JPH07277897A - 窒化アルミニウム単結晶の合成方法 - Google Patents
窒化アルミニウム単結晶の合成方法Info
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- JPH07277897A JPH07277897A JP10165494A JP10165494A JPH07277897A JP H07277897 A JPH07277897 A JP H07277897A JP 10165494 A JP10165494 A JP 10165494A JP 10165494 A JP10165494 A JP 10165494A JP H07277897 A JPH07277897 A JP H07277897A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 窒化アルミニウム単結晶の合成方法に係わる
ものである。 【構成】 アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の中
から選ばれた一種あるいは二種以上の元素を総量で0.
001〜2wt.%の範囲で含有するアルミニウム合金
を窒素を含む非酸化性雰囲気中で700〜1300℃に
加熱することを特徴とする。
ものである。 【構成】 アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の中
から選ばれた一種あるいは二種以上の元素を総量で0.
001〜2wt.%の範囲で含有するアルミニウム合金
を窒素を含む非酸化性雰囲気中で700〜1300℃に
加熱することを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化アルミニウム単結
晶の合成方法に関するものである。
晶の合成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ALNはその結合と結晶構造に由来し
て、高熱伝導性と優れた圧電性を示し、極めて有用な材
料であるが、その結晶構造はウルツ鉱型で、2200℃
の高温で分解し、共有結合性が強く強固な結合を有する
ため、難焼結性で緻密な焼結体を作製することが困難で
ある。また、単結晶の合成も高温メルトが得られないた
めに極めて困難である。これまで試みられたALN単結
晶の合成方法としては、ALNを高温で分解させて再
結合させる方法、CVDによる方法等が実施されてき
たが、前者は結晶が小さく高価であり、後者はコスト高
に加えて配向性が劣るため満足できる結晶は得られてい
ないのが現状である。
て、高熱伝導性と優れた圧電性を示し、極めて有用な材
料であるが、その結晶構造はウルツ鉱型で、2200℃
の高温で分解し、共有結合性が強く強固な結合を有する
ため、難焼結性で緻密な焼結体を作製することが困難で
ある。また、単結晶の合成も高温メルトが得られないた
めに極めて困難である。これまで試みられたALN単結
晶の合成方法としては、ALNを高温で分解させて再
結合させる方法、CVDによる方法等が実施されてき
たが、前者は結晶が小さく高価であり、後者はコスト高
に加えて配向性が劣るため満足できる結晶は得られてい
ないのが現状である。
【0003】
【発明が解決する課題】本発明は、かかる問題点に鑑み
てなされたもので、高品位の窒化アルミニウム単結晶を
経済的なコストで作製できる新規な方法を提供せんとす
るものである。
てなされたもので、高品位の窒化アルミニウム単結晶を
経済的なコストで作製できる新規な方法を提供せんとす
るものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題は次の手段によ
って解決できる。 1.アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の中から選
ばれた一種あるいは二種以上の元素を総量で0.001
〜2wt.%の範囲で含有するアルミニウム合金を窒素
を含む非酸化性雰囲気中で700〜1300℃に加熱す
ることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の合成方
法。 2.上記アルカリ金属がLiである上記1に記載の合成
方法。 3.上記アルカリ土類金属がCaである上記1に記載の
合成方法。 4.上記元素の総量が0.1〜1wt.%である請求項
1〜3に記載の合成方法。 5.上記加熱温度が800〜1200℃である請求項1
〜3に記載の合成方法。
って解決できる。 1.アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の中から選
ばれた一種あるいは二種以上の元素を総量で0.001
〜2wt.%の範囲で含有するアルミニウム合金を窒素
を含む非酸化性雰囲気中で700〜1300℃に加熱す
ることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の合成方
法。 2.上記アルカリ金属がLiである上記1に記載の合成
方法。 3.上記アルカリ土類金属がCaである上記1に記載の
