JPH07263728A - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- JPH07263728A JPH07263728A JP6051480A JP5148094A JPH07263728A JP H07263728 A JPH07263728 A JP H07263728A JP 6051480 A JP6051480 A JP 6051480A JP 5148094 A JP5148094 A JP 5148094A JP H07263728 A JPH07263728 A JP H07263728A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ａ−Ｓｉによりｐ−ｉ−ｎ接合を形成するため
にｎ層の上にｉ層を成膜した場合に、ｉ層中に拡散した
燐の影響を硼素による中性化により取り除く。 【構成】ｎ層形成後、その表面に硼素を含むガスを接触
させて硼素を付着させ、そのあとｉ層を形成すると、硼
素が燐と相似の濃度プロファイルを示して中性化を行う
ことができ、キャリアの収集効率が向上する。
にｎ層の上にｉ層を成膜した場合に、ｉ層中に拡散した
燐の影響を硼素による中性化により取り除く。 【構成】ｎ層形成後、その表面に硼素を含むガスを接触
させて硼素を付着させ、そのあとｉ層を形成すると、硼
素が燐と相似の濃度プロファイルを示して中性化を行う
ことができ、キャリアの収集効率が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非晶質シリコン (以下
ａ−Ｓｉと記す) などシリコンを主成分とした非晶質材
料を主体とするｐ−ｉ−ｎ接合を有する薄膜太陽電池の
製造方法に関する。
ａ−Ｓｉと記す) などシリコンを主成分とした非晶質材
料を主体とするｐ−ｉ−ｎ接合を有する薄膜太陽電池の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】原料ガスのグロー放電分解や光ＣＶＤに
より形成されるａ−Ｓｉを主材料とした太陽電池は薄
膜、大面積化が容易という特徴をもち、低コスト太陽電
池として期待されている。特に、ステンレス鋼あるいは
金属電極を蒸着したプラスチックフィルム等のフレキシ
ブル基板を用いた太陽電池は、ロールツーロールプロセ
スにより高い生産性を実現できることから有望視されて
いる。図２はこのような太陽電池の構造を示し、導電性
基板１上にｎ層２、ｉ層３、ｐ層４、透明電極層５を順
次積層し、必要に応じて集電電極６を形成することによ
り作製される。この太陽電池は、透明電極層５側から入
射する光により発電が起こる。
より形成されるａ−Ｓｉを主材料とした太陽電池は薄
膜、大面積化が容易という特徴をもち、低コスト太陽電
池として期待されている。特に、ステンレス鋼あるいは
金属電極を蒸着したプラスチックフィルム等のフレキシ
ブル基板を用いた太陽電池は、ロールツーロールプロセ
スにより高い生産性を実現できることから有望視されて
いる。図２はこのような太陽電池の構造を示し、導電性
基板１上にｎ層２、ｉ層３、ｐ層４、透明電極層５を順
次積層し、必要に応じて集電電極６を形成することによ
り作製される。この太陽電池は、透明電極層５側から入
射する光により発電が起こる。
【０００３】この種の太陽電池ではｉ層３の成膜時にｎ
層２から燐が拡散する。その結果、図３に下部のバンド
プロファイルに対応して示した燐の濃度プロファイルが
ｉ層３に生ずる。これに起因してｉ／ｎ界面の電界が弱
くなるという問題があるので、これを解決する手段とし
て、図４に示すように、ｉ層３成膜時に極微量の硼素を
均一に添加するカウンタドーピングが行われている。
層２から燐が拡散する。その結果、図３に下部のバンド
プロファイルに対応して示した燐の濃度プロファイルが
ｉ層３に生ずる。これに起因してｉ／ｎ界面の電界が弱
