JPH0727254B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH0727254B2 JPH0727254B2 JP61117815A JP11781586A JPH0727254B2 JP H0727254 B2 JPH0727254 B2 JP H0727254B2 JP 61117815 A JP61117815 A JP 61117815A JP 11781586 A JP11781586 A JP 11781586A JP H0727254 B2 JPH0727254 B2 JP H0727254B2
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- Japan
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- amorphous silicon
- photoconductor
- photoconductive layer
- tin
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真用感光体に関し、特に、感光層に非
晶質ケイ素を用いた電子写真用感光体に関する。
晶質ケイ素を用いた電子写真用感光体に関する。
従来技術 電子写真法は、感光体に帯電、像露光により静電潜像を
形成し、この潜像を現像剤で現像後、転写紙にトナー像
を転写し定着して複写物を得る方法として知られてい
る。この電子写真法に用いられる感光層は、基本構成と
して導電性基板上に感光層を積層して成る。しかして、
従来より、感光体を構成する材料としてはセレンあるい
はセレン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機感光
材料、あるいは、ポリビニルカルバゾール、トリニトロ
フルオレノン、ビスアゾ顔料、フタロシアニン、ピラゾ
リン、ヒドラゾン等の有機感光材料が知られており、感
光層を単層あるいは積層にして用いられている。しかし
ながら、従来より用いられているこれらの感光層は、耐
久性、耐熱性、光感度などにおいて未だ解決すべき問題
点を有している。
形成し、この潜像を現像剤で現像後、転写紙にトナー像
を転写し定着して複写物を得る方法として知られてい
る。この電子写真法に用いられる感光層は、基本構成と
して導電性基板上に感光層を積層して成る。しかして、
従来より、感光体を構成する材料としてはセレンあるい
はセレン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機感光
材料、あるいは、ポリビニルカルバゾール、トリニトロ
フルオレノン、ビスアゾ顔料、フタロシアニン、ピラゾ
リン、ヒドラゾン等の有機感光材料が知られており、感
光層を単層あるいは積層にして用いられている。しかし
ながら、従来より用いられているこれらの感光層は、耐
久性、耐熱性、光感度などにおいて未だ解決すべき問題
点を有している。
近年、この感光層として非晶質ケイ素（アモルフアスシ
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、シラン
（SiH4）ガスをグロー放電分解法等によりケイ素の非晶
質膜を導電性基板上に形成したものであって、非晶質ケ
イ素膜中に水素原子が組み込まれて光導電性を呈するも
のである。この非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬
度が高く傷つきにくく、摩耗にも強く、耐熱性も高く、
機械的強度においてもすぐれている。更に、非晶質ケイ
素は、分光感度域が広く、高い光感度を有する如く感光
特性もすぐれている。しかし反面、非晶質ケイ素を用い
た感光体は、暗減衰が大きく、帯電しても十分な帯電電
位が得られないという欠点を有する。即ち、非晶質ケイ
素感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し、次い
で現像する際、感光体上の表面電荷が像露光工程まで、
あるいは現像工程までの間に光照射を受けなかった部分
の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が
得られない。この帯電電位の減衰は、環境条件の影響に
よっても変化しやすく、特に高温高湿環境では帯電電位
が大巾に低下する。更に、非晶質ケイ素の感光体は、繰
返し使用すると徐々に帯電電位が低下してしまう。この
様な帯電電位の暗減衰の大きな感光体を用いて複写物を
作成すると、画像濃度が低くまた、中間調の再現性に乏
しい複写物となる。
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、シラン
（SiH4）ガスをグロー放電分解法等によりケイ素の非晶
質膜を導電性基板上に形成したものであって、非晶質ケ
イ素膜中に水素原子が組み込まれて光導電性を呈するも
のである。この非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬
度が高く傷つきにくく、摩耗にも強く、耐熱性も高く、
機械的強度においてもすぐれている。更に、非晶質ケイ
素は、分光感度域が広く、高い光感度を有する如く感光
特性もすぐれている。しかし反面、非晶質ケイ素を用い
た感光体は、暗減衰が大きく、帯電しても十分な帯電電
位が得られないという欠点を有する。即ち、非晶質ケイ
素感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し、次い
で現像する際、感光体上の表面電荷が像露光工程まで、
あるいは現像工程までの間に光照射を受けなかった部分
の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が
得られない。この帯電電位の減衰は、環境条件の影響に
よっても変化しやすく、特に高温高湿環境では帯電電位
が大巾に低下する。更に、非晶質ケイ素の感光体は、繰
返し使用すると徐々に帯電電位が低下してしまう。この
