JPH07263779A - エキシマレーザー装置 - Google Patents
エキシマレーザー装置Info
- Publication number
- JPH07263779A JPH07263779A JP7635994A JP7635994A JPH07263779A JP H07263779 A JPH07263779 A JP H07263779A JP 7635994 A JP7635994 A JP 7635994A JP 7635994 A JP7635994 A JP 7635994A JP H07263779 A JPH07263779 A JP H07263779A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- excimer laser
- laser device
- laser
- vessel
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 14
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical class O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 空気中で運転した場合であっても、オゾン
の発生を抑えることにより、安全を確保するとともにエ
ネルギーの伝送効率を向上させることができ、従来のダ
クト状のカバーおよび窒素ガスの供給排気手段を不要と
し、光学系を複雑にすることがないエキシマレーザー装
置を提供することを課題とする。 【構成】 酸素分子によるエネルギー吸収帯を外すこ
とに着目したもので、レーザー媒質を収容したレーザー
ベッセル２と、レーザーベッセル２と組み合わせて設け
た光共振器５とを有し、レーザービームを発振するエキ
シマレーザー装置であって、発振ビームの波長帯を酸素
分子による吸収帯から避けた帯域に合わせることができ
るエタロン１１などの波長選択素子を、レーザーベッセ
ル２と光共振器５（全反射ミラー３）との間に配置する
ことを特徴とするエキシマレーザー装置１０である。
の発生を抑えることにより、安全を確保するとともにエ
ネルギーの伝送効率を向上させることができ、従来のダ
クト状のカバーおよび窒素ガスの供給排気手段を不要と
し、光学系を複雑にすることがないエキシマレーザー装
置を提供することを課題とする。 【構成】 酸素分子によるエネルギー吸収帯を外すこ
とに着目したもので、レーザー媒質を収容したレーザー
ベッセル２と、レーザーベッセル２と組み合わせて設け
た光共振器５とを有し、レーザービームを発振するエキ
シマレーザー装置であって、発振ビームの波長帯を酸素
分子による吸収帯から避けた帯域に合わせることができ
るエタロン１１などの波長選択素子を、レーザーベッセ
ル２と光共振器５（全反射ミラー３）との間に配置する
ことを特徴とするエキシマレーザー装置１０である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエキシマレーザー装置に
かかるもので、とくにＡｒＦ（アルゴン・フッ素）エキ
シマレーザーにおいてオゾンの発生を抑制可能なエキシ
マレーザー装置に関するものである。
かかるもので、とくにＡｒＦ（アルゴン・フッ素）エキ
シマレーザーにおいてオゾンの発生を抑制可能なエキシ
マレーザー装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のエキシマレーザー、とくにＡｒＦ
エキシマレーザーを空気中で操作すると、その発振ビー
ムのエネルギーが減衰するとともに、オゾンが生成され
るという問題がある。
エキシマレーザーを空気中で操作すると、その発振ビー
ムのエネルギーが減衰するとともに、オゾンが生成され
るという問題がある。
【０００３】図４ないし図７にもとづき概説する。図４
は、従来からのＡｒＦエキシマレーザー１の概略側面図
であって、ＡｒＦエキシマレーザー装置１は、アルゴン
ガスおよびフッ素ガスを含むレーザー媒質を収容したレ
ーザーベッセル２と、全反射ミラー３およびハーフミラ
ー４からなる光共振器５とを有する。
は、従来からのＡｒＦエキシマレーザー１の概略側面図
であって、ＡｒＦエキシマレーザー装置１は、アルゴン
ガスおよびフッ素ガスを含むレーザー媒質を収容したレ
ーザーベッセル２と、全反射ミラー３およびハーフミラ
