JPH07270729A - 雑音フィルターおよびその製造方法 - Google Patents
雑音フィルターおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH07270729A JPH07270729A JP6168094A JP6168094A JPH07270729A JP H07270729 A JPH07270729 A JP H07270729A JP 6168094 A JP6168094 A JP 6168094A JP 6168094 A JP6168094 A JP 6168094A JP H07270729 A JPH07270729 A JP H07270729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- noise filter
- quantum well
- well layer
- light
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光信号の雑音を低減する雑音フィルターにお
いて、キャリア寿命を短くするとともに、可飽和吸収特
性の感度を上げる。 【構成】 多重量子井戸層として、従来の成長温度であ
る５００℃より低温の１５０℃〜４００℃で、ドーパン
トとしてｐ型元素、特にＢｅを添加して、成長させた多
重量子井戸層を用い、さらに、素子を反射型とする。
いて、キャリア寿命を短くするとともに、可飽和吸収特
性の感度を上げる。 【構成】 多重量子井戸層として、従来の成長温度であ
る５００℃より低温の１５０℃〜４００℃で、ドーパン
トとしてｐ型元素、特にＢｅを添加して、成長させた多
重量子井戸層を用い、さらに、素子を反射型とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、将来の高速かつ大容量
光通信システムにおいて、光増幅器から発生する自然放
出光（ＡＳＥ；Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅ
ｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）雑音を受動的に除去する雑
音フィルターおよびその製造方法に関するものである。
光通信システムにおいて、光増幅器から発生する自然放
出光（ＡＳＥ；Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅ
ｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）雑音を受動的に除去する雑
音フィルターおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信において、光信号を電気信号に変
換することなく、光の状態のまま増幅するために、エル
ビウムドープファイバ増幅器（ＥＤＦＡ；Ｅｒｂｉｕｍ
Ｄｏｐｅｄ Ｆｉｂｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）が用
いられる。図１（ａ）に示すように、このエルビウムド
ープファイバ増幅器１では、図１（ｂ）に示すような入
力光パルスが入力されると、図１（ｃ）に示すような出
力パルスが得られるが、このとき、自然放出光（ＡＳ
Ｅ）雑音２が信号光パルス列３に重畳される。そのた
め、信号のＳＮ比（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ
Ｒａｔｉｏ）が劣化する問題が生じる。この問題を解決
する方法として、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉｐ
ｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）層が有する過飽和吸
収特性を利用することが容易に考えられる。１．５５μ
ｍ帯の可飽和吸収体（雑音フィルター）の一例を、図２
に示す。この図に示すような従来の雑音フィルターにお
ける多重量子井戸層４は、ＩｎＰ基板５上に５００℃で
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓをノンドープで成長させた
ものである。この過飽和吸収体の表面でのフレネル反射
を抑えるため、両面には低反射膜（ＡＲコート；Ａｎｔ
ｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏａｔｉｎｇ）６が施され
ている。入力光信号Ｉは、光強度を上げるため、集光レ
ンズ７により多重量子井戸層４中に絞り込まれる。この
とき、多重量子井戸層４は光信号Ｉの一部を吸収し、内
部にキャリアを蓄積する。励起されたキャリアは、クー
ロン遮蔽効果や位相空間充満効果により励起子吸収に関
与する状態密度を減少させる。その結果、図３に示すよ
うに、光が弱いときは、大きな吸収を受け、光が強くな
ると、吸収が小さくなる。この光強度と透過率の関係を
図４に示す。すなわち、光強度の高い光パルスは大きく
透過し、光強度の弱い雑音は吸収され、余り透過しなく
なる。その結果、雑音である自然放出光は低減される。
換することなく、光の状態のまま増幅するために、エル
ビウムドープファイバ増幅器（ＥＤＦＡ；Ｅｒｂｉｕｍ
Ｄｏｐｅｄ Ｆｉｂｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）が用
いられる。図１（ａ）に示すように、このエルビウムド
ープファイバ増幅器１では、図１（ｂ）に示すような入
力光パルスが入力されると、図１（ｃ）に示すような出
力パルスが得られるが、このとき、自然放出光（ＡＳ
Ｅ）雑音２が信号光パルス列３に重畳される。そのた
め、信号のＳＮ比（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ
Ｒａｔｉｏ）が劣化する問題が生じる。この問題を解決
する方法として、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉｐ
ｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）層が有する過飽和吸
収特性を利用することが容易に考えられる。１．５５μ
ｍ帯の可飽和吸収体（雑音フィルター）の一例を、図２