様な帯電電位の暗減衰の大きな感光体を用いて複写物を
作成すると、画像濃度が低くまた、中間調の再現性に乏
しい複写物となる。
発明の目的 本発明の目的は、非晶質ケイ素を用いる感光体の上述の
欠点を解消した電子写真用感光体を提供することにあ
る。
欠点を解消した電子写真用感光体を提供することにあ
る。
更に、本発明の目的は、非晶質ケイ素を用い、しかも、
帯電電位の暗減衰が極めて小さい電子写真用感光体を提
供することにある。
帯電電位の暗減衰が極めて小さい電子写真用感光体を提
供することにある。
本発明の他の目的は、帯電特性が外部環境の雰囲気の変
化によって影響を受けない電子写真用感光体を提供する
ことにある。
化によって影響を受けない電子写真用感光体を提供する
ことにある。
また、本発明の他の目的は、繰返し使用されても画像品
質の優れた電子写真用感光体を提供することにある。
質の優れた電子写真用感光体を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、機械的強度、耐久性、耐熱
性、光感度などの電子写真特性に優れた電子写真用感光
体を提供することにある。
性、光感度などの電子写真特性に優れた電子写真用感光
体を提供することにある。
発明の構成 本発明者は、鋭意研究を行なった結果、導電性基板上
に、非晶質ケイ素から成る光導電層を被覆し、更に、そ
の上に表面層を積層すると共に、該表面層として、スズ
のアセチルアセトネート錯体またはスズのアルコキシド
を少なくとも１種類含有する溶液の乾燥硬化物を用いる
ことによって上記目的が達成されることを見出した。光
導電層としては、非晶質ケイ素を主体とする半導体を用
いる。
に、非晶質ケイ素から成る光導電層を被覆し、更に、そ
の上に表面層を積層すると共に、該表面層として、スズ
のアセチルアセトネート錯体またはスズのアルコキシド
を少なくとも１種類含有する溶液の乾燥硬化物を用いる
ことによって上記目的が達成されることを見出した。光
導電層としては、非晶質ケイ素を主体とする半導体を用
いる。
かくして、本発明に従えば、導電性基板上に光導電層お
よび表面層を順次積層して成る電子写真用感光体におい
て、前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素
を主体とする半導体から成り、前記表面層が、スズのア
セチルアセトネート錯体またはスズのアルコキシドを少
なくとも１種類含む溶液の乾燥硬化物から成ることを特
徴とする電子写真用感光体が提供される。
よび表面層を順次積層して成る電子写真用感光体におい
て、前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素
を主体とする半導体から成り、前記表面層が、スズのア
セチルアセトネート錯体またはスズのアルコキシドを少
なくとも１種類含む溶液の乾燥硬化物から成ることを特
徴とする電子写真用感光体が提供される。
本発明の電子写真用感光体の表面層を形成するのに用い
られるスズのアセチルアセトネート錯体またはスズのア
ルコキシドの好ましい例としては、スズビスアセチルア
セトネート、スズテトラメトキシド、スズテトラエトキ
シド、スズテトライソプロポキシド、スズテトラブトキ
シド、スズテトラ−Sec−ブトキシドが挙げられる。
られるスズのアセチルアセトネート錯体またはスズのア
ルコキシドの好ましい例としては、スズビスアセチルア
セトネート、スズテトラメトキシド、スズテトラエトキ
シド、スズテトライソプロポキシド、スズテトラブトキ
シド、スズテトラ−Sec−ブトキシドが挙げられる。
本発明の電子写真用感光体を得るに当っては、上記のご
とき特定の有機スズ化合物の１種または２種以上を適当
な溶媒に溶解した溶液を塗布する。また、この際、これ
らの有機スズ化合物に有機ケイ素化合物を混合した溶液
を用いてもよい。この有機ケイ素化合物としては一般に
シランカップリング剤と呼ばれている化合物が好適であ
り、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリエト
キシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シ
ラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ
−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、メチルト
リメトキシシラン、ジメチルジメトキシラン、トリメチ
ルモノメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、
ジフェニルジエトキシシラン、モノフェニルトリメトキ
シシラン等が挙げられる。このようなシランカップリン
グ剤を混合して用いる場合には、該シランカップリング
剤が全固形物重量に対して５〜50％となるようにするの
がよい。
とき特定の有機スズ化合物の１種または２種以上を適当
な溶媒に溶解した溶液を塗布する。また、この際、これ
らの有機スズ化合物に有機ケイ素化合物を混合した溶液
を用いてもよい。この有機ケイ素化合物としては一般に
シランカップリング剤と呼ばれている化合物が好適であ
り、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリエト
キシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シ
ラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ
−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、メチルト
リメトキシシラン、ジメチルジメトキシラン、トリメチ
ルモノメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、
ジフェニルジエトキシシラン、モノフェニルトリメトキ
シシラン等が挙げられる。このようなシランカップリン