くなるという問題があるので、これを解決する手段とし
て、図４に示すように、ｉ層３成膜時に極微量の硼素を
均一に添加するカウンタドーピングが行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図５は、二次イオン質
量分析法 (ＳＩＭＳ) により得られた、ｎ層２の上に成
膜した５００ｎｍの厚さのｉ層３の中に拡散した燐の濃
度プロファイルを示す。内部電界の均一化を図るために
は、ｉ層２全域で不純物の中性化を図ることが望まし
い。しかしながら、図５から分かるようにｉ層中の燐は
かなり大きな分布をもっている。すなわち、ｉ／ｎ界面
付近の燐濃度が５×１０17cm-3程度なのに対し、ｉ／ｎ
界面から４００ｎｍ隔てた場所で８×１０16cm-3程度と
なっており一桁程度の違いがある。このため、図４に示
した均一の硼素添加ではｉ層２全領域で中性化を図るこ
とは不可能であり、図３のようにｉ／ｎ界面付近では依
然として電界が弱くなるという問題が残っていた。
量分析法 (ＳＩＭＳ) により得られた、ｎ層２の上に成
膜した５００ｎｍの厚さのｉ層３の中に拡散した燐の濃
度プロファイルを示す。内部電界の均一化を図るために
は、ｉ層２全域で不純物の中性化を図ることが望まし
い。しかしながら、図５から分かるようにｉ層中の燐は
かなり大きな分布をもっている。すなわち、ｉ／ｎ界面
付近の燐濃度が５×１０17cm-3程度なのに対し、ｉ／ｎ
界面から４００ｎｍ隔てた場所で８×１０16cm-3程度と
なっており一桁程度の違いがある。このため、図４に示
した均一の硼素添加ではｉ層２全領域で中性化を図るこ
とは不可能であり、図３のようにｉ／ｎ界面付近では依
然として電界が弱くなるという問題が残っていた。
【０００５】本発明の目的は、上述の課題を解決するた
め、ｉ層全領域で不純物の中性化を図るような薄膜太陽
電池の製造方法を提供することにある。
め、ｉ層全領域で不純物の中性化を図るような薄膜太陽
電池の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、ｎ層、ｉ層、ｐ層の順に形成した、シ
リコンを主成分とする非晶質材料を主体とするｐ−ｉ−
ｎ接合を有する薄膜太陽電池の製造方法において、ｎ層
形成後にその表面に硼素を付着させたのちｉ層を形成す
るものとする。ｎ層表面に硼素を含むガスを接触させる
ことにより硼素を付着させることが良い方法である。そ
の場合、硼素を含むガスに接触させるｎ層の温度が４０
０℃以下であることが有効である。硼素を含むガスがＢ
Ｆ3 あるいはＢ2 Ｈ6 であることが良い。
めに、本発明は、ｎ層、ｉ層、ｐ層の順に形成した、シ
リコンを主成分とする非晶質材料を主体とするｐ−ｉ−
ｎ接合を有する薄膜太陽電池の製造方法において、ｎ層
形成後にその表面に硼素を付着させたのちｉ層を形成す
るものとする。ｎ層表面に硼素を含むガスを接触させる
ことにより硼素を付着させることが良い方法である。そ
の場合、硼素を含むガスに接触させるｎ層の温度が４０
０℃以下であることが有効である。硼素を含むガスがＢ
Ｆ3 あるいはＢ2 Ｈ6 であることが良い。
【０００７】
【作用】表面処理によりｎ層表面に硼素が付着する。こ
の上にｉ層を成膜すると、ｉ層中に燐とほぼ相似な形の
硼素濃度分布を実現できる。ｉ層中の燐の濃度分布は、
ｎ層中の燐の濃度、ｉ層の成膜条件に異なるが、例えば
ｎ層表面に硼素を含むガスを接触させるときのｎ層の温
度あるいは処理時間を調整することにより、ｉ層中の硼
素の濃度分布の形を燐とほぼ相似させることが可能であ
る。
の上にｉ層を成膜すると、ｉ層中に燐とほぼ相似な形の
硼素濃度分布を実現できる。ｉ層中の燐の濃度分布は、
ｎ層中の燐の濃度、ｉ層の成膜条件に異なるが、例えば
ｎ層表面に硼素を含むガスを接触させるときのｎ層の温
度あるいは処理時間を調整することにより、ｉ層中の硼
素の濃度分布の形を燐とほぼ相似させることが可能であ
