JPH0726839Y2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0726839Y2 JPH0726839Y2 JP4117885U JP4117885U JPH0726839Y2 JP H0726839 Y2 JPH0726839 Y2 JP H0726839Y2 JP 4117885 U JP4117885 U JP 4117885U JP 4117885 U JP4117885 U JP 4117885U JP H0726839 Y2 JPH0726839 Y2 JP H0726839Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- reaction chamber
- substrate
- phase growth
- vapor phase
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体装置の製造などに用いられる気相成長
装置に係り、特に稼動率の向上と作業の安全性の向上に
関するものである。
装置に係り、特に稼動率の向上と作業の安全性の向上に
関するものである。
〔従来の技術〕 気相成長装置は、加熱源を備えた反応室を有し、この反
応室内に半導体基板などの基板を置き、前記加熱源によ
り基板を加熱すると共に反応室内に反応ガスを供給して
基板の表面に気相成長層を形成するものである。この気
相成長装置には種々の装置があるが、通常、１つの反応
室に対し１つの基板支持体が設けられているのみであ
る。
応室内に半導体基板などの基板を置き、前記加熱源によ
り基板を加熱すると共に反応室内に反応ガスを供給して
基板の表面に気相成長層を形成するものである。この気
相成長装置には種々の装置があるが、通常、１つの反応
室に対し１つの基板支持体が設けられているのみであ
る。
基板および基板支持体は高温に加熱されるため、作業の
安全性からはこれらが十分冷却するのを待って基板支持
体に対する基板のローディング、アンローディングを行
なうことが好ましいが、このようにすると運転のサイク
ルタイムが増加して稼動率が低下してしまう。また、基
板支持体へ設置する基板の枚数が増加すると、該基板の
ローディング、アンローディング自身にも時間が掛り、
稼動率が低下してしまう。
安全性からはこれらが十分冷却するのを待って基板支持
体に対する基板のローディング、アンローディングを行
なうことが好ましいが、このようにすると運転のサイク
ルタイムが増加して稼動率が低下してしまう。また、基
板支持体へ設置する基板の枚数が増加すると、該基板の
ローディング、アンローディング自身にも時間が掛り、
稼動率が低下してしまう。
本考案は、フタにより開閉可能に形成された反応室と、
複数の基板を支持可能に形成されて前記フタに取り付け
られ該フタを閉じたとき反応室内に置かれる基板支持体
と、前記フタを上下動させるとともに反応室の側方へ旋
回可能に支持する移動装置とからなる気相成長装置であ
って、前記フタ、基板支持体及び移動装置が反応室に対
してそれぞれ左右対称に設けたものである。
複数の基板を支持可能に形成されて前記フタに取り付け
られ該フタを閉じたとき反応室内に置かれる基板支持体
と、前記フタを上下動させるとともに反応室の側方へ旋
回可能に支持する移動装置とからなる気相成長装置であ
って、前記フタ、基板支持体及び移動装置が反応室に対
してそれぞれ左右対称に設けたものである。
１つの基板支持体が反応室内にあって、それに設置され
ている基板に気相成長を施こしている間に、他の基板支
持体は反応室外に位置させ、これに対する基板のローデ
ィング、アンローディングを行ない、前者の基板支持体
が気相成長を終了して反応室から出されたとき、後者の
基板支持体をただちに反応室内に入れて次の気相成長を
行なう。これにより稼動率が向上すると共に、ローディ
ング、アンローディングの時間を十分取れるため作業の
安全性も向上する。
ている基板に気相成長を施こしている間に、他の基板支
持体は反応室外に位置させ、これに対する基板のローデ
ィング、アンローディングを行ない、前者の基板支持体
が気相成長を終了して反応室から出されたとき、後者の
基板支持体をただちに反応室内に入れて次の気相成長を
行なう。これにより稼動率が向上すると共に、ローディ
ング、アンローディングの時間を十分取れるため作業の
安全性も向上する。
以下本考案の一実施例を示す第１図ないし第２図につい
て説明する。１はベースプレート、２は石英製の反応
管、３はノズル４を取付けたリング、5aはフタで、これ
により反応室６を形成するようになっている。７は反応
室６の排気口である。反応室６内には、反応管２と同心