グ剤を混合して用いる場合には、該シランカップリング
剤が全固形物重量に対して５〜50％となるようにするの
がよい。
かくして、有機スズ化合物、場合によっては更に有機ケ
イ素化合物を含有する溶液を、光導電層上に、スプレー
塗布、浸漬塗布、ナイフ塗布またはロール塗布などの方
法で塗布した後、乾燥硬化させることによって本発明の
電子写真用感光体が得られる。乾燥硬化温度は100〜400
℃の間の任意の温度に設定することができる。最終的に
得られる表面層の膜厚も任意に設定され得るが、0.7〜1
0μｍが好適である。
イ素化合物を含有する溶液を、光導電層上に、スプレー
塗布、浸漬塗布、ナイフ塗布またはロール塗布などの方
法で塗布した後、乾燥硬化させることによって本発明の
電子写真用感光体が得られる。乾燥硬化温度は100〜400
℃の間の任意の温度に設定することができる。最終的に
得られる表面層の膜厚も任意に設定され得るが、0.7〜1
0μｍが好適である。
非晶質ケイ素を主体とする光導電層は、SiH4、Si2H6、S
i3H8、Si4H10、等の水素化ケイ素ガスの１種またはそれ
らの混合物を原料として、グロー放電法、スパッタリン
グ法、イオンプレーテイング法、真空蒸着法などの方法
によって基板上に形成する。中でも、プラズマCVD（Che
mical Vapor Vapon Deposition）法によってシラン（Si
H4）ガス等をグロー放電分解する方法（グロー放電法）
が：膜中への水素の含有量の制御の点から好ましい。ま
た、この場合水素の含有を一層効率良く行なうために、
プラズマCVD装置内にシランガス等と同時に、別途に水
素（H2）ガスを導入してもよい。
i3H8、Si4H10、等の水素化ケイ素ガスの１種またはそれ
らの混合物を原料として、グロー放電法、スパッタリン
グ法、イオンプレーテイング法、真空蒸着法などの方法
によって基板上に形成する。中でも、プラズマCVD（Che
mical Vapor Vapon Deposition）法によってシラン（Si
H4）ガス等をグロー放電分解する方法（グロー放電法）
が：膜中への水素の含有量の制御の点から好ましい。ま
た、この場合水素の含有を一層効率良く行なうために、
プラズマCVD装置内にシランガス等と同時に、別途に水
素（H2）ガスを導入してもよい。
本発明の電子写真用感光体の光導電層として用いるの
は、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主体とする半導
体であり、、この非晶質ケイ素光導電体層の暗抵抗の制
御あるいは帯電極性の制御を目的として上記ガス中にジ
ボラン（B2H6）ガスあるいはホスフィン（PH3）ガスを
混入させ光導電層中へホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）
などの不純物元素の添加を行なうことができる。
は、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主体とする半導
体であり、、この非晶質ケイ素光導電体層の暗抵抗の制
御あるいは帯電極性の制御を目的として上記ガス中にジ
ボラン（B2H6）ガスあるいはホスフィン（PH3）ガスを
混入させ光導電層中へホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）
などの不純物元素の添加を行なうことができる。
また、光導電層には、炭素原子、窒素原子または酸素原
子の内少なくとも一種類を含有させてよく、このような
原子の含有は、特に感光層膜の暗抵抗の増加、光感度の
増加、更には、帯電能（単位膜あたりの帯電電位）の増
加の点から好ましい。更に、感光体の長波長域の感度を
増加させることを目的として、光導電層にゲルマニウム
（Ge）などの元素を添加することも可能である。またハ
ロゲン原子を添加することによって、暗抵抗の増加等を
図ることもできる。
子の内少なくとも一種類を含有させてよく、このような
原子の含有は、特に感光層膜の暗抵抗の増加、光感度の
増加、更には、帯電能（単位膜あたりの帯電電位）の増
加の点から好ましい。更に、感光体の長波長域の感度を
増加させることを目的として、光導電層にゲルマニウム
（Ge）などの元素を添加することも可能である。またハ
ロゲン原子を添加することによって、暗抵抗の増加等を
図ることもできる。
かくして、本発明の電子写真用感光体の光導電層を調製
するには、プラズマCVD装置内に、主原料である水素化
ケイ素ガス、更に所望に応じて水素ガスを用い、それら
のガスと共に、必要な元素を含むガス状化合物を導入し
てグロー放電分解を行なえばよい。以上のようにプラズ
マCVD法による非晶質ケイ素から成る光導電層を形成す
るのに有効な放電条件は、例えば、交流放電の場合、周
波数は通常0.1〜30MHz、放電時の真空度は0.1〜5Torr、
基板加熱温度は100〜400℃である。しかして、非晶質ケ
イ素を主体とする光導電層の膜厚は、１〜100μｍ、特
に10〜50μｍとするのが好適である。
するには、プラズマCVD装置内に、主原料である水素化
ケイ素ガス、更に所望に応じて水素ガスを用い、それら
のガスと共に、必要な元素を含むガス状化合物を導入し
てグロー放電分解を行なえばよい。以上のようにプラズ
マCVD法による非晶質ケイ素から成る光導電層を形成す
るのに有効な放電条件は、例えば、交流放電の場合、周
波数は通常0.1〜30MHz、放電時の真空度は0.1〜5Torr、
基板加熱温度は100〜400℃である。しかして、非晶質ケ
イ素を主体とする光導電層の膜厚は、１〜100μｍ、特
に10〜50μｍとするのが好適である。
導電性基板としては、アルミニウム、ニッケル、クロ
ム、ステンレス鋼、もしくは黄銅などの金属、導電膜を
有するプラスチックシートもしくはガラス、または、導
電化処理をした紙などを用いることができる。また、導
電性基板の形状は、円筒状、平板状、エンドレスベルト
状等の任意の形状を採ることができる。
ム、ステンレス鋼、もしくは黄銅などの金属、導電膜を
有するプラスチックシートもしくはガラス、または、導
