２周期で
は７５％、第３周期では５６％となった。
は第１周期の時の出力を１００％とした時の相対値であ
る。結果は第１周期が１００％とした場合、第２周期で
は７５％、第３周期では５６％となった。
【００６１】このように、エンボス信号の再生信号の振
幅は第１の保護層１３の膜厚が再生光を上記基板上に照
射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射
光量差の変化の第１周期内に設定することにより、上げ
ることができる。
幅は第１の保護層１３の膜厚が再生光を上記基板上に照
射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射
光量差の変化の第１周期内に設定することにより、上げ
ることができる。
【００６２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、透
明基板上に記録用光ビームの照射により原子配列の変化
を生じさせ、情報の記録、消去、重ね書きする相変化光
情報記録媒体を用いて、記録マークをＰＣ基板上に設け
た溝のグループ部に記録するグループ記録においてＰＣ
基板と記録層の間の保護層の膜厚を再生レーザー光照射
時における干渉効果によって生じる反射光量変化の第１
周期内の膜厚とすることにより、で十分に大きな再生信
号振幅が得ることができる。
明基板上に記録用光ビームの照射により原子配列の変化
を生じさせ、情報の記録、消去、重ね書きする相変化光
情報記録媒体を用いて、記録マークをＰＣ基板上に設け
た溝のグループ部に記録するグループ記録においてＰＣ
基板と記録層の間の保護層の膜厚を再生レーザー光照射
時における干渉効果によって生じる反射光量変化の第１
周期内の膜厚とすることにより、で十分に大きな再生信
号振幅が得ることができる。
【００６３】さらに、本発明によれば、透明基板上に記
録用光ビームの照射により原子配列の変化を生じさせ、
情報の記録、消去、重ね書きする相変化光情報記録媒体
を用いて、記録マークをＰＣ基板上に設けた溝のランド
部に記録するランド記録においてＰＣ基板と記録層の間
の保護層の膜厚を再生レーザー光照射時における干渉効
果によって生じる反射光量変化の第１周期内の膜厚とす
ることにより十分に大きなエンボス再生信号振幅が得る
ことができる。
録用光ビームの照射により原子配列の変化を生じさせ、
情報の記録、消去、重ね書きする相変化光情報記録媒体
を用いて、記録マークをＰＣ基板上に設けた溝のランド
部に記録するランド記録においてＰＣ基板と記録層の間
の保護層の膜厚を再生レーザー光照射時における干渉効
果によって生じる反射光量変化の第１周期内の膜厚とす
ることにより十分に大きなエンボス再生信号振幅が得る
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる情報記録媒
体の断面図。
体の断面図。
【図２】同情報記録媒体の断面図。
【図３】第１の保護層の膜厚に対する反射光量の変化を
示す図。
示す図。
【図４】同情報記録媒体の成膜処理を行う成膜装置の側
面図。
面図。
【図５】同情報記録媒体を製造する成膜装置の上面図。
【図６】同情報記録媒体に情報を記録する記録装置を示
す図。
す図。
【図７】同記録装置のレーザ駆動系を示すブロック図。
【図８】従来と本発明の記録再生信号振幅の比較を示す
図。
図。
【図９】従来方式と本方式のエンボス再生信号振幅の比
較を示す図。
較を示す図。
【図１０】従来例の情報記録膜の断面図。
【図１１】レーザー駆動電流波形の一般例。
１１…ＰＣ基板、１２…溝部、１３…第２の保護膜、１
４…記録層、１５…第２の保護膜、１６…反射層。
４…記録層、１５…第２の保護膜、１６…反射層。
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に形成された溝部と、この溝部上
に形成されこの溝部に略相似する断面形状を有する第１
の保護層と、この第１の保護層上に形成され光ビ−ムの
照射量に応じて結晶状態から非晶質状態間で相変化する
ことにより情報を記録する記録層と、この第１の記録層
上に形成された第２の保護層と、この第２の保護層上に
形成された反射層とを備えた情報記録媒体において、 上記第１の保護層の膜厚を再生光を上記基板上に照射し
た時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量
差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴とする情
報記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に列状に形成された溝部と隣接す
る溝部との間の陸部に形成された第１の保護層と、この
第１の保護層上に形成され光ビ−ムの照射量に応じて結
晶状態から非晶質状態間で相変化することにより情報を
記録する記録層と、この第１の記録層上に形成された第
２の保護層と、この第２の保護層上に形成された反射層
とを備えた情報記録媒体において、 上記第１の保護層の膜厚を再生光を上記基板上に照射し
た時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反射光量
差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴とする情
報記録媒体。 - 【請求項３】 透明基板上に形成された溝部と、この溝
部上に形成されこの溝部に略相似する断面形状を有する
第１の保護層と、この第１の保護層上に形成され記録用
光ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から非晶質状態に相
変化することにより情報を記録する記録層と、この第１
の記録層上に形成された第２の保護層と、この第２の保
護層上に形成された反射層とを備えた情報記録媒体にお
いて、 上記第１の保護層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に
照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反
射光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴と
する情報記録媒体。 - 【請求項４】 透明基板上に列状に形成された溝部と隣
接する溝部との間の陸部に形成された第１の保護層と、
この第１の保護層上に形成され記録用光ビ−ムの照射量
に応じて結晶状態から非晶質状態に相変化することによ
り情報を記録する記録層と、この第１の記録層上に形成
された第２の保護層と、この第２の保護層上に形成され
た反射層とを備えた情報記録媒体において、 上記第１の保護層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に
照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反
射光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴と
する情報記録媒体。 - 【請求項５】 透明プラスチック基板上に形成された溝
部と、この溝部上に形成されこの溝部に略相似する断面
形状を有する第１の保護層と、この第１の保護層上に形
成され記録用光ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から非
