JPH07273354A - ダイオ−ド - Google Patents
ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPH07273354A JPH07273354A JP6088007A JP8800794A JPH07273354A JP H07273354 A JPH07273354 A JP H07273354A JP 6088007 A JP6088007 A JP 6088007A JP 8800794 A JP8800794 A JP 8800794A JP H07273354 A JPH07273354 A JP H07273354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity concentration
- concentration region
- diode
- layer
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/50—PIN diodes
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明の目的は、ｐｉｎダイオ−ドに関し、
特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値ＩＲＰを小さくす
ることにより逆回復時間Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ２の
期間のｄｉ／ｄｔを小さくし、ソフトリカバリ−特性の
ダイオ−ドを提供する事にある。 【構成】 ｐ型高不純物濃度領域４とｎ型高不純物濃度
領域１及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域２よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域内
２に、これと同導電型で、かつ高不純物濃度領域３が少
なくとも一つ存在し、この低不純物濃度領域中の高不純
物濃度領域とｐｎ接合Ｊが隣接するように形成されたこ
とを特徴とする。
特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値ＩＲＰを小さくす
ることにより逆回復時間Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ２の
期間のｄｉ／ｄｔを小さくし、ソフトリカバリ−特性の
ダイオ−ドを提供する事にある。 【構成】 ｐ型高不純物濃度領域４とｎ型高不純物濃度
領域１及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域２よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域内
２に、これと同導電型で、かつ高不純物濃度領域３が少
なくとも一つ存在し、この低不純物濃度領域中の高不純
物濃度領域とｐｎ接合Ｊが隣接するように形成されたこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する分野の説明】本発明は整流用ダイオ−ド
特に高速ダイオ−ドの構造に関するものである。
特に高速ダイオ−ドの構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術とその問題点】近年、電子機器の小型化、高
効率化のために、装置の高周波化が進んでおり、機器に組
み込まれる整流用のダイオ−ドに対しても高周波化の要
望が強い。高周波用のダイオ−ド（高速ダイオ−ド）に
必要な特性として、逆回復に要する時間が短いことが要
求される。これと共に近年問題となっているのが、ダイ
オ−ドの逆回復時の電流変化と、ダイオ−ドを組み込ん
だ回路に存在する浮遊インダクタンスとによる、スパイ
クノイズの問題である。
効率化のために、装置の高周波化が進んでおり、機器に組
み込まれる整流用のダイオ−ドに対しても高周波化の要
望が強い。高周波用のダイオ−ド（高速ダイオ−ド）に
必要な特性として、逆回復に要する時間が短いことが要
求される。これと共に近年問題となっているのが、ダイ
オ−ドの逆回復時の電流変化と、ダイオ−ドを組み込ん
