JPH07263191A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH07263191A JPH07263191A JP6046820A JP4682094A JPH07263191A JP H07263191 A JPH07263191 A JP H07263191A JP 6046820 A JP6046820 A JP 6046820A JP 4682094 A JP4682094 A JP 4682094A JP H07263191 A JPH07263191 A JP H07263191A
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- JP
- Japan
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- plasma
- coil
- processing apparatus
- outer peripheral
- peripheral portion
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Abstract
(57)【要約】
【構成】プラズマ処理装置において、多極磁場と高周波
電圧を印加できるコイル３を、処理室１外周部あるいは
放電室外周部に設けるよう構成した。 【効果】壁面でのプラズマ損失が低減するため、より高
密度のプラズマが生成でき、また、より低圧力領域でも
容易にプラズマを生成することが可能であるという効果
がある。
電圧を印加できるコイル３を、処理室１外周部あるいは
放電室外周部に設けるよう構成した。 【効果】壁面でのプラズマ損失が低減するため、より高
密度のプラズマが生成でき、また、より低圧力領域でも
容易にプラズマを生成することが可能であるという効果
がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に係
り、特に半導体素子基板等の試料をプラズマを利用して
エッチング処理及び成膜処理するために好適なプラズマ
処理装置に関するものである。
り、特に半導体素子基板等の試料をプラズマを利用して
エッチング処理及び成膜処理するために好適なプラズマ
処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置は、例えば、Technical Proc
eedings SEMICON/JAPAN 1993 P422〜P427 Introduction
of a new high density plasma reactor concept for
highaspect ratio oxide etching, J.Marks, K.Collin
s, C.L.Yang, D.Groechel,P.Kesuick, P.Arleoに記載の
ように、処理室外周部に高周波電圧を印加できるコイル
を設けるよう構成されていた。
eedings SEMICON/JAPAN 1993 P422〜P427 Introduction
of a new high density plasma reactor concept for
highaspect ratio oxide etching, J.Marks, K.Collin
s, C.L.Yang, D.Groechel,P.Kesuick, P.Arleoに記載の
ように、処理室外周部に高周波電圧を印加できるコイル
を設けるよう構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、処理
室壁面でのプラズマの消失の点について配慮がされてい
なかった。処理室外周にコイルを設け、該コイルに高周
波電圧を印加することによりプラズマを生成する場合、
処理室壁面近くでプラズマが生成される。特にヘリカル
コイルを用いた場合は顕著である。一方、処理室壁面で
はプラズマが壁面と接触し、その結果プラズマが消失す
る。したがって、全体として高密度プラズマが生成しに
くく、かつ低圧力条件でプラズマが生成しにくいという
問題点があった。
室壁面でのプラズマの消失の点について配慮がされてい
なかった。処理室外周にコイルを設け、該コイルに高周
波電圧を印加することによりプラズマを生成する場合、
処理室壁面近くでプラズマが生成される。特にヘリカル
コイルを用いた場合は顕著である。一方、処理室壁面で
はプラズマが壁面と接触し、その結果プラズマが消失す
る。したがって、全体として高密度プラズマが生成しに
くく、かつ低圧力条件でプラズマが生成しにくいという
問題点があった。
【０００４】本発明は、より高密度のプラズマを生成
し、低圧力条件でも容易にプラズマを生成することが可
能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
