JPH07263100A - 半導体装置用ソケット - Google Patents
半導体装置用ソケットInfo
- Publication number
- JPH07263100A JPH07263100A JP5357394A JP5357394A JPH07263100A JP H07263100 A JPH07263100 A JP H07263100A JP 5357394 A JP5357394 A JP 5357394A JP 5357394 A JP5357394 A JP 5357394A JP H07263100 A JPH07263100 A JP H07263100A
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- JP
- Japan
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- lead
- semiconductor device
- contact portion
- socket
- contact part
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Abstract
(57)【要約】
【目的】作業能率、生産性、および歩留りの向上に有効
な半導体装置用ソケットの提供。 【構成】半導体装置のリードが当接されるリード接触部
を上端部に有する電極が配設されてなる半導体装置用ソ
ケットであって、前記電極のリード接触部の上部が、頂
部が山形の波状断面または頂部が山形の櫛状断面に形成
され、当接される半導体装置のリードの端部に対して傾
斜して形成されてなる半導体装置用ソケット。
な半導体装置用ソケットの提供。 【構成】半導体装置のリードが当接されるリード接触部
を上端部に有する電極が配設されてなる半導体装置用ソ
ケットであって、前記電極のリード接触部の上部が、頂
部が山形の波状断面または頂部が山形の櫛状断面に形成
され、当接される半導体装置のリードの端部に対して傾
斜して形成されてなる半導体装置用ソケット。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用ソケット
に関し、特に、作業能率、生産性、および歩留りの向上
に有効な半導体装置用ソケットに関する。
に関し、特に、作業能率、生産性、および歩留りの向上
に有効な半導体装置用ソケットに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置は、樹脂モ
ールド等によるパッケージング後、温度サイクル試験、
熱衝撃試験、耐候性試験、加速エージング試験等の環境
試験、あるいは信頼性試験、電気的特性の測定等などの
試験または検査に供され、所期の特性を満足するかを統
計的に採取されたサンプルによって確認、または全数を
チェックされ、良品のみが製品として出荷される。これ
らの試験または検査に際して、半導体装置の電気的特性
を逐次または連続的に測定するために、該半導体装置の
入出力端として外側に突設される外部リードに対応し
て、各リードと電気的接続を形成する電極を配設したソ
ケットに１個ずつ搭載され、各ソケットは試験または検
査装置に電気的に接続され、試験または検査に供され
る。
ールド等によるパッケージング後、温度サイクル試験、
熱衝撃試験、耐候性試験、加速エージング試験等の環境
試験、あるいは信頼性試験、電気的特性の測定等などの
試験または検査に供され、所期の特性を満足するかを統
計的に採取されたサンプルによって確認、または全数を
チェックされ、良品のみが製品として出荷される。これ
らの試験または検査に際して、半導体装置の電気的特性
を逐次または連続的に測定するために、該半導体装置の
入出力端として外側に突設される外部リードに対応し
て、各リードと電気的接続を形成する電極を配設したソ
ケットに１個ずつ搭載され、各ソケットは試験または検
査装置に電気的に接続され、試験または検査に供され
る。
【０００３】この半導体装置用ソケットは、従来、図７
に示すように、半導体装置７１を収容する台座７２と、
該台座７２の底面に半導体装置７１のリード７３が当接
されるリード接触部７４を有し、他端７５が試験または
検査装置に結線されるように構成された電極７６と、半
導体装置７１のリード７３を、電極７６のリード接触部
７４に向かって押圧するリード押さえ部７７を有する押
圧部材７８とを有するものである。この電極７６のリー
ド接触部７４は、図８（Ａ）および（Ｂ）に示すとお
り、平滑な上端面７９を有し、押圧部材７８のリード押
さえ部７７によって、リード７３の下端面８０に当接さ
れる。
に示すように、半導体装置７１を収容する台座７２と、
該台座７２の底面に半導体装置７１のリード７３が当接
されるリード接触部７４を有し、他端７５が試験または
検査装置に結線されるように構成された電極７６と、半
導体装置７１のリード７３を、電極７６のリード接触部
７４に向かって押圧するリード押さえ部７７を有する押
圧部材７８とを有するものである。この電極７６のリー
ド接触部７４は、図８（Ａ）および（Ｂ）に示すとお
り、平滑な上端面７９を有し、押圧部材７８のリード押