だ回路に存在する浮遊インダクタンスとによる、スパイ
クノイズの問題である。
【０００３】図３は従来構造図で図中１はＮ型シリコン
基体（高濃度不純物ｎ層）、２は （２） 低濃度不純物ｎ層（ｉ領域）、４は高濃度不純物ｐ層、
ＪはＰＮ接合である。図４はその不純物濃度分布図、図
５は逆回復時の電流、電圧波形を示す。
基体（高濃度不純物ｎ層）、２は （２） 低濃度不純物ｎ層（ｉ領域）、４は高濃度不純物ｐ層、
ＪはＰＮ接合である。図４はその不純物濃度分布図、図
５は逆回復時の電流、電圧波形を示す。
【０００４】ダイオ−ドの逆回復時間Ｔｒｒは、大別し
て図示の様に２種類の期間からなりたっている。即ち
ダイオ−ドの電流が順方向のＩＦから０迄減少して逆方
向電流が流れ始めた時点から電流がその尖頭値IRPとな
るまでの期間Ｔ1 前記期間Ｔ1の後の、電流が減少して再び０になるま
での期間Ｔ2 ダイオ−ドの高速動作の為には逆回復時間Ｔｒｒが短い
ことが望ましい。しかし、ダイオ−ドの逆電流ＩＲがそ
の尖頭値IRPに達してから、電流が０になるまでの期間
Ｔ２があまりに短いと浮遊インダクタンス成分Ｌによる
Ｌ＊ｄｉ／ｄｔなる誘起起電力が大きくなり、いわゆる
スパイクノイズ発生の原因となる。この様なスパイクノ
イズを低減するためには、Ｔ２の期間の電流減少率ｄｉ
／ｄｔを小さくしてやればよい。しかし、単にＴ２の期
間の電流減少率ｄｉ／ｄｔを小さくするとダイオ−ドの
逆回復時間Ｔｒｒが長くなってしまう。ちなみに、電流
が順方向電流ＩＦから減少して、逆方向電流の尖頭値IR
Pへ向う場合の−ｄｉ／ｄｔは、ほぼ、回路側の条件で
決まっている。
て図示の様に２種類の期間からなりたっている。即ち
ダイオ−ドの電流が順方向のＩＦから０迄減少して逆方
向電流が流れ始めた時点から電流がその尖頭値IRPとな
るまでの期間Ｔ1 前記期間Ｔ1の後の、電流が減少して再び０になるま
での期間Ｔ2 ダイオ−ドの高速動作の為には逆回復時間Ｔｒｒが短い
ことが望ましい。しかし、ダイオ−ドの逆電流ＩＲがそ
の尖頭値IRPに達してから、電流が０になるまでの期間
Ｔ２があまりに短いと浮遊インダクタンス成分Ｌによる
Ｌ＊ｄｉ／ｄｔなる誘起起電力が大きくなり、いわゆる
スパイクノイズ発生の原因となる。この様なスパイクノ
イズを低減するためには、Ｔ２の期間の電流減少率ｄｉ
／ｄｔを小さくしてやればよい。しかし、単にＴ２の期
間の電流減少率ｄｉ／ｄｔを小さくするとダイオ−ドの
逆回復時間Ｔｒｒが長くなってしまう。ちなみに、電流
が順方向電流ＩＦから減少して、逆方向電流の尖頭値IR
Pへ向う場合の−ｄｉ／ｄｔは、ほぼ、回路側の条件で
決まっている。
【０００５】ここで、ダイオ−ドの内部のキャリア−の
動きから逆回復時の様子を見るとＴ1の期間はさらに、
順方向バイアス時に蓄積されていたキャリア−が減少
し、ｐｎ接合が回復して逆バイアス電圧を持ち始める迄
の期間Ｔｊと、ひきつづいて接合近傍に空乏領域が広が
り、この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出され
る期間Ｔｋとに分けられる。Ｔ2の期間は、逆バイアス
電圧の増加にともなう空乏領域のさらなる増大により、
この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出される期
間である。勿論、各期間を通じて再結合によるキャリア
−の減少は起こっている。一般に、Ｔｒｒを短くするた
めには、重金属拡散等によりキャリア−のライフタイム
を短くする必要があるが、この場合、低濃度領域に蓄積
されたキャリア−量が減少すること、また、再結合によ
るキャリア−の減少速度が速くなる （３） 等によりＴ2も短くなりｄｉ／ｄｔが大きくなってしま
う。この様に、Ｔｒｒを短くし、かつ、電流減少率ｄｉ
／ｄｔの小さい、いわゆるソフトリカバリ−特性のダイ
オ−ドを作るのは困難であった。
動きから逆回復時の様子を見るとＴ1の期間はさらに、
順方向バイアス時に蓄積されていたキャリア−が減少
し、ｐｎ接合が回復して逆バイアス電圧を持ち始める迄
の期間Ｔｊと、ひきつづいて接合近傍に空乏領域が広が
り、この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出され
る期間Ｔｋとに分けられる。Ｔ2の期間は、逆バイアス