に示す。この図に示すような従来の雑音フィルターにお
ける多重量子井戸層４は、ＩｎＰ基板５上に５００℃で
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓをノンドープで成長させた
ものである。この過飽和吸収体の表面でのフレネル反射
を抑えるため、両面には低反射膜（ＡＲコート；Ａｎｔ
ｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏａｔｉｎｇ）６が施され
ている。入力光信号Ｉは、光強度を上げるため、集光レ
ンズ７により多重量子井戸層４中に絞り込まれる。この
とき、多重量子井戸層４は光信号Ｉの一部を吸収し、内
部にキャリアを蓄積する。励起されたキャリアは、クー
ロン遮蔽効果や位相空間充満効果により励起子吸収に関
与する状態密度を減少させる。その結果、図３に示すよ
うに、光が弱いときは、大きな吸収を受け、光が強くな
ると、吸収が小さくなる。この光強度と透過率の関係を
図４に示す。すなわち、光強度の高い光パルスは大きく
透過し、光強度の弱い雑音は吸収され、余り透過しなく
なる。その結果、雑音である自然放出光は低減される。
【０００３】しかし、この雑音フィルターには、大きな
問題点が存在する。それは、励起されたキャリア寿命が
数ナノ秒と極めて長いことである。この励起されたキャ
リア寿命が長いことによる従来の雑音フィルターの問題
点を、図５ないし図１０を参照して説明する。
問題点が存在する。それは、励起されたキャリア寿命が
数ナノ秒と極めて長いことである。この励起されたキャ
リア寿命が長いことによる従来の雑音フィルターの問題
点を、図５ないし図１０を参照して説明する。
【０００４】図５に示すように、増幅器１から出力光信
号（Ａ）が集光レンズ７を介して雑音フィルター（Ｂ）
に入射され、雑音フィルター（Ｂ）からの出力光信号
（Ｃ）が光ファイバ８を通過する構成で、通過した後の
光信号を（Ｄ）で示される場合を考える。
号（Ａ）が集光レンズ７を介して雑音フィルター（Ｂ）
に入射され、雑音フィルター（Ｂ）からの出力光信号
（Ｃ）が光ファイバ８を通過する構成で、通過した後の
光信号を（Ｄ）で示される場合を考える。
【０００５】図６に示すように、出力光信号（Ａ）のパ
ルス間隔が１０ナノ秒と長い場合は、次のパルスが来た
とき、寿命が数ナノ秒のキャリアの密度は初期状態に回
復している。そのため、透過率は、図７に示すように、
大きく変化する。その結果、雑音フィルター（Ｂ）を通
過後の光信号（Ｃ）は、図８に示すように、時間的分布
があるものの、雑音は低減される。ここで、この光信号
（Ｃ）の光パルスが、光ソリトンパルス（ファイバの非
線形効果と分散が釣り合い、光パルスの形が伝搬に伴い
変化しないパルス）である場合、光ファイバ８中の伝搬
に伴い、図９に示すように、光信号（Ｄ）中の雑音光２
ａは光分散により時間軸上に広がりほぼ一様となる。こ
のとき、すなわち、光信号（Ａ）から光信号（Ｄ）への
雑音除去比が光増幅器（ＥＤＦＡ）１での雑音増加率を
上回れば、ＳＮ比の劣化が起きないことになる。
ルス間隔が１０ナノ秒と長い場合は、次のパルスが来た
とき、寿命が数ナノ秒のキャリアの密度は初期状態に回
復している。そのため、透過率は、図７に示すように、
大きく変化する。その結果、雑音フィルター（Ｂ）を通
過後の光信号（Ｃ）は、図８に示すように、時間的分布
があるものの、雑音は低減される。ここで、この光信号
（Ｃ）の光パルスが、光ソリトンパルス（ファイバの非
線形効果と分散が釣り合い、光パルスの形が伝搬に伴い
変化しないパルス）である場合、光ファイバ８中の伝搬
に伴い、図９に示すように、光信号（Ｄ）中の雑音光２
ａは光分散により時間軸上に広がりほぼ一様となる。こ
のとき、すなわち、光信号（Ａ）から光信号（Ｄ）への
雑音除去比が光増幅器（ＥＤＦＡ）１での雑音増加率を
上回れば、ＳＮ比の劣化が起きないことになる。
【０００６】ところが、図１０（ａ）に示すように、パ
ルス間隔が１００ピコ秒程度の高ビットレートの信号列
になると、多重量子井戸層中のキャリアは寿命が数ナノ
秒であるので、次のパルスが来るまでに枯死することが
できずに残存する。そのため、図１０（ｂ）に示すよう
に、大きな透過率変化が得られなくなり、雑音の除去が
不可能になる。
ルス間隔が１００ピコ秒程度の高ビットレートの信号列
になると、多重量子井戸層中のキャリアは寿命が数ナノ
秒であるので、次のパルスが来るまでに枯死することが
できずに残存する。そのため、図１０（ｂ）に示すよう
に、大きな透過率変化が得られなくなり、雑音の除去が
不可能になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の雑音フィル
ターにおいて解決すべき課題は、大きく分けて二つあ
る。一つは、上記したように、キャリア寿命の問題であ
り、課題は、高速な動作、すなわち、キャリア寿命を短
くすることである。さらに、上記従来の多重量子井戸層
を単一透過させるタイプでは、かなり強い光でないと、
可飽和吸収特性が得られないため、光増幅器にかなり大
きな利得が要求される。そこで、もう一つの課題は、可
飽和吸収特性の感度を上げることである。
ターにおいて解決すべき課題は、大きく分けて二つあ
る。一つは、上記したように、キャリア寿命の問題であ
り、課題は、高速な動作、すなわち、キャリア寿命を短
くすることである。さらに、上記従来の多重量子井戸層
を単一透過させるタイプでは、かなり強い光でないと、
可飽和吸収特性が得られないため、光増幅器にかなり大
きな利得が要求される。そこで、もう一つの課題は、可
飽和吸収特性の感度を上げることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明において、前記第
１の課題であるキャリア寿命の低減を実現するために、
多重量子井戸層として、従来の成長温度である５００℃
より低温の１５０℃〜４００℃で、ドーパントとしてｐ
型元素、特にＢｅを添加して、成長させた多重量子井戸
層を用いる。さらに、第２の課題である可飽和吸収特性
の増大は、素子を反射型とすることにより実現する。
１の課題であるキャリア寿命の低減を実現するために、
多重量子井戸層として、従来の成長温度である５００℃
より低温の１５０℃〜４００℃で、ドーパントとしてｐ
型元素、特にＢｅを添加して、成長させた多重量子井戸