さえ部７７によって、リード７３の下端面８０に当接さ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体装置の
リード７３は、リード接触部７４と接触する下端面８を
含めて、特に保護処理はなされておらず、保管時や移動
時、あるいは半導体装置の製造工程中における信頼性加
速試験時等において、様々なダメージを受ける。例え
ば、リードの表面に酸化膜等の絶縁性被膜が形成された
り、あるいは微小な絶縁性粒子が付着する。このように
リード７３の表面に絶縁性被膜が形成されると、リード
接触部７４の表面が平滑であるため、図９（Ａ）に示す
ように、絶縁性被膜８１の介在によってリード７３の下
端面８０との電気的接触が切断され、リード７３と電極
７６との導通不良が生じる。また、絶縁性粒子が付着さ
れると、リード接触部７４の表面が平滑であるため、図
９（Ｂ）に示すように、リード７３の下端面８０とリー
ド接触部７４との間に絶縁性粒子８２が挟まれ、リード
７３と電極７６との導通不良が生じる。このような導通
不良が発生すると、半導体装置自体は良品であっても、
リード７３の表面に形成された絶縁性被膜、絶縁性粒子
の存在のみによって不良となり、見掛け上の歩留りを低
下させる原因となる。
リード７３は、リード接触部７４と接触する下端面８を
含めて、特に保護処理はなされておらず、保管時や移動
時、あるいは半導体装置の製造工程中における信頼性加
速試験時等において、様々なダメージを受ける。例え
ば、リードの表面に酸化膜等の絶縁性被膜が形成された
り、あるいは微小な絶縁性粒子が付着する。このように
リード７３の表面に絶縁性被膜が形成されると、リード
接触部７４の表面が平滑であるため、図９（Ａ）に示す
ように、絶縁性被膜８１の介在によってリード７３の下
端面８０との電気的接触が切断され、リード７３と電極
７６との導通不良が生じる。また、絶縁性粒子が付着さ
れると、リード接触部７４の表面が平滑であるため、図
９（Ｂ）に示すように、リード７３の下端面８０とリー
ド接触部７４との間に絶縁性粒子８２が挟まれ、リード
７３と電極７６との導通不良が生じる。このような導通
不良が発生すると、半導体装置自体は良品であっても、
リード７３の表面に形成された絶縁性被膜、絶縁性粒子
の存在のみによって不良となり、見掛け上の歩留りを低
下させる原因となる。
【０００５】そこで本発明の目的は、実装される半導体
装置がリード表面に絶縁性被膜や絶縁性粒子を有してい
ても、導通不良を生じることなく、作業能率、生産性、
および歩留りの向上に有効な半導体装置用ソケットを提
供することにある。
装置がリード表面に絶縁性被膜や絶縁性粒子を有してい
ても、導通不良を生じることなく、作業能率、生産性、
および歩留りの向上に有効な半導体装置用ソケットを提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、半導体装置のリードが当接されるリード
接触部を上端部に有する電極が配設されてなる半導体装
置用ソケットであって、前記電極のリード接触部の上部
が、頂部が山形の波状断面または頂部が山形の櫛状断面
に形成され、当接される半導体装置のリードの端部に対
して傾斜して形成されてなる半導体装置用ソケットを提
供するものである。
に、本発明は、半導体装置のリードが当接されるリード
接触部を上端部に有する電極が配設されてなる半導体装
置用ソケットであって、前記電極のリード接触部の上部
が、頂部が山形の波状断面または頂部が山形の櫛状断面
に形成され、当接される半導体装置のリードの端部に対
して傾斜して形成されてなる半導体装置用ソケットを提
供するものである。
【０００７】以下、本発明の半導体装置用ソケット（以
下、「本発明のソケット」という）について、図１〜６
に基づいて詳細に説明する。
下、「本発明のソケット」という）について、図１〜６
に基づいて詳細に説明する。
【０００８】図１は、本発明のソケットのリード接触部
の第１の例を示す模式断面図である。この図１に示すリ
ード接触部１は、上面２が頂部が山形の波状断面の凹凸
形状をなすものである。この波状断面は、山部の高さ
が、通常、５０〜８０μｍ程度であり、また、隣合う山
部の間の距離が、通常、１００〜２００μｍ程度である
ように形成される。
の第１の例を示す模式断面図である。この図１に示すリ
ード接触部１は、上面２が頂部が山形の波状断面の凹凸
形状をなすものである。この波状断面は、山部の高さ
が、通常、５０〜８０μｍ程度であり、また、隣合う山
部の間の距離が、通常、１００〜２００μｍ程度である
ように形成される。
【０００９】また、図２は、本発明のソケットのリード
接触部の第２の例を示す模式断面図である。この図２に
示すリード接触部３は、上面４が頂部が山形の櫛状断面
の形状をなすものである。この櫛状断面は、櫛状をなす
切れ込み５の深さが、通常、５００〜１０００μｍ程度
であり、隣合う山部の間の距離が、通常、１０〜２００
μｍ程度になるように形成される。
接触部の第２の例を示す模式断面図である。この図２に
示すリード接触部３は、上面４が頂部が山形の櫛状断面
の形状をなすものである。この櫛状断面は、櫛状をなす
切れ込み５の深さが、通常、５００〜１０００μｍ程度
であり、隣合う山部の間の距離が、通常、１０〜２００