ー４からなる光共振器５とを有する。
【０００４】図５は、ＡｒＦエキシマレーザー装置１の
真空中におけるレーザースペクトルのグラフであって、
最適の運転状態ではガウス分布を呈する。
真空中におけるレーザースペクトルのグラフであって、
最適の運転状態ではガウス分布を呈する。
【０００５】しかしながら、図６の酸素分子による吸収
帯のグラフに示すように、酸素分子が特定の波長（たと
えば、１９３．１ｎｍ、１９３．３ｎｍ、１９３．５ｎ
ｍなど）のエネルギーを吸収可能であるため、かつ上述
のＡｒＦエキシマレーザー装置１からの発振ビームの波
長帯域がこの酸素分子による吸収帯域を含んでいるた
め、ＡｒＦエキシマレーザー装置１を空気中で操作する
と、結果的に図７に点線で示すようなレーザースペクト
ルを得る。
帯のグラフに示すように、酸素分子が特定の波長（たと
えば、１９３．１ｎｍ、１９３．３ｎｍ、１９３．５ｎ
ｍなど）のエネルギーを吸収可能であるため、かつ上述
のＡｒＦエキシマレーザー装置１からの発振ビームの波
長帯域がこの酸素分子による吸収帯域を含んでいるた
め、ＡｒＦエキシマレーザー装置１を空気中で操作する
と、結果的に図７に点線で示すようなレーザースペクト
ルを得る。
【０００６】したがって、発振ビームのスペクトルが乱
れるとともに、そのエネルギーが減衰し、エネルギーを
吸収した酸素分子はオゾンを発生することとなり、Ａｒ
Ｆエキシマレーザー装置１の性能低下の問題および安全
上の問題が生じた。
れるとともに、そのエネルギーが減衰し、エネルギーを
吸収した酸素分子はオゾンを発生することとなり、Ａｒ
Ｆエキシマレーザー装置１の性能低下の問題および安全
上の問題が生じた。
【０００７】そこで、図４に仮想線で示すように、光共
振器５のハーフミラー４から発振側において発振ビーム
のまわりにダクト状のカバー６を取り付けた上で光学系
７を配置するとともに、ダクト状のカバー６の内部を窒
素ガスでパージしていた。
振器５のハーフミラー４から発振側において発振ビーム
のまわりにダクト状のカバー６を取り付けた上で光学系
７を配置するとともに、ダクト状のカバー６の内部を窒
素ガスでパージしていた。
【０００８】したがって、こうしたダクト状のカバー６
などの補助機構を追加的に設けるために、光伝送系が複
雑になること、光伝送系の自由度が少なくなること、窒
素ガスが必要となることなどの問題がある。
などの補助機構を追加的に設けるために、光伝送系が複
雑になること、光伝送系の自由度が少なくなること、窒
素ガスが必要となることなどの問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
諸問題にかんがみなされたもので、空気中で運転した場
合であっても、オゾンの発生を抑えることにより、安全
を確保するとともにエネルギーの伝送効率を向上させる
ことができるエキシマレーザー装置を提供することを課
題とする。
諸問題にかんがみなされたもので、空気中で運転した場
合であっても、オゾンの発生を抑えることにより、安全
を確保するとともにエネルギーの伝送効率を向上させる
ことができるエキシマレーザー装置を提供することを課
題とする。
【００１０】また本発明は、従来のダクト状のカバー６
および窒素ガスの供給排気手段を不要としたエキシマレ
ーザー装置を提供することを課題とする。
および窒素ガスの供給排気手段を不要としたエキシマレ
ーザー装置を提供することを課題とする。
【００１１】さらに本発明は、光学系７を複雑にするこ
とがないエキシマレーザー装置を提供することを課題と
する。
とがないエキシマレーザー装置を提供することを課題と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、酸素
分子によるエネルギー吸収帯を外すことに着目したもの
で、レーザー媒質を収容したレーザーベッセルと、この
レーザーベッセルと組み合わせて設けた光共振器と、を
有し、レーザービームを発振するエキシマレーザー装置
であって、上記発振ビームの波長帯を酸素分子による吸
収帯から避けた帯域に合わせることができる波長選択素
子を、上記レーザーベッセルと上記光共振器との間に配
置することを特徴とするエキシマレーザー装置である。
分子によるエネルギー吸収帯を外すことに着目したもの
で、レーザー媒質を収容したレーザーベッセルと、この
レーザーベッセルと組み合わせて設けた光共振器と、を
有し、レーザービームを発振するエキシマレーザー装置