層を用いる。さらに、第２の課題である可飽和吸収特性
の増大は、素子を反射型とすることにより実現する。
【０００９】すなわち、本発明の雑音フィルターは、半
導体基板上に光の過飽和吸収特性を有する多重量子井戸
層が形成されてなり、この多重量子井戸層のキャリア寿
命が１００ピコ秒以下に設定されていることを特徴とす
る。
導体基板上に光の過飽和吸収特性を有する多重量子井戸
層が形成されてなり、この多重量子井戸層のキャリア寿
命が１００ピコ秒以下に設定されていることを特徴とす
る。
【００１０】前記構成において、多重量子井戸層は、１
５０℃から４００℃の低温成長層であり、かつドーパン
トとしてｐ型元素またはＢｅが１０17ｃｍ-3以上添加さ
れているものである。
５０℃から４００℃の低温成長層であり、かつドーパン
トとしてｐ型元素またはＢｅが１０17ｃｍ-3以上添加さ
れているものである。
【００１１】また、前記構成において、多重量子井戸層
の表面に高反射膜が形成されるとともに基板側には低反
射膜が形成され、基板側から入射し、かつ出射する反射
型に設定されていることが望ましい。
の表面に高反射膜が形成されるとともに基板側には低反
射膜が形成され、基板側から入射し、かつ出射する反射
型に設定されていることが望ましい。
【００１２】さらに、前記構成において、多重量子井戸
層への光回路に光サーキュレーターが設けられていても
よい。
層への光回路に光サーキュレーターが設けられていても
よい。
【００１３】一方、本発明の雑音フィルターの製造方法
は、半導体基板上に光の過飽和吸収特性を持つ多重量子
井戸層を１５０℃から４００℃で成長させ、かつドーパ
ントとしてｐ型元素またはＢｅを１０17ｃｍ-3以上添加
することを特徴とする。
は、半導体基板上に光の過飽和吸収特性を持つ多重量子
井戸層を１５０℃から４００℃で成長させ、かつドーパ
ントとしてｐ型元素またはＢｅを１０17ｃｍ-3以上添加
することを特徴とする。
【００１４】前記方法において、多重量子井戸層の表面
には高反射膜を形成するとともに、前記基板側には低反
射膜を形成し、光を基板側から入射させ、前記高反射膜
からの反射光を前記基板側から出射させる配置としても
よい。
には高反射膜を形成するとともに、前記基板側には低反
射膜を形成し、光を基板側から入射させ、前記高反射膜
からの反射光を前記基板側から出射させる配置としても
よい。
【００１５】また、前記方法において、半導体量子井戸
層への光回路に光サーキュレーターを用いることにより
垂直入射の反射型としてもよい。
層への光回路に光サーキュレーターを用いることにより
垂直入射の反射型としてもよい。
【００１６】
【作用】従来の５００℃で成長させたノンドープ多重量
子井戸層と、それより低温である２００℃で成長させた
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸層にＢｅをド
ープしたものとについてキャリア寿命を測定した結果を
図１２に示す。従来、ガスソース分子線エピタキシー装
置では、５００℃で量子井戸層の成長を行う。このと
き、励起されたキャリアでは発光再結合過程が支配的と
なるため、得られた多重量子井戸層は、図１２中に実線
のカーブで示すように、キャリア寿命が１０3 ピコ秒
（数ナノ秒）程度であり、レーザ等の発光デバイスへの
応用には極めて有用である。しかし、その反面、発光再
結合過程に伴うキャリア寿命は極めて長く、数〜数十ナ
ノ秒であるため、前記したパルス間隔が１００ピコ秒程
度の高ビットレート信号列の雑音フィルターとして用い
ることは困難である。
子井戸層と、それより低温である２００℃で成長させた
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸層にＢｅをド
ープしたものとについてキャリア寿命を測定した結果を
図１２に示す。従来、ガスソース分子線エピタキシー装
置では、５００℃で量子井戸層の成長を行う。このと
き、励起されたキャリアでは発光再結合過程が支配的と
なるため、得られた多重量子井戸層は、図１２中に実線
のカーブで示すように、キャリア寿命が１０3 ピコ秒
（数ナノ秒）程度であり、レーザ等の発光デバイスへの
応用には極めて有用である。しかし、その反面、発光再
結合過程に伴うキャリア寿命は極めて長く、数〜数十ナ
ノ秒であるため、前記したパルス間隔が１００ピコ秒程
度の高ビットレート信号列の雑音フィルターとして用い
ることは困難である。
【００１７】これに対し、本発明でのように、温度を下
げて、１５０℃〜４００℃で成長を行うと、深い準位に
再結合中心が形成されると考えられ、そのためキャリア
の寿命は１００ピコ秒程度まで高速化される。この量子
井戸層の成長を１５０℃未満で行うと、励起子による吸
収の波長変化が生じないと思われる。そのため、成長温
度として利用し難い。また、成長温度が４００℃を越え
ると、キャリア寿命が長くなり始めるため、４００℃を
越える成長温度も利用できない。また、成長中にｐ型元
素またはＢｅを導入すると、キャリア寿命は１ピコ秒程
度まで低減することが可能になる。この高速なキャリア
寿命を実現するためのドープ元素としては、Ｂｅ以外に
ｐ型元素が適当であり、その添加量を１０17ｃｍ-3以上
とすれば、キャリア寿命を１００ピコ秒以下とすること
ができる。
げて、１５０℃〜４００℃で成長を行うと、深い準位に
再結合中心が形成されると考えられ、そのためキャリア
の寿命は１００ピコ秒程度まで高速化される。この量子
井戸層の成長を１５０℃未満で行うと、励起子による吸
収の波長変化が生じないと思われる。そのため、成長温
度として利用し難い。また、成長温度が４００℃を越え
ると、キャリア寿命が長くなり始めるため、４００℃を
越える成長温度も利用できない。また、成長中にｐ型元
素またはＢｅを導入すると、キャリア寿命は１ピコ秒程
度まで低減することが可能になる。この高速なキャリア
寿命を実現するためのドープ元素としては、Ｂｅ以外に
ｐ型元素が適当であり、その添加量を１０17ｃｍ-3以上
とすれば、キャリア寿命を１００ピコ秒以下とすること
ができる。
【００１８】したがって、この多重量子井戸層を過飽和
吸収体として採用した本発明の雑音フィルターは、光増
幅器から発生する自然放出光を受動的に除去することが
でき、将来の高速、大容量光通信システムに好適に用い
ることができる。
吸収体として採用した本発明の雑音フィルターは、光増