し、低圧力条件でも容易にプラズマを生成することが可
能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、多極磁場と高周波電圧を印加できるコイルを、処理
室外周部あるいは放電室外周部に設けたものである。
に、多極磁場と高周波電圧を印加できるコイルを、処理
室外周部あるいは放電室外周部に設けたものである。
【０００６】
【作用】処理室外周部あるいは放電室外周部に設けたコ
イルに高周波電圧を印加することにより、壁面近くによ
り密度の高いプラズマが生成される。一方、該コイルの
近くに多極磁場を設けることにより、生成されたプラズ
マは壁面と接触する部分が減少し、その結果壁面でのプ
ラズマの消失が減少するため、全体としてプラズマ密度
が増加する。また、前述の壁面でのプラズマ損失の低減
及び多極磁場による電子（プラズマの着火源となる）の
抱束のため、低圧力領域でも容易にプラズマを生成する
ことが可能である。
イルに高周波電圧を印加することにより、壁面近くによ
り密度の高いプラズマが生成される。一方、該コイルの
近くに多極磁場を設けることにより、生成されたプラズ
マは壁面と接触する部分が減少し、その結果壁面でのプ
ラズマの消失が減少するため、全体としてプラズマ密度
が増加する。また、前述の壁面でのプラズマ損失の低減
及び多極磁場による電子（プラズマの着火源となる）の
抱束のため、低圧力領域でも容易にプラズマを生成する
ことが可能である。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。図１は、本発明のプラズマ処理装置の一実施例であ
るエッチング処理装置の縦断面図である。容器１ａ及び
石英製容器２で区画された処理室１の内部を真空排気装
置（図示省略）により減圧した後、ガス供給装置（図示
省略）によりエッチングガスを処理室１内に導入し、所
望の圧力に調整する。石英あるいはアルミナセラミック
ス等の誘電体製の容器、本実施例の場合には石英製容器
２の外周にコイル３と多極磁場が設けられている。本実
施例の場合、コイル３はヘリカルコイルとし、多極磁場
は、リング状に永久磁石４のＮ極及びＳ極を交互に配置
することにより生成している。また、永久磁石４の間に
コイル３を配置している。コイル３は整合器（図示省
略）を介して高周波電源５に接続され、高周波電圧が供
給される。高周波電源５としては、例えば、周波数２Ｍ
Ｈｚまたは１３．５６ＭＨｚ等の高周波電源を用いれば
よく、これ以外では約５００Ｍ〜約１００ｋＨｚの周波
数域での高周波電源を使用することができる。
る。図１は、本発明のプラズマ処理装置の一実施例であ
るエッチング処理装置の縦断面図である。容器１ａ及び
石英製容器２で区画された処理室１の内部を真空排気装
置（図示省略）により減圧した後、ガス供給装置（図示
省略）によりエッチングガスを処理室１内に導入し、所
望の圧力に調整する。石英あるいはアルミナセラミック
ス等の誘電体製の容器、本実施例の場合には石英製容器
２の外周にコイル３と多極磁場が設けられている。本実
施例の場合、コイル３はヘリカルコイルとし、多極磁場
は、リング状に永久磁石４のＮ極及びＳ極を交互に配置
することにより生成している。また、永久磁石４の間に
コイル３を配置している。コイル３は整合器（図示省
略）を介して高周波電源５に接続され、高周波電圧が供
給される。高周波電源５としては、例えば、周波数２Ｍ
Ｈｚまたは１３．５６ＭＨｚ等の高周波電源を用いれば
よく、これ以外では約５００Ｍ〜約１００ｋＨｚの周波
数域での高周波電源を使用することができる。
【０００８】処理室１の外周部に設けたコイル３に高周
波電圧を供給することにより、処理室１の壁面近くに密
度の高いプラズマが生成される。一方、コイル３の近く
に多極磁場を設けることにより、生成されたプラズマは
処理室１の壁面と接続する部分が減少し、その結果壁面
でのプラズマの消失が減少するため、全体としてプラズ
マ密度が増加する。また、前述の壁面でのプラズマの損
失が低減し、プラズマの着火源となる電子が多極磁場に
より抱束されるため、低圧力領域でも容易にプラズマを
生成することが可能である。このように生成されたプラ
ズマにより、試料台６に載置された被処理材７がエッチ
ング処理される。また、被処理材７のエッチング形状を
制御するため、試料台６には整合器（図示省略）を介し
て高周波電源８が接続され、高周波電圧が印加されてい
る。
波電圧を供給することにより、処理室１の壁面近くに密
度の高いプラズマが生成される。一方、コイル３の近く
に多極磁場を設けることにより、生成されたプラズマは
処理室１の壁面と接続する部分が減少し、その結果壁面
でのプラズマの消失が減少するため、全体としてプラズ
マ密度が増加する。また、前述の壁面でのプラズマの損
失が低減し、プラズマの着火源となる電子が多極磁場に
