JPH07277897A - 窒化アルミニウム単結晶の合成方法 - Google Patents

窒化アルミニウム単結晶の合成方法

Info

Publication number
JPH07277897A
JPH07277897A JP10165494A JP10165494A JPH07277897A JP H07277897 A JPH07277897 A JP H07277897A JP 10165494 A JP10165494 A JP 10165494A JP 10165494 A JP10165494 A JP 10165494A JP H07277897 A JPH07277897 A JP H07277897A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitrogen
single crystal
contg
alkaline earth
metals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10165494A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsutoshi Yoneya
勝利 米屋
Takeji Meguro
竹司 目黒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP10165494A priority Critical patent/JPH07277897A/ja
Publication of JPH07277897A publication Critical patent/JPH07277897A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 窒化アルミニウム単結晶の合成方法に係わる
ものである。 【構成】 アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の中
から選ばれた一種あるいは二種以上の元素を総量で0.
001〜2wt.%の範囲で含有するアルミニウム合金
を窒素を含む非酸化性雰囲気中で700〜1300℃に
加熱することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化アルミニウム単結
晶の合成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ALNはその結合と結晶構造に由来し
て、高熱伝導性と優れた圧電性を示し、極めて有用な材
料であるが、その結晶構造はウルツ鉱型で、2200℃
の高温で分解し、共有結合性が強く強固な結合を有する
ため、難焼結性で緻密な焼結体を作製することが困難で
ある。また、単結晶の合成も高温メルトが得られないた
めに極めて困難である。これまで試みられたALN単結
晶の合成方法としては、ALNを高温で分解させて再
結合させる方法、CVDによる方法等が実施されてき
たが、前者は結晶が小さく高価であり、後者はコスト高
に加えて配向性が劣るため満足できる結晶は得られてい
ないのが現状である。
【0003】
【発明が解決する課題】本発明は、かかる問題点に鑑み
てなされたもので、高品位の窒化アルミニウム単結晶を
経済的なコストで作製できる新規な方法を提供せんとす
るものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題は次の手段によ
って解決できる。 1.アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の中から選
ばれた一種あるいは二種以上の元素を総量で0.001
〜2wt.%の範囲で含有するアルミニウム合金を窒素
を含む非酸化性雰囲気中で700〜1300℃に加熱す
ることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の合成方
法。 2.上記アルカリ金属がLiである上記1に記載の合成
方法。 3.上記アルカリ土類金属がCaである上記1に記載の
合成方法。 4.上記元素の総量が0.1〜1wt.%である請求項
1〜3に記載の合成方法。 5.上記加熱温度が800〜1200℃である請求項1
〜3に記載の合成方法。
【0005】
【作用】本発明はアルミニウム合金を窒素含有雰囲気下
でメルトさせ、窒素をアルミニウム溶湯にゆっくり拡散
させてALN単結晶を合成する方法である。
【0006】アルミニウム合金において、合金元素とし
ては、特にアルカリ金属、アルカリ土類金属が好まし
く、これらの元素を含む合金を、窒素雰囲気下で加熱す
ると、Liなどのような蒸気圧の高い原子は表面で不純
物酸素と反応してLiOを生成して表面から蒸発する
為に内部から表面にLiが移動し、そのカウンターとし
て雰囲気中の窒素が内部に浸透する。
【0007】アルミニウムの窒化反応は発熱反応である
ので窒化反応が進行すると、自己発熱して試料が昇温す
るので省エネルギーの観点からは大変有効であるが、し
かし自己発熱に伴って、試料が原形を止めないほどに変
形するので、通常アルミニウムの窒化反応を利用して成
形体の作製や単結晶の作製は不可能であった。
【0008】また、発熱反応を抑制あるいはなくす為に
Li等の合金量を少量にする考えは、本来反応そのもの
が十分進行しないものとして従来は看過されてきたので
あるが、本発明はこの従来の考えを覆して、少量の合金
成分のごく限られた範囲に於いて、自己発熱なく、窒化
反応が促進されることを発見したのである。また、この
反応に伴ってALNの単結晶が合成されることを見出だ
したのである。
【0009】自己発熱を起こさせることなく窒化反応を