る。
【０００８】
【実施例】図１に、本発明の一実施例による薄膜太陽電
池のｐ−ｉ−ｎ接合部の不純物濃度プロファイルを下部
のバンドプロファイルに対応して示す。このように、ｉ
層中で燐の濃度プロファイルに近似した硼素プロファイ
ルが形成されている。このような濃度プロファイルは、
図６に示すステッピングロール成膜装置によって得られ
た。図６の装置は、共通室１０の中に二つの成膜室１
１、１２、１３が順に隣接して配置されている。そし
て、各室に前室１４内の送りロール２１から後室１５内
の巻き取りロール２２へ断続的に搬送される導電性基板
１が停止する。各成膜室１１、１２、１３には、それぞ
れ電源２３に接続された高電圧電極２４が収容され、基
板１をはさむ反対側の部分には、それぞれヒータ２５を
内蔵した接地電極２６が収容されている。各成膜室の接
地電極２６は移動可能で、基板１をシール部１６へ押し
つけることにより、各室の高電圧電極２４側の部分を気
密に密閉できる構造となっている。
池のｐ−ｉ−ｎ接合部の不純物濃度プロファイルを下部
のバンドプロファイルに対応して示す。このように、ｉ
層中で燐の濃度プロファイルに近似した硼素プロファイ
ルが形成されている。このような濃度プロファイルは、
図６に示すステッピングロール成膜装置によって得られ
た。図６の装置は、共通室１０の中に二つの成膜室１
１、１２、１３が順に隣接して配置されている。そし
て、各室に前室１４内の送りロール２１から後室１５内
の巻き取りロール２２へ断続的に搬送される導電性基板
１が停止する。各成膜室１１、１２、１３には、それぞ
れ電源２３に接続された高電圧電極２４が収容され、基
板１をはさむ反対側の部分には、それぞれヒータ２５を
内蔵した接地電極２６が収容されている。各成膜室の接
地電極２６は移動可能で、基板１をシール部１６へ押し
つけることにより、各室の高電圧電極２４側の部分を気
密に密閉できる構造となっている。
【０００９】この装置を用いて、まず、導電性基板１上
に成膜室１１で１０〜５０ｎｍの厚さのｎ層２ (図２)
が形成される。ｎ層２は、ＳｉＨ4 を主ガス、Ｈ2 を希
釈ガス、ＰＨ3 をドーピングガスとして電極２４に高周
波電力を印加することにより得られる。成膜温度は１５
０〜２５０℃である。真空引きの後、同成膜室１１に硼
素を含んだガスを封入することで表面処理を行う。用い
るガスは、１００％あるいはヘリウム等で数１０％程度
に希釈されたＢＦ3 であり、圧力0.５〜１Torrに保ち、
１０〜１０００秒、望ましくは３０〜３００秒間処理す
る。処理温度は、成膜温度とほぼ同様で４００℃以下、
望ましくは、３００℃以下である。表面処理により硼素
が付着するメカニズムは良く分かっていないが、ＢＦ3
から熱分解したラジカルがｎ層表面のダングリングボン
ドと結合を作ることによると推測される。４００℃以上
に温度を上げると熱分解が進みすぎてほう素が過剰に取
り込まれてしまうので好ましくない。また、ＢＦ3 より
も分解しやすいＢ2 Ｈ6 を用いる場合は、水素等で１０
〜１０００ｐｐｍ程度に希釈する必要がある。表面処理
後、基板を１ステップ移動し、成膜室１２で、ＳｉＨ4
を反応ガスとして膜厚２００〜６００ｎｍのｉ層３を成
膜する。このとき、図１に示すように燐とほぼ同程度か
つ相似なプロファイルでほう素がｉ層中に取り込まれ、
内部電界の均一化が図られる。さらに、基板を１ステッ
プ移動させ、成膜室１３でＳｉＨ4 を主ガス、Ｈ2 を希
釈ガス、Ｂ2 Ｈ6 あるいはＢＦ3 をドーピングガスとし
て膜厚１０〜３０ｎｍのｐ層４を形成する。なおｐ層４
は、光吸収低減かつ透明電極との接触抵抗低減を図る目
的から、微結晶シリコンにすることが望ましい。微結晶
シリコンは、一般に良く知られているように高水素希釈
かつ高周波電力の成膜により実現できる。以上の工程を
各反応室で繰り返すことにより、ｎ−ｉ−ｐ接合が連続
的に得られる。この上に、スパッタリング、蒸着等で透