より抱束されるため、低圧力領域でも容易にプラズマを
生成することが可能である。このように生成されたプラ
ズマにより、試料台６に載置された被処理材７がエッチ
ング処理される。また、被処理材７のエッチング形状を
制御するため、試料台６には整合器（図示省略）を介し
て高周波電源８が接続され、高周波電圧が印加されてい
る。
【０００９】本発明の第１の実施例によれば、多極磁場
とコイル３を処理室１の外周部に設けているので、処理
室１の壁面でのプラズマ損失が低減するため、より高密
度のプラズマが生成でき、また、より低圧力領域でも容
易にプラズマを生成することが可能であるという効果が
ある。
とコイル３を処理室１の外周部に設けているので、処理
室１の壁面でのプラズマ損失が低減するため、より高密
度のプラズマが生成でき、また、より低圧力領域でも容
易にプラズマを生成することが可能であるという効果が
ある。
【００１０】本発明の第２の実施例を図２により説明す
る。本実施例は、第１の実施例で述べたプラズマ生成方
法と有磁場マイクロ波放電によるプラズマ生成方法とを
組み合わせたものである。マグネトロン９から発振され
た、この場合２．４５ＧＨｚのマイクロ波は導波管１０
内を伝播し、石英窓１１を通過して放電管１ｂ内に入射
される。放電管１ｂは、コイル１２により生成される磁
場領域内にある。電子サイクロトロン共鳴（以下ＥＣＲ
と略記する）により放電管１ｂ内に生成されたプラズマ
は、発散磁場により処理室１である石英製容器２ｂ内に
導かれるが、プラズマ密度の分布は中央部が外周部より
大きくなっている。本実施例の場合、石英製容器２ｂの
外周部にコイル３が設けられている。このコイル３によ
り、処理室１の外周である側壁においてもプラズマを生
成したり、あるいはプラズマを追加熱することにより、
処理室１内の全体としてより均一なプラズマ分布を得る
ことができる。本実施例によれば、より均一なプラズマ
を生成することができるという効果がある。
る。本実施例は、第１の実施例で述べたプラズマ生成方
法と有磁場マイクロ波放電によるプラズマ生成方法とを
組み合わせたものである。マグネトロン９から発振され
た、この場合２．４５ＧＨｚのマイクロ波は導波管１０
内を伝播し、石英窓１１を通過して放電管１ｂ内に入射
される。放電管１ｂは、コイル１２により生成される磁
場領域内にある。電子サイクロトロン共鳴（以下ＥＣＲ
と略記する）により放電管１ｂ内に生成されたプラズマ
は、発散磁場により処理室１である石英製容器２ｂ内に
導かれるが、プラズマ密度の分布は中央部が外周部より
大きくなっている。本実施例の場合、石英製容器２ｂの
外周部にコイル３が設けられている。このコイル３によ
り、処理室１の外周である側壁においてもプラズマを生
成したり、あるいはプラズマを追加熱することにより、
処理室１内の全体としてより均一なプラズマ分布を得る
ことができる。本実施例によれば、より均一なプラズマ
を生成することができるという効果がある。
【００１１】本発明の第３の実施例を図３及び図４によ
り説明する。本実施例は、スロットアンテナを用いた有
磁場マイクロ波放電と上記第１の実施例に示すプラズマ
生成方法とを組み合わせたものである。マグネトロン９
から発振されたマイクロ波は導波管１０内を伝播し、円
筒形の円形ＴＥ01共振器１３に導入される。共振器１３
の底面には図４に示すような中心より外部に向かって放
射状のスロットアンテナ１４が複数設けられている。ま
た、スロットアンテナ１４と石英窓１１との間には空間
が設けられており、スロットアンテナ１４より放射され
たマイクロ波は、前述の空間を伝播した後、全体として
円形ＴＥ01モードのマイクロ波を形成し、石英窓１１を
通過し、放電管１ｂ内に入射され、プラズマが生成され
る。
り説明する。本実施例は、スロットアンテナを用いた有
磁場マイクロ波放電と上記第１の実施例に示すプラズマ
生成方法とを組み合わせたものである。マグネトロン９
から発振されたマイクロ波は導波管１０内を伝播し、円
筒形の円形ＴＥ01共振器１３に導入される。共振器１３
の底面には図４に示すような中心より外部に向かって放
射状のスロットアンテナ１４が複数設けられている。ま
た、スロットアンテナ１４と石英窓１１との間には空間
が設けられており、スロットアンテナ１４より放射され
たマイクロ波は、前述の空間を伝播した後、全体として
円形ＴＥ01モードのマイクロ波を形成し、石英窓１１を
通過し、放電管１ｂ内に入射され、プラズマが生成され
る。
【００１２】プラズマは、第２の実施例の場合と同様に
発散磁場により処理室１である石英製容器２ｂ内に導か
れるが、本実施例の場合には、処理室１の下部外周にコ
イル１２により発生する磁場とは逆向きの磁場をコイル
１５により発生させている。本実施例によると第２の実
施例と同様に、コイル３による処理室１の側壁でのプラ
ズマ生成により、全体としてプラズマ均一性を改善する
