JPH07268186A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH07268186A JPH07268186A JP6064694A JP6064694A JPH07268186A JP H07268186 A JPH07268186 A JP H07268186A JP 6064694 A JP6064694 A JP 6064694A JP 6064694 A JP6064694 A JP 6064694A JP H07268186 A JPH07268186 A JP H07268186A
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- epoxy resin
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化
促進剤、総エポキシ樹脂組成物中に７０〜９０重量％含
む無機充填材及び総エポキシ樹脂組成物中に０．１〜
３．０重量％含む下記式のオルガノポリシロキサンから
なる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【効果】 耐湿性に非常に優れ、かつ耐半田ストレス性
に優れたものである。
促進剤、総エポキシ樹脂組成物中に７０〜９０重量％含
む無機充填材及び総エポキシ樹脂組成物中に０．１〜
３．０重量％含む下記式のオルガノポリシロキサンから
なる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【効果】 耐湿性に非常に優れ、かつ耐半田ストレス性
に優れたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの表面
実装化における耐湿性及び耐半田ストレス性に優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
実装化における耐湿性及び耐半田ストレス性に優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特
に集積回路では耐熱性、耐湿性に優れたオルソクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹
脂、溶融シリカ、結晶シリカ等の無機充填材を配合した
エポキシ樹脂組成物が用いられている。ところが近年、
集積回路の高集積化に伴いチップがだんだん大型化し、
かつパッケージは従来のＤＩＰタイプから表面実装化さ
れた小型、薄型のＱＦＰ，ＳＯＰ，ＳＯＪ，ＴＳＯＰ，
ＴＱＦＰ，ＰＬＣＣに変わってきている。即ち、大型チ
ップを小型で薄いパッケージに封入することになり、熱
応力によりクラックが発生し、これらのクラックによる
耐湿性の低下等の問題が大きくクローズアップされてき
ている。特に半田付けの工程において急激に２００℃以
上の高温にさらされることにより、パッケージの割れや
樹脂とチップの剥離により耐湿性が劣化してしまうとい
った問題点がでてきている。従って、これらの大型チッ
プを封止するのに適した信頼性の高い半導体封止用樹脂
組成物の開発が望まれている。これらを改善するため、
低弾性率化、低熱膨張係数化、高衝撃強度化、低吸水率
化等の手法が用いられている。これらの中で低応力剤
（例えば、特開昭６０−１３８４１号公報）と呼ばれる
エポキシ基及びポリエーテル基を含むオルガノポリシロ
キサンが低弾性率化には有効であるが、同時に密着性及
び強度も低下するため、半田耐熱性が低下し、良好な半
導体封止用樹脂組成物は得られなかった。
回路等の電子部品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特
に集積回路では耐熱性、耐湿性に優れたオルソクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹
脂、溶融シリカ、結晶シリカ等の無機充填材を配合した
エポキシ樹脂組成物が用いられている。ところが近年、
集積回路の高集積化に伴いチップがだんだん大型化し、
かつパッケージは従来のＤＩＰタイプから表面実装化さ
れた小型、薄型のＱＦＰ，ＳＯＰ，ＳＯＪ，ＴＳＯＰ，
ＴＱＦＰ，ＰＬＣＣに変わってきている。即ち、大型チ
ップを小型で薄いパッケージに封入することになり、熱
応力によりクラックが発生し、これらのクラックによる
耐湿性の低下等の問題が大きくクローズアップされてき
ている。特に半田付けの工程において急激に２００℃以
上の高温にさらされることにより、パッケージの割れや
樹脂とチップの剥離により耐湿性が劣化してしまうとい
った問題点がでてきている。従って、これらの大型チッ
プを封止するのに適した信頼性の高い半導体封止用樹脂
組成物の開発が望まれている。これらを改善するため、
低弾性率化、低熱膨張係数化、高衝撃強度化、低吸水率
化等の手法が用いられている。これらの中で低応力剤
（例えば、特開昭６０−１３８４１号公報）と呼ばれる
エポキシ基及びポリエーテル基を含むオルガノポリシロ
キサンが低弾性率化には有効であるが、同時に密着性及
び強度も低下するため、半田耐熱性が低下し、良好な半
導体封止用樹脂組成物は得られなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題点に対して、無機充填材を総エポキシ樹脂組成物中に
７０〜９０重量％含むことにより、成形物の低熱膨張化
及び低吸水化を図り、式（１）で示されるオルガノポリ
シロキサンを用いることにより、リードフレーム及び半
導体チップとの接着性を損なうことなく成形物の高温吸
湿における低弾性率化による低応力化により、基板実装
時における半導体パッケージの耐湿性及び耐半田ストレ
ス性を著しく向上させた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供するところにある。
題点に対して、無機充填材を総エポキシ樹脂組成物中に
７０〜９０重量％含むことにより、成形物の低熱膨張化
及び低吸水化を図り、式（１）で示されるオルガノポリ
シロキサンを用いることにより、リードフレーム及び半
導体チップとの接着性を損なうことなく成形物の高温吸
湿における低弾性率化による低応力化により、基板実装
