JPH07267674A - 短波長紫外線ランプ用高純度シリカガラス - Google Patents
短波長紫外線ランプ用高純度シリカガラスInfo
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- JPH07267674A JPH07267674A JP8358094A JP8358094A JPH07267674A JP H07267674 A JPH07267674 A JP H07267674A JP 8358094 A JP8358094 A JP 8358094A JP 8358094 A JP8358094 A JP 8358094A JP H07267674 A JPH07267674 A JP H07267674A
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- Japan
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- silica glass
- ultraviolet
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １５０〜２２０ｎｍの紫外線の発光でも初
期の透過率が高い高純度シリカガラスを提供すること。 【構成】 遷移金属元素各々の含有量が１０ｗｔｐｐｂ
以下、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素各
々の含有量が５０ｗｔｐｐｂ以下、ＯＨ基濃度が１００
ｗｔｐｐｍ〜２，０００ｗｔｐｐｍで、かつ初期透過率
が３０％以上であることを特徴とする短波長紫外線ラン
プ用高純度シリカガラス。
期の透過率が高い高純度シリカガラスを提供すること。 【構成】 遷移金属元素各々の含有量が１０ｗｔｐｐｂ
以下、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素各
々の含有量が５０ｗｔｐｐｂ以下、ＯＨ基濃度が１００
ｗｔｐｐｍ〜２，０００ｗｔｐｐｍで、かつ初期透過率
が３０％以上であることを特徴とする短波長紫外線ラン
プ用高純度シリカガラス。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線発光ランプ用シ
リカガラス、特にＡｒＣｌエキシマランプ、Ｘｅ2エキ
シマランプ、重水素ランプ、ＤｅｅｐＵＶランプ、水銀
ランプ等波長１５０ｎｍ〜２２０ｎｍ域の紫外線を発光
するランプ用高純度シリカガラスに関する。
リカガラス、特にＡｒＣｌエキシマランプ、Ｘｅ2エキ
シマランプ、重水素ランプ、ＤｅｅｐＵＶランプ、水銀
ランプ等波長１５０ｎｍ〜２２０ｎｍ域の紫外線を発光
するランプ用高純度シリカガラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外線は半導体工業、食品・医療衛生分
野、レ−ザ光学分野等で使用され、例えば半導体工業で
は光ＣＶＤ、光洗浄、光リソグラフィ−等に、また食品
・医療衛生分野では殺菌、脱臭、水処理等に、さらにレ
−ザ光学分野ではレ−ザ発振体励起光源として利用され
ている。この紫外線を発生する素子としては紫外線ラン
プが一般的によく利用されている。紫外線ランプには封
入金属ガスを比較的低圧力低温度で発光させる低圧水銀
ランプ、重水素ランプ、エキシマランプや封入金属ガス
を比較的高圧力高温度で発光させる高圧水銀ランプ、メ
タルハライドランプ等がある。前記ランプの何れも発生
した紫外線をランプチュ−ブ外に放射するためチュ−ブ
材料は紫外線透過性がよく、発光温度に十分耐える材料
でなければならない。その上ランプチュ−ブに加工する
ための加工特性にも優れていることが要求される。こう
した要求に答える材料としてシリカガラスがあり、紫外
線ランプチュ−ブは殆どシリカガラスで作製されてき
た。
野、レ−ザ光学分野等で使用され、例えば半導体工業で
は光ＣＶＤ、光洗浄、光リソグラフィ−等に、また食品
・医療衛生分野では殺菌、脱臭、水処理等に、さらにレ
−ザ光学分野ではレ−ザ発振体励起光源として利用され
ている。この紫外線を発生する素子としては紫外線ラン
プが一般的によく利用されている。紫外線ランプには封
入金属ガスを比較的低圧力低温度で発光させる低圧水銀
ランプ、重水素ランプ、エキシマランプや封入金属ガス
を比較的高圧力高温度で発光させる高圧水銀ランプ、メ