ことができるが、逆磁場を発生させるコイル１５によ
り、処理室１内に生成されている磁場の磁力線を制御す
ることによってもプラズマの均一性を改善することがで
きるという効果がある。
発散磁場により処理室１である石英製容器２ｂ内に導か
れるが、本実施例の場合には、処理室１の下部外周にコ
イル１２により発生する磁場とは逆向きの磁場をコイル
１５により発生させている。本実施例によると第２の実
施例と同様に、コイル３による処理室１の側壁でのプラ
ズマ生成により、全体としてプラズマ均一性を改善する
ことができるが、逆磁場を発生させるコイル１５によ
り、処理室１内に生成されている磁場の磁力線を制御す
ることによってもプラズマの均一性を改善することがで
きるという効果がある。
【００１３】本発明の第４の実施例を図５により説明す
る。本実施例では、第３の実施例において、コイル３の
外周に永久磁石４を設けたものである。本実施例によれ
ば、第３の実施例と同様の効果以外に、コイル３をより
密に設けることができるので、低圧力領域でもプラズマ
を生成することがより容易であるという効果がある。
る。本実施例では、第３の実施例において、コイル３の
外周に永久磁石４を設けたものである。本実施例によれ
ば、第３の実施例と同様の効果以外に、コイル３をより
密に設けることができるので、低圧力領域でもプラズマ
を生成することがより容易であるという効果がある。
【００１４】本発明の第５の実施例を図６により説明す
る。本実施例では、第３の実施例における軸方向磁場を
生成するコイル１２、１５を除去したものである。本実
施例によれば、第３の実施例の効果に加えて、軸方向磁
場がないので均一なプラズマがより生成し易いという効
果がある。また本実施例の場合、さらに永久磁石４を除
去し、無磁場の状態でプラズマを生成してもよい。その
場合には、さらに均一なプラズマが生成し易いという効
果が加わる。
る。本実施例では、第３の実施例における軸方向磁場を
生成するコイル１２、１５を除去したものである。本実
施例によれば、第３の実施例の効果に加えて、軸方向磁
場がないので均一なプラズマがより生成し易いという効
果がある。また本実施例の場合、さらに永久磁石４を除
去し、無磁場の状態でプラズマを生成してもよい。その
場合には、さらに均一なプラズマが生成し易いという効
果が加わる。
【００１５】本発明の第６の実施例を図７により説明す
る。本実施例では第３の実施例における拡散領域をなく
し、放電領域の外周部にコイル３を設けたものである。
コイル３により石英製容器２ｂの内壁面近くで密度が大
きいプラズマが生成されるので、全体として均一なプラ
ズマを容易に生成できるという効果がある。
る。本実施例では第３の実施例における拡散領域をなく
し、放電領域の外周部にコイル３を設けたものである。
コイル３により石英製容器２ｂの内壁面近くで密度が大
きいプラズマが生成されるので、全体として均一なプラ
ズマを容易に生成できるという効果がある。
【００１６】本発明の第７の実施例を図８により説明す
る。本実施例では、ヘリコン波放電と本発明の第１の実
施例に示すプラズマ生成方法とを組み合わせたものであ
る。コイル１２により生成した磁場領域中におかれた石
英製放電管１６の外周にヘリコン波励起用のアンテナ１
７を設け、該アンテナ１７に整合器（図示省略）を介
し、高周波電源１８を接続し、ヘリコン波放電によるプ
ラズマ生成を行っている。本実施例によれば、第３の実
施例と同様に、より均一なプラズマを生成することがで
きるという効果がある。
る。本実施例では、ヘリコン波放電と本発明の第１の実
施例に示すプラズマ生成方法とを組み合わせたものであ
る。コイル１２により生成した磁場領域中におかれた石
英製放電管１６の外周にヘリコン波励起用のアンテナ１
７を設け、該アンテナ１７に整合器（図示省略）を介
し、高周波電源１８を接続し、ヘリコン波放電によるプ
ラズマ生成を行っている。本実施例によれば、第３の実
施例と同様に、より均一なプラズマを生成することがで
きるという効果がある。
【００１７】本発明の第８の実施例を図９により説明す
る。本実施例では、トランスファーカップルドプラズマ
放電（以下、ＴＣＰ放電と略記）ＴＣＰ放電と本発明の
第１の実施例に示すプラズマ生成方法とを組み合わせた
ものである。石英板１９上に設けられたうず巻き状のコ
イル２０に整合器（図示省略）を介し、高周波電源１８
を接続し、ＴＣＰ放電によるプラズマ生成を行ってい
る。本実施例によれば、第３の実施例と同様に、より均
一なプラズマを生成することができるという効果であ
る。
る。本実施例では、トランスファーカップルドプラズマ
放電（以下、ＴＣＰ放電と略記）ＴＣＰ放電と本発明の
第１の実施例に示すプラズマ生成方法とを組み合わせた
ものである。石英板１９上に設けられたうず巻き状のコ
イル２０に整合器（図示省略）を介し、高周波電源１８
を接続し、ＴＣＰ放電によるプラズマ生成を行ってい