合成方法。 4.上記元素の総量が0.1〜1wt.%である請求項
1〜3に記載の合成方法。 5.上記加熱温度が800〜1200℃である請求項1
〜3に記載の合成方法。
【0005】
【作用】本発明はアルミニウム合金を窒素含有雰囲気下
でメルトさせ、窒素をアルミニウム溶湯にゆっくり拡散
させてALN単結晶を合成する方法である。
でメルトさせ、窒素をアルミニウム溶湯にゆっくり拡散
させてALN単結晶を合成する方法である。
【0006】アルミニウム合金において、合金元素とし
ては、特にアルカリ金属、アルカリ土類金属が好まし
く、これらの元素を含む合金を、窒素雰囲気下で加熱す
ると、Liなどのような蒸気圧の高い原子は表面で不純
物酸素と反応してLi2Oを生成して表面から蒸発する
為に内部から表面にLiが移動し、そのカウンターとし
て雰囲気中の窒素が内部に浸透する。
ては、特にアルカリ金属、アルカリ土類金属が好まし
く、これらの元素を含む合金を、窒素雰囲気下で加熱す
ると、Liなどのような蒸気圧の高い原子は表面で不純
物酸素と反応してLi2Oを生成して表面から蒸発する
為に内部から表面にLiが移動し、そのカウンターとし
て雰囲気中の窒素が内部に浸透する。
【0007】アルミニウムの窒化反応は発熱反応である
ので窒化反応が進行すると、自己発熱して試料が昇温す
るので省エネルギーの観点からは大変有効であるが、し
かし自己発熱に伴って、試料が原形を止めないほどに変
形するので、通常アルミニウムの窒化反応を利用して成
形体の作製や単結晶の作製は不可能であった。
ので窒化反応が進行すると、自己発熱して試料が昇温す
るので省エネルギーの観点からは大変有効であるが、し
かし自己発熱に伴って、試料が原形を止めないほどに変
形するので、通常アルミニウムの窒化反応を利用して成
形体の作製や単結晶の作製は不可能であった。
【0008】また、発熱反応を抑制あるいはなくす為に
Li等の合金量を少量にする考えは、本来反応そのもの
が十分進行しないものとして従来は看過されてきたので
あるが、本発明はこの従来の考えを覆して、少量の合金
成分のごく限られた範囲に於いて、自己発熱なく、窒化
反応が促進されることを発見したのである。また、この
反応に伴ってALNの単結晶が合成されることを見出だ
したのである。
Li等の合金量を少量にする考えは、本来反応そのもの
が十分進行しないものとして従来は看過されてきたので
あるが、本発明はこの従来の考えを覆して、少量の合金
成分のごく限られた範囲に於いて、自己発熱なく、窒化
反応が促進されることを発見したのである。また、この
反応に伴ってALNの単結晶が合成されることを見出だ
したのである。
【0009】自己発熱を起こさせることなく窒化反応を
達成させる。これが本発明の最も重要なポイントであ
る。
達成させる。これが本発明の最も重要なポイントであ
る。
【0010】合金元素としては、アルカリ金属、アルカ
リ土類金属が有効であり、これらの中の元素を単独で、
あるいは適宜二種以上の元素を混ぜて添加してもよい。
リ土類金属が有効であり、これらの中の元素を単独で、
あるいは適宜二種以上の元素を混ぜて添加してもよい。
【0011】この中で最も好ましい元素は、Li,Ca
である。
である。
【0012】合金元素の量は、上記アルカリ金属、アル
カリ土類金属の総量が0.001〜2wt.%の範囲、
とりわけ0.05〜1wt.%の範囲が好ましい。
カリ土類金属の総量が0.001〜2wt.%の範囲、
とりわけ0.05〜1wt.%の範囲が好ましい。
【0013】2wt%を越えると、発熱反応が起こるの
で好ましくない。0.001%未満では、反応が十分に
進行しないので好ましくない。
で好ましくない。0.001%未満では、反応が十分に
進行しないので好ましくない。
【0014】温度は、通常の1気圧前後では、700〜
1300℃の範囲、とりわけ800〜1200℃が好ま
しい。雰囲気を加圧した場合(HIP数千気圧や超高圧
の数万気圧まで)はさらに2000℃までの高温でもよ
い。
1300℃の範囲、とりわけ800〜1200℃が好ま
しい。雰囲気を加圧した場合(HIP数千気圧や超高圧
の数万気圧まで)はさらに2000℃までの高温でもよ
い。
【0015】雰囲気は、窒素を含有する非酸化性雰囲気
にすることが必要で、窒素単体ガス、N2−H2等の窒
素混合ガス、さらにアンモニア等の窒素化合物ガスまで
全て有効である。
にすることが必要で、窒素単体ガス、N2−H2等の窒
素混合ガス、さらにアンモニア等の窒素化合物ガスまで
全て有効である。
【0016】雰囲気の圧力は、上記したように、常圧か
ら数万気圧まで有効である。特に高圧は分解防止に有効
であるので、Liの気散を防ぐことができる。
ら数万気圧まで有効である。特に高圧は分解防止に有効
であるので、Liの気散を防ぐことができる。
【0017】なお、本発明では、雰囲気に微量の酸素を
含むことが必須で、その量は厳密な規定は難しいが、概
ね10−3以下であることが好ましい。
含むことが必須で、その量は厳密な規定は難しいが、概
ね10−3以下であることが好ましい。
【0018】結晶成長には核の生成が必要で、核となる