であって、上記発振ビームの波長帯を酸素分子による吸
収帯から避けた帯域に合わせることができる波長選択素
子を、上記レーザーベッセルと上記光共振器との間に配
置することを特徴とするエキシマレーザー装置である。
【００１３】上記エキシマレーザー媒質は、アルゴンガ
スおよびフッ素ガスを含むことができる。
スおよびフッ素ガスを含むことができる。
【００１４】上記波長選択素子は、これを上記光共振器
の全反射ミラーと上記レーザーベッセルとの間に配置す
ることができる。
の全反射ミラーと上記レーザーベッセルとの間に配置す
ることができる。
【００１５】上記波長選択素子は、これをエタロン、プ
リズム、あるいはグレーティング（回折格子）などとす
ることができる。
リズム、あるいはグレーティング（回折格子）などとす
ることができる。
【００１６】
【作用】本発明によるエキシマレーザー装置において
は、エタロン、プリズムあるいはグレーティングなどの
波長選択素子により、波長の狭帯域化を行い、発振ビー
ムの波長帯を酸素分子による吸収帯から避けた帯域に合
わせることができるようにしたので、発振ビームが空気
中を伝搬しても、酸素分子が発振ビームからエネルギー
を吸収することがなく、エネルギーの減衰を防止すると
ともに、オゾンの発生もこれを抑制することができる。
は、エタロン、プリズムあるいはグレーティングなどの
波長選択素子により、波長の狭帯域化を行い、発振ビー
ムの波長帯を酸素分子による吸収帯から避けた帯域に合
わせることができるようにしたので、発振ビームが空気
中を伝搬しても、酸素分子が発振ビームからエネルギー
を吸収することがなく、エネルギーの減衰を防止すると
ともに、オゾンの発生もこれを抑制することができる。
【００１７】したがって、運転上安全であるとともに、
従来のようにダクト状のカバー６あるいは窒素ガスの供
給排気手段を設けることが不要で、光学系７が複雑にな
ることもない。
従来のようにダクト状のカバー６あるいは窒素ガスの供
給排気手段を設けることが不要で、光学系７が複雑にな
ることもない。
【００１８】
【実施例】つぎに本発明の第１の実施例によるエキシマ
レーザー装置１０を図１および図７にもとづき説明す
る。ただし、図４ないし図７と同様の部分には同一符号
を付し、その詳述はこれを省略する。
レーザー装置１０を図１および図７にもとづき説明す
る。ただし、図４ないし図７と同様の部分には同一符号
を付し、その詳述はこれを省略する。
【００１９】図１は、エキシマレーザー装置１０の概略
側面図であって、エキシマレーザー装置１０において
は、レーザーベッセル２と全反射ミラー３との間に波長
選択素子として、エタロン１１を配置してある。
側面図であって、エキシマレーザー装置１０において
は、レーザーベッセル２と全反射ミラー３との間に波長
選択素子として、エタロン１１を配置してある。
【００２０】エタロン１１は、高精度に研磨した平行な
一対の光学ガラスに反射誘導体多層膜を蒸着したもの
で、酸素分子による吸収波長、すなわち、図６あるいは
図７のたとえば、１９３．１ｎｍ、１９３．３ｎｍ、１
９３．５ｎｍなどを除外するように、発振ビームの波長
を選択可能とする。
一対の光学ガラスに反射誘導体多層膜を蒸着したもの
で、酸素分子による吸収波長、すなわち、図６あるいは
図７のたとえば、１９３．１ｎｍ、１９３．３ｎｍ、１
９３．５ｎｍなどを除外するように、発振ビームの波長
を選択可能とする。
【００２１】エタロン１１の具体的な仕様としては、た
とえば平行度は０．１”以下、エアギャップ間隔は４
９．８μｍ、ＰＲＣ面面精度は一方の基板がλ＝６３３
ｎｍで−０．０２７λ、他方の基板がλ＝６３３ｎｍで
＋０．０２４λ、ＦＳＲ（フリー・スペクトル・レン
ジ）は９９ｃｍ-1、フィネスはビーム径１８ｍｍで２０
程度、接着基板平行度１．２’である。
とえば平行度は０．１”以下、エアギャップ間隔は４
９．８μｍ、ＰＲＣ面面精度は一方の基板がλ＝６３３
ｎｍで−０．０２７λ、他方の基板がλ＝６３３ｎｍで
＋０．０２４λ、ＦＳＲ（フリー・スペクトル・レン
ジ）は９９ｃｍ-1、フィネスはビーム径１８ｍｍで２０
程度、接着基板平行度１．２’である。
【００２２】こうした仕様のエタロン１１を有する構成
のエキシマレーザー装置１０によれば、図７に実線で示
すようなレーザースペクトル（波長が１９３．４ｎｍ）
を得ることができ、エタロン１１の傾きを調節すること
により、発振ビームの波長帯を酸素分子による吸収帯か