幅器から発生する自然放出光を受動的に除去することが
でき、将来の高速、大容量光通信システムに好適に用い
ることができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説
明する。
明する。
【００２０】（実施例１）本発明の雑音フィルターに好
適に用いることのできる多重量子井戸層を分子線エピタ
キシー法により成長させた。用いた装置は、周知のガス
ソース分子線エピタキシー装置であり、下記の成長条件
にて行った。また、ドープ材料はＢｅを用いた。
適に用いることのできる多重量子井戸層を分子線エピタ
キシー法により成長させた。用いた装置は、周知のガス
ソース分子線エピタキシー装置であり、下記の成長条件
にて行った。また、ドープ材料はＢｅを用いた。
【００２１】 （ｉ） III 族ソース ： Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ（メ
タル） （ii） Ｖ族ソース ： ＡｓＨ3 ガス（流量２
ｃｃｍ） （iii ） 成長中の真空度 ： １．３×１０-5Ｔｏｒ
ｒ （iv） 基板回転速度 ： ２０ｒｐｍ （ｖ） 成長速度 ： ２．６μｍ／ｈ （vi） 成長温度 ： １５０，２００，３０
０，４００，６００（℃） 上記の各温度により成長させた多重量子井戸層のキャリ
ア寿命を測定したところ、図１１の結果が得られた。図
から明らかなように、成長温度が４００℃を越えると、
キャリア寿命が長くなり始めるので、成長温度は４００
℃以下が好ましい。また、１５０℃近傍ではキャリア寿
命の値に問題はないが、１５０℃未満になると、励起子
による吸収の波長変化が生じなくなる可能性が大きいの
で、１５０℃未満での成長は避けるべきである。
タル） （ii） Ｖ族ソース ： ＡｓＨ3 ガス（流量２
ｃｃｍ） （iii ） 成長中の真空度 ： １．３×１０-5Ｔｏｒ
ｒ （iv） 基板回転速度 ： ２０ｒｐｍ （ｖ） 成長速度 ： ２．６μｍ／ｈ （vi） 成長温度 ： １５０，２００，３０
０，４００，６００（℃） 上記の各温度により成長させた多重量子井戸層のキャリ
ア寿命を測定したところ、図１１の結果が得られた。図
から明らかなように、成長温度が４００℃を越えると、
キャリア寿命が長くなり始めるので、成長温度は４００
℃以下が好ましい。また、１５０℃近傍ではキャリア寿
命の値に問題はないが、１５０℃未満になると、励起子
による吸収の波長変化が生じなくなる可能性が大きいの
で、１５０℃未満での成長は避けるべきである。
【００２２】次に、Ｂｅドープ量の変化が、キャリア寿
命に及ぼす影響について調べるために、成長温度を２０
０℃のみとした以外は前記と同様の条件で、Ｂｅドープ
量を０ｃｍ-3から約８ｃｍ-3まで４通りに変化させて量
子井戸層を成長させ、それぞれのキャリア寿命を測定し
た。その結果を図１２に示す。なお、比較のために、成
長温度５００℃において成長させた量子井戸層のドープ
量変化に対するキャリア寿命の変化も図１２に合わせて
示した。図から明らかなように、２００℃での成長で
は、Ｂｅを１０17ｃｍ-3以上の量をドープすることによ
って、キャリア寿命が急激に短くなることがわかる。
命に及ぼす影響について調べるために、成長温度を２０
０℃のみとした以外は前記と同様の条件で、Ｂｅドープ
量を０ｃｍ-3から約８ｃｍ-3まで４通りに変化させて量
子井戸層を成長させ、それぞれのキャリア寿命を測定し
た。その結果を図１２に示す。なお、比較のために、成
長温度５００℃において成長させた量子井戸層のドープ
量変化に対するキャリア寿命の変化も図１２に合わせて
示した。図から明らかなように、２００℃での成長で
は、Ｂｅを１０17ｃｍ-3以上の量をドープすることによ
って、キャリア寿命が急激に短くなることがわかる。
【００２３】一方、素子の厚みが光の伝搬長と同じとす
るなら、図１３に示すような入射面および出射面ともに
低反射膜（ＡＲコート）を形成した透過配置型の素子に
比べ、図１４に示すような入射面はＡＲコートするとと
もに出射面は高反射膜（ＨＲコート；Ｈｉｇｈ Ｒｅｆ
ｌｅｃｔｉｏｎ ｃｏａｔｉｎｇ）を形成した反射配置
型の素子の方が、図１５に示すように、透過率が大き
く、換言すれば、大きな可飽和吸収特性が得られる。図
１５に示すように、光強度が弱く吸収飽和が起きないと
きは、伝搬距離が等しいため、透過率および反射率は等
しくなる。しかし、吸収飽和が起き始める領域では、両
者は大きく異なる。図１３に示した厚み２ｄの透過型の
素子の場合、距離ｄを伝搬し、光強度が減少した後、さ
らに初期状態の吸収を受けながら距離ｄを伝搬する必要
があるため、そこでは吸収飽和を引き起こしにくく、そ
の結果、大きく吸収を受けて、透過率は余り大きくなら
ない。それに対し、反射型の配置では、吸収飽和を引き
起こした領域を折り返し戻るため、吸収が低減される上
に、さらに吸収飽和を増大させる。そのため、図１４に
示すように、図１３の透過型に比べ、厚みが半分（ｄ）
でも非常に大きな可飽和吸収特性が得られる。
るなら、図１３に示すような入射面および出射面ともに
低反射膜（ＡＲコート）を形成した透過配置型の素子に
比べ、図１４に示すような入射面はＡＲコートするとと
もに出射面は高反射膜（ＨＲコート；Ｈｉｇｈ Ｒｅｆ
ｌｅｃｔｉｏｎ ｃｏａｔｉｎｇ）を形成した反射配置
型の素子の方が、図１５に示すように、透過率が大き
く、換言すれば、大きな可飽和吸収特性が得られる。図
１５に示すように、光強度が弱く吸収飽和が起きないと
きは、伝搬距離が等しいため、透過率および反射率は等
しくなる。しかし、吸収飽和が起き始める領域では、両
者は大きく異なる。図１３に示した厚み２ｄの透過型の
素子の場合、距離ｄを伝搬し、光強度が減少した後、さ
らに初期状態の吸収を受けながら距離ｄを伝搬する必要
があるため、そこでは吸収飽和を引き起こしにくく、そ
の結果、大きく吸収を受けて、透過率は余り大きくなら
ない。それに対し、反射型の配置では、吸収飽和を引き
起こした領域を折り返し戻るため、吸収が低減される上
に、さらに吸収飽和を増大させる。そのため、図１４に
示すように、図１３の透過型に比べ、厚みが半分（ｄ）
でも非常に大きな可飽和吸収特性が得られる。
【００２４】前記のような多重量子井戸層を有する反射
型配置の雑音フィルターとして、図１６に示す構成が最
も容易に考えられる。ファイバ１０を伝搬してきた光を
