JPH07270835A - 光学素子の膜の形成方法 - Google Patents
光学素子の膜の形成方法Info
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- JPH07270835A JPH07270835A JP6062601A JP6260194A JPH07270835A JP H07270835 A JPH07270835 A JP H07270835A JP 6062601 A JP6062601 A JP 6062601A JP 6260194 A JP6260194 A JP 6260194A JP H07270835 A JPH07270835 A JP H07270835A
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- JP
- Japan
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- film
- optical element
- forming
- annealing
- reflection film
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＡＲ膜２及びＨＲ膜３とも、先ず、両端が研
磨されたＫＴＰ１にイオンプレーティングにより形成さ
れ、その後、５００℃乃至８００℃の温度でアニール処
理される。 【効果】 高出力レーザ光に対して高耐力を持った高品
質の光学素子の膜を形成できる。また、アニール処理工
程を一度にまとめることができ、製造工程を簡略化で
き、低コスト化を実現できる。
磨されたＫＴＰ１にイオンプレーティングにより形成さ
れ、その後、５００℃乃至８００℃の温度でアニール処
理される。 【効果】 高出力レーザ光に対して高耐力を持った高品
質の光学素子の膜を形成できる。また、アニール処理工
程を一度にまとめることができ、製造工程を簡略化で
き、低コスト化を実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学結晶に高反射膜や
無反射膜等の光学薄膜を形成する光学素子の膜の形成方
法に関する。
無反射膜等の光学薄膜を形成する光学素子の膜の形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、７００ｎｍ以下の遠紫外域では、
半導体レーザは発振困難であるため、ＫＴＰ等の非線形
光学素子による光第２高調波発生（ＳＨＧ）や光第３高
調波発生（ＴＨＧ）などの現象を利用して、入射光に対
して波長変換を行い遠紫外光を出射するレーザ光源が開
発されている。
半導体レーザは発振困難であるため、ＫＴＰ等の非線形
光学素子による光第２高調波発生（ＳＨＧ）や光第３高
調波発生（ＴＨＧ）などの現象を利用して、入射光に対
して波長変換を行い遠紫外光を出射するレーザ光源が開
発されている。
【０００３】ＳＨＧでは、例えばレーザダイオード等の
半導体レーザが発生したポンピング用のレーザ光を例え
ばＮｄ：ＹＡＧ等のレーザ媒質に入射させる。すると該
レーザ媒質は、一対のミラー等によって構成される共振
器内において基本波レーザ光を発生させる。共振器内に
は上述したような非線形光学素子等が配されており、上
記基本波レーザ光は上記非線形光学素子が配された共振
器内を往復する内に短波長化され、やがて該共振器から
ＳＨＧレーザ光が出力される。ここで、非線形光学素子
の光軸方向の両面には、光学薄膜が形成され、ＳＨＧに
必要な光学特性が得られるようになされている。一般
に、光学薄膜としては、高反射（ＨＲ）膜や無反射（Ａ
Ｒ）膜がある。従来、ＳＨＧにおける非線形光学素子の
上記光学薄膜は真空蒸着により形成されてきた。
半導体レーザが発生したポンピング用のレーザ光を例え
ばＮｄ：ＹＡＧ等のレーザ媒質に入射させる。すると該
レーザ媒質は、一対のミラー等によって構成される共振
器内において基本波レーザ光を発生させる。共振器内に
