JPH0727256B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH0727256B2 JPH0727256B2 JP61117818A JP11781886A JPH0727256B2 JP H0727256 B2 JPH0727256 B2 JP H0727256B2 JP 61117818 A JP61117818 A JP 61117818A JP 11781886 A JP11781886 A JP 11781886A JP H0727256 B2 JPH0727256 B2 JP H0727256B2
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- photoconductor
- titanium
- photoreceptor
- photoconductive layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子写真用感光体に関し、特に、感光層に非
晶質ケイ素を用いた電子写真用感光体に関する。
晶質ケイ素を用いた電子写真用感光体に関する。
（従来の技術） 電子写真法は、感光体に帯電、像露光により静電潜像を
形成し、この潜像をトナーと称される現像剤で現像後、
転写紙にトナー像を転写し定着して複写物を得る方法で
ある。この電子写真法に用いられる感光体は、基本構成
として導電性基板上に感光層を積層して成る。しかし
て、従来より、感光層を構成する材料としてはセレンあ
るいはセレン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機
感光材料、あるいは、ポリビニルカルバゾール、トリニ
トロフルオレノン、ビスアゾ顔料、フタロシアニン、ピ
ラゾリン、ヒドラゾン等の有機感光材料が知られてお
り、感光層を単層あるいは積層にして用いられている。
しかしながら、従来より用いられているこれらの感光層
は、耐久性、耐熱性、光感度などにおいて未だ解決すべ
き問題点を有している。
形成し、この潜像をトナーと称される現像剤で現像後、
転写紙にトナー像を転写し定着して複写物を得る方法で
ある。この電子写真法に用いられる感光体は、基本構成
として導電性基板上に感光層を積層して成る。しかし
て、従来より、感光層を構成する材料としてはセレンあ
るいはセレン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機
感光材料、あるいは、ポリビニルカルバゾール、トリニ
トロフルオレノン、ビスアゾ顔料、フタロシアニン、ピ
ラゾリン、ヒドラゾン等の有機感光材料が知られてお
り、感光層を単層あるいは積層にして用いられている。
しかしながら、従来より用いられているこれらの感光層
は、耐久性、耐熱性、光感度などにおいて未だ解決すべ
き問題点を有している。
（発明が解決しようとする問題点） 近年、この感光層として非晶質ケイ素（アモルファスシ
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、シラン
（SiH4）ガスをグロー放電分解法等によりケイ素の非晶
質膜を導電性基板上に形成したものであって、非晶質ケ
イ素膜中に水素原子が組み込まれて光導電性を呈するも
のである。この非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬
度が高く傷つきにくく、摩耗にも強く、耐熱性も高く、
機械的強度においてもすぐれている。更に、非晶質ケイ
素は、分光感度域が広く、高い光感度を有する如く感光
特性もすぐれている。しかし反面、非晶質ケイ素を用い
た感光体は、暗減衰が大きく、帯電しても十分な帯電電
位が得られないという欠点を有する。即ち、非晶質ケイ
素感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し、次い
で現像する際、感光体上の表面電荷が像露光工程まで、
あるいは現像工程までの間に光照射を受けなかった部分
の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が
得られない。この帯電電位の減衰は、環境条件の影響に
よっても変化しやすく、特に高温高湿環境では帯電電位
が大巾に低下する。更に、非晶質ケイ素の感光体は、繰
返し使用すると徐々に帯電電位が低下してしまう。この
様な帯電電位の暗減衰の大きな感光体を用いて複写物を
作成すると、画像濃度が低くまた、中間調の再現性に乏
しい複写物となる。
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、シラン
（SiH4）ガスをグロー放電分解法等によりケイ素の非晶
質膜を導電性基板上に形成したものであって、非晶質ケ
イ素膜中に水素原子が組み込まれて光導電性を呈するも
のである。この非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬
度が高く傷つきにくく、摩耗にも強く、耐熱性も高く、
機械的強度においてもすぐれている。更に、非晶質ケイ
素は、分光感度域が広く、高い光感度を有する如く感光
特性もすぐれている。しかし反面、非晶質ケイ素を用い
た感光体は、暗減衰が大きく、帯電しても十分な帯電電