晶質状態に相変化することにより情報を記録する記録層
と、この第１の記録層上に形成された第２の保護層と、
この第２の保護層上に形成された反射層とを備えた情報
記録媒体において、 上記第１の保護層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に
照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反
射光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴と
する情報記録媒体。 - 【請求項６】 透明プラスチック基板上に列状に形成さ
れた溝部と隣接する溝部との間の陸部に形成された第１
の保護層と、この第１の保護層上に形成され記録用光ビ
−ムの照射量に応じて結晶状態から非晶質状態に相変化
することにより情報を記録する記録層と、この第１の記
録層上に形成された第２の保護層と、この第２の保護層
上に形成された反射層とを備えた情報記録媒体におい
て、 上記第１の保護層の膜厚を再生レ−ザ光を上記基板上に
照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の反
射光量差の変化の第１周期内の厚さとすることを特徴と
する情報記録媒体。 - 【請求項７】 透明プラスチック基板上に形成された溝
部と、この溝部上に形成されこの溝部に略相似する断面
形状を有する第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第
１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成され記録用光ビ−
ムの照射量に応じて結晶状態から非晶質状態に相変化す
ることにより情報を記録するＧｅＳｂＴｅ記録層と、こ
の第１の記録層上に形成された第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2
保護層と、この第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成
されたＡＩＭＯ合金反射層とを備えた情報記録媒体にお
いて、 上記第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層の膜厚を再生レ−ザ
光を上記基板上に照射した時に干渉効果によって生じる
結晶と非晶質の反射光量差の変化の第１周期内の厚さと
することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項８】 透明プラスチック基板上に列状に形成さ
れた溝部と隣接する溝部との間の陸部に形成された第１
のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第１のＺｎＳ：Ｓｉ
Ｏ2 保護層上に形成され記録用光ビ−ムの照射量に応じ
て結晶状態から非晶質状態に相変化することにより情報
を記録するＧｅＳｂＴｅ記録層と、この第１のＧｅＳｂ
Ｔｅ記録層上に形成された第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護
層と、この第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成され
たＡＩＭＯ合金反射層とを備えた情報記録媒体におい
て、 上記第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層の膜厚を再生レ−ザ
光を上記基板上に照射した時に干渉効果によって生じる
結晶と非晶質の反射光量差の変化の第１周期内の厚さと
することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項９】 ポリカ−ボネ−ト樹脂基板上に形成され
た溝部と、この溝部上に形成されこの溝部に略相似する
断面形状を有する第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、こ
の第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に形成され記録用光
ビ−ムの照射量に応じて結晶状態から非晶質状態に相変
化することにより情報を記録するＧｅＳｂＴｅ記録層
と、この第１の記録層上に形成された第２のＺｎＳ：Ｓ
ｉＯ2 保護層と、この第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上
に形成されたＡＩＭＯ合金反射層とを備えた情報記録媒
体において、 上記第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層の膜厚を再生レ−ザ
光の波長を５００〜８３０ｎｍとした場合に上記基板上
に照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の
反射光量差の変化の第１周期内の厚さである０．０９〜
０．１９μｍとすることを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項１０】 ポリカ−ボネ−ト樹脂基板上に列状に
形成された溝部と隣接する溝部との間の陸部に形成され
た第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層と、この第１のＺｎ
Ｓ：ＳｉＯ2 保護層上に形成され記録用光ビ−ムの照射
量に応じて結晶状態から非晶質状態に相変化することに
より情報を記録するＧｅＳｂＴｅ記録層と、この第１の
ＧｅＳｂＴｅ記録層上に形成された第２のＺｎＳ：Ｓｉ
Ｏ2 保護層と、この第２のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層上に
形成されたＡＩＭＯ合金反射層とを備えた情報記録媒体
において、 上記第１のＺｎＳ：ＳｉＯ2 保護層の膜厚を再生レ−ザ
光の波長を５００〜８３０ｎｍとした場合に上記基板上
に照射した時に干渉効果によって生じる結晶と非晶質の
反射光量差の変化の第１周期内の厚さである０．０９〜
０．１９μｍとすることを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7189071A JPH0944903A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7189071A JPH0944903A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0944903A true JPH0944903A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16234824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7189071A Pending JPH0944903A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0944903A (ja) |
-
1995
- 1995-07-25 JP JP7189071A patent/JPH0944903A/ja active Pending
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