JPH07272996A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH07272996A
JPH07272996A JP6300814A JP30081494A JPH07272996A JP H07272996 A JPH07272996 A JP H07272996A JP 6300814 A JP6300814 A JP 6300814A JP 30081494 A JP30081494 A JP 30081494A JP H07272996 A JPH07272996 A JP H07272996A
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strip
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pattern
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Albert J P Theuwissen
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Philips Electronics NV
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フォトマスクのパターンのデータを記憶する
のに必要なコンピュータのデータ量を一層低減できる半
導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体材料のスライス（２）の表面（１）上
にフォトレジスト層（３）を形成し、その後フォトレジ
スト層上に形成すべきパターン（６）の隣接部分を含む
２個のフォトマスク（４，５：５０，５１：６０，６
１：７０，７１）をそれらの端部（７，８）がオーバラ
ップさせて投影レンズによりフォトレジスト上に投影す
る。２個のフォトマスクのこれら端部内に位置する細条
状透明端部部分（１０，１１：５２，５３：６２，６
３：７２，７３）に細条状の接続パターン（３０：５
４，５５：６４，６５：７４，７５）を形成する。これ
ら接続パターンは投影すると相補的な透過率を有すると
共に投影に際して互いにオーバラップさせる。フォトマ
スクを表示するのに必要なコンピュータのデータ量を比
較的少量にするため、細条状の透明端部部分には細条状
の接続パターンだけを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体材料のスライス
の表面上にフォトレジスト層を形成し、その後フォトレ
ジストに形成すべきパターンの相互接続部分を含むフォ
トマスクを、パターンの端部が互いに重なり合うように
して投影レンズにより前記フォトレジスト上に投影し、
パターンの端部内に位置し投影の際に相互にオーバラッ
プするフォトマスクの細条状透明端部部分に細条状の接
続パターンを形成し、これら細条状接続パターンが、投
影される際に互いにオーバーラップすると共に投影の際
に相補的な透過性能を生ずる半導体装置の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】上述した半導体装置の製造方法では、単
一のフォトマスクを用いてフォトレジスト上に投影する
には大き過ぎるパターンを相互に隣接する部分的パター
ンにサブ分割し、これら部分的パターンは互いに異なる
フォトマスクに形成されている。これらのフォトマスク
は毎回端部がオーバラップしてフォトレジスト上に投影
されるので、形成すべきパターン部分は投影する際互い
に併合される。従って、半導体スライスの比較的広い表
面領域に亘って形成される集積回路を製造することがで
きる。この場合、フォトレジストに形成される全パター
ンは、投影の際に重なり合い端部内に位置する透明端部
部分並びに投影の際に互いにオーバラップせず端部部分
内に存在しないマスクのパターン部分によって構成され
る。
【０００３】欧州特許出願（公開）第４３４１４２号に