達成させる。これが本発明の最も重要なポイントであ
る。
【0010】合金元素としては、アルカリ金属、アルカ
リ土類金属が有効であり、これらの中の元素を単独で、
あるいは適宜二種以上の元素を混ぜて添加してもよい。
【0011】この中で最も好ましい元素は、Li,Ca
である。
【0012】合金元素の量は、上記アルカリ金属、アル
カリ土類金属の総量が0.001〜2wt.%の範囲、
とりわけ0.05〜1wt.%の範囲が好ましい。
【0013】2wt%を越えると、発熱反応が起こるの
で好ましくない。0.001%未満では、反応が十分に
進行しないので好ましくない。
【0014】温度は、通常の1気圧前後では、700〜
1300℃の範囲、とりわけ800〜1200℃が好ま
しい。雰囲気を加圧した場合(HIP数千気圧や超高圧
の数万気圧まで)はさらに2000℃までの高温でもよ
い。
【0015】雰囲気は、窒素を含有する非酸化性雰囲気
にすることが必要で、窒素単体ガス、N2−H2等の窒
素混合ガス、さらにアンモニア等の窒素化合物ガスまで
全て有効である。
【0016】雰囲気の圧力は、上記したように、常圧か
ら数万気圧まで有効である。特に高圧は分解防止に有効
であるので、Liの気散を防ぐことができる。
【0017】なお、本発明では、雰囲気に微量の酸素を
含むことが必須で、その量は厳密な規定は難しいが、概
ね10−3以下であることが好ましい。
【0018】結晶成長には核の生成が必要で、核となる
種結晶あるいはALN粉を置いておくと、結晶成長が加
速される。
【0019】結晶化の為の時間は、例えば大きさが5×
5×5mmで、Liを0.5wt.%含むAL合金の場
合、1000℃で約40時間程度で反応が完了する。こ
の場合、内部に約100μmの6角状の単結晶が得られ
る。
【0020】
【実施例】実施例によって本発明を説明する。 実施例1 Liを0.5wt.%含有するAL−Li系合金を5×
5×3mmの大きさに切断し、これをアルミナ板に載せ
て管状の電気炉に挿入した。この管状炉に0.5L/m
inの窒素ガスを流しながら、1000℃に3時間で昇
温し、さらに35時間加熱した後、放冷した。得られた
ブロックは完全に窒化が完了しており、X線解析によっ
てALNに変換していることが確認された。
【0021】実施例2 種々の組成の合金を用いて実施例1に準じた実験を行
い、その条件を調整することによって種々の大きさの単
結晶を得ることができた。結果を表1に示す。
【0022】
【表1】
【0023】実施例3 Liを0.2および0.3wt%含有するAL−Li系
合金をφ15×5mmの板状に切断し、これを図1に示
すような、ALN粉末を下部に敷いたALNルツボにい
れて管状の電気炉に挿入した。この管状炉に0.5L/
minの窒素ガスを流しながら、1000℃に3時間で
昇温し、さらに54時間加熱した後、放冷した。得られ
たブロックは完全に窒化が完了しており、X線解析によ
ってALNに変換していることが確認された。内部を切
断して観察した結果、それぞれ480,350μmの単
結晶の生成が確認された。
【0024】実施例4 Liを1.0および2wt%含有するAL−Li系合金
と、Caを2wt%含有するAL−Ca系合金を5×5
×3mmの大きさに切断し、これをそれぞれHIPの焼
成炉中に装着した。これを1000気圧の窒素ガス中、
1400℃で6時間加熱した後、放冷した。得られたブ
ロックは完全に窒化が完了しており、X線解析によって
ALNに変換していることが確認された。内部を切断し
て観察した結果、それぞれ0.5〜1mmの6角柱状の
単結晶の生成が確認された。
【0025】
【発明の効果】以上詳記したように、本発明は、高品位
の単結晶を経済的コストで製造できる特徴を有し、しか
もその大きさも任意に調整することが可能であり、AL
N単結晶の今後の普及に大いに貢献するものである。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属
    の中から選ばれた一種あるいは二種以上の元素を総量で
    0.001〜2wt.%の範囲で含有するアルミニウム
    合金を窒素を含む非酸化性雰囲気中で700〜1300
    ℃に加熱することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶
    の合成方法。
  2. 【請求項2】 上記アルカリ金属がLiである請求項1
    に記載の合成方法。
  3. 【請求項3】 上記アルカリ土類金属がCaである請求
    項1に記載の合成方法。
  4. 【請求項4】 上記元素の総量が0.1〜1wt.%で
    ある請求項1〜3に記載の合成方法。
  5. 【請求項5】 上記加熱温度が800〜1200℃であ
    る請求項1〜3に記載合成方法。
JP10165494A 1994-04-04 1994-04-04 窒化アルミニウム単結晶の合成方法 Pending JPH07277897A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10165494A JPH07277897A (ja) 1994-04-04 1994-04-04 窒化アルミニウム単結晶の合成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10165494A JPH07277897A (ja) 1994-04-04 1994-04-04 窒化アルミニウム単結晶の合成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07277897A true JPH07277897A (ja) 1995-10-24