時における半導体パッケージの耐湿性及び耐半田ストレ
ス性を著しく向上させた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供するところにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進
剤、（Ｄ）総エポキシ樹脂組成物中に７０〜９０重量％
含む無機充填材及び（Ｅ）総エポキシ樹脂組成物中に
０．１〜３．０重量％含む式（１）で示されるオルガノ
ポリシロキサン
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進
剤、（Ｄ）総エポキシ樹脂組成物中に７０〜９０重量％
含む無機充填材及び（Ｅ）総エポキシ樹脂組成物中に
０．１〜３．０重量％含む式（１）で示されるオルガノ
ポリシロキサン
【０００４】
【化２】
【０００５】からなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物
であり、従来のエポキシ樹脂組成物に比べ、優れた信頼
性として耐半田ストレス性と半田処理後の耐湿性を有す
るものである。
であり、従来のエポキシ樹脂組成物に比べ、優れた信頼
性として耐半田ストレス性と半田処理後の耐湿性を有す
るものである。
【０００６】本発明に用いるオルガノポリシロキサンは
式（１）の分子構造で示されるが、分子中にポリカプロ
ラクトン基を有しており、従来のエポキシ基及びポリエ
ーテル基を含むオルガノポリシロキサンに比べ、ポリカ
プロラクトン基の効果として耐熱性に優れ、リードフレ
ーム等の金属類との接着性が優れる。従って表面装置の
半田付け時における熱ストレスを低減でき耐半田クラッ
ク性に優れ、さらに耐湿性にも優れるエポキシ樹脂組成
物を得ることができる。式中のＮは１０≦Ｎ＝ｌ＋ｎ＋
２≦５０であるが、１０未満だと低弾性率性、高強度性
が低下し、また、Ｎが５０を越えると成形時ブリード
し、成形性を大きく損なう。更に、０．０５≦ｎ／Ｎ≦
０．８であることが好ましい。ｎ／Ｎが０．０５未満だ
と、エポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂との相溶性が
悪くなるため成形時に樹脂からブリードし易くなる。ま
た、ｎ／Ｎが０．８を越えると相溶性が増すためガラス
転移温度が低下し低応力効果が生じない。Ｒは炭素数１
〜８のアルキレン基であるが、好ましい炭素数は１〜４
である。ａは１以上であるが、好ましくは１〜５であ
る。更にＲ1、Ｒ2は、式（１）の通りであるが、好まし
いＲ1はメチル基である。このオルガノポリシロキサン
の使用量はこれを調節することにより耐湿性及び耐半田
クラック性を最大限に引きだすことができる。この効果
を引きだすためには総エポキシ樹脂組成物中に０．１〜
３．０重量％含有することが好ましい。０．１重量％未
満だと低応力効果が望めなく耐半田クラック性が低下す
る。また３．０重量％を超えると成形時に樹脂とリード
フレームにブリードし密着性低下、さらに耐半田クラッ
ク性が低下する。
式（１）の分子構造で示されるが、分子中にポリカプロ
ラクトン基を有しており、従来のエポキシ基及びポリエ
ーテル基を含むオルガノポリシロキサンに比べ、ポリカ
プロラクトン基の効果として耐熱性に優れ、リードフレ
ーム等の金属類との接着性が優れる。従って表面装置の
半田付け時における熱ストレスを低減でき耐半田クラッ
ク性に優れ、さらに耐湿性にも優れるエポキシ樹脂組成
物を得ることができる。式中のＮは１０≦Ｎ＝ｌ＋ｎ＋
２≦５０であるが、１０未満だと低弾性率性、高強度性
が低下し、また、Ｎが５０を越えると成形時ブリード
し、成形性を大きく損なう。更に、０．０５≦ｎ／Ｎ≦
０．８であることが好ましい。ｎ／Ｎが０．０５未満だ
と、エポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂との相溶性が
悪くなるため成形時に樹脂からブリードし易くなる。ま
た、ｎ／Ｎが０．８を越えると相溶性が増すためガラス
転移温度が低下し低応力効果が生じない。Ｒは炭素数１
〜８のアルキレン基であるが、好ましい炭素数は１〜４
である。ａは１以上であるが、好ましくは１〜５であ
る。更にＲ1、Ｒ2は、式（１）の通りであるが、好まし
いＲ1はメチル基である。このオルガノポリシロキサン
の使用量はこれを調節することにより耐湿性及び耐半田
クラック性を最大限に引きだすことができる。この効果
を引きだすためには総エポキシ樹脂組成物中に０．１〜
３．０重量％含有することが好ましい。０．１重量％未
満だと低応力効果が望めなく耐半田クラック性が低下す
る。また３．０重量％を超えると成形時に樹脂とリード
フレームにブリードし密着性低下、さらに耐半田クラッ
ク性が低下する。
【０００７】本発明で用いるエポキシ樹脂はエポキシ基
を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を言う。
例えば、ビフェニル型エポキシ化合物、ナフタレン型エ
ポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ化合物、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ化
合物、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ化
合物及びトリアジン核含有エポキシ樹脂等が挙げられ
る。本発明で用いるフェノール樹脂硬化剤としては、フ
ェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変
性フェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙
げられ、特にフェノールノボラック樹脂、ジシクロペン
タジエン変性フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェ
ノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂及びこれらの
混合物が好ましい。又、これらの硬化剤の配合量として
はエポキシ化合物のエポキシ基数と硬化剤の水酸基数を
合わせるように配合することが好ましい。