は、投影の際に互いにオーバラップするフォトマスクの
細条状透明端部部分にその全表面領域に亘って接続パタ
ーンが形成され、これら接続パターンは細条状透明端部
部分の長手方向に沿って変化する透過率を有する冒頭部
で述べた半導体装置の製造方法が開示されている。この
構成は、細条状透明端部部分に非透明領域を形成し、こ
れら非透明領域の数及び／又は大きさを細条状端部部分
の長手方向に沿って変化させ、これら非透明領域を投影
の際に一緒に投影することにより達成される。
【０００４】このような接続パターンがフォトマスクに
形成されていない場合、フォトレジストの互いにオーバ
ラップする部分には互いに重なり合わない透明領域に入
射する放射の量の２倍の量の放射が入射することにな
る。従って、投影の際にオーバラップする透明部分には
２倍の放射量が入射することになる。フォトマスクをポ
ジティブのフォトレジスト上に投影する場合、現像後２
倍の放射量が入射した位置には単一の放射量が入射した
部分に比べてより太い幅のパターンが形成されてしま
う。ネガのフォトレジスト上にフォトマスクを投影する
場合、２倍の放射量が入射した部分にはより細かいパタ
ーンが形成される。従って、マスクがオーバラップする
部分には線幅の太り又は細りが生じ、フォトマスクのパ
ターンは互いに継目が生ずることなく併合されなくなっ
てしまう。接続パターンは、投影に際して相補的な透過
率を示すので、フォトレジストの互いにオーバラップす
る細条状透明部分が投影される領域には、オーバラップ
しない透明細条状部分が投影される領域に等しい量の放
射が入射することになる。従って、フォトレジストはス
ライスの全表面領域に亘って同一の放射量で露光され
る。この結果、フォトマスクのパターンは継目が生ずる
ことなく、すなわち線幅が細ったり又は太ったりするこ
となく互いに併合される。
【０００５】投影装置によってフォトレジスト層上に投
影される好適なフォトマスクは、実際にはクロミウムの
ような金属層が形成され透明パターン部分が除去された
ガラスプレートで構成される。パターンは電子ビームに
より金属層上に形成されたフォトレジスト層に書込まれ
る。現像後、金属層を所望のパターンにエッチングする
ために用いられるマスクが形成される。書込中、電子ビ
ームはパターンが記憶されているコンピュータデータフ
ァイルによってコンピュータにより制御される。このよ
うにしてガラスプレート上に形成されたパターンは、実
際には投影レンズ系を介して例えば１／３又は１／５に
縮小されてフォトレジスト上に投影される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】フォトマスクに関する
情報が記憶されているコンピュータデータファイルに
は、接続パターンを規定するのに必要な莫大な量のデー
タが記憶されている。実際には、例えばフォトマスクの
５０００本のパターンを互いに併合させるためには極め
て多量のデータが必要になる。従って、既知の接続パタ
ーンを用いる場合、不所望な多量のコンピュータデータ
が必要になってしまう。
【０００７】従って、本発明の目的は、フォトマスクの
パターンをフォトレジスト層に互いに継目が生ずること
なく併合する際、フォトマスクのパターンを記憶するの
に必要なコンピュータのデータ量を相当減少させること
ができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段並びに作用】上記目的を達
成するため、本発明による半導体装置の製造方法は、前
記フォトマスクの投影の際に互いにオーバラップする細
条状透明端部部分に、その端部において、投影の際に互
いにオーバラップする細条状接続パターンだけを形成し
たことを特徴とする。従って、接続パターンは、フォト
マスクの表面領域のうち前述した既知の半導体装置の製
造方法の接続パターンが占める表面領域の一部にすぎな
い表面領域だけを占めることになる。既知の半導体装置
の製造方法において接続パターンが占める表面領域は、