コリメータ１１で平行光として空間に取り出し、コーナ
ーミラー、集光レンズ１３により、ＩｎＰ基板１４上の
反射型の低温成長ＢｅドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ 多重量子井戸層１５中に絞り込む。そして、反射光
を同行程により、再びファイル中に入れる。このとき、
光強度を強くするために、開口数ＮＡ（ｎｕｍｅｒｉｃ
ａｌ ａｐｅｒｔｕｒｅ）の高いレンズを用いる必要が
ある。そのため、多重量子井戸層１４への入射角が大き
くなり、図１６の要部ｓを拡大した図１７に示すよう
に、入射光と反射光の重なり部分が少なくなるため、幾
分、反射型のメリットが損なわれる。
型配置の雑音フィルターとして、図１６に示す構成が最
も容易に考えられる。ファイバ１０を伝搬してきた光を
コリメータ１１で平行光として空間に取り出し、コーナ
ーミラー、集光レンズ１３により、ＩｎＰ基板１４上の
反射型の低温成長ＢｅドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ 多重量子井戸層１５中に絞り込む。そして、反射光
を同行程により、再びファイル中に入れる。このとき、
光強度を強くするために、開口数ＮＡ（ｎｕｍｅｒｉｃ
ａｌ ａｐｅｒｔｕｒｅ）の高いレンズを用いる必要が
ある。そのため、多重量子井戸層１４への入射角が大き
くなり、図１６の要部ｓを拡大した図１７に示すよう
に、入射光と反射光の重なり部分が少なくなるため、幾
分、反射型のメリットが損なわれる。
【００２５】（実施例２）前記実施例１における反射型
のメリットが幾分損なわれるという問題点を解決するた
めの構成を図１８に示す。ここでは、光サーキュレータ
１６を用いている。この光サーキュレータ１６のポート
１６ａからの光をビームエキスパンダー１７でビーム径
を拡大し、集光レンズ１３で垂直入射で多重量子井戸層
１５に絞り込む。光サーキュレータ１６のポート１６ｂ
からの反射光は光サーキュレータ１６のポート１６ｃか
ら出力され、コリメータ１１ｂを介して再びファイバ１
０ｂへ入射される。この方法は完全に垂直入射が可能で
あるため、反射型の利点が最大限に活かされる。
のメリットが幾分損なわれるという問題点を解決するた
めの構成を図１８に示す。ここでは、光サーキュレータ
１６を用いている。この光サーキュレータ１６のポート
１６ａからの光をビームエキスパンダー１７でビーム径
を拡大し、集光レンズ１３で垂直入射で多重量子井戸層
１５に絞り込む。光サーキュレータ１６のポート１６ｂ
からの反射光は光サーキュレータ１６のポート１６ｃか
ら出力され、コリメータ１１ｂを介して再びファイバ１
０ｂへ入射される。この方法は完全に垂直入射が可能で
あるため、反射型の利点が最大限に活かされる。
【００２６】なお、上記実施例では、多重量子井戸層の
結晶材料として、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系につい
て説明したが、ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ（Ｇａ）ＡｌＡｓ
系、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓ歪超格子系、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ歪超格子
系においても同様の効果が実現できることは言うまでも
ない。
結晶材料として、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系につい
て説明したが、ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ（Ｇａ）ＡｌＡｓ
系、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓ歪超格子系、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ歪超格子
系においても同様の効果が実現できることは言うまでも
ない。
【００２７】また、上記実施例では、ガスソース分子線
エピタキシー法により製造を行ったが、本発明は、通常
の分子線エピタキシー法にも適用できるのはもちろんで
ある。
エピタキシー法により製造を行ったが、本発明は、通常
の分子線エピタキシー法にも適用できるのはもちろんで
ある。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる雑
音フィルターは、高速な可飽和吸収体として、Ｂｅをド
ープした低温成長多重量子井戸層を用いたことを特徴と
しており、この構成により、高ビットレートの光パルス
列の受動的雑音フィルターとしての動作を可能とするも
のである。さらに、本発明の雑音フィルターでは、垂直
入射での光サーキュレータを用いた反射型配置を採用す
ることにより、従来より透過損失が小さく、可飽和吸収
特性を大きくでき、さらに雑音フィルター特性を向上で
きる。
音フィルターは、高速な可飽和吸収体として、Ｂｅをド
ープした低温成長多重量子井戸層を用いたことを特徴と
しており、この構成により、高ビットレートの光パルス
列の受動的雑音フィルターとしての動作を可能とするも
のである。さらに、本発明の雑音フィルターでは、垂直
入射での光サーキュレータを用いた反射型配置を採用す
ることにより、従来より透過損失が小さく、可飽和吸収
特性を大きくでき、さらに雑音フィルター特性を向上で
きる。
【図１】エビウムドープファイバー増幅器（ＥＤＦＡ）
により自然放出光（ＡＳＥ）雑音が増加する説明図であ
り、（ａ）はエビウムドープファイバ増幅器の概略構成
図、（ｂ）は同増幅器への入力光パルスを示すグラフ、
（ｃ）は同増幅器からの出力光パルスを示すグラフであ
る。
により自然放出光（ＡＳＥ）雑音が増加する説明図であ
り、（ａ）はエビウムドープファイバ増幅器の概略構成
図、（ｂ）は同増幅器への入力光パルスを示すグラフ、
（ｃ）は同増幅器からの出力光パルスを示すグラフであ
る。
【図２】半導体可飽和吸収体を用いた従来の雑音フィル
ターの概略構成図である。
ターの概略構成図である。
【図３】従来の雑音フィルターにおける励起光強度によ
る吸収スペクトルの変化を示すグラフである。
る吸収スペクトルの変化を示すグラフである。
【図４】従来の雑音フィルターにおける光強度と透過率