位が得られないという欠点を有する。即ち、非晶質ケイ
素感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し、次い
で現像する際、感光体上の表面電荷が像露光工程まで、
あるいは現像工程までの間に光照射を受けなかった部分
の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が
得られない。この帯電電位の減衰は、環境条件の影響に
よっても変化しやすく、特に高温高湿環境では帯電電位
が大巾に低下する。更に、非晶質ケイ素の感光体は、繰
返し使用すると徐々に帯電電位が低下してしまう。この
様な帯電電位の暗減衰の大きな感光体を用いて複写物を
作成すると、画像濃度が低くまた、中間調の再現性に乏
しい複写物となる。
本発明の目的は、非晶質ケイ素を用いる感光体の上述の
欠点を解消した電子写真用感光体を提供することにあ
る。
欠点を解消した電子写真用感光体を提供することにあ
る。
更に、本発明の目的は、非晶質ケイ素を用い、しかも、
帯電電位の暗減衰が極めて小さい電子写真用感光体を提
供することにある。
帯電電位の暗減衰が極めて小さい電子写真用感光体を提
供することにある。
本発明の他の目的は、帯電特性が外部環境の雰囲気の変
化によって影響を受けない電子写真用感光体を提供する
ことにある。
化によって影響を受けない電子写真用感光体を提供する
ことにある。
また、本発明の他の目的は、繰返し使用されても画像品
質の優れた電子写真用感光体を提供することにある。
質の優れた電子写真用感光体を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、機械的強度、耐久性、耐熱
性、感光度などの電子写真特性に優れた電子写真用感光
体を提供することにある。
性、感光度などの電子写真特性に優れた電子写真用感光
体を提供することにある。
（問題点を解決するための手段及び作用） 本発明者は、鋭意研究を行なった結果、導電性基板上
に、非晶質ケイ素から成る光導電層を被覆し、更に、そ
の上に表面層を積層すると共に、該表面層として、チタ
ンのアセチルアセトナト錯体またはチタンのアルコキサ
イドを少なくとも１種類含有する溶液の乾燥硬化物を用
いることによって上記目的が達成されることを見出し
た。光導電層としては、非晶質ケイ素を主体とする半導
体を用いる。
に、非晶質ケイ素から成る光導電層を被覆し、更に、そ
の上に表面層を積層すると共に、該表面層として、チタ
ンのアセチルアセトナト錯体またはチタンのアルコキサ
イドを少なくとも１種類含有する溶液の乾燥硬化物を用
いることによって上記目的が達成されることを見出し
た。光導電層としては、非晶質ケイ素を主体とする半導
体を用いる。
かくして、本発明に従えば、導電性基板上に光導電層お
よび表面層を順次積層して成る電子写真用感光体におい
て、前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素
を主体とする半導体から成り、前記表面層が、チタンの
アセチルアセトナト錯体またはチタンのアルコキサイド
を少なくとも１種類含む溶液の乾燥硬化物から成ること
を特徴とする電子写真用感光体が提供される。
よび表面層を順次積層して成る電子写真用感光体におい
て、前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素
を主体とする半導体から成り、前記表面層が、チタンの
アセチルアセトナト錯体またはチタンのアルコキサイド
を少なくとも１種類含む溶液の乾燥硬化物から成ること
を特徴とする電子写真用感光体が提供される。
本発明の電子写真用感光体の表面層を形成するのに用い
られるチタンのアセチルアセトナト錯体またはチタンの
アルコキサイドの好ましい例としては、ジイソプロポキ
シチタンビス（アセチルアセトネート）、チタニウムを
中心金属とするアセチルアセトナート多核錯体、ビス
（アセチルアセトネート）チタンオキシド、チタニウム
テトラメトキシド、チタニウムテトラエトキシド、チタ
ニウムテトラ−ｎ−プロポキシド、チタニウムテトライ
ソプロポキシド、チタニウムテトラブトキシド、チタニ
ウムテトライソブトキシド、等を挙げることができる。
られるチタンのアセチルアセトナト錯体またはチタンの
アルコキサイドの好ましい例としては、ジイソプロポキ
シチタンビス（アセチルアセトネート）、チタニウムを
中心金属とするアセチルアセトナート多核錯体、ビス
（アセチルアセトネート）チタンオキシド、チタニウム
テトラメトキシド、チタニウムテトラエトキシド、チタ
ニウムテトラ−ｎ−プロポキシド、チタニウムテトライ
ソプロポキシド、チタニウムテトラブトキシド、チタニ
ウムテトライソブトキシド、等を挙げることができる。
本発明の電子写真用感光体を得るに当っては、上記のご
とき有機チタン化合物の１種または２種以上を適当な溶
媒に溶解した溶液を塗布する。また、この際、これらの
有機チタン化合物に有機ケイ素化合物を混合した溶液を
用いてもよい。この有機ケイ素化合物としては一般にシ
ランカップリング剤と呼ばれている化合物が好適であ
り、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリエト
キシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シ
ラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ
−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、メチルト
リメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメ
チルモノメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラ
ン、ジフェニルジエトキシシラン、モノフェニルトリメ
トキシシラン等が挙げられる。このようなシランカップ
リング剤を混合して用いる場合には、該シランカップリ
ング剤が全固形物重量に対して５〜50％となるようにす
るのがよい。
とき有機チタン化合物の１種または２種以上を適当な溶
媒に溶解した溶液を塗布する。また、この際、これらの
有機チタン化合物に有機ケイ素化合物を混合した溶液を
用いてもよい。この有機ケイ素化合物としては一般にシ
ランカップリング剤と呼ばれている化合物が好適であ
り、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリエト
キシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シ
ラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ
−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、メチルト
リメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメ
チルモノメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラ
ン、ジフェニルジエトキシシラン、モノフェニルトリメ
トキシシラン等が挙げられる。このようなシランカップ
リング剤を混合して用いる場合には、該シランカップリ
ング剤が全固形物重量に対して５〜50％となるようにす
るのがよい。
かくして、有機チタン化合物、場合によっては更に有機
ケイ素化合物を含有する溶液を、光導電層上に、スプレ
ー塗布、浸漬塗布、ナイフ塗布またはロール塗布などの
方法で塗布した後、乾燥硬化させることによって本発明
の電子写真用感光体が得られる。乾燥硬化温度は100〜4
00℃の間の任意の温度に設定することができる。最終的
に得られる表面層の膜厚も任意に設定され得るが、0.1
〜10μｍ、特に１μｍ以下が好適である。
ケイ素化合物を含有する溶液を、光導電層上に、スプレ
ー塗布、浸漬塗布、ナイフ塗布またはロール塗布などの
方法で塗布した後、乾燥硬化させることによって本発明
の電子写真用感光体が得られる。乾燥硬化温度は100〜4
00℃の間の任意の温度に設定することができる。最終的
に得られる表面層の膜厚も任意に設定され得るが、0.1
〜10μｍ、特に１μｍ以下が好適である。
非晶質ケイ素を主体とする光導電層は、SiH4、Si2H6、S
i3H8、Si4H10、等の水素化ケイ素ガスの１種またはそれ
らの混合物を原料として、グロー放電法、スパッタリン
グ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの方法
によって基板上に形成する。中でも、プラズマCVD（Che
mical Vapor Deposition）法によりシラン（SiH4）ガス
等をグロー放電分解する方法（グロー放電法）が、膜中
への水素の含有量の制御の点から好ましい。また、この
場合水素の含有を一層効率良く行なうために、プラズマ
CVD装置内にシランガス等と同時に、別途に水素（H2）
ガスを導入してもよい。
i3H8、Si4H10、等の水素化ケイ素ガスの１種またはそれ
らの混合物を原料として、グロー放電法、スパッタリン
グ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの方法
によって基板上に形成する。中でも、プラズマCVD（Che
mical Vapor Deposition）法によりシラン（SiH4）ガス
等をグロー放電分解する方法（グロー放電法）が、膜中
への水素の含有量の制御の点から好ましい。また、この
場合水素の含有を一層効率良く行なうために、プラズマ
CVD装置内にシランガス等と同時に、別途に水素（H2）
ガスを導入してもよい。
本発明の電子写真用感光体の光導電層として用いるの
は、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主体とする半導
体であるが、不純物としてホウ素原子またはリン原子を
含有させて、ｎ型、完全なｉ型またはｐ型半導体とする
ことができる。このホウ素原子の添加には、通常、ジボ
ラン（B2H6）ガスが原料として用いられ、0.01〜１原子
％の程度添加されることによりｐ型半導体10-3〜10-2原
子％の程度添加されることによって完全なｉ型半導体の
非晶質ケイ素が得られる。リン原子の添加には、通常、
ホスフィン（PH3）ガスが原料として用いられ、10-6〜1
0-1原子％の程度添加されることによってｎ型半導体の
非晶質ケイ素が得られる。なお、導電型制御用不純物を