フォトマスクの投影の際に互いにオーバラップする透明
端部部分によって占められる表面領域に等しいが、本発
明ではその一部分にすぎない。この結果、フォトマスク
の投影の際に互いにオーバラップする透明端部部分の接
続パターンを記憶するのに必要なコンピュータのデータ
量は相当減少する。
【０００９】本発明は、線幅の太りや細りは、投影の際
に互いにオーバラップする透明細条状部分におけるフォ
トレジストへの放射の量だけに起因しているという認識
に基づいている。本発明によれば、互いにオーバラップ
する端部領域に入射する放射の量は、透明部分の互いに
オーバラップしない領域に入射する放射の量に等しくな
る。従って、端部領域で線幅の太りは全く生じない。オ
ーバラップする部分には２倍の放射量が入射するが、フ
ォトレジストに入射する放射量は補償されることにな
る。
【００１０】本発明による半導体装置の一実施例はλを
投影に用いる放射の波長とし、ＮＡを投影に用いる投影
レンズの開口数とした場合に、前記フォトマスクの投影
の際にオーバラップする細条状透明端部部分に、その端
部に、フォトレジスト層上に投影した際０．２λ／ＮＡ
以上の幅を有する細条状接続パターンを形成したことを
特徴とする。
【００１１】種々の実験の結果、上述した範囲の幅を有
する接続パターンを用いる場合、上述した線幅の太りは
ほとんど生じないことが判明した。０．２λ／ＮＡに等
しい幅の細条状接続パターンを用いる場合、線幅の太り
は、２個のフォトマスクの透明端部部分に接続パターン
が形成されていない場合に生ずる線幅の太りの１／１０
にすぎない。接続パターンの幅が０．２λ／ＮＡ以上の
場合線幅の太りは一層小さくなる。
【００１２】λを投影に用いる放射の波長とし、ＮＡを
投影に用いる投影レンズの開口数とした場合に、前記投
影に際してオーバラップする細条状接続パターンが、
０．４λ／ＮＡ以下の長さ及び幅を有する矩形領域とし
て形成した透明領域を有する場合、フォトマスクのフォ
トレジスト層上への投影中に接続パターンは連続して結
像される。
【００１３】マスクに関するデータを記憶するのに必要
なコンピュータのデータ量を低減するため、投影に際し
て互いにオーバラップする細条状接続パターンを矩形の
透明領域の単一の列として形成をする。
【００１４】投影に際して互いにオーバラップする接続
パターンが、投影の際全表面に亘ってほぼ一定となる相
補的な透過性能を有する場合、フォトマスクのデータを
記憶するのに必要なコンピュータのデータ量は一層低減
される。相互にオーバラップする接続パターンの透過率
は例えばそれぞれ３０％及び７０％とすることができ
る。この場合、接続パターンを表示するため、マスクに
ついて異なるコンピュータのデータの組が必要になる。
一方、互いにオーバラップする接続パターンがその全表
面に亘って５０％の相補的な透過率をもたらす場合、異
なるコンピュータのデータ組は必要とはならない。この
場合、オーバラップする接続パターンは互いに同一とな
り、必要なコンピュータのデータの量は一層減少する。
【００１５】
【実施例】図１〜図４は本発明による半導体装置の製造
方法の工程を説明するためのものであり、図１は線図的
平面図、図２〜図４は線図的断面図である。半導体材料
のスライス２の表面にフォトレジスト層３を形成し、そ
の後フォトレジスト層３に形成されるべきパターンの相
互に隣接する部分に対応するフォトマスク４及び５をフ
ォトレジスト層３上に投影する。投影する際、矢印９で
線図的に示すように、フォトマスク４の端部７とフォト
マスク５の端部８とが互いに重なり合うようにし、フォ
トマスク４の端部７中に位置する細条状の透明端部部分
とフォトマスク５の端部部分８中に位置する細条状透明
端部部分１１とが互いに重なり合うようにする。パター
ン６はフォトレジスト層３を現像することによりフォト
レジストに形成する。このフォトレジストマスクは例え
ばイオン注入マスクとして用いることができる。次に、
図３において破線１４で線図的に示すように、イオン注
入工程中に不純物イオンをスライス２に注入する。その