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図５】従来の雑音フィルターの原理を説明するための
光学系の構成図である。
光学系の構成図である。
【図６】前記光学系における光増幅器からの出力光信号
のパルスを示すグラフである。
のパルスを示すグラフである。
【図７】前記光学系における雑音フィルターの過飽和吸
収体での透過率の変化を示すグラフである。
収体での透過率の変化を示すグラフである。
【図８】前記光学系における雑音フィルターからの出力
光信号のパルスを示すグラフである。
光信号のパルスを示すグラフである。
【図９】前記光学系における雑音フィルターからの出力
光信号が光ファイバ中を通過した状態でのパルスを示す
グラフである。
光信号が光ファイバ中を通過した状態でのパルスを示す
グラフである。
【図１０】従来の雑音フィルターにおいてその過飽和吸
収体のキャリア寿命が長いことにより生じる問題点の説
明するもので、（ａ）はパルス間隔が短い入力光信号の
パルス列を示すグラフ、（ｂ）はこの入力光信号を受け
た場合の従来の雑音フィルタにおける透過率の変化を示
すグラフである。
収体のキャリア寿命が長いことにより生じる問題点の説
明するもので、（ａ）はパルス間隔が短い入力光信号の
パルス列を示すグラフ、（ｂ）はこの入力光信号を受け
た場合の従来の雑音フィルタにおける透過率の変化を示
すグラフである。
【図１１】本発明に用いる多重量子井戸層の成長温度と
その励起キャリアとの関係を示すグラフである。
その励起キャリアとの関係を示すグラフである。
【図１２】従来の雑音フィルターを構成していた多重量
子井戸層を比較例として、本発明に用いる低温成長させ
ＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ 多重量
子井戸層におけるＢｅドープ量とキャリア寿命との関係
を示したグラフである。
子井戸層を比較例として、本発明に用いる低温成長させ
ＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ 多重量
子井戸層におけるＢｅドープ量とキャリア寿命との関係
を示したグラフである。
【図１３】本発明の雑音フィルターに採用した反射配置
型素子の利点を説明するための比較例である透過配置型
素子の概略構成図である。
型素子の利点を説明するための比較例である透過配置型
素子の概略構成図である。
【図１４】本発明の雑音フィルターに採用した反射配置
型素子の利点を説明するため示した同反射配置型素子の
概略構成図である。
型素子の利点を説明するため示した同反射配置型素子の
概略構成図である。
【図１５】本発明の雑音フィルターに採用した反射配置
型素子の利点を説明するために比較例として透過配置型
素子とともに、反射配置型素子の透過率の変化を示した
グラフである。
型素子の利点を説明するために比較例として透過配置型
素子とともに、反射配置型素子の透過率の変化を示した
グラフである。
【図１６】本発明の雑音フィルターの第１の実施例の概
略構成図である。
略構成図である。
【図１７】図１６の要部ｓの拡大図である。
【図１８】本発明の雑音フィルターの第２の実施例の概
略構成図である。
略構成図である。
１ エビウムドープファイバ増幅器（ＥＤＦＡ） ２ 自然放出光（ＡＳＥ）雑音 ２ａ 雑音光 ３ 信号光パルス列 ４ ５００℃成長ノンドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ多重量子井戸層 ５，１４ ＩｎＰ基板 ６ 低反射膜（ＡＲコート） ７，１３ 集光レンズ ８，１０ａ，１０ｂ 光ファイバ １１ａ，１１ｂ コリメータ １２ コーナーミラー １５ 低温成長ＢｅドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
多重量子井戸層 １６ 光サーキュレータ １６ａ，１６ｂ，１６ｃ ポート １７ ビームエキスパンダー
ｓ多重量子井戸層 ５，１４ ＩｎＰ基板 ６ 低反射膜（ＡＲコート） ７，１３ 集光レンズ ８，１０ａ，１０ｂ 光ファイバ １１ａ，１１ｂ コリメータ １２ コーナーミラー １５ 低温成長ＢｅドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
多重量子井戸層 １６ 光サーキュレータ １６ａ，１６ｂ，１６ｃ ポート １７ ビームエキスパンダー
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年３月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】光通信において、光信号を電気信号に変
換することなく、光の状態のまま増幅するために、エル
ビウムドープファイバ増幅器（ＥＤＦＡ；Ｅｒｂｉｕｍ
Ｄｏｐｅｄ Ｆｉｂｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）が用
いられる。図１（ａ）に示すように、このエルビウムド
ープファイバ増幅器１では、図１（ｂ）に示すような入
力光パルスが入力されると、図１（ｃ）に示すような出
力パルスが得られるが、このとき、自然放出光（ＡＳ
Ｅ）雑音２が信号光パルス列３に重畳される。そのた
め、信号のＳＮ比（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ
Ｒａｔｉｏ）が劣化する問題が生じる。この問題を解決
する方法として、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉｐ
ｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）層が有する可飽和吸
収特性を利用することが容易に考えられる。１．５５μ
ｍ帯の可飽和吸収体（雑音フィルター）の一例を、図２
に示す。この図に示すような従来の雑音フィルターにお
ける多重量子井戸層４は、ＩｎＰ基板５上に５００℃で
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓをノンドープで成長させた
ものである。この可飽和吸収体の表面でのフレネル反射
を抑えるため、両面には低反射膜（ＡＲコート；Ａｎｔ
ｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏａｔｉｎｇ）６が施され