μｍ程度になるように形成される。
【００１０】この図１および図２に示すリード接触部１
または３の上面２または４は、当接される半導体装置の
リードの端部に対して傾斜して形成される。この傾斜
は、リード接触部１または３の上面２または４における
山部がリードの先端に引っ掛り、リードの曲がり等の不
具合を生じないように、半導体装置のリードをリード接
触部にリード押圧部材によって押圧したときに、リード
接触部１または３の上面２または４が、リードの端部と
平行となるように形成される。通常、この図１および図
２に示すリード接触部１または３の上面と、リード接触
部１または３に当接される半導体装置のリードの端部と
のなす角度、すなわち、リード接触部１または３におい
て、山部の頂点を結ぶ直線と、このリード接触部１また
は３に当接される半導体装置のリードの端部の下端面と
がなす角度αが、１０〜２０度程度、好ましくは１４〜
１６度度程度となるように傾斜して形成される。
または３の上面２または４は、当接される半導体装置の
リードの端部に対して傾斜して形成される。この傾斜
は、リード接触部１または３の上面２または４における
山部がリードの先端に引っ掛り、リードの曲がり等の不
具合を生じないように、半導体装置のリードをリード接
触部にリード押圧部材によって押圧したときに、リード
接触部１または３の上面２または４が、リードの端部と
平行となるように形成される。通常、この図１および図
２に示すリード接触部１または３の上面と、リード接触
部１または３に当接される半導体装置のリードの端部と
のなす角度、すなわち、リード接触部１または３におい
て、山部の頂点を結ぶ直線と、このリード接触部１また
は３に当接される半導体装置のリードの端部の下端面と
がなす角度αが、１０〜２０度程度、好ましくは１４〜
１６度度程度となるように傾斜して形成される。
【００１１】図１に示す本発明のソケットのリード接触
部１に、表面に絶縁性被膜を有するリードが当接された
場合、図３（Ａ）および（Ｂ）に示すように、波状断面
の形状をなすリード接触部１の上面２の山部６によって
絶縁性被膜７が破られ、リード接触部１の上面とリード
８の下端面９とが接触し、リード８とリード接触部１の
導通が確実に得られる。
部１に、表面に絶縁性被膜を有するリードが当接された
場合、図３（Ａ）および（Ｂ）に示すように、波状断面
の形状をなすリード接触部１の上面２の山部６によって
絶縁性被膜７が破られ、リード接触部１の上面とリード
８の下端面９とが接触し、リード８とリード接触部１の
導通が確実に得られる。
【００１２】また、図１に示すリード接触部１に、表面
に絶縁性粒子が付着したリードが当接された場合、図４
（Ａ）および（Ｂ）に示すように、波状断面の形状をな
すリード接触部１の上面２の谷部１０に、絶縁性粒子１
１が入り、山部１２はリード８の下端面９と接触し、リ
ード８とリード接触部１の導通が確実に得られる。
に絶縁性粒子が付着したリードが当接された場合、図４
（Ａ）および（Ｂ）に示すように、波状断面の形状をな
すリード接触部１の上面２の谷部１０に、絶縁性粒子１
１が入り、山部１２はリード８の下端面９と接触し、リ
ード８とリード接触部１の導通が確実に得られる。
【００１３】さらに、図２に示す本発明のソケットのリ
ード接触部３に、表面に絶縁性被膜を有するリードが当
接された場合、図５（Ａ）および（Ｂ）に示すように、
櫛状断面の形状をなすリード接触部３の上面１３の山部
１４によって絶縁性被膜１５が破られ、リード接触部１
の上面とリード８の下端面９とが接触し、リード８とリ
ード接触部１の導通が確実に得られる。
ード接触部３に、表面に絶縁性被膜を有するリードが当
接された場合、図５（Ａ）および（Ｂ）に示すように、
櫛状断面の形状をなすリード接触部３の上面１３の山部
１４によって絶縁性被膜１５が破られ、リード接触部１
の上面とリード８の下端面９とが接触し、リード８とリ
ード接触部１の導通が確実に得られる。
【００１４】また、図２に示すリード接触部３に、表面
に絶縁性粒子が付着したリードが当接された場合、図６
（Ａ）および（Ｂ）に示すように、櫛状断面の形状をな
すリード接触部３の上面１３の谷部１６に、絶縁性粒子
１７が入り、山部１４はリード８の下端面９と接触し、
リード８とリード接触部３の導通が確実に得られる。
に絶縁性粒子が付着したリードが当接された場合、図６
（Ａ）および（Ｂ）に示すように、櫛状断面の形状をな
すリード接触部３の上面１３の谷部１６に、絶縁性粒子
１７が入り、山部１４はリード８の下端面９と接触し、
リード８とリード接触部３の導通が確実に得られる。
【００１５】
【発明の効果】本発明の半導体装置用ソケットは、実装
される半導体装置がリード表面に絶縁性被膜や絶縁性粒
子を有していても、導通不良を生じることなく、作業能
率、生産性、および歩留りの向上に有効なものである。
される半導体装置がリード表面に絶縁性被膜や絶縁性粒
子を有していても、導通不良を生じることなく、作業能
率、生産性、および歩留りの向上に有効なものである。
【図１】 本発明の半導体装置用ソケットのリード接触
部の第１の例を説明する模式断面図。
部の第１の例を説明する模式断面図。
【図２】 本発明の半導体装置用ソケットのリード接触