含有しないものも本発明の光導電層であるが、ホウ素原
子を含有せしめない場合、非晶質ケイ素がわずかにｎ型
傾向を示すｉ型であることはよく知られている。
は、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主体とする半導
体であるが、不純物としてホウ素原子またはリン原子を
含有させて、ｎ型、完全なｉ型またはｐ型半導体とする
ことができる。このホウ素原子の添加には、通常、ジボ
ラン（B2H6）ガスが原料として用いられ、0.01〜１原子
％の程度添加されることによりｐ型半導体10-3〜10-2原
子％の程度添加されることによって完全なｉ型半導体の
非晶質ケイ素が得られる。リン原子の添加には、通常、
ホスフィン（PH3）ガスが原料として用いられ、10-6〜1
0-1原子％の程度添加されることによってｎ型半導体の
非晶質ケイ素が得られる。なお、導電型制御用不純物を
含有しないものも本発明の光導電層であるが、ホウ素原
子を含有せしめない場合、非晶質ケイ素がわずかにｎ型
傾向を示すｉ型であることはよく知られている。
また、感光層膜の暗抵抗の増加、光感度の増加あるいは
帯電能（単位膜厚あたりの帯電電位）の増加を目的とし
て感光層膜中にハロゲン原子などを含有させてもよい。
帯電能（単位膜厚あたりの帯電電位）の増加を目的とし
て感光層膜中にハロゲン原子などを含有させてもよい。
更に、感光体の長波長域の感度を増加させることを目的
として、光導電層膜にゲルマニウム（Ge）などの元素を
添加することも可能である。
として、光導電層膜にゲルマニウム（Ge）などの元素を
添加することも可能である。
かくして、本発明の電子写真用感光体の光導電層を調製
するには、プラズマCVD装置内に、主原料である水素化
ケイ素ガス、更に所望に応じて水素ガスを用い、それら
のガスと共に、必要な元素を含むガス状化合物を導入し
てグロー放電分解を行なえばよい。以上のようにプラズ
マCVD法による非晶質ケイ素から成る光導電層を形成す
るのに有効な放電条件は、例えば、交流放電の場合、周
波数は通常0.1〜30MHz、放電時の真空度は0.1〜5Torr、
基板加熱温度は100〜400℃である。しかして、非晶質ケ
イ素を主体とする光導電層の膜厚は、１〜100μｍ、特
に10〜50μｍとするのが好適である。
するには、プラズマCVD装置内に、主原料である水素化
ケイ素ガス、更に所望に応じて水素ガスを用い、それら
のガスと共に、必要な元素を含むガス状化合物を導入し
てグロー放電分解を行なえばよい。以上のようにプラズ
マCVD法による非晶質ケイ素から成る光導電層を形成す
るのに有効な放電条件は、例えば、交流放電の場合、周
波数は通常0.1〜30MHz、放電時の真空度は0.1〜5Torr、
基板加熱温度は100〜400℃である。しかして、非晶質ケ
イ素を主体とする光導電層の膜厚は、１〜100μｍ、特
に10〜50μｍとするのが好適である。
導電性基板としては、アルミニウム、ニッケル、クロ
ム、ステンレス鋼、もしくは黄銅などの金属、導電膜を
有するプラスチックシートもしくはガラス、または、導
電化処理をした紙などを用いることができる。また、導
電性基板の形状は、円筒状、平板状、エンドレスベルト
状等の任意の形状を採ることができる。
ム、ステンレス鋼、もしくは黄銅などの金属、導電膜を
有するプラスチックシートもしくはガラス、または、導
電化処理をした紙などを用いることができる。また、導
電性基板の形状は、円筒状、平板状、エンドレスベルト
状等の任意の形状を採ることができる。
（実施例） 次に、比較例と本発明の実施例とを挙げて、本発明の電
子写真用感光体を更に説明する。
子写真用感光体を更に説明する。
比較例1; 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の100ppmジボラン（B2H6）ガスを毎
分20cc、さらに100％水素（H2）ガスを毎分90ccの範囲
で流入させ、反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、1
3.57MHzの高周波電力を投入して、グロー放電を生じせ
しめ、高周波電源の出力を85Wに維持した。このように
して、円筒状のAl基板上に厚さ25μｍの非晶質ケイ素を
主体とし不純物としてホウ素原子を含有するｉ型半導体
から成る光導電層を有する感光体を得た。このようにし
て得られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式
で画質を評価したところ、初期時では実用上問題のない
画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返すうちに徐々
に画像濃度は低下した。また、この感光体を30℃、85％
RHの環境下で画質評価したところ、初期時より画像の流
れが観察された。
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の100ppmジボラン（B2H6）ガスを毎
分20cc、さらに100％水素（H2）ガスを毎分90ccの範囲
で流入させ、反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、1
3.57MHzの高周波電力を投入して、グロー放電を生じせ