は上述したような非線形光学素子等が配されており、上
記基本波レーザ光は上記非線形光学素子が配された共振
器内を往復する内に短波長化され、やがて該共振器から
ＳＨＧレーザ光が出力される。ここで、非線形光学素子
の光軸方向の両面には、光学薄膜が形成され、ＳＨＧに
必要な光学特性が得られるようになされている。一般
に、光学薄膜としては、高反射（ＨＲ）膜や無反射（Ａ
Ｒ）膜がある。従来、ＳＨＧにおける非線形光学素子の
上記光学薄膜は真空蒸着により形成されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、真空蒸着に
より形成した光学薄膜の内、特にＨＲ膜は高出力レーザ
光の照射に対して、信頼性を欠いてしまう。非線形光学
素子に用いられる光学結晶は、熱膨張に異方性があり高
出力のレーザ光が照射されると、上記ＨＲ膜が割れてし
まい、特性が劣化するためである。
より形成した光学薄膜の内、特にＨＲ膜は高出力レーザ
光の照射に対して、信頼性を欠いてしまう。非線形光学
素子に用いられる光学結晶は、熱膨張に異方性があり高
出力のレーザ光が照射されると、上記ＨＲ膜が割れてし
まい、特性が劣化するためである。
【０００５】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
であり、高出力のレーザ光が照射されても割れてしまう
ことのない高耐力の光学素子の膜の形成方法の提供を目
的とする。
であり、高出力のレーザ光が照射されても割れてしまう
ことのない高耐力の光学素子の膜の形成方法の提供を目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光学素子の膜の
形成方法は、光学結晶に高反射膜をイオンプレーティン
グにより形成するイオンプレーティング工程と、上記イ
オンプレーティング工程により形成した高反射膜をアニ
ール処理するアニール処理工程とを有することにより上
記課題を解決する。
形成方法は、光学結晶に高反射膜をイオンプレーティン
グにより形成するイオンプレーティング工程と、上記イ
オンプレーティング工程により形成した高反射膜をアニ
ール処理するアニール処理工程とを有することにより上
記課題を解決する。
【０００７】この場合、上記イオンプレーティング工程
は高反射膜と無反射膜の両方を形成し、上記アニール処
理工程は高反射膜と無反射膜の両方をアニール処理する
ようにしてもよい。
は高反射膜と無反射膜の両方を形成し、上記アニール処
理工程は高反射膜と無反射膜の両方をアニール処理する
ようにしてもよい。
【０００８】また、上記アニール処理工程は５００℃乃
至８００℃の温度でアニール処理を行うことが好まし
い。
至８００℃の温度でアニール処理を行うことが好まし
い。
【０００９】また、本発明に係る光学素子の膜の形成方
法は、光学結晶に高反射膜をイオンスパッタにより形成
するイオンスパッタ工程と、上記イオンスパッタ工程に
より形成した高反射膜をアニール処理するアニール処理
工程とを有することにより上記課題を解決する。
法は、光学結晶に高反射膜をイオンスパッタにより形成
するイオンスパッタ工程と、上記イオンスパッタ工程に
より形成した高反射膜をアニール処理するアニール処理
工程とを有することにより上記課題を解決する。
【００１０】この場合、上記イオンスパッタ工程は高反
射膜と無反射膜の両方を形成し、上記アニール処理工程
は高反射膜と無反射膜の両方をアニール処理するように
してもよい。
射膜と無反射膜の両方を形成し、上記アニール処理工程
は高反射膜と無反射膜の両方をアニール処理するように
してもよい。
【００１１】また、上記アニール処理工程は５００℃乃
至８００℃の温度でアニール処理を行うことが好まし
い。
至８００℃の温度でアニール処理を行うことが好まし
い。
【００１２】
【作用】本発明に係る光学素子の膜の形成方法のイオン
プレーティング工程が形成した高反射膜は、緻密で水分
を通過させず、光学結晶に対する保護膜として機能す