る。本実施例によれば、第３の実施例と同様に、より均
一なプラズマを生成することができるという効果であ
る。
【００１８】本発明の第９の実施例を図１０により説明
する。本実施例では、容積結合型プラズマ放電（以下、
ＣＣＰ放電と略記）ＣＣＰ放電いわゆる平行平板型装置
による放電と本発明の第１の実施例に示すプラズマ生成
方法とを組み合わせたものである。整合器（図示省略）
を介して高周波電源８を接続した試料台６に対向して接
地した電極２１を設け、ＣＣＰ放電を行っている。本実
施例によれば、第３の実施例と同様に、より均一なプラ
ズマを生成することができるという効果がある。
する。本実施例では、容積結合型プラズマ放電（以下、
ＣＣＰ放電と略記）ＣＣＰ放電いわゆる平行平板型装置
による放電と本発明の第１の実施例に示すプラズマ生成
方法とを組み合わせたものである。整合器（図示省略）
を介して高周波電源８を接続した試料台６に対向して接
地した電極２１を設け、ＣＣＰ放電を行っている。本実
施例によれば、第３の実施例と同様に、より均一なプラ
ズマを生成することができるという効果がある。
【００１９】本発明の第１０の実施例を図１１により説
明する。本実施例では、マグネトロン放電と本発明の第
１の実施例に示すプラズマ生成方法とを組み合わせたも
のである。整合器（図示省略）を介して高周波電源８を
接続した試料台６に対向して設けた電極２１上に永久磁
石２２を配置し、マグネトロン放電を行っている。本実
施例によれば、第３の実施例と同様に、より均一なプラ
ズマを生成することができるという効果がある。
明する。本実施例では、マグネトロン放電と本発明の第
１の実施例に示すプラズマ生成方法とを組み合わせたも
のである。整合器（図示省略）を介して高周波電源８を
接続した試料台６に対向して設けた電極２１上に永久磁
石２２を配置し、マグネトロン放電を行っている。本実
施例によれば、第３の実施例と同様に、より均一なプラ
ズマを生成することができるという効果がある。
【００２０】また、上記各実施例ではドライエッチング
装置について述べたが、プラズマＣＶＤ装置、アッシン
グ装置等のプラズマ処理装置についても、同様の作用効
果が得られる。
装置について述べたが、プラズマＣＶＤ装置、アッシン
グ装置等のプラズマ処理装置についても、同様の作用効
果が得られる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、多極磁場と高周波電圧
を印加できるコイルを、処理室外周部あるいは放電室外
周部に設けるよう構成したので、壁面でのプラズマ損失
が低減するため、より高密度のプラズマが生成でき、ま
た、より低圧力領域でも容易にプラズマを生成すること
が可能であるという効果がある。
を印加できるコイルを、処理室外周部あるいは放電室外
周部に設けるよう構成したので、壁面でのプラズマ損失
が低減するため、より高密度のプラズマが生成でき、ま
た、より低圧力領域でも容易にプラズマを生成すること
が可能であるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例のエッチング処理装置の
処理室部の縦断面図である。
処理室部の縦断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例のエッチング処理装置の
処理室部の縦断面図である。
処理室部の縦断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例のエッチング処理装置の
処理室部の縦断面図である。
処理室部の縦断面図である。
【図４】図３におけるスロットアンテナを上部より見た
図である。
図である。
【図５】本発明の第４の実施例のエッチング処理装置の
処理室部の縦断面図である。
処理室部の縦断面図である。
【図６】本発明の第５の実施例のエッチング処理装置の
処理室部の縦断面図である。
処理室部の縦断面図である。
【図７】本発明の第６の実施例のエッチング処理装置の
処理室部の縦断面図である。
処理室部の縦断面図である。
【図８】本発明の第７の実施例のエッチング処理装置の
処理室部の縦断面図である。
処理室部の縦断面図である。
【図９】本発明の第８の実施例のエッチング処理装置の
処理室部の縦断面図である。
処理室部の縦断面図である。
【図１０】本発明の第９の実施例のエッチング処理装置
の処理室部の縦断面図である。
の処理室部の縦断面図である。
【図１１】本発明の第１０の実施例のエッチング処理装
置の処理室部の縦断面図である。
置の処理室部の縦断面図である。
１…処理室、１ａ…容器、１ｂ…放電管、２、２ｂ…石
英製容器、３…コイル、４…永久磁石、５…高周波電
源、６…試料台、７…被処理材、８…高周波電源、９…
マグネトロン、１０、１０ｂ…導波管、１１…石英窓、
１２…コイル、１３…共振器、１４…スロットアンテ