後の加熱処理により不純物が添加された半導体領域１５
を形成する。
【００１６】図１において、マスク４及び５とフォトレ
ジスト層３に形成したパターン６とは図面を明瞭にする
ため同一の大きさで表示したが、実際にはマスク４及び
５は例えば１／３又は１／５に縮小してフォトレジスト
層上に投影される。
【００１７】この半導体装置の製造方法において、形成
されるべきパターン６は相互に隣接する部分パターンに
副分割し、これら部分パターンをフォトマスク４及び５
に形成する。これらのフォトマスク４及び５は端部７及
び８が相互に重なり合うようにフォトレジスト層３上に
投影されるので、これら部分パターンは投影する際互い
に併合される。従って、単一のフォトマスクを用いて所
望のパターンを結像することができないような大きさの
半導体材料スライスの表面領域上に集積回路を形成する
ことができる。フォトレジスト層３上に形成されたパタ
ーン６は細条状部分１６，１７及び１８を有する。部分
１６は端部７及び８内にそれぞれ位置し投影の際互いに
重なり合う透明細条状端部部分１０及び１１によって形
成され、部分１７は端部７内に位置せず投影される際互
いに重なり合わないマスクの透明部分によって形成さ
れ、部分１８は端部８内に位置せず投影される際互いに
重なり合わないマスク５の透明部分１３によって形成さ
れる。
【００１８】フォトレジスト層３の互いに重なり合う透
明部分１０及び１１が形成される領域には投影の際に全
放射が入射し、この放射量は互いに重なり合わないフォ
トマスクの透明部分１２及び１３の領域に入射する放射
量の２倍である。本例のように、フォトマスクがポジテ
ィブのフォトレジスト３に投影されると、現像の後パタ
ーン６が形成され、２倍の量の放射が入射した細条状部
分１６の幅は単一の量の放射が入射した細条状部分１７
及び１８の幅よりも一層広くなる。
【００１９】図５ａはガラス基板２３上に形成されたク
ロミウム層２２がエッチングにより除去された細条状の
透明部分２１を有するフォトマスク２０の細部を示す。
マスクのこの透明部分がある露光時間ｔに亘ってフォト
レジスト層３上に投影されると、フォトレジストには放
射量Ｄ（ｘ）が入射する。この放射量Ｄ（ｘ）は、図５
ｂのライン２４で示すようにスライスの表面上の位置ｘ
の関数として細条状部分２１の投影方向と直交する方向
の勾配を示す。図５ｂはこの勾配を標準形態として示
す。入射する放射量Ｄ（ｘ）はフォトレジストに放射が
入射しない位置において零となり、フォトレジストに最
大量の放射が入射する位置で１となる。スライスの表面
上の位置ｘはλ／ＮＡを１単位として与えられ、λは投
影に用いた放射の波長であり、ＮＡは投影に用いた投影
レンズの開口数である。標準形態として示す放射量Ｄ
（ｘ）の勾配は実際に用いた各投影レンズ系に対して有
効である。例えば、波長λが４３６ｎｍの放射で開口数
が０．４３の投影レンズを用いてフォトマスクをフォト
レジスト上に１／５に縮小して投影するＰＡＳ２５００
（ＡＳＭ）型のプロジェクタのような通常の投影装置の
場合、単位λ／ＮＡは約１０００ｎｍである。放射量Ｄ
（ｏ）はマスクの端縁で約０．３である。ここで、ｘ＝
０である。露光時間ｔは、放射量が０．３以上の位置で
フォトレジストが現像され放射量が０．３以下で現像さ
れないように選択する。
【００２０】フォトレジストが同一のマスク２０を用い
て２回露光される場合、フォトレジストは図５ｂのライ
ン２６で示す勾配の放射量Ｄ1（ｘ）で露光される。ラ
イン２６で示す放射量Ｄ1（ｘ）はライン２４で示す放
射量Ｄ（ｘ）の２倍である（Ｄ1（ｘ）＝２・Ｄ
（ｘ））。図５ｂから、ライン２５で示す放射量は、ｘ
＝０．０７５λ／ＮＡの場合０．３の値を有している。
従って、現像の際、単一露光量ではなく２倍の露光量の
場合フォトレジストにはより幅の広いパターンが形成さ
れる。上述した実際の露光装置の場合、二重露光による
線幅の太りの量は約７５ｎｍである。
【００２１】図５に基づいて説明した線幅の太りは、露
