JPH07282978A

JPH07282978A - 薄膜ｅｌ素子

Info

Publication number: JPH07282978A
Application number: JP6067434A
Authority: JP
Inventors: Kosuke Terada; 幸祐寺田; Katsuhiro Okada; 勝博岡田; Akiyoshi Mikami; 明義三上
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-04-05
Filing date: 1994-04-05
Publication date: 1995-10-27

Abstract

(57)【要約】【目的】所望とする高純度で高輝度な発光色を得る。【構成】透光性基板１２の一方表面１２ａに下部電極
１３、下部絶縁層１４、剥離防止膜１８、ＥＬ発光層１
５、剥離防止膜１９、上部絶縁層１６および上部電極１
７がこの順に積層されて薄膜ＥＬ素子１１が構成され
る。ＥＬ発光層１５は、Ｂａ₂ＺｎＳ₃を母体材料とし、
遷移金属元素群の中から選ばれる、たとえばＭｎ、また
はＣｅを発光中心とするものである。Ｂａ₂ＺｎＳ₃：Ｍ
ｎでは高純度で高輝度な赤色の発光色が得られ、Ｂａ₂
ＺｎＳ₃：Ｃｅでは同様に青緑色の発光色が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄型でかつ平板状の表
示手段として好適に用いられる薄膜ＥＬ（エレクトロル
ミネセント）素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロルミネセンス（電界発光）と
いう現象を応用したＥＬ素子としては、従来から分散型
と薄膜型が知られている。分散型ＥＬ素子は、所望の元
素で付活した蛍光体粒子を誘電体材料中に分散させたＥ
Ｌ発光層を備え、蛍光体粒子を遊離して分散させたもの
は交流駆動用として用いられ、蛍光体粒子を互いに接触
するようにして分散させたものは直流駆動用として用い
られる。このようなＥＬ発光層は、たとえば２０μｍ〜
１００μｍの厚さに形成される。一方、薄膜型ＥＬ素子
は、母体材料中に発光中心材料を添加したＥＬ発光層を
備え、該ＥＬ発光層が、たとえば蒸着法、スパッタリン
グ法、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition）法あるいは
ＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy）法で５０００Å〜１０
０００Åの厚さに形成される。薄膜型ＥＬ素子の中で
も、後述する二重絶縁層構造を有する薄膜型ＥＬ素子
は、分散型ＥＬ素子に比べて高い発光輝度が得られ、ま
た発光寿命が長い。さらに、薄型であることから実用化
に向けて開発が進められている。

【０００３】図５は、一般的な二重絶縁層構造を有する
薄膜ＥＬ素子１の構成を示す断面図である。薄膜ＥＬ素
子１は、透光性基板２、下部電極３、下部絶縁層４、Ｅ
Ｌ発光層５、上部絶縁層６および上部電極７を含む。た
とえばガラスで実現される透光性基板２の一方表面２ａ
上に、たとえばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの透
明電極で実現される下部電極３が形成される。下部電極
３は、たとえば互いに平行に複数本形成される。下部電
極３が形成された基板２の表面２ａ上には、下部絶縁層
４、ＥＬ発光層５および上部絶縁層６がこの順に形成さ
れる。上部絶縁層６の上には、たとえばＡｌなどの金属
電極で実現される上部電極７が形成される。上部電極７
は、前記下部電極３と直交する方向に複数本形成され
る。前記下部電極３、下部絶縁層４、ＥＬ発光層５、上
部絶縁層６および上部電極７は、いわゆるＥＬ構造体８
である。

【０００４】前記ＥＬ発光層５の材料によって薄膜ＥＬ
素子１の発光色が決定する。従来から、母体材料として
は、たとえばＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳが選ばれ、発光中
心材料は遷移金属元素群の中から選ばれる。ＺｎＳ：Ｍ
ｎを用いた黄色発光素子、ＺｎＳ：Ｔｂを用いた緑色発
光素子、ＣａＳ：ＥｕあるいはＺｎＳ：Ｓｍを用いた赤
色発光素子、およびＳｒＳ：ＣｅあるいはＺｎＳ：Ｔｍ
を用いた青色発光素子が知られている。これらの中で
も、ＺｎＳ：Ｍｎを用いた素子は、発光輝度が高く、安
定して良好な発光特性が得られることから、実用化され
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述したように現在実
用化されている薄膜ＥＬ素子は、黄色の発光色が得られ
る素子のみであり、他の発光色の素子については実用化
に対して充分な発光輝度が得られていない。また、製造
時において必要な加熱処理による輝度の劣化および閾値
電圧の変化など、素子の安定性にも問題がある。さら
に、カラー表示を行うためには、白色発光あるいは三原
色である赤、青、緑の発光色が必要であるけれども、従
来技術では、無彩色に近い白色発光や色純度の高い赤、
青、緑の発光色が得られていない。