タルハライドランプ等がある。前記ランプの何れも発生
した紫外線をランプチュ−ブ外に放射するためチュ−ブ
材料は紫外線透過性がよく、発光温度に十分耐える材料
でなければならない。その上ランプチュ−ブに加工する
ための加工特性にも優れていることが要求される。こう
した要求に答える材料としてシリカガラスがあり、紫外
線ランプチュ−ブは殆どシリカガラスで作製されてき
た。
【０００３】しかしながら、シリカガラス中には微量の
遷移金属元素やアルカリ金属元素・アルカリ土類金属元
素等の不純物が含まれており、これら金属不純物が、特
に遷移金属元素が紫外線を吸収するため、紫外線ランプ
チュ−ブ用シリカガラスには、前記金属元素不純物の少
ないものが使用されてきた。
遷移金属元素やアルカリ金属元素・アルカリ土類金属元
素等の不純物が含まれており、これら金属不純物が、特
に遷移金属元素が紫外線を吸収するため、紫外線ランプ
チュ−ブ用シリカガラスには、前記金属元素不純物の少
ないものが使用されてきた。
【０００４】上記比較的低圧力低温度で発光させる低圧
水銀ランプ、重水素ランプ、エキシマランプにあっては
発光温度が低いこともあってアルカリ金属元素・アルカ
リ土類金属元素の含有に基づく失透の起こることは少な
いが、それでもこれらの不純物含有量は５０ｗｔｐｐｂ
以下が良い。
水銀ランプ、重水素ランプ、エキシマランプにあっては
発光温度が低いこともあってアルカリ金属元素・アルカ
リ土類金属元素の含有に基づく失透の起こることは少な
いが、それでもこれらの不純物含有量は５０ｗｔｐｐｂ
以下が良い。
【０００５】このように遷移金属元素、アルカリ金属元
素・アルカリ土類金属元素の含有量の少ないシリカガラ
スを用いて作成した紫外線ランプであっても、長時間発
光させるとランプチュ−ブ材に紫外線ダメ−ジが現れ、
所謂ソラリゼ−ションによる紫外線の透過率低下が起こ
る。特に低圧力低温度で発光させる上記の紫外線ランプ
において顕著であった。
素・アルカリ土類金属元素の含有量の少ないシリカガラ
スを用いて作成した紫外線ランプであっても、長時間発
光させるとランプチュ−ブ材に紫外線ダメ−ジが現れ、
所謂ソラリゼ−ションによる紫外線の透過率低下が起こ
る。特に低圧力低温度で発光させる上記の紫外線ランプ
において顕著であった。
【０００６】この問題を解決するため、本発明者等は遷
移金属元素、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属
元素の含有量を特定の範囲にするとともに、非移動性Ｏ
Ｈ基濃度並びに仮想温度を規定することにより耐紫外線
性の優れた紫外線ランプ用高純度シリカガラスを開発
し、提案した。とこが、前記高純度シリカガラスであっ
ても波長が１５０〜２２０ｎｍの紫外線（以下短波長紫
外線という）を長時間発光させると紫外線ダメージが起
こり、未だ満足のいく短波長紫外線ランプ用シリカガラ
スが提案されていない。
移金属元素、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属
元素の含有量を特定の範囲にするとともに、非移動性Ｏ
Ｈ基濃度並びに仮想温度を規定することにより耐紫外線
性の優れた紫外線ランプ用高純度シリカガラスを開発
し、提案した。とこが、前記高純度シリカガラスであっ
ても波長が１５０〜２２０ｎｍの紫外線（以下短波長紫
外線という）を長時間発光させると紫外線ダメージが起
こり、未だ満足のいく短波長紫外線ランプ用シリカガラ
スが提案されていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】こういした現状を踏ま
えて、本発明者等は、短波長の紫外線に対しての透過率
が高く、その後も安定な透過率を保持するシリカガラス
について鋭意研究を重ねた結果、シリカガラス中のアル
カリ金属元素、アルカリ土類金属元素、遷移金属元素お
よびＯＨ基濃度とともに、１６３ｎｍ光の透過率を特定
の範囲以上とすることで、上記欠点のないシリカガラス
が得られることを見出し、本発明を完成したものであ
る。
えて、本発明者等は、短波長の紫外線に対しての透過率
が高く、その後も安定な透過率を保持するシリカガラス
について鋭意研究を重ねた結果、シリカガラス中のアル
カリ金属元素、アルカリ土類金属元素、遷移金属元素お
よびＯＨ基濃度とともに、１６３ｎｍ光の透過率を特定
の範囲以上とすることで、上記欠点のないシリカガラス
が得られることを見出し、本発明を完成したものであ