電圧の増加にともなう空乏領域のさらなる増大により、
この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出される期
間である。勿論、各期間を通じて再結合によるキャリア
−の減少は起こっている。一般に、Ｔｒｒを短くするた
めには、重金属拡散等によりキャリア−のライフタイム
を短くする必要があるが、この場合、低濃度領域に蓄積
されたキャリア−量が減少すること、また、再結合によ
るキャリア−の減少速度が速くなる （３） 等によりＴ2も短くなりｄｉ／ｄｔが大きくなってしま
う。この様に、Ｔｒｒを短くし、かつ、電流減少率ｄｉ
／ｄｔの小さい、いわゆるソフトリカバリ−特性のダイ
オ−ドを作るのは困難であった。
【０００６】
【発明の目的】本発明の目的は、ｐｉｎダイオ−ドに関
し、特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値ＩＲＰを小さ
くすることにより逆回復時間Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ
2の期間のｄｉ／ｄｔを小さくし、ソフトリカバリ−特
性のダイオ−ドを提供する事にある。
し、特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値ＩＲＰを小さ
くすることにより逆回復時間Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ
2の期間のｄｉ／ｄｔを小さくし、ソフトリカバリ−特
性のダイオ−ドを提供する事にある。
【０００７】
【課題を解決するための本発明の手段】本発明では、ｐ
ｉｎダイオ−ドにおいて、ｐ層とｎ層との間に設けられ
た低不純物濃度領域内に、これと同導電型で、かつこれ
よりも高不純物濃度の領域を、ｐｎ接合に隣接して設け
たことを特徴としている。
ｉｎダイオ−ドにおいて、ｐ層とｎ層との間に設けられ
た低不純物濃度領域内に、これと同導電型で、かつこれ
よりも高不純物濃度の領域を、ｐｎ接合に隣接して設け
たことを特徴としている。
【０００８】
【実施例】ここでの説明は、不純物濃度の低いｉ層とし
てｎ型低不純物濃度層を持つダイオ−ドについて行う。
この構造を単にｐｉｎ（構造）とよぶ。図１は本発明の
一実施例を示す断面構造図、図２はその不純物濃度分布
図で従来例と同一符号は同等部分を示す。図において、
１はｎ層、２はｉ層、３はｉ層中に設けられたｎ層、４
はｐ層をそれぞれ示している。本実施例は、従来のｐｉ
ｎ構造ダイオ−ドのｉ層の中に、これと同じ導電型で、
かつ高不純物濃度の層をｐ型層に隣接して設けたことが
特徴となっている。
てｎ型低不純物濃度層を持つダイオ−ドについて行う。
この構造を単にｐｉｎ（構造）とよぶ。図１は本発明の
一実施例を示す断面構造図、図２はその不純物濃度分布
図で従来例と同一符号は同等部分を示す。図において、
１はｎ層、２はｉ層、３はｉ層中に設けられたｎ層、４
はｐ層をそれぞれ示している。本実施例は、従来のｐｉ
ｎ構造ダイオ−ドのｉ層の中に、これと同じ導電型で、
かつ高不純物濃度の層をｐ型層に隣接して設けたことが
特徴となっている。
【０００９】本発明構造では、接合が回復した直後の空
乏層は主に、ｐ型層に隣接して設けたｎ型高不純物濃度
領域に広がるので従来のｐｉｎダイオ−ドのｉ層に広が
る空乏層に比較して幅が狭く、又、広がる速度も遅い。
従って、空乏層の広 （４） がりにより吸い出されるキャリア−の量が少なく電流は
あまり増加しない。このため、尖頭逆電流ＩＲＰの値が
小さくＴｋの期間も短くなり、空乏化していないｉ層部
分に多くのキャリア−が残っている。そしてその後のＴ
２の期間はｉ層に空乏層が広がるようになりここでは空
乏層が広がり易いため、電流の急激な減少が起こりにく
く、従来構造のダイオ−ドに較べてソフトリカバリ−特
性となる。
乏層は主に、ｐ型層に隣接して設けたｎ型高不純物濃度
領域に広がるので従来のｐｉｎダイオ−ドのｉ層に広が
る空乏層に比較して幅が狭く、又、広がる速度も遅い。
従って、空乏層の広 （４） がりにより吸い出されるキャリア−の量が少なく電流は
あまり増加しない。このため、尖頭逆電流ＩＲＰの値が
小さくＴｋの期間も短くなり、空乏化していないｉ層部
分に多くのキャリア−が残っている。そしてその後のＴ