【０００６】本発明の目的は、所望とする高純度で高輝
度な発光色が得られる薄膜ＥＬ素子を提供することであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、いずれか一方
が透光性を有する一対の電極間に母体材料と発光中心材
料とを含むＥＬ発光層が配置され、前記ＥＬ発光層と電
極との間に絶縁層がそれぞれ配置されたＥＬ構造体を備
える薄膜ＥＬ素子において、前記母体材料としてＢａ₂
ＺｎＳ₃が選ばれ、前記発光中心材料が遷移金属元素群
の中から選ばれることを特徴とする薄膜ＥＬ素子であ
る。

【０００８】また本発明は、前記発光中心材料としてＭ
ｎが選ばれることを特徴とする。

【０００９】また本発明は、前記発光中心材料としてＣ
ｅが選ばれることを特徴とする。

【００１０】また本発明は、前記ＥＬ発光層と前記絶縁
層との間に前記絶縁層の剥離を防止する剥離防止膜がそ
れぞれ配置されることを特徴とする。

【００１１】

【作用】本発明に従えば、薄膜ＥＬ素子は、いずれか一
方が透光性を有する電極間にＥＬ発光層が配置され、該
ＥＬ発光層と電極との間に絶縁層がそれぞれ配置された
ＥＬ構造体を備え、前記ＥＬ発光層は、Ｂａ₂ＺｎＳ₃か
ら成る母体材料と遷移金属元素群の中から選ばれる発光
中心材料とを含む。母体材料として前記Ｂａ₂ＺｎＳ₃を
用い、遷移金属元素群の中から所望とする元素を選ぶこ
とによって、高純度でかつ高輝度な所望の発光色が得ら
れる。前記遷移金属元素群の中には、一般的に用いられ
る発光中心材料が含まれている。

【００１２】また本発明に従えば、発光中心材料として
Ｍｎが選ばれる。Ｂａ₂ＺｎＳ₃：Ｍｎから成るＥＬ発光
層とすることによって、高純度で高輝度な赤色の発光色
が得られることが確認された。

【００１３】また本発明に従えば、発光中心材料として
Ｃｅが選ばれる。Ｂａ₂ＺｎＳ₃：Ｃｅから成るＥＬ発光
層とすることによって、高輝度な青緑色の発光色が得ら
れることが確認された。この場合、所定の波長帯域の光
のみを透過させるフィルタを設けることによって高純度
な青色あるいは緑色の発光色が得られる。

【００１４】また本発明に従えば、前記ＥＬ発光層と絶
縁層との間には前記絶縁層の剥離を防止する剥離防止膜
が設けられる。絶縁層材料としてＳｉ₃Ｎ₄を用い、剥離
防止膜としてＺｎＳを用いた場合には、薄膜ＥＬ素子を
作成する際の熱処理時において、絶縁層とＥＬ発光層と
の間で生じていた剥離が低減することが確認された。該
剥離は、たとえば絶縁層材料とＥＬ発光層材料との熱膨
張係数の差によって生じると考えられる。前記ＺｎＳか
ら成る剥離防止膜によって、熱膨張係数の差が緩和さ
れ、これによって剥離が低減するものと考えられる。ま
た、前記剥離防止膜によってＥＬ発光層への酸素の侵入
が防止され、該ＥＬ発光層の酸化を防ぐことが可能とな
る。したがって、発光特性の低下を防止することが可能
となる。

【００１５】

【実施例】図１は、本発明の一実施例である薄膜ＥＬ素
子１１の構成を示す断面図である。薄膜ＥＬ素子１１
は、透光性基板１２、下部電極１３、下部絶縁層１４、
ＥＬ発光層１５、上部絶縁層１６、上部電極１７および
剥離防止膜１８，１９を含む。たとえばガラスで実現さ
れる透光性基板１２の一方表面１２ａ上に、たとえばＩ
ＴＯなどの透明電極で実現される下部電極１３が形成さ
れる。下部電極１３は、たとえば互いに平行に複数本形
成される。また下部電極１３は、たとえばＥＢ（電子ビ
ーム）蒸着法あるいは高周波スパッタリング法で２００
ｎｍ程度の厚さに形成される。