明電極層５および集電電極６を成膜することにより図２
に示す薄膜太陽電池が完成する。
に成膜室１１で１０〜５０ｎｍの厚さのｎ層２ (図２)
が形成される。ｎ層２は、ＳｉＨ4 を主ガス、Ｈ2 を希
釈ガス、ＰＨ3 をドーピングガスとして電極２４に高周
波電力を印加することにより得られる。成膜温度は１５
０〜２５０℃である。真空引きの後、同成膜室１１に硼
素を含んだガスを封入することで表面処理を行う。用い
るガスは、１００％あるいはヘリウム等で数１０％程度
に希釈されたＢＦ3 であり、圧力0.５〜１Torrに保ち、
１０〜１０００秒、望ましくは３０〜３００秒間処理す
る。処理温度は、成膜温度とほぼ同様で４００℃以下、
望ましくは、３００℃以下である。表面処理により硼素
が付着するメカニズムは良く分かっていないが、ＢＦ3
から熱分解したラジカルがｎ層表面のダングリングボン
ドと結合を作ることによると推測される。４００℃以上
に温度を上げると熱分解が進みすぎてほう素が過剰に取
り込まれてしまうので好ましくない。また、ＢＦ3 より
も分解しやすいＢ2 Ｈ6 を用いる場合は、水素等で１０
〜１０００ｐｐｍ程度に希釈する必要がある。表面処理
後、基板を１ステップ移動し、成膜室１２で、ＳｉＨ4
を反応ガスとして膜厚２００〜６００ｎｍのｉ層３を成
膜する。このとき、図１に示すように燐とほぼ同程度か
つ相似なプロファイルでほう素がｉ層中に取り込まれ、
内部電界の均一化が図られる。さらに、基板を１ステッ
プ移動させ、成膜室１３でＳｉＨ4 を主ガス、Ｈ2 を希
釈ガス、Ｂ2 Ｈ6 あるいはＢＦ3 をドーピングガスとし
て膜厚１０〜３０ｎｍのｐ層４を形成する。なおｐ層４
は、光吸収低減かつ透明電極との接触抵抗低減を図る目
的から、微結晶シリコンにすることが望ましい。微結晶
シリコンは、一般に良く知られているように高水素希釈
かつ高周波電力の成膜により実現できる。以上の工程を
各反応室で繰り返すことにより、ｎ−ｉ−ｐ接合が連続
的に得られる。この上に、スパッタリング、蒸着等で透
明電極層５および集電電極６を成膜することにより図２
に示す薄膜太陽電池が完成する。
【００１０】ここで、本発明の効果を調べるために、硼
素無添加、均一硼素添加、および本発明による表面硼素
処理の太陽電池試料を作製し、比較試験を行った。試料
の太陽電池の構造は、ガラス基板／透明電極／ｎ層−ｉ
層−ｐ層／金属電極である。ｎ層厚さ２０ｎｍで、ＰＨ
3 ／ＳｉＨ4 比が１％、Ｈ2 による希釈倍率が９倍の反
応ガスを用い、基板温度２００〜２５０℃、圧力0.２〜
0.５Torr、電力密度４〜８ｍＷ／cm2 の条件で、燐濃度
５×１０20cm-3程度に成膜した。ｉ層は厚さ４００ｎｍ
で、成膜には、１００％ＳｉＨ4 を用いてｎ層と同様の
成膜条件で成膜するが、均一硼素添加の時は、Ｂ2 Ｈ6
／ＳｉＨ4 比が0.５ｐｐｍの微量のＢ2Ｈ6 を反応ガス
に添加した。また、本発明による表面硼素処理には、１
００％ＢＦ3 ガスを用い、基板温度２００℃、ガス圧力
１Torrで、処理時間は５分であった。ｐ層の厚さは２０
ｎｍであった。
素無添加、均一硼素添加、および本発明による表面硼素
処理の太陽電池試料を作製し、比較試験を行った。試料
の太陽電池の構造は、ガラス基板／透明電極／ｎ層−ｉ
層−ｐ層／金属電極である。ｎ層厚さ２０ｎｍで、ＰＨ
3 ／ＳｉＨ4 比が１％、Ｈ2 による希釈倍率が９倍の反
応ガスを用い、基板温度２００〜２５０℃、圧力0.２〜
0.５Torr、電力密度４〜８ｍＷ／cm2 の条件で、燐濃度
５×１０20cm-3程度に成膜した。ｉ層は厚さ４００ｎｍ
で、成膜には、１００％ＳｉＨ4 を用いてｎ層と同様の
成膜条件で成膜するが、均一硼素添加の時は、Ｂ2 Ｈ6
／ＳｉＨ4 比が0.５ｐｐｍの微量のＢ2Ｈ6 を反応ガス
に添加した。また、本発明による表面硼素処理には、１
００％ＢＦ3 ガスを用い、基板温度２００℃、ガス圧力