る。また、アニール処理工程が上記高反射膜に施すアニ
ール処理は、該高反射膜に残る酸素を逃がす。このた
め、本発明に係る光学素子の膜の形成方法で形成された
高反射膜は、高出力レーザ光に対して高耐力を持つ。
プレーティング工程が形成した高反射膜は、緻密で水分
を通過させず、光学結晶に対する保護膜として機能す
る。また、アニール処理工程が上記高反射膜に施すアニ
ール処理は、該高反射膜に残る酸素を逃がす。このた
め、本発明に係る光学素子の膜の形成方法で形成された
高反射膜は、高出力レーザ光に対して高耐力を持つ。
【００１３】本発明に係る光学素子の膜の形成方法のイ
オンスパッタ工程が形成した高反射膜は、緻密で水分を
通過させず、光学結晶に対する保護膜として機能する。
また、アニール処理工程が上記高反射膜に施すアニール
処理は、該高反射膜に残る酸素を逃がす。このため、本
発明に係る光学素子の膜の形成方法で形成された高反射
膜は、高出力レーザ光に対して高耐力を持つ。
オンスパッタ工程が形成した高反射膜は、緻密で水分を
通過させず、光学結晶に対する保護膜として機能する。
また、アニール処理工程が上記高反射膜に施すアニール
処理は、該高反射膜に残る酸素を逃がす。このため、本
発明に係る光学素子の膜の形成方法で形成された高反射
膜は、高出力レーザ光に対して高耐力を持つ。
【００１４】
【実施例】以下、本発明に係る光学素子の膜の形成方法
により、研磨された両面に光学薄膜が形成される光学結
晶ＫＴｉＯＰＯ4（ＫＴＰ）よりなる非線形光学素子を
実施例として図面を参照しながら説明する。
により、研磨された両面に光学薄膜が形成される光学結
晶ＫＴｉＯＰＯ4（ＫＴＰ）よりなる非線形光学素子を
実施例として図面を参照しながら説明する。
【００１５】この実施例は、図１に示すように、研磨さ
れた一方の端面に無反射（ＡＲ）膜２と研磨された他方
の端面に高反射（ＨＲ）膜３が形成された光学結晶であ
るＫＴＰ１からなる非線形光学素子であり、１０６４ｎ
ｍの波長の基本波レーザ光を波長変換して５３２ｎｍの
波長の第２高調波（ＳＨＧ）レーザ光を発生させる際に
用いられる。
れた一方の端面に無反射（ＡＲ）膜２と研磨された他方
の端面に高反射（ＨＲ）膜３が形成された光学結晶であ
るＫＴＰ１からなる非線形光学素子であり、１０６４ｎ
ｍの波長の基本波レーザ光を波長変換して５３２ｎｍの
波長の第２高調波（ＳＨＧ）レーザ光を発生させる際に
用いられる。
【００１６】この実施例の非線形光学素子のＡＲ膜２及
びＨＲ膜３とも、本発明に係る光学素子の膜の形成方法
により、先ず、両端が研磨されたＫＴＰ１にイオンプレ
ーティングにより形成され、その後、５００℃乃至８０
０℃の温度でアニール処理される。
びＨＲ膜３とも、本発明に係る光学素子の膜の形成方法
により、先ず、両端が研磨されたＫＴＰ１にイオンプレ
ーティングにより形成され、その後、５００℃乃至８０
０℃の温度でアニール処理される。
【００１７】イオンプレーティングは、被膜形成する物
質そのもののイオンを作り出し、基板側を陰極にしてこ
こにイオンを激突させて、薄膜を形成する。このイオン
プレーティングを行うイオンプレーティング装置の断面
を図２に示す。
質そのもののイオンを作り出し、基板側を陰極にしてこ
こにイオンを激突させて、薄膜を形成する。このイオン
プレーティングを行うイオンプレーティング装置の断面
を図２に示す。
【００１８】イオンプレーティング装置は、図２に示す
ように、真空室１０の内部に配設された材料坩堝１１の
中の材料１２を溶融しイオン化して、基板ドーム１７に
セットされた基板（ＫＴＰ１）の研磨面に注入するもの
である。材料１２のイオン化は、プラズマのワーキング
ガスＡｒをカソード室１３に導入し、カソード室１３と
材料坩堝１１間に電源１６により放電を加えることによ
って行われる。低電圧・大電流のＡｒプラズマビームが
偏向コイル１４を介して材料坩堝１１に当たると、材料
１２の蒸発物質原子（または分子）及び反応性分子は活