【００１６】前記下部電極１３が形成された基板１２の
表面１２ａ上には、下部絶縁層１４、剥離防止膜１８、
ＥＬ発光層１５、剥離防止膜１９および上部絶縁層１６
がこの順に形成される。下部絶縁層１４は、たとえば高
周波スパッタリング法で４０ｎｍ程度の厚さにＳｉＯ₂
を堆積し、さらに２００ｎｍ程度の厚さにＳｉ₃Ｎ₄を堆
積して形成される。剥離防止膜１８，１９は、たとえば
ＺｎＳ膜で実現され、駆動電圧を考慮し、高電圧駆動と
ならないような膜厚に形成される。たとえば剥離防止膜
１８は、６０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成され、剥離
防止膜１９は、５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚さに形成
される。剥離防止膜１８，１９は、後述するＥＬ発光層
１５から下部および上部絶縁層１３，１６が剥離するの
を防ぐために設けられる膜である。

【００１７】ＥＬ発光層１５は、母体材料中に発光中心
材料を添加したもので実現される。母体材料としては、
Ｂａ₂ＺｎＳ₃が用いられる。また、発光中心材料は遷移
金属元素群の中から選ばれ、Ｍｎを選んだ場合には６２
５ｎｍ付近に発光スペクトルのピークを有する赤色の発
光色が得られ、Ｃｅを選んだ場合には４３０ｎｍ〜６２
０ｎｍの波長帯域に発光スペクトルのピークを有する青
緑色の発光色が得られることが確認された。本実施例で
は、予めＭｎが０．４５ｗｔ％添加されたＺｎＳ粉末を
用意し、該ＺｎＳ粉末とＢａＳ粉末とを１：２（モル
比）で混合し、８５０℃のＡｒ雰囲気中で焼成してペレ
ットを作成した。該ペレットをターゲットとしたＥＢ蒸
着法によって６００ｎｍ〜１５００ｎｍの厚さのＥＬ発
光層１５を作成した。ＥＢ蒸着は、６×１０^-3ＰａのＨ
₂ Ｓ雰囲気中で、基板温度を２００℃〜５００℃の範囲
の温度に設定して行った。

【００１８】上部絶縁層１６は、たとえば１００ｎｍ程
度の厚さのＳｉ₃Ｎ₄膜上に、３５ｎｍ程度の厚さのＡｌ
₂Ｏ₃膜を積層して形成される。透光性基板１２上に下部
電極１３、下部絶縁層１４、剥離防止膜１８、ＥＬ発光
層１５、剥離防止膜１９および上部絶縁層１６がこの順
に積層して形成された後、６３０℃に設定された真空雰
囲気中において１時間熱処理が施される。さらに、前記
上部絶縁層１６上には、たとえばＡｌなどの金属電極で
実現される上部電極１７が形成される。上部電極１７
は、前記下部電極１３と直交する方向に複数本形成され
る。また上部電極１７は、たとえば真空蒸着法で形成さ
れる。

【００１９】前記下部電極１３、下部絶縁層１４、ＥＬ
発光層１５、上部絶縁層１６、上部電極１７および剥離
防止膜１８，１９は、いわゆるＥＬ構造体２１である。
このような薄膜ＥＬ素子１１の下部電極１３および上部
電極１７間には、交流電源２０が接続され、前記電極１
３，１７の間に配置されるＥＬ発光層１５に電圧が印加
される。

【００２０】図２は、前記薄膜ＥＬ素子１１に６０Ｈｚ
の交流電圧を印加したときの印加電圧（Ｖ）と輝度（ｃ
ｄ／ｍ²）との関係を示すグラフである。薄膜ＥＬ素子
１１は、閾値電圧を有し、急峻な輝度の立上りを示すこ
とが確認された。このため、電極１３，１７に閾値電圧
以上の電圧を印加してＥＬ発光層１５を発光状態とする
こと、および前記閾値電圧未満の電圧を印加して非発光
状態とすることによる表示が実現できる。