を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を言う。
例えば、ビフェニル型エポキシ化合物、ナフタレン型エ
ポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ化合物、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ化
合物、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ化
合物及びトリアジン核含有エポキシ樹脂等が挙げられ
る。本発明で用いるフェノール樹脂硬化剤としては、フ
ェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変
性フェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙
げられ、特にフェノールノボラック樹脂、ジシクロペン
タジエン変性フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェ
ノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂及びこれらの
混合物が好ましい。又、これらの硬化剤の配合量として
はエポキシ化合物のエポキシ基数と硬化剤の水酸基数を
合わせるように配合することが好ましい。
【０００８】本発明に用いる硬化促進剤はエポキシ基と
水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一
般に封止材料に使用されているものを広く使用すること
ができる。例えば、ジアザビシクロウンデセン、トリフ
ェニルホスフィン、ベンジルジメチルアミンや２−メチ
ルイミダゾール等が単独もしくは２種類以上混合して用
いられる。本発明で用いる無機充填材としては、溶融シ
リカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝集
シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、アルミナ等が挙げら
れ、特に球状シリカ粉末、又は溶融シリカ粉末と球状シ
リカ粉末との混合物が好ましい。また、無機充填材の配
合量は、耐半田クラック性と成形性及び流動性のバラン
スから総エポキシ樹脂組成物中に７０〜９０重量％、更
に望ましくは７８〜８８重量％含有することが好まし
い。無機充填材量が７０重量％未満だと低熱膨張化、低
吸水化が得られず耐半田クラック性が不充分である。ま
た、無機充填材量が９０重量％を超えると高粘度化によ
る半導体パッケージ中のダイパッド、金線ワイヤーのず
れ等の不都合が生じる。
水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一
般に封止材料に使用されているものを広く使用すること
ができる。例えば、ジアザビシクロウンデセン、トリフ
ェニルホスフィン、ベンジルジメチルアミンや２−メチ
ルイミダゾール等が単独もしくは２種類以上混合して用
いられる。本発明で用いる無機充填材としては、溶融シ
リカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝集
シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、アルミナ等が挙げら
れ、特に球状シリカ粉末、又は溶融シリカ粉末と球状シ
リカ粉末との混合物が好ましい。また、無機充填材の配
合量は、耐半田クラック性と成形性及び流動性のバラン
スから総エポキシ樹脂組成物中に７０〜９０重量％、更
に望ましくは７８〜８８重量％含有することが好まし
い。無機充填材量が７０重量％未満だと低熱膨張化、低
吸水化が得られず耐半田クラック性が不充分である。ま
た、無機充填材量が９０重量％を超えると高粘度化によ
る半導体パッケージ中のダイパッド、金線ワイヤーのず
れ等の不都合が生じる。
【０００９】本発明のエポキシ樹脂組成物はエポキシ樹
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、無機充填材及
びオルガノポリシロキサンを必須成分とするが、これ以
外に必要に応じてシランカップリング剤、ブロム化エポ
キシ樹脂、三酸化アンチモン、ヘキサブロムベンゼン等
の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、天
然ワックス及び合成ワックス等の離型剤等の種々の添加
剤を適宜配合しても差し支えがない。また、本発明の封
止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として製造するに
は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、
その他の添加剤をミキサー等によって充分に均一に混合
した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練し、冷
却後粉砕して成形材料とすることができる。これらの成
形材料は電気部品あるいは電子部品であるトランジス
タ、集積回路等の被覆、絶縁、封止等適用することがで
きる。
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、無機充填材及
びオルガノポリシロキサンを必須成分とするが、これ以
外に必要に応じてシランカップリング剤、ブロム化エポ
キシ樹脂、三酸化アンチモン、ヘキサブロムベンゼン等
の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、天
然ワックス及び合成ワックス等の離型剤等の種々の添加
剤を適宜配合しても差し支えがない。また、本発明の封
止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として製造するに
は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、
その他の添加剤をミキサー等によって充分に均一に混合
した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練し、冷