性化及びイオン化する。イオン化した原子及び分子は高
い化学反応性を持つ。一方、電気的に絶縁されている基
板ドーム１７にセットされているＫＴＰ１は、真空室１
０内部にあるプラズマに晒され、プラズマに対して自己
バイアスされる。そして、イオン化した蒸発物質、反応
ガス及びＡｒガスは加速され、大きな運動エネルギーを
もってＫＴＰ１の研磨面に入射する。つまり、イオンプ
レーティングが行われる。図２において、電子銃１５
は、材料１２のイオン化を促進させる働きをする。
ように、真空室１０の内部に配設された材料坩堝１１の
中の材料１２を溶融しイオン化して、基板ドーム１７に
セットされた基板（ＫＴＰ１）の研磨面に注入するもの
である。材料１２のイオン化は、プラズマのワーキング
ガスＡｒをカソード室１３に導入し、カソード室１３と
材料坩堝１１間に電源１６により放電を加えることによ
って行われる。低電圧・大電流のＡｒプラズマビームが
偏向コイル１４を介して材料坩堝１１に当たると、材料
１２の蒸発物質原子（または分子）及び反応性分子は活
性化及びイオン化する。イオン化した原子及び分子は高
い化学反応性を持つ。一方、電気的に絶縁されている基
板ドーム１７にセットされているＫＴＰ１は、真空室１
０内部にあるプラズマに晒され、プラズマに対して自己
バイアスされる。そして、イオン化した蒸発物質、反応
ガス及びＡｒガスは加速され、大きな運動エネルギーを
もってＫＴＰ１の研磨面に入射する。つまり、イオンプ
レーティングが行われる。図２において、電子銃１５
は、材料１２のイオン化を促進させる働きをする。
【００１９】このように、イオンプレーティング装置
は、結晶の研磨面に酸素雰囲気中でアルゴンガスをプラ
ズマ作動物質として使用して誘電体の薄膜を形成する。
このようにイオンプレーティング装置によって、ＫＴＰ
１にはＡＲ膜２及びＨＲ膜３が形成される。イオンプレ
ーティングによって形成された光学膜は、緻密で水分を
通過させず、光学素子に対する保護膜として機能する。
は、結晶の研磨面に酸素雰囲気中でアルゴンガスをプラ
ズマ作動物質として使用して誘電体の薄膜を形成する。
このようにイオンプレーティング装置によって、ＫＴＰ
１にはＡＲ膜２及びＨＲ膜３が形成される。イオンプレ
ーティングによって形成された光学膜は、緻密で水分を
通過させず、光学素子に対する保護膜として機能する。
【００２０】しかし、このようにしてＫＴＰ１に形成さ
れた光学薄膜であるＡＲ膜２及びＨＲ膜３をそのまま波
長変換等に用いるには限界がある。波長変換に用いるよ
うな光学素子では、光学的損失が極限まで低い必要があ
り、光学結晶としての誘電体であるＫＴＰ１のような結
晶は、通常内部欠陥や酸素欠陥を補正する必要がある。
また、光学薄膜自体も誘電体を使用することから同様な
欠陥があり補正する必要がある。さらに、光学薄膜は多
結晶体であるため、内部に粒界を持ちその粒界が大きい
と熱伝導的に有利なので、粒界を成長させると有利であ
る。このため、イオンプレーティング装置によって、Ａ
Ｒ膜２及びＨＲ膜３が形成されたＫＴＰ１にアニーリン
グ処理を施す。
れた光学薄膜であるＡＲ膜２及びＨＲ膜３をそのまま波
長変換等に用いるには限界がある。波長変換に用いるよ
うな光学素子では、光学的損失が極限まで低い必要があ
り、光学結晶としての誘電体であるＫＴＰ１のような結
晶は、通常内部欠陥や酸素欠陥を補正する必要がある。
また、光学薄膜自体も誘電体を使用することから同様な
欠陥があり補正する必要がある。さらに、光学薄膜は多
結晶体であるため、内部に粒界を持ちその粒界が大きい
と熱伝導的に有利なので、粒界を成長させると有利であ
る。このため、イオンプレーティング装置によって、Ａ
Ｒ膜２及びＨＲ膜３が形成されたＫＴＰ１にアニーリン
グ処理を施す。
【００２１】従来例えば真空蒸着により形成されたＡＲ
膜及びＨＲ膜にアニーリング処理を施すと、アニーリン
グの温度は５００乃至８００℃の高温に及ぶので、該Ａ
Ｒ膜及びＨＲ膜は割れてしまう。このため、結晶のアニ