ら避けた帯域（たとえば上述の仕様の場合には、波長が
１９３．２ｎｍあるいは図中実線の１９３．４ｎｍと二
箇所）に合わせることができる。
のエキシマレーザー装置１０によれば、図７に実線で示
すようなレーザースペクトル（波長が１９３．４ｎｍ）
を得ることができ、エタロン１１の傾きを調節すること
により、発振ビームの波長帯を酸素分子による吸収帯か
ら避けた帯域（たとえば上述の仕様の場合には、波長が
１９３．２ｎｍあるいは図中実線の１９３．４ｎｍと二
箇所）に合わせることができる。
【００２３】したがって、エキシマレーザー装置１０か
らの発振ビームが空気中を伝搬しても、空気中の酸素分
子が発振ビームからエネルギーを吸収することがなく、
エネルギーの減衰を防止するとともに、オゾンの発生も
これを抑制することができる。
らの発振ビームが空気中を伝搬しても、空気中の酸素分
子が発振ビームからエネルギーを吸収することがなく、
エネルギーの減衰を防止するとともに、オゾンの発生も
これを抑制することができる。
【００２４】したがって、従来のようにダクト状のカバ
ー６を設けることが不要であるとともに、光学系７が複
雑になることもない。
ー６を設けることが不要であるとともに、光学系７が複
雑になることもない。
【００２５】なお、こうして狭帯域化した発振ビーム
を、１メートルの空気中を伝搬させたときに、エネルギ
ーのロスがないことを確認した。
を、１メートルの空気中を伝搬させたときに、エネルギ
ーのロスがないことを確認した。
【００２６】図２は、本発明の第２の実施例によるエキ
シマレーザー装置２０の概略側面図であって、波長選択
素子としてエタロン１１の代わりにプリズム２１を用い
たものである。
シマレーザー装置２０の概略側面図であって、波長選択
素子としてエタロン１１の代わりにプリズム２１を用い
たものである。
【００２７】プリズム２１は、光がその波長により屈折
率の異なる分散現象を利用するもので、その配置角度を
調整することによって、レーザーベッセル２内への入射
ビームの波長を選択することができ、図１のエキシマレ
ーザー装置１０と同様の作用を期待することが可能であ
る。
率の異なる分散現象を利用するもので、その配置角度を
調整することによって、レーザーベッセル２内への入射
ビームの波長を選択することができ、図１のエキシマレ
ーザー装置１０と同様の作用を期待することが可能であ
る。
【００２８】図３は、本発明の第３の実施例によるエキ
シマレーザー装置３０の概略側面図であって、波長選択
素子としてエタロン１１の代わりにグレーティング（回
折格子）３１を用いたものである。
シマレーザー装置３０の概略側面図であって、波長選択
素子としてエタロン１１の代わりにグレーティング（回
折格子）３１を用いたものである。
【００２９】グレーティング３１は、１ｍｍあたり２０
０〜３０００本程度の細かい等間隔スリット状あるいは
溝状の格子構造に形成したもので、その配置角度を選択
することによって、レーザーベッセル２内への入射ビー
ムの波長を選択することができ、図１のエキシマレーザ
ー装置１０と同様の作用を期待することが可能である。
０〜３０００本程度の細かい等間隔スリット状あるいは
溝状の格子構造に形成したもので、その配置角度を選択
することによって、レーザーベッセル２内への入射ビー
ムの波長を選択することができ、図１のエキシマレーザ
ー装置１０と同様の作用を期待することが可能である。
【００３０】なお本発明によるエキシマレーザー装置
は、上述のＡｒＦエキシマレーザーに限定されることな
く、その発振ビームの波長帯域に酸素分子による吸収帯
があるような、その他のレーザー発振用ガス媒体を利用
したエキシマレーザーに応用することができる。
は、上述のＡｒＦエキシマレーザーに限定されることな
く、その発振ビームの波長帯域に酸素分子による吸収帯
があるような、その他のレーザー発振用ガス媒体を利用
したエキシマレーザーに応用することができる。
【００３１】さらに、本発明によるエキシマレーザー装
置を、酸素分子による吸収帯に発振ビームの波長を合わ
せることによって、オゾン生成装置とすることも可能で
ある。
置を、酸素分子による吸収帯に発振ビームの波長を合わ
せることによって、オゾン生成装置とすることも可能で
ある。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、発振ビー
ムの波長の狭帯域化を行うことにより、酸素分子による