却後粉砕して成形材料とすることができる。これらの成
形材料は電気部品あるいは電子部品であるトランジス
タ、集積回路等の被覆、絶縁、封止等適用することがで
きる。
【００１０】以下本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１ 式（２）で示されるオルガノポリシロキサン ０．５重量部
【００１１】
【化３】
【００１２】 ３，３’，５，５’−テトラメチルビスフェノールジグリシジルエーテル（融 点１０４℃、エポキシ当量１９１ｇ／ｅｑ） １０．２重量部 フェノールノボラック樹脂硬化剤（軟化点９４℃、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ ） ５．６重量部 溶融シリカ粉末（平均粒径１０μｍ、比表面積２．０ｍ2／ｇ） ３４．５重量部 球状シリカ粉末（平均粒径３０μｍ、比表面積２．０ｍ2／ｇ） ４８重量部 トリフェニルホスフィン ０．２重量部 カーボンブラック ０．５重量部 カルナバワックス ０．５重量部 をミキサーで常温で混合し、７０〜１００℃で２軸ロー
ルにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とした。粉砕
して得られた成形材料は、ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じた
金型を用い、１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の
条件でスパイラルフローを測定した。更に得られた成形
材料をタブレット化し、低圧トランスファー成形機にて
１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で半田ク
ラック試験用として６ｍｍ×６ｍｍのチップを５２ｐＱ
ＦＰに封止し、また半田耐湿性試験用として３ｍｍ×６
ｍｍのチップを１６ｐＳＯＰに封止した。封止したテス
ト用素子について下記の半田クラック試験及び半田耐湿
性試験を行った。評価結果を表１に示す。
ルにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とした。粉砕
して得られた成形材料は、ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じた
金型を用い、１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の
条件でスパイラルフローを測定した。更に得られた成形
材料をタブレット化し、低圧トランスファー成形機にて
１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で半田ク
ラック試験用として６ｍｍ×６ｍｍのチップを５２ｐＱ
ＦＰに封止し、また半田耐湿性試験用として３ｍｍ×６
ｍｍのチップを１６ｐＳＯＰに封止した。封止したテス
ト用素子について下記の半田クラック試験及び半田耐湿
性試験を行った。評価結果を表１に示す。
【００１３】半田クラック試験：封止したテスト用素子
を８５℃、８５ＲＨの環境下で２４時間及び４８時間処
理し、その後２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬後顕微鏡
で外部クラックを観察した。 半田耐湿性試験：封止したテスト用素子を８５℃、８５
％ＲＨの環境下で７２時間処理し、その後２６０℃の半
田槽に１０秒間浸漬後、プレッシャークッカー試験（１
２５℃、１００％ＲＨ）を行い、回路のオープン不良を
測定した。
を８５℃、８５ＲＨの環境下で２４時間及び４８時間処
理し、その後２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬後顕微鏡
で外部クラックを観察した。 半田耐湿性試験：封止したテスト用素子を８５℃、８５
％ＲＨの環境下で７２時間処理し、その後２６０℃の半
田槽に１０秒間浸漬後、プレッシャークッカー試験（１
２５℃、１００％ＲＨ）を行い、回路のオープン不良を
測定した。
【００１４】実施例２〜４ 表１の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行った。評価結果は表１に示
す。
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行った。評価結果は表１に示
す。
【００１５】比較例１〜８ 表２の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行った。比較例８に用いるオ
ルガノポリシロキサンは、下記の式のものを用いた。評
価結果を表２に示す。
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行った。比較例８に用いるオ
ルガノポリシロキサンは、下記の式のものを用いた。評
価結果を表２に示す。
【００１６】
【化４】
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【発明の効果】基板実装時における半導体パッケージの
成形性と耐湿性を著しく向上させ、かつ耐半田ストレス
性に優れたものである。
成形性と耐湿性を著しく向上させ、かつ耐半田ストレス
性に優れたものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０８Ｇ 77/38 ＮＵＦ (Ｃ０８Ｌ 63/00 83:06）
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）総エポキシ樹脂
組成物中に７０〜９０重量％含む無機充填材及び（Ｅ）
総エポキシ樹脂組成物中に０．１〜３．０重量％含む式
（１）で示されるオルガノポリシロキサン 【化１】 からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。 - 【請求項２】 Ｒ1がメチル基である請求項１記載の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 エポキシ樹脂が３，３’，５，５’−テ
トラメチルビスフェノールジグリシジルエーテルである