状にそれより若干小径のカーボン製の均熱管８が設けら
れている。反応管２の外側には、石英製の反応管２を透
過して均熱管８を加熱するRFコイルなどの加熱源９が設
けられている。
て説明する。１はベースプレート、２は石英製の反応
管、３はノズル４を取付けたリング、5aはフタで、これ
により反応室６を形成するようになっている。７は反応
室６の排気口である。反応室６内には、反応管２と同心
状にそれより若干小径のカーボン製の均熱管８が設けら
れている。反応管２の外側には、石英製の反応管２を透
過して均熱管８を加熱するRFコイルなどの加熱源９が設
けられている。
前記フタ5aは、第１図において反応室６の右方に位置す
る移動装置10aのアーム11aに取付けられている。移動装
置10aは、ベースプレート１に取付けられたガイド筒12
a、これに昇降および旋回可能に取付けられたロッド13
a、同ロッド13aの昇降駆動部14aならびに旋回駆動部15a
を有し、このロッド13aの上端に前記アーム11aが固定さ
れている。
る移動装置10aのアーム11aに取付けられている。移動装
置10aは、ベースプレート１に取付けられたガイド筒12
a、これに昇降および旋回可能に取付けられたロッド13
a、同ロッド13aの昇降駆動部14aならびに旋回駆動部15a
を有し、このロッド13aの上端に前記アーム11aが固定さ
れている。
フタ5aには、複数の基板16aを保持する基板支持体17aが
取付けられ、フタ5aを閉じたとき、基板16aを反応室６
内の所定位置に置くようになっている。
取付けられ、フタ5aを閉じたとき、基板16aを反応室６
内の所定位置に置くようになっている。
また、第１図において反応室６の左方には、前記移動装
置10aと同じ移動装置10bが互いに対称に設けられ、その
アーム11bにはフタ5bが取付けられている。このフタ5b
は、前述したフタ5aと全く同じもので、同様に基板16b
を保持する基板支持体17bを有し、フタ5aを第２図に仮
想線で示すように開いたとき、代りにフタ5bを閉じ得る
ようになっている。
置10aと同じ移動装置10bが互いに対称に設けられ、その
アーム11bにはフタ5bが取付けられている。このフタ5b
は、前述したフタ5aと全く同じもので、同様に基板16b
を保持する基板支持体17bを有し、フタ5aを第２図に仮
想線で示すように開いたとき、代りにフタ5bを閉じ得る
ようになっている。
次いで本装置の作用について説明する。気相成長は、加
熱源９により均熱管８を加熱して、その中に置かれた基
板16aを加熱すると共に、ノズル４から反応ガスを供給
して行なう。所定時間気相成長を行なったならば、加熱
源９による加熱を停止すると共に、ノズル４からH2、N2
のパージガスを順次供給して反応室６内をN2ガス雰囲気
にした後、移動装置10aの昇降駆動部14aを作動させ、ロ
ッド13a、アーム11aを介してフタ5aを上昇させる。この
フタ5aの上昇により基板支持体17aが反応室６の上方に
出される。次いで旋回駆動部15aを作動させ、ロッド13
a、アーム11aを介してフタ5aを第２図に仮想線で示す位
置へ移動させる。
熱源９により均熱管８を加熱して、その中に置かれた基
板16aを加熱すると共に、ノズル４から反応ガスを供給
して行なう。所定時間気相成長を行なったならば、加熱
源９による加熱を停止すると共に、ノズル４からH2、N2
のパージガスを順次供給して反応室６内をN2ガス雰囲気
にした後、移動装置10aの昇降駆動部14aを作動させ、ロ
ッド13a、アーム11aを介してフタ5aを上昇させる。この
フタ5aの上昇により基板支持体17aが反応室６の上方に
出される。次いで旋回駆動部15aを作動させ、ロッド13
a、アーム11aを介してフタ5aを第２図に仮想線で示す位
置へ移動させる。
このとき、他側のフタ5bに取付けられている基板支持体
17bには基板16bの設置が完了している。そこで、移動装
置10bを作動させ、基板支持体17bを反応室６内に入れ、
フタ5bにより反応室６を閉じて基板16bに対する気相成
長を開始する。
17bには基板16bの設置が完了している。そこで、移動装
置10bを作動させ、基板支持体17bを反応室６内に入れ、
フタ5bにより反応室６を閉じて基板16bに対する気相成
長を開始する。
この基板16bに対する気相成長中に、前記のように反応
室６から外したフタ5aを第２図に仮想線で示す位置で下
降させ、これに取付けられている基板支持体17aに設置
されている気相成長済みの基板16aのアンローディング
と新らたな基板のローディングを行なう。この基板支持
体17aに対する基板のローディング、アンローディング
は、他方の基板支持体17bに設置されている基板16bの気
相成長が終了してフタ5bが開かれるまでの間に行なわれ