電化処理をした紙などを用いることができる。また、導
電性基板の形状は、円筒状、平板状、エンドレスベルト
状等の任意の形状を採ることができる。
実施例 次に、比較例と本発明の実施例とを挙げて、本発明の電
子写真用感光体を更に説明する。
子写真用感光体を更に説明する。
比較例1: 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の100ppmジボラン（B2H6）ガスを毎
分20cc、さらに100％水素（H2）ガスを毎分90ccの範囲
で流入させ、反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、1
3.56MHzの高周波電力を投入して、グロー放電を生じせ
しめ、高周波電源の出力を85Wに維持した。このように
して、円筒状のAl基板上に厚さ25μｍで非晶質ケイ素を
主体とし不純物として微量のホウ素原子を含有する、高
暗抵抗のｉ型半導体から成る光導電層を有する感光体を
得た。
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の100ppmジボラン（B2H6）ガスを毎
分20cc、さらに100％水素（H2）ガスを毎分90ccの範囲
で流入させ、反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、1
3.56MHzの高周波電力を投入して、グロー放電を生じせ
しめ、高周波電源の出力を85Wに維持した。このように
して、円筒状のAl基板上に厚さ25μｍで非晶質ケイ素を
主体とし不純物として微量のホウ素原子を含有する、高
暗抵抗のｉ型半導体から成る光導電層を有する感光体を
得た。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに徐々に画像濃度は低下した。また、この感光体
を30℃、85％RHの環境下で画質評価したところ、初期時
より画像の流れが観察された。
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに徐々に画像濃度は低下した。また、この感光体
を30℃、85％RHの環境下で画質評価したところ、初期時
より画像の流れが観察された。
実施例1: 比較例１と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体とし微量のホウ素を含有するｉ型半導体から成
る光導電層を有する感光体の上に、スズビスアセチルア
セトネート１重量部、メチルトリメトキシシラン１重量
部、メチルアルコール20重量部、イソプロピルアルコー
ル30重量部からなる溶液を浸漬塗布し、200℃の炉中で
１時間乾燥硬化し、0.2μ厚の表面層を有する感光体を
得た。得られた表面層はセラミックスに似た性質を持
ち、非晶質ケイ素の優れた特性である、表面硬度、耐摩
耗性、耐熱性をほとんど損うことがなかった。
素を主体とし微量のホウ素を含有するｉ型半導体から成
る光導電層を有する感光体の上に、スズビスアセチルア
セトネート１重量部、メチルトリメトキシシラン１重量
部、メチルアルコール20重量部、イソプロピルアルコー
ル30重量部からなる溶液を浸漬塗布し、200℃の炉中で
１時間乾燥硬化し、0.2μ厚の表面層を有する感光体を
得た。得られた表面層はセラミックスに似た性質を持
ち、非晶質ケイ素の優れた特性である、表面硬度、耐摩
耗性、耐熱性をほとんど損うことがなかった。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式により画質評価したところ、初期時では実
用上問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を
５万回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
この感光体を30℃、85％RHの環境下で画質評価を行なっ
たが画像の流れはみられず高解像度を示した。同時に、
負のコロナ帯電方式で実施した複写試験も、正帯電方式
の場合と同様、良好な結果を与えた。
ロナ帯電方式により画質評価したところ、初期時では実
用上問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を
５万回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
この感光体を30℃、85％RHの環境下で画質評価を行なっ
たが画像の流れはみられず高解像度を示した。同時に、
負のコロナ帯電方式で実施した複写試験も、正帯電方式
の場合と同様、良好な結果を与えた。
比較例2: 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の500ppmジボラン（B2H6）ガスを毎
分30cc、および100％水素（H2）ガスを毎分80ccで流入
させ、反応槽内を0.5Torrの内圧を維持した後、13.56MH
zの高周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、
高周波電源の出力を85Wに維持した。このようにして円
筒状のAl基板上に、厚さ25μｍで非晶質ケイ素を主体と
して不純物としてホウ素を含有するｐ型半導体から成る
光導電層を有する感光体を得た。
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の500ppmジボラン（B2H6）ガスを毎
分30cc、および100％水素（H2）ガスを毎分80ccで流入
させ、反応槽内を0.5Torrの内圧を維持した後、13.56MH
zの高周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、
高周波電源の出力を85Wに維持した。このようにして円
筒状のAl基板上に、厚さ25μｍで非晶質ケイ素を主体と
して不純物としてホウ素を含有するｐ型半導体から成る