吸収帯を避けた帯域に波長を合わせたので、発振ビーム
が空気中を伝搬しても、酸素分子によるエネルギーの吸
収がないため、エネルギーロスを生じないとともに、オ
ゾンも生成されることがない。
ムの波長の狭帯域化を行うことにより、酸素分子による
吸収帯を避けた帯域に波長を合わせたので、発振ビーム
が空気中を伝搬しても、酸素分子によるエネルギーの吸
収がないため、エネルギーロスを生じないとともに、オ
ゾンも生成されることがない。
【００３３】
【図１】本発明の第１の実施例によるエキシマレーザー
装置１０の概略側面図である。
装置１０の概略側面図である。
【図２】本発明の第２の実施例によるエキシマレーザー
装置２０の概略側面図である。
装置２０の概略側面図である。
【図３】本発明の第３の実施例によるエキシマレーザー
装置３０の概略側面図である。
装置３０の概略側面図である。
【図４】従来からのＡｒＦエキシマレーザー１の概略側
面図である。
面図である。
【図５】同、真空中におけるレーザースペクトルのグラ
フである。
フである。
【図６】同、酸素分子による吸収帯のグラフである。
【図７】従来からのＡｒＦエキシマレーザー１の空気中
でのレーザースペクトル（点線）、および本発明の第１
の実施例によるエキシマレーザー装置１０の狭帯域化し
た空気中でのレーザースペクトル（実線）である。
でのレーザースペクトル（点線）、および本発明の第１
の実施例によるエキシマレーザー装置１０の狭帯域化し
た空気中でのレーザースペクトル（実線）である。
１ ＡｒＦエキシマレーザー装置 ２ レーザーベッセル ３ 全反射ミラー ４ ハーフミラー ５ 光共振器 ６ ダクト状のカバー ７ 光学系 １０ エキシマレーザー装置 １１ エタロン（波長選択素子） ２０ エキシマレーザー装置 ２１ プリズム（波長選択素子） ３０ エキシマレーザー装置 ３１ グレーティング（回折格子）（波長選択素子）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/13 3/225
Claims (6)
- 【請求項１】 レーザー媒質を収容したレーザーベッ
セルと、 このレーザーベッセルと組み合わせて設けた光共振器
と、を有し、レーザービームを発振するエキシマレーザ
ー装置であって、 前記発振ビームの波長帯を酸素分子による吸収帯から避
けた帯域に合わせることができる波長選択素子を、前記
レーザーベッセルと前記光共振器との間に配置すること
を特徴とするエキシマレーザー装置。 - 【請求項２】 前記エキシマレーザー媒質は、アルゴ
ンガスおよびフッ素ガスを含むことを特徴とする請求項
１記載のエキシマレーザー装置。 - 【請求項３】 前記波長選択素子は、これを前記光共
振器の全反射ミラーと前記レーザーベッセルとの間に配
置することを特徴とする請求項１記載のエキシマレーザ
ー装置。 - 【請求項４】 前記波長選択素子は、これをエタロン
としたことを特徴とする請求項１記載のエキシマレーザ
ー装置。 - 【請求項５】 前記波長選択素子は、これをプリズム
としたことを特徴とする請求項１記載のエキシマレーザ
ー装置。 - 【請求項６】 前記波長選択素子は、これをグレーテ
ィングとしたことを特徴とする請求項１記載のエキシマ
レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7635994A JPH07263779A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | エキシマレーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7635994A JPH07263779A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | エキシマレーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263779A true JPH07263779A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13603171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7635994A Pending