Family

ID=14306377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10165494A Pending JPH07277897A (ja) 1994-04-04 1994-04-04 窒化アルミニウム単結晶の合成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07277897A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2326160A (en) * 1997-06-11 1998-12-16 Hitachi Cable Making group III metal nitride crystals; crystal growth methods
US6001748A (en) * 1996-06-04 1999-12-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Single crystal of nitride and process for preparing the same
JP2005060216A (ja) * 2003-07-29 2005-03-10 Ngk Insulators Ltd Iii族窒化物単結晶の製造方法および製造装置
WO2006022302A3 (ja) * 2004-08-24 2006-04-20 Univ Osaka 窒化アルミニウム結晶の製造方法およびそれにより得られた窒化アルミニウム結晶
CN1327044C (zh) * 2002-07-31 2007-07-18 财团法人大阪产业振兴机构 Ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的ⅲ族元素氮化物透明单晶
US7294199B2 (en) 2004-06-10 2007-11-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride single crystal and producing method thereof
WO2008029827A1 (fr) * 2006-09-07 2008-03-13 Tama-Tlo Ltd. PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CRISTAL D'AlN
EP1942211A1 (en) * 2003-10-31 2008-07-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of and equipment for manufacturing group III nitride crystal
CN100447310C (zh) * 2004-07-15 2008-12-31 住友电气工业株式会社 氮化物单晶和其生产方法
WO2015182477A1 (ja) * 2014-05-30 2015-12-03 国立大学法人名古屋大学 AlN結晶の作製方法、AlN結晶、及びAlN結晶を含む有機化合物
WO2019221583A1 (ko) * 2018-05-18 2019-11-21 연세대학교 산학협력단 층상형 aln, 이의 제조 방법 및 이로부터 박리된 aln 나노시트