ーリングを高温で行い、薄膜のアニーリングを低温で行
うように、結晶と薄膜を別々に分けてアニーリングする
ことが考えられがこれでは手間がかかってしまう。
膜及びＨＲ膜にアニーリング処理を施すと、アニーリン
グの温度は５００乃至８００℃の高温に及ぶので、該Ａ
Ｒ膜及びＨＲ膜は割れてしまう。このため、結晶のアニ
ーリングを高温で行い、薄膜のアニーリングを低温で行
うように、結晶と薄膜を別々に分けてアニーリングする
ことが考えられがこれでは手間がかかってしまう。
【００２２】しかし、上述したようにイオンプレーティ
ング装置を用いてＫＴＰ１に形成したＡＲ膜２及びＨＲ
膜３は、耐熱性が良いので、アニーリングの工程を分け
て行う必要がない。
ング装置を用いてＫＴＰ１に形成したＡＲ膜２及びＨＲ
膜３は、耐熱性が良いので、アニーリングの工程を分け
て行う必要がない。
【００２３】このアニーリング処理は、ＡＲ膜２及びＨ
Ｒ膜３が形成されたＫＴＰ１を環状炉またはマッフル炉
に入れて、酸素、オゾン、または大気雰囲気中で５００
乃至８００℃の高温で３、４時間行われる。
Ｒ膜３が形成されたＫＴＰ１を環状炉またはマッフル炉
に入れて、酸素、オゾン、または大気雰囲気中で５００
乃至８００℃の高温で３、４時間行われる。
【００２４】このようにして形成されたＫＴＰ１とその
両端の光学薄膜よりなる光学素子は、例えば、 ＡＩＲ／Ｈ／Ｍ／ＫＴＰ／（ＨＬ）12（Ｌ／２）／ＡＩＲ のように示される。
両端の光学薄膜よりなる光学素子は、例えば、 ＡＩＲ／Ｈ／Ｍ／ＫＴＰ／（ＨＬ）12（Ｌ／２）／ＡＩＲ のように示される。
【００２５】ここで、ＡＩＲは空気、ＫＴＰは光学結
晶、Ｈは五酸化タンタルＴａ2Ｏ5の中心波長λの１／４
膜、Ｍは酸化アルミニウムＡｌ2Ｏ3の中心波長λの１／
４膜、Ｌは二酸化シリコンＳｉＯ2の中心波長λの１／
４膜である。
晶、Ｈは五酸化タンタルＴａ2Ｏ5の中心波長λの１／４
膜、Ｍは酸化アルミニウムＡｌ2Ｏ3の中心波長λの１／
４膜、Ｌは二酸化シリコンＳｉＯ2の中心波長λの１／
４膜である。
【００２６】すなわち、上記構成式によって示される光
学素子のＫＴＰ１の両端の光学薄膜の内の一方の薄膜
は、ＨとＭの２層膜よりなる無反射膜である。また、上
記両端の光学薄膜の内の他方の薄膜は、ＨとＬからなる
膜を１２回繰り返して積層し、合計２４層とした多層膜
構造とλ／８のＳｉＯ2の膜とよりなる高反射膜であ
る。
学素子のＫＴＰ１の両端の光学薄膜の内の一方の薄膜
は、ＨとＭの２層膜よりなる無反射膜である。また、上
記両端の光学薄膜の内の他方の薄膜は、ＨとＬからなる
膜を１２回繰り返して積層し、合計２４層とした多層膜
構造とλ／８のＳｉＯ2の膜とよりなる高反射膜であ
る。
【００２７】例えば、ＳＨＧ波長変換において、ＨとＭ
の２層膜よりなる無反射膜の中心波長は５３２ｎｍであ
り、ＨとＬからなる膜を１２回繰り返して積層し、合計
２４層とした多層膜構造とλ／８のＳｉＯ2の膜とより
なる高反射膜の中心波長は１０６４ｎｍである。
の２層膜よりなる無反射膜の中心波長は５３２ｎｍであ
り、ＨとＬからなる膜を１２回繰り返して積層し、合計
２４層とした多層膜構造とλ／８のＳｉＯ2の膜とより
なる高反射膜の中心波長は１０６４ｎｍである。
【００２８】したがって、イオンプレーティング処理と
一度のアニール処理によりＡＲ膜２及びＨＲ膜３が形成
されたＫＴＰ１よりなる非線形光学素子は、該イオンプ
レーティング処理がＡＲ膜２及びＨＲ膜３を緻密で水分
を通過させない保護膜とし、一度のアニール処理がＡＲ
膜２及びＨＲ膜３から酸素を逃がすので、高出力レーザ
光に対して高耐力を持つ。また、アニール処理を一度に
行えることにより、製造工程を簡略化できる。
一度のアニール処理によりＡＲ膜２及びＨＲ膜３が形成
されたＫＴＰ１よりなる非線形光学素子は、該イオンプ
レーティング処理がＡＲ膜２及びＨＲ膜３を緻密で水分
を通過させない保護膜とし、一度のアニール処理がＡＲ
膜２及びＨＲ膜３から酸素を逃がすので、高出力レーザ
光に対して高耐力を持つ。また、アニール処理を一度に