JPH07263779A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | エキシマレーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263779A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018100638A1 (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工システム及びレーザ加工方法 |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP7635994A patent/JPH07263779A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018100638A1 (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工システム及びレーザ加工方法 |
| JPWO2018100638A1 (ja) * | 2016-11-29 | 2019-10-17 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工システム及びレーザ加工方法 |
| US11465233B2 (en) | 2016-11-29 | 2022-10-11 | Gigaphoton Inc. | Laser processing system and laser processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE38039E1 (en) | Laser for generating narrow-band radiation | |
| US6560254B2 (en) | Line-narrowing module for high power laser | |
| US6154470A (en) | Molecular fluorine (F2) laser with narrow spectral linewidth | |
| US6466598B2 (en) | F2-laser with line selection | |
| US7826500B2 (en) | Fiber laser and optical device | |
| US6044094A (en) | Laser system with optical parametric oscillator | |
| JP6652684B1 (ja) | レーザ装置 | |
| EP1041689A1 (en) | Excimer laser | |
| US5148441A (en) | Solid state laser | |
| KR980006669A (ko) | 레이저 광 발생장치 | |
| US6522681B1 (en) | Laser for the generation of narrow band radiation | |
| US10965087B2 (en) | Laser device | |
| JP2007012981A (ja) | 光学素子の内部全反射面に高反射コーティングを施したレーザ装置 | |
| JP3613153B2 (ja) | ビームスプリッター及びそれを用いたレーザシステム | |
| JPH07263779A (ja) | エキシマレーザー装置 | |
| JP5393725B2 (ja) | 多段増幅型レーザシステム | |
| JP2001085774A (ja) | 波長可変レーザおよびレーザ発振波長切替方法 | |
| US20250246865A1 (en) | Laser apparatus and electronic device manufacturing method | |
| JP2951050B2 (ja) | ２波長発振ｑスイッチｃｏ２レ−ザ装置 | |
| JPH05291674A (ja) | 狭帯域化光学素子 | |
| JP2002151776A (ja) | 真空紫外レーザ装置 | |
| JPH05218555A (ja) | 狭帯域化レーザ発振装置 | |
| JP2713949B2 (ja) | レーザー装置 | |
| JPH0243786A (ja) | レーザ装置 | |
| JPH06308557A (ja) | 改良した高調波発生装置 |