【００２１】図３は、前記薄膜ＥＬ素子１１の発光スペ
クトルを示すグラフである。曲線Ｌ１は、ＥＬ発光層１
５が、Ｂａ₂ＺｎＳ₃：Ｍｎから成る場合を示しており、
曲線Ｌ２はＥＬ発光層１５が、Ｂａ₂ＺｎＳ₃：Ｃｅから
成る場合を示している。前述した薄膜ＥＬ素子１１は、
曲線Ｌ１に示されるように６２５ｎｍ付近にピークを有
する赤色の発光色が得られることが確認された。

【００２２】以下の表１は、前記薄膜ＥＬ素子１１の色
度座標（ｘ，ｙ）と飽和輝度（ｃｄ／ｍ² ）とを示すも
のである。なお、表１には比較例１として前述したＥＬ
発光層１５がＺｎＳ：Ｓｍ，Ｆから成るもの、比較例２
としてＥＬ発光層１５がＺｎＳ：Ｓｍ，Ｃｌから成るも
の、比較例３としてＥＬ発光層１５がＣａＳ：Ｅｕから
成るもの、および比較例４としてＥＬ発光層１５がＣＲ
Ｔ（Cathod Ray Tube）用の蛍光体から成るものをそれ
ぞれ示している。

【００２３】なお、本実施例では閾値電圧に５０Ｖを加
えた値の電圧を印加したときの輝度を飽和輝度としてい
る。ここで、閾値電圧とは輝度が１ｃｄ／ｍ²となると
きの電圧であり、本実施例では１８０Ｖである。したが
って、前記飽和輝度が得られたときの印加電圧は２３０
Ｖである。

【００２４】

【表１】

【００２５】比較例４として示したＣＲＴ用蛍光体で得
られた色度を望ましい値としたところ、本実施例の薄膜
ＥＬ素子１１は、前記ＣＲＴ用蛍光体と同じ色度が得ら
れ、また比較例１〜３よりも高い飽和輝度が得られるこ
とが確認された。また、薄膜ＥＬ素子１１は、比較例３
でみられた発光開始の時間的遅れ、すなわち電圧印加
後、直ちに発光が開始されないという現象も生じないこ
とが確認された。

【００２６】なお、比較例１，２の発光層材料として添
加しているＦ，Ｃｌは、発光中心イオンの価数と母体材
料の陽イオンの価数とが異なる場合（たとえばＳｍ³⁺と
Ｚｎ²⁺）にＥＬ発光層を電気的に中性に保つために添加
される電荷補償元素であり、該元素を添加することによ
って素子特性の向上を図ることができる。

【００２７】続いて本発明の他の実施例について説明す
る。本実施例は、前記薄膜ＥＬ素子１１のＥＬ発光層１
５が、Ｂａ₂ＺｎＳ₃：Ｃｅから成る以外は前述したのと
同様にして実現される。本実施例のＥＬ発光層１５は、
ＺｎＳ粉末に対して０．１モル％のＣｅＦ₃ 粉末を加
え、前述したのと同様にしてペレットを作成し、同様の
ＥＢ蒸着法によって作成した。この薄膜ＥＬ素子の発光
スペクトルは、図３の曲線Ｌ２で表され、４３０ｎｍ〜
６２０ｎｍの波長帯域に発光スペクトルのピークを有す
る青緑色の発光色が得られることが確認された。

【００２８】本実施例の場合、たとえば透光性基板１２
のＥＬ発光層１５とは反対側にフィルタを設けることに
よって青色の発光素子あるいは緑色の発光素子を実現す
ることが可能となる。たとえば４２０ｎｍ〜４９０ｎｍ
の波長帯域の光を透過するフィルタを設けることによっ
て青色の発光素子が実現され、４９０ｎｍ〜５５０ｎｍ
の波長帯域の光を透過するフィルタを設けることによっ
て緑色の発光素子が実現される。

【００２９】以上のようにＢａ₂ＺｎＳ₃：Ｍｎから成る
ＥＬ発光層１５を用いることによって優れた赤色の発光
色が得られることが確認された。また、Ｂａ₂ＺｎＳ₃：
Ｃｅから成るＥＬ発光層１５を用ることによって青緑色
の発光色が得られることが確認され、この場合フィルタ
を用いることによって青色あるいは緑色の発光色を得る
ことができる。なお、発光中心材料はＭｎ、Ｃｅに限ら
ず、遷移金属元素群の中から適当な元素が選択される。
一般的には、遷移金属元素群の中の希土類元素群の中か
ら多くの元素が選ばれる。たとえば、Ｔｂ，Ｅｕ，Ｓｍ
あるいはＴｍが選ばれる。