部の第２の例を説明する模式断面図。
部の第２の例を説明する模式断面図。
【図３】 表面に絶縁性被膜を有するリードが接触した
場合の第１の例のリード接触部の機能を説明する模式
図。
場合の第１の例のリード接触部の機能を説明する模式
図。
【図４】 表面に絶縁性粒子が付着したリードが接触し
た場合の第１の例のリード接触部の機能を説明する模式
図。
た場合の第１の例のリード接触部の機能を説明する模式
図。
【図５】 表面に絶縁性被膜を有するリードが接触した
場合の第２の例のリード接触部の機能を説明する模式
図。
場合の第２の例のリード接触部の機能を説明する模式
図。
【図６】 表面に絶縁性粒子が付着したリードが接触し
た場合の第２の例のリード接触部の機能を説明する模式
図。
た場合の第２の例のリード接触部の機能を説明する模式
図。
【図７】 従来の半導体装置用ソケットの全体構造を示
す模式断面図。
す模式断面図。
【図８】 従来の半導体装置用ソケットのリード接触部
を説明する概念図。
を説明する概念図。
【図９】 従来の半導体装置用ソケットのリード接触部
における問題を説明する概念図。
における問題を説明する概念図。
１ リード接触部 ２ 上面 ３ リード接触部 ４ 上面 ５ 切れ込み ６ 山部 ７ 絶縁性被膜 ８ リード ９ 下端面 １０ 谷部 １１ 絶縁性粒子 １２ 山部 １３ 上面 １４ 山部 １５ 絶縁性被膜 １６ 谷部 １７ 絶縁性粒子 ７１ 半導体装置 ７２ 台座 ７３ リード ７４ リード接触部 ７５ 他端 ７６ 電極 ７７ リード押さえ部 ７８ 押圧部材 ７９ 上端面 ８０ 下端面
Claims (1)
- 【請求項１】半導体装置のリードが当接されるリード接
触部を上端部に有する電極が配設されてなる半導体装置
用ソケットであって、前記電極のリード接触部の上部
が、頂部が山形の波状断面または頂部が山形の櫛状断面
に形成され、当接される半導体装置のリードの端部に対
して傾斜して形成されてなる半導体装置用ソケット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5357394A JPH07263100A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 半導体装置用ソケット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5357394A JPH07263100A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 半導体装置用ソケット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263100A true JPH07263100A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12946584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5357394A Withdrawn JPH07263100A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 半導体装置用ソケット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263100A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016124A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Micronics Japan Co Ltd | Ｉｃソケット |
| JP2012195277A (ja) * | 2011-09-14 | 2012-10-11 | Omron Corp | コンタクト及びコンタクトの製造方法 |
| JP2012195108A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Omron Corp | コンタクト及び金属部品の製造方法 |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP5357394A patent/JPH07263100A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016124A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Micronics Japan Co Ltd | Ｉｃソケット |
| JP2012195108A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Omron Corp | コンタクト及び金属部品の製造方法 |
| JP2012195277A (ja) * | 2011-09-14 | 2012-10-11 | Omron Corp | コンタクト及びコンタクトの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010605 |