しめ、高周波電源の出力を85Wに維持した。このように
して、円筒状のAl基板上に厚さ25μｍの非晶質ケイ素を
主体とし不純物としてホウ素原子を含有するｉ型半導体
から成る光導電層を有する感光体を得た。このようにし
て得られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式
で画質を評価したところ、初期時では実用上問題のない
画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返すうちに徐々
に画像濃度は低下した。また、この感光体を30℃、85％
RHの環境下で画質評価したところ、初期時より画像の流
れが観察された。
実施例1: 比較例１と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体とし不純物としてホウ素を含有するｉ型半導体
から成る光導電層を有する感光体の上に、ジイソプロポ
キシチタンビス（アセチルアセトネート）１重量部、ｎ
−ブチルアルコール20重量部からなる溶液を塗布し、20
0℃の炉中で１時間乾燥硬化し、0.1μ厚の表面層を有す
る感光体を得た。このようにして得られた表面層はセラ
ミックスに似た性質を持ち、非晶質珪素の優れた特性で
ある、表面硬度、耐摩耗性、耐熱性をほとんど損うこと
がなかった。
素を主体とし不純物としてホウ素を含有するｉ型半導体
から成る光導電層を有する感光体の上に、ジイソプロポ
キシチタンビス（アセチルアセトネート）１重量部、ｎ
−ブチルアルコール20重量部からなる溶液を塗布し、20
0℃の炉中で１時間乾燥硬化し、0.1μ厚の表面層を有す
る感光体を得た。このようにして得られた表面層はセラ
ミックスに似た性質を持ち、非晶質珪素の優れた特性で
ある、表面硬度、耐摩耗性、耐熱性をほとんど損うこと
がなかった。
この感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式で画質
評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃度
が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画像
濃度の低下はみられなかった。この感光体を30℃、85％
RHの環境下で画質評価を行なったが画像の流れはみられ
ず高解像度を示した。同時に負のコロナ帯電方式で実施
した複写試験も、正帯電方式の場合と同様、良好な結果
を与えた。
評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃度
が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画像
濃度の低下はみられなかった。この感光体を30℃、85％
RHの環境下で画質評価を行なったが画像の流れはみられ
ず高解像度を示した。同時に負のコロナ帯電方式で実施
した複写試験も、正帯電方式の場合と同様、良好な結果
を与えた。
比較例2; 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の500ppmジボラン（B2H6）ガスを毎
分20cc、さらに100％水素（H2）ガスを毎分80ccの範囲
で流入させ、反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、1
3.56MHzの高周波電源を投入して、グロー放電を生じせ
しめ、高周波電源の出力を85Wに維持した。このように
して、円筒状のAl基板上に厚さ25μｍの非晶質ケイ素を
主体とし不純物としてホウ素原子を含有するｐ型半導体
から成る光導電層を有する感光体を得た。このようにし
て得られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式
で画質を評価したところ、初期時では実用上問題のない
画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返すうちに徐々
に画像濃度は低下した。また、この感光体を30℃、85％
RHの環境下で画質評価したところ、初期時より画像の流
れが観察された。
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の500ppmジボラン（B2H6）ガスを毎
分20cc、さらに100％水素（H2）ガスを毎分80ccの範囲
で流入させ、反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、1
3.56MHzの高周波電源を投入して、グロー放電を生じせ
しめ、高周波電源の出力を85Wに維持した。このように
して、円筒状のAl基板上に厚さ25μｍの非晶質ケイ素を
主体とし不純物としてホウ素原子を含有するｐ型半導体
から成る光導電層を有する感光体を得た。このようにし
て得られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式
で画質を評価したところ、初期時では実用上問題のない
画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返すうちに徐々
に画像濃度は低下した。また、この感光体を30℃、85％