る。
【０００８】すなわち、本発明は、１５０〜２２０ｎｍ
の紫外線の発光に対してもソラリゼーションが起こりに
くく、ランプ寿命を長く保持できる紫外線ランプ用シリ
カガラスを提供することを目的とする。
の紫外線の発光に対してもソラリゼーションが起こりに
くく、ランプ寿命を長く保持できる紫外線ランプ用シリ
カガラスを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、シリカガラス中のアルカリ金属元素およびアルカ
リ土類金属元素各々の含有量を各々５０ｗｔｐｐｂ以
下、遷移金属元素各々の含有量を１０ｗｔｐｐｂ、ＯＨ
基濃度を１００ｗｔｐｐｍ〜２，０００ｗｔｐｐｍと
し、かつ１６３ｎｍ光の透過率が３０％以上である短波
長紫外線ランプ用シリカガラスに係る。
明は、シリカガラス中のアルカリ金属元素およびアルカ
リ土類金属元素各々の含有量を各々５０ｗｔｐｐｂ以
下、遷移金属元素各々の含有量を１０ｗｔｐｐｂ、ＯＨ
基濃度を１００ｗｔｐｐｍ〜２，０００ｗｔｐｐｍと
し、かつ１６３ｎｍ光の透過率が３０％以上である短波
長紫外線ランプ用シリカガラスに係る。
【００１０】波長が１５０〜２２０ｎｍの短波長紫外線
は高エネルギーを有し、紫外線ランプ用に開発されたシ
リカガラスであっても容易にダメージが与えられその寿
命は短いものであった。特にシリカガラス中に遷移金属
元素不純物としてのＴｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕの各
含有量が１０ｗｔｐｐｂを超えると、紫外線吸収が大き
くなる。そのため紫外線チューブ用シリカガラスにあっ
ては前記遷移金属元素の含有量を各々１０ｗｔｐｐｂ以
下にする必要がある。アルカリ金属元素およびアルカリ
土類金属元素の含有量は低圧用紫外線ランプ用のシリカ
ガラスにあっては高温での発光がないので前記不純物に
基づく失透も少ないが、それでも各々５０ｗｔｐｐｂ以
下にすることが肝要である。
は高エネルギーを有し、紫外線ランプ用に開発されたシ
リカガラスであっても容易にダメージが与えられその寿
命は短いものであった。特にシリカガラス中に遷移金属
元素不純物としてのＴｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕの各
含有量が１０ｗｔｐｐｂを超えると、紫外線吸収が大き
くなる。そのため紫外線チューブ用シリカガラスにあっ
ては前記遷移金属元素の含有量を各々１０ｗｔｐｐｂ以
下にする必要がある。アルカリ金属元素およびアルカリ
土類金属元素の含有量は低圧用紫外線ランプ用のシリカ
ガラスにあっては高温での発光がないので前記不純物に
基づく失透も少ないが、それでも各々５０ｗｔｐｐｂ以
下にすることが肝要である。
【００１１】また、シリカガラス中のＯＨ基の含有量を
１００ｗｔｐｐｍ〜２，０００ｗｔｐｐｍとすると、Ｏ
Ｈ基がガラスネットワークのターミネーターとなりシリ
カガラス中の歪みをリラックスさせたり、あるいはレー
ザ照射により発生したＥ’センター（２１５ｎｍ吸収）
と反応し、該センターに基づく紫外線ダメージを抑制さ
せる。ＯＨ基の含有量が１００ｗｔｐｐｍ未満では前記
作用が低下し紫外線ダメージの抑制効果がなく、逆に、
ＯＨ基の含有量が２，０００ｗｔｐｐｍを超えると１５
０〜１８０ｎｍの透過率を低下させる。
１００ｗｔｐｐｍ〜２，０００ｗｔｐｐｍとすると、Ｏ
Ｈ基がガラスネットワークのターミネーターとなりシリ
カガラス中の歪みをリラックスさせたり、あるいはレー
ザ照射により発生したＥ’センター（２１５ｎｍ吸収）
と反応し、該センターに基づく紫外線ダメージを抑制さ
せる。ＯＨ基の含有量が１００ｗｔｐｐｍ未満では前記
作用が低下し紫外線ダメージの抑制効果がなく、逆に、
ＯＨ基の含有量が２，０００ｗｔｐｐｍを超えると１５
０〜１８０ｎｍの透過率を低下させる。
【００１２】上記に加えて、１６３ｎｍ光の透過率が高
いと、紫外線ダメージがさらに減少する。この１６３ｎ
ｍ光の透過率はシリカガラスの構造欠陥の１つである酸
素原子の欠損に基づく欠陥である酸素欠損型欠陥濃度を
表わす尺度であり（Ｈ．Ｉｍａｉ ｅｔ ａｌ．，（１
９８８）Ｔｗｏ ｔｙｐｅｓ ｏｆ ｏｘｙｇｅｎーｄ
ｅｆｉｃｉｅｎｔ ｃｅｎｔｅｒｓ ｉｎ ｓｙｎｔｈ
ｅｔｉｃ ｓｉｌｉｃａ ｇｌａｓｓ． Ｐｈｙｓｉｃ
ａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ，Ｖｏｌ．３８，Ｎｏ．１７，