光導電層を有する感光体を得た。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに、徐々に画像濃度は低下した。また、この感光
体を30℃、85％RHの環境下で画質評価したところ、初期
時より画像の流れが観察された。
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに、徐々に画像濃度は低下した。また、この感光
体を30℃、85％RHの環境下で画質評価したところ、初期
時より画像の流れが観察された。
実施例2: 比較例２と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体としホウ素を含有するｐ型半導体から成る光導
電層を有する感光体の上に、スズテトラプロポキシド２
重量部、ジメチルジメトキシシラン１重量部、およびエ
チルアルコール40重量部からなる溶液を浸漬塗布し、20
0℃で１時間乾燥硬化し、0.3μｍ厚の表面層を有する感
光体を得た。得られた表面層はセラミックスに似た性質
を持ち、非晶質ケイ素の優れた特性である、表面硬度、
耐摩耗性、耐熱性をほとんど損うことがなかった。
素を主体としホウ素を含有するｐ型半導体から成る光導
電層を有する感光体の上に、スズテトラプロポキシド２
重量部、ジメチルジメトキシシラン１重量部、およびエ
チルアルコール40重量部からなる溶液を浸漬塗布し、20
0℃で１時間乾燥硬化し、0.3μｍ厚の表面層を有する感
光体を得た。得られた表面層はセラミックスに似た性質
を持ち、非晶質ケイ素の優れた特性である、表面硬度、
耐摩耗性、耐熱性をほとんど損うことがなかった。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式により画質評価したところ、初期時では実
用上問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を
５万回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
この感光体を30℃、85％RHの環境下で画質評価を行なっ
たが画像の流れはみられず高解像度を示した。
ロナ帯電方式により画質評価したところ、初期時では実
用上問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を
５万回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
この感光体を30℃、85％RHの環境下で画質評価を行なっ
たが画像の流れはみられず高解像度を示した。
比較例3: 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の100ppmホスフィン（PH3）ガスを毎
分30cc、さらに100％水素（H2）ガスを毎分80ccで流入
させ、反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、13.56MH
zの高周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、
高周波電源の出力を85Wに維持した。このようにして円
筒状のAl基板上に、厚さ25μｍで非晶質ケイ素を主体と
し不純物としてリンを含有するｎ型半導体から成る光導
電層を有する感光体を得た。
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の100ppmホスフィン（PH3）ガスを毎
分30cc、さらに100％水素（H2）ガスを毎分80ccで流入
させ、反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、13.56MH
zの高周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、
高周波電源の出力を85Wに維持した。このようにして円
筒状のAl基板上に、厚さ25μｍで非晶質ケイ素を主体と
し不純物としてリンを含有するｎ型半導体から成る光導
電層を有する感光体を得た。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、負のコ
ロナ帯電方式で画質評価を行なったところ、初期時では
実用上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰
り返すうちに徐々に画像濃度は低下した。また、この感
光体を30℃、85％RHの環境下で画質評価したところ、初
期時より画像の流れが観察された。
ロナ帯電方式で画質評価を行なったところ、初期時では
実用上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰
り返すうちに徐々に画像濃度は低下した。また、この感
光体を30℃、85％RHの環境下で画質評価したところ、初
期時より画像の流れが観察された。
実施例3: 比較例３と同一方法、同一条件で作成した非晶質ケイ素
を主体としリンを含有するｎ型半導体から成る光導電層
を有する感光体の上に、スズテトラブトキシド２重量
部、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン１重
量部、メチルアルコール20重量部、エチルアルコール30
重量部からなる溶液を浸漬塗布し、200℃で１時間乾燥
硬化して、0.2μｍ厚の表面層を有する感光体を得た。
得られた表面層はセラミックスに似た性質を持ち、非晶
質ケイ素の優れた特性である、表面硬度、耐摩耗性、耐
熱性をほとんど損うことがなかった。
を主体としリンを含有するｎ型半導体から成る光導電層
を有する感光体の上に、スズテトラブトキシド２重量
部、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン１重
量部、メチルアルコール20重量部、エチルアルコール30
重量部からなる溶液を浸漬塗布し、200℃で１時間乾燥
硬化して、0.2μｍ厚の表面層を有する感光体を得た。
得られた表面層はセラミックスに似た性質を持ち、非晶