【００３０】また本実施例では、下部および上部絶縁層
１４，１６のＥＬ発光層１５側の材料としてＳｉ₃Ｎ₄を
用い、剥離防止膜１８，１９としてＺｎＳを用いた。ま
た、ＥＬ発光層１５の材料はＢａ₂ＺｎＳ₃である。剥離
防止膜１８，１９を設けなかった場合、薄膜ＥＬ素子１
１を形成する際の熱処理時において、下部絶縁層１４と
ＥＬ発光層１５との間、またはＥＬ発光層１５と上部絶
縁層１６との間で剥離が生じた。しかしながら、剥離防
止膜１８，１９を設けることによって、前記剥離が生じ
ないことが確認された。

【００３１】前記剥離は、たとえば絶縁層１４，１６と
される材料の熱膨張係数と、ＥＬ発光層１５とされる材
料の熱膨張係数の差が比較的大きいために生じるものと
考えられる。前記剥離防止膜１８，１９を形成すること
によって、絶縁層１４，１６と剥離防止膜１８，１９と
の間、および剥離防止膜１８，１９とＥＬ発光層１５と
の間でそれぞれ熱膨張係数の差が生じる。この熱膨張係
数の差が前記差よりも小さくなることによって、それぞ
れの層の間での剥離が低減し、全体として、絶縁層１
４，１６と、ＥＬ発光層１５との間の剥離も低減したと
考えられる。したがって、前記剥離防止膜１８，１９の
材料としては、絶縁層１４，１６の材料の熱膨張係数
と、ＥＬ発光層１５の材料の熱膨張係数とのほぼ中間の
熱膨張係数を有する材料を選ぶのが好ましいと考えられ
る。

【００３２】また、前記剥離防止膜１８，１９を設ける
ことによってＥＬ発光層１５への酸素の侵入を防止する
ことができ、ＥＬ発光層１５の酸化を防止して、発光特
性の低下を防止することが可能となる。

【００３３】なお、本発明の母体材料として選ばれるＢ
ａ₂ＺｎＳ₃は、分散型ＥＬ素子において検討され、充分
な特性が得られなかったことがＳＩＤ８０ＤＩＧＥ
ＳＴ１１０−１１１，ＳＩＤ７７ＤＩＧＥＳＴ８
８−８９，あるいはＪ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ
ｌ．７８９−７９５に開示されている。本発明は該材料
を薄膜型ＥＬ素子に用いたものである。薄膜型ＥＬ素子
は、分散型ＥＬに比べて高輝度であり、また発光寿命が
長いけれども、従来の薄膜型ＥＬ素子のＥＬ発光層材料
では実用に適した発光特性が得られていなかった。本実
施例によって、上述したようなＥＬ発光層材料を用いて
優れた発光特性が得られることが確認された。

【００３４】前記Ｂａ₂ＺｎＳ₃は、Ｚｎ、Ｂａ，Ｓを構
成要素とするけれども、これらの要素から構成されるＺ
ｎＳやＢａＳとは異なる結晶構造を示す。すなわちＺｎ
ＳおよびＢａＳはいずれも立方晶であるのに対しＢａ₂
ＺｎＳ₃は斜方晶である。また、前記Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃ
ｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．７８９−７９５にはＸ線回折パタ
ーンが異なることが開示されている。さらに、ＺｎＳ：
Ｍｎから成る発光層では黄色の発光色が得られ、Ｂａ
Ｓ：Ｍｎから成る発光層では緑色の発光色が得られるの
に対し、Ｂａ₂ＺｎＳ₃：Ｍｎから成る発光層では黄色と
緑色とからは合成することができない赤色の発光色が得
られることが確認されている。したがって本発明は特公
平４−５８１５８および特開昭６３−９９３に開示され
ているＺｎＳやＢａＳを母体材料として用いる例とは異
なるものである。