２の期間はｉ層に空乏層が広がるようになりここでは空
乏層が広がり易いため、電流の急激な減少が起こりにく
く、従来構造のダイオ−ドに較べてソフトリカバリ−特
性となる。
【００１０】図６は従来のｐｉｎ構造ダイオ−ドａ及
び、本実施例の構造を持つダイオ−ド（ｂ）の、逆回復
時の電流波形を示す。電流波形の時間変化は先ず時刻ｔ
1では、両方のダイオ−ドとも、ｐｎ接合付近のキャリ
ア−はまだかなり残っている。時刻ｔ2になるとｐｎ接
合の空乏化が始まっている。時刻ｔ3になると従来のダ
イオ−ド（ａ）では空乏層の広がり速度が速く、大量の
キャリア−が吸い出されるため、電流はまだ増加してい
る。一方、この時刻ｔ3において、本実施例のダイオ−
ド（ｂ）では空乏層の広がり速度が遅いため、電流が増
加し難く既にその尖頭値に達している。時刻ｔ4におい
て、従来のダイオ−ド（ａ）においても電流がその尖頭
値に達している。一方、本実施例のダイオ−ド（ｂ）で
は電流は徐々に減少し始めている。時刻ｔ5になると、
従来のダイオ−ド（ａ）においては電流が急激に減少し
始める、これは空乏層の広がり速度は既に広がった空乏
層幅に反比例する関係にあり、キャリア−の吸いだし量
が急減するためである。一方、本実施例のダイオ−ド
（ｂ）では空乏層幅が小さく電流は徐々に減少する。時
刻ｔ6になると、従来のダイオ−ド（ａ）においては電
流がほとんど０になっている。一方、本実施例のダイオ
−ド（ｂ）ではｉ層２内のキャリア−は未だ残っており
電流はゆるやかに減少する。以上のように、本実施例の
ダイオ−ドでは、従来のｐｉｎ構造のダイオ−ド （５） に較べてソフトリカバリ−特性となる。
び、本実施例の構造を持つダイオ−ド（ｂ）の、逆回復
時の電流波形を示す。電流波形の時間変化は先ず時刻ｔ
1では、両方のダイオ−ドとも、ｐｎ接合付近のキャリ
ア−はまだかなり残っている。時刻ｔ2になるとｐｎ接
合の空乏化が始まっている。時刻ｔ3になると従来のダ
イオ−ド（ａ）では空乏層の広がり速度が速く、大量の
キャリア−が吸い出されるため、電流はまだ増加してい
る。一方、この時刻ｔ3において、本実施例のダイオ−
ド（ｂ）では空乏層の広がり速度が遅いため、電流が増
加し難く既にその尖頭値に達している。時刻ｔ4におい
て、従来のダイオ−ド（ａ）においても電流がその尖頭
値に達している。一方、本実施例のダイオ−ド（ｂ）で
は電流は徐々に減少し始めている。時刻ｔ5になると、
従来のダイオ−ド（ａ）においては電流が急激に減少し
始める、これは空乏層の広がり速度は既に広がった空乏
層幅に反比例する関係にあり、キャリア−の吸いだし量
が急減するためである。一方、本実施例のダイオ−ド
（ｂ）では空乏層幅が小さく電流は徐々に減少する。時
刻ｔ6になると、従来のダイオ−ド（ａ）においては電
流がほとんど０になっている。一方、本実施例のダイオ
−ド（ｂ）ではｉ層２内のキャリア−は未だ残っており
電流はゆるやかに減少する。以上のように、本実施例の
ダイオ−ドでは、従来のｐｉｎ構造のダイオ−ド （５） に較べてソフトリカバリ−特性となる。
【００１１】ダイオ−ドの諸特性のうち、この他の重要
な特性として逆方向耐圧が有る。一般にｉ層の不純物濃
度が高いとｐｎ接合の電界強度が高くなり易く耐圧が低
くなってしまう。しかし、本実施例においては、ｐ型層
に接した高不純物濃度領域の先に低不純物濃度のｉ層が
存在しており、この両領域の厚さ、不純物濃度を調節す
ることにより充分、必要な逆耐電圧を得ることが出来
る。このダイオ−ドの製造法は先ず、ウェファ−径１０
０ｍｍ、厚さ４００μｍ、抵抗率０.００３Ω・ｃｍ、面
方位（１１１）のｎ型シリコン基板ウェファ−１を用意
する。この基板ウェファ−１の主表面にｎ型高抵抗層、
すなわちｉ層２（２０Ω・ｃｍ）を、厚さ５０μｍだけ
エピタキシャル成長させる。次にエピタキシャル成長中
のド−バントの量を増加してｎ型の低抵抗層３（４.５
Ω・ｃｍ）を１０μｍ成長させる。次に、ウェファ−表
面に酸化膜を５００Å形成する、続いてｐ型層４を形成
するため、ボロンをイオン注入により打ち込む。その
後、１１５０℃で９００分間、窒素中でアニ−ル拡散を
行なう事により、表面濃度約８Ｅ１８／ｃｍ∧３、深さ
約７μｍのｐ型層４が形成される。この様にして接合形
成されたウェファ−にＰｔ、Ａｕ等の重金属を拡散して、