ｐｐ１２７７２〜１２７７５）、それが３０％以上であ
ると、１５０〜２２０ｎｍ域の透過率が高くなるだけで
なく、１５０〜２２０ｎｍの紫外線が長時間発光しても
紫外線ソラリゼーション等のダメージを受けることが少
なくなる。前記１６３ｎｍ光の透過率は、厚さ２ｍｍの
両面鏡面仕上げした平行板状サンプルに１６３ｎｍ光を
照射したとときの透過量をパーセントで表わした値をい
う。
いと、紫外線ダメージがさらに減少する。この１６３ｎ
ｍ光の透過率はシリカガラスの構造欠陥の１つである酸
素原子の欠損に基づく欠陥である酸素欠損型欠陥濃度を
表わす尺度であり（Ｈ．Ｉｍａｉ ｅｔ ａｌ．，（１
９８８）Ｔｗｏ ｔｙｐｅｓ ｏｆ ｏｘｙｇｅｎーｄ
ｅｆｉｃｉｅｎｔ ｃｅｎｔｅｒｓ ｉｎ ｓｙｎｔｈ
ｅｔｉｃ ｓｉｌｉｃａ ｇｌａｓｓ． Ｐｈｙｓｉｃ
ａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ，Ｖｏｌ．３８，Ｎｏ．１７，
ｐｐ１２７７２〜１２７７５）、それが３０％以上であ
ると、１５０〜２２０ｎｍ域の透過率が高くなるだけで
なく、１５０〜２２０ｎｍの紫外線が長時間発光しても
紫外線ソラリゼーション等のダメージを受けることが少
なくなる。前記１６３ｎｍ光の透過率は、厚さ２ｍｍの
両面鏡面仕上げした平行板状サンプルに１６３ｎｍ光を
照射したとときの透過量をパーセントで表わした値をい
う。
【００１３】本発明の短波長紫外線ランプ用高純度シリ
カガラスは以下の数種類の方法により製造される。すな
わち、先ずＳｉＣｌ4、ＨＳｉＣｌ3、ＣＨ3ＳｉＣｌ3、
（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ2、ＣＨ3Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、Ｓｉ
（ＯＣＨ3）4等のケイ素化合物を原料とし、それから酸
水素またはプロパン等の火炎加水分解法で合成したシリ
カガラスを加熱成形してチュ−ブ状とし、好ましくは次
いで大気または窒素雰囲気下、あるいは１Ｔｏｒｒ以下
の真空下で、９００℃〜１，３００℃で１０〜１００時
間加熱処理して製造される。前記各種製造法のシリカガ
ラスはその中の遷移金属元素各々の含有量が１０ｗｔｐ
ｐｂ以下、アルカリ金属元素およびアルカリ土類元素各
々の含有量が５０ｗｔｐｐｂ以下になるように作成され
る。また、加熱処理条件はシリカガラス中のＯＨ基濃度
が１００ｗｔｐｐｍ〜２，０００ｗｔｐｐｍ、１６３ｎ
ｍ光の透過率が３０％以上となる条件が選択される。前
記合成シリカガラスの作り方において酸水素火炎加水分
解法が好ましい。これ以外の例えばプラズマ法等では、
シリカガラス中のＯＨ基濃度が極端に少なくなり過ぎ、
紫外線によるソラリゼ−ションを抑えることができな
い。
カガラスは以下の数種類の方法により製造される。すな
わち、先ずＳｉＣｌ4、ＨＳｉＣｌ3、ＣＨ3ＳｉＣｌ3、
（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ2、ＣＨ3Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、Ｓｉ
（ＯＣＨ3）4等のケイ素化合物を原料とし、それから酸
水素またはプロパン等の火炎加水分解法で合成したシリ
カガラスを加熱成形してチュ−ブ状とし、好ましくは次
いで大気または窒素雰囲気下、あるいは１Ｔｏｒｒ以下
の真空下で、９００℃〜１，３００℃で１０〜１００時
間加熱処理して製造される。前記各種製造法のシリカガ
ラスはその中の遷移金属元素各々の含有量が１０ｗｔｐ
ｐｂ以下、アルカリ金属元素およびアルカリ土類元素各
々の含有量が５０ｗｔｐｐｂ以下になるように作成され
る。また、加熱処理条件はシリカガラス中のＯＨ基濃度
が１００ｗｔｐｐｍ〜２，０００ｗｔｐｐｍ、１６３ｎ
ｍ光の透過率が３０％以上となる条件が選択される。前
記合成シリカガラスの作り方において酸水素火炎加水分
解法が好ましい。これ以外の例えばプラズマ法等では、
シリカガラス中のＯＨ基濃度が極端に少なくなり過ぎ、
紫外線によるソラリゼ−ションを抑えることができな
い。
【００１４】本発明のシリカガラス中の各物性値は以下
の方法により測定される。 １）ＯＨ基濃度測定：赤外線吸収分光光度法による
（Ｄ．Ｍ．Ｄｏｄｄ、Ｄ．Ｂ．Ｆｒａｓｅｒ（１９６
６）、ＯｐｔｉｃａｌＤｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎｓ
ｏｆ ＯＨ ｉｎＦｕｓｅｄ Ｓｉｌｉｃａ Ｊ．Ａｐ
ｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ３７，ｐｐ．３９１
１）。
の方法により測定される。 １）ＯＨ基濃度測定：赤外線吸収分光光度法による
（Ｄ．Ｍ．Ｄｏｄｄ、Ｄ．Ｂ．Ｆｒａｓｅｒ（１９６
６）、ＯｐｔｉｃａｌＤｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎｓ
ｏｆ ＯＨ ｉｎＦｕｓｅｄ Ｓｉｌｉｃａ Ｊ．Ａｐ
ｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ３７，ｐｐ．３９１
１）。
【００１６】２）Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ，Ｃｒ、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｕの分析法：原子吸光分析法による。
Ｎｉ、Ｃｕの分析法：原子吸光分析法による。
【００１７】４）Ｌｉ、Ｔｉの分析法：ＩＰＣ質量分析
法による。
法による。
【００１８】５）透過率：紫外線分光光度法による。
【００１９】６）Ｘｅ2エキシマランプ照射実験：Ｘｅ2
エキシマランプ、波長１７２ｎｍ、光出力１Ｗ、光エネ
ルギ−密度０．１Ｗ／ｃｍ2、照射時間１００時間後、
波長１７２ｎｍでの透過率測定。
エキシマランプ、波長１７２ｎｍ、光出力１Ｗ、光エネ
ルギ−密度０．１Ｗ／ｃｍ2、照射時間１００時間後、
波長１７２ｎｍでの透過率測定。
【００２０】
実施例１〜４ ＳｉＣｌ4を原料とし、酸水素火炎加水分解法により表
１に示す不純物濃度の高純度シリカガラスシリンダ−を
合成した。得られた合成シリカガラスシリンダ−を円筒
型電気炉の上部より挿入し、軟化点以上に加熱し直径３
０ｍｍ、肉厚２ｍｍ、長さ２００ｍｍのチュ−ブに加熱
成形した。該チュ−ブを２けい化モリブデンのヒ−タの
ある電気炉内に設置し、大気中にて１，１００℃で１０
０時間加熱処理を行い、該熱処理チュ−ブを更にステン
レススチ−ルジャケットで、タングステンメッシュヒ−
タ−のある真空炉内に設置し、約１×１０-2Ｔｏｒｒの
真空度で１０時間、１，０００℃の加熱処理を行った。
得られたチュ−ブにつてＸｅ2エキシマランプを照射し
たところ、そのチューブの示す透過率曲線はＸｅ2エキ
シマランプ照射前のチューブが示す図１の透過率曲線と
殆ど同じであった。さらに前記チューブの性能確認実験
を行ったところ、表１のとおりであった。
１に示す不純物濃度の高純度シリカガラスシリンダ−を
合成した。得られた合成シリカガラスシリンダ−を円筒
型電気炉の上部より挿入し、軟化点以上に加熱し直径３
０ｍｍ、肉厚２ｍｍ、長さ２００ｍｍのチュ−ブに加熱
成形した。該チュ−ブを２けい化モリブデンのヒ−タの
ある電気炉内に設置し、大気中にて１，１００℃で１０
０時間加熱処理を行い、該熱処理チュ−ブを更にステン
レススチ−ルジャケットで、タングステンメッシュヒ−
タ−のある真空炉内に設置し、約１×１０-2Ｔｏｒｒの
真空度で１０時間、１，０００℃の加熱処理を行った。
得られたチュ−ブにつてＸｅ2エキシマランプを照射し
たところ、そのチューブの示す透過率曲線はＸｅ2エキ
シマランプ照射前のチューブが示す図１の透過率曲線と
殆ど同じであった。さらに前記チューブの性能確認実験
を行ったところ、表１のとおりであった。
【００２１】比較例１〜４ 上記各実施例と比較のため表１記載のＯＨ基及び不純物
含量のシリカガラスチュ−ブを同表記載の条件の加熱処
理を行った。その結果を表１に示す。
含量のシリカガラスチュ−ブを同表記載の条件の加熱処
理を行った。その結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】注）（１）透過率は、厚さ２ｍｍ、波長１
７２ｎｍでの初期透過率をいう。 （２）Ｘｅ2エキシマランプ照射の透過率は、Ｘｅ2エキ
シマランプ（１７２ｎｍ）、光エネルギ−密度０．１Ｗ
／ｃｍ2、１００時間照射後の１７２ｎｍでの透過率を
いう。
７２ｎｍでの初期透過率をいう。 （２）Ｘｅ2エキシマランプ照射の透過率は、Ｘｅ2エキ
シマランプ（１７２ｎｍ）、光エネルギ−密度０．１Ｗ
／ｃｍ2、１００時間照射後の１７２ｎｍでの透過率を
いう。