種結晶あるいはALN粉を置いておくと、結晶成長が加
速される。
種結晶あるいはALN粉を置いておくと、結晶成長が加
速される。
【0019】結晶化の為の時間は、例えば大きさが5×
5×5mmで、Liを0.5wt.%含むAL合金の場
合、1000℃で約40時間程度で反応が完了する。こ
の場合、内部に約100μmの6角状の単結晶が得られ
る。
5×5mmで、Liを0.5wt.%含むAL合金の場
合、1000℃で約40時間程度で反応が完了する。こ
の場合、内部に約100μmの6角状の単結晶が得られ
る。
【0020】
【実施例】実施例によって本発明を説明する。 実施例1 Liを0.5wt.%含有するAL−Li系合金を5×
5×3mmの大きさに切断し、これをアルミナ板に載せ
て管状の電気炉に挿入した。この管状炉に0.5L/m
inの窒素ガスを流しながら、1000℃に3時間で昇
温し、さらに35時間加熱した後、放冷した。得られた
ブロックは完全に窒化が完了しており、X線解析によっ
てALNに変換していることが確認された。
5×3mmの大きさに切断し、これをアルミナ板に載せ
て管状の電気炉に挿入した。この管状炉に0.5L/m
inの窒素ガスを流しながら、1000℃に3時間で昇
温し、さらに35時間加熱した後、放冷した。得られた
ブロックは完全に窒化が完了しており、X線解析によっ
てALNに変換していることが確認された。
【0021】実施例2 種々の組成の合金を用いて実施例1に準じた実験を行
い、その条件を調整することによって種々の大きさの単
結晶を得ることができた。結果を表1に示す。
い、その条件を調整することによって種々の大きさの単
結晶を得ることができた。結果を表1に示す。
【0022】
【表1】
【0023】実施例3 Liを0.2および0.3wt%含有するAL−Li系
合金をφ15×5mmの板状に切断し、これを図1に示
すような、ALN粉末を下部に敷いたALNルツボにい
れて管状の電気炉に挿入した。この管状炉に0.5L/
minの窒素ガスを流しながら、1000℃に3時間で
昇温し、さらに54時間加熱した後、放冷した。得られ
たブロックは完全に窒化が完了しており、X線解析によ
ってALNに変換していることが確認された。内部を切
断して観察した結果、それぞれ480,350μmの単
結晶の生成が確認された。
合金をφ15×5mmの板状に切断し、これを図1に示
すような、ALN粉末を下部に敷いたALNルツボにい
れて管状の電気炉に挿入した。この管状炉に0.5L/
minの窒素ガスを流しながら、1000℃に3時間で
昇温し、さらに54時間加熱した後、放冷した。得られ
たブロックは完全に窒化が完了しており、X線解析によ
ってALNに変換していることが確認された。内部を切
断して観察した結果、それぞれ480,350μmの単
結晶の生成が確認された。
【0024】実施例4 Liを1.0および2wt%含有するAL−Li系合金
と、Caを2wt%含有するAL−Ca系合金を5×5
×3mmの大きさに切断し、これをそれぞれHIPの焼
成炉中に装着した。これを1000気圧の窒素ガス中、
1400℃で6時間加熱した後、放冷した。得られたブ
ロックは完全に窒化が完了しており、X線解析によって
ALNに変換していることが確認された。内部を切断し
て観察した結果、それぞれ0.5〜1mmの6角柱状の
単結晶の生成が確認された。
と、Caを2wt%含有するAL−Ca系合金を5×5
×3mmの大きさに切断し、これをそれぞれHIPの焼
成炉中に装着した。これを1000気圧の窒素ガス中、
1400℃で6時間加熱した後、放冷した。得られたブ
ロックは完全に窒化が完了しており、X線解析によって
ALNに変換していることが確認された。内部を切断し
て観察した結果、それぞれ0.5〜1mmの6角柱状の
単結晶の生成が確認された。
【0025】
【発明の効果】以上詳記したように、本発明は、高品位
の単結晶を経済的コストで製造できる特徴を有し、しか
もその大きさも任意に調整することが可能であり、AL
N単結晶の今後の普及に大いに貢献するものである。
の単結晶を経済的コストで製造できる特徴を有し、しか
もその大きさも任意に調整することが可能であり、AL
N単結晶の今後の普及に大いに貢献するものである。
Claims (5)
- 【請求項1】 アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属
の中から選ばれた一種あるいは二種以上の元素を総量で
0.001〜2wt.%の範囲で含有するアルミニウム
合金を窒素を含む非酸化性雰囲気中で700〜1300
℃に加熱することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶
の合成方法。 - 【請求項2】 上記アルカリ金属がLiである請求項1
に記載の合成方法。 - 【請求項3】 上記アルカリ土類金属がCaである請求
項1に記載の合成方法。 - 【請求項4】 上記元素の総量が0.1〜1wt.%で
ある請求項1〜3に記載の合成方法。 - 【請求項5】 上記加熱温度が800〜1200℃であ