光された部分が現像剤に溶解するポジのフォトレジスト
の場合に生ずる。ネガのフォトレジストを用いる場合、
非露光部分が現像剤に溶解する。従って、ネガのフォト
レジストの場合、２倍の放射量で露光すると線幅は太く
ならず細くなる。
【００２２】線幅の太り又は細りは、部分パターンを有
するフォトマスクがフォトレジスト上で互いに隣接する
ように露光される方法においてマスクが互いにオーバラ
ップする位置で発生する。この場合、フォトマスクパタ
ーンは互いに継目が生ずることなく併合されないことに
なる。フォトマスク４及び５の透明端部部分１０及び１
１に投影する際の相補的な透過性の接続パターン３０を
設けた場合、フォトレジスト層３は、フォトマスク４及
び５を投影する際互いに重なり合う細条状透明部分１０
及び１１の領域はフォトマスクの投影の際に互いに重な
り合わない透明部分１２及び１３の領域に入射する放射
量と全体として同一の量の放射を受光する。従って、フ
ォトレジスト層は、スライスの全表面に亘ってほぼ同一
の量の放射で露光される。この結果、フォトマスク４及
び５のパターンは互いに継目が生ずることなく併合さ
れ、細幅の太りや細りが生ずることはない。
【００２３】図５ａはガラス基板４３上に形成されたク
ロミウム層４２が除去されたフォトマスク４０の詳細な
部分を示す。このマスクには、例えば全表面に亘って５
０％の透過率を有しフォトレジスト上に投影される際
０．１λ／ＮＡの幅ｂを有する接続パターンが形成され
ている。マスク４０のこの部分がフォトレジスト層３上
に投影されると、フォトレジストは、細条状部分４１の
投影方向と直交する方向の位置ｘの関数として図５ｂの
ライン２７で示す勾配の放射量Ｄ2（ｘ）で露光され
る。この放射量Ｄ2（ｘ）はライン２４で示す放射量と
ライン２６で示す放射量との和であり、距離０．１×λ
／ＮＡ：Ｄ2（ｘ）＝Ｄ（ｘ）＋Ｄ（ｘ−ｂ）だけシフ
トする。図５ｂから、ライン２７で示す放射量Ｄ
2（ｘ）はｘ＝−０．０３０λ／ＮＡの場合値０．３を
有していることが導かれる。
【００２４】図５ｂはガラス基板４８上に形成されたク
ロミウム層４７が除去された別のフォトマスク４５の一
部を詳細に示す。このマスクには、全表面領域に亘って
例えは５０％の透過率を有しフォトレジスト層上に投影
される際０．２１λ／ＮＡの幅２ｂを有する接続パター
ン４９が形成されている。マスク４５のこの部分がフォ
トレジスト層３上に投影されると、フォトレジストは、
細条状部分４６の投影方向と直交する方向の位置ｘの関
数として図５ｂのライン２９で示す勾配の放射量Ｄ
3（ｘ）で露光される。放射量Ｄ3（ｘ）はライン２４で
示す放射量とライン２８で示す放射量との和であり、距
離０．２１λ／ＮＡ：Ｄ3（ｘ）＝Ｄ（ｘ）＋Ｓ（ｘ−
２ｂ）だけ偏移する。図５ｂから、ライン２９で示す放
射量Ｄ3（ｘ）は、ｘ＜０．０１０λ／ＮＡの場合約
０．３を有する。二重露光の際のこの太りは、上述した
実際の投影装置の場合１０ｎｍ以下である。
【００２５】接続パターン４４及び４９を用いれば、上
述した線幅の太りを強く抑制することができる。これら
接続パターンは、全表面領域に亘って５０％の透過率を
有する例として説明したものである。従って、投影の際
に互いにオーバラップする２個の接続パターンが相補的
な透過率を有しフォトレジストに接続パターンの全表面
領域に亘って０．３の全放射量が入射する限り、異なる
透過勾配を有する接続パターンを用いても同一の結果が
得られること明らかである。
【００２６】フォトマスクの製造において、電子ビーム
により金属層上に形成したフォトレジスト層にパターン
を書込む。次に、金属層を所望のパターンにエッチング
するための現像工程を経てマスクが形成される。電子ビ
ームはパターンが記憶されているコンピュータデータフ
ァイルからコンピュータにより書込き込まれる間に制御
される。
【００２７】フォトマスクパターンを記憶するのに必要
なコンピュータのデータを低減するため、本発明では、
投影に際して互いに重なり合うフォトマスク４及び５の
細条状の透明端部部分１０及び１１は、その縁部２１に