行えることにより、製造工程を簡略化できる。
【００２９】なお、この実施例のＫＴＰ１は、イオンプ
レーティングとアニール処理により形成されるだけでは
なく、イオンスパッタとアニール処理により形成されて
もよい。
レーティングとアニール処理により形成されるだけでは
なく、イオンスパッタとアニール処理により形成されて
もよい。
【００３０】すなわち、ＫＴＰ１は、先ず、イオンスパ
ッタリングされてＡＲ膜２及びＨＲ膜３が形成され、そ
の後に、５００℃乃至８００℃の温度でアニール処理さ
れて形成されてもよい。
ッタリングされてＡＲ膜２及びＨＲ膜３が形成され、そ
の後に、５００℃乃至８００℃の温度でアニール処理さ
れて形成されてもよい。
【００３１】イオンスパッタ装置は、図３に示すよう
に、真空室２０の中でグロー放電を起こし、イオンガン
２１からイオン化したアルゴンＡｒのプラス電化をスパ
ッタターゲット２２に激突させ、該スパッタターゲット
２２から陰極物質を叩き出し、基板ホルダ２３にセット
された基板（ＫＴＰ１）に衝突させ堆積させる。ここ
で、ポンプ２４は、真空ポンプとして用いられる。
に、真空室２０の中でグロー放電を起こし、イオンガン
２１からイオン化したアルゴンＡｒのプラス電化をスパ
ッタターゲット２２に激突させ、該スパッタターゲット
２２から陰極物質を叩き出し、基板ホルダ２３にセット
された基板（ＫＴＰ１）に衝突させ堆積させる。ここ
で、ポンプ２４は、真空ポンプとして用いられる。
【００３２】このように、イオンスパッタ装置も、結晶
の研磨面に酸素雰囲気中でアルゴンガスをプラズマ作動
物質として使用して誘電体の薄膜を形成する。このよう
にイオンスパッタ装置によって、ＫＴＰ１にはＡＲ膜２
及びＨＲ膜３が形成される。イオンスパッタによって形
成された光学薄膜は、緻密で水分を通過させず、光学素
子に対する保護膜として機能する。
の研磨面に酸素雰囲気中でアルゴンガスをプラズマ作動
物質として使用して誘電体の薄膜を形成する。このよう
にイオンスパッタ装置によって、ＫＴＰ１にはＡＲ膜２
及びＨＲ膜３が形成される。イオンスパッタによって形
成された光学薄膜は、緻密で水分を通過させず、光学素
子に対する保護膜として機能する。
【００３３】このイオンスパッタ装置によってＡＲ膜２
及びＨＲ膜３が形成されたＫＴＰ１にも、上述したよう
な理由によりアニーリング処理を施す。
及びＨＲ膜３が形成されたＫＴＰ１にも、上述したよう
な理由によりアニーリング処理を施す。
【００３４】この場合のアニーリング処理も、イオンス
パッタ装置によって形成されたＫＴＰ１のＡＲ膜２及び
ＨＲ膜３が耐熱性が良いので、工程を分けて行う必要が
なく、上記ＫＴＰ１を環状炉またはマッフル炉に入れ
て、酸素、オゾン、または大気雰囲気中で５００乃至８
００℃の高温で３、４時間行う。
パッタ装置によって形成されたＫＴＰ１のＡＲ膜２及び
ＨＲ膜３が耐熱性が良いので、工程を分けて行う必要が
なく、上記ＫＴＰ１を環状炉またはマッフル炉に入れ
て、酸素、オゾン、または大気雰囲気中で５００乃至８
００℃の高温で３、４時間行う。
【００３５】このようにしてＡＲ膜２及びＨＲ膜３が形
成されたＫＴＰ１よりなる非線形光学素子も、上記構成
式により示される。
成されたＫＴＰ１よりなる非線形光学素子も、上記構成
式により示される。
【００３６】したがって、イオンスパッタ処理と一度の
アニール処理によりＡＲ膜２及びＨＲ膜３が形成された
ＫＴＰ１よりなる非線形光学素子は、該イオンスパッタ
処理がＡＲ膜２及びＨＲ膜３を緻密で水分を通過させな
い保護膜とし、一度のアニール処理がＡＲ膜２及びＨＲ
膜３から酸素を逃がすので、高出力レーザ光に対して高
耐力を持つ。また、アニール処理を一度に行えることに
より、製造工程を簡略化できる。
アニール処理によりＡＲ膜２及びＨＲ膜３が形成された
ＫＴＰ１よりなる非線形光学素子は、該イオンスパッタ
処理がＡＲ膜２及びＨＲ膜３を緻密で水分を通過させな
い保護膜とし、一度のアニール処理がＡＲ膜２及びＨＲ