【００２５】上記表に示されるように本発明のシリカガ
ラスではランプ１００時間の点灯照射後も僅かな透過率
の低下があるに過ぎない。これに対し、本発明の範囲外
のシリカガラスは初期透過率が悪く、かつランプ照射後
の透過率の低下にも著しいものがある。
ラスではランプ１００時間の点灯照射後も僅かな透過率
の低下があるに過ぎない。これに対し、本発明の範囲外
のシリカガラスは初期透過率が悪く、かつランプ照射後
の透過率の低下にも著しいものがある。
【００２６】
【発明の効果】本発明のシリカガラスは、１５０〜２２
０ｎｍの紫外線にたいしても安定で、紫外線ダメージが
少ない。そのため、前記波長を発光する短波長紫外線ラ
ンプのチューブ材として使用してもソラリゼ−ションに
基づく透過率の低下がなく寿命の長い紫外線ランプを作
成することができる。
０ｎｍの紫外線にたいしても安定で、紫外線ダメージが
少ない。そのため、前記波長を発光する短波長紫外線ラ
ンプのチューブ材として使用してもソラリゼ−ションに
基づく透過率の低下がなく寿命の長い紫外線ランプを作
成することができる。
【図１】本発明の高純度シリカガラスの透過率曲線を示
す。
す。
Claims (1)
- 【請求項１】遷移金属元素各々の含有量が１０ｗｔｐｐ
ｂ以下、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素
各々の含有量が５０ｗｔｐｐｂ以下、ＯＨ基濃度が１０
０ｗｔｐｐｍ〜２，０００ｗｔｐｐｍで、かつ１６３ｎ
ｍ光の透過率が３０％以上であることを特徴とする短波
長紫外線ランプ用高純度シリカガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8358094A JPH07267674A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 短波長紫外線ランプ用高純度シリカガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8358094A JPH07267674A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 短波長紫外線ランプ用高純度シリカガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07267674A true JPH07267674A (ja) | 1995-10-17 |
Family
ID=13806440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8358094A Pending JPH07267674A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 短波長紫外線ランプ用高純度シリカガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07267674A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009022456A1 (ja) * | 2007-08-15 | 2009-02-19 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | 光触媒用シリカガラス及び光触媒用シリカガラスの製造方法 |
| JP2009154090A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 光触媒用シリカガラス及びその製造方法 |
| JP2020017548A (ja) * | 2014-04-30 | 2020-01-30 | ケーエルエー コーポレイション | 広帯域光源 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP8358094A patent/JPH07267674A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2009046328A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 光触媒用シリカガラス及び光触媒用シリカガラスの製造方法 |
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