おいて細条状接続パターンが投影に際して互いに重なり
合うように配置する。従って、接続パターン３０はフォ
トマスク４，５の表面領域の比較的小さな部分を占める
にすぎず、接続パターンの幅はフォトレジスト上に投影
される際０．２λ／ＮＡ以上である。ここで、前述した
ように、λは投影に用いた放射の波長であり、ＮＡは投
影レンズ系の開口数である。
【００２８】この幅の接続パターンを用いる場合上述し
た線幅の太りはほとんど生じないことが見い出されてい
る。細条状接続パターンの幅が０．２λ／ＮＡの場合、
線幅の太りは、２個のフォトマスクの透明端部部分に接
続パターンが設けられていない場合に生ずる線幅の太り
の１／１０以下である。また、この線幅の太りは、ライ
ン幅が０．２λ／ＮＡ以上の場合一層小さくなる。
【００２９】図７は、投影の際に互いに重なり合う細条
状端部部分５２及び５３並びに矩形形状の透明領域５６
及び５７を有する接続パターン５４及び５５を具えるフ
ォトマスク５０及び５１を示す。これらの矩形領域は投
影された場合０．４λ／ＮＡ以下の長さ及び幅を有して
いる。ここで、λは投影に用いる放射の波長であり、Ｎ
Ａは投影レンズ系の開口数である。これらの接続パター
ン５４及び５５はフォトマスクをフォトレジスト層上に
投影する際連続して投影される。さらに、領域５６及び
５７の大きさは、これら接続パターンの透明度が通常の
グレイスケールで連続した勾配となるように接続パター
ン５４及び５５の表面上に分布させる。これら矩形領域
は僅かなコンピュータデータによって表示することがで
きるので、フォトマスク５０及び５１を表示するために
必要なデータ量は少なくてすむ。マスク５０及び５１の
透明端部部分５２，５３は、例えば１０μm の長さ及び
２０μm の幅を有し、接続パターン５４及び５５も１０
μm の長さ及び５μm の幅を有している。透明矩形領域
５６及び５７は、３５０ｎｍ×４００ｎｍから１５０ｎ
ｍ×１５０ｎｍの約２０段階の勾配の寸法を有してい
る。
【００３０】マスクのデータを記憶するのに必要なコン
ピュータのデータの量を減少させるため、投影の際に互
いに重なり合う細条状接続パターンは矩形透明領域の単
一の列として配置する。
【００３１】図８は、投影の際に互いに重なり合う細条
状端部部分６２及び６３並びに透明領域６６及び６７が
形成されている接続パターン６４及び６５を有するフォ
トマスク６０及び６１を示す。ここで、透明領域６６及
び６７は、長さ４００ｎｍで幅が４００ｎｍから１５９
ｎｍまで除々に減少する矩形状の形態をなす。矩形透明
領域６６及び６７の数は矩形領域の単一列に限定され、
これらマスク６０及び６１を記憶するのに必要なコンピ
ュータデータは図７に示すマスク５０及び５１の場合よ
りも一層少ない。
【００３２】図９は、投影する際互いに重なり合う細条
状の端部部分７２及び７３並びに４００ｎｍの長さで固
定された幅の矩形領域の形態の透明領域７６及び７７が
形成されている接続パターン７４及び７５を有するフォ
トマスク７０及び７１を示す。接続パターン７４及び７
５はその全表面領域に亘って相補的な透過率を有してい
る。
【００３３】相互に重なり合う接続パターン７４及び７
５の透過率は例えばそれぞれ３０％及び７０％とするこ
とができる。この場合、接続パターンを表示するマスク
について異なる組みのコンピュータデータが必要であ
る。これに対して、図９に示すように、投影に際して互
いに重なり合う接続パターン７４及び７５が全表面領域
に亘って同一となる５０％の相補的な透過率を与える場
合コンピュータのデータは一層低減される。すなわち、
フォトマスク７０及び７１についてオーバラップする接
続パターン７４及び７５は同一となるので、コンピュー
タのデータ量が一層低減される。約２０個の透明矩形領
域７６及び７７は約２５０ｎｍの幅を有し、各離間距離
は約２５０ｎｍである。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の製造工程を示す線図的平面図であ
る。