質ケイ素の優れた特性である、表面硬度、耐摩耗性、耐
熱性をほとんど損うことがなかった。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、負のコ
ロナ帯電方式により画質評価したところ、初期時では実
用上問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を
５万回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
この感光体を30℃、85％RHの環境下で画質評価を行なっ
たが画像の流れはみられず高解像度を示した。
ロナ帯電方式により画質評価したところ、初期時では実
用上問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を
５万回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
この感光体を30℃、85％RHの環境下で画質評価を行なっ
たが画像の流れはみられず高解像度を示した。
発明の効果 本発明の電子写真用感光体は、非晶質ケイ素から成る感
光体の優れた特性である高機械的強度、高耐久性、高耐
熱、高光感度を保持し、しかも、外部環境や使用回数の
影響を受けずに高い電荷保持力を有して、優れた品質の
画像を供することができる。
光体の優れた特性である高機械的強度、高耐久性、高耐
熱、高光感度を保持し、しかも、外部環境や使用回数の
影響を受けずに高い電荷保持力を有して、優れた品質の
画像を供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥川 康令 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松工場内 (72)発明者 盧 泰男 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松工場内 (72)発明者 高橋 徳好 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松工場内 (56)参考文献 特開 昭59−223444（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−223446（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−102240（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−201457（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基板上に光導電層および表面層を順
次積層して成る電子写真用感光体において、 前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主
体とする半導体で成り、前記表面層が、スズのアセチル
アセトネート錯体またはスズのアルコキシドを少なくと
も１種類含む溶液の乾燥硬化物から成ることを特徴とす
る電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61117815A JPH0727254B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61117815A JPH0727254B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62273560A JPS62273560A (ja) | 1987-11-27 |
| JPH0727254B2 true JPH0727254B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=14720942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61117815A Expired - Lifetime JPH0727254B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727254B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4895783A (en) * | 1989-01-03 | 1990-01-23 | Xerox Corporation | Overcoated electrophotographic photoreceptor contains metal acetyl acetonate in polymer layer |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59102240A (ja) * | 1982-12-04 | 1984-06-13 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体及びその製造方法 |
| JPS59223446A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59223444A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62201457A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-05 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP61117815A patent/JPH0727254B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62273560A (ja) | 1987-11-27 |
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