ればよいため、十分な時間を取ることができ、ある程度
低温になるのを待って安全に行なうことが可能になる。
室６から外したフタ5aを第２図に仮想線で示す位置で下
降させ、これに取付けられている基板支持体17aに設置
されている気相成長済みの基板16aのアンローディング
と新らたな基板のローディングを行なう。この基板支持
体17aに対する基板のローディング、アンローディング
は、他方の基板支持体17bに設置されている基板16bの気
相成長が終了してフタ5bが開かれるまでの間に行なわれ
ればよいため、十分な時間を取ることができ、ある程度
低温になるのを待って安全に行なうことが可能になる。
前述した実施例は、加熱源９としてRFコイルを用い、こ
れにより均熱管８を加熱して基板16a、16bを加熱するよ
うにした気相成長装置に本考案を適用した例を示した
が、基板支持体自身を発熱性のある部材で形成し、これ
をRFコイルや他の加熱源により加熱する方式のものであ
ってもよい等、種種の方式の気相成長装置に適用し得る
ものである。
れにより均熱管８を加熱して基板16a、16bを加熱するよ
うにした気相成長装置に本考案を適用した例を示した
が、基板支持体自身を発熱性のある部材で形成し、これ
をRFコイルや他の加熱源により加熱する方式のものであ
ってもよい等、種種の方式の気相成長装置に適用し得る
ものである。
以上述べたように本考案によれば、一方の基板支持体に
対する基板のローディング、アンディング時に他方の基
板支持体に設置されている基板に対する気相成長を行な
うことができるため、特に多数の基板を設置する方式の
気相成長装置において稼動率を大巾に向上させることが
でき、また、基板のローディン、アンディングは、時間
を十分長く取れるため、安全にして確実に行なえる効果
が得られ、装置の自動化に適している。
対する基板のローディング、アンディング時に他方の基
板支持体に設置されている基板に対する気相成長を行な
うことができるため、特に多数の基板を設置する方式の
気相成長装置において稼動率を大巾に向上させることが
でき、また、基板のローディン、アンディングは、時間
を十分長く取れるため、安全にして確実に行なえる効果
が得られ、装置の自動化に適している。
第１図は本考案の一実施例を示す一部破断正面図、第２
図は第１図の平面図である。 5a,5b……フタ、６……反応室、10a,10b……移動装置、
16a,16b……基板、17a,17b……基板支持体。
図は第１図の平面図である。 5a,5b……フタ、６……反応室、10a,10b……移動装置、
16a,16b……基板、17a,17b……基板支持体。
Claims (1)
- 【請求項１】フタにより開閉可能に形成された反応室
と、複数の基板を支持可能に形成されて前記フタに取り
付けられ該フタを閉じたとき反応室内に置かれる基板支
持体と、前記フタを上下動させるとともに反応室の側方
へ旋回可能に支持する移動装置とからなる気相成長装置
であって、前記フタ、基板支持体及び移動装置が反応室
に対してそれぞれ左右対称に設けられていることを特徴
とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4117885U JPH0726839Y2 (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4117885U JPH0726839Y2 (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61157327U JPS61157327U (ja) | 1986-09-30 |
| JPH0726839Y2 true JPH0726839Y2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=30550758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4117885U Expired - Lifetime JPH0726839Y2 (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726839Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-03-22 JP JP4117885U patent/JPH0726839Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61157327U (ja) | 1986-09-30 |
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