ている。入力光信号Ｉは、光強度を上げるため、集光レ
ンズ７により多重量子井戸層４中に絞り込まれる。この
とき、多重量子井戸層４は光信号Ｉの一部を吸収し、内
部にキャリアを蓄積する。励起されたキャリアは、クー
ロン遮蔽効果や位相空間充満効果により励起子吸収に関
与する状態密度を減少させる。その結果、図３に示すよ
うに、光が弱いときは、大きな吸収を受け、光が強くな
ると、吸収が小さくなる。この光強度と透過率の関係を
図４に示す。すなわち、光強度の高い光パルスは大きく
透過し、光強度の弱い雑音は吸収され、余り透過しなく
なる。その結果、雑音である自然放出光は低減される。
換することなく、光の状態のまま増幅するために、エル
ビウムドープファイバ増幅器（ＥＤＦＡ；Ｅｒｂｉｕｍ
Ｄｏｐｅｄ Ｆｉｂｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）が用
いられる。図１（ａ）に示すように、このエルビウムド
ープファイバ増幅器１では、図１（ｂ）に示すような入
力光パルスが入力されると、図１（ｃ）に示すような出
力パルスが得られるが、このとき、自然放出光（ＡＳ
Ｅ）雑音２が信号光パルス列３に重畳される。そのた
め、信号のＳＮ比（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ
Ｒａｔｉｏ）が劣化する問題が生じる。この問題を解決
する方法として、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉｐ
ｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）層が有する可飽和吸
収特性を利用することが容易に考えられる。１．５５μ
ｍ帯の可飽和吸収体（雑音フィルター）の一例を、図２
に示す。この図に示すような従来の雑音フィルターにお
ける多重量子井戸層４は、ＩｎＰ基板５上に５００℃で
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓをノンドープで成長させた
ものである。この可飽和吸収体の表面でのフレネル反射
を抑えるため、両面には低反射膜（ＡＲコート；Ａｎｔ
ｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏａｔｉｎｇ）６が施され
ている。入力光信号Ｉは、光強度を上げるため、集光レ
ンズ７により多重量子井戸層４中に絞り込まれる。この
とき、多重量子井戸層４は光信号Ｉの一部を吸収し、内
部にキャリアを蓄積する。励起されたキャリアは、クー
ロン遮蔽効果や位相空間充満効果により励起子吸収に関
与する状態密度を減少させる。その結果、図３に示すよ
うに、光が弱いときは、大きな吸収を受け、光が強くな
ると、吸収が小さくなる。この光強度と透過率の関係を
図４に示す。すなわち、光強度の高い光パルスは大きく
透過し、光強度の弱い雑音は吸収され、余り透過しなく
なる。その結果、雑音である自然放出光は低減される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】すなわち、本発明の雑音フィルターは、半
導体基板上に光の可飽和吸収特性を有する多重量子井戸
層が形成されてなり、この多重量子井戸層のキャリア寿
命が１００ピコ秒以下に設定されていることを特徴とす
る。
導体基板上に光の可飽和吸収特性を有する多重量子井戸
層が形成されてなり、この多重量子井戸層のキャリア寿
命が１００ピコ秒以下に設定されていることを特徴とす
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】一方、本発明の雑音フィルターの製造方法
は、半導体基板上に光の可飽和吸収特性を持つ多重量子
井戸層を１５０℃から４００℃で成長させ、かつドーパ
ントとしてｐ型元素またはＢｅを１０17ｃｍ-3以上添加
することを特徴とする。
は、半導体基板上に光の可飽和吸収特性を持つ多重量子
井戸層を１５０℃から４００℃で成長させ、かつドーパ
ントとしてｐ型元素またはＢｅを１０17ｃｍ-3以上添加
することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】したがって、この多重量子井戸層を可飽和
吸収体として採用した本発明の雑音フィルターは、光増
幅器から発生する自然放出光を受動的に除去することが
でき、将来の高速、大容量光通信システムに好適に用い
ることができる。
吸収体として採用した本発明の雑音フィルターは、光増
幅器から発生する自然放出光を受動的に除去することが
でき、将来の高速、大容量光通信システムに好適に用い
ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】前記光学系における雑音フィルターの可飽和吸
収体での透過率の変化を示すグラフである。
収体での透過率の変化を示すグラフである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１０】従来の雑音フィルターにおいてその可飽和吸
収体のキャリア寿命が長いことにより生じる問題点の説
明するもので、（ａ）はパルス間隔が短い入力光信号の
パルス列を示すグラフ、（ｂ）はこの入力光信号を受け
た場合の従来の雑音フィルタにおける透過率の変化を示
すグラフである。
収体のキャリア寿命が長いことにより生じる問題点の説
明するもので、（ａ）はパルス間隔が短い入力光信号の
パルス列を示すグラフ、（ｂ）はこの入力光信号を受け
た場合の従来の雑音フィルタにおける透過率の変化を示
すグラフである。
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板上に光の過飽和吸収特性を有
する多重量子井戸層が形成されてなる雑音フィルターに
おいて、前記多重量子井戸層のキャリア寿命が１００ピ
コ秒以下に設定されていることを特徴とする雑音フィル
ター。 - 【請求項２】 前記多重量子井戸層が１５０℃から４０
０℃の低温成長層であり、かつドーパントとしてｐ型元
素またはＢｅが１０17ｃｍ-3以上添加されていることを
特徴とする請求項１に記載の雑音フィルター。 - 【請求項３】 前記多重量子井戸層の表面に高反射膜が
形成されるとともに基板側には低反射膜が形成され、基