１Torrで、処理時間は５分であった。ｐ層の厚さは２０
ｎｍであった。
【００１１】このような試料太陽電池のガラス基板を通
してのｎ層からの光入射に対する内部収集効率のバイア
ス依存性を比較した。入射光として波長５００ｎｍの短
波長光を用いた場合には、ｉ／ｎ界面付近で発生したキ
ャリアの収集をみることができる。図７は、その結果で
あり、線７１に示す硼素無添加、線７２に示す硼素添
加、線７３に示す本発明の表面硼素処理順に特性が改善
されていることが分かる。短絡状態 （印加電圧０Ｖ）
の内部量子効率は、それぞれ６９％、８０％、９６％と
なっており、本発明により明らかにｉ／ｎ界面付近の内
部電界が大きく改善されることが分かった。さらに、本
発明の表面硼素処理を適用した太陽電池の波長７００ｎ
ｍの長波長光に対する内部量子効率を調べたところ５０
０ｎｍの場合とほぼ同じ特性であることが分かった。波
長７００ｎｍの光の場合、キャリアはｉ層全域でほぼ均
一に発生するので、以上の二つの結果から、表面処理し
たセルの内部電界は、非常に均一になっていると考えら
れる。なお、ＢＦ3 以外のガスとしてＢ2 Ｈ6 に用いて
の表面処理も試みたが、水素で１００ｐｐｍに希釈した
ガスを使用することによりほぼ同様な効果が得られた。
この場合、波長５００ｎｍの光に対する短絡状態 (印加
電圧０Ｖ) における内部収集効率は９４％であった。
してのｎ層からの光入射に対する内部収集効率のバイア
ス依存性を比較した。入射光として波長５００ｎｍの短
波長光を用いた場合には、ｉ／ｎ界面付近で発生したキ
ャリアの収集をみることができる。図７は、その結果で
あり、線７１に示す硼素無添加、線７２に示す硼素添
加、線７３に示す本発明の表面硼素処理順に特性が改善
されていることが分かる。短絡状態 （印加電圧０Ｖ）
の内部量子効率は、それぞれ６９％、８０％、９６％と
なっており、本発明により明らかにｉ／ｎ界面付近の内
部電界が大きく改善されることが分かった。さらに、本
発明の表面硼素処理を適用した太陽電池の波長７００ｎ
ｍの長波長光に対する内部量子効率を調べたところ５０
０ｎｍの場合とほぼ同じ特性であることが分かった。波
長７００ｎｍの光の場合、キャリアはｉ層全域でほぼ均
一に発生するので、以上の二つの結果から、表面処理し
たセルの内部電界は、非常に均一になっていると考えら
れる。なお、ＢＦ3 以外のガスとしてＢ2 Ｈ6 に用いて
の表面処理も試みたが、水素で１００ｐｐｍに希釈した
ガスを使用することによりほぼ同様な効果が得られた。
この場合、波長５００ｎｍの光に対する短絡状態 (印加
電圧０Ｖ) における内部収集効率は９４％であった。
【００１２】本発明の他の実施例を実現する成膜装置を
図８に示す。この装置はロールツーロールの成膜装置で
あり、成膜室１１、１２、１３の他に表面処理室１７が
設けられている。表面処理室１７には電極はなく、基板
を加熱するために、その裏面側にヒータ２５を内蔵した
加熱体２７が収容されている。隣接する各成膜室および
表面処理室の間はガスの相互拡散を防ぐように設計され
たスリット１８でつながっている。基板１は送りロール
２１から巻き取りロール２２へこのスリット１７を通っ
て連続的に搬送され、ｎ層２の成膜、表面硼素処理、ｉ
層３の成膜、ｐ層４の成膜が連続して行われる。表面処
理室１７で上記のステッピングロール装置におけるのと
同様の条件で表面硼素処理を行った結果、同様に内部電
界の均一化により変換効率の向上した薄膜太陽電池を得
ることができた。なお、表面処理温度はヒータ２５によ
り、処理時間は処理室１７の長さにより制御できる。以
上、シングルセルへの適用について述べたが、ａ−Ｓｉ
／ａ−Ｓｉ二層タンデムセルのトップおよびボトムセル
に適用することも有効である。また、ａ−Ｓｉ以外にも
ａ−ＳｉＣやａ−ＳｉＧｅ等をｉ層に用いた太陽電池に
適用することももちろん有効である。
図８に示す。この装置はロールツーロールの成膜装置で