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6001748A (en) * 1996-06-04 1999-12-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Single crystal of nitride and process for preparing the same
GB2326160B (en) * 1997-06-11 1999-11-03 Hitachi Cable Nitride crystal fabricating method
KR100419285B1 (ko) * 1997-06-11 2004-02-19 히다치 덴센 가부시키 가이샤 질화물 결정의 제조방법
GB2326160A (en) * 1997-06-11 1998-12-16 Hitachi Cable Making group III metal nitride crystals; crystal growth methods
CN1327044C (zh) * 2002-07-31 2007-07-18 财团法人大阪产业振兴机构 Ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的ⅲ族元素氮化物透明单晶
JP2005060216A (ja) * 2003-07-29 2005-03-10 Ngk Insulators Ltd Iii族窒化物単結晶の製造方法および製造装置
TWI399796B (zh) * 2003-10-31 2013-06-21 Sumitomo Electric Industries Iii族氮化物結晶、其製造方法及製造iii族氮化物結晶之設備
EP1942211A1 (en) * 2003-10-31 2008-07-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of and equipment for manufacturing group III nitride crystal
US7294199B2 (en) 2004-06-10 2007-11-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride single crystal and producing method thereof
CN100447310C (zh) * 2004-07-15 2008-12-31 住友电气工业株式会社 氮化物单晶和其生产方法
WO2006022302A3 (ja) * 2004-08-24 2006-04-20 Univ Osaka 窒化アルミニウム結晶の製造方法およびそれにより得られた窒化アルミニウム結晶
WO2008029827A1 (fr) * 2006-09-07 2008-03-13 Tama-Tlo Ltd. PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CRISTAL D'AlN
JP5229735B2 (ja) * 2006-09-07 2013-07-03 タマティーエルオー株式会社 AlN結晶の製造方法
WO2015182477A1 (ja) * 2014-05-30 2015-12-03 国立大学法人名古屋大学 AlN結晶の作製方法、AlN結晶、及びAlN結晶を含む有機化合物
JPWO2015182477A1 (ja) * 2014-05-30 2017-04-20 国立大学法人名古屋大学 AlN結晶の作製方法、AlN結晶、及びAlN結晶を含む有機化合物
US12365823B2 (en) 2014-05-30 2025-07-22 National University Corporation Nagoya University AlN crystal preparation method, AlN crystals, and organic compound including AlN crystals
WO2019221583A1 (ko) * 2018-05-18 2019-11-21 연세대학교 산학협력단 층상형 aln, 이의 제조 방법 및 이로부터 박리된 aln 나노시트
KR20190132152A (ko) * 2018-05-18 2019-11-27 연세대학교 산학협력단 층상형 AlN, 이의 제조 방법 및 이로부터 박리된 AlN 나노시트

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6001748A (en) Single crystal of nitride and process for preparing the same
US5942455A (en) Synthesis of 312 phases and composites thereof
JPH07277897A (ja) 窒化アルミニウム単結晶の合成方法
JP2004532788A (ja) 金属含有単一相組成物の製造方法
US5454999A (en) Composite silicide/silicon carbide mechanical alloy
EP0371771A2 (en) Process for preparing aluminium nitride and aluminium nitride so produced
JP4089398B2 (ja) AlN単結晶の製造方法
JPH06212342A (ja) SE2Fe17−xTMxNy型の合金の製造法
JP2003267709A (ja) 窒化ケイ素マグネシウム粉末の製造方法及びその製品
JPS6169931A (ja) 化学反応による金属間化合物のアモルフアス化方法
JP5181329B2 (ja) 窒化アルミニウム含有物の製造方法
JP2003020279A (ja) 金属性セラミック焼結体及びその製造方法
JPS58150427A (ja) 金属化合物の微粉末の製造方法
JP2000054009A (ja) 合金粉末の製造方法及びそれを用いた熱電素子の製造方法
JP4025810B2 (ja) 窒化ケイ素粒子の製造方法
JP2612016B2 (ja) 低酸素窒化アルミニウム粉末の製造方法
JP3452741B2 (ja) 窒化アルミニウム基複合材料の製造方法
JPS60195008A (ja) 窒化珪素粉末の製造方法
JP2784060B2 (ja) 高純度窒化ケイ素粉末の製法
JP3472802B2 (ja) サイアロン焼結体の製造法
JP4289867B2 (ja) 複合材料の製造方法、及びその製造方法により製造された複合材料
JPH0696448B2 (ja) 炭窒化ほう素の合成法
JP2003119099A (ja) 窒化アルミニウム単結晶の製造方法
JP2636188B2 (ja) 希土類多ホウ化物結晶の製造法
KR101627461B1 (ko) 질화알루미늄에 의하여 강화된 알루미늄복합재료의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 알루미늄 복합재료