膜３から酸素を逃がすので、高出力レーザ光に対して高
耐力を持つ。また、アニール処理を一度に行えることに
より、製造工程を簡略化できる。
【００３７】また、本発明に係る光学素子の膜の形成方
法は、イオンプレーティング工程またはイオンスパッタ
リング工程によりＨＲ膜のみを形成し、該ＨＲ膜が形成
された光学結晶をアニール処理した後、真空蒸着により
ＡＲ膜を新たに形成するようにしてもよい。
法は、イオンプレーティング工程またはイオンスパッタ
リング工程によりＨＲ膜のみを形成し、該ＨＲ膜が形成
された光学結晶をアニール処理した後、真空蒸着により
ＡＲ膜を新たに形成するようにしてもよい。
【００３８】また、本発明に係る光学素子の膜の形成方
法は、上記実施例のＫＴＰにのみ光学薄膜を形成するの
ではなく、リン酸２水素カリウム（ＫＤＰ）、ホウ酸バ
リウム（ＢＢＯ）、イットリウムアルミニウムガーネッ
ト（ＹＡＧ）、ＹＶＯ4に光学薄膜を形成してもよい。
法は、上記実施例のＫＴＰにのみ光学薄膜を形成するの
ではなく、リン酸２水素カリウム（ＫＤＰ）、ホウ酸バ
リウム（ＢＢＯ）、イットリウムアルミニウムガーネッ
ト（ＹＡＧ）、ＹＶＯ4に光学薄膜を形成してもよい。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係る光学素子の膜の形成方法
は、光学結晶に高反射膜をイオンプレーティングにより
形成するイオンプレーティング工程と、上記イオンプレ
ーティング工程により形成した高反射率をアニール処理
するアニール処理工程とを有するので、高出力レーザ光
に対して高耐力を持った高品質の光学素子の膜を形成で
きる。また、アニール処理工程を一度にまとめることが
でき、製造工程を簡略化でき、低コスト化を実現でき
る。
は、光学結晶に高反射膜をイオンプレーティングにより
形成するイオンプレーティング工程と、上記イオンプレ
ーティング工程により形成した高反射率をアニール処理
するアニール処理工程とを有するので、高出力レーザ光
に対して高耐力を持った高品質の光学素子の膜を形成で
きる。また、アニール処理工程を一度にまとめることが
でき、製造工程を簡略化でき、低コスト化を実現でき
る。
【００４０】また、本発明に係る光学素子の膜の形成方
法は、光学結晶に高反射膜をイオンスパッタにより形成
するイオンスパッタ工程と、上記イオンスパッタ工程に
より形成した高反射膜をアニール処理するアニール処理
工程とを有するので、高出力レーザ光に対して高耐力を
持った高品質の光学素子の膜を形成できる。また、アニ
ール処理工程を一度にまとめることができ、製造工程を
簡略化でき、低コスト化を実現できる。
法は、光学結晶に高反射膜をイオンスパッタにより形成
するイオンスパッタ工程と、上記イオンスパッタ工程に
より形成した高反射膜をアニール処理するアニール処理
工程とを有するので、高出力レーザ光に対して高耐力を
持った高品質の光学素子の膜を形成できる。また、アニ
ール処理工程を一度にまとめることができ、製造工程を
簡略化でき、低コスト化を実現できる。
【図１】本発明の実施例となる非線形光学素子の構造図
である。
である。
【図２】イオンプレーティング装置の概略構成図であ
る。
る。
【図３】イオンスパッタ装置の概略構成図である。
１ ＫＴＰ ２ 無反射膜 ３ 高反射膜
Claims (6)
- 【請求項１】 光学結晶に高反射膜をイオンプレーティ
ングにより形成するイオンプレーティング工程と、 上記イオンプレーティング工程により形成した高反射膜
をアニール処理するアニール処理工程とを有することを
特徴とする光学素子の膜の形成方法。 - 【請求項２】 上記イオンプレーティング工程は高反射
膜と無反射膜の両方を形成し、上記アニール処理工程は
高反射膜と無反射膜の両方をアニール処理することを特
徴とする請求項１記載の光学素子の膜の形成方法。 - 【請求項３】 上記アニール処理工程は５００℃乃至８
００℃の温度でアニール処理を行うことを特徴とする請