ナ、１５…コイル、１６…石英製放電管、１７…アンテ
ナ、１８…高周波電源、１９…石英板、２０…コイル、
２１…電極、２２…永久磁石。
英製容器、３…コイル、４…永久磁石、５…高周波電
源、６…試料台、７…被処理材、８…高周波電源、９…
マグネトロン、１０、１０ｂ…導波管、１１…石英窓、
１２…コイル、１３…共振器、１４…スロットアンテ
ナ、１５…コイル、１６…石英製放電管、１７…アンテ
ナ、１８…高周波電源、１９…石英板、２０…コイル、
２１…電極、２２…永久磁石。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 21/31
Claims (6)
- 【請求項１】プラズマ発生装置と減圧可能な処理室とガ
ス供給装置と真空排気装置より成るプラズマ処理装置に
おいて、多極磁場と高周波電圧を印加できるコイルを、
処理室外周部あるいは放電室外周部に設けたことを特徴
とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】前記多極磁場が、永久磁石のＳ極とＮ極を
交互に配置することにより生成されていることを特徴と
する請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】前記コイルがヘリカルコイルであることを
特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】前記多極磁場を生成するために設けた永久
磁石の間にヘリカルコイルを設けたことを特徴とする請
求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】マイクロ波プラズマ発生装置あるいはヘリ
コン波プラズマ放電発生装置あるいはトランファーカッ
プルドプラズマ放電発生装置あるいは、容量結合型プラ
ズマ放電発生装置に加えて、前記多極磁場と前記高周波
電圧を印加できるコイルを、処理室外周部あるいは放電
室外周部に設けたことを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項６】マイクロ波プラズマ発生装置あるいはヘリ
コン波プラズマ放電発生装置あるいはトランスファーカ
ップルドプラズマ放電発生装置に加えて、前記高周波電
圧を印加できるコイルを、処理室外周部あるいは放電室
外周部に設けたことを特徴とする請求項１記載のプラズ
マ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6046820A JPH07263191A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6046820A JPH07263191A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263191A true JPH07263191A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12757982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6046820A Pending JPH07263191A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002533950A (ja) * | 1998-12-30 | 2002-10-08 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理リアクタ内でプラズマを点火するための方法 |
| JP2003525519A (ja) * | 2000-03-01 | 2003-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 高密度プラズマ源内での電気的に制御可能なプラズマ均一性 |
-
1994
- 1994-03-17 JP JP6046820A patent/JPH07263191A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002533950A (ja) * | 1998-12-30 | 2002-10-08 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理リアクタ内でプラズマを点火するための方法 |
| JP2003525519A (ja) * | 2000-03-01 | 2003-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 高密度プラズマ源内での電気的に制御可能なプラズマ均一性 |
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