【００３５】図４は、本発明に基づく薄膜ＥＬ素子を応
用した薄膜ＥＬ素子３０の構成を示す断面図である。薄
膜ＥＬ素子３０は、本発明に基づく２枚の薄膜ＥＬ素子
を重ねて配置したものであり、白色の発光色が得られる
ものである。薄膜ＥＬ素子３０は、透光性基板１２の一
方表面１２ａに前記ＥＬ構造体２１、絶縁層２２および
ＥＬ構造体３１をこの順に積層して構成される。ＥＬ構
造体３１はＥＬ構造体２１と同様にして構成され、ＥＬ
構造体２１と同様にして実現される下部電極２３、下部
絶縁層２４、ＥＬ発光層２５、上部絶縁層２６、上部電
極２７および剥離防止膜２８，２９を含む。ＥＬ発光層
１５は、前述したようにＢａ₂ＺｎＳ₃：Ｍｎで実現さ
れ、ＥＬ発光層２５はＢａ₂ＺｎＳ₃：Ｃｅで実現され
る。したがって、電極１３，１７間に電圧を印加すると
赤色の発光色が得られ、電極２３，２７間に電圧を印加
すると青緑色の発光色が得られる。また、電極１３，１
７間および電極２３，２７間に同時に電圧を印加すると
白色の発光色が得られる。

【００３６】また図示した以外に、ＥＬ発光層として母
体材料であるＢａ₂ＺｎＳ₃中にＭｎとＣｅとをともに添
加することによっても白色の発光色が得られると考えら
れる。このような白色発光素子に赤、緑、青のカラーフ
ィルタを設けることによってカラー表示を実現すること
が可能となる。

【００３７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、薄膜ＥＬ
素子のＥＬ発光層はＢａ₂ＺｎＳ₃を母体材料とし、発光
中心材料は遷移金属元素群の中から選ばれる。たとえば
発光中心材料としてＭｎを選ぶと、高純度でかつ高輝度
な赤色の発光色が得られる。またたとえば発光中心材料
としてＣｅを選ぶと、高輝度な青緑色の発光色が得られ
る。なお、Ｃｅを選んだ場合、特定の波長帯域の光のみ
を透過するフィルタを設けることによって青色あるいは
緑色の発光色を得ることができる。また、Ｍｎによる赤
色の発光素子とＣｅによる青緑色の発光素子とを積層す
ることによって白色発光素子を得ることができ、カラー
フィルタを設けてカラー表示を実現することが可能とな
る。また、母体材料中にＭｎとＣｅとをともに添加する
ことによっても白色発光が得られる。

【００３８】また本発明によれば、ＥＬ発光層と絶縁層
との間にそれぞれ設けられる剥離防止膜によって、薄膜
ＥＬ素子を作成する際の熱処理時におけるＥＬ発光層か
らの絶縁層の剥離を低下することができる。絶縁層とし
てＳｉ₃Ｎ₄膜を用い、剥離防止膜としてＺｎＳ膜を用い
た場合、熱処理時において生じたＥＬ発光層と絶縁層と
の間の剥離が低減することが確認された。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である薄膜ＥＬ素子１１の構
成を示す断面図である。

【図２】前記薄膜ＥＬ素子１１における印加電圧と輝度
との関係を示すグラフである。

【図３】前記薄膜ＥＬ素子１１の発光スペクトルを示す
グラフである。

【図４】薄膜ＥＬ素子３０の構成を示す断面図である。

【図５】従来の薄膜ＥＬ素子１の構成を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１１薄膜ＥＬ素子１２透光性基板１３下部電極１４下部絶縁層１５ＥＬ発光層１６上部絶縁層１７上部電極１８，１９剥離防止膜２１ＥＬ構造体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】いずれか一方が透光性を有する一対の電
極間に母体材料と発光中心材料とを含むＥＬ発光層が配
置され、前記ＥＬ発光層と電極との間に絶縁層がそれぞ
れ配置されたＥＬ構造体を備える薄膜ＥＬ素子におい
て、前記母体材料としてＢａ₂ＺｎＳ₃が選ばれ、前記発光中
心材料が遷移金属元素群の中から選ばれることを特徴と
する薄膜ＥＬ素子。
【請求項２】前記発光中心材料としてＭｎが選ばれる
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬ素子。
【請求項３】前記発光中心材料としてＣｅが選ばれる
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬ素子。
【請求項４】前記ＥＬ発光層と前記絶縁層との間に前
記絶縁層の剥離を防止する剥離防止膜がそれぞれ配置さ
れることを特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬ素子。