RHの環境下で画質評価したところ、初期時より画像の流
れが観察された。
実施例2: 比較例２と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体とし不純物としてホウ素を含有するｐ型半導体
から成る光導電層を有する感光体の上に、チタニウムテ
トラエトキサイド１重量部、イソプロピルアルコール30
重量部からなる溶液を塗布し、200℃の炉中で１時間乾
燥硬化し、0.3μ厚の表面層を有する感光体を得た。こ
のようにして得られた表面層はセラミックスに似た性質
を持ち、非晶質珪素の優れた特性である、表面硬度、耐
摩耗性、耐熱性をほとんど損うことがなかった。
素を主体とし不純物としてホウ素を含有するｐ型半導体
から成る光導電層を有する感光体の上に、チタニウムテ
トラエトキサイド１重量部、イソプロピルアルコール30
重量部からなる溶液を塗布し、200℃の炉中で１時間乾
燥硬化し、0.3μ厚の表面層を有する感光体を得た。こ
のようにして得られた表面層はセラミックスに似た性質
を持ち、非晶質珪素の優れた特性である、表面硬度、耐
摩耗性、耐熱性をほとんど損うことがなかった。
この感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式で画質
評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃度
が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画像
濃度の低下はみられなかった。この感光体を30℃、85％
RHの環境下で画質評価を行なったが画像の流れはみられ
ず高解像度を示した。
評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃度
が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画像
濃度の低下はみられなかった。この感光体を30℃、85％
RHの環境下で画質評価を行なったが画像の流れはみられ
ず高解像度を示した。
比較例3; 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の300ppmホスフィン（B2H6）ガスを
毎分30cc、さらに100％水素（H2）ガスを毎分80ccの範
囲で流入させ、反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した
後、13.56MHzの高周波電源を投入して、グロー放電を生
じせしめ、高周波電源の出力を85Wに維持した。このよ
うにして、円筒状のAl基板上に厚さ25μｍの非晶質ケイ
素を主体とし不純物としてリン原子を含有するｎ型半導
体から成る光導電層を有する感光体を得た。このように
して得られた感光体を複写機に入れ、負のコロナ帯電方
式で画質を評価したところ、初期時では実用上問題のな
い画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返すうちに徐
々に画像濃度は低下した。また、この感光体を30℃、85
％RHの環境下で画質評価したところ、初期時より画像の
流れが観察された。
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の300ppmホスフィン（B2H6）ガスを
毎分30cc、さらに100％水素（H2）ガスを毎分80ccの範
囲で流入させ、反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した
後、13.56MHzの高周波電源を投入して、グロー放電を生
じせしめ、高周波電源の出力を85Wに維持した。このよ
うにして、円筒状のAl基板上に厚さ25μｍの非晶質ケイ
素を主体とし不純物としてリン原子を含有するｎ型半導
体から成る光導電層を有する感光体を得た。このように
して得られた感光体を複写機に入れ、負のコロナ帯電方
式で画質を評価したところ、初期時では実用上問題のな
い画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返すうちに徐
々に画像濃度は低下した。また、この感光体を30℃、85
％RHの環境下で画質評価したところ、初期時より画像の
流れが観察された。
実施例3: 比較例３と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体とし不純物としてリン原子を含有するｎ型半導
体から成る光導電層を有する感光体の上に、チタニウム
テトラブトキサイド１重量部、γ−アクリロギンプロピ
ルトリメトキシシラン１重量部、メチルアルコール10重
量部、イソプロピルアルコール20重量部から成る溶液を
塗布し、200℃の炉内で１時間乾燥硬化し、0.3μ厚の表
面層を有する感光体を得た。このようにして得られた表
面層はセラミックスに似た性質を持ち、非晶質珪素の優
れた特性である、表面硬度、耐摩耗性、耐熱性をほとん
ど損うことがなかった。
素を主体とし不純物としてリン原子を含有するｎ型半導
体から成る光導電層を有する感光体の上に、チタニウム
テトラブトキサイド１重量部、γ−アクリロギンプロピ
ルトリメトキシシラン１重量部、メチルアルコール10重
量部、イソプロピルアルコール20重量部から成る溶液を