板側から入射し、かつ出射する反射型に設定されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の雑音フィル
ター。 - 【請求項４】 前記多重量子井戸層への光回路に光サー
キュレーターが設けられていることを特徴とする請求項
１ないし３のいずれかに記載の雑音フィルター。 - 【請求項５】 半導体基板上に光の過飽和吸収特性を持
つ多重量子井戸層を形成して雑音フィルターを得る雑音
フィルターの製造方法において、 前記多重量子井戸層を１５０℃から４００℃で成長さ
せ、かつドーパントとしてｐ型元素またはＢｅを１０17
ｃｍ-3以上添加することを特徴とする雑音フィルターの
製造方法。 - 【請求項６】 前記多重量子井戸層の表面には高反射膜
を形成するとともに、前記基板側には低反射膜を形成
し、光を基板側から入射させ、前記高反射膜からの反射
光を前記基板側から出射させる配置とすることを特徴と
する請求項５に記載の雑音フィルターの製造方法。 - 【請求項７】 前記半導体量子井戸層への光回路に光サ
ーキュレーターを用いることにより垂直入射の反射型に
することを特徴とする請求項５または６に記載の雑音フ
ィルターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6168094A JPH07270729A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 雑音フィルターおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6168094A JPH07270729A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 雑音フィルターおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07270729A true JPH07270729A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13178226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6168094A Pending JPH07270729A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 雑音フィルターおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07270729A (ja) |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP6168094A patent/JPH07270729A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5701327A (en) | Saturable Bragg reflector structure and process for fabricating the same | |
| EP0670617B1 (en) | Ring laser | |
| JP3168246B2 (ja) | モードロックレーザ装置 | |
| MXPA97003090A (en) | Bragg saturable reflector structure and processed to manufacture the mi | |
| US5289484A (en) | Laser diode | |
| US5260959A (en) | Narrow beam divergence laser diode | |
| JP3898042B2 (ja) | 半導体レーザ装置および光増幅装置 | |
| JPH08316588A (ja) | 歪量子井戸構造を有する半導体光素子 | |
| JP2004528705A (ja) | 量子ドットレーザ | |
| KR100519920B1 (ko) | 포화 흡수체와 이득 고정 광 증폭기가 집적된 초고속광신호 처리장치 | |
| US6609839B1 (en) | Device including a saturable absorber for regenerating a wavelength-division multiplex signal | |
| CN118676737B (zh) | InAs量子点激光器及其制备方法 | |
| JP2817710B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH07270729A (ja) | 雑音フィルターおよびその製造方法 | |
| Deppe et al. | Room‐temperature photopumped operation of an InGaAs‐InP vertical cavity surface‐emitting laser | |
| JP3215477B2 (ja) | 半導体分布帰還型レーザ装置 | |
| JPH0736064A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| Calvez et al. | GaInNAs (Sb) surface normal devices | |
| JP3471612B2 (ja) | 光リミッター素子およびその製造方法 | |
| US7173758B2 (en) | Gain-clamped semiconductor optical amplifier | |
| JP2682482B2 (ja) | 化合物半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH0876157A (ja) | 雑音フィルタ | |
| US20020105743A1 (en) | Saturable optical absorber, and an application thereof to regenerating a wavelength division multiplexed signal | |
| JP3075822B2 (ja) | 半導体分布帰還型レーザ装置 | |
| JPH11337889A (ja) | 半導体光導波路素子 |