あり、成膜室１１、１２、１３の他に表面処理室１７が
設けられている。表面処理室１７には電極はなく、基板
を加熱するために、その裏面側にヒータ２５を内蔵した
加熱体２７が収容されている。隣接する各成膜室および
表面処理室の間はガスの相互拡散を防ぐように設計され
たスリット１８でつながっている。基板１は送りロール
２１から巻き取りロール２２へこのスリット１７を通っ
て連続的に搬送され、ｎ層２の成膜、表面硼素処理、ｉ
層３の成膜、ｐ層４の成膜が連続して行われる。表面処
理室１７で上記のステッピングロール装置におけるのと
同様の条件で表面硼素処理を行った結果、同様に内部電
界の均一化により変換効率の向上した薄膜太陽電池を得
ることができた。なお、表面処理温度はヒータ２５によ
り、処理時間は処理室１７の長さにより制御できる。以
上、シングルセルへの適用について述べたが、ａ−Ｓｉ
／ａ−Ｓｉ二層タンデムセルのトップおよびボトムセル
に適用することも有効である。また、ａ−Ｓｉ以外にも
ａ−ＳｉＣやａ−ＳｉＧｅ等をｉ層に用いた太陽電池に
適用することももちろん有効である。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、導電性基板上にａ−Ｓ
ｉなどをｎ、ｉ、ｐの順に成膜するタイプの薄膜太陽電
池の製造方法で、ｎ層成膜後に硼素を含んだガスで表面
処理するなどの方法でｎ層表面に硼素を付着させること
により、硼素が燐とほぼ相似なプロファイルでｉ層中に
拡散する。したがって、処理条件を適当に選ぶことによ
り、ｉ層全域で不純物の中性化が図られ、均一な内部電
界を実現できた。これにより、薄膜太陽電池でのキャリ
アの収集効率が向上し、さらには、従来の均一硼素添加
を行った太陽電池よりも高い変換効率を得ることができ
る。
ｉなどをｎ、ｉ、ｐの順に成膜するタイプの薄膜太陽電
池の製造方法で、ｎ層成膜後に硼素を含んだガスで表面
処理するなどの方法でｎ層表面に硼素を付着させること
により、硼素が燐とほぼ相似なプロファイルでｉ層中に
拡散する。したがって、処理条件を適当に選ぶことによ
り、ｉ層全域で不純物の中性化が図られ、均一な内部電
界を実現できた。これにより、薄膜太陽電池でのキャリ
アの収集効率が向上し、さらには、従来の均一硼素添加
を行った太陽電池よりも高い変換効率を得ることができ
る。
【図１】本発明の実施例により形成されるｐ−ｉ−ｎ接
合のバンドプロファイルに対応して示されたｉ層中の不
純物濃度プロファイル図
合のバンドプロファイルに対応して示されたｉ層中の不
純物濃度プロファイル図
【図２】本発明の実施例により製造される薄膜太陽電池
の断面図
の断面図
【図３】ｐ−ｉ−ｎ接合のバンドプロファイルに対応し
て示された従来のｉ層中の不純物濃度プロファイル図
て示された従来のｉ層中の不純物濃度プロファイル図
【図４】ｐ−ｉ−ｎ接合のバンドプロファイルに対応し
て示された別の従来のｉ層中の不純物濃度プロファイル
図
て示された別の従来のｉ層中の不純物濃度プロファイル
図
【図５】ｎ層上に成膜したｉ層中への燐の拡散プロファ
イル図
イル図
【図６】本発明の一実施例の薄膜太陽電池製造に用いた
成膜装置の断面図
成膜装置の断面図
【図７】本発明に基づいて成膜されたｐ−ｉ−ｎ接合と
比較例のｐ−ｉ−ｎ接合の内部電子効率と印加電圧との
関係線図
比較例のｐ−ｉ−ｎ接合の内部電子効率と印加電圧との
関係線図
【図８】本発明の別の実施例の薄膜太陽電池の製造に用
いた成膜装置の断面図
いた成膜装置の断面図
１ 導電性基板 ２ ｎ層 ３ ｉ層 ４ ｐ層 ５ 透明電極層 １１ ｎ層成膜室 １２ ｉ層成膜室 １３ ｐ層成膜室 １７ 表面硼素処理室
Claims (5)
- 【請求項１】ｎ層、ｉ層、ｐ層の順に形成したシリコン
を主成分とする非晶質材料を主体とするｐ−ｉ−ｎ接合
を有する薄膜太陽電池の製造方法において、ｎ層の形成
後にその表面に硼素を付着させたのちｉ層を形成するこ