ライフタイムを短くした後、周知のフォトエッチング技
術を用いて、シリコンをメサ型に加工し、表面に保護膜
５を形成する。その後、電極金属Ａ1を表面に、Ｃｒ−
Ｎｉを裏面に形成し、ウェファ−を２ｍｍ□四方のチッ
プに分割して本実施例素子を完成した。
な特性として逆方向耐圧が有る。一般にｉ層の不純物濃
度が高いとｐｎ接合の電界強度が高くなり易く耐圧が低
くなってしまう。しかし、本実施例においては、ｐ型層
に接した高不純物濃度領域の先に低不純物濃度のｉ層が
存在しており、この両領域の厚さ、不純物濃度を調節す
ることにより充分、必要な逆耐電圧を得ることが出来
る。このダイオ−ドの製造法は先ず、ウェファ−径１０
０ｍｍ、厚さ４００μｍ、抵抗率０.００３Ω・ｃｍ、面
方位（１１１）のｎ型シリコン基板ウェファ−１を用意
する。この基板ウェファ−１の主表面にｎ型高抵抗層、
すなわちｉ層２（２０Ω・ｃｍ）を、厚さ５０μｍだけ
エピタキシャル成長させる。次にエピタキシャル成長中
のド−バントの量を増加してｎ型の低抵抗層３（４.５
Ω・ｃｍ）を１０μｍ成長させる。次に、ウェファ−表
面に酸化膜を５００Å形成する、続いてｐ型層４を形成
するため、ボロンをイオン注入により打ち込む。その
後、１１５０℃で９００分間、窒素中でアニ−ル拡散を
行なう事により、表面濃度約８Ｅ１８／ｃｍ∧３、深さ
約７μｍのｐ型層４が形成される。この様にして接合形
成されたウェファ−にＰｔ、Ａｕ等の重金属を拡散して、
ライフタイムを短くした後、周知のフォトエッチング技
術を用いて、シリコンをメサ型に加工し、表面に保護膜
５を形成する。その後、電極金属Ａ1を表面に、Ｃｒ−
Ｎｉを裏面に形成し、ウェファ−を２ｍｍ□四方のチッ
プに分割して本実施例素子を完成した。
【００１２】図７は、本発明の他の実施例の不純物濃度
分布を示す図である。本構造は、ｉ層の不純物濃度分布
をｐｎ接合に接した側を高く、ｎ型高不純物濃度層側を
低くなるように連続的に変化させたものである。これ
は、ｉ層のエピタキシャル成長中のド−パントの量を連
続的に変化させることで容易に実現できる。 （６） 図８は、本発明の他の実施例の断面構造を示す。これ
は、ｉ層中の高不純物濃度領域ならびにｐ型層領域を、
選択拡散技術を用いて作成した例である。図９は、本発
明の他の実施例の断面構造を示す。ｉ層中の高不純物濃
度領域を複数に分割して設けたものである。この様にｉ
層中の高不純物濃度領域は必ずしもダイオ−ドの断面全
体にある必要はなく断面の一部に設けた場合でも、本実
施例の原理からして同様の効果が得られる。図１０は、
本発明の他の実施例の断面構造を示す。これは、同一主
表面にｐ、ｎ高不純物濃度領域が存在する場合を示す。
以上の説明は低不純物濃度領域ｉ層がｎ型低不純物濃度
領域の場合について説明したが、低不純物濃度領域ｉ層
ｐ型低不純物濃度領域の場合でも同様の効果が得られる
ことは明らかである。
分布を示す図である。本構造は、ｉ層の不純物濃度分布
をｐｎ接合に接した側を高く、ｎ型高不純物濃度層側を
低くなるように連続的に変化させたものである。これ
は、ｉ層のエピタキシャル成長中のド−パントの量を連
続的に変化させることで容易に実現できる。 （６） 図８は、本発明の他の実施例の断面構造を示す。これ
は、ｉ層中の高不純物濃度領域ならびにｐ型層領域を、
選択拡散技術を用いて作成した例である。図９は、本発
明の他の実施例の断面構造を示す。ｉ層中の高不純物濃
度領域を複数に分割して設けたものである。この様にｉ
層中の高不純物濃度領域は必ずしもダイオ−ドの断面全
体にある必要はなく断面の一部に設けた場合でも、本実
施例の原理からして同様の効果が得られる。図１０は、
本発明の他の実施例の断面構造を示す。これは、同一主
表面にｐ、ｎ高不純物濃度領域が存在する場合を示す。
以上の説明は低不純物濃度領域ｉ層がｎ型低不純物濃度
領域の場合について説明したが、低不純物濃度領域ｉ層
ｐ型低不純物濃度領域の場合でも同様の効果が得られる
ことは明らかである。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よればｐｉｎダイオ−ドに関し、特に、逆回復時の逆方
向電流の尖頭値ＩＲＰを小さくすることにより逆回復時
Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ２の期間のｄｉ／ｄｔを小さ