請求項１又は請求項２記載の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06064694A JP3334998B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06064694A JP3334998B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07268186A true JPH07268186A (ja) | 1995-10-17 |
| JP3334998B2 JP3334998B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=13148311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06064694A Expired - Lifetime JP3334998B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3334998B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008106161A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2008195874A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 |
| JP2008195875A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2008239905A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2008143016A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-27 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた電子部品装置 |
| WO2009041472A1 (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
| JP2009097005A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
| JP2009149845A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-07-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
| JP2009179814A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-08-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2009179772A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2009179815A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-08-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| CN106674910A (zh) * | 2016-12-22 | 2017-05-17 | 科化新材料泰州有限公司 | 一种半导体封装用低应力环氧塑封料 |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP06064694A patent/JP3334998B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008106161A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
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| JP2008195875A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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| JP2008303385A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-12-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた電子部品装置 |
| WO2009041472A1 (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
| JP2009097005A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
| US8785525B2 (en) | 2007-09-25 | 2014-07-22 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device |
| JP2009149845A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-07-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
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| CN106674910A (zh) * | 2016-12-22 | 2017-05-17 | 科化新材料泰州有限公司 | 一种半导体封装用低应力环氧塑封料 |
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|---|---|
| JP3334998B2 (ja) | 2002-10-15 |
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