【図２】半導体装置の製造工程を示す線図的断面図であ
る。
【図３】半導体装置の製造工程を示す線図的断面図であ
る。
【図４】半導体装置の製造工程を示す線図的断面図であ
る。
【図５】複数のフォトマスクの細部並びにスライス上の
フォトレジストに入射する放射の量を位置ｘの関数とし
てそれぞれ示す線図的断面図及びグラフである。
【図６】相補的透過率の接続パターンが形成されている
部分的パターンを有するフォトマスクをフォトレジスト
層上に投影する工程を示す線図的平面図である。
【図７】相補的透過率の接続パターンが形成されている
部分的パターンの好適実施例を示す線図的平面図であ
る。
【図８】相補的透過率の接続パターンが形成されている
部分的パターンの好適実施例を示す線図的平面図であ
る。
【図９】相補的透過率の接続パターンが形成されている
部分的パターンの好適実施例を示す線図的平面図であ
る。
【符号の説明】
１ スライスの表面 ２ 半導体材料 ３ フォトレジスト層 ４，５ フォトマスク ６ パターン ７，８ フォトマスクの端部 １０，１１ 透明細条状端部部分 ３０，５４，５５ 接続パターン

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体材料のスライスの表面上にフォト
    レジスト層を形成し、その後フォトレジストに形成すべ
    きパターンの相互接続部分を含むフォトマスクを、パタ
    ーンの端部が互いに重なり合うようにして投影レンズに
    より前記フォトレジスト上に投影し、パターンの端部内
    に位置し投影の際に相互にオーバラップするフォトマス
    クの細条状透明端部部分に細条状の接続パターンを形成
    し、これら細条状接続パターンが、投影される際に互い
    にオーバーラップすると共に投影の際に相補的な透過性
    能を生ずる半導体装置の製造方法において、 前記フォトマスクの投影の際に互いにオーバラップする
    細条状透明端部部分に、その端部において、投影の際に
    互いにオーバラップする細条状接続パターンだけを形成
    したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 λを投影に用いる放射の波長とし、ＮＡ
    を投影に用いる投影レンズの開口数とした場合に、前記
    フォトマスクの投影の際にオーバラップする細条状透明
    端部部分に、その端部に、フォトレジスト層上に投影し
    た際０．２λ／ＮＡ以上の幅を有する細条状接続パター
    ンを形成したことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 λを投影に用いる放射の波長とし、ＮＡ
    を投影に用いる投影レンズの開口数とした場合に、前記
    投影に際してオーバラップする細条状接続パターンが、
    ０．４λ／ＮＡ以下の長さ及び幅を有する矩形領域とし
    て形成した透明領域を有することを特徴とする請求項１
    又は２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記投影に際して互いにオーバラップす
    る細条状接続パターンが矩形の透明領域の単一の列とし
    て形成されていることを特徴とする請求項３に記載の方
    法。
  5. 【請求項５】 前記投影に際して互いにオーバラップす
    る接続パターンが、投影の際全表面に亘ってほぼ一定と
    なる相補的な透過性能を有することを特徴とする請求項
    １から４までのいずれか１項に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記投影の際互いにオーバラップする接
    続パターンが、その全表面に亘ってほぼ５０％の相補的
    な透過率を有することを特徴とする請求項５に記載の方
    法。
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