求項１又は２記載の光学素子の膜の形成方法。 - 【請求項４】 光学結晶に高反射膜をイオンスパッタに
より形成するイオンスパッタ工程と、 上記イオンスパッタ工程により形成した高反射膜をアニ
ール処理するアニール処理工程とを有することを特徴と
する光学素子の膜の形成方法。 - 【請求項５】 上記イオンスパッタ工程は高反射膜と無
反射膜の両方を形成し、上記アニール処理工程は高反射
膜と無反射膜の両方をアニール処理することを特徴とす
る請求項４記載の光学素子の膜の形成方法。 - 【請求項６】 上記アニール処理工程は５００℃乃至８
００℃の温度でアニール処理を行うことを特徴とする請
求項４又は５記載の光学素子の膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6062601A JPH07270835A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 光学素子の膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6062601A JPH07270835A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 光学素子の膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07270835A true JPH07270835A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13205021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6062601A Pending JPH07270835A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 光学素子の膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07270835A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009510749A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 保護光学コーティングを有する液浸光リソグラフィ・システム及び該システムの光学素子を形成する方法 |
| JP2013044978A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | レーザ光用光ファイバ構造体及びその製造方法 |
| JP2013140201A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 金属酸化膜による光学薄膜の形成方法および光学素子 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP6062601A patent/JPH07270835A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009510749A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 保護光学コーティングを有する液浸光リソグラフィ・システム及び該システムの光学素子を形成する方法 |
| JP2013044978A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | レーザ光用光ファイバ構造体及びその製造方法 |
| JP2013140201A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 金属酸化膜による光学薄膜の形成方法および光学素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030902 |