とを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】ｎ層表面に硼素を含むガスを接触させるこ
とにより付着させる請求項１記載の薄膜太陽電池の製造
方法。 - 【請求項３】硼素を含むガスを接触させるｎ層の温度が
４００℃以下である請求項２記載の薄膜太陽電池の製造
方法。 - 【請求項４】硼素を含むガスがＢＦ3 である請求項２あ
るいは３記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】硼素を含むガスがＢ2 Ｈ6 である請求項２
あるいは３記載の薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6051480A JPH07263728A (ja) | 1994-03-23 | 1994-03-23 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6051480A JPH07263728A (ja) | 1994-03-23 | 1994-03-23 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263728A true JPH07263728A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12888129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6051480A Pending JPH07263728A (ja) | 1994-03-23 | 1994-03-23 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263728A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009099217A1 (ja) | 2008-02-06 | 2009-08-13 | Kyocera Corporation | 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子 |
| JP2015516115A (ja) * | 2012-05-11 | 2015-06-04 | アポロン、ソーラーＡｐｏｌｌｏｎｓｏｌａｒ | Ｎ型ドープしたシリコンを含む太陽電池 |
-
1994
- 1994-03-23 JP JP6051480A patent/JPH07263728A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009099217A1 (ja) | 2008-02-06 | 2009-08-13 | Kyocera Corporation | 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子 |
| CN101939844B (zh) | 2008-02-06 | 2012-07-18 | 京瓷株式会社 | 太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件 |
| JP5072979B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2012-11-14 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子 |
| JP2015516115A (ja) * | 2012-05-11 | 2015-06-04 | アポロン、ソーラーＡｐｏｌｌｏｎｓｏｌａｒ | Ｎ型ドープしたシリコンを含む太陽電池 |
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