塗布し、200℃の炉内で１時間乾燥硬化し、0.3μ厚の表
面層を有する感光体を得た。このようにして得られた表
面層はセラミックスに似た性質を持ち、非晶質珪素の優
れた特性である、表面硬度、耐摩耗性、耐熱性をほとん
ど損うことがなかった。
この感光体を複写機に入れ、負のコロナ帯電方式で画質
評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃度
が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画像
濃度の低下はみられなかった。この感光体を30℃、85％
RHの環境下で画質評価を行なったが画像の流れはみられ
ず高解像度を示した。
評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃度
が得られた。また、複写操作を５万回繰り返したが画像
濃度の低下はみられなかった。この感光体を30℃、85％
RHの環境下で画質評価を行なったが画像の流れはみられ
ず高解像度を示した。
（発明の効果） 本発明の電子写真用感光体は、非晶質ケイ素から成る感
光体の優れた特性である高機械的強度、高耐久性、高耐
熱、高光感度を保持し、しかも、外部環境や使用回数の
影響を受けずに高い電荷保持力を有して、優れた品質の
画像を供することができる。
光体の優れた特性である高機械的強度、高耐久性、高耐
熱、高光感度を保持し、しかも、外部環境や使用回数の
影響を受けずに高い電荷保持力を有して、優れた品質の
画像を供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥川 康令 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松工場内 (72)発明者 盧 泰男 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松工場内 (72)発明者 高橋 徳好 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松工場内 (56)参考文献 特開 昭59−223444（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−223446（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−102240（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−102247（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基板上に光導電層および表面層を順
次積層して成る電子写真用感光体において、 前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主
体とする半導体から成り、 前記表面層が、チタンのアセチルアセトナト錯体または
チタンのアルコキサイドを少なくとも１種類含む溶液の
乾燥硬化物から成ることを特徴とする電子写真用感光
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61117818A JPH0727256B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61117818A JPH0727256B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62273563A JPS62273563A (ja) | 1987-11-27 |
| JPH0727256B2 true JPH0727256B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=14721014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61117818A Expired - Lifetime JPH0727256B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727256B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59102240A (ja) * | 1982-12-04 | 1984-06-13 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体及びその製造方法 |
| JPS59223444A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59223446A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP61117818A patent/JPH0727256B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62273563A (ja) | 1987-11-27 |
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