る請求項1〜3に記載合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10165494A JPH07277897A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 窒化アルミニウム単結晶の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10165494A JPH07277897A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 窒化アルミニウム単結晶の合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07277897A true JPH07277897A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=14306377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10165494A Pending JPH07277897A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 窒化アルミニウム単結晶の合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07277897A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2326160A (en) * | 1997-06-11 | 1998-12-16 | Hitachi Cable | Making group III metal nitride crystals; crystal growth methods |
| US6001748A (en) * | 1996-06-04 | 1999-12-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Single crystal of nitride and process for preparing the same |
| JP2005060216A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-03-10 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物単結晶の製造方法および製造装置 |
| WO2006022302A3 (ja) * | 2004-08-24 | 2006-04-20 | Univ Osaka | 窒化アルミニウム結晶の製造方法およびそれにより得られた窒化アルミニウム結晶 |
| CN1327044C (zh) * | 2002-07-31 | 2007-07-18 | 财团法人大阪产业振兴机构 | Ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的ⅲ族元素氮化物透明单晶 |
| US7294199B2 (en) | 2004-06-10 | 2007-11-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride single crystal and producing method thereof |
| WO2008029827A1 (fr) * | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Tama-Tlo Ltd. | PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CRISTAL D'AlN |
| EP1942211A1 (en) * | 2003-10-31 | 2008-07-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of and equipment for manufacturing group III nitride crystal |
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| WO2015182477A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 国立大学法人名古屋大学 | AlN結晶の作製方法、AlN結晶、及びAlN結晶を含む有機化合物 |
| WO2019221583A1 (ko) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 연세대학교 산학협력단 | 층상형 aln, 이의 제조 방법 및 이로부터 박리된 aln 나노시트 |
-
1994
- 1994-04-04 JP JP10165494A patent/JPH07277897A/ja active Pending
Cited By (18)
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