くし、ソフトリカバリ−特性のダイオ−ドを提供できる
ので電源装置等に適用して装置の小型化、高効率化、高
周波化に好適である等実用上の効果は大きい。
よればｐｉｎダイオ−ドに関し、特に、逆回復時の逆方
向電流の尖頭値ＩＲＰを小さくすることにより逆回復時
Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ２の期間のｄｉ／ｄｔを小さ
くし、ソフトリカバリ−特性のダイオ−ドを提供できる
ので電源装置等に適用して装置の小型化、高効率化、高
周波化に好適である等実用上の効果は大きい。
【図１】本発明の一実施例構造図
【図２】本発明実施例の不純物濃度分布図
【図３】従来構造図
【図４】従来構造の不純物濃度分布図
【図５】従来構造の動作説明用の電流、電圧波形図 （７）
【図６】従来構造及び本発明実施例を比較した電流波形
図
図
【図７】本発明の他の実施例の不純物濃度分布図
【図８】本発明の他の実施例構造図
【図９】本発明の他の実施例構造図
【図１０】本発明の他の実施例構造図
１ Ｎ型半導体基体（高濃度ｎ型領域） ２ 低不純物濃度領域（真正領域） ３ 高不純物濃度領域 ４ Ｐ型高濃度領域 ５ 保護膜 Ｊ ＰＮ接合
Claims (3)
- 【請求項１】 ｐ型高不純物濃度領域とｎ型高不純物濃
度領域及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域内
に、これと同導電型で、かつ高不純物濃度領域が少なく
とも一つ存在し、この低不純物濃度領域中の高不純物濃
度領域とｐｎ接合が隣接するように形成されたことを特
徴とするダイオ−ド。 - 【請求項２】 低不純物濃度領域中の高不純物濃度領域
の不純物濃度を、ｐｎ接合に近い側ほど高くした事を特
徴とする請求項１のダイオ−ド。 - 【請求項３】 ｐ型高不純物濃度領域とｎ型高不純物濃
度領域及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域の不
純物濃度をｐｎ接合に近い側ほど高くした事を特徴とす
るダイオ−ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6088007A JPH07273354A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6088007A JPH07273354A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273354A true JPH07273354A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13930756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6088007A Pending JPH07273354A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273354A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003318412A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-11-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7102207B2 (en) | 2002-12-03 | 2006-09-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having rectifying action |
| KR100695306B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 피아이엔 다이오드의 제조 방법 |
| JP2007123932A (ja) * | 2001-02-23 | 2007-05-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
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